その後、イタリアのアントニオ・マスペスがシェーレンと同じく同種目7度制覇を成し遂げたが、マスペス自身の同種目最多連覇記録は4に止まった。シェーレンが最後の優勝を果たした30年後、中野浩一が初めて同種目の優勝を果たしたが、1983年のチューリッヒ大会で7連覇を果たしてシェーレンの連覇記録を更新すると、翌、1984年のバルセロナ大会で8連覇を達成してシェーレン、マスペスが持つ最多優勝記録も更新。最終的には10まで連覇記録を伸ばした。しかしながら中野がシェーレンの連覇記録更新を果たすまで、実に半世紀近くもかかっている。それだけ、シェーレンの6連覇という記録は容易には更新できないものであったということが伺える。
少年時代は第一次世界大戦による影響で一家はフランスへ移住を強いられ、ベルギーに戻ってからは工員として働いていた。自転車競技選手としては1926年からキャリアを積み、1928年にアマチュア・スプリントのベルギー国内チャンピオンに輝く。1931年にプロに転向。1932年～1937年の世界自転車選手権プロ・スプリント（当時はプロ・スクラッチという名称）で6連覇を達成。32・33年はリュシアン・ミシャール（フランス）を、34・35年はアルベルト・リヒター（ドイツ）を、36年はルイ・ジェラルダン（フランス）を、37年にはアリー・ファンフリート（オランダ）をいずれも決勝で破って記録を成就した。1938年に、ファンフリートに決勝で敗れ7連覇を逃すも、1947年にはジェラルダンを決勝で破って同種目7回目の優勝を果たし、トーワルド・エレガード（デンマーク）と並んでいた同種目最多優勝記録を塗り替えた。他にも、ベルギーのスプリント国内チャンピオンにはプロ・アマ通算で16回輝いているが、プロ部門では1931年～1947年まで、実に15回の優勝を果たした。1963年からシェーレンの功績を讃え、フロット・プライス・ジェフ・シェーレンというロードレースが開催されている。過去の優勝者にはヘルマン・バンスプリンゲル、フレディ・マルテンス、ヤン・ラースといった名選手をはじめ、現役世代ではトル・フースホフトの名も見られる。現在はUCIヨーロッパツアーのレースとして、主に若手ロード選手の活躍の場となっているようである。
意地悪だが豊富な知恵袋を誇るチエばーちゃんが、孫の正夫ら登場人物を翻弄しつつ、豆知識を紹介する。風邪の治し方や、犬の飼い方、暑い時や寒い時の過ごし方など、ばーちゃんの知識はどんな場面にも対応できる物であったが、ばーちゃんのいたずら心で間違った伝授をされる事もあり、その場合は正夫達はひどい目に遭わされる。最終回では、チエばーちゃんは病死しており、大事な肉親を失い葬儀の場で動揺を隠し切れない正夫であったが、そんな正夫を見かねてか、チエばーちゃんは在りし日の姿のまま亡霊となって正夫の前に現れ、最後の葬儀マナー知識を披露する。出棺後、自分の助けがなくても孫がこれからしっかりと一人立ち出来る事を確信し、チエばーちゃんは役目を終え天国へ旅立っていった。
基本的に一話完結のギャグ漫画であり、月刊少年誌としては少ない1 - 6ページ程度で構成されていた（連載初期は1 - 2ページ連載であったが、連載の継続につれページが増加している）タイトル通り、今の時代に忘れ去られつつある「おばあちゃんの知恵袋」的な豆知識を、ギャグ漫画と言う子供達に受け入れられやすい形式で紹介する作品であり、実際の生活でも役立つ知識が紹介されていた。その反面、昔から受け継がれてきた「おばあちゃんの知恵」が持つ側面として、迷信的な物、科学的に効果があるとは言い切れない物が紹介される場合もあった。シャープで細部まで描き込まれた絵柄と、底意地が悪いながらも知識豊富なチエばーちゃんのキャラクターも相俟って、安定した人気を持った連載の一つであった。
「ホットキャリア注入」という言葉は通常MOSFETで使われる。キャリアは、シリコン基板の伝導チャネルから二酸化ケイ素(SiO₂)のゲート絶縁膜へ注入される。シリコンの伝導体からSiO₂の伝導帯に移る（「ホット」になる）ためには、電子は~3.2 eVの運動エネルギーを得なければならない。また正孔がシリコンの価電子帯からSiO₂の価電子帯に移るには、4.6 eVの運動エネルギーを持たなければならない。「ホットエレクトロン」という言葉はキャリア密度(つまりフェルミ分布)をモデル化するときに使われる実効的な温度のことを言っており、半導体バルクの温度のことではない(暖かければホットエレクトロンの数は多くなるが、物理的には冷たくなり得る)。「ホットエレクトロン」という言葉は、半導体中の非平衡状態の電子(または正孔)を記述するために導入された。より大雑把には、この言葉はフェルミ分布によって記述できるがより高い実効的温度を持つ電子分布を記述する。この大きなエネルギーは電荷キャリアの移動度に影響し、その結果どのように半導体デバイス内を移動するかに影響する。「ホットエレクトロン」は、正孔と再結合したりコレクターに向かって材料中を流れることはせず、半導体材料をトンネルする。その結果リーク電流が増加したり、ホットキャリアが周囲の絶縁膜の原子構造を乱して絶縁膜にダメージを与える。ホットエレクトロンは高エネルギーの光子が半導体に衝突したとき生成する。光子のエネルギーを吸収すると電子は価電子帯から励起し電子正孔ペアを作る。電子が伝導帯を超えるのに十分なエネルギーを得た場合、ホットエレクトロンになる。ホットエレクトロンは高い実効的温度によって特徴づけられる。ホットエレクトロンは高い実効的温度をもつため非常に動きやすく、半導体を離れて周囲の材料に移動するおそれがある。ホットエレクトロンフォノンによって消えたエネルギーは熱になり、デバイスの効率が悪化する。例えば太陽電池は、光を電気に変換する半導体の光起電力特性を利用している。ホットエレクトロン効果によって太陽電池では光エネルギーの一部が電気ではなく熱に変換して失われる。ホットエレクトロンは、低温の縮退した半導体や金属でも一般的に生じる 。ホットエレクトロン効果を記述する多くのモデルが存在する。最も単純なモデルは、3次元自由電子モデルに基づいて電子-フォノン相互作用を記述する。ホットエレクトロン効果のモデルによって電力散逸と電子ガス温度や過熱との相関が説明できる。