마이크로투나노 분기보고서 (2026.03)
7. 기타 참고사항

가. 상표 관리정책 및 고객관리 정책 등이 사업에 미치는 중요한 영향당사는 MEMS 프로브 카드 전문 제조 기업으로 "마이크로투나노"와 "MICRO2NANO" 상표를 상표권으로 등록하고 있습니다. 당사의 MEMS 프로브 카드는 특정된 고객사를 위한 제품으로 별도의 브랜드 이미지 광고는 필요하지 않습니다. 경쟁사 보다 우수한 기술력과 품질을 바탕으로 고객사에 제품을 공급하고 있으며, 고객사의 사소한 니즈까지 파악하고 이를 제품에 접목시켜 고객사의 품질향상을 위해 적극 노력하고 있습니다.당사 브랜드 가치 향상을 위해 기술, 품질, 가격 경쟁력 확보를 최우선 과제로 하고 있으며 정부 주관 국책사업 및 국내외 세미나에 적극적으로 참여하고 있습니다. 향후당사는 고객만족 경영활동을 확고히 하고 글로벌 경쟁력을 더욱 향상시켜 치열해지는 해외(중국)시장에서 우위를 확보하기 위해 전력을 다 할 계획 입니다. 나. 지식재산권 현황

보고서 제출일 현재 당사는 국내외 총 40건(등록 36건, 해외 4건)의 지식재산권을 보유하고 있습니다.

※상세 현황은 '상세표-4. 지식재산권 현황(상세)' 참조

다. 사업영위에 중요한 영향을 미치는 법규 및 규제사항

당사의 사업과 관련하여 영향을 미치는 인허가사항과 관련 법령은 아래와 같습니다.

인허가	관련법령

전기(수전용량 1000kw이상)	전기안전관리법

대기배출시설 설치허가(5종)	대기환경보전법

폐수배출시설 설치신고(5종)	물환경보전법

지정폐기물 처리 허가	폐기물 관리법

저수조 취급 관리	수도법

소방시설 및 관리 허가	소방시설법

가스(N2, 가스캐비넷) 인허가	고압가스안전관리법

유해화학물질 설치검사 허가	화학물질관리법

사업장 작업환경측정	산업안전보건법

사업장 안전관리/보건관리	산업안전보건법

사업장 위험물 취급 허가	위험물관리법

기업부설연구소 운영 허가	연구실 안전환경 조성법

산업단지 공장설립 허가	산업집적활성화 및 공장설립법

사업장 방역 관리	감염병 예방 및 관리법

라. 사업영위와 관련하여 환경물질의 매출 또는 환경보호와 관련 규제 준수 여부 및 환경개선설비에 대한 자본지출 계획보고서 제출일 현재 확정된 투자계획은 없으나, 강화되는 환경 기준 충족 및 환경경영시스템의 강화를 위해 지속적인 개선을 추진할 예정입니다.

마. 시장여건 및 영업의 개황(1) 시장의 특성

(가) 프로브카드 시장의 특성

프로브카드는 반도체 제조과정에서 양품과 불량품을 구분하기 위해 사용되는 wafer 테스트 시스템의 부품입니다. 이 장비는 반도체 장비에 속하지만, 반도체 제품의 종류가 변경될 때마다 새로운 제품으로 교체해야 하므로 소모품적인 성격을 갖고 있습니다.

프로브카드 제조사는 고객사의 신규 제품 정보를 기반으로 제품을 제작하며, 매번 고객사의 평가를 거친 후 발주가 진행됩니다. 따라서 프로브카드는 철저한 주문형 제품이라 할 수 있습니다. 또한 사용 기간은 보통 1-3년 정도로 짧으며, 이로 인해 지속적인 수요가 존재합니다.반도체 테스트 사업은 단순히 양품 및 불량품 선별에 국한되는 것이 아니라 테스트 과정을 통해 확보된 데이터를 기반으로 수율 분석이나 불량 원인 분석에 대해 Feedback을 실시하고, 이를 기반으로 수율 개선이나 양산 리스크를 최소화하여 제품의 안정성을 도모할 수 있게 됩니다.

반도체 소자는 점점 더 복잡해지고 작아지면서 기능 또한 다양해지고 있습니다. 이에따라 반도체 생산 공정에서의 불량 여부를 판정하기 위한 검사시스템도 제조 기술에 비례하여 빠른 발전이 요구되고 있습니다. 이러한 검사시스템의 핵심 소모품인 프로브카드의 개발의 중요도는 상당히 높습니다.

