ようやく文民統治の共産主義国家という形式を整えたメンギスツだが、反政府武装勢力の反乱、そしてソ連邦からの援助が1990年に途絶えたことにより、政権の危機が一気に高まった。1991年にはソ連邦が崩壊、エチオピア労働者党の権力は抑え込まれ、新憲法制定からわずか3年で、遂にはマルクス・レーニン主義と一党制を公式に放棄せざるをえなくなってしまう。1991年5月21日、メンギスツがジンバブエに亡命し、エチオピア人民革命民主戦線（EPRDF）を率いるメレス・ゼナウィ書記長が暫定政府を樹立した。そして同年6月19日を以てエチオピア労働者党は非合法化され、消滅した。
エチオピア労働者党 (アムハラ語: የኢትዮጵያ ሠራተኞች ፓርቲ, ラテン文字転写: Ye Ityop’p’ya Serratennyocch Parti)は、エチオピアの旧政党。1984年から1990年まで同国に一党制を敷いた。共産主義、マルクス・レーニン主義を掲げてはいたものの、実態はメンギスツ・ハイレ・マリアムによる個人独裁を支える翼賛政党にすぎなかった。
数学のグラフ理論の分野における半対称グラフ（はんたいしょうグラフ、英: semi-symmetric graph）とは、辺推移的かつ正則であるが、頂点推移的でない無向グラフのことを言う。言い換えると、グラフが半対称的であるとは、各頂点に接続する辺の数が等しく、各辺を別のどの辺へも推移することの出来る対称性が存在するが、ある頂点のペアに対しては、対称性によってそれらを別のものへと推移することが出来ないことを言う。半対称グラフは2部グラフであり、その自己同型群は bipartition の各二頂点の集合上で推移的に作用する。右上図において、緑の頂点はどのような自己同型によっても赤い頂点へ写されることはない。半対称グラフは、1967年、最小の半対称グラフである 20 頂点のフォークマングラフを発見したジョン・フォークマンによって初めて研究された 。最小の立方体半対称グラフは、54 頂点のグレイグラフである。そのグラフが半対称であることは Bouwer (1968) によって初めて確認された。また、最小の立方体半対称グラフであることは、ドラガン・マルシッチとアレクサンダー・マルニッチによって証明された。立方体半対称グラフについては、768 頂点のものまでが知られている。コンダー、マルニッチ、マルシッチおよびポトチェニクによれば、グレイグラフに続く最小の四つの立方体半対称グラフには、110 頂点のイオフィノヴァ-イヴァノフグラフ、112 頂点のリュブリャナグラフ、120 頂点の内周 8 のグラフ、およびトゥッテ-12ケージがある。
2005年8月、再渡米しABAのイングルウッド・コブラーズに入団。ABA SPL(サマープロリーグ)に参戦。2005年から2006年、イングルウッド・コブラーズでプレーをする。2006年から2007年、サクラメント・ヒートウェーブへ移籍。2007年から2008年、シーズンをサクラメントで迎えるはずだったが、チーム運営が行き詰まり、サンフランシスコ・ランブルに移籍。2008年1月、テキサスプロリーグTPBL (Texas Professional Basketball League)のチームへ移籍。2008年から2009年、サンフランシスコ・ランブルでプレーをする。2009年から2010年、サンフランシスコ・ランブルでプレーをする。2010年からは静岡ジムラッツでプレイヤー兼コーチとして参加する。2011-12年シーズンも、11月よりABAへフルシーズン参戦する旨、ABA公式HPにて発表があった。2013年5月、3x3男子日本代表のアドバイザリーコーチに就任、5月15日〜16日にカタールのドーハで開催される「FIBA ASIA 3x3男子バスケットボール選手権」に帯同することとなった。
大学を卒業後にNBAを最終目標に単独留学。2000年から2002年 カリフォルニア州日系人リーグに参戦し、2000年に準優勝、2001年には3位と好成績を収める。 カリフォルニアNIKE REAL RUN サマープロリーグに参戦し、多くのNBA選手らと試合・交流を深めた。2000と2001年にプレイオフ進出を果たす。NIKEのReal Runに参戦中、後の所属チームABAのイングルウッド・コブラーズ (Inglewood Cobras)のヘッドコーチにスカウトされる。 2001年、マジック・ジョンソンのオールスター出場。この渡米期間中に培った経験を生かして、クリニックなどの活動を通して知り合った池田二郎・柴山英士・仲西淳らと共に帰国後に「GYMRATS」を立ち上げる。
産業において、1990年代から窒化ケイ素ゲート絶縁体が使用されており、シリコン酸化物絶縁体に少量の窒素が注入される。窒素含有量は誘電率をわずかに増加させ、ゲート絶縁体を通したドーパント拡散に対する抵抗などの利点があると考えられる。2007年初めにインテルは、ハフニウムベースhigh-k絶縁体の展開を、45ナノメートルテクノロジー上のコンポーネントにおけるメタルゲートと併せて発表し、コードネームでPenrynと呼ばれる2007プロセッサシリーズで出荷した。  それと同時にIBMでも、2008年にいくつかの製品でハフニウムベースのhigh-k材料へ移行することを発表した。特定されていないが最も用いられている可能性が高いとされている絶縁体は、何らかの形の窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)である。HfO₂とHfSiOはドーパント活性化アニールの間、結晶化の影響を受けやすい。NECエレクトロニクスも55 nm UltimateLowPowerテクノロジーでHfSiON絶縁体の使用を発表した。 しかしHfSiONはトラップに関係したリーク電流の影響を受けやすく、これはデバイス寿命までの間、ストレスにつれて増加する傾向がある。このリーク効果は、ハフニウム濃度が増加するとよりシビアになる。しかしハフニウムが将来のhigh-k絶縁体での事実上の基礎となる保障は無い。2006年のITRSロードマップはhigh-k材料の実行は2010年までに産業において当たり前になると予言している。尚、成膜方法としては大口径ウエハ上への均一な成膜が可能なALD（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）が用いられていることが知られている。