RFHIC 분기보고서 (2017.09)
II. 사업의 내용

[주요 용어 설명]

용어	설명

자동시험시스템(Automatic Test System)	제품 양산에 사용되는 자동화 시험 장비

증폭기(Amplifier)	신호를 원하는 크기로 확대해주는 장치

능동 전자주사식 위상배열(Active Electronically Scanned Array)	반도체를 활용하여 기존 기계식 레이더를 개선한 최신 레이더 기술

기지국(Base Transceiver Station)	유 무선 변환 및 무선 신호 송/수신 등을 수행하는 장치

양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor)	스위치 개념을 적용한 반도체 소자

대역(Band)	주파수의 물리적 성질과 용도가 동일한 범위의 주파수 간격

항복 전압(Breakdown Voltage)	전류의 흐름을 반대방향으로 변화 시키는 전압

베어 칩(Bare Chip)	트랜지스터를 제작하기 위해 웨이퍼를 가공(절단)한 형태. Bare Die, wafer Die 라고도 함

Chip on Board	인쇄회로기판(PCB) 위에Bare Chip을 직접 붙이는 방식

케이블 텔레비전(Cable Television)	동축케이블 혹은 광케이블을 이용한 유선 텔레비전

화합물 반도체(Compound Semiconductor)	두 가지 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체

소자(Device)	전자 회로의 구성요소가 되는 부품( = Element)

Die Attach	패키지에 Bare Chip(Bare Die)을 부착하는 공정

도허티 증폭기(Doherty Amplifier)	주 증폭기와 보조 증폭기의 위상을 조절하여 출력에서 합성되도록 구성한 고효율 증폭기

전자이동도(Electron Mobility)	금속이나 반도체에서 전자가 얼마나 빨리 움직이는지를 나타내는 정도.

에너지 밴드 갭(Energy bandgap)	전자의 흐름을 제어하기 위해 필요한 에너지. 트랜지스터 특성을 결정하는 중요한 요소이며 에너지 밴드 갭의 크기에 따라 부도체, 반도체, 도체로 나뉨

에피택시얼, 에피(Epitaxial, Epi)	웨이퍼 내지 기판 위에 새로운 층을 적층하여 형성하는 방법

제작(Fabrication)	웨이퍼를 생산 및 가공하는 공정

팹리스(Fabless)	웨이퍼 생산을 제외한 반도체의 설계와 개발을 전문화한 회사

주문생산공장(Foundry)	제3자의 주문에 의해 웨이퍼를 제조하는 업체

Frond-End Module	RF 스위치, 수신용 필터, 송수신용 RF 증폭기등을 집적화한 모듈

질화갈륨(Gallium Nitride)	반도체 재료 및 전력 소자

이득(Gain)	입력 대비 출력 신호의 증가 량. 단위dB(데시벨). RF 트랜지스터의 주요 성능 지표

갈륨비소(Gallium Arsenide)	반도체 재료 및 전력 소자

고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor)	서로 다른 물질의 접합 시 접합면에서 전자의 이동도가 매우 높아지는 것을 이용한 초고속 화합물 반도체소자

속도변조관(Klystron)	마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류, 전자 흐름(속도)의 변화를 이용하는 발진기. 기존 레이더 분야에 사용된 증폭기의 일종

LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)	전력증폭기에 사용되는 소자의 일종.
실리콘 계열의 화합물 반도체이며, 비교적 낮은 비용으로 기존 증폭기에 주로 사용됨

Lid	Bare Chip 을 보호하는 덮개

Lead	전자 회로의 기판이나 전자 부품의 단자에서 인출하는 선

LTE(Long Term Evolution)	4세대 무선데이터 통신 규격

정합(Matching)	서로 다른 회로의 연결 시 임피던스 내지 신호 레벨을 동일하게 맞추는 것

소재(Material)	제작에 바탕이 되는 재료

메크로 셀(Macro cell)	높은 전송 파워와 넓은 운용범위를 갖는 기지국을 중심으로 이동통신 접속이 가능한 영역-> 스몰 셀(Small cell)

