코스텍시스 사업보고서 (2022.12)
1. 사업의 개요

당사는 「자본시장과 금융투자업에 관한 법률」 (이하 “자본시장법”) 제373조에 따라 회사의 주권을 한국거래소 코스닥시장에 상장한 후 다른 회사와 합병하는 것을 유일한 사업목적으로 하고 있으며, 그 외 별도의 사업을 영위하지 않습니다.

가. 합병 개요

(1) 합병 형태

당사는 영업양수 혹은 지분취득 등이 아닌 순수 합병 방식으로 그 합병 방식이 제한되며, 상법상 간이합병이나 소규모 합병을 할 수 없습니다. 상법 제542조에 따른 신설합병의 방식으로 합병할 수 없으며, 자본시장법 제9조 제15항 제4호에 따른 주권비상장법인과 합병하는 경우 당사가 소멸하는 방식으로 합병할 수 없습니다.

또한, 자본시장법 시행령 제176조의5 제1항 각호에 따라 산정된 합병가액 또는 최근사업연도말 현재 재무상태표상 자산총액(합병대상법인이 다수인 경우 각 합병대상법인의 합병가액 또는 자산총액을 각각 합산한 가액)

이 자본시장법 시행령 제6조 제4항 제14호 가목에 따라 예치기관 등에 예치 또는 신탁된 금액의 100분의 80이상이어야 합니다.

이에 당사 정관은 다음과 같이 합병의 방식은 기업결합방식 합병으로 한정하고 있습니다.

정관 제58조(합병대상법인의 규모 및 합병제한)

① 합병대상법인의 자본시장법 시행령 제176조의5 제1항 각 호에 따라 산정된 합병가액 또는 최근 사업년도말 현재 재무상태표상 자산총액이 예치자금 100분의 80 이상이어야 한다. 이 경우 합병대상법인이 다수인 경우에는 각 법인의 합병가액 또는 자산총액을 각각 합산한 금액을 기준으로 한다.
② 주권의 최초 모집 이전에 협상이 진행되고 있거나 잠정적으로 정해진 합병대상법인이 존재하지 아니하여야 한다.
③ 이 회사는 상법 제542조에 따른 신설합병의 방식으로 합병할 수 없으며, 자본시장법 제9조 제15항 제4호에 따른 주권비상장법인과 합병하는 경우 이 회사가 소멸하는 방식으로 합병할 수 없다. [후략]

당사는 2023년 2월 15일 합병을 위한 임시주주총회에서 (주)코스텍시스와의 합병이 가결되었으며, 코스닥시장 상장법인인 교보10호기업인수목적㈜가 비상장법인인 ㈜코스텍시스를 흡수합병하는 방법으로 진행됩니다. 따라서 교보10호기업인수목적㈜는 존속하고 ㈜코스텍시스는 소멸하게 됩니다.

(2) 합병 일정

당사는 2020년 04월 28일 설립되었으며, 기업공개를 통하여 최초로 모집한 주권의 주금납입일로부터 36개월 내에 다른 법인과의 합병등기를 완료해야 합니다. 이에 2022년 12월 28일 (주)코스텍시스와의 합병을 위한 증권신고서를 제출하였습니다.

당사가 타 법인과 합병하는 경우, 합병절차는 상법 및 자본시장법상 주식회사의 합병절차에 따라 다음과 같이 진행됩니다.

합병계약체결, 이사회결의 → 공시 및 주요사항보고서 제출 → 합병상장(예비)심사
→ 증권신고서 제출 및 효력발생 → 주총결의 및 합병등기

당사가 다른 법인과 합병계약을 체결하는 이사회결의를 한 경우 사유발생 당일에 동 내용을 거래소에 신고하여야 하며, 사유 발생일 다음날까지 합병계약서, 외부평가기관의 평가의견서, 이사회의사록 등이 첨부된 합병내용에 관한 주요사항보고서를 금융위원회에 제출하여야 합니다.

비상장법인과 합병하고자 하는 경우, 합병 이사회결의가 있는 경우 지체 없이 합병대상 비상장법인의 상장적격성 심사를 위한 합병상장예비심사청구서를 거래소에 제출하여야 하며, 동 청구내용을 토대로 거래소는 합병 대상 비상장법인의 상장 적격성에대한 심사를 실시하게 됩니다.

비상장법인의 상장적격성을 인정받은 경우 자본시장법 및 증권의 발행 및 공시 등에 관한 규정에 따라 증권신고서를 금융위원회에 제출하여야 하며, 금융위원회에서 동 신고서에 대한 수리가 이루어지고 신고서의 효력이 발생하면 의결권을 행사할 주주를 확정하고 동 주주들을 대상으로 주주총회 소집을 통지하는 등의 주주총회 절차를 진행하게 됩니다.

