HPSP 사업보고서 (2022.12)
II. 사업의 내용

※용어해설

당사가 영위하는 사업의 내용을 이해하기 위하여 개념정리가 필요한 용어해설은 다음과 같습니다.

[주요 용어의 정의]

구분	내용

IDM
(Integrated Device
Manufacturer)	반도체업체의 한 종류로서, 삼성전자, SK 하이닉스, 인텔과 같이 제품에 회사의 로고를 찍어서 판매할 수 있을 정도의 기술을 보유한 종합반도체업체이다. 설계, 생산, 판매를 모두 담당

팹리스
(Fabless)	반도체 설계가 전문화되어 있는 회사로, 제조 설비를 뜻하는 패브리케이션(fabrication)과 리스(less)를 합성한 말. 1980 년대 미국에서 등장하였으며, 대표적인 팹리스 기업으로는 퀄컴과 브로드컴 등이 있음

파운드리
(Foundry)	다른 업체가 설계한 반도체를 생산해서 공급해 주는 사업. 수탁생산의 일종으로 일반제조업의 OEM 공급과 비슷한 개념인 '수탁 반도체 제조사업이다. 즉, 팹리스(Fabless)의 생산부분을 맡아주는 사업을 파운드리(foundry)라고 지칭함.

집적회로(IC)
(Integrated Circuit)	많은 전자회로 소자가 하나의 기판 위 또는 기판 자체에 분리가 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 기능적인 복합적 전자소자 또는 시스템(반도체)이며, IC 라 일컫음.

대규모 집적회로
(Large Scale
Integration/LSI)	대규모집적회로 또는 고밀도집적회로. IC 에 포함되는 소자의 집적도가 높은 것, 설계·제조 등의 기술도 IC 보다 훨씬 높음. 집적도는 칩 1 개당 논리회로를 1 백∼1 만개, 기억용량으로 64 킬로바이트 정도로 소형화, 저소비 전력화, 고속화를 실현하고 신뢰성의 고도화에 도움이 되고있다. 소자가 1 천개 넘는 IC 를 LSI 라 부름.

초대규모 집적회로
(Very Large-Scale
Integration)	대규모집적회로보다 집적도를 높인 IC 로, 1 개의 칩 상에 10 만개 이상의 소자가 집적된 회로.

메모리반도체 (MemorySemiconductor)	메모리 반도체는 정보를 저장하는 용도로 사용되는 반도체. 대량생산 하여 비교적 작은 이윤으로 대량 판매하는 시간 및 자본 집약적인 성격이 강한 산업으로 우리나라가 주력해온 분야

DRAM	Dynamic Random Access Memory Capacitor/DRAM은 1개의 트랜지스터(Transister)와 1개의 캐패시터(Capacitor)로 구성되며, 캐패시터의 역할은 데이터를 기록할 수 있도록 전하를 저장하며, 유전율이 높을수록 유리함

Interface Defect	계면 결함으로 전자 이동도를 감소시키고, 반도체 Transistor의 구동전류 및 회로동작속도를 저하를 유발함

유전율	외부 전기장을 유전체에 가하여 유전체내 전기장 세기가 작아진 비율

3D 낸드 플래시
메모리	3 Dimensional NAND Flash Memory/전원이 꺼져도 데이터를 기억하는 메모리로서 기술발달에 따라 기존의 평면 구조를 수직으로 쌓아올린 낸드 플래시 메모리

시스템반도체 (System Semiconductor).	다양한 기능을 집약한 시스템을 하나의 칩으로 만든 반도체이며, 연산 과 멀티미디어 기능 등 핵심 기능을 담당한다. 인텔의 중앙처리장치 (CPU), 시스템온칩(SoC) 등이 대표적인 시스템반도체

마이크로프로세서
(Microprocessor)	컴퓨터의 산술논리연산기, 레지스터, 프로그램 카운터, 명령디코더, 제어회로 등의 연산장치와 제어장치를 1 개의 작은 실리콘 칩에 모아놓은 처리장치. 주기억장치에 저장되어 있는 명령을 해석하고 실행하는 기능을 함

HEMT	high electron mobility transistor/ 고전자이동도 트랜지스터. 전자 이동도가 실리콘보다 10배 이상 빨라 고속 동작에 적합한 트랜지스터. 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP) 등의 화합물 반도체 구조를 이종접합해 그 접합면에서 전자가 고속으로 이동하는 성질을 이용한다. 빠른 전송 속도 때문에 밀리미터파 대역(30㎓~300㎓)에서 주된 소자로 사용되고 있으면 향후 ㎔급까지 사용될 것으로 기대된다.

