퀄리타스반도체 사업보고서 (2023.12)
7. 기타 참고사항

가. 상표 관리정책 및 고객관리 정책 등이 사업에 미치는 중요한 영향

해당사항이 없습니다.

나. 특허권, 실용실안권, 의장권, 상표권 및 저작권 등 지적재산권 보유현황

(1) 지적재산권 현황

당사는 당사가 보유한 기술력에 대하여 특허 출원, 등록 등을 통한 지적재산권 확보 노력과 함께 타인의 지적재산권 침해 방지를 위하여 노력하고 있습니다. 주로 High-Speed Interface IP와 AOC 관련된 지적재산권으로써 해당 특허들을 기반으로 제품의 상용화를 이루어 왔습니다. 당사는 향후 응용 특허 및 신규 사업 분야에서의 신규 특허 출원을 통해 지적재산권을 더욱 확보해나갈 계획입니다. 당사가 보유한 지적재산권 내역은 다음과 같습니다.[지적재산권-등록특허 현황]

번호	구분	내용	권리자	출원일	등록일	적용제품	출원국

1	특허	적응형 등화 장치 및 등화 방법 (주1)	퀄리타스반도체	2009-08-18	2011-10-11	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

2	특허	애벌런치 광 검출기를 갖는 광 수신기 및 그것의 동작 방법 (주1)	퀄리타스반도체	2010-05-19	2011-11-21	AOC (일반)	한국

3	특허	데이터 리커버리 회로 및 이를 이용한 적응적 이퀄라이제이션 계수 조절 방법	퀄리타스반도체	2012-06-28	2019-10-08	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

4	특허	능동 루프 필터 기능을 탑재한 전원 안정 전압 제어 발진기 및 이를 이용한 위상 고정 루프 (주1)	퀄리타스반도체	2012-09-26	2014-03-05	High-Speed Interface IP (일반)	한국

5	특허	멀티-인버터 스테이지를 갖는 디지털 제어 오실레이터와 이를 포함하는 장치들 (주3)	퀄리타스반도체	2013-05-08	2019-10-08	High-Speed Interface IP (일반)	한국

6	특허	Supply Regulated Voltage Controlled Oscillator Including Active Loop Filter and Phase Locked Loop Using the Same (주1)	퀄리타스반도체	2013-06-25	2015-06-02	High-Speed Interface IP (일반)	미국

7	특허	전하 펌프 및 위상 동기 루프 (주1)	퀄리타스반도체	2014-07-16	2015-07-30	High-Speed Interface IP (일반)	한국

8	특허	차동 스큐와 차동 비대칭성을 최소화한 고속 저전압 차동 신호 전송 송신기 및 이를 포함하는 전자 회로 장치 (주2)	퀄리타스반도체	2015-02-11	2016-02-03	High-Speed Interface IP (일반)	한국

9	특허	이중 채널 차동 모드 신호 전송 인터페이스를 가지는 전자 회로 장치 (주2)	퀄리타스반도체	2015-08-19	2016-07-08	High-Speed Interface IP (일반)	한국

10	특허	클록 및 데이터 복원 회로 (주2)	퀄리타스반도체	2016-11-15	2018-02-19	High-Speed Interface IP (일반)	한국

11	특허	레벨 변환기 기능을 내재한 멀티플렉서	퀄리타스반도체	2017-05-31	2018-03-29	High-Speed Interface IP (일반)	한국

12	특허	디스플레이포트 방식의 리피터 장치 및 그의 링크 트레이닝 방법	퀄리타스반도체	2017-05-31	2019-05-09	AOC (Display)	한국

13	특허	광 통신 커넥터 및 그의 링크 트레이닝 방법	퀄리타스반도체	2017-05-31	2019-06-04	AOC (Display)	한국

14	특허	적응형 등화장치	퀄리타스반도체	2019-02-22	2021-04-16	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

15	특허	적응형 등화장치 및 그 방법	퀄리타스반도체	2019-02-22	2021-06-16	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

16	특허	ADAPTIVE EQUALIZATION APPARATUS AND METHOD USING THE SAME	퀄리타스반도체	2019-08-01	2021-01-12	High-Speed Interface IP (Equalizer)	미국