합병 주요 일정

이사회 결의일	2022년 08월 31일

계약일	2022년 08월 31일

주주총회를 위한 주주확정일	2023년 01월 12일

승인을 위한 주주총회일	2023년 02월 15일

주식매수청구권행사 기간 및 가격	시작일	2023년 02월 15일

종료일	2023년 03월 08일

(주식매수청구가격-회사제시)	합병법인 : 2,053원피합병법인 : 12,845원

합병기일 등	2023년 03월 20일

(3) 합병대가 지급수단

합병기일 현재 피합병회사인 ㈜코스텍시스의 주주명부에 기재되어 있는 보통주 및 우선주식 보유 주주에 대하여 ㈜코스텍시스의 보통주식(액면금액 500원) 1주당 합병회사인 교보10호기업인수목적㈜의 보통주식(액면금액 100원) 6.4225000주를 교부합니다.

당사와 주권상장법인과 혹은 주권비상장법인과의 합병가액 산정은 「자본시장과 금융투자업에 관한 법률 시행령」제176조의5,「증권의 발행 및 공시 등에 관한 규정」제5-13조 및 「동규정 시행세칙」 제4조부터 제8조에 따라 산정하였으며, 산정 산식은 아래와 같습니다.

(가) 주권상장법인과의 합병

주권상장법인 간 합병의 경우에는 합병을 위한 이사회 결의일과 합병계약을 체결한 날 중 앞서는 날의 전일을 기산일로 한 다음 각 목의 종가를 산술평균한 가액과, 다목의 종가 중 낮은 가액으로 합니다. 이 경우 가목 및 나목의 평균종가는 종가를 거래량으로 가중산술평균하여 산정합니다.

가. 최근 1개월간 평균종가. 다만, 산정대상기간 중에 배당락 또는 권리락이 있는 경우로서 배당락 또는 권리락이 있은 날부터 기산일까지의 기간이 7일 이상인 경우에는 그 기간의 평균종가로 합니다.
나. 최근 1주일간 평균종가
다. 최근일의 종가

(나) 주권비상장법인과의 합병

1) 금융위원회가 정한 특정 요건을 갖추지 않은 경우

주권상장법인은 합병을 위한 이사회 결의일과 합병계약을 체결한 날 중 앞서는 날의전일을 기산일로 한 다음 각 목의 종가를 산술평균한 가액과 다목의 종가 중 낮은 가액으로 합니다. 이 경우 가목 및 나목의 평균종가는 종가를 거래량으로 가중산술평균하여 산정합니다.

가. 최근 1개월간 평균종가. 다만, 산정대상기간 중에 배당락 또는 권리락이 있는 경우로서 배당락 또는 권리락이 있은 날부터 기산일까지의 기간이 7일 이상인 경우에는 그 기간의 평균종가로 합니다.
나. 최근 1주일간 평균종가
다. 최근일의 종가

다만, 상기 가격이 자산가치에 미달하는 경우에는 자산가치로 할 수 있습니다. 주권비상장법인은 자산가치와 수익가치를 가중산술평균한 가액과 상대가치의 가액을 산술평균한 가액으로 하되, 상대가치를 산출할 수 없는 경우에는 자산가치와 수익가치를 가중산술평균한 가액으로 합니다. 자산가치와 수익가치의 산정방식은「증권의 발행 및 공시 등에 관한 규정 제5-13조」및「동규정 시행 세칙 제4조부터 제8조」의 규정을 준수합니다.

2) 금융위원회가 정한 특정 요건을 갖춘 경우

1)의 합병가액 산정에 관한 규정에도 불구하고, 법시행령 제176조의5 제3항에 의거하여 금융위원회가 정하여 고시하는 「증권의 발행 및 공시 등에 관한 규정 제5-13조 제4항」에서 규정한 아래 요건을 갖춘 경우에는 주권비상장법인의 합병가액 산정시 당사와 협의하여 정하는 가액으로 할 수 있습니다.

