この戦争中の大きな戦いであったペクワウケットの戦い（ラヴウェルの戦い）はメイン西部、ニューハンプシャー、そしてマサチューセッツではかなり重要な歴史であり、この地域の入植者たちは勝利を祝う歌や物語を作った。その後アメリカ独立戦争までは、この栄誉に支障をきたすことは起こらなかった。この戦いから100年以上の後、ヘンリー・ワーズワース・ロングフェローやナサニエル・ホーソーン、ヘンリー・デイヴィッド・ソローがこの戦いに関する作品を発表した。メイン州ラヴェルは、ラヴウェルの名にあやかっているまた、ポーガス湾、ポーガスミル（現在のニューハンプシャー州オールバニ）、ニューハンプシャーのポーガス山は、ポーガス族長にちなんでいる。
1725年7月31日、マサチューセッツ総督のダマーは休戦を宣言した。同じ年の12月15日にメインで、1726年の6月30日にノバスコシアで平和条約がそれぞれ署名された。この戦争の後、ノリッジウォックのラル神父の敗退と、その後の、ケネベック川とペノブスコット川からのインディアンの撤退を受けて、メイン西部は、イギリスの強い支配下に置かれた。現在のニューブランズウィックとノバスコシアでは、戦争後の条約により、ヨーロッパ人とミクマク族、マリシート族との関係がより大きなものに変わって行った。これは、ヨーロッパの勢力が、入植者と土着の人々とが交渉する必要があることを認めた、その最初であった 。ノバスコシアのミクマク族とマリシート族は、自分たちがイギリス臣民であることを宣言しなかった。メインで、この戦争がニューイングランドの勝利と思われているのと同様に、ノバスコシアではインディアンの勝利と思われていた。とはいえ、ニューイングランド人は、インディアンたちに土地の所有権があるのを認めざるを得なかった。ノバスコシア植民地が目指すことは、インディアンに敗北を認めさせることよりも、イギリス国王の同盟者となりフランスの敵となるように、彼らに影響を与えることの方だった。フランスはメインにおける足場を失ったが、何年もの間、現在のニューブランズウィックがフランスの支配下にあった。ノバスコシアの平和はその後18年続いた。
アナポリスロイヤル封鎖への報復として、ニューイングランド軍は、1722年の7月末に封鎖を終わらせるための作戦の展開に出た。そして86人のニューイングランドの捕虜を救い出した。ウィネパングの戦いは、この作戦の一環だった。これにより、35人のインディアンと5人のニューイングランド兵が犠牲となった。この戦いで遺体が戻ったインディアン兵は5人に過ぎず、ニューイングランド軍は遺体から首を切り離し、カスコの新しい砦の回りにその首級を並べた。この戦争中にシュベナカディ（サンタンヌの教区）のミクマク族の集落に、カトリックの教会が建てられた。1723年、カンゾの町が再びミクマク族に襲われ、漁師が5人殺された。同じ年、ニューイングランドでは、集落と漁業を守るために、12の大砲を備えた防塞が作られた。アナポリスロイヤルにおける戦いでは、1724年7月4日に最も激しい戦闘が起きた。この日、60人のミクマク族とマリシート族がアナポリスロイヤルを襲った。インディアンたちは、ニューイングランドの軍曹と兵士を一人ずつ殺し、4人の兵士を傷つけ、集落にテロ行為を加えた。また家を焼き、捕虜を連行した。これに対してニューイングランド軍は、軍曹が殺された同じ場所でミクマク族の1人を人質に取った。そして、報復として3軒のアカディア人の住居を焼いた。襲撃の結果を受けて、アナポリスロイヤルを守るために3つの防塞が作られた。アカディア人の教会は、監視しやすくするために砦の近くに移された。1725年、60人のアベナキ族とミクマク族がカンゾに新たな攻撃を仕掛け、2軒の家を壊して6人を殺した。
FETには主な3種類の端子「ゲート」「ソース」「ドレイン」がある。ジャンクションFETは通常、以上の3端子のみを持つ。MOSFETでは「ゲート」「ソース」「ドレイン」「バックゲート/バルク/サブストレート/ボディ(半導体チップ基板で呼称が一定していない)」の4端子で構成される。チャネルの種類によりp型チャネルの PMOSとn型チャネルのNMOSの2種類がある。MOSFETが個別にパッケージされたディスクリート部品では4端子が別々に出ているものも少数存在するが、一般的にはソースとバックゲートを内部で直結した3端子になっており、回路図記号はその構造を反映してバックゲートが省略されることもある。特殊なものとしては、1つのチャネルに複数のゲートがあるマルチゲート（２つならダブルゲート）のFET（マルチゲート素子も参照）や、２つのFETを組み合わせたデュアルFETがある（バイポーラのトランジスタと同様、同一のシリコンチップに作り込んであって特性が揃っている、というものもあれば、単に同一のパッケージ内に2個入っているだけのものもある）。高耐圧パワーMOSFETなど特殊なFETの品種を除いて、通常のFETはソースとドレインは対称構造であるため物理的な違いはなく、電流を流す向きにより便宜的にソースとドレインとしている。p型チャネルは高電位側がソース/低電位側がドレイン、n型チャネルは高電位側がドレイン/低電位側がソースとなる。ただし前述のようにディスクリートの3端子のMOSFETはソースとバックゲートが内部で直結されているため、ソースとドレインは逆にできない。構造上、MOSFETのバックゲートとソースおよびドレインの間にはpn接合があり、寄生ダイオードと呼ぶ。MOSFETの回路図記号の中央に書かれることがある矢印はこのダイオードを反映している（横に別に大きく描くこともある）。パワーMOSFETで誘導性負荷やモータを駆動する際、オフ時の過渡的な逆起電力を逃すためのフリーホイールダイオードとして働かせるようにすると便利である。寄生ダイオードを通してバックゲートから電流が流れないようにするため電位がp型チャネルではバックゲート≧ソース≧ドレイン、n型チャネルではドレイン≧ソース≧バックゲートになるように接続する。