17	특허	적응형 등화장치	퀄리타스반도체	2019-08-02	2022-11-22	High-Speed Interface IP (Equalizer)	중국

18	특허	AOC장치 및 그 동작 제어방법	퀄리타스반도체	2019-09-05	2021-10-27	AOC (일반)	한국

19	특허	Device for Active Optical Cable and its operation control method	퀄리타스반도체	2019-09-20	2020-10-20	AOC (일반)	미국

20	특허	REPEATER DEVICE FOR DISPLAYPORT SIDE CHANNEL AND OPERATING METHOD THEREOF	퀄리타스반도체	2020-10-19	2022-06-07	AOC (Display)	미국

21	특허	自适均衡置以及其方法(적응형 등화 장치 및 그 방법)	퀄리타스반도체	2019-08-02	2022-11-22	High-Speed Interface IP (Equalizer)	중국

22	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로 및 이를 포함하는 통신 장치	퀄리타스반도체	2021-09-17	2023-06-01	High-Speed Interface IP (PAM4)	국내

23	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로 및 이를 포함하는 통신 장치	퀄리타스반도체	2021-10-11	2023-06-06	High-Speed Interface IP (PAM4)	미국

24	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치 및 그 동작 방법	퀄리타스반도체	2020-09-20	2023-08-11	AOC (Display)	한국

25	특허	적응형 등화장치 및 그 방법	퀄리타스반도체	2019-02-22	2023-09-20	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

26	특허	적응형 등화장치 및 그 방법	퀄리타스반도체	2019-02-22	2023-12-08	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

출처) 당사 내부 자료
주1) 상기 특허는 출원 및 등록을 연세대학교 산학협력단에서 실시하였으나, 당사가 해당 특허를 유상 매입하여 현재는 당사가 최종 권리자로 등록되었습니다.
주2) 상기 특허는 출원 및 등록을 성균관대학교 산학협력단에서 실시하였으나, 당사가 해당 특허를 유상 매입하여 현재는 당사가 최종 권리자로 등록되었습니다.
주3) 상기 특허는 출원 및 등록을 삼성전자에서 실시하였으나, 당사가 해당 특허를 무상 양도받아 현재는 당사가 최종 권리자로 등록되었습니다.

[지적재산권-출원특허 현황]

번호	구분	내용	권리자	출원일	적용제품	출원국

1	특허	적응형 등화장치 및 그 방법	퀄리타스반도체	2019-02-22	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

2	특허	적응형 등화장치 및 그 방법	퀄리타스반도체	2019-02-22	High-Speed Interface IP (Equalizer)	한국

3	특허	AOC장치 및 그 동작 제어방법	퀄리타스반도체	2020-07-31	AOC (일반)	중국

4	특허	단방향 AOC 장치	퀄리타스반도체	2019-09-05	AOC (일반)	한국

5	특허	양방향 AOC 장치	퀄리타스반도체	2019-09-05	AOC (일반)	한국

6	특허	단방향 AOC 장치	퀄리타스반도체	2019-09-05	AOC (일반)	한국

7	특허	양방향 AOC 장치	퀄리타스반도체	2019-09-05	AOC (일반)	한국

8	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치 및 그 동작 방법	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

9	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치 및 그 동작 방법	퀄리타스반도체	2020-12-02	AOC (Display)	중국

10	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

11	특허	광 리피터	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

12	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

13	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치의 동작 방법	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

14	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치 및 그 동작 방법	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

15	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 데이터 송수신방법	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

16	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 데이터 송수신 프로그램	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

17	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 데이터 송수신 프로그램이 기록된 기록매체	퀄리타스반도체	2020-09-20	AOC (Display)	한국

18	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로 및 이를 포함하는 통신 장치	퀄리타스반도체	2021-09-17	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

19	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로 및 이를 포함하는 통신 장치	퀄리타스반도체	2021-10-11	High-Speed Interface IP (PAM4)	미국

20	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로 및 이를 포함하는 통신 장치	퀄리타스반도체	2021-10-12	High-Speed Interface IP (PAM4)	중국

