저스템 사업보고서 (2023.12)
7. 기타 참고사항

가. 지적재산권 보유현황보고서 제출일 현재 당사의 지적재산권 보유 현황은 다음과 같습니다.

[특허 등록내역]

번호	구분	발명의 명칭	최종권리자	출원일	등록일	만료일	적용제품	출원국가

1	특허권	온도 하강을 위한 개선된 구조를 갖는 종형열처리장치	저스템	2007-08-09	2008-08-08	2027-08-09	ALD	대한민국

2	특허권	웨이퍼 상태를 감지하는 반도체 제조장치	저스템	2008-05-02	2010-04-09	2028-05-02	ALD	대한민국

3	특허권	웨이퍼 저장 장치	저스템	2010-03-31	2011-06-03	2030-03-31	BIP	대한민국

4	특허권	웨이퍼 저장 장치	저스템	2011-04-25	2012-03-21	2031-04-25	BIP	대한민국

5	특허권	프로세스 챔버 및 기판 처리 장치	저스템	2012-06-27	2012-12-18	2032-06-27	ALD	대한민국

6	특허권	프로세스 챔버	저스템	2012-06-27	2013-01-15	2032-06-27	ALD	대한민국

7	특허권	프로세스 챔버 및 기판 처리 방법	저스템	2012-06-27	2013-01-15	2032-06-27	ALD	대한민국

8	특허권	서셉터 세정 장치 및 기판 처리 장치	저스템	2012-06-01	2013-12-18	2032-06-01	ALD	대한민국

9	특허권	기판 감지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 장치	저스템	2014-03-05	2015-11-27	2034-03-05	ALD	대한민국

10	특허권	웨이퍼 용기의 가스공급장치	저스템	2015-08-26	2016-10-25	2035-08-26	LPM	대한민국

11	특허권	퍼지 기능을 갖는 웨이퍼 용기 이송장치	저스템	2015-08-26	2016-12-26	2035-08-26	LPM	대한민국

12	특허권	챔버의 집진장치 및 이를 구비한 챔버	저스템	2015-08-04	2016-12-26	2035-08-04	ALD	대한민국

13	특허권	종형 열처리 장치	저스템	2016-05-02	2017-04-03	2036-05-02	ALD	대한민국

14	특허권	웨이퍼 용기의 가스공급장치	저스템	2015-04-29	2017-06-12	2035-04-29	LPM	대한민국

15	특허권	프로세스 챔버 및 기판 처리 장치	저스템	2013-04-03	2017-09-05	2033-04-03	ALD	중국

16	특허권	웨이퍼 맵핑 검사 장치	저스템	2018-06-08	2018-12-04	2038-06-08	LPM	대한민국

17	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치	저스템	2017-06-09	2019-03-05	2037-06-09	LPM	대한민국

18	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치-1	저스템	2018-08-22	2019-05-31	2038-08-22	LPM	대한민국

19	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치-1	저스템	2018-08-22	2019-05-31	2038-08-22	LPM	대한민국

20	특허권	사이드 스토리지 퍼지 장치	저스템	2018-11-09	2020-03-12	2038-11-09	CFB	대한민국

21	특허권	가스공급용 노즐패드 및 이를 구비한 웨이퍼 용기의 가스공급장치	저스템	2018-09-04	2020-05-14	2038-09-04	BIP	대한민국

22	특허권	버퍼 챔버용 웨이퍼 퍼지 장치	저스템	2018-04-19	2020-05-14	2038-04-19	CFB	대한민국

23	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치	저스템	2018-06-04	2020-06-21	2038-06-04	LPM	대만

24	특허권	웨이퍼 용기로의 외기 유입을 차단하는 외기 차단 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치	저스템	2018-11-14	2020-08-13	2038-11-14	JFS	대한민국

25	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2020-03-09	2020-10-01	2040-03-09	JFS	대만

26	특허권	반송실내의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2019-09-09	2021-03-05	2039-09-09	EFS	대한민국

27	특허권	플립칩 본딩 산화 방지 장치	저스템	2020-10-12	2021-03-23	2040-10-12	기타	대한민국

28	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치	저스템	2018-06-07	2021-07-22	2038-06-07	LPM	싱가폴

29	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2020-02-12	2021-08-09	2040-02-12	JFS	대한민국

