RFHIC 반기보고서 (2024.06)
7. 기타 참고사항

가. 특허, 실용신안 및 상표 등 지적재산권 현황 당사는 현재 총 143건(국내 62건, 해외 81건)의 등록 특허를 보유하고 있으며, 이를 통해 당사는 국내를 비롯한 미국, 유럽, 중국, 일본 등 다양한 국가에서 기술보호를 받습니다. 당사가 영위하는 사업과 관련된 지적재산권(특허권)의 상세 내용은 다음과 같습니다.

번호	내용	권리자	등록일	등록번호	적용제품	출원국가

1	초광대역 특성과 우수한 감쇠도 특성을 가진 디지털감쇠장치	알에프에이치아이씨㈜	2006년 11월 16일	10-0648833	GaN 전력증폭기	한국

2	갈륨나이트라이드(GａN) 트랜지스터를 이용한 고출력하이브리드 스위치 모듈	알에프에이치아이씨㈜	2008년 01월 16일	10-0797014	GaN 전력증폭기	한국

3	광대역 프리 임피던스 매칭 고출력 트랜지스터와 고출력 트랜지스터의 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2008년 08월 22일	10-0855011	GaN 트랜지스터	한국

4	초고주파 단일 집적회로용 초광대역 밀봉 표면 실장 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2008년 11월 18일	10-0870134	GaN 트랜지스터 패키지	한국

5	고출력 반도체 소자 패키지 및 방법	알에프에이치아이씨㈜	2009년 01월 08일	10-0878708	GaN 트랜지스터 패키지	한국

6	갈륨나이트라이드(GａN) 트랜지스터를 이용한 케이블텔레비전 혼성증폭기 모듈	알에프에이치아이씨㈜	2009년 03월 12일	10-0889621	GaN 전력증폭기	한국

7	금속-절연체 전이 소자 및 그 패키지 방법	알에프에이치아이씨㈜	2009년 09월 09일	10-0917600	GaN 트랜지스터 패키지	한국

8	안테나 이득향상을 위한 전도성 구조체 및 안테나	알에프에이치아이씨㈜	2011년 02월 11일	10-1015889	GaN 전력증폭기	한국

9	다이나믹 도허티 전력증폭기	알에프에이치아이씨㈜	2011년 03월 04일	10-1021471	GaN 트랜지스터	한국

10	ＩＳＭ 대역 전자파 흡수체 및 그 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2011년 10월 21일	10-1077557	GaN 전력증폭기	한국

11	고주파 고출력 증폭기	알에프에이치아이씨㈜	2011년 11월 07일	10-1082834	GaN 트랜지스터	한국

12	초고주파 증폭기 및 그것을 위한 바이어스 회로	알에프에이치아이씨㈜	2011년 12월 08일	10-1094359	GaN 전력증폭기	한국

13	도허티 증폭기	에스케이텔레콤 주식회사 알에프에이치아이씨㈜	2011년 12월 15일	10-1097605	GaN 트랜지스터	한국

14	질화갈륨 소자를 이용한 캐스코드 전력증폭기 및 그의 제조 방법	에스케이텔레콤 주식회사 알에프에이치아이씨㈜	2011년 12월 21일	10-1099767	GaN 트랜지스터	한국

15	불균형 도허티 전력 증폭기	알에프에이치아이씨㈜	2012년 06월 25일	10-1161215	GaN 트랜지스터	한국

16	전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2012년 09월 13일	10-1184321	GaN 트랜지스터	한국

17	소신호 수신기 보호 장치	알에프에이치아이씨㈜	2012년 09월 20일	10-1186185	GaN 전력증폭기	한국

18	임펄스 신호기반 초광대역 무선통신 시스템의 효율적 수신구조를 이용한 자동 이득 제어 장치 및 방법	알에프에이치아이씨㈜	2012년 12월 04일	10-1210608	GaN 전력증폭기	한국

19	무선 통신 시스템에서 배열 원형 편파 안테나 및 그 제조 방법	알에프에이치아이씨㈜	2013년 02월 28일	10-1240353	GaN 전력증폭기	한국

20	주파수 이중변환을 이용한 전치보상 선형 증폭 시스템	알에프에이치아이씨㈜	2013년 10월 08일	10-1318344	GaN 전력증폭기	한국

21	전원순차 인가회로	알에프에이치아이씨㈜	2013년 11월 29일	10-1337209	GaN 전력증폭기	한국

22	통신 시스템에서 증폭기, 및 그의 구동 장치 및 방법	알에프에이치아이씨㈜	2014년 05월 22일	10-1400922	GaN 트랜지스터	한국