21	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로	퀄리타스반도체	2021-10-22	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

22	특허	광송수신기의 펄스 진폭 변조를 신호 처리 장치	퀄리타스반도체	2021-10-22	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

23	특허	비선형 레벨 선형성을 향상시키는 펄스 진폭 변조 회로	퀄리타스반도체	2021-10-22	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

24	특허	펄스 진폭 변조 신호의 선형성을 향상시키는 PAM 신호 처리 회로의 동작 방법	퀄리타스반도체	2021-10-22	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

25	특허	레벨 쉬프터 및 이를 포함하는 반도체 장치	퀄리타스반도체	2022-10-04	High-Speed Interface IP (일반)	한국

26	특허	가변 능동 부하를 포함하는 장치	퀄리타스반도체	2022-10-11	High-Speed Interface IP (일반)	한국

27	특허	클럭 신호를 복원하는 수신 장치 및 이의 동작 방법	퀄리타스반도체	2022-11-24	High-Speed Interface IP (CDR)	한국

28	특허	멀티 레벨 신호를 생성하는 송신 장치 및 이를 포함하는 신호 송수신 시스템	퀄리타스반도체	2022-12-06	High-Speed Interface IP (PAM4)	한국

29	특허	임피던스 캘리브레이션 장치	퀄리타스반도체	2022-12-12	High-Speed Interface IP (일반)	한국

30	특허	클럭 위상 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2022-10-12	High-Speed Interface IP (일반)	한국

31	특허	클럭 듀티 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2022-12-12	High-Speed Interface IP (일반)	한국

32	특허	PLL 시스템 및 PLL 시스템에 의해 수행되는 제어 방법	퀄리타스반도체	2022-12-13	High-Speed Interface IP (일반)	한국

33	특허	오프셋 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2022-12-29	High-Speed Interface IP (일반)	한국

34	특허	디스플레이 포트용 연결장치	퀄리타스반도체	2023-02-27	AOC (Display)	한국

35	특허	디스플레이포트 사이드채널의 리피터 장치 및 상기 리피터 장치의 제어방법	퀄리타스반도체	2023-02-27	AOC (Display)	한국

36	특허	클럭 위상 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2023-09-08	High-Speed Interface IP (일반)	PCT

37	특허	클럭 듀티 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2023-09-11	High-Speed Interface IP (일반)	PCT

38	특허	PLL 시스템 및 PLL 시스템에 의해 수행되는 제어 방법	퀄리타스반도체	2023-09-11	High-Speed Interface IP (일반)	PCT

39	특허	임피던스 캘리브레이션 장치	퀄리타스반도체	2023-09-11	High-Speed Interface IP (일반)	PCT

40	특허	오프셋 캘리브레이션 장치 및 방법	퀄리타스반도체	2023-09-11	High-Speed Interface IP (일반)	PCT

41	특허	반사 신호 저감을 위한 인터페이스 장치 및 인터페이스 패키지	퀄리타스반도체	2023-11-15	High-Speed Interface IP (일반)	한국

42	특허	반사 신호 저감을 위한 기판	퀄리타스반도체	2023-11-28	High-Speed Interface (module)	한국

43	특허	광 통신을 위한 광 송신기 및 광 수신기	퀄리타스반도체	2023-11-23	AOC (일반)	한국

출처) 당사 내부 자료

다. 사업영위에 중요한 영향을 미치는 법규 및 규제사항

해당사항이 없습니다.

라. 사업영위와 관련하여 환경물질의 매출 또는 환경보호와 관련 규제 준수 여부 및 환경개선설비에 대한 자본지출 계획

해당사항이 없습니다.

