フランクフルトは、西はマイン＝タウヌス郡（ハッタースハイム・アム・マイン、クリフテル、ホーフハイム・アム・タウヌス、ケルクハイム (タウヌス)、リーダーバッハ・アム・タウヌス、ズルツバッハ (タウヌス)、シュヴァルバッハ・アム・タウヌス、エシュボルン）、北西はホーホタウヌス郡（シュタインバッハ (タウヌス)、オーバーウルゼル (タウヌス)、バート・ホムブルク・フォア・デア・ヘーエ）、北はヴェッテラウ郡（カルベン、バート・フィルベル）、北東はマイン＝キンツィヒ郡（ニーダードルフェルデン、マインタール）、南東はオッフェンバッハ・アム・マイン、南はオッフェンバッハ郡（ノイ＝イーゼンブルク）、南西はグロース＝ゲーラウ郡（メルフェルデン＝ヴァルドルフ、リュッセルスハイム・アム・マイン、ラウンハイム、ケルスターバッハ）と境を接している。
フランクフルト・アム・マイン市は、南西ドイツのタウヌス山地南東麓マイン川下流の両岸に位置し、ドイツで最も重要な経済圏を形成している。市域の約1/3がフランクフルト緑地帯景観保護地域に指定されている。これにはドイツ最大の都市林であるフランクフルター・シュタットヴァルトが含まれる。市域は東西23.4km、南北23.3kmの広がりを持つ。自然構造物で最も高い地点は、ゼックバッハ市区ベルガー・リュッケンのベルガー・ヴァルテ（直訳すると「山の監視所」）のある位置で、海抜 212.6 m である。一方最低地点は、ジンドリンゲン市区のマイン川の河原で、海抜 88 m である。本市は、バーゼルからライン＝マイン地域にいたるオーバーライン地溝の北端にあたる。現在の市域の地理上の重心、すなわち地理的中心点は、ボッケンハイム区のフランクフルト西駅付近で、歴史的市街地の外側にある。
代数学の基本定理によれば、任意の複素数係数方程式は複素数の中に根が存在するが、しかしながら5次以上の方程式には一般には代数的解法は必ずしも存在しない。すなわち、一般の五次方程式に対して代数的な根の公式は存在しない。もう少し詳しく書くと、5次の一般方程式の根を、その式の各項の係数と有理数の、有限回の四則演算及び有限回の根号をとる操作の組み合わせで表示することはできない。これはルフィニ、アーベルらによって示され、またガロアによって方程式が代数的に解ける条件が裏付けられている（ガロア理論参照）。なお、代数的ではないが、楕円関数などを用いた根の公式は存在する。
1986年、クリス・クロフォードは同名の書籍を執筆している（邦訳は「バランス・オブ・パワー デザイナーズ・ノート」）。この書籍では政治的背景、ゲーム中の数値項目の計算に使われた数式、そしてその詳細な根拠を含むゲームの内側の解説を行っている。
副題が「核時代の地政学(Geopolitics in the nuclear age)」とされているとおり、米ソ二大国の核戦略を扱う戦略級ゲームである。プレイヤーはアメリカ合衆国大統領またはソビエト連邦共産党書記長を選択する（対抗する側はコンピュータが担当）。この二大国の冷戦を舞台に、任期の8年間の間地政学を駆使して核戦争を起こさずに自国の威信（抽象化された得点の一種）を高めなければならない。ゲーム中は世界地図が表示され、各国の状態（二大国に対する態度や、人口、経済指標、その他国家の詳細な情報）を確認することができる。世界各地の出来事がニュースの形で報告され、それに対処していく。国家間の衝突などの出来事が発生した場合、プレイヤーは担当する国家の行動としてその出来事が発生した国家に介入することができる。しかしながらアメリカ合衆国、ソビエト連邦双方が介入した場合、軍事的緊張が高まり、介入の度合いがエスカレートしていく。ここで介入を中止すれば軍事的緊張は緩和されることになるが、撤退した側は威信を失い、残った側は威信とその国に対する何らかのアドバンテージを得ることになる。ただし双方が譲らなかった場合は軍事的緊張の結果、デフコンを宣言することになり、それでも相手が譲歩しなかった場合は核戦争が勃発する結果となり、ゲームはその場で「勝者なし」として終了する。ゲームというよりは簡略化された国際政治シミュレーションプログラムに近い作品であり、グラフィックは世界地図のみでBGMもなかった。
バランス・オブ・パワー(Balance of Power)は1985年にクリス・クロフォードによって制作されたシミュレーションゲーム。オリジナル版はen:Mindscape社からMacintosh、DOS、Atari-ST、Amigaで発売。国内ではアスキーによって、PC-9801、Macintosh、MSX2、PC-8801のバージョンが発売された。
弱強磁性（じゃくきょうじせい）は物質が持つ磁性の一種である。かつては寄生強磁性などとも呼ばれた磁性であり、その機構が解明された現在では傾角反強磁性とも呼ばれる。正確に言えば両者の指し示す範囲は必ずしも完全に一致するものではなく、弱強磁性体の一種として傾角反強磁性体があるのではあるが、弱強磁性体の大部分は傾角反強磁性体である。以下においても主に通常の傾角反強磁性体に関して記述する。弱強磁性の特徴は物質の反強磁性転移と同時に現れるごくわずかな強磁性にあり、転移温度以下ではあたかも反強磁性体にごく少量の強磁性体が混入しているかのような磁性を示す。つまり、その磁化過程において、低磁場側ではヒステリシスループを伴う急速に飽和する磁化（ただし本来の飽和磁化よりは遙かに低い値で飽和する）を示し、それ以降の高磁場側では反強磁性体的な（ただし低磁場側の強磁性成分の分かさ上げされた）ゆっくりと増加する磁化を示す。しかしながらそれが単なる強磁性不純物の混入などでないことは、強磁性の表れる転移温度が反強磁性の転移温度に完全に一致していることなどから明らかである。当初考えられた機構は、反強磁性体の内部にいくつかの格子欠陥が存在し、反強磁性転移と共にこの格子欠陥に隣接するペアを失った余剰のスピンが強磁性を示しているのではないかと言うものであったが、ある特定方向を向いたスピンに対応する副格子のみが欠陥を持たなくてはならないことや、実際のサンプルで観察される自発磁化の大きさが格子欠陥の量にほとんど依存しないことからこのモデルは否定された。現在では、弱強磁性は主にジャロシンスキー-守谷相互作用か、1イオン異方性に由来することが知られている。