ジル・シモン（Gilles Simon 1958年6月14日 -）はフランス出身のモータースポーツ技術者。以前はスクーデリア・フェラーリのエンジン開発部門責任者を務めていた。2017年現在は国際自動車連盟（FIA）の技術部門責任者を務める。
ユウガが開発した「麻雀学園」のサクセスの後に「ロイヤル麻雀」などのカピーのボードを扱いだした「中日本プロジェクト」が二画面のスクリーンを採用し、開発したゲームである。1か月後には一般スクリーン用の『麻雀キャンパス ハンティング』も発売されていた。
「作中で探偵が最終的に提示した解決が、本当に真の解決かどうか作中では証明できないこと」についてである。つまり“推理小説の中”という閉じられた世界の内側では、どんなに緻密に論理を組み立てたとしても、探偵が唯一の真相を確定することはできない。なぜなら、探偵に与えられた手がかりが完全に揃ったものである、あるいはその中に偽の手がかりが混ざっていないという保証ができない、つまり、「探偵の知らない情報が存在する(かもしれない)ことを探偵は察知できない」からである。また「偽の手がかり」の問題は、いわゆる「操り」とも結び付く。すなわち、探偵が論理によって「犯人」を突き止めたとしても、その探偵、あるいは名指しされた犯人が、より上位の「犯人」による想定の中で動いている可能性はつねに存在する。このようにメタ犯人、メタ・メタ犯人、……を想定することで、推理のメタレベルが無限に積み上がっていく（無限階梯化）恐れが生じることがある。
人種的に純粋なインディオであっても、都市部の住民を中心にインディオ的な文化を喪失し、白人やメスティーソに文化的に同化した人はインディオと呼べないのではないかという議論がある。そのような人はインディオと称されることを忌避し、メスティーソなどと自己規定することが多い。しかし日常会話では、厳密にはメスティーソであるがインディオの人種的特徴を強く持つ人もまとめてインディオと呼ばれるのが一般的である。一方で、逆に人種的には混血であっても、先住民としてのアイデンティティを持ち、農村部を中心に先住民系の言語を日常的に用い、伝統的な文化を守る人々も決して少なくない（チョロ又はチョリータを参照）。
先住民と白人との混血をメスティーソ(mestizo)、ラディーノ(ladino)などという。ボリビア、ペルーなどでは、先住民として位置づけられる者を含めてチョロとも呼ばれる。また、先住民（インディオ）と黒人との混血をサンボと呼ぶ。なお、サンボという呼称と差別についての話題がちびくろサンボにあるので、そちらも参照されたい。
インディオという言葉に侮蔑的な響きがあることから、現在は先住民のことをナティーボ (nativo，旧来の住人の意)やプレイスパニコ (prehispánico, スペイン以前の意)、インディヘナ(indígena,土着の人)などということが多くなってきている。また、カンペシーノ (campesino, 都市に住んでいない人)やアンテセデンテス (antecedentes, 先祖)という表現をすることもある（いずれもスペイン語。ポルトガル語では、例えばナティーヴなど）。呼称と差別に関する問題については、ノート:アメリカ・インディアンも参照されたい。1920年代頃よりホセ・カルロス・マリアテギ等を中心にインディヘニスモ（先住民の復権）が唱えられるにつれ、先住民という意味の「インディヘナ (Indígena)」（ポルトガル語ではインディジェナ）という呼び方も普及していった。既に述べたように、インディオという言葉には侮蔑的な響きがあり、差別用語であるともされる。ホセ・デ・サン＝マルティン将軍がペルーを解放した時は、先住民をインディオと呼ぶことをやめるべきだと述べ、一世紀半後にフアン・ベラスコ・アルバラード将軍の革命政権はこの考えを実践して公的な文書の中でインディオと呼称することをやめ、カンペシーノ（農民）と呼称することを定めた。現在、多くの国では一般的には先住民を表す時にはインディヘナの名称が使われる。しかし、当のインディオの側から自分達の歴史をインディヘナという言葉で消し去られるのは屈辱だという声も聞かれ、言い換えを拒否する動きもある。
3D XPointの開発開始はおおよそ2012年に遡る。インテルとマイクロンは3D XPoint以前に同技術とは別の、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリ(相変化メモリ)を開発してきた。マイクロンのCEOマーク・ダーカンによれば、3D XPointのアーキテクチャは以前提供していた相変化メモリとは別の物であり、これまで伝統的に用いられてきたゲルマニウムアンチモンテルル(GeSbTe)のような相変化材料に比べ高速で安定したカルコゲナイド材料を、セル選択素子と記憶素子の双方に使用している。2015年現在、両社とも同技術の全容を公開していないが、(NANDフラッシュとは異なり)「電子[の蓄積]によるものではない」としている。3D Xpointは電気抵抗を利用し、ビット単位でのアドレスが可能であるとされている 。メモリベンチャーのクロスバーによって開発されている抵抗変化型メモリとの類似点が指摘されてきたが、3D Xpointの記録メカニズムはクロスバーの技術とは異なっている 。3D XPointの開発者は同技術がバルク材料の抵抗の変化に基づいているとしている。 インテルのCEOブライアン・クラーザーニッチは3D XPointについて繰り返される質問に対し、同技術のスイッチングはバルク材料の特性を利用したものだと答えている。インテルによれば 3D XPoint は相変化記録技術もメモリスタも使用していない。ザ・レジスターのクリス・メラーは「3D XPointと同等の性能と寿命を持つ、抵抗変化型や相変化型のメモリのサンプルを作成したサプライヤーはないようだ」と記事に記した。。3D XPointの各記憶素子はトランジスタを使用しないため、記録密度はDRAMと比較し4倍程度になるだろう。