증권의 발행 및 공시 등에 관한 규정 제5-13조 제4항	요건 정리

제3항에서 정하는 투자자 보호 요건은 다음 각 호에서 정하는 요건을 말한다.
1. 기업인수목적회사가 법 제165조의5제2항에 따라 매수하는 주식을 공모가격 이상으로 매수할 것
2. 영 제6조제4항제14호다목에 따른 투자매매업자가 소유하는 증권(기업인수목적회사가 발행한 영 제139조 제1호 각 목의 증권으로 의결권 없는 주식에 관계된 증권을 포함한다)을 합병기일 이후 1년간 계속 소유할 것
3. 주권비상장법인과 합병하는 경우 영 제176조의5제3항제2호나목에 따라 협의하여 정한 가격을 영 제176조의5제2항에 따라 산출한 합병가액 및 상대가치와 비교하여 공시할 것	1. 주식매수청구가격을 공모가 이상으로 정함
2. 기업인수목적회사의 스폰서 보유주식 등을 합병기일 후 1년간 보호예수
3. Valuation 방법에 따른 합병가액을 비교 공시

피합병법인이 되는 (주)코스텍시스는 주권비상장법인인 바, 당사는 상기의 코스닥시장 주권상장법인인 합병법인과 주권비상장법인인 피합병법인의 합병 관련 규정을 적용하여 1주당 합병가액을 산정하였습니다.

또한 합병신주 배정시 발생하는 단주는 우선 당사가 취득하고 합병신주가 추가 상장되어 거래되는 초일의 종가를 기준으로 해당 주주에게 현금으로 지급될 예정입니다.

나. 합병대상회사에 관한 사항(1) 사업 개황

㈜코스텍시스(피합병법인)는 고방열 신소재 기술과 정밀 세라믹 패키지 기술을 기반으로 5G 등 통신용 파워 트랜지스터(Power Transistor)의 세라믹 패키지(Ceramic Package)와 LCP(Liquid Crystal Polymer)패키지 및 QFN(Quad Flat No lead)패키지와 전기자동차의 전력반도체용 방열부품인 스페이서(Spacer) 등을 제조·판매하는 사업을 영위하고 있습니다.

㈜코스텍시스(피합병법인)의 첫 번째 주력 제품은 5G 이동통신, 군수용 레이더(Radar) 등의 RF 트랜지스터 및 RF 전력증폭기에 주로 사용되고 있는 세라믹 패키지로, 대면적의 반도체 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시키고 반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수를 매칭(Matching)시키는 역할을 하는 제품입니다. 두 번째 주력 제품은 반도체 레이저 다이오드용 패키지로서, 레이저를 발생시키는 모듈에 채용되는 반도체 패키지입니다.세 번째는 신제품으로, 전기 자동차의 차세대 반도체인 SiC 전력반도체의 핵심 부품 방열 Spacer를 개발하여 글로벌 자동차 제조 업체 등에 시제품을 납품 중에 있으며, 고객사의 대량 생산시기에 맞추어 시장을 선도할 수 있는 양산기술을 개발하고 있습니다.

반도체 패키지 산업은 제품의 성능이 반도체 전체의 성능과 신뢰성에 크게 연관되어 있기 때문에 신규 진입장벽이 매우 높다는 특징이 있습니다. ㈜코스텍시스(피합병법인)는 고방열 소재 기술을 기반으로 통신용 세라믹 패키지, 레이저 다이오드용 패키지, 전기자동차용 방열 Spacer 등 주력 제품으로 NXP 등 글로벌 시장을 활발하게 확장해 나가고 있으며 생산활동과 영업활동, 연구활동 각 분야에 걸쳐 진취적이고 적극적인 경영전략을 실천하여 당기 3분기 기준 매출액 약 216억원, 영업이익 약 34억원의 경영실적을 달성하였습니다.

㈜코스텍시스(피합병법인)가 거래하는 주요 거래업체는 대부분 해외업체로 당사의 매출 중 대부분이 수출이며 이러한 글로벌 영업활동 영위에 따라 발생가능한 환리스크를 최소화하기 위해 당사는 수출입 등의 경상거래 및 예금, 차입 등의 자금거래시 현지통화로 거래하거나 입금 및 지출통화를 일치시키고 외화 채권의 Nego 등의 노력을 하고 있습니다. 체계적이고 효율적인 외환리스크 관리를 위하여 외환리스크 관리규정과 별도의 전담 인원을 배치하고 있으며, ㈜코스텍시스(피합병법인)는 제품생산에 필요한 원소재의 시세 변동 리스크를 최소화하기 위해 제품 판매가격에 원소재 시세를 연동하는 방법 등의 탄력적인 경영전략을 운용하고 있습니다.