프로브카드는 반도체 종류와 무관하게 웨이퍼 테스트 공정에서 필수적으로 소요되는부품입니다. 2007년 이전에는 프로브카드에 사용되는 프로브 핀의 수가 적어, 수작업으로 제작되는 Cantilever 타입이 일반적이었습니다. 그러나 웨이퍼 크기가 확대되고 칩이 더 작아지면서 수작업 형태의 제품은 생산성의 한계에 직면했습니다.

고객사의 생산성 향상을 위해 웨이퍼 칩의 패드가 여러 열로 구성된 웨이퍼가 등장하면서, MEMS 기술을 이용한 Si로 가이드해주는 Vertical 타입의 프로브카드가 개발되었습니다. 최근에는 반도체 기술력이 더욱 발전하면서 패드 간격이 더욱 좁은 Wafer가 등장하면서, MEMS 타입의 프로브카드가 개발되어 Si 대신 MLC상에 직접 본딩하여 가이드의 공간을 줄이는 형태로 제작되고 있습니다. MEMS 타입의 프로브카드는 신제품에 대한 경쟁력을 강화하였고 동시에 프로브카드 시장의 성장에 큰 영향을 미쳤습니다.

프로브카드 시장은 전체 반도체 시장 성장률에 비해 높은 성장률을 보이고 있습니다.이는 반도체 제조사들이 원가 절감과 초격차 유지를 위해 새로운 제품을 출시하면서 새로운 수요가 발생하기 때문입니다. 또한 반도체 시장 활황기에는 Device change를통한 신제품 출시와 생산량 증가로 인해 프로브카드 시장도 크게 성장하는 경향이 있습니다.

프로브카드 사업은 기존 고객사와의 관계, 기술력, 투자력, 높은 품질 등으로 인해 매우 높은 진입장벽을 갖고 있기 때문에 신생 업체들이 진입하기 어렵습니다. 현재는 기존 업체들이 다양한 반도체 제품의 고객 수요를 충족하면서 과점 형태의 시장 점유율을 형성하고 있으며, 기존 업체들 간의 치열한 경쟁이 이루어지고 있습니다.

또한 고객사의 반도체 기술도 빠르게 진보하고 있기 때문에 프로브카드 제조업체들도 고객사의 요구에 부합하는 기술력과 기술 개발 능력을 갖추어야 합니다. 이에 따라 프로브카드 제조업체들은 지속적인 기술력 향상과 투자가 필요하지만, 높은 진입장벽이 존재하여 안정적으로 사업을 영위할 수 있다는 장점도 있습니다.

현재 프로브카드 시장은 성장기와 안정기를 반복하며 지속적으로 성장하고 있습니 다. 또한 New Tech 기술이 접목될수록 판매 가격도 상승하고 있어 기술 경쟁력을 갖출수록 많은 잠재 시장에서 기존 시장 점유율이 높은 업체들과 경쟁이 가능한 상황입니다.

또한, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 해외 공급사들에 대한 공급 안정성 확보의 지속적 문제로 국내 Player들의 시장 확대를 유도하고 있어, 공격적 기술 개발 투자로 선행 기술을 확보하고 있는 당사나 타 경쟁 업체들에게는 좋은 기회가 되고 있습니다. 이러한 경향으로 인해 국내 제조업체들은 선도적인 기술 개발을 통해 경쟁력을 확보하고, 시장 확대에 앞장서는 등 적극적으로 시장에 진출하고 있습니다.

[Supply Chain에서 주요 고객사 및 기술제품에 대한 요구사항]

구분	내용

주요 고객사
(MEMS 프로브 카드)	1. 국내 : 삼성전자(주), SK하이닉스(주)
2. 국외 : 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등

제품의주요 요구 사항
(국내)	1. 기술적 측면의 요구사항
1) 프로브카드의 대면적화(High parallelism), 고집적화(High pin count, fine pitch)에 따른 기계적 특성 향상 요구
- Thermal stability, Contact 안정성, Alignment
- Robust probe for high current and high overdrive
2) 반도체 테스트 환경 변화에 따른 전기적 특성 향상 요구
- Signal Integrity, Power Integrity, Test resource 공유에 따른 다수의 신호 제어용 ASIC 채용
- IR drop, FPGA를 통한 제어, ASIC 실장
- 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 기술적 요구
- 정밀 Alignment, 프로브 선단 cleaning solution 품질 및 신뢰성 향상
- High MWBF (Mean Wafer between Failure)
2. 고객 대응 측면
1) 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소
2) 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT)
3) 고객사 관련 부서와의 실시간 communication
3. Business 측면
고객사의 수입 대체 효과를 위해 DRAM 및 High tech 제품 시장 진입 요구
동반성장을 위한 기업 경쟁력 강화

MEMS 프로브카드의 주요 고객사로는 국내의 경우 삼성전자와 SK 하이닉스가 있으며, 국외 기업은 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등을 들 수 있습니다. 중국의 경우, 신생 반도체 업체들의 메모리, 비메모리 관련 제품 개발과생산 투자가 활발하게 이루어지고 있어 향후 급격한 시장 성장이 예상되는 국가입니다.