마. 시장여건 및 영업의 개황

(1) 시장의 특성 (가) 반도체 IP 시장 규모 및 성장성

반도체 IP 산업은 ①기술집약적 산업, ②활용 분야가 확대되고 있는 산업, ③경기변동 및 수요변화에 비탄력적인 산업 ④ 기술 수명이 긴 산업 등의 특징을 가집니다. 반도체 IP는 고도의 반도체 SoC 설계기술을 기반으로 SoC 개발업체에 기술적 서비스를 제공하는 기술집약적 산업이며, 당사의 주력 제품인 초고속 인터페이스 IP는 초고속 인터커넥트를 위한 회로 설계 기술과 초미세 반도체 공정 회로 설계 및 검증 기술과 같은 고난이도 기술을 필요로 하는 고부가가치 제품입니다.

수요-공급 간 예측 오류로 인해 공급과잉이 발생하는 메모리 반도체와는 달리 주문형 생산의 특징으로 인해 시장에 대한 변동성이 상대적으로 낮으며, 광범위한 적용 분야, 높은 설계 기술 요구 등으로 수요 변화에 비교적 탄력적인 장점을 갖고 있습니다. 반도체 IP시장은 반도체 IP 업체가 IP 코어를 개발하여 반도체 칩 제조업체에 라이센스를 부여하는 공급사슬을 형성하고 있으며, 기본적으로 기술 수명이 길기 때문에 개발 기간이 오래 걸리지만 양산 제품을 출시하면 10년 이상 매출을 시현할 수 있습니다.

(A) 초고속 인터페이스 IP 시장

반도체 IP 시장조사 전문기관 IPnest에 따르면 세계 초고속 인터페이스 IP 시장은 2021년 기준 13억 달러 규모로 추정되며, 연평균 16.1%의 가파른 성장률을 보이면서, 2026년까지 27억 달러 규모로 성장할 전망입니다. 표준규격별로는 PCIe와 DDR 규격의 점유율이 동일한 22%로 가장 큰 비중을 가진 것으로 나타났으며, Ethernet 및 Die-to-die 인터페이스가 18%, USB 15%, MIPI 10%로 상위 5위까지의 표준규격이 전체 시장의 87%를 차지하고 있습니다.

(단위 : 백만달러)

초고속 인터페이스 ip 세계시장 전망 및 규격별 비중.jpg 초고속 인터페이스 ip 세계시장 전망 및 규격별 비중

출처: IPnest,“IPnest Forecast Interface IP Category Growth to $2.5B in 2025”, 2022년 7월

초고속 인터페이스 IP의 성장이 빠르게 증가할 것으로 전망되는 이유는 초미세 공정에서 Hardmacro IP의 가격이 급상승하기 때문입니다. Hardmacro 가격을 결정짓는 주요 요소로는 시제품 제작 비용, EDA Tool 비용, 설계 비용 등이 있는데, 초미세 반도체 공정에서 이러한 비용이 급격하게 증가함에 따라 Hardmacro 인터페이스 IP의 가격도 동반 상승하고 있습니다. 상기와 같은 이유로 초미세 공정에 맞는 Hardmacro IP를 개발하는 것이 기업의 부가가치를 높이는 사업 방법이 될 수 있습니다.

(B) 하이엔드 인터페이스 IP 시장

하이엔드(High-end) 인터페이스 IP는 PCIe, DDR, Ethernet 및 Die-to-die 인터페이스 규격의 IP들과 같이 기술적 난이도가 높은 고부가가치 제품들로, 이들의 시장은 전체 초고속 인터페이스 IP 시장보다 더욱 폭발적인 연평균 20.8%의 성장률이 기대됩니다. 폭발적으로 증가하는 데이터를 처리하기 위한 HPC(High performance computing), 데이터 센터, AI 및 스토리지와 같은 데이터 중심(Data Centric) 산업 부문에서 초고속 인터페이스 IP의 수요가 급증하고 있습니다. 이에 DDR 계열(DDR, GDDR, LPDDR, HBM 등), PCIe 계열(PCIe, CXL 등), Ethernet 및Die-to-die 계열(100G SERDES, UCIe 등)과 같은 하이엔드 인터페이스 IP가 전체 초고속 인터페이스 IP 시장의 성장을 견인할 것으로 전망됩니다.