(2) 사업개요[주요 용어 설명]

순 번	영 문	국 문	설 명

1	Compound
Semiconductor	화합물 반도체	화합물 반도체는 원소 주기율표의 두 가지 이상 그룹에 속한 화학 원소로 구성됨.(예. III·V 반도체 SiC, GaN) 다이렉트 에너지 밴드갭, 높은 절연 파괴 전기장, 높은 전자 이동도 등 실리콘에 비해 독특한 소재 특성을 지녀 광자, 고속, 고성능 소자 기술 구현이 가능함. 화합물 반도체 내부의 전자는 실리콘 반도체에 비해 100배 이상 빠른 속도로 처리함

2	Heat Spreader
/ Heat Sink	히트 스프레더	히트 스프레더는 더 뜨거운 소스에서 더 차가운 방열판 또는 열교환기로 열을 전달 역할을 함. PKG의 Flange 또는 Base가 그 역할을 함

3	BAG-8	은납
(브레이징 재료)	은납(BAg)은 은을 함유하는 브레이징 재료이며, 구성비는 Ag72%/Cu28합금화 된 소재이며 융점은 780℃ , 진공브레이징, 수소브레이징에 주로 쓰임

4	Thermal
Properties
Material	열 특성
소재	열전도, 열팽창 및 열응력 등의 고유 특성을 갖는 소재로, 최적의 고방열 PKG제작에 Kovar, Moly, MoCu, WCu, Cu등의 금속소재와 Al2O3, AlN, BeO등의 세라믹 소재가 사용됨

5	GaN
(Gallium Nitride)	질화갈륨	질화갈륨은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드의 재료로 사용되는 반도체임. 최근에는 전력반도체나 레이다 등에도 응용되고 있음

6	GaAs
(Gallium Arsenide)	갈륨비소	갈륨비소의 화합물로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

7	InP
(Indium Phosphide)	인화 인듐	인듐 인화물은 인듐과 인으로 구성된 이진 반도체로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

8	LDMOS
(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)	측면 확산 금속 산화물 반도체	마이크로파 전력증폭기, RF 전력증폭기 및 오디오 전력증폭기를 포함한 증폭기에 사용되며, GaAs 또는 GaN에 비해 최대 전력 이득 주파수가 더 낮음

9	SiC
(Silicon Carbide)	탄화규소	규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체 재료로, 열전도도 특성이 우수하여 방열소재로 활용되고 있음

10	MoCu
(Molybdenum Copper)	몰리카파	구리의 높은 열 전도와 몰리브덴의 낮은 열 팽창 특성을 갖도록 합성한 것으로, 가장 일반적인 몰리브덴 구리 복합 재료 비율은 70/30 및 80/20임

11	WCu
(Tungsten·Copper)	텅스텐카파	텅스텐과 구리의 합성물로 내열성, 내마모성, 고강도, 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

12	Cu-MoCu-Cu
(CPC)
(Copper-Molybdenum
Copper-Copper)	씨피씨	Mo70Cu 합금 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

13	Cu-Mo-Cu
(CMC)
(Copper-Molybdenum-Copper)	씨엠씨	몰리 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

14	Kovar	코바	낮은 열팽창 특징 갖는 니켈-코발트 철 합금으로 세라믹과 금속, 유리와 금속간 접합용으로 사용됨

15	Alumina Ceramic	산화 알루미늄
세라믹	Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, PKG 제조시 절연용 소재 또는 인쇄회로 기판으로 사용됨

16	Package	패키지	외부 환경으로부터 내부 소자를 보호, 외부와 전기적 연결, 그리고 소자에서 발생하는 열을 스프레드 시키는 구조품

17	Transistor(TR)	트랜지스터	전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 3극 반도체 소자임

18	Impedance	임피던스	전기 회로에 교류를 흘렸을 경우에 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 값임

19	Brazing	브레이징	금속재료나 비금속재료의 접합방법의 하나로서 450℃ 이상 모재(Base metal)의 용융점 이하의 온도에서 접합부를 가열하여 모재는 녹이지 않고 브레이징합금(Brazing alloy)만 녹여 모재를 접합하는 기술

20	Hermeticity	밀폐	공기나 가스 등의 기체가 통하지 않는 성질을 의미하며, 패키지의 밀폐 구조는 내부로 공기/수분 등이 들어올 수 없도록 환경 내구성을 강화한 것임

21	Leak Rate	누설량	누설은 내부와 외부 사이에 압력차가 생겨 기체의 흐름이 발생하는데 단위 시간당 흐르는 기체의 양을 의미함

22	Coefficient of
Thermal
Expansion(CTE)	열팽창 계수	열에 의한 변형을 일으키는 재료가 갖는 고유한 성질로 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 늘어난 길이로 척도를 계수로 표시한 것 정의됨

