1528年、アウクスブルクの銀行家一族ヴェルザー家のアントンとバーソロメウスが、神聖ローマ帝国皇帝カール5世（スペイン王カルロス1世）からベネズエラに対する権利を得た。この権利は、ハインリヒ・エーヒンガーとヒエロニムス・ザイラーがそれぞれ独自にあるいはヴェルザー家の代理人として交渉したものだった。しかし、1531年までにヴェルザー家がその権益を確実に支配するようになっていた。植民地化計画が立てられ、1529年にはアンボロシウス・エーヒンガーが知事として現地に到着した。エーヒンガーは、1528年10月7日に、スペイン人ガルシア・デ・レルマと281人の開拓者と共に、スペインのセビリアを出発した。サントドミンゴでレルマはサンタ・マルタでの任務を果たすために50人の仲間と共に隊を離れた。レルマはサンタ・マルタの知事が殺された後でそこのスペインの支配を再確立する任務を帯びていた。エーヒンガーと残りの者達はベネズエラ海岸に向かい、1529年2月24日にサンタ・アナ・デ・コロで上陸した。そこからは伝説の黄金の都エル・ドラードを探索して内陸を探検した。その後のドイツ人知事、ニコラウス・フェーダーマン、ゲオルク・ホーアームート・フォン・シュパイアー、フィリップ・フォン・フッテンも全て主に金を探すことを続けた。フェーダーマンはアンデス山脈を越えてボゴタまで行き、そこでスペイン人セバスティアン・デ・ベラルカサルとその地に対するゴンザロ・ヒメネス・デ・ケサダの領有権主張について争った。ドイツ人鉱山師がベネズエラに渡り、また砂糖プランテーションで働かせるために4,000人のアフリカ人奴隷が連れてこられた。1541年までにスペインとの論争が持ち上がり、1556年にはヴェルザー家の者達がその植民地に対する支配権を取り上げられた。ドイツ人植民者は金を求めて奥地の先住民領土まで度々分け入り、その多くが熱帯性の病気や敵対的先住民の攻撃によって死んだ。
アイオワ州のルーサー・カレッジ（en:Luther College (Iowa)）で数学を学ぶ。卒業後アメリカ海軍に入り、太平洋戦線に配属された。除隊後の1946年から1948年までニューイングランド音楽院でトランペットを学び、ボストン交響楽団首席奏者のジョルジュ・マジェ（en:Georges Mager）と同2番奏者のマルセル・ラフォース（en:Marcel LaFosse）に師事した。1948年にアルトゥール・ロジンスキの薦めでシカゴ交響楽団の首席トランペット奏者に就任し、2001年に退くまで53年間にわたってその職を務めた。その後2004年からはシカゴ響名誉首席トランペット奏者となる。 2013年4月13日、オークパークの自宅にて死去。91歳。
滋賀県出身。1948年彦根工専卒。1951年岐阜市役所に入り、岐阜市労組委員長を経て、岐阜市議を2期務めた後、1966年から岐阜県議会議員を9期務める。この間1974年の第10回参議院議員通常選挙で岐阜県選挙区から日本社会党公認で立候補して落選。その後、1993年に藤井孝男および高井和伸が第40回衆議院議員総選挙立候補のために欠員が2名生じた参議院議員補欠選挙で、第2位で当選した（このため、1989年の第15回参議院議員通常選挙で当選した高井の残り任期を務めることとなる）。1995年の第17回参議院議員通常選挙で落選。翌1996年死去。
岩崎 昭弥（いわさき しょうや、1927年4月26日 - 1996年11月13日）は、日本の政治家。日本社会党参議院議員(1期)。
新幹線建設計画当時はモータリゼーションの時代でもあり、世界的にも鉄道は時代遅れのものと捉えられていた。新しい高速鉄道など無用の長物であり、巨額のコストをかけて建設する必要はないというのが識者の論調であった。また一般の間でも、長距離移動には在来線があれば十分だと考えられていた。しかしながら、ひとたび東海道新幹線が開通すると、人々はこぞってこれを利用しはじめた。それどころか新幹線が利用できるという前提のもとで、人の流れや移動のありかたも大きく変化していった。
主にエピタキシャル成長とイオン注入で形成されるSi-LSIにおけるバイポーラトランジスタと同じように、HBTも主にエピタキシャル成長を用いて製造することができる。材料としてSiGe/Si系、AlGaAs/GaAs系、GaInP/GaAs系、GaInAs/InP系、InGaN/GaN系などが知られている。 GaInP/GaAs系の例では、半絶縁性GaAs基板上にMOCVD法やMBE法を用い、コレクタ層としてn-GaAs層 (n>1E18cm-3) 、サブコレクタ層としてn-GaAs (n - 1E16cm-3) 、ベース層としてp-GaAs層 (p>2E19cm-3) 、サブエミッタ層としてn-GaInP層 (n - 1E17cm-3) 、エミッタ層としてGaAs層 (n>1E18cm-3) 、コンタクト層としてn-GaInAs層 (>1E19cm-3) のような層を順番に形成する。エミッタ層のGaInP層はバンドギャップが1.9eVで、GaAs層は1.42eVのため、伝導帯のバンド不連続が - 0.3eV、価電子帯の不連続が0.2eV程度となる。ベース層は高濃度にドーピングするためC(炭素)が用いられるが成長技術はやや難しく、ベース層における少数キャリアのライフタイムを長くすることが重要である。SiGe系の場合は、通常のSi-LSIプロセスに組み合わせて製造され、UHV-CVD法などが用いられる。SiGeはSiに格子整合しないため、歪エネルギーを緩和させるため同じⅣ族のCを添加することもある。プロセスでは、メサ型構造が多く、コレクタ、ベース、エミッタの電極を形成し、パッシベーションや配線を施すことで、一つのトランジスタが完成する。HBTと同じようにヘテロ接合を用いるHEMTのプロセスとは異なり、微細なゲートを作製する必要がなく、トランジスタ特性が主にベース層の厚さとキャリア濃度の作りこみで決定されるところに大きな特徴がある。エピタキシャル成長では、厚さをnmオーダーで精密に作りこめるところに製造上の利点がある。しかし、高速動作には寄生容量を小さくする必要があるため、ある程度の微細化が要求される。