NMOSロジック
NMOSロジック（N-type metal–oxide–semiconductor logic）は、論理回路とその他のデジタル回路を実装するためにn型MOSFET（金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ）を使用する。
これらのn型MOSFETは、ソース端子とドレイン端子の間にあるp型半導体のボディの中に反転層を作ることによって動作する。
n型チャネルと呼ばれるこの反転層は、n型半導体のソース端子とドレイン端子の間に電子を通すことができる。
n型チャネルは、ゲートと呼ばれる第三の端子に電圧を印加することによって作られる。
他のMOSFETと同様にn型MOSFETは、3つの動作領域を持つ。つまり、遮断領域（cut-off/subthreshold）、線形領域（triode）、そして飽和領域（saturation/active）である。
長年の間、NMOS回路は、かなり速度の遅いp型MOSFETを使う必要があったPMOS回路やCMOS回路と比較して遥かに高速だった。
後にディプリーション負荷NMOSロジックが開発されて、NMOSの速度と消費電力はさらに改善された。
CMOSよりもNMOSの方が容易に製造できた。CMOSは、p型サブストレート上に作った特殊なn型ウェルの中にp型MOSFETを実装する必要があるからである。
NMOSの主な欠点は、出力が定常状態（NMOSの場合Low）のときですら論理回路を通して直流が流れることであった。当時の他のロジック・ファミリのほとんどが同じ問題を抱えていた（ディプリーション負荷NMOSロジックは、通常のNMOSよりもマシであったが、それでも消費電力は少なくなかった）。
このことは、静的な電力散逸を意味している。すなわち、回路がスイッチングしていないときですら電力が流出し、大きな電力消費が発生する。
付け加えると、Diode-transistor logic、Transistor-transistor logic、エミッタ結合論理などと同様にNMOS回路とPMOS回路は、非対称入力ロジックレベルが原因でCMOSよりもノイズに弱かった。
初期のCMOSがバイポーラトランジスタで作られた論理回路と比較して非常に遅かった事実にもかかわらず、それらの論理回路の欠点が故にマイクロプロセッサのような最も高速なデジタル回路においてもCMOSが他の方式の論理回路に取って代わることになった。