RDRAM

Direct Rambus DRAM 或称 DRDRAM（有时也称Rambus DRAM 或 RDRAM）是Rambus公司设计制造的一种同步DRAM。RDRAM的模组封装称为RIMM（Rambus In-line Memory Module）。
RDRAM在时脉讯号的上升(Positive Edge Trigger，PET)与下降(Negative Edge Trigger，NET)都可以进行资料传输。由于销售需要，命名方式为时脉频率的二倍(避免与 DDR 记忆体命名方式重复)，400MHz规格的Rumbus被命名为PC800，提供1600MB/s传输速率。相比PC-133 SDRAM的1066MB/s传输速率大幅提高（PC-133 SDRAM工作于133MHz，使用64bit的168针DIMM插座）。
实际应用.
个人电脑.
1999年发表第一片支援RDRAM的主机板。这些产品与PC800 RDRAM相容，以400MHz频率工作并具有1600MB/s的传输速率，使用184针的RIMM插座。
如果主机板使用双通道架构的记忆体子系统，则需要将所有记忆体通道都插上RIMM。16位元的单通道提供1条记忆体通道，32位元则提供2条。因此，在仅支援16位元RIMM的双通道主机板上，需要成对安装RIMM。而支援32位元RIMM的双通道主机板则可以逐条安装RIMM。16位元与32位元的RIMM不可混插。
电视游戏主机.
Rambus的RDRAM最初在1996年的任天堂电视游戏主机「Nintendo 64」(N64)上使用。N64使用4MB 9Bit汇流排，工作于500MHz的RDRAM，达到562.5MB/s的传输速度。受惠于RDRAM简单的设计，N64得以确保较大的记忆体传输速度。而受惠于RDRAM狭窄的汇流排宽度，主机板的电路设计师得以使用单纯的设计方式降低成本。然而，在随机存取方面延迟较高的缺点为人所诟病。N64为RDRAM模组使用了一套被动散热系统[https://web.archive.org/web/20090430131325/http://n64.icequake.net/]。
SONY PlayStation 2使用 32MB 的 RDRAM 主记忆体，具备双通道架构可达到3200MB/s的传输速度。
SONY PlayStation 3使用256MB、64bit汇流排，工作于400MHz（有效时脉达到3.2GHz）的XDR DRAM（RDRAM的后继产品），达到 204.8Gbit/s(25.6GB/s) 的高速资料传输速率，具有8倍于DDR-400 SDRAM的传输速度。
显示卡.
Cirrus Logic公司在"Laguna"显示晶片家族中的两个产品使用RDRAM。分别是仅有2D的5462、有3D加速的2D晶片5464。使用16Bit单通道，提供600MB/s的传输速度。
该晶片不仅利用RDRAM的高传输速度，更提供了成本方面的优点。此晶片在创新科技的Graphics Blaster MA3xx系列等使用。
性能.
与当时的其他记忆体规格相比较，Rambus由于增加了若干等待时间，以及在发热和制造上的复杂，导致成本较高。RDRAM也被批评印模尺寸太大，16M需要百分之10-20，64M需要约百分之5的介面，因此需要罚锾。[http://findarticles.com/p/articles/mi_m0EKF/is_n2161_v43/ai_19288320]。
PC800 RDRAM工作在45纳秒的等待时间，与当时的DRAM技术相比较高的等待时间。RDRAM的记忆体晶片比SDRAM晶片发出更大的热量，所以所有的RIMM皆需要散热片。RDRAM每片记忆体晶片皆内建控制器、与北桥晶片上配置单一的记忆体控制器的SDRAM相比制造上大幅复杂。RDRAM由于较高的制造成本和授权费，与PC-133 SDRAM相比价格达到了2-3倍。
复数RIMM在同一个记忆体通道安装的场合，对性能的影响比SDRAM的设计要高，与SDRAM的母模式途经1-2个晶片相比，RDRAM在较远的记忆体模组上晶片必须要经过近乎与记忆体控制器物理配置相当的所有记忆体晶片。
最普通的Rambus记忆体控制器的设计，是将记忆体模组成对安装做为前提。剩下未使用的记忆体插座必须安装CRIMM。追加的CRIMM模组并不会增加记忆体的容量，只是为了不使主机板上的信号发生反射而传达的相对于终端抵抗的信号。
伴随Intel 840（Pentium III）、Intel 850（Pentium 4）, Intel 860（Pentium 4 Xeon）晶片组的登场，Intel增加了32bit双通道PC800 RDRAM的支援。随后，i850E晶片组导入了PC1066 RDRAM，双通道时的合计传输速度扩大到4264MB/s。
2000年登场的PC-2100 DDR SDRAM工作于133MHz，有效时脉266MHz，使用184针DIMM插座的64bit汇流排提供2100MB/s的性能。
2002年，Intel发布了E7205 Granitebay晶片组。导入了双通道 DDR 记忆体，同与之竞争的RDRAM相比，可以在更低的等待时间下，提供4200MB/s的合计传输速度。
基准测试.
