パソコン用デバイスとしてのフラッシュメモリは、当初ユーザーの操作で書き換え可能なBIOSを持ったマザーボードへの利用など表面に出ない用途だったが、やがてUSBメモリなどによるフロッピーディスクの代替としての利用が始まり、書き換えに対する耐久性の向上(ハード的な技術向上やソフト的に書き換える部分を集中しないようにする工夫 - ウェアレベリング)、大容量化・低価格化・高速化が進み、徐々に大容量記憶装置としての役割を担うようになっていった。2004年には、小容量ながらパソコンに内蔵してハードディスク (HDD) 同様ドライブとして使用できるソリッドステートドライブ（SSD）が登場。自作派のユーザーたちに浸透していった。2006年には、HDDを搭載しないでSSDを搭載しているメーカー製小型ノートパソコンが登場した。2007年発売の『Windows Vista』からは、USBメモリをHDDのキャッシュメモリとして使用するWindows ReadyBoost機能、2009年発売の『Windows 7』からはSSDはHDDとは別のデバイスとしてサポートされるようになっている。ノートパソコンには機器の小型化および軽量化、省電力化、衝撃に対する強さが要求される。フラッシュメモリはハードディスクと比較してこれらの要素で優れており、さらに物理的な動作がないので静音化ができ、また高速にアクセスできるという利点も持つ。ただし低価格化が進んだとは言え、容量単価の点では依然としてハードディスクが有利であり、フラッシュメモリ搭載ノートパソコンはハードディスク搭載モデルと比較して割高な価格設定になりやすいが、2019年現在、その物理的に可動部が無いことによる耐衝撃性とHDDに比べ圧倒的な速度性能を考慮すれば、十分考慮できる価格帯まで落ち着いている。
フラッシュメモリの記憶素子は、動作原理上絶縁体となる酸化膜が貫通する電子によって劣化するため消去・書き込み可能回数が限られており、記憶素子単体の書き換え寿命は短命なもの (TLC) では数百回が限界、長くても (SLC) 数万回程度である。NOR型よりもNAND型の方が劣化が激しい。この記憶素子をそのまま記憶装置として使う場合、書き込みが特定ブロックに偏るため、未使用の記憶素子がある一方で特定の記憶素子だけが劣化によって寿命が尽きるという状況が発生してしまう。現状の製品では、書き込みの偏り対策としてコントローラを搭載して消去・書き込みが特定ブロックに集中しないようにウェアレベリングをしている。これにより書き換え寿命は論理的には伸びる。正確な計算方法はメーカーによって複数あり、例えば製品の最大容量と書き換え可能な領域等によって寿命は変わってくる。書き込み可能回数を超えると、ストレージとして認識することができなくなったり、正常な記録ができなくなったり、正常に記録することができたとしても記録内容を維持することができず、記録した内容が壊れたり消えてしまったりする確率が上昇する。Intelの研究によれば、63nmから72nmのプロセスルールで製造されたMLC(2bit/セル)方式NANDフラッシュメモリ8Gbitチップの場合、1万回の書き換えでエラーの起きる確率が1ビット当たり100万分の1から1000万分の1程度(即ち8Gbitならばエラーの起きるビットは平均1000から100ビット)である。フラッシュメモリは半導体製品であり、電子回路の構成部品として回路基板上に実装された形で製品化されているものが大半である。電子回路であるがゆえにフラッシュメモリそのものの故障以外に、電子回路の他の部品(コントローラチップなどフラッシュメモリ以外の実装部品も含む)の故障の影響で使用不能に陥ることもある。
フローティングゲートに充電した電子によって情報を記憶するという構造のために、書き込まれたデータの保持期間は有限である。メーカーの公称値では、書き換えによって劣化していない状態（書き換え限度の10%以下）で数年（TLC）・5年（MLC）・10年（SLC）、書き換え限度まで達した状態から1年となっている。これは環境の影響を受け、高温や放射線のあたる環境下においてはソフトエラーが発生して保持期間は通常よりも短くなる(条件次第では使用不能もありうる)。NOR型であれば一般に20年程度の保持期間を持ち、BIOSなどのファームウェアに使われている。ただし初期のフラッシュメモリ製品は既に20年以上が経過しており、保持期間が有限であることに変わりは無い。なお、これらの保持期間は最後に書き込んで以降の時間を示すものである。
消去・書き込みのためにVppとして別電源が必要なもの(二電源系)と、単一電源で動作するもの(単電源系)がある。単電源系はチャージポンプなどの昇圧回路を内蔵している。最近では、低容量のROM等には3.3V単電源のもの、携帯電話のROM用途には1.8V単電源またはCore 1.8V・I/O 3.3Vのものが多く使われている。
潜水艦救難は、まず遭難潜水艦の捜索から着手される。遭難潜水艦を発見したのちに、まずこれを中心として四方に4個の錨を投錨し、潜水艦救難艦を遭難潜水艦の直上に固定する。これを四点係留と称する。それぞれの錨から伸びる錨鎖（アンカー・チェーン）は大型の係留浮標（スパット）と繋がれており、係留浮標が適切な浮上状態を保てるように錨鎖の長さを調整する。なおこの係留浮標は鮮やかなインターナショナル・レッド（朱赤）で塗装されており、本システム搭載艦の外見上の特徴となっている。係留浮標と潜水艦救難艦との間はナイロン製のホーサーで繋がれており、潜水艦救難艦が遭難潜水艦の直上に占位できるようにホーサーの長さを調整する。潜水艦救難艦の四点係留が完了したら、潜水士による遭難潜水艦の状態調査ののち、チェンバーによる活動に入る。まず、遭難潜水艦から射出されているメッセンジャー・ブイを回収し、ブイと遭難潜水艦をつないでいたメッセンジャー・ワイヤーをチェンバーのリールに接続する。なお、メッセンジャー・ブイの射出に失敗していたり、メッセンジャー・ワイヤーが切れていた場合には、潜水士による状態調査の際にかわりのワイヤー（降下案内索）を接続しておく。チェンバーは海上に降ろされたのち、約500 kgの正浮力を維持したまま、ワイヤーをモーターで巻き取ることで水中を降下していく。ワイヤーは遭難潜水艦のハッチの中心に接続されていることから、ワイヤーを巻き取っていくことで、チェンバーはハッチの直上に到着できる。チェンバーは、到着後、まずバラストタンクに注水する。これによってチェンバーは負浮力となり、ハッチ上に着座する。その後、更に下部室内の海水を排水することで、水圧により接触部は完全密着状態となる。なお、チェンバー開発以前に開発された潜水艦では、チェンバーと完全密着できるように、ハッチ周囲にワッシャーのような金属板を設置する必要があった。こうしてメイティング（ドッキング）が完了したのちにハッチを開き、さらにボルトで固定したのち、遭難潜水艦の乗員を収容する。その後、ボルトを外してハッチを閉めてから下部室に注水すると、チェンバーと遭難潜水艦との密着は解除される。ついでバラストタンクから排水すると、チェンバーは浮力を回復して、自力で浮上する。