23	방열 덮개	알에프에이치아이씨㈜	2014년 07월 09일	10-1419872	GaN 트랜지스터 패키지	한국

24	광대역 특성의 반도체 소자 패키지 및 방법	알에프에이치아이씨㈜	2014년 09월 04일	10-1440370	GaN 트랜지스터 패키지	한국

25	광대역 도허티 결합기	알에프에이치아이씨㈜	2014년 12월 04일	10-1471564	GaN 트랜지스터	한국

26	소자의 특성 측정 장치	알에프에이치아이씨㈜	2015년 02월 09일	10-1493618	GaN 트랜지스터	한국

27	광대역 도허티 결합기	알에프에이치아이씨㈜	2015년 06월 18일	10-1531232	GaN 트랜지스터	한국

28	반도체 소자 장착용 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2015년 08월 12일	10-1545555	GaN 트랜지스터 패키지	한국

29	고출력 반도체 소자 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2015년 10월 20일	10-1563212	GaN 트랜지스터 패키지	한국

30	고출력 반도체 소자 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2016년 03월 03일	10-1601829	GaN 트랜지스터 패키지	한국

31	화합물 반도체 증폭기를 이용한 의료 장치	알에프에이치아이씨㈜	2016년 08월 26일	10-1653479	GaN 전력증폭기	한국

32	반사판을 포함하는 무전극 조명장치	알에프에이치아이씨㈜	2017년 05월 10일	10-1736364	GaN 전력증폭기	한국

33	다결정성 cvd 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물	알에프에이치아이씨㈜	2019년 01월 14일	10-1940200	웨이퍼 공정	한국

34	다결정성 cvd 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물	알에프에이치아이씨㈜	2019년 06월 12일	10-1990578	웨이퍼 공정	한국

35	다이아몬드-반도체 복합체 기판의 제조 방법	알에프에이치아이씨㈜	2019년 09월 04일	10-2020432	웨이퍼 공정	한국

36	소자 처리용 반도체-다이아몬드 웨이퍼의 부착 방법	알에프에이치아이씨㈜	2019년 11월 13일	10-2046405	웨이퍼 공정	한국

37	Rf 트랜지스터 패키지 및 이의 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2020년 04월 16일	10-2103461	GaN 트랜지스터 패키지	한국

38	기지국용 및 네트워크 장비용 프런트 엔드 모듈	알에프에이치아이씨㈜	2020년 06월 23일	10-2128112	GaN 전력증폭기	한국

39	고 전자 이동도 트랜지스터	알에프에이치아이씨㈜	2020년 07월 15일	10-2136356	웨이퍼 공정	한국

40	광대역 rf 반도체 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2020년 09월 24일	10-2161854	GaN 트랜지스터 패키지	한국

41	반도체 소자 패키지 및 그 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2020년 10월 01일	10-2163805	GaN 트랜지스터 패키지	한국

42	도파관 전력 결합기	알에프에이치아이씨㈜	2020년 10월 22일	10-2171191	수동소자	한국

43	소형화 된 가이젤 결합기	알에프에이치아이씨㈜	2020년 10월 22일	10-2171190	수동소자	한국

44	주파수 변환이 가능한 마이크로파 가열장치	알에프에이치아이씨㈜	2020년 12월 02일	10-2188673	GaN 전력증폭기	한국

45	고 전자 이동도 트랜지스터	알에프에이치아이씨㈜	2020년 12월 30일	10-2199173	웨이퍼 공정	한국

46	다이아몬드 기판 상 질화 갈륨 반도체 구조체 및 이를 제조하는 공정	알에프에이치아이씨㈜	2021년 02월 22일	10-2220648	웨이퍼 공정	한국

47	신뢰성을 개선한 다이아몬드 기판 상 질화 갈륨 반도체 구조체 및 이를 제조하는 공정	알에프에이치아이씨㈜	2021년 06월 30일	10-2273305	웨이퍼 공정	한국

48	열 확산 및 임피던스 정합을 위한 gan 기반 고출력 트랜지스터 구조체 및 이를 제조하는 방법	알에프에이치아이씨㈜	2021년 06월 30일	10-2273299	GoDi 트랜지스터 패키지	한국