CMOS	상보형금속산화반도체. 소비 전력이 매우 적다는 이점을 가지며 휴대용 계산기, 전자시계, 소형 컴퓨터 등에 널리 채용되고 있음

CMOS Image Sensor(CIS)	상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 구조를 가진 저소비 전력형의 촬상 소자. 전하 결합 소자(CCD)에 비해 약 10분의 1의 소비 전력, 3.3V 단일 전원, 주변 회로와의 일체화도 가능하다. CCD보다 감도는 떨어지지만 최근에는 화질이 많이 개선되어 휴대 전화는 물론 고해상도 디지털 카메라나 자동차 후방 감시 카메라 등에도 광범위하게 사용되고 있다.

RFID	Radio Frequency Identification - FOUP ID (IC 칩과 무선을 통해 식품, 동물, 사물 등 다양한 개체의 정보를 관리할 수 있는 차세대 인식 기술)

FIN FET	핀펫(FinFET, fin field-effect transistor)은 게이트가 2, 3, 4면의 채널에 위치하거나 게이트를 채널 주변에 감싸서 더블 게이트 구조를 형성하는, 기관 위에 빌드되는 멀티게이트 디바이스(multigate device), MOSFET이다. 이 장치들의 일반 명칭이 핀펫(finfets)인 이유는 소스(source)/드레인(drain) 영역이 실리콘 표면 위에 핀(fin)을 형성하기 때문이다. 이 핀펫 장치들은 평면 CMOS 기술에 비해 상당히 더 빠른 전환 시간과 더 높은 전류 밀도를 보여준다.
핀펫은 평면이 아닌 트랜지스터, 즉 3D 트랜지스터의 일종이다. 핀펫 게이트를 이용한 마이크로칩은 2010년대 상반기에 최초로 상용화되었으며 14 nm, 10 nm, 7 nm 공정 노드에 주로 사용되는 게이트 디자인이 되었다.

GAA FET	Gate All Around Field Effects Transistor/GAA 트랜지스터, GAAFET은 전계 효과 트랜지스터의 한 종류로, 채널의 네 면이 모두 게이트로 둘러 쌓여 있는 구조를 의미한다. 집적도를 높이기 위해 소형화된 트랜지스터의 제작을 위해 개발된 구조이다

BKM	Best Known Method 공정조건등에 있어 최적화된 방법

Passivation	반도체 디바이스의 표면이나 접합부에 적당한 처리를 하고, 유해한 환경을 차단하여 디바이스 특성의 안정화를 꾀하는 것. 표면 결함은 쉽게 내부에 확산하여 Si/SiO2 계면 상황을 변화시켜서 반전층을 만들기 때문에 접합부 누설 전류의 증가, 전류 증폭률의 변동. MOS 임계값 전압 변화, 잡음의 증가 등을 초래하게 된다. 이러한 유해 이온의 흡수나 이동 저지는 패시베이션의 기본이며, 구체적인 여러 방법이 생각되고 있다. Si3N4막에 의한 알칼리 이온이나 금속의 블로킹, 인 유리층에 의한 게터링, 수소 열처리 등이 그 예이다.

CVD	Chemical Vapor Deposition/전자소자의 박막증착을 위한 기술 중에서 화학적인 방법을 사용하는 기법

ALD	Atomic Layer Deposition/박막을 증착하는 기술로서 기존의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법을 고도화시킨 기술이며, 얇고 균일한 박막을 만드는데 유리함.

HPA	High Pressure Annealing. 대기압 이상의 통상적으로 10기압 이상의 고압에서 수소, 질소, 산소등의 가스 분위기에서 250℃ 이상의 온도로 소자를 만들기 위한 Wafer를 열처리하는 공정.

3N급 제련 기술	99.9%이상의 순도를 가진 금속의 제련 기술로 N은 Nine(9)를 의미하며, 6N은 99.999% 이상의 순도를 의미

Process Chamber	Wafer를 이용한 실제 공정이 이뤄지는 공간. 석영 튜브(tube) 내부 공간을 말 함.

VDL	Vessel Door Lift. Wafer가 적재된 Boat를 공정진행을 위해 Process Chamber 내부로 이송시키는 장치. 공정 완료 후에는 다시 이동위치로 이송함.

Boat	석영재질로 wafer를 적재할 수 있는 구조물. 고압 Process 쳄버로 이동하여 공정이 진행됨.

