バイオメディカル分野において、特に人体に埋め込まれるデバイスについては、デバイスの表面特性を理解しかつ明示することは極めて重要である。素材はその表面において環境と反応するため、表面特性が素材と環境との適合性を大きく左右し、表面化学及び表面構造がタンパク質吸着、細胞相互作用、免疫反応に影響を及ぼす。バイオメディカルでは現在、フレキシブルセンサ、ナノポーラス膜、高分子ALD、生体適合薄膜コーティング向けに使用がある。ALDは診査器具の光学導波管センサにTiO2を成膜するのに用いられている。また、衣類に組み込みアスリートの動きや心拍数を検知するなどフレキシブルセンサデバイスとしても有用である。ALDは低温成膜が可能なため、フレキシブル有機電界効果トランジスタの製造工程にも適用可能と考えられている。ドラッグデリバリー、インプラント、組織工学といった分野に近年ナノポーラス材料が採用され始めている。ナノポーラス材料表面を他の方法ではなくALDで改質するメリットとしては、表面への吸着飽和と自己制御的な性質により、深く入り組んだ表面や境界面にも均一にコーティングできることである。ALDプロセスのコンフォーマル性の高いコーティングはナノポア内部を完全に被覆できるため、さらに孔径を小さくすることができ、特定の用途では有用となる可能性がある。
Dynamic random-access memory(DRAM)キャパシタもALDのアプリケーションの一つである。個々の DRAMセルは1ビットのデータを保存でき、それぞれ一つのMOSトランジスタとキャパシタから構成されている。メモリ密度を更に増大させるために効果的なキャパシタのサイズ低減に努力が払われている。静電容量に影響することなくキャパシタのサイズを変えるには、スタック型やトレンチ型キャパシタなどの異なるセル形態が使われている。トレンチ型キャパシタなどの出現と共に、これらのタイプのキャパシタ製造、特に半導体サイズ微細化に関わる問題が明らかになってきた。ALDはトレンチ形状を100nmより先に推し進めた。材料単層を成膜できる特性により、材料の多様なコントロールが可能となった。不完全な膜成長の若干の問題（主に不足もしくは基板が低温であったため）を例外として、ALDは絶縁膜やバリア膜などの薄膜形成に有効な手段である。
磁気記録ヘッドでは、微粒子を着磁させハードディスク上に磁化パターンを形成するために電界を利用している。Al2O3 ALDは絶縁体の均一薄膜形成に使われている。ALDを使うことで、高精度で絶縁膜厚をコントロールすることができる。これにより更に高精度なパターン形成ができ、より高品質なレコーディングが可能となる。
窒化チタンや窒化タンタルといった遷移金属窒化物はバリアメタルやメタルゲートとして有望である。バリアメタル層は現代の銅ベースの半導体チップに、Cuが絶縁体やシリコン基板などの周囲の素材に拡散すること、また逆にあらゆる銅配線周囲の絶縁体からのCuへの元素拡散汚染を防ぐために使われている。バリアメタルには、高純度、緻密さ、導電性、コンフォーマル性、薄い、金属や絶縁体と密着性が良いなどの厳しい特性が求められるが、プロセス技術の観点からはALDで対応可能である。窒化物ALDにおいて最も研究されているのは、塩化チタンとアンモニアで成膜した窒化チタンである。
high-k酸化物のAl₂O3、ZrO2、HfO₂の成膜は、ALDで最も広く試されている領域である。high-k酸化物の要求は、MOSFETに広く使われている SiO₂ ゲート絶縁膜が1.0nm以下まで微細化した際に発生するトンネル電流が問題になるためである。high-k酸化物であれば、より厚いゲート絶縁膜であっても静電容量の要求を満足できるため、構造上トンネル電流を低減できる。インテルは45nmCMOS技術においてhigh-kゲート絶縁膜成膜にALDを使っていると報告している。
様々な材料を使って高品質な成膜ができることに加え、正確な膜厚と均一な表面制御ができるため、ALDはマイクロエレクトロニクス製造において有用なプロセスである。マイクロエレクトロニクス分野では、ALDはhigh-k（高誘電率）ゲート酸化膜、high-kメモリキャパシタ絶縁膜、強誘電体、また電極・配線用途の金属及び窒化物の成膜に有望として検討されている。超薄膜の制御が重要となるhigh-kゲート酸化膜では、ALDはデザインルール45nmの世代から広く使われ始めるとみられる。メタライゼーションではコンフォーマルな成膜が必要とされ、現段階では65nmノードからALDが主流となることが期待される。DRAMではコンフォーマル性への要求は更に高く、100nm以下のサイズになるとALDが唯一の方法である。磁気記録ヘッドやMOSFETゲートスタック、DRAMキャパシタや不揮発強誘電体メモリその他の様々な製品がALD技術を使用している。
ビルズはAFCトップの12勝4敗の成績でレギュラーシーズンを終えた。QBジム・ケリーはパス470回中288回成功、3,382ヤード、18TD、18INTの成績を残し、4回目のスーパーボウル先発QBとなった。彼以外にスーパーボウルで4回以上先発しているQBはロジャー・ストーバック、テリー・ブラッドショー、ジョー・モンタナ、ジョン・エルウェイ、トム・ブレイディのみであり、4年連続スーパーボウルで先発出場したのは、ケリーのみとなっている。RBサーマン・トーマスは1,315ヤードを走り、6TDをあげるとともに、48回のレシーブで387ヤードを獲得した。RBケネス・デービスは391ヤードを走り、6TD、21回のレシーブで95ヤードを獲得した。プロボウルWRアンドレ・リードがチームトップの52回のレシーブで854ヤード、6TD、ビル・ブルックスが60回のレシーブで714ヤード、5TD、ドン・ビービーが31回のレシーブで504ヤード、3TDをあげた。またTEピート・メッツツェラーズが68回のレシーブで609ヤード、4TD、オフェンスラインのハワード・バラードがプロボウルに選ばれた。ビルズのディフェンスは弱点であり、トータルディフェンスはノーハドルオフェンスで攻撃時間が短くなることもあり、NFLワーストの28位であり、トータルで5810ヤードを喪失した。そうした中で後にプロフットボール殿堂入りを果たすブルース・スミスが14サック、1ファンブルリカバー、プロボウルLBコーネリアス・ベネットが5サック、2ファンブルリカバー、LBダリル・タリーが101タックル、2サック、2ファンブルリカバー、3インターセプト、CBネイト・オドムスがNFLトップの9インターセプトをあげるとともに、1ファンブルリカバー、プロボウラーのシェーン・コンランの退団に伴い先発に昇格したLBマーカス・パットンが2インターセプト、3ファンブルリカバーをあげた。