抵抗変化型メモリ
ReRAM（）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。
ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER効果）を利用しており、
といったデバイスとしての利点がある。