『茨城県史』において志田諄一は、『常陸風土記』は編纂者（藤原宇合をその中心と見るのが通説）の儒教思想の影響が濃厚である事を指摘し、「旧聞遺事」などは必ずしも在地の伝承をそのまま記したものではなく、全般的に儒教的、合理的な内容へと改編されているとする。夜刀神について言えば、その姿を見た者を一族諸共に滅ぼす神ではあるが、同時にそれ程の「霊威すさまじい」神でもあり、従って在地の農耕の成否を左右する国魂神として不可欠の存在であった筈であり、それを駆逐する行為は本来的にありえず、原話では麻多智が夜刀神を敬い祀る事で土地の開発と子孫の繁栄が得られたために、今（『風土記』編纂の時代）に至るまで祭祀を司っているといった内容であったのを儒教的に説明し直したものと見る。また壬生麿の場合、麿は国造であり、その重要な職務として支配地の国魂神を祀って作物の豊穣を祈った筈なので、これも「打ち殺せ」などと叫ぶ筈はなく、同様に儒教的改変を与えたものであり、しかも「民政のために云々」との神への叱責は、実は非儒教的に土俗的な神を崇める在地の郡司層（いわゆる旧国造層）へ向けての編纂者の叱責であり、そこには「律令貴族の思いあがりの姿」しか見えないとする。
後半は、茨城・那珂国（後の茨城郡と那珂郡）の一部を割いて行方郡を建郡した茨城国造壬生麿が、谷の池に堤防を築き周囲を開拓するのは王化（天皇による徳化、天皇を戴く国家の施政方針）であると宣言するものであるが、この点については編纂者による脚色が認められるという（次節参照）。なお、ここに登場する「椎井の池」は遺称地が現存しないために不明であるが、上記愛宕神社の社前に湧く「天龍の御手洗」がそれであるという。
麻多智は箭括氏を率いる首長と思われるが、夜刀神に対して標の梲を堺の堀に立て、「此より上は神の地と為すことを聴（ゆる）さむ。此より下は人の田と作（な）すべし」と宣言したが、これは世界を「内部」（人の世界、稲田、ミクロコスモス）と「外部」（神の世界、谷・山、マクロコスモス）に分類する出来事を始原として語ったもので、古代の首長層が土地の神を鎮める呪具としての梲（つえ）（梲は大きい杖）を「内部」と「外部」の境界標識として立てることで境界を画定し、土地の占有や支配を示すとともに、夜刀神の「祝」となることで融和をはかったものであろうとされ、自然を表象する神々を克服するという点で、常陸における英雄時代を語るものであるともされる。また、その境界において共同体の安寧をはかった呪術儀礼が実修され、蛇神は多く水神の表象とされるので、蛇神である夜刀神に対する祭祀は稲作に関わる水利管理に関するものであり、定住と稲作を前提とする農耕祭儀であろうと見られ、土地の開墾に際して自然神である山野の神霊から土地を譲り受ける「地もらいの儀礼」と見ることもできるというが、この点に関しては、編纂者による説話内容の改変を疑う説もある（後節「『常陸風土記』と儒教思想」参照）。
DRAM集積回路の密度の向上は、電荷を少ししか蓄えられない物理的に小さなメモリセルをもたらし、結果として動作のノイズマージンは減少し、メモリセル相互間の電磁相互作用の度合いが増大し、データ損失の可能性が上昇した。結果として外乱エラー (disturbance error) が観測された。それはメモリセルが相互の動作を妨害することにより、影響されたメモリセルに格納されたビットの値がランダムに変化することで明らかとなった。外乱エラーについての指摘は1970年代初期にさかのぼる。初の商業的DRAM集積回路 (IC)・インテル1103以来、メモリセル間の絶縁性向上、製品検査の実施など、DRAMメーカーは種々の技術で外乱エラーを軽減してきた。しかし研究者は2014年に、2012年・2013年に製造された商用のDDR3 SDRAMチップが外乱エラーの影響を受けることを確かめた。その中で、観測されたビット反転を導く副作用をロウハンマー (row hammer) と命名している。DDR3メモリでロウハンマーが起こる機会は、高いメモリセル密度に起因するメモリセル間相互作用の結果がもたらしたとはじめは考えられていたが、高速な DRAM 行選択動作が主な原因であると究明された。高速な行選択動作は対応する行選択線に電圧変動を引き起こし、近くの（ほとんどの場合、隣の）行（被害行 (victim row) と呼ばれる）にあるキャパシタに自然状態よりも高い放電率を誘発するのが観測された。影響されたメモリセルが電荷を一定以上失ってもリフレッシュされないとき、外乱エラーが起こる。テストでは（キャッシュのフラッシュとともに）約139,000回のメモリ行アクセスを続けると外乱エラーが観測される可能性があり、影響を受けるメモリセルが1,700個のうち1個にのぼる恐れがあることが示されている。また、これらのテストは外乱エラーの頻度は環境温度の上昇には実質的に影響されず、DRAMの記憶内容に依存することを示している。特定のビットパターンによって外乱エラーの頻度が大幅に高まるのである。両側干渉 (double-sided hammering) と呼ばれるバリエーションは、被害行を取り巻く2つの行を動作させるものである。この節のイラストでは、紫色の被害行にビット反転を誘発するねらいで両方の黄色の行を動作させる。テストでは、この方法により被害行の片側の隣接行だけを動作させる場合に比べて外乱エラーの頻度が大きく上昇する可能性があることを示している。