코스텍시스 분기보고서 (2026.03)
1. 사업의 개요

가. 사업 개황(1) 반도체 산업 개요

반도체 산업은 지난 수십 년간 소형화와 성능 향상을 중심으로 지속적으로 발전해 왔습니다. 최근에는 인공지능(AI), 데이터센터, 전기차(EV), 로봇 및 산업 자동화 등 고전력·고집적 응용 분야의 확대에 따라 반도체의 전력 밀도와 발열 관리가 산업 전반의 핵심 기술 과제로 부각되고 있습니다.

특히 AI 서버 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템의 확산으로 데이터 처리량과 전력 소비가 빠르게 증가하면서, 전력 효율을 높이고 열 발생을 효과적으로 제어할 수 있는 반도체 기술의 중요성이 더욱 커지고 있습니다.

이와 함께 반도체 패키징 기술은 단순한 전기적 연결과 보호 기능을 넘어 전력 효율, 열 관리, 시스템 안정성을 결정하는 핵심 기술로 발전하고 있습니다.

(2) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 특성과 시장 동향

기존 실리콘(Si) 반도체의 물리적 한계를 극복하기 위해 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 기반의 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체가 차세대 전력 반도체 기술로 주목받고 있습니다.

WBG 반도체는 높은 전압과 높은 온도, 높은 주파수 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 특성을 갖고 있어 전기차(EV), 신재생에너지, 데이터센터 전력 시스템, 산업용 전력 장치 등 다양한 분야에서 적용이 확대되고 있습니다.

특히 AI 데이터센터의 전력 소비 증가와 전력 변환 효율 개선 요구가 확대됨에 따라 전력 반도체의 성능과 신뢰성을 향상시키기 위한 패키징 및 열 관리 기술의 중요성이 크게 증가하고 있습니다.

(3) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 주요 특징

와이드 밴드갭 반도체는 기존 실리콘 반도체 대비 다음과 같은 특성을 보유하고 있습니다.

- 높은 전력 밀도 구현- 높은 동작 온도

- 빠른 스위칭 속도- 낮은 전력 손실

- 높은 주파수 동작 가능

- 시스템 소형화 및 에너지 효율 향상

- 높은 신뢰성과 내구성

이러한 특성으로 인해 WBG 반도체는 고전력 밀도 환경에서 동작하는 과정에서 상당한 열이 발생하게 되며, 반도체 칩과 패키지 간 열팽창 계수(CTE)를 정밀하게 제어하는 Thermal Matching 기술과 효율적인 열 관리(Thermal Management) 기술이 필수적인 요소로 요구되고 있습니다.

(4) 반도체 패키징 기술의 구조 변화“From Wire to Block” 기술 전환

최근 전력 반도체 및 고성능 반도체 패키징 기술은 기존의 와이어 본딩(Wire Bonding) 기반 구조에서 금속 블록 기반 연결 구조(Block Bonding)로 전환되는 기술적 변화가 진행되고 있습니다.

기존 와이어 본딩 방식은 구조가 단순하고 공정 안정성이 높은 장점이 있으나, 전력 밀도 증가와 고주파 동작 환경에서는 기생 인덕턴스 증가와 열 저항 증가 등의 한계가 존재합니다.

이에 따라 최근 전력 반도체 모듈 및 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 구리 블록(Cu Block), 구리 클립(Cu Clip) 및 구조형 금속 인터커넥트를 활용하여 반도체 칩을 직접 연결하는 블록 본딩(Block Bonding) 구조가 확대되고 있습니다.

이러한 구조는 전류 전달 경로를 단축하여 전기적 손실을 줄이고 패키지 내부 열 전달 경로를 개선함으로써 고전력 밀도 환경에서도 안정적인 반도체 동작을 가능하게 합니다.

(5) AI 데이터센터 전력 모듈 시장

최근 인공지능(AI) 연산 수요 증가로 인해 AI 데이터센터의 전력 소비가 빠르게 증가하고 있으며, 이에 따라 데이터센터 전력 인프라의 효율성과 안정성을 확보하기 위한 전력 반도체 기술의 중요성이 커지고 있습니다.

AI 서버 및 고성능 컴퓨팅 시스템은 높은 전력 밀도를 요구하며, 이 과정에서 발생하는 열을 효율적으로 제어하는 기술이 시스템 성능과 신뢰성을 좌우하는 핵심 요소로 작용합니다.