(단위 : 백만달러)

글로벌 하이엔드 인터페이스 ip 시장 전망(2021-2026).jpg 글로벌 하이엔드 인터페이스 ip 시장 전망(2021-2026)

출처: IPnest,“IPnest Forecast Interface IP Category Growth to $2.5B in 2025”, 2022년 7월

시장 추정 기간 PCIe와 DDR 표준규격의 시장은 동일하게 22%, Ethernet 및 Die-to-die 시장은 19%의 연평균 성장률이 전망되고 있으며, 당사는 Multi-level Signaling SERDES 기술을 적용한 PCIe 6.0과 Ethernet용 100G SERDES를 기반으로 더 빠른 성장을 이어나갈 수 있을 것으로 기대됩니다. 이는 데이터 센터, 스토리지, 유무선 네트워킹 및 AI 애플리케이션 응용 분야에서 넓은 대역폭을 요구하는 동시에 초고속 인터페이스를 위한 PCIe, Ethernet, SERDES 등의 기술 수요가 높은 것에 기인합니다. 1M, 10M, 100M, 1G 등 낮은 전송속도의 Ethernet보다는 50G 및 100G SERDES와 같은 높은 전송속도의 IP들이 부가가치의 대부분을 차지하고 이끌어나갈 것으로 전망됩니다.

(나) 광통신 부품 시장 규모 및 성장성

당사는 초고속 인터페이스 IP 라이센싱 및 Design Service를 제공하고 있으며, 이를 근간으로 하는 초고속 인터커넥트의 토털 솔루션을 제공하기 위해 광통신용 SoC와 이를 탑재한 광통신 모듈까지 사업을 확장해나가고 있습니다. 당사의 초고속 인터커넥트 기술은 크게 데이터 센터와 디스플레이 응용분야를 중심으로 전개되고 있으며, 장기적으로는 AR/VR 및 자동차 분야로도 확대될 전망입니다.

데이터 센터 내부 인터커넥트를 위해 사용되는 유선 케이블의 형태로는 트랜시버, AOC(Active Optical Cable), DAC(Direct Attach Copper) 형태가 대표적입니다. 당사는 AOC 모듈의 핵심이 되는 채널당 50Gb/s급 Optical Front-End(OFE) IC와 Retimer IC를 개발 및 제품화하고 있으며, 이러한 IC를 적용한 AOC 제품 개발을 진행하고 있습니다.

(단위 : 백만달러)
세계 aoc 시장 전망 (2021-2026).jpg 세계 AOC 시장 전망 (2021-2026)

출처: Allied Market Research,“ACTIVE OPTICAL CABLE MARKET - Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2021-2028”, 2021년 5월

(2) 시장 규모 및 전망4차 산업혁명으로 인하여 반도체 산업은 인공지능, IoT, 클라우드, 빅데이터, 가상현실, 자율주행 등을 구현할 수 있는 새로운 패러다임의 반도체 기술이 필요하게 되었습니다.

세계 반도체 시장은 인공지능 컴퓨팅을 위한 지능형 반도체 시대로 급격한 패러다임 전환시기를 맞고 있으며, 이를 위해 국가별, 글로벌 기업별로 차세대 반도체인 지능형 반도체의 연구개발을 본격적으로 시작하고 있습니다. 인공지능 서비스 성장에 따른 지능형 ICT 융합 제품 수요도 증가하여 반도체 시장은 지능형 반도체 중심으로 재편될 것으로 전망되며, 고성능, 저전력, 초경량 등 지속적인 성능 향상과 더불어 생산비용 절감 노력은 기존 반도체에 대한 대체 가능성을 높이고 있습니다. 2000년대 모바일 폰의 대중화와 더불어 발전한 컴포넌트 반도체는 2010년대 스마트폰 혁명에 의한 AP 등의 시스템반도체로 발전하였으며, 2020년 이후 4차 산업혁명과 인공지능 시대에서는 이러한 시스템반도체의 중요성이 지속적으로 부각될 것으로 예측됩니다.