49	Ⅲ족-질화물 및 다이아몬드층을 갖는 웨이퍼	알에프에이치아이씨㈜	2021년 08월 02일	10-2286927	웨이퍼 공정	한국

50	초고주파를 사용한 온수 생성 장치	알에프에이치아이씨㈜	2021년 09월 14일	10-2304441	GaN 전력증폭기	한국

51	Gan 기반 반도체 패키지 및 이를 제조하는 방법	알에프에이치아이씨㈜	2021년 09월 15일	10-2304613	GoDi 트랜지스터 패키지	한국

52	화합물의 합성을 위한 마이크로파 가열 장치	알에프에이치아이씨㈜	2022년 01월 04일	10-2348260	GaN 전력증폭기	한국

53	벌크 탄성파 필터	알에프에이치아이씨㈜	2022년 04월 13일	10-2387605	웨이퍼 공정	한국

54	고주파 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법	알에프에이치아이씨㈜	2022년 05월 04일	10-2396096	GaN 트랜지스터 패키지	한국

55	반사파 측정 유닛 및 이를 이용한 반사파 측정 디바이스	알에프에이치아이씨㈜	2022년 06월 20일	10-2412463	Microwave Generator	한국

56	열 특성의 향상을 위한 여분의 소스 핑거를 갖춘 질화 갈륨 기반 반도체 소자	알에프에이치아이씨㈜	2022년 10월 14일	10-2456658	웨이퍼 공정	한국

57	Ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체 패키징 방법, 및 이를 이용하여 제조된 ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2022년 10월 14일	10-2456653	GaN 트랜지스터 패키지	한국

58	다이아몬드 기판, 다이아몬드 커버, 다이아몬드 플레이트 및 반도체 패키지의 제조 공정, 및 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지	알에프에이치아이씨㈜	2023년 04월 28일	10-2528990	GaN 트랜지스터 패키지	한국

59	잉크젯 인쇄를 이용하는 층상 구조의 제조 및 안테나 내장 집적 회로의 패키징을 위한 방법, 및 이를 이용한 배열 안테나 시스템	알에프에이치아이씨㈜	2023년 04월 28일	10-2529000	GaN 트랜지스터 패키지	한국

60	무전극 전구를 안정화하는 공진기, 이를 이용하는 신호 발생기 및 조명 장치	알에프에이치아이씨㈜	2023년 08월 24일	10-2571870	GaN 전력증폭기	한국

61	반도체 장비 및 제조방법	알에프에이치아이씨㈜	2024년 03월 28일	10-2653704	웨이퍼 공정	한국

62	고출력 마이크로파 신호 생성 구조체	알에프에이치아이씨㈜	2024년 05월 27일	10-2671024	수동 소자	한국

63	Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHIC Corporation	2017년 09월 22일	104756245	GoDi 트랜지스터	중국

64	Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHIC Corporation	2020년 05월 22일	107135666	웨이퍼 공정	중국

65	Method for manufacturing semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHIC Corporation	2020년 09월 22일	107347256	웨이퍼 공정	중국

66	Gallium-nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture	RFHIC Corporation	2020년 11월 20일	107636800	GoDi 트랜지스터	중국

67	Gallium-nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture	RFHIC Corporation	2022년 03월 25일	109716530	GoDi 트랜지스터	중국

68	Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates	RFHIC Corporation	2022년 08월 23일	108475619	GoDi 트랜지스터	중국

69	Rf and milimeter-wave high-power semiconductor device	RFHIC Corporation	2023년 10월 27일	110785929	웨이퍼 공정	중국

70	Method for manufacturing semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates using intermediate nucleating layer	RFHIC Corporation	2024년 04월 19일	111095480	웨이퍼 공정	중국

71	Synthetic diamond heat spreaders	RFHIC Corporation	2016년 08월 05일	5978548	웨이퍼 공정	일본

72	Gallium-nitride-on-diamond wafers and manufacturing equipment and methods of manufacture	RFHIC Corporation	2016년 11월 11일	6035468	웨이퍼 공정	일본

73	Substrates for semiconductor devices	RFHIC Corporation	2016년 11월 18일	6042994	웨이퍼 공정	일본

74	Gallium-nitride-on-diamond wafers and manufacturing equipment and methods of manufacture	RFHIC Corporation	2017년 01월 20일	6078620	GoDi 트랜지스터	일본

