1986年にアメリカ代表に選出され、22歳で出場した1988年ソウルオリンピックで金メダル、1992年バルセロナオリンピックでは銅メダルを獲得した。2005年にはカリフォルニア州立大学のバレーボール部の監督に選ばれた。姉のリアン・サトウもバレーボール選手であり1988年と1992年のオリンピックに出場している。また、兄のゲーリー・サトウもアメリカの男子バレーボールナショナルチームのアシスタントコーチを務めたこともあった。（1985年のワールドカップでは、監督の帰国により臨時で監督を務めた。）
2013年に行われたシミュレーションでは、InAs-GaSbを用いたTFETでは理想的条件下で33mV/decadeのサブスレッショルド振幅が可能であることが示された。
非常に急峻なドーピング・プロファイルの必要性など、横TFET構造に関連するいくつかの課題を克服するために、二重ゲート薄体量子井戸間TFET構造が提案されている。しかし、このようなデバイスは、デバイス構造中の大きな垂直電界によるゲートリークに悩まされるおそれがある。
IBMのグループが、MOSFETの60mV/decade限界を下回る電流振幅が可能であることを初めて実証した。2004年、彼らはカーボンナノチューブのチャネルでサブスレッショルド振幅がわずか40mV/decadeであるトンネルトランジスタを報告している。2010年までに異なる材料系で多くのTFETが作製されてきたが、主流な応用に要求される駆動電流で急峻なサブスレッショルドスロープを示すものはまだない。
このデバイスは真性領域に電子の蓄積が起こるようにゲートバイアスを印加することにより動作する。十分なゲートバイアスにおいては、真性領域の伝導帯がP領域の価電子帯に並ぶとき、バンド間トンネリング(band-to-band tunneling, BTBT)が起こる。P型領域の価電子帯からの電子が真性領域の伝導帯にトンネリングし、電流がデバイスを横切って流れる。ゲートバイアスが減少すると、バンドの位置がずれて電流が流れなくなる。
基本的なTFET構造は、TFETのソース端子とドレイン端子が反対の型にドープされていることを除けばMOSFETと似た構造をしている（図参照）。一般的なTFETデバイスの構造は、真性領域の静電ポテンシャルがゲート端子により制御されるP-I-N (p型半導体, 真性半導体, n型半導体) 接合からなる。
OsB、Os₂B₃、OsB₂の3つの構造が知られている。最初の2つは、二ホウ化レニウムに似た六方晶構造を持つ。OsB₂も当初は六方晶構造であると考えられていたが、後に斜方晶であることが分かった。
ホウ化オスミウムは、真空または不活性気体中で、有毒化合物である酸化オスミウム(VIII)の形成を抑えながら合成される。合成は、1000℃程度の高温下で、二ホウ化マグネシウムと三塩化オスミウムの混合物から行われる。
ホウ化オスミウム(Osmium boride、OsBₓ)は、オスミウムとホウ素の化合物である。最も顕著な性質は、非常に高い硬度である。オスミウム原子の電子密度の高さと、オスミウムとホウ素の間の強い共有結合により、超硬度材料になっていると考えられているが、まだ証明されてはいない。例えば、OsB₂は、サファイアに匹敵する硬さだが、超硬度材料ではない。
愛知県の一宮中学（現：一宮高校）卒。1946年に中部日本の監督になった竹内愛一に誘われ同チームに入団。4月29日の対セネタース戦では先発するも先頭打者から5者連続与四球の日本プロ野球新記録と1イニング6与四球のタイ記録。相手のセネタースの先発一言多十も13与四球という試合だったが、中部日本が4併殺と拙攻続きで、6対1で敗れている。その後は石本秀一に従い、1947年国民リーグに参加。結城ブレーブスで夏季リーグでは最多勝の12勝、秋季リーグ8勝。1948年、監督に就任した石本とともに金星スターズへ、さらにシーズン途中に大陽ロビンスへ移籍。1948年は、年間通算12勝を記録。その後大洋ホエールズ球団設立と同時に参加、1951年には球団最多の16勝をマーク。1952年8月24日の国鉄戦を最後に勝てなくなり、当時の日本記録となる18連敗を記録。1954年8月15日の広島戦で勝利し、ようやく連敗を止めた。連敗記録は、1953年に洋松（大洋が一時改名）入りした権藤正利が、1956年に林の記録を更新。1957年には28まで伸ばしてようやく勝利している。
十分滑らかな多様体上様々な種類のジェット束を考えることができる。多様体の（1階の）接束は多様体の曲線を一次の接触なる同値関係で割った集合である。類似的に、k-階の接束は k-次の接触関係で割った曲線の集まりである。同様に、余接束は多様体上の関数の 1-jet の束であり、k-jet 束はそれらの k-jet の束である。ジェット束の一般的なアイデアのこれらおよび他の例は多様体上の微分作用素の研究において重要な役割を果たす。枠の概念も高次ジェットの場合に一般化する。k 階の枠を Rⁿ から M への微分同相写像の k-jet と定義する。すべての k 階の枠の集まり Fᵏ(M) は M 上の主 Gᵏ 束である、ただし Gᵏ はk-jet の群である、すなわち原点を固定する Rⁿ の微分同相の k-jet からなる群である。GL(n, R) は自然に G¹, およびすべての k ≥ 2 に対する Gᵏ の部分群に同型であることに注意する。とくに、F²(M) の断面は M 上の接続の枠成分を与える。したがって、商束 F²(M)/ GL(n, R) は M 上の線型接続全体からなる束である。