티이엠씨 분기보고서 (2023.03)
II. 사업의 내용

당사가 영위하는 사업의 내용을 이해하기 위하여 필요한 용어에 대한 참고 해설은 다음과 같습니다.

용어	설명

반도체 8대 공정	① 웨이퍼 공정 ② Oxidation 산화막 공정
③ Photo 포토 공정 ④ Etching 에칭 공정
⑤ CVD / Diffusion 증착 공정
⑥ 금속 배선 공정 ⑦테스트 공정
⑧ 패키징 공정으로 분류됨

웨이퍼 제조 공정	실리콘을 단결점으로 성장시킨 후 생성된 잉곳(ingot)을 얇게 가공하여 웨이퍼를 제조하는 공정으로 고순도 수소(H2)와 고순도 모노실란(SiH4), 삼염화실란(SiHCI2)이 이용되고 있음. 특히 모노실란과 삼염화실란은 실리콘이 포함된 가스로 실리콘의 증착에 이용되며, 고순도 실리콘 제조에 필수적임

Oxidation
산화막 공정	웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막을 형성하여 회로와 회로 사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하는 작업. 웨이퍼에 막을 입히는 산화공정의 방법에는 열을 통한 열산화(Thermal Oxidation), 플라즈마 보강 화학적 기상 증착(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 등 방법이 있음.

포토 및 리소그래피 공정	반도체 소자의 성능이 발전함에 따라서 소자의 크기가 중요하기 때문에 회로 패턴 선폭 또한 중요한 요인임.
-ASML : 대표적인 포토 공정 장비를 제조하는 회사 (EUV 장비)

에칭 및 클리닝 공정	주로 SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CCIF3 등 불소계 가스가 적용되고 있으며, 웨이퍼를 세정하는 클리닝 공정에는 에칭 공정과 유사한 NF3, CF4, C2F6 등 불소계 가스가 사용되고 있음.

증착 및 이온주입 공정	P형과 N형 반도체를 제조하는 도핑 공정에는 AsH3, H2S, GeH3, SbH3, AsCI3, AsF3, PcI3, B2H6, BF3 등의 특수가스가 적용되며, 웨이퍼의 어닐링(열처리) 공정에는 질소와 수소가스를 적용하고 있음.
이후 반도체 칩의 표면에 보호막, 절연막, 반사방지막 등을 입히는 패시베이션 공정에서는 O2, SiH4, PH3 등이 이용됨

패키징 및 검사공정	패키징 공정에서는 주로 포장하기 직전 오염물질로부터 반도체를 보호하기 위한 블랜켓팅(Blanketing) 공정이 적용되며, 보호용 가스로 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 등을 주입함

ppm	Parts Per Million (백만분의 1)

ppb	Parts Per Billion (십억분의 1)

일반가스	자연계에 존재하는 가스를 산업용에 그대로 적용한 가스

혼합가스	순수한 가스 2종을 혼합하여 산업분야에 이용하는 가스

특수가스	화학공정 및 분리/정제 공정을 거친 특수목적용 가스

희귀 가스
(Rare Gas)	공기중에 극히 일부분의 극미량만이 존재하는 가스로써, 네온(Ne), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 라돈(Rn)과 같은 가스

할로겐 가스
(Halogen Gas)	원소주기율 표상에 7족에 위치하는 분자들 또는 그와 결합된 혼합물로써, 불소(F2), 염소(Cl2), 브로민(Br2), 이오딘(I2) 등의 분자 또는 그와 결합된 가스 HF, HCI, BF3, BCI3등과 같은 가스

습식 식각
(Wet etching)	용액을 이용하여 화학적인 반응을 통해 식각하는 방법

건식 식각
(Dry etching)	비활성 기체, 이온 등을 이용해 식각하는 방법
습식 식각에 비해 비용이 비싸고 까다로운 단점이 있으나, 최근 나노스케일로 집접화되는 반도체 기술변화에 따라 회로선폭 역시 미세해지고 이에 따른 수율을 높이기 위한 방법으로 건식 식각이 확대되고 있음

메모리 반도체
(Memory Semiconductor)	정보를 저장하는 목적으로 사용하는 반도체
-D램: 휘발성 메모리로 데이터를 임시저장하여 작업을 빠르게 처리하는 역할 수행
→ 주요기업: 삼성전자㈜, SK하이닉스㈜, 마이크론
-낸드 플래시: 비휘발성 메모리로 데이터 장기간 저장 수행
→ 주요기업: 삼성전자㈜, SK하이닉스㈜, Kioxia, 웨스턴디지털, 마이크론, 인텔