30	특허권	공기정화기를 구비한 유모차 커버	저스템	2020-03-30	2021-08-27	2040-03-30	기타	대한민국

31	특허권	공정챔버 및 게이트밸브장치	저스템	2020-05-22	2022-01-21	2040-05-22	DIP	대한민국

32	특허권	EFEM의 공기정화 장치 및 공기정화 방법	저스템	2020-06-24	2022-02-25	2040-06-24	EFEM	대한민국

33	특허권	웨이퍼 용기의 가스 공급장치	저스템	2018-06-11	2022-03-08	2038-06-11	LPM	중국

34	특허권	로드포트모듈의 상태를 측정하는 장치	저스템	2020-09-28	2022-03-30	2040-09-28	LPM	대한민국

35	특허권	기판 고정 장치	저스템	2020-11-16	2022-05-18	2040-11-16	기타	대한민국

36	특허권	저스템. JUSTEM 상표 출원	저스템	2021-01-12	2022-06-23	2032-06-23	기타	대한민국

37	특허권	기류 균일화 장치를 구비한 EFEM	저스템	2021-02-09	2022-09-06	2041-02-09	EFS	대한민국

38	특허권	스테이지 장치 및 이를 구비한 로드포트모듈	저스템	2021-07-09	2022-09-11	2041-07-08	LPM	대만

39	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2020-08-12	2022-11-08	2040-08-12	JFS	대한민국

40	특허권	스테이지 장치 및 이를 구비한 로드포트모듈	저스템	2021-03-29	2022-11-23	2041-03-29	LPM	대한민국

41	특허권	반도체공정시스템 및 반도체공정장치 내 공기막 형성장치	저스템	2021-07-23	2023-01-12	2041-07-23	기타	대한민국

42	특허권	EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2022-04-25	2023-10-01	2043-10-01	CFB	대만

43	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2022-09-29	2023-06-30	2040-08-12	JFS	대한민국

44	특허권	불활성 기체의 안정화 공급장치	저스템	2021-10-14	2023-07-04	2041-10-14	LPM	대한민국

45	특허권	배플 구조를 갖춘 진공 제전 장치	저스템	2023-02-06	2023-07-04	2043-02-06	VIS	대한민국

46	특허권	엘보 구조를 갖춘 진공 제전 장치	저스템	2023-02-06	2023-10-26	2043-02-06	VIS	대한민국

47	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2022-04-25	2023-11-11	2043-11-11	JFS	대만

48	특허권	웨이퍼 버퍼용 챔버장치	저스템	2021-10-14	2023-11-22	2041-10-14	CFB	대한민국

49	특허권	배플 구조를 갖춘 고 진공 제전 장치	저스템	2023-07-03	2023-12-22	2043-02-06	VIS	대한민국

50	특허권	로드포트모듈의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치	저스템	2022-04-22	2023-12-26	2043-12-26	JFS	일본

주) 보고서 작성기준일 현재 진행중인 특허는 등록 50건, 출원 153건 총 203건 입니다.

종속기업의 보고서 작성기준일 현재 지적재산권 보유 현황은 다음과 같습니다.

번호	구분	발명의 명칭	최종권리자	출원일	등록일	만료일	적용제품	출원국가

1	특허권	휴대용 마스크팩 플라즈마 처리장치	플람	2019-09-20	2021-03-24	2039-09-20	기타	대한민국

2	특허권	대기압 플라즈마 반응장치	플람	2019-09-02	2021-04-22	2039-09-02	기타	대한민국

3	특허권	냄새 제거 및 신선도 유지 플라즈마 장치	플람	2019-10-25	2021-06-01	2039-10-15	기타	대한민국

4	특허권	멀티젯 플라즈마 장치	플람	2019-08-28	2021-06-17	2039-08-28	기타	대한민국

5	특허권	자동 모근 채취장치	플람	2019-08-28	2021-07-09	2039-08-28	기타	대한민국

6	특허권	하이브리드 피부 마사지 장치	플람	2019-08-28	2021-07-16	2039-08-28	기타	대한민국

7	특허권	플라즈마 마스크	플람	2019-09-20	2021-07-16	2039-09-20	기타	대한민국

8	특허권	세정장비 모니터링 장치	플람	2019-09-20	2021-11-19	2039-09-20	기타	대한민국

9	특허권	오존수를 활용한 세정장치	플람	2020-06-25	2022-02-28	2040-06-25	기타	대한민국

주) 보고서 작성기준일 현재 진행중인 특허는 등록 9건 출원 1건 총 10건입니다.