BOM	Bill of Materials 제품의 생산에 필요한 각종 원자재 및 부품의 상하위구성관계, 소요수량, 소요시기 등을 체계적으로 구성한 제품관련 정보

Fabrication	(특히 반도체 산업의) 제조(공장), 약자로 Fab을 주로 사용함

CDA	Clean Dry Air

Particle	소자 성능에 영향을 주는 불순물, 이물

Foup	Front Opening Unified Pod. Wafer 이동에 사용되는 carrier 박스. 각종 불순물로부터 wafer를 보호하는 역할을 함.

FTR	Foup Transfer Robot. 장비내부에 Foup을 이동시켜 주는 Robot

WTR	Wafer Transfer Robot 웨이퍼 이동 로봇. Foup으로부터 wafer를 Boat로 또는 반대로 이동시키는 역할을 수행함.

Buffer Stage	Stocker 내부에 위치하며 공정진행을 위한 Foup 들이 대기하는 공간

OHT	Overhead Hoist Transfer 사람의 개입 없이 수많은 공정 사이를 스스로 이동하는 장치로, 공장 천장에 설치된 레일을 따라 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 담긴 웨이퍼를 생산 공정별 제조 설비에 운반하는 역할을 담당

Stocker	장비의 전면부를 지칭함. 내부에 Buffer stage, FIMS, Foup Transfer Robot이 있으며 상단에 Filter가 있어 내부 청정도를 유지함.

HMI	Human Machine Interface 시스템 제어용 User Interface

Interlock	Interlock 설비가 정상상태를 벗어나게 되어 발생하는 이상상황을 알리고, 즉시 설비를 정지시켜 작업자의 안전을 지켜주는 역할을 함.

LMFC	Liquid Mass Flow Controller/액체의 유량을 미세하게 조절하여 공급하는 부품

MFC	Mass Flow Controller/기체의 유량을 미세하게 조절하여 공급하는 부품

N2 Loadlock	Foup 과 Boat간에 Wafer 이송이 이뤄지는 공간. 고온의 Wafer에 Native Oxide 가 형성되는 것을 방지하기 위해 O2 농도를 ppm level까지 낮춰서 관리하는 공간임

PN2	Purified N2 (GN2 Gas를 Purifier를 사용하여 정제된 N2 Gas)

TPT	Throuphput Time 단위 시간당 웨이퍼 또는 기판의 공정처리 양.

Vertical Furnace	VERTICAL DIFFUSION FURNACE(수직확산전기로).
반도체 제조 공정에 있어 Si WAFER 표면을 온도를 이용, 확산시키는 장치

방폭인증	위험기계, 기구의 방호장치와 유해, 위험한 작업장에서 근무하는 근로자와 재산을 보호하기 위해 개별 부품이 근원적인 안정성이 확보되도록 요구되는 조건을 만족하는지 확인하는 인증

압력용기	Pressure Vessel 국제 기준 또는 나라별 법률에 의거 제작되며 밀폐되어 일정 기준 압력 이상이 걸리는 용기. 강도/두께 등에 대한 기준이 필요하고, 제작에 있어 수압/기압등 테스트를 통과되어 제작됨

압력용기 인증	고용노동부 산하 한국산업안전보건공단에서 규정하는 압력용기에 대해 디자인과 제작과정에서 관련 규정을 준수하였는지 확인해주는 인증

ASME	American Society of Mechanical Engineers/미국기계학회를 의미하며 보일러, 압력용기의 설계, 제작, 검사에 대한 기준을 의미하기도 함

PED	Pressure Equipment Directive/ 유럽압력장비인증제도. 유럽 압력장비 지침은 최대 허용 압력 0.5bar(1bar=0.986923기압(atm)) 이상인 압력장비 및 부품에 대하여 포괄적으로 갖추어야 할 품질요건을 나타냄.

중수소(D2)	수소의 동위 원소 중 하나로 2H 또는 D(Deuterium)로 표기함. 삼중수소와 구별하기 위해 이중수소라고 부르기도 함.

캐퍼시터	전하를 저장하는 전기부품으로서, 서로 간에 절연된 2장의 금속박막 또는 금속판으로 구성된다

furnace	재료를 가열하거나 용해할 목적으로 일정한 공간을 둘러싸고 가열체를 장치한 것. 단순히 재료의 온도를 높이기 위한 경우에는 가열로라 하고, 고체를 도가니 등 용기에 넣고 가열하여 용해할 목적일 때는 융해로라 한다.

PM	Preventive Matainance 예방정비 방비의 성능을 유지하기 위해서는 장비의 노화 및 열화(劣化)를 방지를 하기 위한 예비적 조치가 필요하며, 이를 위해서 윤활, 청소, 조정, 점검, 교체 등 일상의 정비 활동과 항께 설비를 계획적으로 정기 점검