반도체의 고 집적화와 맞물려 MEMS 프로브카드의 주요 기술 요구 사항은 1 Touch Down으로 웨이퍼 내에 있는 모든 칩을 검사할 수 있는 대면적, 다 Para 대응 기술(High parallelism), 웨이퍼 패드 간격이 줄어드는 Trend에 대응하기 위한 미세 pitch 대응 기술, 테스트 기술의 고도화에 따른 전체적인 프로브 핀 수 증가에 따른 대응 기술등입니다.

대면적, 다 Para 대응 기술 관련하여 필수적으로 테스터의 Resource를 확장하여 신호를 주고 받을 수 있는 병렬 테스트 기술이 필요하게 되는데, 이를 위해서는 프로브카드에 ASIC 형태의 다수의 스위치 배치와 이를 제어하기 위한 구동 제어 기술과 회로 설계 기술 확보가 필수적입니다.

미세 pitch 대응 기술에서는 공간상의 제약을 극복하기 위해 프로브 설계 및 제작 기술이 중요합니다. 이를 위해 핵심적인 기술 중 하나는 프로브 소재 기술로, 프로브 길이를 짧게 유지하면서도 변형과 같은 신뢰성 문제를 방지할 수 있는 소재가 필요합니다. 프로브 소재 기술은 프로브카드 제조사들 간에 차별화되는 핵심 기술입니다. 최근에는 고 항복강도를 가지는 신 물질 합금 도금 소재가 개발되고 있습니다.또한 미세 pitch 관련하여 물리적으로는 align 정밀도가 중요한 기술 항목입니다. 프로브 pitch와 웨이퍼 패드의 크기 감소로 프로브의 Align 스펙은 지속적으로 강화되고 있습니다. 이 Align의 최종 상태는 프로브카드의 제조 시 본딩 위치 정밀도 뿐만 아니라, 실제 테스트 온도에서의 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 받게 됩니다. 따라서 고도로 정밀한 Align 기술을 확보하기 위해서는 정밀한 프로브 본딩 기술, 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 주는 소재의 CTE(Co-efficient of Thermal Expansion) 제어 기술 등이 필요하게 됩니다. 이러한 기술들을 통해, 미세한 pitch에서도 고품질의 align 성능을 달성할 수 있습니다.

최근에는 테스트 속도 증가에 따라 신호 전달 무결점 기술(Signal Integrity), Power 무결성 기술(Power Integrity) 등이 중요 기술로 부각되고 있습니다. 특히 DRAM 같이 테스트 스피드가 상대적으로 높고, 병렬 테스트를 위한 신호 확장이 많은 분야에서 요구되고 있는 기술입니다. 현재 비메모리 분야에서는 병렬 테스트를 진행하고 있지 않지만, 테스트 스피드가 1GHz 이상으로 메모리 테스트에 비해 훨씬 빠른 신호를 이용해 테스트를 진행하므로 이러한 신호 무결점 기술은 핵심 기술로 요구되고 있습니다.

이 밖에도 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 정밀 Auto Alignment, In-line 프로브 선단 cleaning solution 등의 기술이 필요하며, 프로브카드의 신뢰성 평가 지표인 MWBF(Mean Wafer between Failure)에서 높은 값을 가지는 프로브카드의 신뢰성 기술 등을 요구하고 있습니다.

기술 측면 뿐 아니라 프로브카드 제조사는 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소를 지속적으로 요청받고 있으며, 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT.) 고객사 관련 부서와의 실시간 communication을 할 수 있는 기술 대응 체계가 필수적인 분야입니다.

이러한 시장 상황과 수요자의 요구 사항에서 프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인을 분석한 결과는 다음과 같습니다.

[프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인 분석]

구 분	내 용

성장 요인	반도체 Tech전환 사이클에 의한 프로브카드 수요 증가 이외에도 전방위 산업의 필수 부품으로 자리 잡으며 전체 생산량이 증가하고 있음
반도체가 고집적화 될수록 테스트 시 발열 등의 기술적 문제 이외에도 테스트 시간이 증가하여 테스트 시스템 (프로브카드)의 지속적 투자가 증가하고 있음.

