RF머트리얼즈 분기보고서 (2022.09)
II. 사업의 내용

[주요 용어 설명]

순번	영문	국문	설명

1
(물질)	Chemical
Semiconductor	화합물
반도체	- 반도체는 주기율표의 4족에 있는 원소(Elemental)반도체와 (3족+5족) 또는 (2족+6족) 원소들의 결합으로 이뤄지는 화합물 (Compound)반도체로 분류- 원소 반도체는 한 가지 원소로 구성된 반도체로서 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)이 있음- 화합물 반도체는 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN), 갈륨비소(Gallium Arsenide, GaAs), 인화인듐(Indium Phosphide, InP), 안티 몬화 인듐(Indium Antimonide, InSb) 등과 같이 2가지 이상의 화학 원소로 만들어진 반도체를 뜻함- 화합물 반도체는 주로 광소자, RF(Radio Frequency)소자, 적외선 소자 등으로 사용

2
(물질)	Heat Spreader(Heat Sink)	열 방출
소재	- 열 접촉을 직간접적으로 사용하여 다른 물체로부터 열을 흡수하고 발산하는 환경이나 물체를 나타냄- 화합물반도체로부터 발생한 열을 발산해 주기 위해 패키지(Package, PKG)의 바닥 소재(Base)로 주로 사용

3
(물질)	BAG-8	BAG-8	- 은(Ag) 소재와 구리(Cu) 소재가 각각 72%, 28%의 비율로 합금화된 소재로서, 공정합금(Eutectic)조성을 갖고, 융점이 780도 정도되는 브레이징(Brazing) 소재

4
(물질)	Thermal Characteristic Material	열 특성
소재	- 열전도율이 높거나 열팽창계수가 낮은 소재를 일반적으로 부르는 명칭- 패키지 제조에 주로 채용되는 코바(Kovar), 인바(Invar), 몰리브덴 구리(Molybdenum Copper, MoCu), 텅스텐 구리(Tungsten Copper, WCu)등의 금속소재와 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(Aluminum Nitride, AlN)등의 세라믹 소재가 있음

5
(물질)	GaN	질화갈륨	- 화합물 반도체 재료 및 전력 소자

6
(물질)	GaAs	갈륨비소	- 화합물 반도체 재료 및 전력 소자

7
(물질)	InP	인듐인	- 화합물 반도체 재료 및 전력 소자로, 주로 광 소자로 사용

8
(물질)	InSb	인듐
안티늄	- 화합물 반도체 재료 및 전력 소자로 주로 적외선 소자로 사용

9
(물질)	LDMOS	-	- 전력 증폭기에 사용되는 소자의 일종으로, Si계열의 전력 반도체이며 GaN소자와 경쟁관계에 있는 반도체 소자

10
(물질)	SiC	탄화규소	- 높은 열전달 특성과 낮은 열팽창계수를 갖는 열특성 소재이며, 반도체 재료이자 전력 소자

11
(물질)	MoCu	몰리카파	- 패키지의 바닥소재(Base)에 주로 채용되어, 화합물 반도체로부터 발생하는 열을 방출하는 역할

12
(물질)	WCu	텅스텐
카파	- MoCu와 더불어 패키지의 바닥소재(Base)에 주로 채용되어, 화합물 반도체로부터 발생하는 열을 방출하는 역할

13
(물질)	Cu-MoCu-Cu
(CPC)	씨피씨	- Cu와 MoCu소재를 클래딩(Cladding)접합하여 만든 소재로서, 일본 업체가 주로 생산하는 열 방출(Heat Sink) 소재

14
(물질)	Cu-Mo-Cu
(CMC)	씨엠씨	- Cu와 Mo소재를 클래딩(Cladding)접합하여 만든 소재로서, 중국 업체가 주로 생산하는 열 방출(Heat Sink) 소재

15
(물질)	Super CMC	슈퍼
씨엠씨	- Cu와 Mo소재를 5층 이상 클래딩(Cladding)접합하여 만든 소재로서, 일본업체가 주로 생산하는 열 방출(Heat Sink) 소재

16
(물질)	Kovar	코바	- 열팽창계수가 알루미나 세라믹과 유사한 낮은 열팽창계수(CTE)를 갖는 금속 소재로서, 패키지 제조시 세라믹과 브레이징 접합 또는 글라스 실링 공정에 주로 사용되는 금속 소재로 사용

