トミーテックから発売されている「バスコレクション」や「カーコレクション」、「街並みコレクション」などと同じく縮尺1/150 が採用されている。これまで同社が展開する鉄道模型ブランドであるTOMIX (トミックス) はもとより、同業他社が殆ど手がけてこなかった、大手・地方私鉄 (現在は廃線となった路線も含む) の1960年代 - 1990年代前後に使用されていた車両を各種モデル化したのが特徴。
出生は福岡県小倉市（現・北九州市）、育ちは山口県下関市。中学校の時に管弦楽部に入部し、他に誰もやりたい人がいなかったという理由でトロンボーンを始める。1987年にBIG HORNS BEEに加入。以降米米CLUBのサポート及びレコーディングメンバーとして定着する。1995年から1997年の解散までは米米CLUBの正式メンバーとしても名を連ねる。米米解散以降もBIG HORNS BEEとしての活動、多数のバンド・ユニットへの加入をしながら、スタジオミュージシャンとして多くのアーティストのレコーディングにも参加している。2002年からクレイジーケンバンドに参加。現在もBIG HORNS BEE、クレイジーケンバンドのメンバーであり、2006年に再結成した米米CLUBのサポートや、スタジオミュージシャンとしても幅広く活動中である。
世界選手権では、同じ階級に出場した野村豊和がソ連のアナトリイ・ノビコフに敗れるも敗者復活戦で勝ち上がってきたため、準決勝で吉村と戦う事となったが、リードしたまま残り時間40秒で試合会場の時計を見た吉村は背負投で「技あり」を取られ、逆転負けをしてしまう。この件に関し吉村は、野村が前の試合で脳震盪を起こしていた事に加え、吉村もそれまで野村に負けた事が無かった事や、吉村自身はもう一方の準決勝の両者（ソ連のノビコフと東ドイツのディートマール・ヘトガー）に過去の大会で勝利していた事から、自身の金メダルを確信したため「心にスキがあった」と述懐している。日本大学卒業後は、恩師の木村忠雄をたより警視庁に入庁。1976年のモントリオールオリンピックでは、自身の足の負傷もあり代表の座を蔵本孝二に譲ってしまう。吉村は翌77年の世界選手権に照準を定め、同年の全日本選抜体重別選手権で優勝し日本代表に選出されるが、出発の1週間前になり政治問題絡みで大会そのものが中止となる。29歳で迎える1980年のモスクワオリンピックでは、日本がオリンピックへの出場をボイコットした（モスクワオリンピック#ボイコット問題）ため、またも出場できなかった。
熊本県熊本市に4人兄妹の末弟として生まれ、兄の影響や父親の勧めで小学校1年次時より柔道を始める。典型的なスパルタ教育をする父（ただし、柔道には素人であった）の元、体を大きくするために練習前にうどんやラーメンを食べさせられ、練習後にも必ず牛乳を3本飲ませられたほか、兄たちが強かった関係で、小学校高学年になると少年部のみならず一般部の稽古にも参加していたため、柔道家としての礎が築かれていった。兄が通っていた柳川商業高校（現・柳川高校）に進学し、1年次にインターハイの県予選で準優勝、これを勇んで父に報告すると「そんな調子なら柔道をやめろ」と激怒されたため、この父親を見返すために高校時代は土日を含め毎日のように猛練習を積んだ。その結果、3年次にはインターハイで全国優勝。1970年、兄の勧めで日本大学に進学してからは、71年に全日本新人体重別選手権（中量級）での優勝や翌72年全日本選抜体重別選手権（軽中両級）での3位入賞などの実績を残し、1973年にスイス・ローザンヌで開催された世界選手権の軽中量級代表に選出される。
小学校4年生頃にバスケットボールを始める。中野島中学校を卒業後は都内の名門國学院久我山高に進学。大学は國學院大學に進学。大学卒業後、いくつかのクラブチームを経て2005年、東京アパッチに入団。2008年退団。
長年、パナシナイコスやAEKアテネでプレーしていたが、2008年7月、アイントラハト・フランクフルトと契約。32歳で初めて海外リーグに挑戦することになった。アイントラハト・フランクフルトではエースストライカーとして活躍。2010年夏にAEKアテネに復帰した。
右図にp型シリコンMOSキャパシタの容量とゲート電圧の関係（C-V特性）を示す。ゲート電圧が負の方向に大きい場合（図の左側）、p型シリコンから酸化膜に向かう電場が生じる。その電場によってp型シリコンの多数キャリアである正孔は酸化膜/p型シリコン界面に溜まった状態となる（蓄積）。ゲート電圧に比例して界面の正孔濃度が変化するため、容量は酸化膜の容量となる。ゲート電圧が負の値から正の方向へ大きくなると、MOS構造内の電場がゼロとなるゲート電圧（フラットバンド電圧）が存在する。ゲート電圧がフラットバンド電圧よりも正の方向へ大きくなると（図の中央）、酸化膜からp型シリコンへ向かう電場が生じる。その電場によって、正孔は酸化膜/p型シリコン界面から遠ざけられ、界面の正孔が不足する（空乏）。全体の容量は酸化膜の容量と空乏層の容量との直列になるため、容量は低下する。さらにゲート電圧が正の方向に大きくなると（図の右側）、酸化膜/p型シリコン界面に少数キャリアである電子が急激に蓄積する（反転）。容量は酸化膜の容量となる。また空乏層中で電子と正孔が生成するのに時間がかかるため、高周波の交流電圧を与えた場合（青色）は電圧の変化に電子と正孔の生成が追い付かないため、反転が起きない。