나. 시장여건 및 영업의 개황1) 산업의 특성

반도체 장비 산업은 반도체 회로설계, 실리콘 웨이퍼 제조 등 반도체 제조를 위한 준비단계부터 웨이퍼를 가공, 칩 제조ㆍ조립 및 검사하는 단계까지의 모든 공정에 이용되는 장비와 관련된 산업을 말합니다. 최근의 반도체 산업은 반도체의 설계와 제조를 모두 수행하는 종합반도체 회사(Integrated Device Manufacture, 이하 "IDM") 중심에서 시스템반도체의 설계와 개발만을 수행하는 팹 리스(Fabless), 반도체 제조를 전담하는 파운드리(Foundry), 패키징 (Packaging) 기업으로 분화되어 각 분야별 전문성을 요구하고 있습니다. 80년대 이전만 하더라도 반도체 산업은 IDM(종합반도체 업체) 위주로 성장하였으며 이들은 설계에서부터 Fab, 조립/테스트, 판매 등까지 한 기업에서 일괄적으로 처리하였습니다. 그러나 80년대 후반 IC설계혁명에 따라 팹리스, 파운드리 등 전문화된 업체가 생성되었으며 95년 이후 FPGA(Field Programmable Gate Array)의 개발로 칩에 대한 평가가 가능해지고 칩의 집적화와 함께 대량 양산체계가 만들어지면서 반도체 산업은 급격하게 성장할 수 있는 기술혁명을 이뤘습니다. 이에 따라 설비투자 규모가 커지게 되고, 산업의 경기 변동이 확대됨에 따라서 IDM 비즈니스는 점차 많은 위험을 내포하게 되었으며, 이 과정에서 소규모 투자로 전문성을 확보하거나, 대규모 투자 리스크 회피를 위해 외주 형태의 산업구조 등 다양한 형태의 모델이 생성되었습니다. 우리나라는 메모리반도체를 주로 생산하고 있어, 메모리에 대한 분류는 구체화되고 있으나, 메모리가 아닌 반도체는 비메모리라고 칭하고 있습니다. 메모리 반도체는 하나의 기업이 설계에서 제품 생산까지 모두 수행하는 IDM방식이 효율적이지만, 시스템 반도체는 수요자의 요구 및 제품이 매우 다양하기 때문에 각 공정별로 특화된 기업에 의한 분업화가 가능합니다. 이에 따라, 메모리반도체는 대형기업이 설계부터 생산까지 담당하는 종합반도체기업(IDM) 중심의 사업구조가 정착되어 있으며, 비메모리반도체는 수요자 주문형 방식으로 설계전문기업(Fabless), 위탁생산전문기업(Foundry) 등의 분업이 일반적입니다. 2) 산업의 성장성최근 반도체 산업은 IT, 첨단 산업(인공지능, 자율주행 전기차, 사물인터넷 등)의 수요에 힘입어 반도체 생산업체들의 투자가 지속되고 있는 상황입니다. 국내뿐만 아니라 해외에서도 신규 라인 증설을 진행하고 있고, 공정 미세화에 따른 Device Shrink도 진행되고 있어 반도체 장비 시장 또한 성장할 것으로 전망됩니다. AI의 발전에 따른 고사양 DRAM 수요가 본격화되고 있으며, 자율주행 전기차의 등장은 반도체 시장을 이끌 새로운 분야로 급부상하고 있습니다. 반도체 산업의 폭발적인 성장에 따라 반도체 장비 산업도 지속적으로 성장하는 상황입니다. 삼성전자는 평택에 대규모 반도체 산업 단지를 조성하였으며, 용인에 세계 최대 규모의 '첨단 시스템 반도체 클러스터' 구축 계획을 발표하였습니다. SK하이닉스 또한 M15, M16, M17 투자에 이어 용인에 대규모 반도체 클러스터를 조성하기로 결정한 상황이며, 정부는 2024년까지 수도권에 300조 원 규모의 반도체 메가클러스터 조성 계획을 발표함에 따라 반도체와 소부장 기업의 지속적인 성장이 예상됩니다.3) 경기변동의 특성당사의 주력 전방산업인 반도체 산업은 과거 글로벌 경기 변동에 민감하게 반응하며 호황과 불황을 주기적으로 반복해 왔습니다. 호황기에 집중된 설비투자가 공급과잉에 따른 불황으로 이어지고, 불황기에 나타난 단가 하락은 수요 증가를 통해 설비투자를 증대시켜 산업 성장과 경기회복의 순환을 보여주는 장치산업의 전형적인 경기 변동성 특징을 보여 왔습니다4) 경쟁요소반도체 장비시장은 고객의 요구사항에 따라 제품의 품질, 가격, 납기 등이 중요한 경쟁요소이며 반도체 공정 미세화가 가속화됨에 따라 고습도 환경에서의 수율 감소를 위한 저습도 관리 솔루션이 요구되는 상황입니다, 당사는 고객사 Model별 요구에 대응할 수 있는 방안을 구축하여 당사에서 현재까지 약 100종 이상의 고객 맞춤형 LPM개발 및 납품을 진행하였으며 N2 기류제어를 통해 반도체 전공정 습도 환경 제어를 할 수 있는 글로벌 업체로서 지속적인 성장을 이어나가고 있습니다.