저해 요인	시장 성장에 따른 기존 Player들의 시장 확대를 위한 경쟁이 치열하여 프로브카드 판매 가격의 하락 요인으로 작용
Global 고객사들의 SCM 정책의 단순화로 메모리, 비메모리를 모두 공급하는 Player들로 전체 supply chain이 변경될 수 있음.
제품 특성 상, 고객사 Tech 전환 속도 보다 앞서 기술개발이 이루어 져야 하나 보안상의 문제로 후행 하는 성격이 있어 매번 개발 시 프로브카드 제조사의 개발 Risk가 존재

기회 요인	외교적 무역 마찰로 인해 국내 반도체 제조사들이 프로브카드의 국산화를 추진하고 있어 기존 해외사들이 독점하고 있는 High-end 제품 (DRAM, AP, HBM) 테스트에 필요한 고부가가치 프로브카드에 대한 시장 진입 장벽이 낮아짐
해외 반도체 업체들의 국내 프로브카드 업체들에 대한 관심도가 증가 (높은 성능 대비 낮은 판매 가격)

(나) Supply Chain에서 주요 공급자 및 공급자의 주요 경쟁능력

국내 반도체 시장의 MEMS 프로브카드의 주요 공급자는 크게 국내 업체와 해외 업체로 분류할 수 있습니다. 국내의 경우는 삼성전자에 MEMS 프로브카드를 공급하는코리아인스트루먼트, 피엠티와 SK하이닉스에 동 제품을 공급하는 당사 이 외에 티에스이, AMST, 솔브레인에스엘디가 있습니다. 주요 해외 업체로는 FormFactor(미국), MJC(일본)가 있습니다.

이 시장에서 경쟁 우위 요소는 기술력, 품질, 납기, 고객 대응 능력, 단가 등이며, 제품의 기술력과 품질 안정성, 즉 신뢰성이 가장 중요한 요소입니다. DRAM 제품의 경우 상대적으로 제품 난이도가 높아 해외 선진 업체들이 대부분의 시장 점유율을 가지고 있으며, NAND 제품의 경우 상대적으로 난이도가 낮아 국내 업체들이 100% 시장을 점유하고 있습니다.

(2) 시장 규모 및 전망

(가) 반도체 산업 시장 규모 및 전망

글로벌 시장조사기관들(가트너, 딜로이트 등)에 따르면, 2026년 글로벌 반도체 시장은 약 1조 달러 내외 규모로 확대될 것으로 전망됩니다. 성장의 핵심 동력은 AI 및 데이터센터 투자 확대이며, 특히 GPU와 HBM(고대역폭 메모리) 수요가 급증하고 있습니다. 이에 따라 메모리 시장은 가격 상승을 중심으로 한 슈퍼사이클에 진입할 것으로 예상됩니다.

(나) 프로브카드 시장 규모 및 전망

프로브카드는 주요 반도체 재료인 웨이퍼의 검사 기능을 수행하므로, 반도체 산업 및전자기기 및 시스템 산업의 동향에 영향을 받습니다. 특히, 웨이퍼 생산에 사용되며 메모리 반도체 산업의 경기 변동에 직접적인 영향을 받습니다. 반도체의 최종 수요처인 전자제품의 성능 및 기능의 다양화 및 태블릿PC, 스마트폰 등 신규 어플리케이션 시장의 확대 등으로 장기적으로 전방산업이 꾸준히 성장할 것으로 예측됨에 따라 프로브카드의 수요도 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다.

프로브카드 시장은 제조 방식별로 시장이 형성되어 있으며 수요처인 반도체 제조사의 생산 품목에 따라 구분되기도 합니다. 주요 시장 조사기관에 따르면 프로브카드 시장은 2028년까지 연평균 7.2% 성장이 예상되고 있습니다.

[프로브카드 TYPE별 특성 및 차이]

구 분	특성 및 차이	비 고

MEMS	- Wafer Chip Pad가 1열인 메모리제품에 多Para급 제품 제작이 가능함
- MEMS 공정으로 여러 Design이 가능하여 요구 Spec에 빠르게 Pin 제작 가능함
- 자동화 방식으로 대면적 제품도 정밀하게 제작 가능하며 Repair도 용이함	-

Vertical	- Wafer Chip단위의 Pad가 1열이 아닌 多열로 구성된 제품에 사용함
- 스프링 기능의 Probe Pin을 사용하여 Pin을 고정해주는 Guide 구조물에 Probe Pin을 삽입하여 제작하는 방식임
- Pad에 Scrub발생이 아닌 수직 Contact Concept Type을 적용함	비메모리

Other(Cantilever)	- 바늘모양의 Probe Pin Type으로 접착제로 고정하여 제작함
- 多 Para급 제작이 어렵고 수작업으로 인해 정밀도나 기술적 한계가 있음	-

Wafer의 Chip수가 점차 증가하고 있으며, 이에 따라 비용을 최소화하기 위해 Wafer를 한번에 TEST 하기 위한 대면적 프로브카드를 필요로 하고 있어, 메모리 제품에서는 MEMS 프로브카드를 선호하고 있습니다. 한편, SSD Controller용과 같은 특정 비메모리 제품에서는 Wafer Pad가 多열로 구성되어 있어 이를 구현하기 위해 多열로 Tip을 수직으로 배치 가능한 Vertical Type 제품으로 대응이 필요합니다.