23	Thermal Conductivity	열전도율	열전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 고유한 성질로, 열전도율의 SI 단위는 W/ mㆍK

24	Wettability	젖음성	용융된 솔더가 고체 금속의 표면에 물리, 화학적으로 퍼지는 정도를 말하는 것으로 젖음성이 크면 부착이나 흡착이 증가함

25	He Leak Test	헬륨 누설시험	He(헬륨) Gas를 이용하여 제품의 기밀 성능을 검증하는 것으로, 제품의 누설 여부를 검증하기 위한 비파괴 시험방법

26	Thermal Cycle
Test	정속온도 변화시험	온도변화 혹은 온도변화의 반복이 제품에 주는 영향을 확인하기 위하여 실시하는 시험방법으로, 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험함

27	Thermal Shock Test	열충격 시험	급격한 온도변화에 대한 부품의 저항성을 평가하는 것으로, 극저온(또는 극고온)에 노출된 다음에 중간 온도 없이 짧은 시간 내에 극고온(또는 극저온)에 노출되는 과정을 반복함으로써 급격한 온도변화를 받는다. 이 경우에 제품의 피로고장은 가속됨

28	Baking Test	베이킹 테스트	430ºC 온도에서 금속 표면의 금도금 상태를 확인하는 시험으로 블리스터, 변색, 밀착 등의 불량 현상이 있는지 확인하는 시험

29	RF Communication	알에프 통신	통신 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

30	Thermal Matching	써멀매칭	열평창계수가 다른 소재의 접합시 발생되는 열응력에 따른 변형을 최소화 것임.

31	QFN
(Quad Flat No-lead)	큐에프엔	연결 패드가 4면은 돌출된 집적회로 패키지

32	MMIC
(Monolithic
Microwave Integrated Circuits)	집적회로	하나의 반도체 기판 위에 일괄 공정으로 제작하는 초소형 초고주파 집적회로

33	Die Bonding
/ Die Attach	다이 본딩	반도체 칩을 패키지에 고정시키고 칩과 패키지 간의 전기적 접속이 이루어지게 하기 위한 것

34	Lid	덮개	패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자 및 연결선들을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 덮개

35	Lead Frame	리드프레임	패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자의 전기적 특성을 외부 연결선에 전달해주는 것

36	LCP
(Liquid Crystal Polymer)	액정폴리머	액정의 성질과 플라스틱의 성질을 함께 겸비한 소재로서 사출성형재료로 이용되고 있으며, 용융 시에 액정성을 나타냄

37	Ka-Band	카 대역	26.5-40기가헤르츠의 주파수 대역

38	5G	5G	5세대 무선 네트워크 기술이다. 증강현실, 가상현실, 혼합현실 애플리케이션(AR, VR, MR), 화상회의, 산업 자동화, 자율주행차, 커넥티드 의료기기 등의 분야에 적용

39	Al-Diamond	알루미늄-다이아	알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저팽창, 초고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재

40	LiDAR
(Light Detection and Ranging)	라이다	레이저를 목표물에 비춤으로써 사물까지의 거리, 방향, 속도, 온도, 물질 분포 및 농도 특성 등을 감지할 수 있는 기술

41	EV/HEV
Electric Vehicle
/ Hybrid Electric Vehicle)	전기/하이브리드자동차	전기에너지를 동력원으로 활용하는 자동차

42	mmWave
(Millimeter Wave)	밀리미터파	30~300 기가헤르츠의 전자기 스펙트럼의 무선 주파수 대역

43	Coaxial	동축	중심에 초의 심지와 같이 도체가 있고, 그 주변을 둘러싸는 높은 유전상수를 갖는 유전체와 이를 감싸는 도체로 구성

44	Metal Guide	금속 가이드	동축과 유사한 형상의 구조

45	DBC
(Direct Bonded Copper)	구리직접접합	전력반도체 소자를 접합하는 기판 종류에 대한 접합방식으로 구리(Cu) 층에 산화막을 형성시킨 후, 세라믹에 직접 접합

46	IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)	절연 게이트 양극성 트랜지스터	고전압용 스위칭 소자로써 인버터, 컨버터, 전원공급 장치와 같은 전력전자 쪽에 주로 사용

47	Spacer	스페이서	두 개 사이를 일정하게 유지시키는 역할을 하며, 파워모듈에서는 반도체 소자(chip) 위에 접합하여 chip이 구동 중 발생하는 열을 방출하여 열로 인한 chip 소산을 막아 디바이스를 보호하는 역할을 하며, 열방출이 좋고 Chip과 열팽창 계수가 비슷한 CMC, CPC, CuMo등 소재를 주로 사용함

48	Stamping	스탬핑	판재 성형 가공 방법의 하나로 프레싱(Pressing) 이라고도 함

49	Wire Cutting	와이어 컷팅	두 전극 사이에 방전을 일으킬 때 생기는 에너지를 이용해서 가공하는 방법

50	Delamination	딜라미네이션(박리)	제조 공정과 보관에서 습도 환경에 노출되었을 경우 습기가 Mold 패키지에 흡수되는 현상

51	Wire Bonding	와이어 본딩	집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정

52	Soldering	솔더링	450°C 이하의 녹는점을 지닌 보충물(일반적으로 땜납)을 사용하여 끊어진 두 개 이상의 물질을 결합하는 과정

㈜코스텍시스(피합병법인)가 영위하는 사업부문은 반도체 패키지 단일 사업부문으로당사의 주요 제품 및 서비스를 품목별로 세분화하여 요약하면 아래와 같습니다.

