1974年にドイツで開催されたFIFAワールドカップにハイチ代表として予選を勝ち上がり、本戦出場を決めた。予選の1試合目では無失点記録を持っていたGKディノ・ゾフのイタリア代表と対戦、試合は1-3で敗れたものの後半開始直後に先制ゴールを決めて無失点記録を1143分で終わらせた。その後の試合もポーランドに0-7で敗れ、アルゼンチンでも1得点したが1-4で敗れ予選敗退している。大会後はベルギーのジュピラーリーグのチーム、KベールスホットVACへと移籍し活躍を収めた。その後アメリカ合衆国内のチームでプレーし、1983年に引退している。1999年から2000年まではハイチ代表の監督を務めCONCACAFゴールドカップなどに出場した。2008年2月21日、アメリカ合衆国のフロリダ州オーランドで膵癌により56歳で亡くなった。
2003年にFCソショーの下部組織に入団。2007-2008シーズンはリーグ・アンを戦うチームにおいて第3GKとして登録された。2008-2009シーズンはレザーブでのプレーが続く。2012年、トロワACに移籍し第2GKとして所属した。
地内に鉄道駅はないが、本駒込駅（東京メトロ南北線、所在地は向丘）、駒込駅（JR東日本・東京メトロ南北線、所在地は豊島区駒込）、巣鴨駅（JR東日本・都営地下鉄三田線、所在地は豊島区巣鴨）、千石駅（都営地下鉄三田線、所在地は千石）が利用できる。
駒込片町、駒込曙町、駒込富士前町、駒込上富士前町、駒込吉祥寺町、駒込浅嘉町、駒込動坂町、駒込神明町、小石川駕籠町などが合併されて誕生。古くからの駒込が豊島区と文京区とに分断されており、旧本郷区にあったこの地は本郷の駒込ということで住居表示実施に伴う町名変更の際に本駒込となった。
住宅地の地価は、2017年（平成29年）1月1日の公示地価によれば、本駒込1-20-13の地点で147万円/m²となっている。
1931年（昭和6年）に本所区第一実業女学校として創立。1946年（昭和21年）現在の住所である牛島尋常小学校跡に移転。校門付近に森鴎外住居跡と牛島尋常小学校跡の説明板が設置されている。「落ち着いた雰囲気の学校」として知られ、生活指導に力を入れており、染髪等は一切禁止である。近年は上位大学進学を目指した校内改革を積極的に進めており、進学実績の向上が見られる。隔週土曜日授業実施、放課後や夏期・冬期の進学対策補習や、大学生チューター制度の実施などを行っている。
社内恋愛が厳しく禁じられている会社で働く水浦真依はある日、社内でエースと呼ばれている仕事人間の加藤から告白される。社内恋愛がばれれば、男性は転勤、女性は謹慎という名の退職勧告が待ち受けている。以前勤めていた会社が倒産し、今の会社に再就職が決まるまで何社も面接を受けた真依にとって、リスクの大きなことは避けたかったが、加藤の真っ直ぐな想いを知り「お試し」で付き合うことになる。
生活列車（せいかつれっしゃ）とは、九州旅客鉄道（JR九州）の子会社JR九州リテールがかつて運営していたコンビニエンスストアのブランド名である。JR九州の駅構内や駅近くで店舗を展開していた。なお、JR九州リテールは1999年（平成11年）2月にam/pmと、2010年（平成22年）6月にファミリーマートと九州全域（宮崎県・鹿児島県の大部分の店舗および沖縄県の全店舗を除く）のフランチャイズ契約をした。これにより、既存の「生活列車」店舗は2000年代はam/pmとして転換・開業し、2010年以降はファミリーマート店舗としてリニューアルや新規開店するなどしたため、2012年現在「生活列車」としては営業していない。
嫡男の足利義尚（改め義煕）が延徳元年（1489年）に六角討伐の陣中で死去したため、やむなく政務の場に復帰することを決意するが、日野富子が義政の復帰に反対し、さらに義政自身も中風に倒れて政務を執ることが困難となったため、美濃の土岐成頼の下に亡命していた義視と和睦し、甥（義視の嫡男）の義材（のちの義稙）を自らの養子に迎えることで第10代将軍に指名して後事を託した。延徳2年（1490年）1月7日、銀閣の完成を待たずして死去。享年55（満54歳没）。
文正元年（1466年）7月28日に琉球国王の来朝使者である芥隠承琥が足利義政邸で直接に謁見されており、庭先に席を設けて、その上で三拝した。礼物も「進物」と呼ばれていた（『斎藤親基日記』）（『蔭凉軒日録』）。
ホウ素はケイ素、ゲルマニウム、炭化ケイ素などの半導体のドーパントとして用いられる。ホウ素は3つの価電子を有しているため、4つの価電子を有するケイ素のようなホスト原子中で電荷を運ぶ正孔として機能してP型半導体が形成される。古典的なホウ素のドープ方法としては、高温での原子拡散が利用されていた。このプロセスではホウ素源として固体の酸化ホウ素や液体の三臭化ホウ素、気体の三フッ化ホウ素やジボランなどを利用することができる。しかしながら1970年代以降、大部分はホウ素源として三フッ化ホウ素を利用するイオン注入法に取って代わられた。三塩化ホウ素ガスもまた半導体産業において重要な化合物であるが、それはドープでなく金属および金属酸化物のプラズマエッチングのために用いられる。トリエチルボランはホウ素源として化学気相成長の反応器に注入され、ホウ素を含有した硬質炭素膜やダイヤモンド膜（ダイヤモンドライクカーボン）、窒化ケイ素-窒化ホウ素膜などにおけるプラズマ堆積法に利用される。