글로벌 반도체 시장은 2020년 기준 $474B 규모로 전망되며, 이중 시스템반도체 시장은 $270B(메모리 반도체 시장의 2배 이상)로 추정됩니다. 시스템반도체 시장은 향후 AI, IoT, 자율주행차 등 4차 산업혁명을 위한 핵심부품으로 지속 성장 전망됩니다

(단위: 십억달러)

글로벌 반도체 시장규모.jpg 글로벌 반도체 시장규모

출처: WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행

반도체 IP 중에서도 초고속 인터페이스 IP는 SoC를 개발하는데 있어 필수재의 성격을 띠며, 모바일, 디스플레이, 인공지능, 자동차 등 모든 응용분야에서 SoC에 대한 관심이 높아짐에 따라, 초고속 인터페이스 IP가 시스템 반도체 및 파운드리 산업의 핵심 인프라로 부상하고 있습니다.

반도체 IP 시장조사 전문기관 IPnest에 따르면 세계 초고속 인터페이스 IP 시장은 2021년 기준 13억 달러 규모로 추정되며, 연평균 16.1%의 가파른 성장률을 보이면서, 2026년까지 27억 달러 규모로 성장할 전망입니다. 표준규격별로는 PCIe와 DDR 규격의 점유율이 동일한 22%로 가장 큰 비중을 가진 것으로 나타났으며, Ethernet 및 Die-to-die 인터페이스가 18%, USB 15%, MIPI 10%로 상위 5위까지의 표준규격이 전체 시장의 87%를 차지하고 있습니다.

이러한 하이엔드(High-end) 인터페이스 IP는 기술적 난이도가 높은 고부가가치 제품들로, 이들의 시장은 전체 초고속 인터페이스 IP 시장보다 더욱 폭발적인 연평균 20.8%의 성장률을 기록할 것으로 전망됩니다.

다. 경기변동의 관계 및 계절성 등 (1) 경기변동과의 관계반도체 산업은 다양한 산업 분야의 기반 산업이며, 경기 변동이 전반적인 반도체 산업에 미치는 영향으로 인해 당사의 사업에 간접적인 영향이 있을 수 있습니다. 그러나 당사가 영위하는 반도체 설계 및 인터커넥트 분야는 인프라 구축 산업의 특성을 가지고 있어 경기 변동에 비교적으로 덜 민감한 특성을 갖고 있습니다.

반도체는 다양한 산업 분야의 기반 기술로 사용되기 때문에, 반도체 산업은 경기변동과 밀접한 상관관계를 가지고 있습니다. 반도체는 자동차, 컴퓨터, 스마트폰, 가전제품, 의료 기기 등 거의 모든 전자 제품에 탑재되고 있어, 전방 수요의 증감에 따라 영향을 받습니다.

경기가 호황일 때, 기업과 소비자들은 더 많은 제품을 구매하고 투자하려는 경향이 있습니다. 이로 인해 반도체에 대한 수요가 증가하며, 반도체 산업도 호황을 누릴 수 있습니다. 반면, 경기가 불황일 때는 기업과 소비자들이 소비와 투자를 줄이려는 경향이 있어 반도체 수요가 감소하고, 반도체 산업의 성장이 둔화될 수 있습니다.

또한 반도체 산업은 기술 혁신의 주기와도 관련이 있습니다. 새로운 기술이 도입되거나 새로운 제품이 출시될 때, 반도체 수요가 급증할 수 있습니다. 예를 들어, 5G 통신이나 인공지능, 자율주행 등 신기술이 상용화되면서 관련 반도체 수요가 증가하고 있습니다.

최근 반도체 산업은 기술이 고도화되면서 기술적 배타성으로 인해 국가의 전략적 자원 요소로 부상하였습니다. 또한 반도체가 국방산업에 깊게 관여하게 되어 안보와 밀접한 연관성을 가지게 되었으며, 이로 인해 국제 정세에 크게 영향을 받고 있습니다. 이러한 외부 요인들로 인해 최근 반도체 산업의 경기 변동은 다양하고 복잡한 양상을 보이고 있습니다.

반도체 산업이 전반적으로 경기 변동 및 외부요인과 밀접하게 관련되어 있음에도 불구하고, 당사가 영위하는 반도체 설계 및 인터커넥트 분야는 반도체 산업의 인프라 기술에 해당하기 때문에, 비교적 경기 변동에 민감하게 반응하지 않는다는 특징을 가지고 있습니다.