(다) 기술제품의 시장규제

최근 반도체 시장 규제의 화두는 크게 전 세계 공급망의 변화에 따른 무역 환경의 변화와 기업의 ESG(Environmental, Social and corporate Governance) 경영 요구 증가에 따른 변화입니다. 무역 환경 변화는 미중 무역마찰, 일본 수출 규제, 우크라이나사태 등과 같이 강대국들이 패권 장악을 위해 무역을 통제하면서 전 세계 공급망의 차질이 발생하였습니다. 반도체와 같이 국제적 역할 분담이 오랜 기간 유지되어 온 산업 분야에 타격이 불가피합니다.

프로브카드는 아직 포토리소그래피용 EUV (Extreme Ultraviolet) 공정 장비, 식각용 Etcher 등과 같은 반도체 전공정 장비처럼 무역 규제 품목에 포함되지 않지만, 상대적으로 기술적 난이도가 전공정 장비보다 낮아 자국 기업들로부터 공급받으려는 성향이 뚜렷하게 나타납니다.

국내 시장도 일본 무역 규제 이후 정부 및 삼성전자, SK하이닉스 등과 같은 반도체 업체에서 관련 소재, 부품 및 장비 산업 육성에 지속적 투자가 증가하고 있고, 국내 관련 업체들의 기술 개발을 통해 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 시장 환경을 조성하고 있습니다.

이러한 시장 환경은 B2B 사업 특성상 고객과의 관계가 필수적인 국내 프로브카드 업체들에게는 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 좋은 기회 요인입니다. 당사는 1차적으로 NAND용 프로브카드에서 시장의 위치를 공고히 하고 해외 선진 회사들이 독식하고 있는 DRAM용 프로브카드 시장에 진출하고자 활발한 기술 개발을 실시하였으며, 2021년부터 가시적인 성과가 나타나고 있습니다. 중국 수출의 경우 초기에 중국 정부나 반도체 업체들이 필요한 소재, 부품 및 장비에 대해 해외에 의존하겠지만 기술적 난이도가 낮은 순서로 중국 자국 업체들이 supply chain을 형성할 것으로 예측합니다. 이에 시장 진입 초기부터 직접 자사 브랜드로 시장 공략을 하지 않고 중국 local 업체와 합작하여 시장을 공략하는 전략을 사용하고 있습니다.

ESG 경영은 대기업뿐만 아니라 당사와 같은 중소, 중견 기업들도 향후 반드시 실행해야 하는 사회적 요구로 당사는 2021년부터 ESG경영 선두 기업으로 발전해 가고 있는 SK하이닉스의 BP(Business Partner)사 프로그램인 'Growing Up Together' 프로그램에 선정되어 경영 환경을 개선하고 있습니다.

당사는 2021년부터 SK하이닉스의 SHE(Safety, Health, Environmental) 컨설팅을 받아 평가 및 개선 활동을 추진해왔습니다. 이 결과, '역량 향상' 부문에서 우수한 성과를 이루어 대상 및 개선 우수사례로 선정되었습니다. 또한, ISO 14001 인증을 획득하여 환경경영시스템을 구축하는 등 환경 보호에 적극적으로 노력해왔습니다.

당사는 이를 시작으로 더욱 적극적인 경영 개선 활동을 추진할 계획입니다. 이를 통해 기업의 사회적 책임을 강화하고, Global 프로브카드 공급사로서 더욱 발전하고 성장할 것입니다.

바. 경쟁 현황(1) 경쟁 형태

프로브카드 제품의 특성상 기술적인 진입장벽으로 인하여 신규 업체의 시장 진입이 매우 까다롭고 어려운 시장입니다. 기존 시장을 선도하고 있는 주 거래업체들이 과점을 하고 있는 형태로 경쟁구도가 형성되어 있습니다. 기 업체들의 신규 제품 품질과 New Tech 수준에 따라 매출 차이가 많이 발생하고 있으며, 기술 선도 업체의 기술력에 뒤처지지 않도록 치열한 기술 개발이 요구되고 있습니다. 앞으로도 시장의 주요 프로브카드 제조사가 전방 고객사에 제품을 공급하게 될 것으로 예상되며, 향후 당사는 꾸준한 기술력 향상과 제품 개발로 안정적인 매출을 지속적으로 유지할 계획입니다.