75	Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates	RFHIC Corporation	2017년 02월 03일	6085371	GoDi 트랜지스터	일본

76	Handle for semiconductor-on-diamond wafers and method of manufacture	RFHIC Corporation	2017년 12월 22일	6262352	웨이퍼 공정	일본

77	Semiconductor devices with improved reliability and operating life and methods of manufacturing the same	RFHIC Corporation	2018년 11월 02일	6425835	GoDi 트랜지스터	일본

78	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2019년 04월 26일	6516824	웨이퍼 공정	일본

79	Gallium-nitride-on-diamond wafers and manufacturing equipment and methods of manufacture	RFHIC Corporation	2019년 07월 19일	6556842	웨이퍼 공정	일본

80	Substrates for semiconductor devices	RFHIC Corporation	2020년 06월 17일	6718982	GoDi 트랜지스터	일본

81	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2021년 01월 20일	6827020	웨이퍼 공정	일본

82	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2021년 02월 02일	6831785	웨이퍼 공정	일본

83	Method of fabricating diamond-semiconductor composite substrates	RFHIC Corporation	2021년 03월 26일	6858872	웨이퍼 공정	일본

84	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2021년 06월 10일	6895957	GoDi 트랜지스터	일본

85	Having improved reliability and longer service life of the semiconductor device and manufacturing method thereof	RFHIC Corporation	2022년 05월 02일	7066778	GoDi 트랜지스터	일본

86	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2023년 06월 30일	7305721	웨이퍼 공정	일본

87	Electrodeless lighting system including reflector	RFHIC Corporation	2020년 04월 08일	2912685	웨이퍼 공정	유럽

88	Handle for semiconductor-on-diamond wafers and method of manufacture	RFHIC Corporation	2021년 04월 14일	3042389	웨이퍼 공정	유럽

89	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2021년 05월 19일	2936550	GoDi 트랜지스터	유럽

90	Substrates for semiconductor devices	RFHIC Corporation	2021년 05월 19일	3234984	웨이퍼 공정	유럽

91	Method of fabricating diamond-semiconductor composite substrates	RFHIC Corporation	2021년 06월 23일	2870626	웨이퍼 공정	유럽

92	Method of fabricating diamond-semiconductor composite substrates	RFHIC Corporation	2021년 11월 03일	3455883	GoDi 트랜지스터	유럽

93	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2022년 08월 24일	2820173	웨이퍼 공정	유럽

94	Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing	RFHIC Corporation	2022년 09월 07일	3234985	웨이퍼 공정	유럽

95	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2014년 07월 23일	2497665	웨이퍼 공정	영국

96	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2016년 06월 08일	2510468	웨이퍼 공정	영국

97	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2017년 05월 10일	2534674	웨이퍼 공정	영국

98	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2017년 05월 10일	2534675	웨이퍼 공정	영국

99	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2017년 06월 07일	2539780	GoDi 트랜지스터	영국

100	Method of fabricating compound semiconductor device structures having polycrstalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2018년 05월 30일	2518752	웨이퍼 공정	영국

101	Handle for semiconductor-on-diamond wafers and method of manufacture	RFHIC Corporation	2019년 02월 06일	2544563	GoDi 트랜지스터	영국

102	Bulk acoustic wave filter	RFHIC Corporation	2009년 09월 29일	7,595,507	웨이퍼 공정	미국

103	Semiconductor devices with improved reliability and operating life and methods of manufacturing the same	RFHIC Corporation	2012년 10월 09일	8,283,672	웨이퍼 공정	미국

104	Compound semiconductor device structure and manufacturing method thereof	RFHIC Corporation	2012년 10월 09일	8,283,189	웨이퍼 공정	미국

105	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2014년 03월 18일	8,674,405	웨이퍼 공정	미국

106	Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2014년 06월 24일	8,759,134	웨이퍼 공정	미국

107	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2014년 08월 05일	8,796,843	GoDi 트랜지스터 패키지	미국

108	Wafers having iii-nitride and diamond layer and method of manufacturing the same	RFHIC Corporation	2015년 02월 03일	8,945,966	웨이퍼 공정	미국

109	Compound semiconductor device structure and manufacturing method thereof	RFHIC Corporation	2015년 12월 15일	9,214,407	GoDi 트랜지스터 패키지	미국