대분류	주요 제품	매출유형	사용용도와 기능 및 특징	비고

통신용 패키지	세라믹 패키지	제품	LDMOS, GaN 디바이스용 패키지
용도 : 4G, 5G 통신 등	-

레이저용 패키지	Cu-Stem	제품	레이저 다이오드용 패키지
용도 : 레이저프린터, Lidar센서 등	-

전력반도체용
패키지	방열 스페이서(Spacer)	제품	저열팽창이면서 고방열 스페이서
용도 : 전기차용 SiC 전력반도체 등	신규사업

(가) 반도체 패키지

반도체 패키징 사업에서 패키지(Package)의 사전적 의미는 '포장된 물품'이며, 반도체 패키징이란 반도체를 기계적 보호, 전기적 연결, 기계적 연결, 열 분산 등 4가지 주요한 역할을 하기 위해 후공정(Back-End Process)하는 기술을 의미합니다

emb00008878092d.jpeg 반도체 패키지의 역할

출처 : 한올출판사반도체를 생산하기 위해서는 여러가지 제조공정과 반도체 재료를 필요로 하는데, 반도체 생산업체 제조공정에 따라 구분하면 크게 전공정(Front-End Process) 업체와 후공정(Back-End Process)업체 등으로 구분할 수 있습니다. 또한 이를 공정구분에 따라 '웨이퍼 재료'와 '패키징 재료'로도 구분하며, 반도체 구성단계에 따라서는 기능재료, 공정재료, 구조재료로 세분화하여 구분할 수 있습니다. 이에 ㈜코스텍시스(피합병법인)는 반도체 패키징에 필요한 구조재료인 반도체 패키지를 생산하는 반도체 후공정 업체라고 할 수 있습니다. [반도체 재료의 종류에 따른 구분]

공정구분	대분류	중분류	재료의 종류	용도

전공정(Front-EndProcess)	웨이퍼재료	기능재료	웨이퍼	칩의 기판

공정재료	포토마스크	석영유리에 회로를 묘화한 회로도의 원판

펠리클	마스크의 입자로 인한 오염 방지를 위한 보호막

포토리지스트	웨이퍼에 회로를 인쇄하기 위한 감광제

공정가스	성막, 에칭, 도핑 등에 사용

화학약품	세정, 에칭 등의 공정에 사용

배선재료	웨이퍼 상에 주입되어 회로로 사용

후공정(Back-EndProcess)	패키징재료	구조재료	반도체 패키지(Substrate)	칩과 외부회로와의 접속을 위한 지지대

본딩와이어	칩과 리드프레임을 연결

봉지재	칩을 밀봉하기 위한 Epoxy수지

기타	언더필 재료, 숄더 볼 등

출처 : 반도체산업협회 「반도체 재료산업」 자료 당사 재구성

(나) 통신용 패키지

㈜코스텍시스(피합병법인)의 주력 제품인 통신용 패키지는 주로 무선통신 시장에 사용되는 RF 통신용 패키지로써, GaN, GaAs, InP 등 화합물 반도체가 실장될 수 있습니다. 또한 화합물 반도체가 안정적으로 작동할 수 있도록 밀폐성(Hermeticity), 방열성(Heat Dissipation), 열팽창 계수의 매칭(CTE Matching) 등이 고려되어 제작되어야 합니다.

㈜코스텍시스(피합병법인)는 이러한 통신용 패키지를 제조하여 NXP(네덜란드-말레이시아공장), WolfSpeed(미국), 중국 Dynax, Innogration, Huatai사 등과 대만 Transcom 등의 주요 업체에 안정적으로 공급하고 있으며, 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), N사(일본) 등이 있습니다.

화합물 반도체가 실장되는 통신용 패키지는 아래와 같은 요구 조건들을 만족시켜야 화합물 반도체 칩이 출력 저하 및 기능을 상실하지 않고 제 역할을 하게 됩니다. 이는RF 무선통신 상에서 심각한 영향을 초래할 수 있으므로 반드시 지켜져야 하는 특성들입니다.

