1938年は、例年に比べて大雨や集中豪雨が多く、それによる水害が全国各地で起きた。阪神大水害と同じ頃、関東地域でも同様の集中豪雨に見舞われ那珂川・桜川・利根川・江戸川・印旛沼と関東各地で決壊・氾濫・水害が発生し甚大な被害を齎した。また大水害からほぼ1か月後の7月28日～8月1日には同様の集中豪雨が四国から東海地域にかけて起こり徳島県の那賀川が決壊、8月末から9月頃には台風による水害被害も重なった。また、大水害を受けた治水・砂防事業にも拘わらず、同地域は1961年（昭和36年）昭和36年梅雨前線豪雨で兵庫県内の死者41名、1967年（昭和42年）昭和42年7月豪雨で同死者100人を出した大規模な水害に見舞われている。
六甲山の花崗岩は構造運動の影響を強く受け、岩盤は数cmから数十cm間隔の割れ目(節理)が顕著で脆く崩壊しやすい。また江戸時代から経済活動が活発だった地域のため六甲山の森林は建材や燃料として、徹底的に利用されてはげ山となっていた。明治以降六甲山に植林が行われるようになったが、大水害当時では不十分であった。このため大雨により上流で土砂崩れが起こりこれが土石流と化し、巨岩や大木を交えて甲南地域に押し寄せ、河道を塞いだり、中下流の堤防を破壊するなどしたのである。また砂防政策の遅れも原因としてあった。この水害を機に、甲南地域の治水・砂防事業は兵庫県から国に移管されることになり、国は水害直後の9月に内務省六甲砂防事業所（現：国土交通省六甲砂防事務所）を設置。以後、太平洋戦争による中断期間を除いて一貫して国による治水・砂防事業が実施されている。
6月末に太平洋岸に形成された顕著な梅雨前線が7月3日に瀬戸内海を通過、3日の夕方から降り始めた激しい雨は4日夕刻に一時収まったが、5日午前1時から5日13時23分まで大豪雨となった。この3日間で降水量が最も多い時には60.8mm/h、総降水量は六甲山で616mm、市街地の神戸測候所（後の神戸海洋気象台→神戸地方気象台）でも461.8mmに及び、阪神間の広い地域で400mmを超えた。六甲山南麓（いわゆる甲南地域）には芦屋川、住吉川、石屋川など、急峻な山地から一気に海へと流れ下る川が多いため、各河川流域で決壊、浸水、更に土石流などの土砂災害が相次いだ。交通網・通信網も寸断され、都市機能は麻痺した。
古くからフッ素や酸化セリウムがガラスと反応することを利用し、レンズや水晶・石英などケイ酸系の宝石の研磨に利用されている。半導体大規模集積回路の集積度の向上（すなわち、1つのチップに搭載されるトランジスタ数の増加）のためには、高密度化が必要である。1つのチップの占める面積を、ムーアの法則の進展速度で大きくすると、きわめて短時間に実際的な面積を超えてしまう。したがって、チップの中に配置するトランジスタ1個あたりの寸法を小さくする必要がある。これが、「ムーアの法則に従ったプロセスルールのスケーリング」と呼ばれる現象である。高密度化に対応するために水平方向の加工技術が大きく進化し、非常に微細な線幅の配線を製造できるようになったが、線幅の微細化を進めていくと、ある程度のところで垂直方向のずれ（すなわち平坦度）が影響を及ぼすようになる。これは、フォトリソグラフィ（パターニング）の際の焦点距離と密接な関係がある。パターニングは、あらかじめ作成した原画をレジスト剤を塗布したシリコン基板の上に光学的に転写する工程である。配線の間隔が小さくなっていくと、配線の間隔はやがて可視光の波長に近づいてくる。このため、転写の際の焦点距離の関係で明瞭な画像を作ることができる空間は、（2次元平面ではなく）3次元空間上である一定の範囲に限られる。明瞭な画像が得られる範囲から、基板の平面がずれてしまえば、いくら正確な転写装置を使っても、ボケた映像しか転写することができない、という問題がある。ボケた映像を使って配線を形成すれば、当然、配線の短絡や断線が生じることになり、製品の歩留まりや性能を著しく損ねることになる。また、トランジスタの数が少ない間は必要ないが、1つのチップに搭載されるトランジスタの数が多くなると、トランジスタとトランジスタを結線して回路を構成するためには、1つの配線層では対応しきれなくなり、多数の配線層が必要になる。この多層化の際にも形状の誤差が生じると、上下の層間での結線不良を生じる。このように、CVDやPVDで形成した薄膜上に直接パターニンしていく従来の方法では対応ができなくなった。このため、CVDやPVDで薄膜を形成した後に表面を平坦化する技術が求められ、CMP技術が開発された。CMP技術は、従来の半導体ウェハー（ベアウェハー）の研磨設備を半導体集積回路の垂直方向の平坦化の目的で、生産工程の中間に取り入れたものである。研磨時には発塵の可能性があるため、これを密閉し、かつ、ウェハーの搬出前に洗浄することで、研磨装置を半導体製造工程に不可欠な高クリーン度のクリーンルーム内に持ち込むことができるようになった。CMPが製造工程に取り入れられた当初は、LSIはアルミとシリコン酸化膜で製造されていたため、製造上の歩留まり向上に有効である先端LSIデバイス（CPUやASIC）などの一部分への応用に限られていたが、高クロック化に伴って配線間遅延が問題となり、銅ダマシンプロセスが利用されるようになってからは、不可欠なプロセスの一つとなっている。