2017年のIAM世界記憶力選手権終了後より、世界ランキングの算出方法が変更された。過去3年以内に参加した大会の得点上位3回分の平均を算出したものとなった。2〜3年前の大会の結果に関しては、10%マイナスしたものが適用され、3年以上参加がない選手は世界ランキングから削除される。また3年以上前の結果は、参考記録として扱われることとなった。
従来のメモリースポーツは10種目と初心者にとって非常にハードルが高いため、メモリースポーツの花形種目であるスピードカードのみで競う大会が2019年から新設された。通常では1大会で2回までしかチャレンジできないが、本大会では5回までチャレンジが可能となっている。各大会では”単発記録”と”平均記録”の2種類でランキングを決めるため、スピード型の選手、安定型の選手どちらにもチャンスがある大会になっている。"単発記録"は5回のうちの一番良い成績の記録が反映され、"平均記録"は一番良い記録と一番悪い記録を除いた3回の記録の平均がスコアとなる。
日本チャンピオンの青木健とオーストラリアチャンピオンのサイモン・オルトンを中心にメモリースポーツのオンラインサイトMemory Leagueを使用した大会が２０１８年に初めて開催された。各国のチャンピオンなどの招待選手と国内予選を通過した計8名の選手で優勝を競う。各選手は他の大会と異なりプレイヤー名でプレイする。コンピューターを使用し、1対1の対戦形式で5種目で勝敗を競う。全ての競技で1分で記憶し、4分で回答する方式で行う。観客席にはモニターがあり、両方の選手が記憶している内容や回答している際の内容と正誤が表示され、試合の流れを見ることができる。またインターネットで実況つきのライブ配信も行っており、一般向けにわかりやすい解説をおこなっている。
2018年から開催されている5種目（顔と名前、無作為の単語、イメージ、スピードナンバー、スピードカード）の大会であり、第一回は東京で開催された。従来の10種目の大会は、選手にとっての負担や競技への参加するハードルが高いが、5種目で開催されるため比較的参加しやすい大会になっている。5種目のためIAM発表の世界ランキングには反映されないがスコアはオンライン上に掲載され、日本メモリースポーツ協会の5種目の日本ランキングには反映される。ジャパンオープン記憶力選手権と同様に、国際的な大会のため日本語以外の言語にも対応しているため、外国人選手の参加も可能である。
ジャパンオープン記憶力選手権（Japan Open Memory Championships）は、日本一のメモリーアスリートを決める大会である。2012年度の記憶力日本選手権大会の優勝者である青木健が東京フレンドリー記憶力選手権（Tokyo Friendly Memory Championships）を、メモリースポーツの発展と各国選手ならび関係者の親交を深めることを目的に、創設したが、競技人口の増加や国際組織公認の日本チャンピオンを決定する大会がなかったため、2018年度より名称が変更になった。奈良県で毎年開催される記憶力日本選手権大会とは異なり、国際的な大会のため日本語以外の言語にも対応しているため、外国人選手の参加も可能である。毎年、韓国、中国、シンガポール、インドネシア、ドイツ、アメリカなど世界中から選手が参加している。また、2016年まではWorld Memory Sports Council(WMSC：世界記憶競技協議会)公認の大会であったため、本大会での成績は、WMSC発表の世界ランキングに反映されていた。2017年の大会からIAMの公認の大会になり、IAM発表の世界ランキングに反映されるようになった。
3つある端子はそれぞれエミッタ (E) ・ベース (B) ・コレクタ (C) と呼ばれる。PNPまたはNPNの3層構造の中央がベースである。E,B,C端子は真空管のカソード・グリッド・プレート、FET のソース・ゲート・ドレインに対応している。実際の素子の端子は、日本製の一般的な汎用トランジスタでは、端子を下に向けて正面（よく使われていたTO-92パッケージでは品番などが書かれている平面の側）から見て左からE・C・Bとなっているものが多いが、これとは全く異なる端子配列の品種も数多くあるため、使用に当たってデータシートなどで確認する必要がある。それぞれの極に使われている半導体の特性から、他のトランジスタ同様 NPN と PNP で分けることができる。NPN型とはN型半導体-P型半導体-N型半導体の順に、PNP型とはP型半導体-N型半導体-P型半導体の順に接合（PN接合）したものである。原理図的には対称形であるが、実際にはエミッタ側の半導体の不純物濃度を高くしなければ正常な動作ができない。実際のトランジスタのエミッタとコレクタを逆に接続すると、一応は増幅作用を見せるものの一般にトランジスタに期待されるような能力は発揮しない。エミッタコレクタ間の逆方向の耐圧は低く、耐圧ぎりぎりの電圧を掛けた場合は劣化が起こることもあるとメーカーが注意している例や、逆方向での使用は破壊の要因になりうるとメーカーが注意している例もある。ゲルマニウムを用いた初期（1970年代まで）のトランジスタは、製造が簡単であることから、PNPトランジスタが多く作られた。シリコントランジスタが主流になってからは、一般的に動作が高速で、増幅率、耐電力などの特性に優れたNPNトランジスタが用いられることが多い。真空管と異なる、トランジスタに特徴的なものに、コンプリメンタリ・ペアがある。コンプリメンタリ（相補的）・ペアとは、それぞれで極性が反転している他は特性の似たNPNとPNPのトランジスタの組で（実際にはキャリアが電子と正孔とで異なる以上、完全に等しい（完全に対称的な）ものは原理的に作れない）、たとえば2SC1815と2SA1015というペアがあった。コンプリメンタリ・ペアを利用する回路としてプッシュプル増幅回路の一種のSEPP回路が挙げられる。コンプリメンタリ・ペアとして対応するトランジスタが、全てのトランジスタにあるわけではない。コンプリメンタリ・ペアが存在する場合は、その型番がデータシートに記載されている。