FeRAM、強誘電体メモリは不揮発性メモリで、強誘電体のヒステリシス（履歴現象）を応用している。EEPROMよりも高速で消費電力が小さく、高集積化が可能。すでに2004年には数十kbitのFeRAMがスマートカードに使われ量産、製品化されている。
ReRAM、抵抗変化型メモリは2000年頃から実用化研究がなされている不揮発性メモリで、電界誘起巨大抵抗変化(CER:Colossal electroresistance)と呼ばれる現象を応用している。消費電力が小さく、高集積化が可能、読み出し速度が高速と言う特徴を持つ。フラッシュメモリの代替用途が目論見られている。2011年5月、パナソニックがReRAMの世界初の量産化を発表し、2メガビット級の製品を2011年末にサンプル出荷する計画。2012年1月、エルピーダメモリが64Mビットメモリセルを試作。ギガビット級のReRAMの量産も視野にある。2015年に発表された3D XPointは、抵抗変化型メモリとは異なると主張されているが、似ているという指摘もある。
磁気抵抗RAM (MRAM) は1995年ごろから実用化研究が進んでいる不揮発性メモリで、トンネル磁気抵抗効果と呼ばれる現象を応用している。不揮発性、データ保持期間が長い、読み書きが高速、低価格など、メモリに求められる特徴を全て備えており、MRAMは有望な技術と目されている。Everspin Technologies（フリースケール・セミコンダクタからのスピンオフ）の 4Mbit MRAM などの第一世代のMRAMは電流磁場方式の書き込みを採用していた。現在開発が進んでいる第二世代では、Crocus Technology の Thermal Assisted Switching (TAS) 方式と Crocus、ハイニックス、IBMなど複数の企業が採用している Spin Torque Transfer (STT) 方式がある。
2010年代中盤において、一部は研究中であったり、一部は実用化したりしているが、該当する用途において既存のテクノロジを代替し大量生産されるには至っていないものを、ここにまとめる（厳密には「半導体」メモリでないものも含む）。
EEPROMは電気だけでチップの記憶内容の一部を選択的に消去でき、しかも消去のために回路から取り外す必要がない。消去と書き込みは人間から見れば高速だが、読み出しに比べると遅い。特定のビットを書き換えられる回数に限度があり、一般に1万回から10万回とされている。また記憶容量も他の不揮発性メモリに比べると小さい。EEPROMは機器の設定情報などの格納に適しており、モデムなど様々な機器で利用されている。
記憶内容を消去可能なEPROMで、チップ中央に石英の窓があることからUV-EPROMだとすぐにわかる。電界効果トランジスタのゲート部に電荷を捉えるとビットの内容が1から0に変化する。その電荷を除去するには20分から30分間、波長の短い紫外線を照射すればよく、それによって出荷直後の何も記憶していない状態に戻る。
PROMは出荷時点では何も記憶していない。ヒューズ型PROMは、シリコンまたは金属製のヒューズがあり専用の書き込み装置で選択的にヒューズを焼き切ることで個々のビットを0から1に変更する。一度ビットの内容を変更すると元に戻すことはできない。不揮発性ではあるが、やや柔軟性に欠ける。初期のPLD（プログラマブルロジックデバイス）チップもヒューズ型PROMと同様のプログラミング手法を採用していた。ヒューズ型より新しいアンチヒューズ型PROM（ワンタイム・プログラマブル (OTP) メモリとも）は、集積度・信頼性が高く、読み出しが高速でデータ保持期間が長いことから、家電機器、自動車、RFID、HDMIなどに広く使われている。
マスクROMは古くからある不揮発性ROMで、設計段階から配線によって特定のデータを格納するようになっており、そのフォトマスクを使って集積回路を製造すると、シリコンにデータが刻み込まれ後から書き換えることはできない。したがってマスクROMは大量生産に向いており、初期のミニコンピュータの立ち上げ処理（ブート）のコードの格納などに使われた。初期コストが高くつき後から修正できないことから、設計の初期段階で使うことは滅多にない。
九頭竜川の電源開発は戦後北陸電力や電源開発によって上流部に発電用ダムの建設計画が進められた。一方、1959年（昭和34年）の伊勢湾台風や1961年（昭和36年）の第2室戸台風による水害を契機に建設省も九頭竜川水系の総合開発計画を策定した。すでに福井県によって1951年（昭和26年）より真名川総合開発事業が始まり、笹生川ダム（1957年完成）や雲川ダム（1956年完成）が建設されていたが、九頭竜川本川上流部に大規模な多目的ダムの建設を骨子とした九頭竜川総合開発事業が1961年より着手された。これにより水系最大のダムである九頭竜ダムが建設され、発電施設として揚水発電である長野発電所や鷲ダム・仏原ダム・山原ダム・石徹白ダムが相次いで建設された。だが1965年（昭和40年）明治以後では最悪の水害・奥越豪雨が流域を襲った。この時には上流で3日間で1,044mmの猛烈な豪雨が降り注ぎ、笹生川ダムは堤頂全体から越水し決壊の危機に襲われ、下流の西谷村（現・大野市）中島地区は壊滅的な被害を受け集団移転の憂き目に遭った。こうしたことから建設省は九頭竜川水系工事実施基本計画を1968年に改訂、この中で更なる洪水調節を図るため真名川ダムの建設に着手、1978年（昭和53年）に完成した。支流においても福井県によって日野川総合開発事業・竹田川総合開発事業などが実施され、広野ダム・桝谷ダム・龍ヶ鼻ダム・永平寺ダム・浄土寺川ダムなどが完成。現在、吉野瀬川ダムが建設中である。