이에 따라 SiC 및 GaN 기반 전력 반도체와 고전력 패키징 기술이 AI 데이터센터 전력 시스템의 핵심 기술로 자리 잡고 있으며, 고전력 서버 전원공급장치(PSU), 전력 변환 장치, AI 가속기 전력 모듈 등 다양한 분야에서 관련 기술 수요가 증가하고 있습니다.

(6) 당사의 역할 및 기술 경쟁력

Thermal Platform Company 전략

당사는 반도체 패키징에서 발생하는 전기적 인터페이스와 열 관리 인터페이스를 동시에 설계하는 Thermal Platform 기술 기반 기업으로서 반도체 패키징용 방열 소재 및 구조 부품을 개발·생산하고 있습니다.

특히 당사는 저열팽창(Low CTE) 및 고열전도(High Thermal Conductivity) 특성을 동시에 구현한 KCMC®(Kostec Copper-Molybdenum Composite) 소재 플랫폼을 기반으로 반도체 패키징용 방열 소재 및 구조 부품을 개발하고 있습니다.

KCMC® 소재는 몰리브덴과 구리의 복합 구조를 기반으로 한 다층 구조 소재로서 반도체 칩과 패키지 간 열팽창 계수 차이를 최소화하면서 높은 열전도 특성을 제공하여 반도체 패키지의 열 관리 성능과 장기 신뢰성을 향상시키는 특징을 갖습니다.

이를 기반으로 당사는 RF 통신 패키지, 전력 반도체용 스페이서(Spacer), 방열 베이스플레이트(Baseplate), 레이저 및 광반도체 패키지 등 다양한 제품군을 개발하고 있습니다.

(7) AI Infrastructure / Power Semiconductor 포트폴리오

당사는 RF 통신 패키지, 전력 반도체 패키징 부품, 레이저 및 광반도체 패키지 등 다양한 응용 분야에 반도체 패키징 제품을 공급하고 있습니다.

주요 사업 영역은 다음과 같습니다.

① RF 및 항공우주용 반도체 패키지

5G 이동통신, 레이더(Radar), 항공우주 분야에서 사용되는 RF 전력 트랜지스터용 패키지를 개발·생산하고 있습니다.② 전력 반도체 패키징 사업

SiC 및 GaN 기반 전력 반도체 모듈에 적용되는 방열 스페이서 및 구조 부품을 공급하고 있으며, 고전력 밀도 환경에서의 열 관리와 전기적 효율 향상을 위한 패키징 기술을 개발하고 있습니다.

③ 레이저 및 광반도체 패키징 사업

산업용 및 의료용 레이저 모듈에 적용되는 반도체 레이저 패키지와 고출력 레이저 시스템용 냉각 플랫폼을 개발하고 있습니다.

(8) 코스텍시스 성장 전략

당사는 반도체 패키징 분야에서 소재 기술과 구조 설계 기술을 동시에 확보한 기술 기반 기업으로서 RF 통신 패키지와 전력 반도체 패키징 부품을 중심으로 사업을 확대해 왔습니다.

최근에는 AI 데이터센터 및 전력 인프라 시장 확대에 대응하여 고전력 반도체 패키징 및 열 관리 솔루션 분야로 사업 영역을 확대하고 있습니다.

특히 전력 반도체 패키징 기술이 기존 와이어 본딩 구조에서 블록 본딩 기반 구조로 전환되는 시장 환경에 대응하여 구조형 방열 부품 및 고성능 열 관리 소재 개발을 지속적으로 추진하고 있습니다.

이를 통해 당사는 AI 인프라, 전력 반도체 및 고성능 반도체 패키징 시장에서 기술 경쟁력을 강화하고 중장기적인 성장 기반을 확보하고자 합니다.

(9) 영업 개황

당사의 주요 고객사는 글로벌 반도체 기업 및 장비 업체로 구성되어 있으며 매출의 상당 부분이 해외 시장에서 발생하고 있습니다.

이에 따라 환율 변동에 따른 리스크를 관리하기 위해 외화 자금 운용 및 환위험 관리 체계를 운영하고 있으며, 원소재 가격 변동에 대응하기 위해 원자재 가격 연동 등의 탄력적인 가격 정책을 적용하고 있습니다.

또한 생산, 영업 및 연구개발 활동을 통해 AI 데이터센터, 전력 반도체 및 고성능 반도체 패키징 시장 확대에 대응하고 있습니다.

