1961年（昭和36年）3月 新中川掘削工事に伴い架橋される。その後、下流側に長さ137.55 mの高砂諏訪橋人道橋が1978年（昭和53年）に設置され、人車分離された。
内水面漁場管理委員会は、原則として10人の委員で組織され、委員は、当該都道府県の区域内に存する内水面において漁業を営む者を代表すると認められる者、該当内水面において水産動植物の採捕を営む者を代表すると認められる者及び学識経験者の内から都道府県知事が選任したものを充てる。委員の任期は4年。
1989年にAVデビュー。デビュー作は、ビデオで処女喪失をするという企画作品であった。しかし、後の作品中のインタビューで実際は処女ではなく1度だけだが経験があったことを明かしている。その時の相手はそれ以降離れて行ってしまい、そのショックがAV出演のきっかけになったという。芸名は薬師丸ひろ子に顔が似ていたことが由来で、幼げな顔立ちと幼児体型から女子校生役での出演が多かった。また、からみで反応がほとんど見られない、いわゆる“マグロ”な女優としても有名であった。3年程の活動の後、引退。
しかし、「全部事務組合」という名称では、市町村とほぼ同様の制度であるというイメージを想起しにくく、一般的に知られていないためか、1959年10月1日以降、存在していなかった。2011年（平成23年）8月1日、地方自治法の一部を改正する法律（平成23年5月2日法律第35号）の施行により、全部事務組合に関する規定は地方自治法から削除され、全部事務組合の制度は廃止された。
かつては地方自治法第284条の規定に基づく地方公共団体の組合の一種で、町村の議会及び執行機関の事務の全部を共同処理することができた。全部事務組合の成立とともに、組合内の町村の議会及び執行機関は消滅し、組合管理者と組合議会議員は住民が直接選挙するものとされた。実質的には、通常の市町村合併と同様の役割を果たすものと言える（ただし、合併と異なり、組合議会の決議により組合を解散し、元の町・村に戻すことができる）。したがって、それまでの町村の名称・地域的まとまりに対する住民のこだわりが強い場合に、それらを保存しながら実質的に一つの自治体になる方法として利用されることが想定された。
啓民可汗（呉音：けいみんかがん、漢音：けいびんかかん、拼音：Qǐmínkĕhàn、？ - 609年）は、東突厥の可汗。沙鉢略可汗の子。啓民可汗というのは称号で、正しくは意利珍豆啓民可汗（いりちんとうけいびんかかん：意智健の意）といい、姓は阿史那氏、名は染干（センガン）という。
父親がメキシコ人、母親が日本人で、幼稚園の年長から小学校5年生あたりまでメキシコで生活。「世界で最も危険な殺人の首都」の異名を取る国境都市フアレスから南南東に800キロあまり下ったトレオンに住んでいた。2016年2月21日、フジテレビ『ワイドナショー』でテレビ初出演。2016年4月、上智大学外国語学部英語学科に入学。2016年、WOWOWが中継する「UEFA EURO 2016 サッカー欧州選手権」をPRする「WOWOWユーロガール」に選ばれ、次いでスペイン・サッカーリーグ「リーガ・エスパニョーラ」2016－17シーズンのキャンペーンキャラクター「2016－17 WOWOWリーガール」に就任。2017年4月7日から日本テレビ系報道番組『NEWS ZERO』で、番組史上最年少となる19歳でキャスターを務める（金曜日のカルチャーコーナー、お天気コーナーを担当）。2018年11月末に、アミューズの公式サイトからプロフィールが削除された。
パワーMOSFETの基本的な構造は、DMOS（Double-Diffused MOSFET）と呼ばれる構造で、N+基板の上に形成されたNエピタキシャル層表面側に低濃度のP型層（Pボディ）と高濃度のN型層を二重拡散で形成した構造である（図1）。この構造（単位セル）が多数並列接続され、ひとつの素子となっている。素子のオン抵抗を低減する為には単位セルの微細化が有効であり、表面に溝を形成しその中にゲートを埋め込むことにより単位セル面積を縮小するトレンチゲート型が開発されている（図2）。さらに、高耐圧化、オン抵抗・スイッチング損失の低減を追求する為さまざまな構造が提案されている。素子の耐圧は、N層の不純物濃度と厚みによって決まり、電流はチャネル長によって決まる。耐圧を高くするには、N層の不純物濃度を低くし、厚みを厚くすることが必要である。そうすると電流を流す時の抵抗が大きくなる。 具体例では、60V程度の耐圧素子ではオン抵抗値が100mΩ以下というのが極普通で、30A程度のスイッチングをした場合5w以下と非常に電力ロスが少ない。 しかしながら、400V程度の耐圧素子ではオン抵抗が1～10Ωもあり、10A程度の回路に用いた場合10～100wと桁外れにロスが大きくなる。このため、高電圧用途の代表であるインバータでは照明用途程度（5A以下）でしか利用されておらず、大電流用途である電動機制御分野では絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) が主に用いられている。 新たな技術として本質的に高耐圧の素子が構成可能な炭化ケイ素(SiC)系の半導体を用いることで低耐圧素子と大差ないN型層の厚みと不純物濃度で高耐圧のMOS-FETにおいてオン抵抗100mΩ以下という素子も開発された。またこの高耐圧SiC-MOS-FETを応用した高耐圧かつ低飽和電圧特性のIGBTも開発されている。