코스텍시스 분기보고서 (2023.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

당사는 기업부설연구소를 설립하여 핵심기술 및 제품을 개발하고 개발된 모든 제품을 사업화하는 것을 목표로 연구개발과제를 수행해왔습니다. 또한, 사업성이 확인된 제품은 자체적인 개발을 통하여 제품의 다양화와 성능을 개선하고 있습니다. 가. 연구조직

[기업부설연구소 부문별 주요업무]

구분	부문	주요업무

기업부설연구소	연구소장	연구 개발기획 및 연구 총괄

선행 연구팀	선행 제품 연구개발방열 신소재 연구개발중장기 제품 Line up관리

PKG 개발팀	개발 프로젝트 기획 및 관리
시장동향 자료 수집 및 분석
공정개발 및 시운전 테스트

소재, 시제품 개발팀	방열 소재 개발
하이브리드 소재 개발
열물성, 신뢰성 시험

연구 기획팀	정부과제 기획 및 관리
지적 재산권 관리
선도 기술 개발

나. 주요 연구개발 수행 실적 [신기술 연구개발 완료 현황]

연구과제명	개발 기간	주관기관	관련기관

GaN용 RF PKG 개발	'17.07.20~'19.10.20	㈜코스텍시스	수요기관 : NXP

ACP1230 패키지 Flange 개발(자체과제)	'19.09.20~'21.08.16	㈜코스텍시스	수요기관 : NXP

MMIC Flange 타입 패키지 개발(자체과제)	'21.01.01~'21.12.31	㈜코스텍시스	수요기관 : 국내/국외 주요 MMIC 업체

OM780 패키지 Flange 개발	'21.12.20~'22.6.20	㈜코스텍시스	수요기관 : NXP

[정부 연구과제 수행실적(단위 : 천원)]

연구과제명	주관부서	연구기간	정부출연금	관련제품	비고

GaN, SiC 파워 디바이스용 열전도율 500W/m·K급 Al-Dia. 복합소재의 방열 패키지 개발	산업통상
자원부	'12.12.11~ '14.04.10	1,220,000	고출력 RF 패키지	수행완료
(자체 추가진행)

LiDAR 부품 Laser Diode용 Clad 소재 및 패키지 개발	중소벤처
기업부	'19.06.17 ~'20.06.16	267,349	레이저 다이오드	수행
완료

5G 통신을 위한 3.7GHz 300W급 고출력 GaN 파워 트랜지스터 기술 및 전력증폭기 개발	과학기술정보통신부	'20.04.01~'22.12.31	3,000,000	5G 전력증폭기	진행중

EV/HEV 전력반도체의 냉각시스템을 위한 방열소재 및 부품개발	중소기업기술정보진흥원	'20.06.29 ~'20.06.28	500,000	파워모듈용
스페이서	수행
완료

5G mmWave 전력증폭기용 다층 금속과 폴리머 융합의 Metal Guide Coaxial Type QFN(Quad Flat No Lead) 패키지 개발	한국산업단지공단	'21.07.01~'22.12.31	505,000	QFN 패키지	진행중

다. 연구개발비용(단위 :천원 )

과 목	제4기 3분기(2023연도)	제3기말(2022연도)	제2기말(2021연도)

원 재 료 비	254,462	50,354

인 건 비	321,184	418,656	308,448

감 가 상 각 비

위 탁 용 역 비

기 타	101,457	75,156	72,706

연구개발비용 계	422,641	748,374	431,508

회계처리	판매비와 관리비	422,641	748,374	381,154

제 조 경 비

개발비(무형자산)	50,354

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	5.55%	2.95%	4.16%

라. 지적재산권 소유 내역

번호	출원/등록	출원 등록자	특허/프로그램명	국가명	출원 등록일

1	등록	㈜코스텍시스	메탈베이스 및 그 제조 방법	일본	2013.12.27

2	등록	㈜코스텍시스	소자패키지	대한민국	2015.02.05

3	등록	㈜코스텍시스	탄화규소, 전기 전도성 성분의 흑연 및 금속입자를 포함하는 히터용 조성물 및 히터	대한민국	2017.10.26

4	등록	㈜코스텍시스	습기 차단 기능을 갖는 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2020.02.13

5	등록	㈜코스텍시스	입출력회로가 내장된 전력증폭기용 패키지의 제조방법	대한민국	2020.06.26

6	등록	㈜코스텍시스	클립 기반 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2020.08.31