나. 사업개요 [주요 용어 설명]

순 번	영 문	국 문	설 명

1	Compound
Semiconductor	화합물 반도체	화합물 반도체는 주기율표의 서로 다른 원소가 결합하여 형성된 반도체 소재로, 대표적으로 GaN, GaAs, InP, SiC 등이 있음. 이러한 소재는 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압 및 우수한 고주파 특성을 가지며, 기존 실리콘 반도체 대비 고출력·고주파 응용 분야에 적합한 특성을 가짐.

2	Heat Spreader
/ Heat Sink	히트 스프레더	반도체 소자에서 발생하는 열을 외부로 효율적으로 확산시키기 위한 방열 부품으로, 반도체 패키지의 Baseplate 또는 Flange 구조를 통해 열을 전달하고 방출하는 역할을 수행함.

3	BAG-8	은납
(브레이징 재료)	은(Ag)과 구리(Cu) 합금으로 구성된 브레이징(Brazing)용 접합 소재로, 일반적으로 약 780°C 전후의 용융점을 가지며 진공 브레이징 또는 수소 브레이징 공정에서 금속 및 세라믹 접합에 사용됨.

4	Thermal
Properties
Material	열 특성 소재	열전도율, 열팽창계수(CTE), 열충격 저항 등 열 특성을 고려하여 반도체 패키지의 신뢰성과 열 관리 성능을 확보하기 위해 사용되는 소재를 의미하며, MoCu, WCu, CuMo, Kovar 등의 금속 복합 소재와 Al₂O₃, AlN, BeO 등의 세라믹 소재가 활용됨.

5	GaN
(Gallium Nitride)	질화갈륨	질화갈륨은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드의 재료로 사용되는 반도체임. 최근에는 전력반도체나 레이더 등에도 응용되고 있음.

6	GaAs
(Gallium Arsenide)	갈륨비소	갈륨비소의 화합물로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음.

7	InP
(Indium Phosphide)	인화 인듐	인듐 인화물은 인듐과 인으로 구성된 이진 반도체로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음.

8	LDMOS
(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)	측면 확산 금속 산화물 반도체	마이크로파 전력증폭기, RF 전력증폭기 및 오디오 전력증폭기를 포함한 증폭기에 사용되며, GaAs 또는 GaN에 비해 최대 전력 이득 주파수가 더 낮음.

9	SiC
(Silicon Carbide)	탄화규소	탄화규소(SiC)는 높은 열전도율, 높은 항복 전압, 고온 동작 특성을 가지는 와이드 밴드갭(WBG) 반도체 소재로 전기차 전력 모듈, 산업용 전력 장치 및 데이터센터 전력 시스템 등에 적용되고 있음.

10	MoCu
(Molybdenum Copper)	몰리카파	구리의 높은 열 전도와 몰리브덴의 낮은 열 팽창 특성을 갖도록 합성한 것으로, 가장 일반적인 몰리브덴 구리 복합 재료 비율은 70/30 및 80/20임.

11	WCu
(Tungsten·Copper)	텅스텐카파	텅스텐과 구리의 합성물로 내열성, 내마모성, 고강도, 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨.

12	Cu-MoCu-Cu
(CPC)
(Copper-Molybdenum
Copper-Copper)	씨피씨	Mo70Cu 합금 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨.

13	Cu-Mo-Cu
(CMC)
(Copper-Molybdenum-Copper)	씨엠씨	몰리 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨.

14	Kovar	코바	낮은 열팽창 특징 갖는 니켈-코발트 철 합금으로 세라믹과 금속, 유리와 금속간 접합용으로 사용됨.

15	Alumina Ceramic	산화 알루미늄
세라믹	Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, PKG 제조시 절연용 소재 또는 인쇄회로 기판으로 사용됨.

16	Package	패키지	외부 환경으로부터 내부 소자를 보호, 외부와 전기적 연결, 그리고 소자에서 발생하는 열을 스프레드 시키는 구조품

17	Transistor(TR)	트랜지스터	전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 3극 반도체 소자임.

18	Impedance	임피던스	전기 회로에 교류를 흘렸을 경우에 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 값임.

19	Brazing	브레이징	금속재료나 비금속재료의 접합방법의 하나로서 450℃ 이상 모재(Base metal)의 용융점 이하의 온도에서 접합부를 가열하여 모재는 녹이지 않고 브레이징합금(Brazing alloy)만 녹여 모재를 접합하는 기술

20	Hermeticity	밀폐	공기나 가스 등의 기체가 통하지 않는 성질을 의미하며, 패키지의 밀폐 구조는 내부로 공기/수분 등이 들어올 수 없도록 환경 내구성을 강화한 것임.

21	Leak Rate	누설량	누설은 내부와 외부 사이에 압력차가 생겨 기체의 흐름이 발생하는데 단위 시간당 흐르는 기체의 양을 의미함.

22	Coefficient of
Thermal
Expansion(CTE)	열팽창 계수	열에 의한 변형을 일으키는 재료가 갖는 고유한 성질로 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 늘어난 길이로 척도를 계수로 표시한 것 정의됨.