비메모리 반도체
(Non-memory Semiconductor)	연산, 추론 등 정보처리 목적으로 사용하는 반도체
반도체 칩이 미세화 첨단 기술을 기반으로 칩만을 전문적으로 생산하는 ‘파운드리’의 중요성이 커지는 중임
-시스템반도체: 컴퓨터, 통신기기, 가전기기 등 ‘시스템’의 핵심 기능을 수행
-광개별소자: 트랜지스터, 이미지센서 등과 같이 개별 부품으로 한정된 기능을 수행

종합 반도체 기업
(IDM, Integrated Device Manufacturer)	반도체의 개발, 설계, 생산까지의 모든 과정을 직접 진행하는 기업
→ 주요기업: 삼성전자㈜, SK하이닉스㈜, 인텔, 마이크론

팹리스
(Fabless)	반도체 생산시설이 없이 칩 디자인만 하는 기업
→ 주요기업: arm, AMD, 애플

파운드리
(Foundry)	팹리스 회사가 디자인한 반도체를 전문적으로 제조만 하는 기업
→ 주요기업: 삼성전자㈜, ㈜DB하이텍, TSMC

정제 공정
(Purification)	일반 석유화학공정에서 원유를 정제할 때 사용하는 방법과 유사한 끓는점의 차이를 이용한 분별 증류 또는 공기중의 질소, 산소를 분리하여 정제하는 압력변동흡착 (PSA, Pressure Swing Adsorption) 방식 등이 포함됨.

흡착 공정
(Adsorption)	일반적으로 목적물 (Target gas or Process gas) 또는 불순물 (Impurities) 을 선택적 흡착 (Selective Adsorption) 방법을 통해 분리 / 정제 하는 방법

PSA	Pressure Swing Adsorption, 압력 변동 흡착
압력의 차이 또는 변화에 따른 흡착량의 차이를 이용하여 두성분 이상의 물질을 분리 / 정제 하는 방법.
일반적으로 공기중에서 질소와 산소를 분리 정제하는 방법으로 많이 응용됨.

IMP	IMPlantation의 약어 이온 주입 공정

SCV	Safety Cylinder Valve 안전 실린더 밸브의 약어

D2	Deuterium, 중수소, 수소 (H2) 분자에 양성자 (Proton)이 2개가 더 있는 분자. 수소의 동위 원소

ASU	Air Separation Unit, 공기 분리 장치
공기중의 성분인 질소, 산소, 이산화탄소, 아르곤 등등의 가스에서 질소를 정제 또는 산소를 정제하는 장치. 일반적으로 제철 공정중의 철광석을 녹이고 철을 환원하는 과정에 상당량이 사용되고, 반도체 공정이나 식재료 공정에 산화 방지용으로 많이 사용됨.

Fractional
Distillation	분별 증류, 각 다른 성분의 끓는점 (Boiling Point)의 차이를 이용하여 두성분 이상을 분리, 정제 하는 방법으로 일반적으로 석유화학공정의 원유에서 등유, 경유 등을 분리하는 방법에 사용됨.

Cryogenic	심냉 (초저온), 약 낮은 온도에서 가스를 정제할 때 사용하는 방법으로 그 냉매는 보통 액체 질소 (LN2, Liquid Nitrogen)를 사용함.

저비점 / 고비점	저비점 Low Boiling Point 낮은 끓는점 성분을 의미
고비점 High Boiling Point 높은 끓는점 성분을 의미

고차 보란	Higher Boranes, 보란(Borane, BH3) 종 중에서 B4H10, B5H9, B5H11, B6H10 등과 같이 붕소(B)가 4개이상의 많은 형태의 분자

GC	Gas Chromatography, 가스크로마토 그래피
기체 상태의 이동상을 사용하여 컬럼(내부 표면이 충진 또는 코팅되어 있음)을 통과하여 샘플을 운반함
GC 컬럼을 가열하면 화합물은 기화점(비점)에 따라 분리되기 시작하고, 컬럼을 극성 고정상으로 교체하면 화합물의 분리 성능이 변화함. 화합물은 비점과 극성에 따라 분리됨.