Magnetron	마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류.
레이더 및 가정용 전자레인지에 주로 활용

마이크로파(Microwave)	주파수가 매우 높은 전자파. 300MHz ~ 30GHz

MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)	수동소자를 포함한 각종 개별 소자를 고집적화하여 단일 칩으로 제작된 고주파 집적회로

다중입출력(Multi Input Multi Output)	안테나를 2개 이상 늘려 신호를 여러 경로로 전송하고, 각각의 경로로 수신된 신호를 검출하는 다중 입출력 안테나 시스템

패키지(Package)	집적회로 소자의 단자를 외부배선과 연결하여 소자의 기능을 발휘시키고 동시에 이것을 보호하는 포장. 세라믹과 플라스틱이 사용됨

플라즈마(Plasma)	기체 상태의 물질에 계속해서 에너지를 가하면 이온핵과 자유전자로 나누어지는 고체, 액체, 기체에 이은 제4의 물질 상태

인쇄회로기판(Printed Circuit Board)	전기부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성한 회로판

전력증폭기(Power Amplifier)	신호를 원하는 크기로 키워주는 것이 증폭기의 역할이며, 여러 단의 증폭기로 구성된 시스템에서 최종단(출력부에 가까운)에 적용된 증폭기를 전력증폭기라 일컬음

전력반도체(Power Semiconductor)	전력의 변환이나 제어용으로 최적화된 반도체

전력밀도(Power density)	단위 면적당 생성되는 전력의 양

Radio Frequency	무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

RRH(Remote Radio Head)	데이터만 골라 수신하는 무선부와 데이터를 해독하는 제어부로 구성되는 장치. 기지국의 소형화된 형태

탄화규소(Silicon Carbide)	반도체 재료 및 전력 소자

스몰 셀(Small cell)	낮은 전송파워와 좁은 운용 범위를 갖는 소형 기지국을 중심으로 이동통신 접속이 가능한 영역-> 메크로 셀(Macro Cell)

표면실장(Surface Mounting)	인쇄회로기판(PCB)위에 반도체나 다이오드 , Chip 등을 부착하고 이를 단단하게 굳어지는 기능을 수행하는 방법

Solid State Power Amplifier	복수의 트랜지스터 및 인쇄회로기판으로 구성된 모듈타입의 증폭기. 진공관 대비 낮은 전압에서 동작하며, 소형화 유리함

트랜지스터(Transistor)	전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, 또는 스위치 역할을 수행하는 반도체 소자

진행파관(Travelling Wave Tube)	마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류, 전자 흐름을 연속 또는 되풀이하는 발진기. 기존 레이더 분야에 사용된 증폭기의 일종

전이층(Transition Layer)	두 개의 층의 특성이 혼재되어 있는 영역

열전도율(Thermal Conductivity)	열 에너지가 고온부에서 저온부로 이동하는 현상을 열 전도라고 하며, 열 전도의 크기를 나타내는 수치

박막(Thin Film)	기계 가공으로는 실현 불가능한1μm (1μm = 10-6m) 이하의 얇은 막

웨이퍼(Wafer)	트랜지스터나 다이오드를 제조하는 원재료. 한 개의 웨이퍼의 표면에는 트랜지스터나 다이오드 제작 시 사용되는 Bare Chip 수백개가 배열됨

Wire Bonding	반도체 부품의 전극에 가는 금선을 얹고 순간적으로 가열 압착하는 공정

1. 사업의 개요 가. 회 사의 현황(1) 사업 개황(가) 영위 사업의 요약

당사는 경쟁사보다 먼저 미래 산업의 변화를 예측하여 신소재인 질화갈륨(Gallium Nitride, 이하 GaN)을 이용한 제품 개발 및 상용화를 시도하였습니다.

당사가 중소기업이지만 비교적 짧은 기간 안에 시장을 공략할 수 있었던 이유는 GaN이라는 신소재를 이용한 무선주파수(RF, Radio Frequency) 전력 증폭기(이하, GaN 전력증폭기)를 개발했기 때문입니다. 해외 글로벌 경쟁사들이 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)라는 소재에 집중할 때 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용하고 있는 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용하여 실리콘 기반 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격구조를 갖추게 되었습니다. GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높으며, 제품 크기는 최대 절반으로, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있어 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있습니다.