17
(물질)	Alumina Ceramic	알루미나 세라믹	- Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, 패키지 제조시 절연용 소재로 주로 채용되며, 전기적 연결을 위해 W 또는 Mo소재로 Patter n을 연결하여 사용

18
(물질)	Multi-LayerCeramic	적층
세라믹	- 그린시트(Green Sheet)라는 세라믹 원자재를 여러 층 겹쳐서 쌓고, 인쇄공정,프레스(Press)공정 및 소결(Sintering)공정을 거 쳐 제작하는 2층 이상의 세라믹을 의미하며, 각 층 간의 전기적 연결은 비아홀(Via Hole)이나 케스틸레이션(Castilation)공법 으로 이루어짐

19
(물질)	Green Sheet	그린시트	- 적층세라믹을 만들 때 사용하는 원자재로서, 알루미나 등의 세라믹 파우더와 여러 바인더(Binder)들을 결합하여 반죽 상태로 만들고, 테이프 케스팅(Tape Casting)공정을 통해서 만들어짐

20
(제품)	Package	패키지	- 화합물 반도체를 안착하고 안정적으로 작동할 수 있도록 외부와 전기적인 연결이 되어 있고, 밀폐 구조로 되어 있으며, 반도 체로부터의 열을 빼줄 수 있는 구조로 되어 있는 당사의 주력 생산품

21
(제품)	OpticTransmitter	광송신	- 광통신용 광원과 구동회로 등으로 구성된 송신장치로서, 전기신호를 전기-광변환하여 광 신호를 광섬유를 통해 전송하는 광 모듈

22
(제품)	OpticTransceiver	광
트랜시버	- 광 송신기 및 광 수신기를 하나로 모듈화시킨 것을 의미

23
(제품)	Transisitoer(TR)	트랜지스터l	- 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭 또는 스위치 역할을 하는 반도체 소자

24
(제품)	Butterfly(BTF)PKG	버터플라이
패키지	- 패키지 양쪽에 리드프레임(Lead Frame)이 붙어 있는 형태로, 나비와 같은 모양이라서 붙여진 이름으로, 광통신 모듈에 주로 사용되는 패키지의 한 종류

25
(제품)	InfraredDetector	적외선
센서	- 물체로부터 발생하는 열을 감지하여 야간에도 눈으로 확인할 수 있도록 한 센서의 한 종류로, 적군을 탐지하기 위해 군수용 으로 많이 사용되고 있는 센서 또는 장치

26
(공정)	Brazing	브레이징	- 약 450℃ 이상에서 접합하고자 하는 모재를 용융점(MELTING POINT)이하에서 모재는 상하지 않고 용가재와 열을 가하여 두 모재를 접합하는 고온접합기술
- 용가재(FILLER METAL)를 가지고 접합하는 방법은 크게 웰딩(WELDING), 브레이징(BRAZING), 솔더링(SOLDERING)으로 나 눌 수 있음- 웰딩(WELDING)을 용접, 브레이징(BRAZING)을 경납땜, 솔더링(SOLDERING)을 연납땜으로 말하기도 함

27
(공정)	Glass Sealing	글라스
실링	- 글라스를 녹여서 금속이나 세라믹에 붙이는 방법으로 밀봉(Sealing)하는 공정으로, 밀폐된(Hermetic) 패키지를 제조할 때 브 레이징 공정과 더불어 많이 사용되는 공정 기술

28
(공정)	Wire Bonding	와이어
본딩	- 집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정

29
(공정)	Infiltration	용침	- 열 방출 소재인 MoCu/WCu소재를 제조할 때 사용하는 공정기법으로, 압축된 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)파우더에 액상의 구리(Cu)를 주입시킬 때 사용하는 방법이며, 주로 모세관 현상을 이용한 공정 기법

30
(공정)	Tape Casting	테이프
성형	- 세라믹 그린 시트를 제조하기 위한 공정이름으로, 반죽 상태의 세라믹 원자재를 500um이하의 얇은 테이프 형태로 제조하는 공정