(2) 진입장벽

프로브카드 시장은 진입장벽이 매우 높은 산업 구조를 갖고 있습니다. 이는 고객사와의 장기적인 거래 관계를 기반으로, 반도체 기술의 급속한 발전 속도에 맞춰 고도의 기술력 확보와 지속적인 설비 및 연구개발(R) 투자가 병행되어야 하기 때문입니다.

예를 들어, SK하이닉스는 프로브카드에 대해 중장기적인 관점에서 안정적인 공급망을 구축하고자 하는 전략 아래, 당사를 포함한 소수의 공급업체와 협력 체제를 유지하고 있습니다. 이는 동반 성장을 위한 기본 방침으로 작용하고 있으며, 기존 협력사가 중대한 품질 이슈나 공급 차질 등의 사유로 탈락하지 않는 한, 신규 업체의 진입은 사실상 제한된 상황입니다.

향후 생산량 증가나 기술적 전환으로 인해 공급 능력의 확충이 필요할 경우, 예외적으로 신규 업체의 진입이 검토될 수는 있습니다. 그러나 이 경우에도 막대한 초기 투자비용, 높은 기술 검증(qualification)의 난이도, 고객 대응 역량 확보의 어려움 등 복합적인 진입장벽이 존재합니다. 이에 따라 신규 진입 기업은 기술적, 자본적, 시간적 측면에서 상당한 리스크를 감수해야 하며, 이러한 특성은 프로브카드 시장 전반의 진입장벽을 더욱 공고히 하고 있습니다.

(3) 경쟁업체 현황(가) 기술(제품)별 주요 경쟁업체

기술(제품)	국내 시장	해외 시장

NAND용프로브 카드	티에스이(TSE),에이엠에스티(AMST)	폼팩터(FFI),일본전자재료(JEM),티에스이(TSE)

DRAM용프로브 카드	폼팩터(FFI),마이크로닉재팬 국내 자회사(MEK),솔브레인에스엘디(SLD)	폼팩터(FFI),마이크로닉재팬(MJC)

비메모리용프로브 카드(CIS)	윌테크놀로지(Willtech)	폼팩터(FFI),일본전자재료(JEM)

(나) 주요 경쟁업체 현황

경쟁 업체	설립연도	매 출 처	기 술 현 황

티에스이	1995년
8월 31일	SK하이닉스
삼성전자
Micron
YMTC	- MEMS 공정
- 프로브 카드 제조 기술
- Test socket 제조 기술

에이엠에스티	1998년
11월 5일	SK하이닉스	- MEMS 공정
- 프로브 카드 제조 기술

폼팩터	1993년
4월 15일	SK하이닉스
삼성전자
Micron
Intel외 기타	- MEMS 공정
- 프로브카드 제조 기술

MEK	2008년
10월 17일	삼성전자
SK하이닉스	- MEMS 공정
- 프로브 카드 제조 기술

(다) 기술(제품)별 경쟁업체 시장점유율 당사의 주 고객사인 SK하이닉스의 NAND용 프로브카드는 당사를 포함한 3개사 (TSE, AMST)가 공급하고 있으며, 각 사의 시장 점유율은 품질 평가를 통해 매 분기 변동하는데 당사는 높은 시장 점유율을 기록하고 있습니다.

DRAM용 프로브카드의 경우는 기술적 난이도가 높은 EDS용 제품의 경우 해외 선진사인 Formfactor와 MEK(일본 마이크로닉스 재팬, MJC의 한국 자회사)가 대부분 공급하고 있습니다.다만 당사의 주요 고객사별 내부 점유율은 고객사의 영업과 관련된 기밀 등의 비공개 정보라고 판단되어 내용상 기재를 생략합니다.

(4) 비교우위 사항

프로브카드의 성능은 일차적으로 고객의 기술적 요구 수준을 충족하고 실제 고객사 생산 라인에서 얼마나 안정적으로 사용이 되는지가 중요한 지표입니다. 따라서 제품 자체의 각 기술 항목별 성능 보다는 전체적인 품질 성능이 전체 제품 성능을 대표합니다.

SK하이닉스의 경우 경쟁사간 공정한 경쟁 유도를 위하여 프로브카드의 성능과 신뢰성을 대표하는 지수를 설정하고 정량화하여 매달 Scoring을 통해 향후 구매 발주 시 반영하는 시스템을 채용하고 있습니다.

대표적인 성능지수는 프로브카드의 가동률, MWBF(Mean Wafer Between Failure), 프로브카드에 의한 Yield Loss, Signal Integrity/Power Integrity, Align 정밀도, Contact Balance 등이 있습니다.