7	등록	㈜코스텍시스	플랫 노리드 패키지	대한민국	2020.12.10

8	등록	㈜코스텍시스	고방열 반도체 디바이스 패키지 및 고방열 반도체 디바이스 패키지를 형성하는 방법	대한민국	2020.12.24

9	등록	㈜코스텍시스	방열소재 및 양면냉각 파워모듈	대한민국	2021.01.14

10	등록	㈜코스텍시스	반도체 디바이스 패키지	대한민국	2021.02.16

11	등록	㈜코스텍시스	고방열 플라스틱 큐에프엔 패키지	대한민국	2021.03.03

12	등록	㈜코스텍시스	고방열 플라스틱 패키지	대한민국	2021.04.29

13	등록	㈜코스텍시스	고방열 큐에프엔 패키지	대한민국	2021.05.27

14	등록	㈜코스텍시스	스템 유닛 및 반도체 레이저 다이오드 패키지	대한민국	2021.06.10

15	등록	㈜코스텍시스	플립 칩 본딩 기반 반도체디바이스 패키지	대한민국	2021.09.17

16	등록	㈜코스텍시스	입출력회로가 내장된 전력 증폭기용 패키지의 제조방법	대한민국	2022.06.28

17	등록	㈜코스텍시스	클립 기반 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2022.07.18

18	등록	㈜코스텍시스	방열소재 및 양면냉각 파워모듈	대한민국	2023.01.19

19	출원	㈜코스텍시스	하이브리드 고방열 쿼드 플랫 패키지 및 하이브리드 고방열 쿼드 플랫 패키지를 제조하기 위한 방법	대한민국	2022.04.15

20	출원	㈜코스텍시스	가이드 타입 플랜지 패키지 및 가이드 타입 플랜지 패키지를 제조하기 위한 방법	대한민국	2022.05.03

21	출원	㈜코스텍시스	회로기판의 제조방법 및 회로기판	대한민국	2023.07.23

마. 연구개발계획

(1) SiC전력반도체용 초고방열 Spacer개발현재 당사와 일본 경쟁기업에서 개발 완료한 Spacer의 열전도율이 240W/m.k급으로 매우 높은 수준의 방열특성을 갖고있으나 본 개발을 통하여 경쟁력을 한층 높일 수 있도록 열전도율 340W/m.k급의 Spacer를 개발하여 글로벌 시장 진입 및 확장성 강화를 기대하고 있습니다.(2) MMIC Quad Flat 타입 패키지 개발

본 개발 제품은 고출력 GaN MMIC를 QFN 패키지에 적용시 발생하는 발열을 효과적으로 제어하기 위한 목적으로 개발하고 있습니다. 기존 QFN 패키지로 고출력 GaN MMIC의 발열을 제어하기 위해 사용자들은 실장되는 PCB면에 열전도가 좋은 구리를 삽입하여 QFN 패키지와 열접점을 보강하여 부품의 열특성을 개선 QFN이 갖고 있는 소형/경량 특징에 방열을 용이하게 활용할 수 있는 구조가 특징인 제품을 개발 중에 있습니다.

이 패키지는 고출력 GaN MMIC 패키지의 소형화 시장 진입과 고출력 QFN 시장 대체가 가능하고, 방열 소재와 패키지의 국산화 개발 및 자체 생산을 통해 다양한 고객의 요구 규격을 만족시킬 수 있는 장점이 있습니다.

(3) 써멀 매칭 Heat Spreader(냉각 기판) 개발반도체 산업이 SiC,GaN등 고성능 반도체의 상용화가 빨라지면서 반도체에서 발생하는 열로 인한 열충격에 견딜 수 있는 냉각 시스템에 대한 긴급한 요구에 직면해 있습니다. 열팽창 계수(CTE)가 낮은 금속 복합 재료는 반도체 칩과 냉각 기판 사이의 열팽창 불일치를 극복하기 위해 사용할 수 있으나 대부분 열 전도율이 낮아서 반도체 냉각 시스템에서의 적용이 제한적입니다. 열전도율이 높은 구성 요소의 비율을 늘리면 금속 복합 재료는 열전도율이 향상될 수 있지만 대부분 열팽창 계수(CTE)도 증가합니다. 본 개발은 높은 열 전도성과 낮은 열팽창 계수(CTE)를 사용하여 열을 분산시키는 동시에 열팽창 불일치를 낮추는 "써멀 매칭 Heat Spreader(냉각 기판)"를 개발 중에 있습니다.