理論的にn型とp型の違いはドレイン-ソース間の電流に寄与するキャリアの違いだけなので、ここではn型についてのみ扱う。MOSFETではゲートと基材の間に構成されたキャパシターにより、ゲートに正電圧が印加された場合、p型のサブストレートと絶縁層の境界面に電子を引き寄せドレイン-ソース間に反転層（n型）を作り上げる事でソース-ドレイン間を高コンダクタンスにする。ドレイン-ソース間電圧が比較的低く、ゲート-ドレイン間の電圧がしきい値を超えている状態；すなわちゲート-ソース間電圧からしきい値電圧を引いた値より低い状態においてはこの反転層がドレイン-ソース間にまたがり、さながら抵抗そのものの働きをし、この状態を線形領域と呼ぶ（図2）。線形領域においてはゲート電圧に比例して反転層が厚みを増すため、コンダクタンスがゲート電圧に比例して上がる。一方、ゲート-ドレイン間電圧がしきい値電圧を下回るとドレイン領域近辺には反転層が形成されなくなる（ゲート-ドレイン間電圧がしきい値電圧となった状態をピンチオフと呼ぶ）。この状態（ピンチオフ）を飽和領域と呼び、MOSのコンダクタンスは反転層の長さによって一定に決まる（図3）。この状態では定電流源として扱われる。反転層の長さはゲート-ドレイン間電圧によってその後も変わり続けるため、コンダクタンスもそれに応じて変化する。これをチャネル長変調効果と呼び、バイポーラ・トランジスタのアーリー効果に相当する。
MOSFETは、通常p型のシリコン基板上に作成される。n型MOS(NMOS) の場合、p型のシリコン基板上のゲート領域にシリコンの酸化膜とその上にゲート金属を形成し、ドレイン・ソース領域には高濃度の不純物をイオン注入し、n型（n⁺型）の半導体にする。p型MOS（pMOS）の場合は、p型のシリコン基板にイオン注入でn層の領域を作成し、n型の注入領域中のゲート領域にシリコンの酸化膜とその上にゲート金属を形成し、ドレイン・ソース領域には高濃度の不純物を再度イオン注入し、p型（p⁺型）の半導体にする。過去においては、空乏層による疑似交流キャパシターのみを持つバイポーラトランジスタや他の構造FETと比べると、ゲートの下に絶縁層を持つ関係上キャパシターを構造的に抱えているために、原理的には動作速度が遅くなる点や、トランスコンダクタンス（gₘ）が低い点などがMOSFETの課題であった。しかしながら、ゲート電流がほとんど流れない事やプロセス工程が比較的単純であるため、一部の高周波用素子を除き、多くのデジタル集積回路やアナログ回路にMOSFETが使用されている。更に、ドレイン・ソース間抵抗を低くできるため、特に電力スイッチング用途ではバイポーラトランジスタを代替した。近年では、ゲート長を小さくし、ゲート絶縁体の厚さを薄くすることや、SOI技術の使用により、動作速度やgmの問題を概ね解消している。シリコン製で数GHzの動作が可能になるとシリコンMOSによる製品領域が拡大し、従来は高速動作用として一般的だったヒ化ガリウム製FETの存在を脅かしている。シリコンによるMOSFET製の集積回路では、ゲートは金属ではなくポリシリコン（多結晶珪素）によって形成することが長い間一般的であったが、ゲートにはより抵抗値の低い金属を使用したり、リーク電流を減らすためにゲート絶縁体の厚さを厚くできる高誘電率のゲート絶縁膜を用いれば、高速動作が可能で低消費電力の高性能ICが作れるため、米インテル社は高誘電率 (High-κ) 絶縁膜とメタルゲートとを組み合わせた新たなプロセス技術を開発し、2007年秋の45nmのプロセスルールによる製品の製造に採用するようになった。その後、高性能なデジタル半導体を製造する各社も同技術を開発し製造している。これら、MOSと類似の構造についてはシリコン-酸化膜-シリコンであったり、金属-絶縁膜-シリコンであるが、同様の原理を使っているため、一般にはMOS半導体素子として扱われている。
1981年10月6日、サダトは第四次中東戦争開戦日を記念しその勝利を祝う戦勝記念日のパレードを観閲中にイスラム復興主義過激派のジハード団に所属するハリド・イスランブリ砲兵中尉によって暗殺された。サダト本人も自分がいつか暗殺されることを予期しており、近々自分が殺されるだろうと親しい友人などに語っていたという。死の直前にしたためたとされる手記には「自分は、今まで永年の仇敵とされていた、イスラエルとの間に平和を作り上げた。これで人生の終わり。あとはただ昇天を待つのみである」と記述されている。また暗殺される一年前に出された自伝にも自らの死を予期する記述がある。そのため、4重の警護に守られており、パレードにおける火器使用の規制が行われるはずであったが、その手続きを担当する士官はメッカ巡礼に出かけていた。折しも上空では空軍のフランス製の6機のミラージュが見事なアクロバット飛行を披露して赤・白・緑の煙でエジプト国旗を描いており、群衆はそれに気をとられていた。パレード中の砲兵車両部隊の1両が大統領の観閲席前に突然停止し、乗車していた暗殺隊が飛び降りてきた。イスランブリ砲兵中尉は大統領の前に進み、サダトはイスランブリ砲兵中尉の敬礼を受けようと起立していたがイスランブリ砲兵中尉は3個の手榴弾を投げつけ、その内1個が爆発した。イスランブリ砲兵中尉と暗殺隊は突撃銃で観閲スタンドに射撃した。サダトが倒れた後、人々は銃弾からサダトを守るために周囲に椅子を投げた。イスランブリ砲兵中尉は「ファラオへの死!」と叫びながら観閲スタンドに走り寄り、サダトの体へ銃を発射した。銃撃戦は約2分間続いた。キューバの特命全権大使、オマーンの将官、中国の軍事技術者、コプト正教司祭を含む11名が死亡し、ムバラク副大統領、ブトロス・ブトロス＝ガーリ外務大臣、訪問客のアイルランドのジェームズ・タリー国防大臣、4人のアメリカ軍連絡将校を含む38名が負傷した。保安部隊は不意を突かれたものの、間もなく応戦した。 暗殺隊の2人が射殺され、イスランブリ砲兵中尉と他の暗殺隊は憲兵隊によってその場で逮捕された。首・胸・腰などに被弾したサダトは病院へ搬送され11人の医師による手術を受けたが、同日午後7時50分（日本時間7日午前2時50分）、エジプト政府から正式にその死が発表された。享年62。サダトの後継として、ムバラク副大統領が大統領に昇格した。ムバラク副大統領もこの攻撃で手を負傷し、サダトの葬儀には世界中から多くの高官が参列した。その亡骸はナスルシティのピラミッド状の無名戦士の墓に葬られた。