당사는 수년간 SK하이닉스 NAND용 프로브카드 제품에서 경쟁 3사 중 우수한 품질 평가 점수를 부여받았으며, 이를 시장 점유율을 통해 검증 받고 있습니다. 이는 당사의 제품과 서비스가 고객의 요구를 충족시키고 있음을 증명하는 것입니다.

사. 공시대상 기간중 새로이 추진하였거나, 이사회 결의 등을 통하여 새로이 추진하기로 한 중요한 신규사업에 관한 사항당사는 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다. 아. 기업인수목적회사의 합병추진 당사는 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다.

자. 기타 참고사항주요 기술 용어

용어	정의	비고

프로브카드
(Probe Card)	반도체 웨이퍼 테스트를 위한 장치로써 테스터와 Prober사이의 전기적, 물리적 연결 Interface 역할을 함	-

프로브(Probe)	Wafer Pad를 Contact하여 전기적 신호를 주고받는 캔틸레버 형태의 금속 MEMS 구조물	-

Tip	프로브카드에서 일반적으로 프로브를 지칭하는 용어로 혼용하기도 하고, 특별한 경우 웨이퍼와 contact하는 프로브 선단 부분을 칭하기도 함.	-

버티컬 프로브
(Vertical 프로브)	프로브카드의 구성에 이용되는 수직형 프로브로 외팔보형태의 캔틸레버 프로브와는 다르게 일정한 곡면을 가지고 있지만 수직 형태로 세워서 사용하는 프로브이며 주로 비메모리 테스트용 프로브카드에서 사용함.	-

CMOS이미지 센서	휴대전화 카메라 및 디지털 카메라 등에 사용되는 영상 소자 부품인 이미지 센서의 일종으로, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS)를 이용한 센서임. 이미지센서는 광학영상의 강약과 색채를 감지하여 디지털 영상 데이터로 변환해주는 장치로, 영상 이미지의 저장 및 전송, 재생을 위한 전자부품임. 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라등의 핵심 부품	-

웨이퍼 레벨 검사	반도체 웨이퍼의 검사 공정 중 칩을 개별로 분리하기 전웨이퍼 상태에서 진행하는 검사	-

WFBI(Wafer Burn In)
테스트	반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 고온, 고전류의 가혹 조건에서 반도체 칩의 양/불량을 선별하는 테스트	-

EDS
(Electric Die Sorting)
테스트	반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 테스터에서 전기적 신호로 반도체 칩을 구동 시켜 반도체의 양/불량을 선별하는 테스트	-

테스트 스피드	번인, EDS 테스트 시 사용하는 교류 주파수의 속도	단위:Hz

2D 프로브	프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 웨이퍼의 평면 방향으로 프로브 형상 몰드를 만들고 도금을 한 후 웨이퍼에서 프로브를 분리하는 방법으로 제조하는 프로브	-

3D 프로브	프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 프로브가 세워진 방향으로 적층 도금을 하면서 프로브 구조물을 제조하는 프로브	-

Para
(Parallelism)	반도체 칩 테스트 시 동시에 테스트 할 수 있는 칩(또는 Die)의 개수를 의미하며, One Touch Down 프로브카드는 하나의 웨이퍼에 Layout된 전체 칩을 한 번 contact로 테스트 할 수 있는 프로브카드	-

TRE
(Tester ResourceEnhancement)	테스터에서 신호를 줄 수 있는 채널 수가 정해져 있으므로 테스터 채널보다 많은 수의 칩(또는 Die)을 동시에 테스트하기 위해 하나의 신호를 병렬로 확장하여 테스트하는데, 이때 확장된 병렬 신호의 개수를 의미	shared 개수로표현하기도 함

최대허용전류(CCC: CurrentCarrying Capacity)	프로브의 형상이나 물리적 변화 없이 흐를 수 있는 한계 전류 값	단위:A

MEMS
(Micro ElectroMechanical Systems)	반도체 유사 공정을 이용하여 미세 3차원 구조물과 각종센서를 만드는 기술. 프로브카드 부품 중 프로브는 MEMS 기술을 이용하여 제작하는 부품임	-

MLC
(Multi Layer Ceramic)	세라믹 재질로 되어 있는 다층 회로 기판, 프로브가 본딩되어 MPH(MEMS Probe Head)를 구성함	-