RDRAM为了达到800MHz的速度，与拥有64bit汇流排的现代SDRAM DIMM不同，记忆体模组只可以工作在16bit汇流排下。然而，Intel 820登场时的RDRAM模组只能工作在较慢的时脉，所有产品都无法工作在800MHz。
1998年的基准测试中，大部分的应用程式在RDRAM下速度偏低。RDRAM使用UMA比SDRAM产品相比仅仅是高速，Intel 820并不是低阶产品，更没有开发使用RDRAM的低阶制品。因此，RDRAM对于最终用户来说没有优势[http://www.tomshardware.com/1998/08/14/performance_impact_of_rambus/] 。
1999年，使用Intel 840, Intel 820, Intel 440BX的基准测试中，由于使用Rambus晶片组而获得性能提高的，除了工作站用途之外，与440BX晶片组和PC-133 SDRAM相比，价钱的大幅提高并不正常。[http://www.tomshardware.com/1999/12/15/the_rdram_avenger_/]。
2002年，单通道DDR SDRAM模组和SiS648组合时，实际的应用程序性能与双通道1066MHz RDRAM和Intel 850E的架构相抗衡。[http://www.tomshardware.com/2002/07/20/ddr400_kills_rambus/]。
此后更有可使用双通道的DDR400 SDRAM模组的晶片组登场。
PC市场上的RDRAM.
1996年11月，Rambus 与Intel签订了开发与授权协议。
在与DDR SDRAM比较中认识了RDRAM的优越性后，Intel对于Wintel开发社群发表了自公司微处理器仅会支援Rambus记忆体介面的声明，Intel获取了Rambus公司以每股10美元100万股股票的购买权。
1998年，Intel为了加速Direct RDRAM的导入，计划了对Micron Technology进行5亿美元的资本投资。作为额外的投资，还有1999年支付给Samsung的1亿美元等。
应对记忆体过渡时期，Intel在Intel 82x晶片组上使用Memory Transfer Hub (MTH)以支援PC-133 SDRAM DIMM。2000年，由于MTH在同时交换时，发生了不明原因的停止工作，突发重新启动的电气噪音，Intel召回了搭载MTH的Intel 820主机板。从此，Intel 820主机板没有再搭载过MTH。
2000年，Intel将零售的Pentium 4 CPU与两支RIMM配套发售，援助RDRAM。然而，Intel在翌年的2001年起逐渐停止了对Rambus的支援。
2003年，Intel发布了Intel 865和Intel 875晶片组，作为取代Intel 850的高端晶片组产品。此外，未来的记忆体发展计划(roadmap)中并未包含Rambus。
几乎没有DRAM生产厂商取得了RDRAM的生产许可证，而取得了技术许可证的公司就连仅仅生产满足市场需要的RIMM也失败了，在记忆体价格高涨的2002年RIMM也设定了较SDRAM DIMM高的价格。