韓国では、9月6日に高麗人が武装グループにいたとの報道があり、国内外の韓国人社会を震撼させた。高麗人とは、もともとソ連の沿海地方などに住んでいた朝鮮民族系の人々のことで、第二次世界大戦中に日本軍に協力するおそれがあるという理由から中央アジアに民族ごと追放され、現在はウズベキスタンを中心に居住している人々のことである。この報道が韓国で衝撃を呼んだのは、韓国では高麗人は中国の朝鮮族と同様、外国国籍同胞（韓国籍を持たない韓国人）とみなされているためである。また多くの外国語では高麗人も朝鮮人も韓国人も一律に英語でコリアン、ロシア語でカレーイェツと呼ばれるように区別されないため、韓国人がテロリストに加わったというイメージが国際的に広がって韓国の印象が悪化することを懸念する声もあった。
アメリカ合衆国のジョージ・ウォーカー・ブッシュ大統領は、9月1日の占拠事件発生直後、即座にテロリストを非難する声明を発表し、ロシアのテロとの戦いに対する全面的支援を約束した。また、この事件と同時期に行われている大統領選挙戦においてテロとの戦いを強調するブッシュにとって、この事件は追い風となっている。
ロシアのウラジーミル・プーチン大統領は、これまで同様チェチェン独立派と対話のテーブルにつくつもりはないことを繰り返している。また国外まで視野に入れて今回の事件の徹底的な捜査を行う考えで、ロシア政府は、その所在を問わず、全てのテロ組織へのあらゆる手段による先制攻撃を言明している。もしこの方針が実行に移されれば、今後攻撃を受けることになるテロ組織の拠点は、これまで通りの北カフカスに留まらず、アフガニスタンなどにまで拡大されることになる。事実、既に相次ぐテロの影響で、ロシアの経済は打撃を受け、10月中旬までの2週間分のキャンセルだけで400億円の損害、今年度は旅行業界全体で2,000億円規模に上る。
3日未明、武装集団側が学校を包囲する警官隊に発砲し、警察官1人が負傷した。また、2日の交渉開始以来、武装集団側が睡眠薬などの混入を恐れて人質への水や食料の差し入れを拒否し続けていたため人質の健康悪化が懸念され、武力突入への緊張が高まった。13時04分頃、武装集団が立てこもる体育館で起きた「爆発」をきっかけに銃撃戦となった。銃撃戦が始まった経緯については情報が錯綜しており、真相は明らかではない。ロシア側当局は当初、死体を引き取りにいった際に銃撃されたため、発砲、突入と発表していた。その他、現地にいた親が持参した銃器の発砲音を犯人グループが特殊部隊の突入と勘違いしてはじまったとする説、犯人側が体育館にしかけた爆弾が偶発的に爆発したのがきっかけとする発表などが報道に流されている。突入前に特殊部隊の一部兵士が先走り、砲撃・機銃掃射を行ったとの目撃証言を市民や人質が行っている等、いまだはっきりしていない。
1日午前、軍用トラック1台に乗った30人ほどの黒ずくめの集団が学校を襲撃した。銃撃戦の末、警察官や犯人を含む9人が死亡、武装集団は学校を占拠して、7歳から18歳の少年少女とその保護者の計1181人を人質として体育館に立てこもった。人質には生後間もない赤ん坊も含まれていた。襲撃者達は当時改修工事を行っていた体育館の地下に事前に武器弾薬を隠し、準備を行っていたとされる。人質の数は、当初は実数より大幅に少なく、120人程度と発表された。その後ロシア当局は354人と公式発表したが、この発表は実数より少なすぎるとして地域住民から非難された。事件の発生を受け、特殊部隊スペツナズを含むロシア軍が出動し非常線を張る。
2003年に株式会社レジャーライセンスジャパンを設立し東京都六本木・銀座に数店舗の飲食店など８店舗を展開。その後岐阜に結婚式場・星野敬太郎ボクシングジムを経営するも結婚式場が失敗する。2010年から、ミス・ユニバース・ジャパン沖縄大会の運営を手掛ける。その他にも九州・沖縄・静岡・山梨・長野・群馬・秋田の大会を運営。2012年から、ミス・アジアパシフィック日本代表を務め世界大会の運営などを手がける。2013年3月芸能プロダクションイエローキャブプラスを設立し代表取締役に就任。2013年2月株式会社whynotを設立し代表取締役に就任。キャスティング事業・広告代理店行を手がけ現在も代表を務めている。2015年3月DeNAの運営するSHOWROOMの動画配信・イベント制作会社として株式会社SHOWGATEを設立し代表取締役に就任。2018年に辞任。RACo 琉球アジアコレクションの総合プロデューサーに就任。また数々のアーティストやアイドルのビジュアルプロデュース担当するなど、ビューティープロデューサーとして活躍している。
p型シリコンMOSキャパシタのエネルギーバンドを考える。熱平衡状態にあるMOSキャパシタでは、金属ゲートと半導体との仕事関数が異なるため、酸化物と半導体表面のバンドが曲がる。その結果フェルミ準位が価電子帯から離れるため空乏層が形成する。p型MOSキャパシタに負のゲート電圧をかけると、バンドが平らになる電圧が存在する。このときの電圧をフラットバンド電圧と呼ぶ。さらに負の方向へ電圧をかけると、バンドが曲がることによってフェルミ準位が価電子帯に近づき、半導体表面では正孔が溜まる。これを蓄積と呼ぶ。MOSキャパシタに正の方向へ電圧を加えると、バンドが大きく曲がることでフェルミ準位は価電子帯からさらに遠ざかり、正孔の空乏が進む。またある電圧を超えると、フェルミ準位が伝導帯に近づくことで少数キャリアである電子が半導体表面に誘起される。これを反転と呼び、半導体表面の少数キャリアの層を反転層と呼ぶ。反転が始まる電圧をしきい値電圧と呼ぶ。