기밀성(Hermeticity)	반도체 패키지 실링 후 헬륨(He) Leak 테스트를 실시하여 헬륨(가스)가 투과되는지 여부를 확인하여 밀폐 여부를 판단하는 작업으로 패키지 내부의 칩을 보호하고 외부와의 접촉이 차단되는 상태를 말합니다.

방열(Heat Dissipation)	반도체 칩이 작동하면 많은 열이 발생하게 되는데 Base material이 이러한 열을 빼주는 역할을 하며 이는 칩의 고장 또는 에러를 예방하는 역할을 하게 됩니다.

열팽창 계수 매칭(CTE-Matching)	화합물 반도체 및 패키지에 사용되는 재료는 열팽창 계수를 갖기 때문에 온도대에 따라 팽창과 수축하는 정도가 다릅니다. 열팽창 계수에 의한 반도체 칩의 딜라미네이션(Delamination)을 방지하기 위해 패키지에 사용되는 소재의 열팽창 계수를 맞추는 것이 중요합니다.

전기적 연결(Electrical Connection)	반도체 칩을 패턴 및 리드프레임 단자로 외부와 연결 구조를 갖게 합니다.

금도금(Soft Gold(Au))	반도체 칩을 실장하여 전기적 연결 구조를 갖기 위한 Die attach 공정, Wire bonding 공정 및 하면의 숄더링(Soldering)이 가능하도록 표면을 금(Au) 도금 처리를 실시합니다.

내열성(Heat Resistance)	고객사에서 보통 칩의 Die attach, Wire bonding 공정이 약 300도에서 이루어 지는데 이를 견딜 수 있는 특성을 가져야 합니다.

내구성(Durability)	미국방성 신뢰성 테스트(MIL Standard)를 만족하는 신뢰성 및 내구성을 갖는 구조를 가져야 합니다.

RF(Radio Frequency)는 주로 무선 통신에 쓰는 3KHz~300GHz의 주파수를 갖는 전자기파로 방송에 사용되는 전파와 각종 무선 통신의 신호를 송수신하는 교류 전류 진동수로 활용하여 정보를 교환하는 통신 방법으로 디지털 위성방송, 무선 이동통신, 무선 LAN, 군사용·기상용 레이더, 위성통신 등 다양한 분야에서 활용되고 있는 기술입니다.RF 통신용 패키지는 반도체 소자로부터 발생하는 열을 방출하기 위해 높은 열전도도를 갖는 방열 소재(Base)와, 특정 유전율을 갖는 세라믹 링 그리고 Gate·Drain 등의전극과 전기적 연결을 위한 단자(Lead Frame)로 구성되며, 이들 재료는 반도체 소자와 열팽창 계수(CTE)를 매칭을 시켜야하기 때문에 열팽창 계수가 낮은 특수한 소재들이며, 또한 Die Attach 공정 및 Wire Bonding 공정 등 반도체 패키징시의 높은 신뢰성 충족을 위해 고순도 니켈(Ni)과 금(Au)으로 표면 처리되어 있으며, 반도체의 다양한 사용 환경에서 장시간 안정적인 작동을 위해 수분침투 방지, 칩 보호 등을 위한 기밀성(Hermeticity)이 유지되고 있습니다.㈜코스텍시스(피합병법인)는 RF 분야에서도 다양한 주파수 대역의 신호 증폭을 위해사용되고 있는 RF 트랜지스터 패키지에 집중하고 있으며, LDMOS RF 트랜지스터부터 GaN(Gallium Nitride)을 사용한 RF 트랜지스터까지 RF 트랜지스터 관련 모든 패키지를 생산하여 글로벌 기업인 NXP사등 국내외 많은 고객사에 공급하고 있으며 수출비중이 90%정도로 미국, 중국, 대만, 유럽 등 해외 영업이 활발하게 확장되고 있습니다.

[㈜코스텍시스의 통신용 패키지 종류]

통신용 패키지 종류	특징

RF 세라믹 패키지	- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 세라믹 패키지
- 세라믹-금속 복합패키지

MMiC 세라믹 패키지	- 고집적화된 고주파용 패키지
- 고주파 특성 최적화
- 5G, 위성통신 등

Intergrated
세라믹 패키지	- 고방열 소재와 Thick film 인쇄기술을 응용하여 임피던스(Impedance) 매칭 회로 설계
- 다양한 회로 패턴의 고주파·고성능의 소형화 패키지를 제공

플랜지(Flange),
캐리어(Carrier)	- 저 열 팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 기판(Substrate)
- 평탄 정밀도 매우 높음
- 고 신뢰성의 금도금 기술 적용 제조

(다) 레이저용 패키지

산업용, 의료용 레이저 기기 등의 레이저 모듈에 사용되는 반도체 패키지로서 IC칩과전자제품 보드까지 전기적인 신호 연결, 밀폐 구조, 방열 구조, 다양한 사용 환경에서장시간 사용할 수 있는 신뢰성 확보 등 기능이 요구되고 있으며 GaAs, InP와 같은 화합물 반도체가 실장됩니다.