MPH
(MEMS Probe Head)	MLC에 MEMS 프로브가 본딩 되어있는 기판을 말함	-

Power Impedance	회로에서 Power 전압이 가해졌을 때 전류의 흐름을 방해하는 값	단위:Ohm

Filed failure mode	프로브카드가 양산 시 fail로 인해 다운되는 시점 사이의 생산 기여도 평가	-

Simulation	프로브카드의 물리적, 회로적 특성을 해석 프로그램을 통해 예측하는 수학 기법	-

Pitch	프로브가 contact하는 반도체 칩 패드의 간격	단위:um

DUT
(Device Under Test)	시험 또는 측정의 대상이 되는 장치, 반도체 웨이퍼의 개별 Die	-

ASIC
(Application-SpecificIntegrated Circuit)	주문형 반도체 칩으로 사용자의 요구에 맞추어 제작되는 집적 회로	-

FPGA
(Field ProgrammableGate Array)	설계 가능 논리 소자와 프로그래밍이 가능한 내부 회로가 포함된 반도체 소자로, 프로브카드에서 ASIC 칩들을 제어하기 위해 사용되는 Processor	-

Scrub Mark	프로브가 칩의 패드를 물리적으로 Contact하면서 패드 표면을 파고드는 현상을 Scrub이라고 하고 이때 생기는 패드 표면의 긁힌 흔적	-

프로브 Burnt	프로브에 한계 이상의 전류가 흐르면서 Tip 또는 Body 부분이 타거나 물리적 성질이 변성되는 현상	-

프로버(Prober)	웨이퍼 테스트 시스템의 Handler 역할을 수행하는 장치로 프로브카드 및 테스트 할 웨이퍼를 장착 (Loading)하여 프로브카드는 Tester에 전기적 연결을 시키고, 프로브 카드와 웨이퍼를 물리적으로 저온/고온에서 Contact 시키는 역할을 함.	-

프로버 척
(Prober Chuck)	Prober에서 Wafer pad에 프로브를 Contact하기 위해 웨이퍼가 위치하는 곳	-

O/D
(Over Drive)	프로브가 Wafer pad를 Contact하기 위해 최초 Contact 위치부터 스프링 운동을 하면서 Z축 방향으로 움직인 거리	-

항복강도	일반적으로 재료의 소성 변형이 일어나기 시작하는 시점에 가해지는 응력 한계값을 의미하며, 일반적으로 항복 강도가 클수록 변형이 잘 되지 않음을 의미함	-

2원계 합금	금속의 합금 구성 시 2개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함	-

3원계 합금	금속의 합금 구성 시 3개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함	-

레이저 솔더링	프로브카드 제작 시 프로브를 MLC 패드에 본딩 하기 위해 프로브에 솔더를 올리고 레이저를 이용하여 열을 가하여 프로브를 접합하는 공정	-

Align	프로브카드에서 프로브의 위치 정밀도를 지칭하는 용어로 일반적으로 프로브 선단의 x,y의 설계값 대비 벗어난 정도를 수치로 표현한 값	-

다층박막	프로브카드의 MPH(MEMS Probe Head)를 구성하는 데 있어서 액상 폴리이미디와 금속 도금 공정을 이용하여 다층 배선을 하는 공법을 의미.	-

Via	적층 배선이 있는 기판에서 상하부 배선을 연결하는 수직 금속 구조물	-

열팽창 계수	온도가 올라가면서 생기는 물체의 공간적 크기 변화의 정도를 특정하는 값으로 물질의 고유 특성임.	-

회로 Logic 도면	프로브카드를 구성하는 회로 부품의 동작 원리나 설계 원리를 간단한 그림이나 연결 구조도로 표현한 도면	-

신호 무결성
(SI:Signal Integrity)	임피던스의 불연속에 의해 생기는 신호의 특성 저하에 대해 분석하고 신호 전송에 문제가 생기지 않도록 하는 기술	-

전원 무결성
(PI : Power Integrity)	전원 전달에 방해되는 요소를 분석하여 이를 최소화하거나 보완해 주는 기술	-

임피던스(Impedance)	교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내는 용어로, 교류 신호의 경우 전로 선로 상에서 임피던스 값이 유지되어야 신호의 왜곡이나 지연이 발생하지 않음	-

Pre-deposited Solder	프로브 본딩에 사용되는 솔더는 일반적으로 액상 플럭스에 미세한 솔더볼이 혼합되는 솔더를 사용하지만, Pre-deposited Solder는 고체 상태의 솔더 합금을 프로브의 특정 위치에 미러 증착하는 것을 의미함	-

박막저항
(TFR : Thin FilmResister)	특정 저항 값을 가지는 금속 합금을 사용하여 수 um 두께를 가지는 박판 형태로 제작되는 저항을 의미하며 일반적으로 MEMS 공정을 사용하여 제작함	-

SSD controller	대용량 NAND 저장 매체인 SSD를 제어하는 칩셋을 의미하며, 데이터 읽기/쓰기를 효율적으로 조절해 주는 역할을 함	-