저스템 분기보고서 (2023.03)
1. 사업의 개요

※ 용어해설당사가 영위하는 사업의 내용을 이해하기 위하여 개념정리가 필요한 용어해설은 다음과 같습니다.

[ 주요 용어의 정의 ]

용 어	설 명

수율
(Yield)	투입 수에 대한 완성된 양품(良品)의 비율. 양품률이라고도 하며, 불량률의 반대어

N₂	원소기호 중 질소(N, 원소번호 : 7번)의 대기중 기체 상태로 존재하는 상태를 나타내는 표기임. 다른 기체와 쉽게 반응하지 않는 불활성(不活性) 기체

Purge	"제거하다" 라는 의미의 영어 단어이며, 반도체업계에서는 불순물 및 이물 제거를 위해 진행하는 공정을 의미

N₂Purge	질소를 분사하여 반응의 대기를 일반 공기 조건에서 불활성 기체인 질소 100% 상태로 만들어주는 방법을 의미

웨이퍼
(Wafer)	반도체 칩 제조의 기초가 되는 결정질 실리콘(Si) 재료의 원형 모양 기판

FOUP
(Front Open Unified Pod)	웨이퍼(Wafer)를 낱장으로 담아 먼지 오염으로부터 웨이퍼(Wafer)를 보호하여 전면 Open 되는 Door가 있는 표준 cassette

LPM
(Lord Port Module)	반도체 제조 공장에서 사용되는 장치임. 각 공정 장비 앞에 설치되어 있으며, FOUP이 위치하여 웨이퍼를 원활히 공급 및 동일 조건을 유지할 수 있도록 하는 장치임

BIP
(Built In Purge)	반도체 제조 공장에서 사용되는 장치임. EFEM 내부에 설치되는 Batch 형 타입으로, FOUP이 위치하여 웨이퍼를 원활히 공급 및 동일 조건을 유지할 수 있도록 하는 장치임

공정
(Process)	어느 결과를 얻기 위해서 필요한 동작. 반도체에서는 증착, 식각 및 세정 등을 진행하는 것으로 공정이라고 통칭함

Stage	장치 및 부품 등을 받쳐주고 Plate로서 기계적인 동작이 이루어지는 장소

노즐
(Nozzle)	기체나 액체 같은 유체의 흐름 방향을 결정하기 위하여 사용되는 파이프 모양의 기계 부품. 노즐은 흐르는 물질의 유량, 유속, 방향, 압력 등의 유체가 가지는 특성을 제어하기 위해 사용됨

습도 저감 Mode	버퍼 내부에 N₂를 집중 분사하여 습도(Humidity)를 낮추는 기능

Fume 배출 Mode	버퍼 내부에 N₂ 분사와 함께 배기(Exhaust)를 동시에 진행하여 불순물을 버퍼 외부로 배출하는 기능

ATM Robot	진공(Vacuum)이 아닌 대기(Atmospheric) 상태에서 자동으로 움직이는 Robot

SECS/GEM	SECS/GEM은 장비-호스트 데이터 통신을 위한 반도체 장비 인터페이스 프로토콜임. 자동화된 팹에서 인터페이스는 장비 처리를 시작 및 중지, 측정 데이터 수집, 변수 변경, 제품에 대한 레시피를 선택 가능. SECS(SEMI 장비 통신 표준)/GEM(일반 장비 모델) 표준은 이 모든 작업을 정의된 방식으로 수행.

배치 타입 증착기
(Furnace)	Deposition, Drive-In, Oxidation, Alloy 등을 하는데 사용되는 것으로 저항 가열 장치와 온도 조절기를 갖추고 긴 원형의 Quartz Tube를 이용하여 450 ~ 1200 ℃의 온도 범위에서 공정을 진행시킴.

인터락
(Interlock)	인터락은 2개의 매커니즘 또는 기능의 상태를 서로 의존되도록 만들어 주는 기능. 유한 기계 상태에서 원하지 않는 상태를 예방하기 위해 사용될 수 있으며 어떠한 전기적, 전자적, 기계적 장치나 시스템으로 구성될 수 있음.

증착
(Deposition)	액체 또는 기체 등을 증기로 만들어 다른 물체에 부착시키는 것.
반도체에서는 웨이퍼(Wafer)에 원하는 물질을 형성하는 것을 의미함

식각
(Etch)	화학약품 및 화학가스의 부식작용을 응용하여 표면을 가공하는 방법.
반도체에서는 필요하지 않는 부분을 제거하여 원하는 모양을 형성하는 것을 의미함

산화 반응	산화(Oxidation)는 분자, 원자 또는 이온이 산소를 얻거나 수소 또는 전자를 '잃는' 것을 말한다. 환원(Reduction)은 분자, 원자 또는 이온이 산소를 잃거나 수소 또는 전자를 '얻는' 것을 말한다.