이러한 고출력 레이저용 패키지는 Focuslight(중국), QSI(한국) 등 주요 업체에 납품하고 있으며, 대표적인 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), S사(일본) 등이 있습니다. [㈜코스텍시스의 레이저 패키지 종류]

레이저 패키지 종류	특징

C/F-Mount 패키지	- 우수한 방열 특성의 패키지
- 용도 : 고출력 레이저 등

마이크로채널 패키지	- 내부 구조가 마이크로 채널로 냉각 성능이 뛰어난 고출력 레이저용 패키지
- 용도 : 고체 레이저, 화이버 레이저 등

(라) 전력반도체용 패키지

최근 전세계적으로 EV나 HV(PHV, PHEV)의 전기자동차 시장이 확대되고 있는 추세에 있습니다. 이러한 배터리와 모터를 탑재한 전기자동차에는 전력 제어나 전력 변환을 위한 전력반도체가 필수로 사용되고 있습니다. 이에 전기자동차 및 신재생에너지의 전력 변환을 위한 고효율 인버터 기술의 필요성 및 역할이 급증하고 있으며, 현재 대부분 Si(실리콘) 전력반도체 소자가 인버터시스템의 핵심 전력 변환 부품으로 사용되고 있습니다. 그러나 Si 전력반도체의 고속화, 경량화와 동시에 고효율화, 고출력화를 달성하는 것은 점차 한계상황에 이르고 있습니다.

반면에, SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 소자는 기존 실리콘 전력반도체 소자에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복 전압 특성, 우수한 열전도도 등의 특징을 지니고 있습니다. 또한, 고온·고전압에서의 소자 안정성이 우수하고 높은 주파수에서의 동작이 가능하여 기존의 전기·전자 시스템의 신뢰성을 향상시키고, 전력변환효율을 높이며 시스템을 경량화시킬 수 있습니다. 이와 같은 특성을 전기자동차에 적용하고자 국내외 자동차업계 및 관련기관에서 탄화규소(SiC) 소자의 전력반도체 연구개발이 활발하게 진행되고 있으며, 대만 시장조사업체인 TrendForce에 따르면 차량용 SiC 전력반도체 시장은 2022년 10억 7000만달러에서 2026년 39억 4000만달러까지 확대될 것으로 예상하고 있습니다.

emb000088780945.jpg SiC 전력반도체 시장규모

출처 : TrendForce, Jul. 2022

이러한 전력반도체의 경우, 사용 시에 대량의 열이 발생하는데, 열은 전력반도체의 성능 저하 및 수명을 단축시키는 요소이며, 이를 냉각시키기 위해 특수 Heat sink 소재로 제작된 방열 Spacer가 사용되고 있습니다. 고효율, 고신뢰성의 전력반도체 모듈의 제조를 위해서는 파워 모듈의 작동 온도가 증가함에 따라 방열소재와 반도체 소자의 열팽창 계수(CTE)를 매칭시키는 것이 신뢰성을 결정하는 중요한 요소기술이 되고 있습니다.이에 ㈜코스텍시스(피합병법인)에서는 CMC 소재를 연구 개발하여 타사 대비 열팽창 계수가 낮고, 가격 경쟁력을 갖추었으며, 해당 소재를 방열 Spacer에 적용하였습니다. 이와 같이 전력반도체 패키지 시장에서도 ㈜코스텍시스(피합병회사)의 Heat sink 소재와 방열Spacer가 경쟁력을 갖추고 있다고 판단됩니다.

[㈜코스텍시스의 전력반도체용 패키지]

구분	특징

소재 개발	- 2016년 국내 최초로 고방열 소재 양산 기술 개발 및 현재 다양한 소재를 생산하여 RF 패키지에 적용 양산 중임
- 2020년부터 전력반도체용 고방열 소재를 개발하여 글로벌 자동차 업체에 시제품 공급 중임

소재 특성	- 열전도율이 높으면서 열팽창 계수가 낮은 CPC, CMC 등 고방열 소재를 독자 개발 생산 중임
- 전량 일본에서 수입하던 소재를 자체 생산하여 수입 대체 중임

방열 Spacer	- 전력반도체 소자에서 발생 되는 열(Heat)을 효율적으로 방출하는 방열부품(※ 방열 성능은 전기자동차 등의 전력 효율에 영향이 있음)