110	Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing	RFHIC Corporation	2016년 06월 07일	9,359,693	웨이퍼 공정	미국

111	Method for manufacturing diamond semiconductor composite substrate	RFHIC Corporation	2016년 08월 16일	9,418,833	웨이퍼 공정	미국

112	Methods for processing high electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2017년 01월 17일	9,548,257	웨이퍼 공정	미국

113	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2017년 06월 13일	9,679,764	웨이퍼 공정	미국

114	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2018년 01월 02일	9,859,107	GaN 전력증폭기	미국

115	Semiconductor transistor and processing method thereof	RFHIC Corporation	2018년 01월 30일	9,882,007	웨이퍼 공정	미국

116	Bulk acoustic wave filter	RFHIC Corporation	2018년 07월 17일	10,023,974	웨이퍼 공정	미국

117	Wafers having iii-nitride and diamond layers	RFHIC Corporation	2018년 08월 07일	10,043,700	GoDi 트랜지스터	미국

118	Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHIC Corporation	2018년 11월 13일	10,128,107	웨이퍼 공정	미국

119	Substrates for semiconductor devices	RFHIC Corporation	2019년 02월 26일	10,217,827	GoDi 트랜지스터	미국

120	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2019년 05월 21일	10,297,526	웨이퍼 공정	미국

121	Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing	RFHIC Corporation	2019년 06월 11일	10,319,580	웨이퍼 공정	미국

122	Composite wafer comprising temporary handle wafer and semiconductor-on-diamond wafer and method of manufacture	RFHIC Corporation	2019년 10월 15일	10,446,468	웨이퍼 공정	미국

123	Bulk acoustic wave filter	RFHIC Corporation	2020년 03월 10일	10,586,850	웨이퍼 공정	미국

124	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2020년 03월 17일	10,594,298	웨이퍼 공정	미국

125	Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing	RFHIC Corporation	2020년 06월 30일	10,699,896	웨이퍼 공정	미국

126	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2020년 07월 07일	10,707,311	GoDi 트랜지스터	미국

127	High electron mobility transistor (hemt)	RFHIC Corporation	2020년 12월 08일	10,861,947	GoDi 트랜지스터	미국

128	Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing	RFHIC Corporation	2021년 10월 12일	11,146,243	웨이퍼 공정	미국

129	Mounting technology for diamond-bottom semiconductor wafers for plant processing	RFHIC Corporation	2022년 08월 02일	11,404,300	GoDi 트랜지스터	미국

130	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2022년 08월 23일	11,424,328	웨이퍼 공정	미국

131	Template for gallium-nitride-on-diamond wafer deposition	RFHIC Corporation	2022년 10월 18일	11,476,335	웨이퍼 공정	미국

132	Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond	RFHIC Corporation	2022년 11월 15일	11,502,175	웨이퍼 공정	미국

133	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2022년 12월 06일	11,521,957	웨이퍼 공정	미국

134	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2023년 05월 16일	11,652,146	웨이퍼 공정	미국

135	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2024년 02월 13일	11,901,417	웨이퍼 공정	미국

136	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2024년 02월 13일	11,901,418	웨이퍼 공정	미국

137	Semiconductor device and method of manufacture	RFHIC Corporation	2020년 07월 21일	I699818	웨이퍼 공정	대만

138	Method of forming a semiconductor wafer containing a gallium-nitride layer and two diamond layers	RFHIC Corporation	2020년 10월 01일	I706515	웨이퍼 공정	대만

139	Bulk acoustic wave filter	RFHIC Corporation	2021년 02월 11일	I718300	웨이퍼 공정	대만

140	Bulk acoustic filters	RFHIC Corporation	2021년 03월 11일	I721280	웨이퍼 공정	대만

141	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2022년 01월 11일	I752624	웨이퍼 공정	대만

142	Gan/diamond wafers	RFHIC Corporation	2022년 11월 01일	I782559	웨이퍼 공정	대만

143	Wafers having iii-nitride and diamond layers	RFHIC Corporation	2022년 11월 01일	I782560	웨이퍼 공정	대만

주1) 보유 특허는 등록 후 소멸 및 취소가 되는 경우가 있으므로, 작성 시점에 따라 변동사항이 존재할 가능성이 있습니다.

나. 법규, 정부 규제에 관한 사항보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

다 . 환경 관련 규제 사항

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