『ファミスタ'92』にはV9時代の読売ジャイアンツをベースにしたビクトリーズ（Victories、略称・V）と1985年にダイナマイト打線で日本シリーズ制覇を達成した際の阪神タイガースをベースにしたダイナマイツ（Dynamites、略称・Dy）が登場する。この両球団と同名の球団は『スーパーファミスタ』にも登場するが、ビクトリーズの選手名は源平合戦や戦国時代の武将に、ダイナマイツの選手名は恐竜の名前にそれぞれ置き換えられている。
双葉社・ファミコン冒険ゲームブックの『プロ野球ファミリースタジアム VOL.3 WE ARE THE CHAMPION!』では「野球の神様」ことドクター・ドン哲春率いるウルトラオールドスターズとして登場し、ナムコスターズと対戦する。登場選手はPCエンジン版ワースタがベースになっているが、1番打者は元データのすばたでなく前年に引退したばかりのフグ本が登場している。
1991年稼働の『SUPERワールドスタジアム』（SWS）ではオービーズ（略称・OB）の名称で登場（これに伴い、前作まで存在した各球団のOB代打枠は廃止されている）。家庭用ハードと異なり、外国人選手もばーむ・みいの2名が登録されている。また、本作では1950年代の2リーグ分裂前後に活躍した選手を中心に構成されるフィフティーズ（後述）が別に登場したが、両球団ともSWS'92より選手名が実名化されたことに伴い1作限りで登場しなくなっている。その後、SWS'96ではスーパーファミスタ5と同様に60's・70's・80's・'90's（後述）が登場している。
PCエンジン版ワースタで登場したオールドスターズ（略称・O）は同年発売のMSX2版『プロ野球ファミリースタジアム ペナントレース』ではオールドボーイズ（略称・OB）に、翌1989年発売の『ファミスタ'89 開幕版!!』から1991年3月発売の『ワースタ'91』まではプロスターズ（略称・P）に名称を変更して登場しているが、家庭用ハードでは同年を最後に登場しなくなった。また、1988年から1990年に発売されたゲームアーツ開発・発売の『プロ野球ファミリースタジアム ペナントレース版』（PC-88VA・FM TOWNS）では漫画やアニメに登場する架空の選手で構成されるオールドリームスとの混成球団となっている。
1986年発売のシリーズ第1作『プロ野球ファミリースタジアム』ではガイアンツの代打に「おう」が代打で登録されている他、スパローズではやすだがリリーフ投手で登場している。続編の「ファミスタ'87」では両名とも登録を外れているが、1988年3月リリースのアーケード版ワースタでは12球団全てに「OB代打枠」が各2名（続編の『'89開幕版』『'90激闘版』では各1名）登録されている。
最初期（1940年代）の電子計算機の時点で、当時の主力素子である真空管で1ビット1ビットメモリを作っていたのでは高価につきすぎることから、いくつかの記憶装置に特化した素子や機器が考案された。アタナソフ&ベリー・コンピュータではリフレッシュ操作を機械的に行う、キャパシタによる一種のDRAMのような装置が考案された。1949年に稼働したEDSACで使われた水銀遅延記憶装置などの信号の遅延を利用するものは、原理上シーケンシャルアクセスである。EDSACは初の「実用的な」プログラム内蔵方式のコンピュータだとされているが、プログラム内蔵方式の実用性のためにはある程度多くのメモリが必要であり（EDSACでは1024短語）、水銀遅延記憶装置は同機の成功の重要な要素であった。当時の他の素子では、ブラウン管面の帯電を利用するウィリアムス管は、ランダムアクセスでリフレッシュを必要とするなどDRAMに近い性格を持つ。以降には「ランダムアクセス」メモリに関する話題は特に無い。その後、1949年から1952年に磁気コアを用いた磁気コアメモリが開発された。コアメモリでは、格子状に配置した磁気コアと呼ばれるリング状の磁性体に、縦と横方向から電線を貫いた構造をしていた。磁気コアメモリは、集積回路による半導体メモリが登場する1960年代末から1970年代初頭まで、広く使われていた。特には、放射線などの影響を受けにくいという特性から、宇宙機用などでは1980年代でも用いられていた例がある。また、破壊読み出しなので読み出したら書き戻す必要がある一方、ドーナツ状のフェライトコアの磁性を利用しているため不揮発という特性がある。21世紀の現在では、コンピュータの主記憶装置は、すべてDRAMになっている。原理的にSRAMは容量あたりの単価が高くならざるをえないため、（何らかのブレークスルーがないかぎり）主記憶装置をSRAMで構成するようになるとは考えられていない。いっぽうで、何らかの不揮発性メモリがDRAMを置き換える可能性はあるものと考えられており、研究開発がおこなわれている。例えば、カーボンナノチューブを使ったものや、トンネル磁気抵抗効果を使ったMRAMがある。また、2004年には、インフィニオン・テクノロジーズが16MiBのMRAM試作品を公開した。現在開発が進んでいる第二世代の技術は、Thermal Assisted Switching (TAS) 方式と Spin Torque Transfer (STT) 方式がある。前者はベンチャー企業が単独で開発しているが、後者はIBMなどを含め複数の企業が開発に乗り出している。ただし、これらが今後の主流となるかどうかは、まだ不透明である。主記憶装置において、アクセススピードや容量あたりコストと並んで重要なのは、消費電力である。過去の組み込みシステムにおいては、消費電力を抑えるためにSRAMが用いられていたが、近年では低消費電力に特化したDRAMが使われている。例えば、サーバファームなどでは、高速性よりも消費電力を抑えることに重点を置いた、"EcoRAM" と呼ばれるRAMも登場している。