1959年に2歳でデビューし、サンパトリック賞で勝利した。1960年は、ヴィヴィアン賞で勝利した後に、ミンシオらを相手にリュパン賞に勝利すると、ジョッケクルブ賞でも2着馬に3馬身を付けて優勝した。英ダービーに出走するプランもあったが出走を取り消し、6月末には3000mのパリ大賞に出走するとロンシャン競馬場には10万人もの人々が集まった。レースでは、道中3番手で進み、直線では他馬を5馬身ちぎって優勝した。秋にはプランス・ドランジュ賞に勝って、凱旋門賞に向かったがPuissant Chefの6着に敗れた。
シャーロッツヴィルは、無敗の英三冠馬バーラムや"Flying Filly"ムムタズマハルの所有者であったアーガー・ハーン3世によって、1957年にイギリスで生産された。父プリンスシュヴァリエは1946年のジョッケクルブ賞優勝馬であり、後に仏リーディングサイアーに輝き、フランスを中心にプリンスローズから続くサイアーラインを発展させた馬である。母Nooraniは大種牡馬ネアルコの産駒であり、シャーロッツヴィルの前年にアスコットゴールドカップ、サンクルー大賞、バーデン大賞など6勝をあげ、凱旋門賞でニジンスキーを破ったササフラを輩出するSheshoonを出した。シャーロッツヴィルはアーガー・ハーン3世が1957年に病死すると、息子のアリ・ハーン王子(彼も1960年に亡くなる。)、続いて孫のアーガー・ハーン4世へと引き継がれた。
北海道花咲郡を構成する村のひとつであった。1872年（明治5年）、珸瑤瑁諸島（現在の歯舞群島）を編入する。1915年（大正4年）、周辺6村と合併し歯舞村となる。地名は歯舞村大字珸瑤瑁村として存続した。1959年、歯舞村の根室市合併に伴い根室市大字珸瑤瑁村となる。1968年、根室市で大字制が廃止され、珸瑤瑁村の地名は消滅した。旧珸瑤瑁村は、納沙布・珸瑤瑁一丁目 - 三丁目・豊里・温根元となった。
方向キー左右で移動。□ボタン（または○ボタン）でポータブルファンの使用。×ボタンでジャンプ。下＋□ボタン（または下＋○ボタン）で爆弾の設置。上＋□ボタン（または上＋○ボタン）でフラッシュの使用。エネルギーが0になったり、障害物や敵に接触、爆弾の爆風にまきこまれたり、フラッシュに接触するとミスになる。残機がある状態だと、残機が1減り、最後に通過したチェックポイントからの復活となる。なお、前作では「エネルギー」と呼ばれエネルギー全快アイテム扱いで、1人が接触すると消える仕様だった。本作では「チェックポイント」と名前が変わり、接触しても無くならなくなったため、他のプレイヤーも含めて何度でもエネルギーの回復が行えるようになった。残機が0の状態でミスすると、1人プレイの場合はムーンストーンがあればコンティニューできる。マルチプレイ時に残機が0の状態でミスすると、復活ポイントに戻された上でカウントダウンがはじまり、カウントダウン終了までに他のプレイヤーが接触すると復活できる。また、ムーンストーンを消費することでも復活できる。プレイヤーが全員ゴールするとステージクリアとなり、次のエリアへと進める。ステージクリア時に、ステージ内で入手した石版の実から石版のかけらを入手できる。石版のかけらをいくつか集めると、石版になり、完成させるとアイテムを入手できる。
かつて、スペランカーと呼ばれた探検家がいた。彼は洞窟探検へと向かったが、ついに帰ってこなかった。そして、10年の月日が流れた。スペランカーの息子は父の名前を継ぎ、新人の探検家として洞窟の奥深くへと向かうのだった。
増田 ユリヤ（ますだ ゆりや、1964年7月27日 - ）は、日本のジャーナリスト。横浜市生まれ。1987年國學院大學文学部史学科卒業。元明治学院高等学校非常勤講師。世界史・日本史・現代社会を教えながら、NHKラジオ・テレビのリポーターを務めた。日本テレビ「世界一受けたい授業」に歴史や地理の先生として出演のほか、テレビ朝日系列「グッド！モーニング」のコメンテーター。日本と世界のさまざまな問題の現場を幅広く取材・執筆している。
福島県会津若松市出身。会津高校卒業。青山学院大学卒業。サトウハチローに師事し、作詞家の道を歩む。1977年、太川陽介に提供した『Lui-Lui』が同年の第19回日本レコード大賞新人賞を受賞。1983年、森昌子の『越冬つばめ』で日本作詞大賞優秀作品賞を受賞した。また変わったところでは『ファイターズ讃歌』の作詞を手がけている。
III-V族化合物（さんごぞくかごうぶつ）は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムなどの周期表III族(13族)元素と、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスなどのV族(15族)元素との化合物の総称である。代表的なものに、窒化ホウ素(BN)、ヒ化ガリウム(GaAs)などがある。III-V族化合物は大きなバンドギャップを持ち、固く、化学的にも安定な物質が多い。特に、ヒ化ガリウムに代表されるIII-V族化合物の半導体を、III-V族半導体と呼ぶ。また、III-V族化合物は電気的には半導体であるが、Ⅲ族元素とⅤ族元素の組み合わせによって異なるバンドギャップを持つため、エピタキシャル成長などを用いて、任意のバンドギャップを持つ半導体を作製することができる(Band-gap engineering英語版wikiへジャンプ)。但し、不用意な格子欠陥を防ぐために格子定数の値が近いものを選ぶ必要がある。例えば、1.7eVの半導体を作製するとすれば、格子定数がどちらも5.6Åであり、バンドギャップがそれぞれ1.4eV、2.1eVであるヒ化ガリウムとヒ化アルミニウムを用いてヘテロエピタキシャル成長させればよい。