1885年中に期限が切れるアイルランド強圧法を延長するか否かをめぐって閣内論争が起こり、ジョージ・トレヴェリアンが延長を主張する一方、チェンバレンは延長に反対し、アイルランドに地方自治体型の「権限委譲」を行う譲歩をすべきことを訴えた。この閣内論争にしびれを切らした第三党のアイルランド議会党党首チャールズ・スチュワート・パーネルが保守党との連携に動いた結果、1885年6月8日、保守党が提出した政府予算案の修正案がアイルランド議会党議員の賛成票を得て可決された。これに対してグラッドストンは総選挙を避けて総辞職したため、保守党党首第3代ソールズベリー侯爵ロバート・ガスコイン＝セシルが少数与党として組閣することになり、第1次ソールズベリー侯爵内閣が成立した。
内政面では1881年にアイルランド強圧法を制定してアイルランド人の反政府運動を弾圧しつつ、「アイルランド国民土地連盟」からの圧力を受け入れて地代を収めるアイルランド小作人を追放してはならないというアイルランド土地法を制定した。また1884年には選挙区割りの問題について野党保守党に譲歩することで第三次選挙法改正を実現し、第二次選挙法改正で都市部で導入された戸主選挙権制度を地方にも広げた。外交面では第二次アフガン戦争を起こしたインド総督初代リットン伯爵ロバート・ブルワー＝リットンを罷免するとともにアフガニスタン王アブドゥッラフマーン・ハーンと条約を結んでアフガンの外交権を接収した。ズールー戦争後の南アフリカで起こった第一次ボーア戦争（トランスヴァール共和国再独立戦争）をめぐってはボーア人に譲歩してヴィクトリア女王の宗主権付きという条件で再独立を認めた。エジプトで起こったオラービー革命への対応をめぐって閣内論争が起こったが、最終的には対外強硬派のチェンバレン（新急進派のリーダー）やハーティントン侯爵（ホイッグ貴族のリーダー）らの主張が通り、エジプトへの武力侵攻と占領が行われた（急進派リーダーであるジョン・ブライトは反戦主義思想からこれに反発して辞職）。エジプト属領スーダンで起きたマフディーの反乱をめぐってはスーダン放棄を決定したが、エジプト軍撤退の指揮をとるために派遣されたチャールズ・ゴードン将軍が1884年3月にハルトゥームで包囲され、その援軍を送るかを否かをめぐって再び閣内論争が起こった。この論争も最終的には強硬派のチェンバレンやハーティントン侯爵が主張を押し通し、援軍派遣が決定された。しかしこの援軍は間に合わず、1885年1月にハルトゥームが陥落してゴードン将軍が戦死したため、内閣は激しい批判に晒された。
60年代中頃に発展したアルミニウムゲートMOSプロセス技術では、まずMOSトランジスタのソース/ドレイン領域の定義とドーピングを行い、その後ゲートマスクがトランジスタの薄い酸化膜領域を定義する。その後のプロセスにより、薄い酸化膜領域上にアルミニウムゲートが形成され、デバイス製造が完了する。ゲートマスクとソース/ドレインマスクとのズレは避けられず、大きくズレたとしてもソースとドレインの間に酸化薄膜が作られているためには、ゲート領域とソース/ドレイン領域とが大きく重なっている必要がある。このためゲート-ソース間とゲート-ドレイン間に寄生容量が生じる。寄生容量は小さくなく、ウェハ毎に異なり、ソース/ドレインマスクに対するゲート酸化物マスクのズレに依存する。その結果、集積回路の製造スピードに悪影響を与え、寄生容量を最小限に小さくできた場合の理論値よりも遥かに低いスピードとなる。パフォーマンスに最も悪影響を与えるのは、ゲート-ドレイン寄生容量Cgdである。ミラー効果により、そのトランジスタを一部にもつ回路のゲインを乗じたCgdによってトランジスタのゲート-ソース容量を増大する。よってトランジスタのスイッチングスピードが大きく減少する。1966年にBowerは、最初にゲート電極を定義するとゲートとソース/ドレイン間の寄生容量を最小化できるだけでなく、ズレが無くなることを示した。彼はアルミニウムゲート電極自身をトランジスタのソース/ドレイン領域を定義するマスクとして使う方法を提案した。しかしアルミニウムはソース/ドレインのドーピングで通常必要な高温に耐えることができないため、Bowerはイオン注入を提案した。イオン注入は新しいドーピング技術で、彼が務めていたヒューズ・エアクラフトではまだ開発中で、他の研究所でも利用できなかった。Bowerのアイデアは理論上では理にかなっていたが、実際には上手くいかなかった。その理由は、トランジスタの不動態化と、イオン注入によってシリコン結晶構造が受ける放射線ダメージの回復ができなかったからである。なぜなら不動態化とダメージの回復はアルミニウムゲートが耐えられる以上の温度が必要だったからである。よって彼の発明は原理の証明を与えたが、商業的な集積回路はBowerの方法では作られなかった。より耐熱性の高いゲート材料が必要であった。1967年にベル研究所のJohn C. Saraceと共同研究者は、真空蒸着したアモルファスシリコン電極でアルミニウムゲートを置き換えた自己整合ゲートMOSトランジスタを作ることに成功した。しかしこのプロセスは、説明したように原理の証明にすぎず、離散的なトランジスタ製造のみに適して集積回路には適しておらず、発明者らによってさらに追求されることはなかった。1968年のMOS産業では高閾値電圧(HVT)のアルミニウムゲートトランジスタが広く使われていたが、MOS集積回路のスピード向上と電力散逸の低下のために低閾値電圧(LVT)のMOSプロセスが望まれた。アルミニウムゲートの低閾値電圧トランジスタは、[100]シリコン方位を使う必要があった。しかしこれにより、寄生MOSトランジスタ(酸化物上のアルミニウムが２つの接合を繋ぐときに作られるMOSトランジスタ)の閾値電圧が小さくなりすぎる。供給電圧以上に寄生閾値電圧を増加させるために、電界酸化物の下の選択された領域でN型ドーピング濃度を増やす必要がある。これは最初はいわゆるチャネルストッパーマスクの使用、後にイオン注入で成し遂げられた。