23	Thermal Conductivity	열전도율	열전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 고유한 성질로, 열전도율의 SI 단위는 W/ mㆍK임.

24	Wettability	젖음성	용융된 솔더가 고체 금속의 표면에 물리, 화학적으로 퍼지는 정도를 말하는 것으로 젖음성이 크면 부착이나 흡착이 증가함.

25	He Leak Test	헬륨 누설시험	He(헬륨) Gas를 이용하여 제품의 기밀 성능을 검증하는 것으로, 제품의 누설 여부를 검증하기 위한 비파괴 시험방법

26	Thermal Cycle
Test	정속온도 변화시험	온도변화 혹은 온도변화의 반복이 제품에 주는 영향을 확인하기 위하여 실시하는 시험방법으로, 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험함.

27	Thermal Shock Test	열충격 시험	급격한 온도변화에 대한 부품의 저항성을 평가하는 것으로, 극저온(또는 극고온)에 노출된 다음에 중간 온도 없이 짧은 시간 내에 극고온(또는 극저온)에 노출되는 과정을 반복함으로써 급격한 온도변화를 받는다. 이 경우에 제품의 피로고장은 가속됨.

28	Baking Test	베이킹 테스트	430ºC 온도에서 금속 표면의 금도금 상태를 확인하는 시험으로 블리스터, 변색, 밀착 등의 불량 현상이 있는지 확인하는 시험

29	RF Communication	알에프 통신	통신 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

30	Thermal Matching	써멀매칭	서로 다른 열팽창 계수를 가지는 소재 간 접합 시 발생할 수 있는 열 응력을 최소화하기 위해 열팽창 계수를 정밀하게 제어하여 반도체 패키지의 신뢰성을 확보하는 기술을 의미함.

31	QFN
(Quad Flat No-lead)	큐에프엔	연결 패드가 4면에 돌출된 집적회로 패키지

32	MMIC
(Monolithic
Microwave Integrated Circuits)	집적회로	하나의 반도체 기판 위에 일괄 공정으로 제작하는 초소형 초고주파 집적회로

33	Die Bonding
/ Die Attach	다이 본딩	반도체 칩을 패키지에 고정시키고 칩과 패키지 간의 전기적 접속이 이루어지게 하기 위한 것

34	Lid	덮개	패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자 및 연결선들을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 덮개

35	Lead Frame	리드프레임	패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자의 전기적 특성을 외부 연결선에 전달해주는 것

36	LCP
(Liquid Crystal Polymer)	액정폴리머	액정의 성질과 플라스틱의 성질을 함께 겸비한 소재로서 사출성형재료로 이용되고 있으며, 용융 시에 액정성을 나타냄

37	Ka-Band	카 대역	26.5-40기가헤르츠의 주파수 대역

38	5G	5G	5세대 무선 네트워크 기술이다. 증강현실, 가상현실, 혼합현실 애플리케이션(AR, VR, MR), 화상회의, 산업 자동화, 자율주행차, 커넥티드 의료기기 등의 분야에 적용

39	Al-Diamond	알루미늄-다이아	알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저팽창, 초고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재

