小学校から高等学校までは投手だったが、大学で外野手になり、プロ入り2年目の年から内野手になった。また、プレーでの思いやりを重視し、特にプロ入り1年目の年は正田との連係プレーを徹底的に練習した。打球が飛んで来る回数や併殺、中継に絡む機会が多いため、打者が打つ瞬間以外は常に360度全方向に注意していた。広島がかつて本拠地としていた広島市民球場は土のグラウンドだったため、イレギュラーバウンドが多く、平常心を保ち、腰を落としてしっかり捕球することを心がけた。また、自分の肩が強くないと考えてスローイングを課題に挙げ、ダッシュなどでカバーすることを意識していたという。必ずしも守備の名手という印象を持たれていないが、1990年代前半にはレンジファクターでリーグトップの数値を複数年に渡って記録（1992年、1994年、1995年）するなど、打球をアウトにする能力は高かった。グラブについてはプロ入り2年目の年から同じグラブを7年間も使うほど強いこだわりを持ち、同じタイプのグラブを使った後輩には井生崇光や甲斐雅人、石橋尚登などがいる。また、野村のグラブをベースにしたグラブを江藤と東出が使用し、木村拓也も野村のグラブを参考にしていた。
俊足を誇る選手として名を馳せた。大学時代は東都大学野球リーグでの最多盗塁記録を残し、4年の春には完全盗塁を達成するなど、プロ入り前から走塁技術は高かった。4年の時にはベース1周で13秒8の好タイムを残している。プロ入り後も1989年には4月12日に初盗塁を記録し、5月末までに盗塁企図10に対して成功8と早くから技術が通用している。プロでも通算3回の盗塁王を獲得。入団から10年間で234盗塁、42三塁打を記録したが、現役時代後半は度重なる脚の故障のために走力が落ち、代走を送られるケースが増えた。
最多安打3回、最多得点2回、トリプルスリー、通算2000本安打を達成するなど、特に現役時代前半は広島のリードオフマンとして大いに活躍した。当時は176cm、75kgと体格に恵まれてはいなかったが、それまで主にスラッガータイプの選手が達成していたトリプルスリーを成し遂げた時には、地道なトレーニングによる筋力強化を高く評価されている。プロで実働10年間だった遊撃手での通算打率.293は1000打席以上ではセントラル・リーグ最高記録（2004年当時）であり、史上屈指の強打の遊撃手だった。思い切りの良い打撃を持ち味とし、賛否両論はあったものの、初球から積極的にストライクを打ちに行った。深夜のメジャーリーグのテレビ中継を欠かさず見ると言う「メジャーリーグ・フリーク」だったこともあり、ダイナミックなプレーを意識し、三塁打のクロスプレーにはこだわりがあった。なお、俊足を活かすため、高等学校の入学と同時に両打ちになったが、目標としていた左打ちには当初はならなかった。バットはミズノテクニクスの名和民夫の作品を使用していた。プロ入り後はスイッチヒッターとしてやっていくつもりだったが（広島入団当初は両打ち登録だった）、プロでは当初から左打ちに絞っている。
引退後は2006年から2009年まで広島テレビ放送、日本テレビ放送網、スポーツニッポンで野球解説者を務める一方、2007年の開幕前のキャンプでは広島の臨時コーチとして守備・走塁を指導した。2008年にはカンザスシティ・ロイヤルズの開幕前のキャンプに臨時コーチとして、白井一幸と一緒に招待されている。同年の北京オリンピック野球競技では解説者としてジャパンコンソーシアムの中継に参加し、10月には第2回WBCの日本代表監督選定会議に若い世代の代表として出席した。初回の会議の後には、現役監督・コーチ以外から選ばれることになるのではないのか、との見通しを語っていたが、次回会議の結果を受けて、原辰徳が代表監督に選ばれている。
電子や正孔の移動方向を一次元に束縛することにより半導体レーザーに適用した場合には低閾値動作、温度安定性などの特性の飛躍的向上が理論的に予測されている。分子線エピタキシー法(MBE)とへき開再成長法で作成する。量子効果デバイスを実現するためには活性領域となる半導体を他の半導体材料で覆い尽くす必要があり、電子の低次元性の特長を生かすためには大きさの均一性も非常に重要となる。
ヒッグス場は SU(2)L の下での表現（2表現）をもち、U(1)Y の電荷 Y=1/2 をもつ。2表現で変換する場に対する生成子は Tᵃ=σᵃ/2（a=1,2,3; σ はパウリ行列）であり、ヒッグス場に対する共変微分はとなる。ゲージ変換の自由度を用いて  の形になるように選べば、ヒッグス場のポテンシャル項からの真空期待値をもち、励起状態はとなる。ヒッグスが真空期待値をもつとき、ゲージ対称性は第一成分の位相変換の自由度を残して破れる。破れずに残るこの位相変換の生成子はであり、これが電磁相互作用のゲージ群 U(1)EM の生成子である電荷と同一視される。対称性が破れた後のヒッグス場に対する共変微分はとなる。ここで  は  の線型結合でによって定義され、Wボソンと呼ばれる。 は  の線型結合でによって定義され、Zボソンと呼ばれる。ここで  は弱混合角と呼ばれ で定義される。 に直交するゲージ場は電磁場（光子）と同一視される。これらのボソンで前述の共変微分を書き換えれば、となる。 を電磁場と同一視することから、結合定数は電磁相互作用の結合定数（即ち素電荷 e）と同一視される。