31
(특성)	Hermeticity	밀폐	- 외부로부터 공기/수분 등이 들어 올 수 없도록 한 구조로, 반도체를 보호하고 안정적으로 작동하기 위해서 꼭 필요한 패키지 의 성능인 밀폐도를 표현

32
(특성)	Leak Rate	누설속도	- 헬륨 누설 시험기(He Leak Tester)에 의해 측정된 헬륨가스의 누설량(Leak Rate)를 나타냄- 보통 atm cc/sec 단위를 사용하며, 패키지 기준 Leak Rate는 1x10(-8) atm cc/sec

33
(특성)	Coefficient of Thermal Expansion(CTE)	열팽창
계수	- 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 변화한 재료의 단위길이당 길이의 변화- 열 전도도(thermal conductivity) 및 비열(specific heat)과 더불어 열 전달 현상을 지배하는 주요한 재료 물성치(material proper ty)

34
(특성)	ThermalConductivity	열전도율	- 열 전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 기본적인 물리적 물성치이며, 열전도율의 SI 단위는 W/(mK)

35
(특성)	Solderbility	솔더
젖음성	- 전자 부품 및 패키지 부품과 솔더 물질간의 접합 특성을 평가하는 시험으로 젖음성이 좋다는 의미는 솔더와 결합을 잘한다는 의미

36
(시험)	He Leak Test	헬륨누설시험	- 검사해야 할 제품의 내부를 적절한 진공상태로 만들어 누설을 검사하는 방법으로, 진공상태에서 적절한 양의 헬륨을 누설이 의심스러운 곳에 분사시킨 후 진공 상태가 된 제품의 내부로 헬륨이 유입되게 하여 누설 여부을 검사하며는 누설 감지 방법 이며, 패키지의 밀폐도(Hermeticity)를 측정하는 방법

37
(시험)	Thermal CycleTest	온도싸이클시험	- 제품이 고온과 저온 조건을 견딜 수 있는지, 그리고 고온과 저온에 반복적으로 노출시켰을 때 어떤 영향을 받는지 평가하는 시험- 시료를 TC용 챔버에 장착하고 규정된 수준의 고온과 저온에 반복해서 노출시킴

38
(시험)	Thermal ShockTest	열충격
시험	- 전자 부품 및 패키지 등에 갑자기 고온의 온도를 부여하여 고온에서의 내구성이 있는지를 확인하는 시험

39
(시험)	Baking Test	베이킹
테스트	- 고온 솔더(Solder)의 용융 온도인 약 300 ~ 400℃ 사이의 온도에서 금도금 상태를 확인하는 시험으로, 솔더링 온도에서 작업 시 블리스터/변색/밀착 등의 불량 현상이 있는지 금도금 이후에 확인하는 시험

40
(시험)	MIL STD 883E	군수시험규격	- 군수규격이자, 통신 패키지의 신뢰성를 확인하기 위한 시험방법에 대해 서술한 대표적 시험 규격

41
(용어)	OpticCommunication	광 통신	- 코어(Core)와 클래드(Clad)로 구성된 광섬유를 통해 레이저 빛의 전반사를 이용하여 정보를 주고받는 통신 방식으로, 1970년 대에 실용화 됨

42
(용어)	Optic Receiver	광 수신	- 광 신호를 검출하여 광-전기 변환을 통해 전기 신호로 바꾸고, 이를 통해 원래의 신호를 복원하는 광 모듈의 한 종류- 화합물반도체인 광 다이오드(PIN-PD,APD)를 사용

43
(용어)	RFCommunication	알에프통신	- 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

44
(용어)	Blister불량	블리스터
불량	- 패키지에 니켈(Ni) 또는 금(Au)도금 이후에 베이킹 테스트(Baking Test)시, 도금층이 원자재로부터 분리되어 부풀어 오르는 불량 현상- 원자재와 도금층의 접합이 완전치 않을 때 주로 발생하는 도금 불량의 한 종류

45
(용어)	ROADM	알오에이디엠	- 광 통신 기간망에서 주로 사용되는 용어로, 광 송수신시 광을 분기 또는 병합하는 역할을 하는 광 모듈

46
(용어)	ThermalMatching	써멀
매칭	- 열 팽창계수가 유사한 소재간에 조합이 이루어지는 것을 의미- 비슷한 열 팽창계수를 갖는 소재를 Thermal Matching이 되어있다고 표현