40	LiDAR
(Light Detectionand Ranging)	라이다	레이저를 목표물에 비춤으로써 사물까지의 거리, 방향, 속도, 온도, 물질 분포 및 농도 특성 등을 감지할 수 있는 기술

41	EV/HEV
Electric Vehicle
/ Hybrid Electric Vehicle)	전기/하이브리드 자동차	전기에너지를 동력원으로 활용하는 자동차

42	mmWave
(Millimeter Wave)	밀리미터파	30~300 기가헤르츠의 전자기 스펙트럼의 무선 주파수 대역

43	Coaxial	동축	중심에 초의 심지와 같이 도체가 있고, 그 주변을 둘러싸는 높은 유전상수를 갖는 유전체와 이를 감싸는 도체로 구성

44	Metal Guide	금속 가이드	동축과 유사한 형상의 구조

45	DBC
(Direct Bonded Copper)	구리직접접합	전력반도체 소자를 접합하는 기판 종류에 대한 접합방식으로 구리(Cu) 층에 산화막을 형성시킨 후, 세라믹에 직접 접합

46	IGBT
(Insulated Gate BipolarTransistor)	절연 게이트 양극성 트랜지스터	고전압용 스위칭 소자로써 인버터, 컨버터, 전원공급 장치와 같은 전력전자 쪽에 주로 사용

47	Spacer	스페이서	반도체 패키지 구조에서 칩 간 간격을 유지하고 열 전달 경로를 형성하는 구조 부품으로, 전력 반도체 패키지에서는 열 방출과 열팽창 응력 완화를 위한 핵심 방열 부품으로 사용됨.

48	Stamping	스탬핑	판재 성형 가공 방법의 하나로 프레싱(Pressing) 이라고도 함.

49	Wire Cutting	와이어 컷팅	두 전극 사이에 방전을 일으킬 때 생기는 에너지를 이용해서 가공하는 방법

50	Delamination	딜라미네이션(박리)	제조 공정과 보관에서 습도 환경에 노출되었을 경우 습기가 Mold 패키지에 흡수되는 현상

51	Wire Bonding	와이어 본딩	집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정.

52	Soldering	솔더링	450°C 이하의 녹는점을 지닌 보충물(일반적으로 땜납)을 사용하여 끊어진 두 개 이상의 물질을 결합하는 과정

53	Block Bonding	블록 본딩	반도체 칩과 패키지 기판을 연결하는 데 사용되는 금속 블록을 이용하는 접합 방식

54	Clip Bonding	클립 본딩	반도체 칩과 패키지 기판을 연결하는 데 사용되는 금속 클립을 이용하는 접합 방식

다. 주요 사업의 개요

당사의 주요 사업 부문은 다음과 같이 요약할 수 있습니다.(1) 저열팽창·고방열 소재고온 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하는 저열팽창·고방열 소재를 개발하여 반도체 패키지의 열 관리 성능과 신뢰성을 향상시키고 있습니다.(2) 써멀 매칭(Thermal Matching) 반도체 패키지반도체 칩과 패키지 간 열팽창 계수를 정밀하게 매칭(Matching)하여 고온 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 지원하는 반도체 패키지를 개발·생산하고 있습니다.(3) 전력 반도체용 방열 스페이서(Spacer)SiC 전력 반도체 등 고전력 반도체 패키지에 적용되는 방열 스페이서를 개발하여 고전력 환경에서 발생하는 열을 효과적으로 분산시키고 반도체의 신뢰성을 향상시키고 있습니다.(4) 콜드 플레이트 및 냉각 시스템전력 반도체 패키지의 열 관리를 위한 콜드 플레이드 및 냉각 장치를 설계·제조하여 고출력 반도체 시스템의 열 관리 솔루션을 제공하고 있습니다.

반도체 산업은 인공지능(AI), 데이터센터, 전기차(EV) 및 산업 자동화 등 고전력·고집적 응용 분야의 확대에 따라 전력 효율과 열 관리 기술의 중요성이 지속적으로 증가하고 있습니다. 이러한 환경에서 반도체 패키지는 단순한 보호 및 연결 기능을 넘어 반도체 성능과 신뢰성을 좌우하는 핵심 기술 요소로 자리 잡고 있습니다.

당사는 저열팽창(Low CTE) 및 고열전도(High Thermal Conductivity) 특성을 동시에 구현하는 소재 기술과 반도체 패키징 구조 설계 기술을 기반으로 RF 통신, 전력 반도체, 레이저 및 광반도체 등 다양한 분야에 적용되는 반도체 패키지 및 방열 부품을 개발·생산하고 있습니다.

특히 AI 데이터센터 및 전력 반도체 시장 확대에 따라 고전력 반도체 패키징에서 요구되는 열 관리 기술의 중요성이 증가하고 있으며, 당사는 이러한 시장 변화에 대응하여 반도체 패키징용 열 관리 소재 및 구조 부품 분야에서 기술 경쟁력을 지속적으로 강화하고 있습니다.

앞으로도 당사는 반도체 패키징 분야에서 축적된 소재 기술과 구조 설계 기술을 기반으로 고성능 반도체 패키징 시장에서 경쟁력을 강화하고 글로벌 반도체 산업의 발전에 기여할 것입니다.