峨山は毎日未明に永光寺の朝課をすますと、13里（約52km）の山道を通って總持寺に向かい朝課を勤めたという伝説がある。この山道を「峨山道」と呼ぶ。總持寺では大悲心陀羅尼を一音ずつ長く引いて読む「大真読」と呼ぶ諷経法があるが、これは永光寺からやってくる峨山を待つために始められたともいう。
峨山韶碩（がさん じょうせき、建治元年（1275年）- 正平21年/貞治5年10月20日（1366年11月23日））は、鎌倉時代後期から南北朝時代にかけての曹洞宗の僧。能登国の出身。總持寺第2世。大現宗猷國師。
1985年4月結成。 同年9月21日「君は衝撃波」でポリドールレコードよりデビュー。 1986年3月21日にリリースした「背番号のないエース」は劇場版アニメ『タッチ 背番号のないエース』の主題歌に起用され、20万枚のヒットとなる。同年8月にはFMヨコハマのイメージソング「湘南海岸134」を制作し、反響を得るが、1987年9月に解散。
アンリ・デュピュイ・ド・ローム（Stanislas Charles Henri Laurent Dupuy de Lôme 、1816年10月15日 - 1885年2月1日）はフランスの造船技師である。西洋初の外洋航行可能な甲鉄装甲艦、ラ・グロワールを設計したことなどで知られる。ロリアン近郊のプロムール（fr）で生まれた。エコール・ポリテクニークで学んだ後、海軍に入り、造船技師となった。1842年にイギリスに派遣され装甲艦の造船法を学び、その報告は "Memoire sur la Construction des Batiments en Fer"として1844年に出版された。トゥーロンの海軍工廠で働き、フランス海軍の軍艦の近代化に貢献した。1847年からスクリュー駆動で蒸気機関の戦列艦ル・ナポレオンの建造を開始し、1850年に進水し、1852年には14ノット（26km/h）の速度を得た。装甲艦の開発も行ない、1859年、西洋初の外洋航行可能な甲鉄装甲艦、ラ・グロワールを進水させた。普仏戦争が始まった1870年には防衛委員会のメンバーであり、プロイセン軍が包囲したパリとの連絡を取るために人力でプロペラを駆動して操縦しようとする気球（飛行船）の開発を行ったが、実験の行なわれたのは戦争の終わった1872年であった。晩年は電動式の潜水艦の開発を行ない、没後、Gustave Zédéによって Gymnote号として完成させられた。
十分にスイッチオンまたはオフせずにデータを処理するためにサブスレッショルド伝導を利用しているデバイスもある。標準的なトランジスタにおいても、技術的にスイッチオフさせた時でも小さな電流がリークする。サブスレッショルドデバイスの中には、標準的なチップの電力の1から0.1パーセントで動作できるものがある。そのような低電力動作によって、いくつかのデバイスは、電力供給を付属すること無しで動作できるほど小さな電力で動作できる。ウェアラブルな心電図モニターなどは基板熱で完全に動くことができる。
埼玉県川越市生まれ。1957年東京大学医学部卒。58年東大精神科に入局。1963年「我国における巫者(shaman)の精神医学的研究 "神憑り"の成立と展開」で医学博士。1966年東京都立精神衛生センター分室長、1971年埼玉県精神衛生センター所長。1977年琉球大学精神衛生学教授、1981年東京都立精神衛生センター所長。1985年東京大学医学部精神衛生学教授。1992年獨協大学経済学部教授兼保健センター診療所長。
サブスレッショルド伝導、サブスレッショルドリーク電流、サブスレッショルドドレイン電流とは、トランジスタがサブスレッショルド領域または弱い反転領域、つまりゲート-ソース間電圧が閾値電圧以下でのMOSFETのソース-ドレイン間の電流のこと。様々な程度の反転の専門用語はTsividisに記述されている。デジタル回路でのサブスレッショルド伝導は通常、理想的には電流がない状態での寄生リーク電流として見なされる。一方で消費電力の小さいアナログ回路での弱い反転は効率的に動作する領域で、サブスレッショルドはその周りで回路機能が設計される有用なトランジスタモードである。。従来はゲート電圧が閾値よりも大きく下回るオフ状態でのサブスレッショルド伝導は非常に小さかった。しかしトランジスタのサイズと共に電圧が小さくなると、サブスレッショルド伝導はより大きな因子となった。全てのソースからのリーク電流は増加し、閾値電圧0.2 Vの技術世代ではリーク電流は全電力消費の50%を上回る。サブスレッショルド伝導の重要性が増している理由は、集積回路の動的電力消費(トランジスタがオン状態からオフ状態へスイッチするときに消費される電力で、供給電圧の二乗に依存する)を下げるため、またデバイスの信頼性を維持するデバイス内部の電場を小さく保つために供給電圧が連続的に小さくなったためである。サブスレッショルド伝導の大きさは、接地と供給電圧との間の閾値電圧によってセットされ、供給電圧とともに減少する。この減少は、より小さなゲート電圧はデバイスをオフにするための閾値以下で揺れ、またサブスレッショルド伝導がゲート電圧について指数関数的に変化するため(カットオフモードを参照)、MOSFETのサイズが小さくなるとより重大になる。サブスレッショルド伝導はリーク電流の一つの構成要素でしかない。デバイス設定に依存するサイズと大まかに等しくなり得るリーク電流として、ゲート酸化膜リーク電流と接合リーク電流がある 。リーク電流の原因の理解とリーク電流の解決策が、多くの回路とシステム設計に要求される