ビスビーは1943年8月7日にカリフォルニア州ウィルミントンのコンソリデーテッド・スチール社で起工した。1943年9月7日にリチャード・マーフィー夫人によって命名、進水し、1944年2月15日に艦長J・P・ジャーマン沿岸警備隊中佐の指揮下就役した。太平洋艦隊に配属されたビスビーは、沿岸警備隊の要員が操艦して1944年6月27日にニューカレドニアのヌメアで第7艦隊と合流した。8月12日から31日にかけて行われたビアク島への上陸作戦に参加し、その後1944年10月までニューギニアの沿岸を哨戒した。レイテ島侵攻においては哨戒および港湾管制艦任務に従事し、11月22日に任務を完了した。ビスビーは12月15日に真珠湾に到着した。修理後ビスビーは1945年1月6日に真珠湾を出航、アラスカ州のダッチハーバーに向かい1月13日に到着した。1月から7月までビスビーはダッチハーバー、アダック島、アムチトカ島およびアッツ島を行き来する商船や陸軍の輸送艦を護衛し、また北太平洋で第4航空群の護衛艦任務も担当した。1945年7月6日にビスビーは第43護衛分艦隊とともにアダック島を出航し、7月12日にワシントン州シアトルに到着した。修理および改修後、再びアラスカ海域に戻り8月13日にコールド・ベイに到着する。1945年8月26日にビスビーは同地で退役し、翌日レンドリース法に基づきソ連海軍に貸与された。ソ連では「護衛艦」を意味する「EK」の略号を付与され、EK-17 の名で就役した。ソ連海軍での活動後、1949年11月1日に返還されたビスビーは横須賀で保管された。1950年10月18日に再就役したビスビーは11月23日に韓国海域に向かう。韓国では哨戒、護衛および艦砲射撃任務を1951年10月20日まで行い、しばしばフィリピン、香港および澎湖諸島を訪れた。横須賀で修理を受けた後、ビスビーは1952年2月13日に相互防衛援助計画の下コロンビアへ移管された。コロンビア海軍ではカピタン・トノ (Capitan Tono) の艦名で就役し、その後1963年にスクラップとして廃棄された。ビスビーは第二次世界大戦の戦功で2個の、朝鮮戦争の戦功で3個の従軍星章を受章した。
原子間力顕微鏡 (AFM) と走査型トンネル顕微鏡 (STM) はナノテクノロジー初期の2つの走査型プローブである。他の走査型プローブ顕微鏡として、マービン・ミンスキーが1961年に考案した走査型共焦点顕微鏡から発展したものやカルヴィン・クェートらが1970年代に開発した走査型超音波顕微鏡 (SAM) があり、ナノスケールの構造を観察できるようになっている。走査探針（プローブ）の先端はまた原子や分子を人の意図するように動かしナノ構造を操作することもでき、これを "positional assembly" と呼ぶ。しかし、それらは非常に手間と技量を要する技法である。現時点において、最も確立されたナノメートル規模での加工技術はナノリソグラフィであり、フォトリソグラフィ、X線リソグラフィ、ディップペン・ナノリソグラフィ、電子線リソグラフィ、ナノインプリント・リソグラフィなどの技法がある。リソグラフィはトップダウンの加工技術であり、大きな素材にナノスケールのパターンを描く。ナノテクノロジーの別の技法のグループとして、ナノワイヤ製造など半導体製造で使われている、遠紫外線リソグラフィ、電子線リソグラフィ、集束イオンビーム加工、ナノインプリント・リソグラフィ、原子層堆積法、分子気相成長法、ジブロック共重合体を使った分子セルフアセンブリ法などがある。しかし、これらはナノテクノロジーの研究成果としてナノテクノロジーから生み出されたものではなく、それ以前からの科学技術の発展の中で自然に生まれたものがほとんどである。トップダウン方式の研究では、目的が明確である場合が多く、研究対象もシリコンなど半導体が多い。トップダウン方式は期待された通りに徐々に小さいデバイスを生み出してきた。走査型プローブ顕微鏡はナノ素材の評価と合成の両方で重要なツールとなっている。原子間力顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡は素材の表面を観察し、そこで原子を移動させるのに使うことができる。それらの顕微鏡のプローブ先端を特別なものに設計変更すると、試料表面に対して構造を彫り付けたり、セルフアセンブリの補助とすることができる。走査型プローブ顕微鏡を使って原子を試料表面上で移動させることもできる。今のところこういった技法は時間もコストもかかるため大量生産には向いていないが、実験室レベルの試作には適している。対照的にボトムアップ方式は原子や分子を組み合わせて徐々に大きな構造に組み上げようとするものである。技法としては、化学合成、自己組織化、"positional assembly" などがある。自己組織化単分子膜の評価に適したツールとして二重偏光干渉測定法がある。ボトムアップ方式のもう1つの技法として分子線エピタキシー法 (MBE) がある。ベル研究所の研究者 John R. Arthur、Alfred Y. Cho、Art C. Gossard が1960年代末から1970年代にかけて研究用ツールとしてMBE装置を開発・実装した。MBEは1998年のノーベル物理学賞の対象となった分数量子ホール効果の発見に役立った。MBEを使えば、原子サイズの精度で原子の層を形成でき、複雑な構造を組み立てることができる。MBEは半導体研究はもちろんのこと、新たな分野であるスピントロニクスにおいても広く使われている。また物理吸着現象は、ナノメートルサイズの物質を可逆に制御する方法として再び注目されている。