5) 영업의 개황(1) 회사의 현황

당사는 2016년 화성시 능동에 본점을 두고 반도체 및 디스플레이 관련 기술 및 영업경력을 갖춘 구성원 중심으로 사업을 개시하였습니다. 반도체 제조 과정에서 반도체 수율을 향상시키기 위하여 N2 Purge 기능이 포함된 제품(LPM, BIP 등)을 생산 및 판매하는 목적으로 당사를 설립하였습니다. 설립자 및 창업 구성원들의 지속적인 연구개발을 통해 외산 제품이 주를 이루고 있는 Load Port 시장에 대응이 가능한 약 100여 종의 Stage 개발을 통해 회사의 정체성을 확립하고 시장경쟁력을 확보해 나가고 있습니다.

당사의 N2 Purge 시스템은 풉(FOUP) 내부에 있는 웨이퍼의 표면(Surface) 제어 및 이물(Particle)을 제거하여 반도체 생산 수율이 감소되는 것을 방지하는 제품입니다. 반도체 기술 개발에 따라 N2 Purge 기술이 필수가 될 것임을 인지하고, 시장 선점을 위한 전략 수립 및 자체 선행 개발을 진행하였습니다. 반도체 관련 경력을 중심으로 한 당사는 기술 발전 속도를 가속화할 수 있었으며, 지속적으로 변하는 시장에 즉각적인 대응이 가능하였습니다.

당사는 반도체 생산 수율이 개선되는 평가를 선제적으로 진행하면서 국내 최초로 제품 양산을 시작했고, 이어 N2 Purge 장치의 고객 다변화를 통한 매출 확대로 신규 성장 동력 확보에 주력하였으며, 기술 우위를 통한 지속적인 성장을 기대하고 있습니다. 또한 고객사 Model별 요구에 대응할 수 있는 방안도 구축하여 당사에서 현재까지 약 100종 이상의 고객 맞춤형 LPM 개발 및 납품을 진행하여 기술우위를 점유하고 있습니다. 또한 N2 Purge의 2세대 제품인 'JFS'는 M社의 양산평가 과정을 거친 후 2024년부터 양산 적용이 시작되었고, 고객사 다변화를 위해 타 글로벌 종합반도체기업과 양산평가를 통해 지속적인 성장이 예상되고 있습니다.

(2) 시장의 특성

글로벌 반도체 기업들이 전 세계적인 반도체 업황 둔화에도 반도체 산업을 육성하기 위해 각국 정부가 대규모 지원안을 내놓고 있는 상황이며, 신규 Fab 건설에 속도를 내고 있습니다. 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러에 170억 달러(약 21조 원)을 투자해 미국 내 두번째 파운드리 공장을 짓고 있으며, TSMC는 미국 애리조나주 피닉스 공장에 400억 달러(약 53조 원)로 투자한다고 밝혔습니다.

전 세계 반도체 장비 시장 규모는 2019년 약 626억 달러에서 2020년 736억 달러로 증가했으며, 2021년에는 전년 대비 38.4%에 달하는 성장률로 사상 처음 1,000억 달러를 돌파하는 기록을 세웠습니다. 반도체 미세화는 전자가 이동되는 트랜지스터(Transistor)의 소스(Source)와 드레인(Drain) 사이의 간격을 축소하는 것을 의미하며, 소스(Source)와 드레인(Drain)사이의 간격이 좁아지면서 전자의 이동 속도가 빠르게 진행되고 칩(Chip) 내 트랜지스터(Transistor) 집적도가 높아짐에 따라 칩의 성능이 개선됩니다. 감가상각비, 인건비, R 비용 등으로 웨이퍼당 원가가 결정된 상황에서 회로 선폭이 미세화될수록 웨이퍼 내 칩 수량 증가에 의한 칩당 원가는 개선되는 효과가 있습니다.

반도체 미세공정 기술의 확보는 우수한 성능의 칩을 공급함과 동시에 원가 경쟁력에서 우위를 가질 수 있음에 따라 반도체 업체들의 경쟁력을 결정하는 주요 요소이기 때문에 글로벌 파운드리 회사들은 반도체 회로선폭 미세화를 위한 개발을 지속적으로 진행할 것으로 전망하고 있습니다 .

(3) 회사의 경쟁우위당사는 창립이래 국내외 반도체 IDM업체에 환경제어 N2 Purge System을 공급하였으며, 다년간 쌓아온 실적으로 100종 이상의 설비 Model의 장비에 맞는 솔루션을 제공하여 왔습니다. 특히 주력 제품인 N₂ LPM(Load Port Module)의 경우, 전세계에서 판매되는 거의 모든 제품에 적용이 가능하며, 반도체 생산 Top 3 회사에 N₂ LPM을 공급하는 회사는 당사가 유일하며, Global 판매 실적 또한 앞도적으로 1위입니다. 반도체 생산에 아주 중요한 공정인 Diffusion 공정을 담당하는 배치 타입 증착기(Furnace) 장비에 N₂를 공급하는 N₂ BIP(Built-in Purge) system 또한 Global No. 1 Market Share를 차지하고 있습니다.