리소그래피
(Lithography)	전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 만드는 기술. 사진 기술을 응용한 것이어서 포토리소그래피라고도 함

세정
(Cleaning)	웨이퍼 표면 및 공정 진행 후 잔류 물질을 씻어 내는 과정

대기압
(Atmosphere, ATM)	공기 무게에 의해 생기는 대기의 압력

진공
(Vacuum)	진공은 물질이 없는 비어있는 상태를 의미함. 반도체에서는 대기압보다 불순물 및 파티클이 없는 대기압보다는 깨끗한 환경을 의미함

집적도
(Degree of Integration)	1개의 반도체 칩에 구성되어 있는 소자 수. 집적 회로(IC)는 반도체 기술을 이용하여 작은 실리콘 기판 위에 다이오드, 저항, 트랜지스터와 같은 다기능 디지털 소자를 집적하여 구성하는데, 집적도는 하나의 칩에 이러한 논리 소자가 몇 개나 구성되어 있는지를 나타내는 정도, 즉 칩당 소자 수를 의미한다.

미세공정	반도체 공정기술과 미세가공기술을 조합해 마이크론미터(100만분의 1) 이하 초미세 구조물이나 기계 등을 제작하고 시스템화 하는 기술. 반도체는 이러한 기술을 이용하여 전류나 혹은 전압을 제어하는 소자를 만듬

EFEM
(Equipment Front End Module)	반도체 제조라인에서 공급된 FOUP로부터 웨이퍼를 이송로봇으로 꺼내어 공정 장비에 Loading/Unloading하는 표준 자동화 모듈

CDA
(Clean Dry Air)	청정건조공기

JFS
(Justem Flow Straightener)	EFEM의 기류가 풉(FOUP) 내부로 들어가는 역류하는 현상을 방지하기 위해 개발한 저스템의 고유 제품

CFB
(Contamination Free Buffer)	Etch 공정 전/후 웨이퍼를 표면에 이물 및 잔류가스를 제거하기 위한 장치

당사는 2016년 화성시 능동에 본점을 두고 반도체 및 디스플레이 관련 기술 및 영업경력을 갖춘 구성원 중심으로 사업을 개시하였습니다. 반도체 제조 과정에서 반도체 수율을 향상시키기 위하여 N2 Purge 기능이 포함된 제품(LPM, BIP 등)을 생산 및 판매하는 목적으로 당사를 설립하였습니다. 설립자 및 창업 구성원들의 지속적인 연구개발을 통해 외산 제품이 주를 이루고 있는 Load Port 시장에 대응이 가능한 약 100여 종의 Stage 개발을 통해 회사의 정체성을 확립하고 시장경쟁력을 확보해 나가고 있습니다.

당사의 N2 Purge 시스템은 풉(FOUP) 내부에 있는 웨이퍼의 표면(Surface) 제어 및 이물(Particle)을 제거하여 반도체 생산 수율이 감소되는 것을 방지하는 제품입니다. 반도체 기술 개발에 따라 N2 Purge 기술이 필수가 될 것임을 인지하고, 시장 선점을 위한 전략 수립 및 자체 선행 개발을 진행하였습니다. 반도체 관련 경력을 중심으로 한 당사는 기술 발전 속도를 가속화할 수 있었으며, 지속적으로 변하는 시장에 즉각적인 대응이 가능하였습니다.

당사는 반도체 생산 수율이 개선되는 평가를 선제적으로 진행하면서 국내 최초로 제품 양산을 시작했고, 이어 N2 Purge 장치의 고객 다변화를 통한 매출 확대로 신규 성장 동력 확보에 주력하였으며, 기술 우위를 통한 지속적인 성장을 기대하고 있습니다. 또한 고객사 Model별 요구에 대응할 수 있는 방안도 구축하여 당사에서 현재까지 약 100종 이상의 고객 맞춤형 LPM 개발 및 납품을 진행하여 기술우위를 점유하고 있습니다. 또한 N2 Purge의 2세대 제품을 개발하여 향후 양산에 적용할 수 있도록 평가 테스트에 총력을 기울이고 있습니다.

당사는 2018년부터 지속적인 거래처 다변화에 노력하여 해외 시장인 대만 M社에 10만불 수출을 시작으로 해외 진출에 진입하였습니다. 고객과의 신뢰 형성을 통해 일본, 중국, 싱가폴시장까지 확대하여 2019년 백만불 수출의 탑, 2020년 천만불 수출의 탑을 달성하였으며, COVID-19 등을 비롯하여 세계 경제가 악화된 상황에서도지속적인 수출 매출을 이루어내고 있습니다.