반도체 설계는 일반적으로 2년에서 5년 정도의 장기 프로젝트로 진행되며, 따라서 현재의 경기변동에 민감하게 반응하기보다는 미래 예측되는 수요에 따라 움직이는 특성을 가지고 있습니다.

반도체 설계 산업은 기술 혁신에 대한 수요가 매우 높은 분야이기 때문에 기업들은 기술 경쟁력에서 뒤쳐지지 않기 위해 경기가 좋지 않은 시기에도 반도체 설계기술 개발에 대한 수요 및 투자를 지속하는 경향이 있습니다.

메모리 반도체와 달리 반도체 설계 분야는 주문형 생산의 특징을 가지고 있어 수요-공급 예측 오류로 인한 공급과잉 문제가 상대적으로 적게 발생합니다. 또한, 반도체 설계 분야는 광범위한 적용 분야와 높은 설계 기술 요구 사항 등으로 인해 수요 변화에 비교적 탄력적으로 대처할 수 있음에 따라, 경기 변동에 상대적으로 덜 민감하게 반응하는 경향이 있습니다.

(2) 계절적 요인일반적으로 반도체 산업은 계절적 특성을 가지는 전자제품의 수요에 따라 어느 정도 영향을 받으나, 당사가 영위하는 초고속 인터커넥트 사업은 반도체 생태계에서 인프라 산업에 해당한다고 볼 수 있어 전방산업의 중장기 수요 및 투자 계획에 가장 크게 영향을 받기 때문에, 단기적 요인인 계절적 요인과 직접적인 관련은 크지 않다고 볼 수 있습니다. (3) 제품의 라이프 사이클반도체 IP 라이센싱 사업은 실물의 제품을 제공하는 것이 아니기 때문에, 별도의 재고없이 롱테일(Long-Tail) 형태의 비즈니스가 가능하며, 장기적으로 매출이 꾸준히 상승하게 됩니다.

반도체 공정의 수명은 10년 이상으로 매우 길고, 응용 분야에 따라 SoC가 주로 사용하는 공정이 달라 노후 공정에서도 지속적인 SoC 개발이 이루어지므로, 개발된 반도체 IP 제품에 대해 지속적으로 라이센싱 수익이 발생합니다.

전력소모 절감이 중요한 모바일 분야와 극한의 고성능을 필요로 하는 인공지능 분야의 SoC는 FinFET 공정에서도 최선단의 5nm 이하 공정으로 가장 많이 개발됩니다.

최근 부각되고 있는 차량용 분야는 안전성과 극한의 동작환경에 대한 신뢰성이 중시되므로, 최선단 공정보다는 28nm~5nm 정도의 공정으로 많이 개발되는 추세입니다.

디스플레이 분야는 개별 부품의 가격경쟁이 치열하기 때문에, FinFET보다는 다소 가격대가 낮은 45nm, 28nm 등 CMOS 공정이 현재 가장 많이 사용되고 있습니다.

당사는 초기 공정에서 IP를 확보하는 전략을 추구하고 있으며, 모바일/인공지능 분야에서 SoC 개발업체에 라이센싱하여 양산이력을 확보하고, 이후 다른 분야에서도 지속적인 수익을 달성할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

당사는 최근에도 2010년대 초반에 개발된 28nm 공정에서 MIPI D-PHY IP를 라이센싱하였으며, 2010년대 중반에 개발된 14nm, 8nm 공정에서도 지속적인 반도체 IP 라이센싱 수익을 거두고 있습니다.

5nm, 4nm 공정 반도체 IP 제품의 사용빈도는 아직 낮지만, 초기 공정일수록 IP License Fee 가격이 높아 고부가가치의 매출이 발생하고 있으며, 시간이 지나면서 28nm, 14nm 및 8nm 제품에 비해 더욱 높은 수익이 발생할 것으로 기대하고 있습니다.

라. 신규사업 내용"6. 주요계약 및 연구개발 활동 - 나. 연구개발활동" 부분을 참조하시기 바랍니다.