코스텍시스 분기보고서 (2026.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

당사는 기업부설연구소를 운영하여 핵심 기술 및 신제품 개발을 추진하고 있으며, 개발된 기술과 제품의 사업화를 통해 회사의 경쟁력 강화를 도모하고 있습니다. 또한 사업성이 확인된 제품에 대해서는 고객사의 요구사항을 반영한 양산 공정을 개발하여 안정적인 생산 및 공급 체계를 구축하고 있습니다. 가. 연구조직

[기업부설연구소 부문별 주요업무]

구분	부문	주요업무

기업부설연구소	연구소장	연구 개발기획 및 연구 총괄

선행 연구팀	선행 제품 연구개발방열 신소재 연구개발중장기 제품 Line up관리

PKG 개발팀	개발 프로젝트 기획 및 관리
시장동향 자료 수집 및 분석
공정개발 및 시운전 테스트

소재, 시제품 개발팀	방열 소재 개발
하이브리드 소재 개발
열물성, 신뢰성 시험

연구 기획팀	정부과제 기획 및 관리
지적 재산권 관리
선도 기술 개발

나. 주요 연구개발 수행 실적[신기술 연구개발 완료 현황]

연구과제명	개발 기간	주관기관	관련기관

GaN용 RF PKG 개발	'17. 7. 20.~'19. 10. 20.	㈜코스텍시스	수요기관: NXP

ACP1230 패키지 Flange 개발(자체과제)	'19. 9. 20.~'21. 8. 16.	㈜코스텍시스	수요기관: NXP

MMIC Flange 타입 패키지 개발(자체과제)	'21. 1. 1.~'21. 12. 31.	㈜코스텍시스	수요기관: 국내/국외 주요 MMIC 업체

OM780 패키지 Flange 개발	'21. 12. 20.~'22. 6. 20.	㈜코스텍시스	수요기관: NXP

[정부 연구과제 수행실적(단위 : 천원)]

연구과제명	주관부서	연구기간	정부출연금	관련제품	비고

GaN, SiC 파워 디바이스용 열전도율 500W/m·K급 Al-Dia. 복합소재의 방열 패키지 개발	산업통상자원부	'12. 12. 11.~ '14. 4. 10.	1,220,000	고출력 RF 패키지	수행완료
(자체 추가진행)

LiDAR 부품 Laser Diode용 Clad 소재 및 패키지 개발	중소벤처기업부	'19. 6. 17. ~'20. 6. 16.	267,349	레이저 다이오드	수행완료

5G 통신을 위한 3.7GHz 300W급 고출력 GaN 파워 트랜지스터 기술 및 전력증폭기 개발	과학기술정보통신부	'20. 4. 1.~'22. 12. 31.	3,000,000	5G 전력증폭기	수행완료

EV/HEV 전력반도체의 냉각시스템을 위한 방열소재 및 부품개발	중소기업기술정보진흥원	'20. 6. 29. ~'20. 6. 28.	500,000	파워모듈용
스페이서	수행완료

5G mmWave 전력증폭기용 다층 금속과 폴리머 융합의 Metal Guide Coaxial Type QFN(Quad Flat No Lead) 패키지 개발	한국산업단지공단	'21. 7. 1.~'22. 12. 31.	505,000	QFN 패키지	수행완료

다. 연구개발비용(단위 :천원 )

과목	제7기 1분기	제6기	제5기	비고

연구개발비용 계	226,752	880,359	1,049,522	-

(정부보조금)	202,416	578,460	364,369	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	4.16%	5.78%	7.38%	-

라. 지적재산권 소유 내역

번호	출원/등록	출원 등록자	특허/프로그램명	국가명	출원 등록일

1	등록	㈜코스텍시스	메탈베이스 및 그 제조 방법	일본	2013. 12. 27.

2	등록	㈜코스텍시스	소자패키지	대한민국	2015. 2. 5.

3	등록	㈜코스텍시스	탄화규소, 전기 전도성 성분의 흑연 및 금속입자를 포함하는 히터용 조성물 및 히터	대한민국	2017. 10. 26.

4	등록	㈜코스텍시스	습기 차단 기능을 갖는 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2020. 2. 13.

5	등록	㈜코스텍시스	입출력회로가 내장된 전력증폭기용 패키지의 제조방법	대한민국	2020. 6. 26.

6	등록	㈜코스텍시스	클립 기반 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2020. 8. 31.

7	등록	㈜코스텍시스	플랫 노리드 패키지	대한민국	2020. 12. 10.

8	등록	㈜코스텍시스	고방열 반도체 디바이스 패키지 및 고방열 반도체 디바이스 패키지를 형성하는 방법	대한민국	2020. 12. 24.

