『新機動戦記ガンダムW』においても、モビルスーツ用ビームライフルは登場している。基本的にその原理は宇宙世紀のメガ粒子砲とほぼ同様であり、実質的には荷電粒子砲である。ただし、「メガ粒子」の呼称が用いられる兵器が存在しない訳ではなく、ガンダムグリープのバスターメガ粒子砲やハイパーメガ粒子ランチャーという例がある。なお、ビームの構成粒子についての詳細な設定は不明であるが、宇宙世紀におけるミノフスキー粒子に相当する電波を阻害させる物質の存在については作中にて語られている。作中においてはリーオーやトーラス等のMSおよびビルゴII等一部のモビルドールが携行型ビーム兵器を運用している。設定上、最初に開発されたビーム兵器はトールギスのドーバーガン。一部のリーオーも最終決戦においてこれを運用していた。今作では例外的にガンダムタイプMSはほとんどビームライフルを装備していない（アニメ劇中デザイン6系統のうちの1つのみ）。ただしウイングガンダムのバスターライフル、及びウイングガンダムゼロのツインバスターライフルは他作品と比べて非常に強力な描写となっている。
『機動武闘伝Gガンダム』にも劇中でビームライフルは登場しているが、詳しい原理は明らかではない。ノブッシやジョンブル（ブリテン）ガンダム、デスアーミータイプなどが装備していた。第9・10・11回大会で長距離狙撃を主武器とするブリテンガンダムが3連覇したことからガンダムファイトにおいても射撃武器の普及化が進んでいた時期もあったが、第12回大会において格闘とクーロンクロスのみで戦う東方不敗のクーロンガンダムが優勝したことによって、覆されている。
G-B.R.D（G-バード）とはGenerative - Beam Rifle Device（ジェネレイティブ・ビーム・ライフル・デバイス）の略であり、「ジェネレーター内蔵型ビームライフル装置」と訳される。アナハイム・エレクトロニクス社がシルエットフォーミュラプロジェクトの一環としてサナリィのヴェスバーに対抗して作り上げたビーム兵器。ネオガンダムが装備している。ジェネレーターに直結させた高出力ビーム砲をMSが携行可能なまで徹底的に小型化した上で、移動能力も備えさせたコクピットのない移動砲艦とでも言うべき代物で、百式のメガバスーカランチャーやメガライダーといった大型ビーム兵器を搭載して自力航行できるモビルスーツ支援兵器の系譜に連なるものといえる。また、コア・ファイターの火力と移動力を強化するためにドッキングさせることも可能である。破壊力は、戦艦を一撃で沈めることが出来るほど強力なものである。作中でコロニー内部からの遠距離狙撃で透過光壁を貫通しつつ、ラー・カイラム級エイジャックスの艦橋を一撃で破壊した。
サナリィの開発した革新的なビーム兵器。名称は「V.S.B.R.：Variable Speed Beam Rifle ＝ 可変速ビームライフル」から。前述のナックルバスターの様にジェネレーターから直接エネルギー供給を受けるため、従来のビームライフルを凌駕する威力を有する。最大の特徴は、発射するビームの収束率や、射出速度の調節が出来ることである。どちらとも連続帯域での微調整なども可能。対象物の耐久力や距離に応じて高速で貫通力の高いビームから、低速で威力を重視したビームまでを状況に応じて撃ち分けることができ、通常のビームライフルでは貫通不可能だったビームシールドを貫通する。最大出力における威力は戦艦の主砲に匹敵し、宇宙世紀0130年代においてもモビルスーツ用の武装としては最大級の威力を有している。構造上ビームライフルというよりメガ粒子砲に近いが、銃身自体に大容量のコンデンサーが内蔵されているため、ジェネレーター直結ではなくなるものの、本体から取り外しても数回の発射が可能。ただし、この技術を盗用したアナハイム、およびサナリィから技術提供を受けたとされるクロスボーンバンガードでは、大容量コンデンサーの解明が出来ず、本体固定の装備になっている。
ここでは、GaAsとAlGaAsの場合について述べるが、他の材料系(例えば、窒化ガリウム)においても同様の構造、動作原理となる。基本的な構造は、GaAsの半絶縁性基板上に、電子走行層であるアンドープのGaAs層(i-GaAs層)と、薄いスペーサ層であるアンドープAlₓGa₁₋ₓAs層(i-AlGaAs層)、電子供給層であるn型のAlₓGa₁₋ₓAs層(n-AlGaAs層)をエピタキシャル成長により積み重ねた構成となる。GaAsの格子定数は5.653Å、AlAsの格子定数は5.661Åであるため、n-AlGaAs層とi-GaAs層は、最大でも格子定数の不整合は0.13%程度で小さい。そのためn-AlGaAsの混晶比xは、広い範囲で格子整合が可能である。一般には、xは0.15〜0.30の値が使用され、バンドギャップは約1.6〜1.8eVとなる。一方、i-GaAsのバンドギャップは1.4eVである。バンドギャップの異なる2種類の半導体が接触すると、その界面では伝導帯と価電子帯、両者のバンドの不連続が生じる。伝導帯の不連続量は両者の電子親和力の差で決まり、この場合電子親和力の大きなi-GaAs側のエネルギーが0.2eV程度低くなる。その結果、n-AlGaAs層のドナーから発生した電子はi-GaAs側に集まるが、特に界面近傍10nm程度厚さの領域に分布する。この電子層を二次元電子ガスと呼び、その濃度は10¹²(cm⁻²)の程度である。チャネルであるi-GaAs層とそれに接するスペーサ層(i-AlGaAs)はアンドープであるため不純物散乱が少なく、二次元電子ガスは室温で約6,000cm²/Vs、77Kで約50,000cm²/Vsという高い移動度を示す。このように、ヘテロ接合構造でバンドギャップの大きい半導体のみにドープする方法を変調ドーピングと呼び、電子濃度と移動度を両立できる構造としてR. Dingle等により提案された。