フラッシュメモリはEEPROMの一種で比較的新しい。業界ではバイト単位の消去を行うデバイスをEEPROMと呼び、ブロック単位で消去を行うデバイスをフラッシュメモリと呼ぶことが多い。EEPROMはセル（1ビットを記憶する回路）毎に読み取りと書き込みと消去のためのトランジスタを必要とするが、フラッシュメモリではブロック（通常512×8セル）単位で消去用回路を共有しているため、単位記憶容量あたりのチップ面積が小さくなる。FeRAMやMRAMといったさらに新しい不揮発性メモリ技術がEEPROMを徐々に置き換えつつある。
EEPROMに記憶させた情報について、書き換え回数の限界と情報を保持できる期間の限界が存在する。書き換えの際、フローティングゲートMOSFETのゲート酸化膜は徐々に捉えた電子を蓄えていく。捉えられた電子が電界を発生することでそれがフローティングゲートに印加され、0と1を表す電圧の差が徐々に縮まっていく。ある十分な回数書き換えを行うとその差が判別できなくなり、そのセルの内容が0なのか1なのかわからなくなる。一般にメーカーはこのような問題が発生する書き換え回数を 10⁶ かそれ以上としている。フローティングゲートに注入された電子は、特に温度が上がると不導体を通り抜けて漂うようになり、蓄えた電荷が徐々に失われ、最終的にはセルの記憶が消去された状態になる。メーカーによれば、記憶したデータが保持される期間は10年かそれ以上だという。
EEPROMは厳密にはメモリチップでないチップに必要に迫られて組み込まれることがある。例えばリアルタイムクロック、デジタル・ポテンショメータ、デジタル温度センサなどでは、校正情報などの電源を切った際に保持する必要があるデータをチップ内蔵のEEPROMに格納している。
パラレルEEPROMチップは一般に8個（8ビット）のデータ端子と記憶容量に対応したぶんのアドレス端子を持つ。チップセレクト端子と書き込み保護端子も持っていることがほとんどである。一部のマイクロコントローラはパラレルEEPROMを内蔵している。パラレルEEPROMの操作はシリアルに比べれは単純で高速だが、端子数が多いので（24かそれ以上）チップの占める面積も大きくなる。このためシリアル型やフラッシュメモリに比べて敬遠される傾向にある。
1978年、インテル社の George Perlegos は初期のEPROM技術に基づいて Intel 2816 を開発したが、酸化膜の層を使い紫外線を使わなくともチップ自身がビットを消去できるようにした。Perlegos らは後にインテル社を退職して Seeq Technology を創業し、チャージポンプ回路を組み込んでEEPROMの書き換えに必要な高電圧をチップ内で発生できるEEPROMを開発した。
EEPROMは利用者が内容を書き換え可能なROMであり、印加する電圧を読み取りのときよりも高くすることで何回も記憶内容の消去・再書き込みが可能である。高い電圧は最近のEEPROMではチップ内部で発生させるようになっている。EPROMの記憶内容を消去・再書き込みするには、機器の構造にもよるが、通常は一旦取り外す必要がある。EEPROMの場合は回路設計により、機器に取り付けたまま消去・再書き込みが可能である。初期のEEPROMは1バイト単位でしか操作できず非常に遅かったが、今では多バイトページ操作が可能である。また初期のEEPROMは書き換え可能回数が限られていたが、数十回、数百回、数千回と徐々にそれが延びていった。今では百万回の書き込みも可能となっている。機器に内蔵するEEPROMが頻繁に書き換えられるような場合、このEEPROMの寿命は設計時に考慮すべき重要な問題となる。EEPROMが記憶内容の書き換えができ、電源を切っても内容が失われないという理想的なメモリのように見えるにもかかわらず、主記憶装置に使われずに主に設定情報の格納などに使われているのは、速度と寿命のためである。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は不揮発性メモリの一種で、コンピュータなどの電子機器で電源を切っても保持しておくべきデータを格納するのに使われている。例えば、校正に関するデータや機器の設定情報などのデータである。USBメモリのように大量のデータを格納する用途では、従来型のEEPROMよりもその一種であるフラッシュメモリなどの方が経済的である。EEPROMはフローティングゲートMOSFETの配列でできている。
1794年夏、ホワイトマンキラーとザ・ボウルに率いられたチカマウガ・チェロキー族の1隊がウィリアム・スコット以下の部隊を捕まえ、白人の通行人を殺し、物資を略取し、奴隷を捕虜にした。この後、ザ・ボウルとその戦士達は西へ移動し、ミシシッピ川を越えてセントフランシス川まで行って定住した。これはチェロキー族の大きな集団が初めてミシシッピ川を越えて定住した例となった。その年の秋、メロ地区（カンバーランド）のロバートソン将軍に宛ててトマス・ブラウンが伝言を送り、マスコギー族とチェロキー族の1隊がすべての川沿いの襲撃を始めようとしていると伝えた。これに対応して、ロバートソンはジェイムズ・オーレ少佐に命じ、合衆国正規兵とメロ民兵およびケンタッキー志願兵の部隊をファイブ・ローワー・タウンズに送った。この部隊は警告無しでニカジャック集落を襲い、平和的な酋長ザ・ブレスを含む多くの住人を殺害した。その住居に火を付けた後に川を遡ってランニング・ウォーター集落も燃やしたが、住民はとっくに逃げおおせていた。2つの町の住人の多くはウィルスタウンでスティックボールをやっていたために、被害は比較的少なかった。2つの集落の破壊の他に4月にはボブ・ベンジが死んでおり、また北部では、8月にフォールン・ティンバーズの戦いで"マッド・アンソニー"ウェイン将軍にインディアン同盟軍が敗れていた。さらにスペインがヨーロッパでのナポレオンに対応するために、チカマウガを支援できなくなっていた。ワッツは戦いを終わらせるしかないと確信した。1ヵ月後のテリコ・ブロックハウス条約で、戦争は終結したが、条約では新たな土地の割譲がなかったことは注目すべきことであった。チカマウガとローワーのチェロキー族はホルストン条約を認めさせられ、19世紀まで休戦が続くことになった。ただし、ダブルヘッドがセビアの基地に最後の攻撃を仕掛け、14名を殺した。この時、他の者はフィラデルフィアで条約に調印していた。