9	등록	㈜코스텍시스	방열소재 및 양면냉각 파워모듈	대한민국	2021. 1. 14.

10	등록	㈜코스텍시스	반도체 디바이스 패키지	대한민국	2021. 2. 16.

11	등록	㈜코스텍시스	고방열 플라스틱 큐에프엔 패키지	대한민국	2021. 3. 3.

12	등록	㈜코스텍시스	고방열 플라스틱 패키지	대한민국	2021. 4. 29.

13	등록	㈜코스텍시스	고방열 큐에프엔 패키지	대한민국	2021. 5. 27.

14	등록	㈜코스텍시스	스템 유닛 및 반도체 레이저 다이오드 패키지	대한민국	2021. 6. 10.

15	등록	㈜코스텍시스	플립 칩 본딩 기반 반도체디바이스 패키지	대한민국	2021. 9. 17.

16	등록	㈜코스텍시스	입출력회로가 내장된 전력 증폭기용 패키지의 제조방법	대한민국	2022. 6. 28.

17	등록	㈜코스텍시스	클립 기반 반도체 디바이스 패키지	대한민국	2022. 7. 18.

18	등록	㈜코스텍시스	방열소재 및 양면냉각 파워모듈	대한민국	2023. 1. 19.

19	등록	㈜코스텍시스	하이브리드 방열 쿼드 플랫 패키지 및 하이브리드 방영 쿼드 플랫 패키지를 제조하기 위한 방법	대한민국	2023. 10. 31.

21	등록	㈜코스텍시스	가이드 타입 플랜지 패키지 및 가이드 타입 플랜지 패키지를 제조하기 위한 방법	대한민국	2024. 3. 14.

21	출원	㈜코스텍시스	하이브리드 고방열 쿼드 플랫 패키지 및 하이브리드 고방열 쿼드 플랫 패키지를 제조하기 위한 방법	대한민국	2022. 4. 15.

22	출원	㈜코스텍시스	회로기판의 제조방법 및 회로기판	대한민국	2023. 7. 23.

23	출원	㈜코스텍시스	단일 핀을 이용한 휜형 방열판 제조방법	대한민국	2024. 2. 1.

24	출원	㈜코스텍시스	반도체 패키지를 냉각하기 위한 리드 및 반도체 패키지	대한민국	2024. 2. 1.

25	출원	㈜코스텍시스	핀-휜형 방열판 및 반도체 패키지	대한민국	2024. 2. 1.

26	출원	㈜코스텍시스	표면 그루브 채널형 방열판	대한민국	2024. 3. 5.

27	출원	㈜코스텍시스	수직형 션트 저항 및 수직형 션트 저항을 제조하기 위한 방법	대한민국	2024. 4. 9.

28	출원	㈜코스텍시스	3층형 수직 션트 저항, 전력반도체 및 3층형 수직 션트 저항을 제조하기 위한 방법	대한민국	2024. 11. 5.

29	출원	㈜코스텍시스	2층형 수직 션트 저항, 전력반도체 및 2층형 수직 션트 저항을 제조하기 위한 방법	대한민국	2024. 11. 5.

30	출원	㈜코스텍시스	반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 반도체 패키지	대한민국	2024. 11. 5.

마. 연구개발계획

당사는 저열팽창·고방열 소재 기술과 정밀 반도체 패키징 구조 설계 기술을 기반으로 RF 통신용 반도체, 레이저 반도체 및 전력 반도체 패키지에 적용되는 방열 소재 및 구조 부품 분야의 연구개발을 지속적으로 추진하고 있습니다.

특히 고출력 반도체의 안정적인 동작을 위해 요구되는 열팽창 계수(CTE) 제어 기술과 고열전도 방열 구조 설계 기술을 핵심 역량으로 확보하고 있으며, 이를 기반으로 AI 데이터센터 및 전력 반도체 시장 확대에 대응하는 반도체 패키징용 열 관리(Thermal Management) 기술 개발을 지속적으로 확대해 나갈 계획입니다.

또한 3D 패키징 구조 및 Block Bonding 기반 첨단 패키징 기술 개발을 통해 고출력 반도체 패키징에서 요구되는 전기적 성능과 열 관리 성능을 동시에 향상시키는 연구개발을 추진하고 있습니다.

아울러 당사는 열전도율 320 W/m·K 수준의 High Thermal Metal-Ceramic 패키지 플랫폼을 기반으로 AI 데이터센터 및 고성능 반도체 패키징 시장으로 적용 영역을 확대하고 있으며, 고집적·고출력 반도체 환경에서 요구되는 차세대 열 관리 솔루션 개발을 지속적으로 추진하고 있습니다.