イングランドに確固たる貴族制度を最初に築いた王は征服王ウィリアム1世（在位：1066年-1087年）である。彼はもともとフランスのノルマンディー公であったが、エドワード懺悔王（在位：1042年-1066年）の崩御後、イングランド王位継承権を主張して1066年にイングランドを征服し、イングランド王位に就いた（ノルマン・コンクエスト）。重用した臣下もフランスから連れて来たノルマン人だったため、大陸にあった貴族の爵位制度がイングランドにも持ち込まれた。子爵（Viscount）は爵位の中でも最後に生まれたものであり、1440年に第6代ボーモント男爵ジョン・ボーモントにボーモント子爵（Viscount Beaumont）位が与えられたのが最初である。侯爵から男爵までの貴族は「卿（Lord）」と尊称される（公爵は「閣下（Your Grace）」）。
咸熙元年の叙爵では、陳羣・高柔・荀彧といった魏時代の功臣の子孫が「子」の爵を受けている。また羊祜もこの際に子の爵位（鋸平子）を受けている。
子爵（ししゃく、英: Viscount [ˈvaɪkaʊnt]）は、中国や近代日本で用いられた爵位（五爵）の第4位。伯爵の下位、男爵の上位に相当する。ヨーロッパ諸国の貴族の爵位の日本語訳・中国語訳にも使われる。
名誉顧問（No.674から、No.603まで「特別顧問」）として国鉄OBの手塚一之（故人。国鉄在籍時代は『小玉光』などの筆名でも執筆していた）、カメラマンとして伊藤久巳（航空写真家としても活動）、2010年からは松本洋一とも契約している。また、以前は『鉄道ジャーナル』で記事を執筆していた松本典久が乗車ルポなどを、鉄道ジャーナル社出身の目黒義浩もカメラマンとして参加している。2000年代以降ではフリーランスプロダクツ（鉄道ライター・梓岳志と芦山公佐のコンビ）、池口英司、草町義和（ともに鉄道ライター）、渡部史絵（鉄道ジャーナリスト）や野月貴弘（SUPER BELL"Z）らが執筆陣に加わっている。過去の執筆者、写真家としては広田尚敬や一時期編集部に在籍したことがある諸河久がおり、創刊号の表紙は広田の手によるものである（他にも表紙写真や記事を多数手がけた）。TBSアナウンサーの吉村光夫も創刊初期の頃から不定期ではあるが記事執筆を行なっていた。創刊号から1962年7月号（通巻13号）までは巻末に同人氏名が掲載されており、広田や吉村の他、のちに『鉄道ジャーナル』を創刊する竹島紀元、交通博物館調査役であった鷹司平通、国鉄電車主任技師であった星晃、国鉄気動車担当技師でのちに九州旅客鉄道（JR九州）初代社長を務めた石井幸孝、鉄道研究家として知られた吉川文夫、のちに編集長となった国鉄在籍のイラストレーターである黒岩保美、交友社編集に移管された後も編集部に長く在籍した江本廣一などが同人として名を連ねていた。『レイルマガジン』の編集陣は、編集長の新井正を筆頭に同誌からの移籍組を中心に構成されている。
2006年5月現在の公称発行部数は22万5000部と日本の鉄道趣味誌中最大。編集については東京都文京区にある東京支店で行っている。2011年1月まで、編集長は中山紅郎（2007年4月 - 2011年1月）だったが、体調不良のため2011年2月号（通巻598号）から同社社長の山田修平が編集長代行を務め、2011年8月号（通巻604号）から、副編集長の高田毅が内部昇格の形で編集長に就任した（中山も引き続き在籍）。もと編集長の宮田寛之は名誉編集長という肩書になっている。『鉄道ピクトリアル』に続く鉄道趣味雑誌として1961年（昭和36年）に創刊された。初代編集長には、名鉄7000系電車や国鉄EH10形電気機関車の車体デザインを手がけたデザイナーの萩原政男が就任した。当初は鉄道友の会が編集に携わる形であり、鉄道友の会の宣伝や支部活動報告が掲載されていた。刊行数年後、引き続き鉄道友の会の宣伝用に1ページを割くことを条件として、交友社が自社で編集を行うようになった。創刊号の表紙は名鉄7000系電車（パノラマカー）である。2018年9月から、過去のバックナンバーを電子版で提供するサービス「鉄道ファン図書館」を開始した。
FeRAMのセルにはキャパシターが用いられており、この意味においては、DRAMと基本的に類似したセルである。しかし、このキャパシターの極板間の材料には強誘電体が用いられているという点で、FeRAMはDRAMとは大きく異なる。メモリセル構成としては、FeRAMには大きく分けて2種類が提案されている。具体的には、強誘電体キャパシター（C）とメモリセル選択用のMOSFET（T）を組み合わせる1T1C型（キャパシター型）と、これをベースにして2つのキャパシターを逆向きに分極させることでデータの信頼性を高めている2T2C型である。なお、1T1C型はDRAMと同じメモリセル構成でもある。更に、この他に、ゲート絶縁膜が強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETを用いる1T型（トランジスター型）が存在し、これは特にFFRAMと呼ばれて区別されている。FeRAMでは、FETをオンさせただけではビット線にはデータは出力されない。何故ならば、セルであるキャパシターに電圧が印加されない状態では、セルに記憶されているデータが1であるか0であるかは強誘電体膜中に保存されているので、それを読み出すにはソースプレートを駆動してキャパシターに電圧を印加して強誘電体膜中の分極を外部に電荷量として読み出さなければならないからである（これは読み出しに静電容量が極めて大きいセルキャパシターを駆動する時間を必要とすることも意味する。）。従って、FeRAMにおいては、ワード線とビット線以外にも、ソースプレートの駆動線と特定のセルのそれを駆動するためのデコーダー回路が必要となる。このためFeRAMでは、セルの微細化やアクセス速度の高速化は困難であった。これらの欠点を克服すべく、東芝がChainFeRAMと呼ばれる新しいメモリセル構造のFeRAMを2001年に発表している。