定義より、二つの単関数の和、差、積はふたたび単関数である。また、単関数の定数倍もふたたび単関数である。したがって、ある与えられた可測空間上のすべての単関数の集まりは、K 上の可換多元環を成す（K は文脈により R または C の何れか）。これは可測函数全体の成す可換多元環の部分多元環である。さらに適当な順序によってリース空間（ベクトル束）を成す。
数学の実解析の分野における単関数（たんかんすう、英: simple function; 単純函数）とは、実数直線の部分集合上の（十分に「良い」 - 正式な定義は下節を参照）実数値関数で、有限個の値しか取らないもののことを言う。実践的な場面においては例外なくそうであることから、単関数は可測であることが要求されることもある。基本的な単関数の一例として、半開区間 [1,9) 上で定義された床関数が挙げられる（これは {1,2,3,4,5,6,7,8} のいずれかの値しか取らない）。より発展的な例として、実数直線上のディリクレ関数は、有理数に対しては 1 となり、その他の値に対しては 0 となる（すなわち「単関数」が「単純」であるというのは、技巧的な意味合いにおいてであって、一般的な話し言葉とは幾分食い違いがある）。また、すべての階段関数は単関数であることにも注意されたい（任意の単函数を階段函数と呼ぶ場合もある）。単関数は、ルベーグ積分などの積分の理論の発展の第一段階において使用される。なぜならば、単関数に対して積分の定義を構築することは非常に容易なことであり、単関数の列を用いることで、より一般の関数を近似することが直ちに可能であるからである。
台86線（たいはちじゅうろくせん）は、台南市南区から同市関廟区に至る台湾の東西向快速公路であり、別称は「台南関廟快速公路（たいなんかんびょうかいそくこうろ）」。
錦耕堂、後に春錦堂と号す。荒川氏。文化から明治期に元浜町九兵衛店、後に馬喰町2丁目北側利右衛門店、久兵衛店、荒川藤兵衛・荒川コマ名義で馬喰町2丁目9番地で営業している 。喜多川歌麿、歌川豊国、歌川国貞、歌川国芳、歌川広重、2代目歌川広重、歌川貞秀、月岡芳年、山崎年信、歌川芳春、歌川国利らの錦絵などを出版している。また、自作の石版画も版行している。明治に入ってから編者は荒川藤兵衛・荒川コマの名義で錦絵を刊行している。
準同型機のベネラ2号は金星フライバイを意図したもので、ベネラ3号に3日先立って打ち上げられた。3号打ち上げから1週間後の11月23日にも金星探査機が打ち上げられたが、ロケットの不調のため地球周回軌道から金星へ向かう軌道へ移行できなかった。この機体はベネラではなくコスモス96号の名前が与えられた。
半金属は半導体と異なり伝導帯と価電子帯が重なっているため、常態においても電子の一部が価電子帯から伝導帯へと渡されることで価電子帯に正孔が生じ、伝導帯は価電子帯から電子を受け取ることで伝導電子が生じる。半金属においてキャリアーとして働く伝導電子（自由電子）や正孔はこのようなやり取りによってわずかに生じるのみであるため、自由電子の数は金属に比べて極端に少なく、このようにして生じたキャリアーの有効質量は小さく移動度は大きい。物質内部の熱伝導は自由電子による熱伝導と結晶格子による熱伝導の2つの因子によって起こるが、半金属は自由電子の数が少ないために自由電子による熱伝導の寄与がほとんど得られないため、半金属の熱伝導率は金属のそれと比較して著しく低い。例えば20°Cにおける熱伝導率を見ると、金属である銅の熱伝導率は386 W·m⁻¹·K⁻¹、鉄で84 W·m⁻¹·K⁻¹であるのと比較して、典型的な半金属であるビスマスの熱伝導率は8 W·m⁻¹·K⁻¹、アンチモンで19 W·m⁻¹·K⁻¹に過ぎない。伝導帯と価電子帯が重なり合ったバンド構造であるため半金属はバンドギャップを持たず、フェルミ準位において価電子帯の電子がわずかに満たされているためわずかに状態密度を有している。また、ドナーもしくはアクセプターとして機能するような不純物の添加によって電気物性が著しく変化する点は半導体に類似している。ビスマスではこの不純物に敏感な性質を利用することで任意のバンド構造に制御することができる。純粋な半金属は金属と同様に温度の上昇に比例して電気抵抗も増加するが、半金属にアクセプターとして働く不純物を添加することで、ある温度に電気抵抗の極大が現れるような金属とは異なった挙動を示すようになる。また、半金属はフェルミ準位や価電子帯とその一つ下のエネルギーバンドの間の間隔が狭いため、半導体と同様に赤外線に対する応答性は多様である。誘電率は、典型的な半金属であるビスマスでおよそ100 F/mであり、半導体であるケイ素の誘電率が11.7 F/mであることと比較して1桁ほど大きい。半金属のg因子は高く、これはコーエン-ブロントの理論によって説明され、ビスマスやアンチモンにおいてはこの理論に対する実測値の程よい一致が見られる。反磁性磁化率は物質のバンド構造に大きく影響を受けるため、バンドギャップを持たない半金属のバンド構造を持つ物質は共通して反磁性磁化率が高い。