당사의 주력 제품에는 GaN 트랜지스터와 GaN 전력증폭기가 있으며 당사 전체 매출액의 90% 이상 차지하고 있습니다. 당사의 가장 큰 경쟁력은 국내에서 유일하게 GaN 트랜지스터를 생산하고 있다는 것입니다. GaN 트랜지스터를 생산하여 직접 판매하기도 하며, 당사의 전력증폭기에 사용하기도 합니다. (나) 설립 배경

당사는 무선 통신장비 시장에서 전량 수입 제품으로만 의존하였던 전력 증폭기를 국산화하고, 나아가 세계 최고의 제품을 만들겠다는 일념으로 설립되었습니다.

일반 사용자에게는 다소 생소한 개념인 전력증폭기는 무선통신장비의 송수신단에서 신호를 증폭시켜주는 매우 중요한 역할을 담당합니다. 무선통신기술의 특성상 원하는 위치에서 원하는 신호를 송수신하기 위해서는 날씨, 지형 등 외부 간섭에 의해 신호가 변형 내지 소멸 등의 왜곡이 발생하지 않도록 크게 증폭시켜 주어야 합니다. 이러한 전력증폭기 기술은 무선통신장비의 사양을 결정하는 핵심 요소로서, 인공위성, 기상, 방위산업용 레이더 등 활용 범위가 다양합니다.

(다) 설립 이후 성장과정

구분	주요 사업전략 및 성과

창업단계(1999 ~ 2005)	알에프에이치아이씨는 전량 수입 제품에만 의존하였던 RF(Radio Frequency) 부품을 국산화하고, 나아가 세계 최고의 제품을 만들겠다는 일념으로 설립되었습니다. 이후 전력증폭기 분야에 전진하여 신소재인 GaN을 이용한 트랜지스터 및 전력증폭기 개발에 착수하였습니다. 당시 세계 시장은 기존 해외 글로벌업체들이 30년동안 실리콘(Si) 기반의 LDMOS 로 시장을 차지하고 하고 있었습니다.당사는 시장 및 산업이 발달됨에 따라, GaN이 근시일내 세계 시장에서 많은 수요가 발생할 것이라는 믿음으로 우직하게 GaN 트랜지스터 및 전력증폭기 개발 및 상용화를 위해 연구하였습니다.

시장진입 단계(2006 ~ 2008)	GaN 트랜지스터 및 전력증폭기 상용화를 위한 당사의 노력은 해외에서 먼저 결실을 맺었습니다. 글로벌 업체인 CREE와 원재료인GaN 웨이퍼에 대한 안정적 공급을 약속하는 전략적 파트너쉽을 구축하였습니다. 이를 기반으로, 당시 고가인 GaN에 대한 가격 경쟁력을 보유할 수 있었습니다. 당사는 독자적으로 개발한 기술력(웨이퍼 설계기술 및 패키징 기술 등) 및 가격 경쟁력을 바탕으로 경쟁사보다 5년 빠르게 GaN을 적용한 고효율 트랜지스터 및 전력증폭기를 세계 최초로 무선통신시장에 출시하여 상용화에 성공하였습니다. GaN전력 증폭기는 기존 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 이상 높으며, 제품 크기는 절반으로, 전력 사용량은 20% 이상 절감할 수 있는 제품입니다.

성장 단계(2009~2013)	당사에서 세계 최초로 상용화 시킨 GaN 증폭기는 통신용 기지국의 성능 및 효율을 높이는 핵심 부품입니다. 당사는 국내 대표기업인 삼성전자의 기지국(BTS: Base Transceiver Station, RRH: Remote Radio Head)에 당사 제품이 적용되어 전력증폭기 분야 국내 1위 업체로 발돋움 하였습니다. 삼성전자와의 거래는 기업의 성장에 큰 기회였습니다. 당사는 특정 업체에 대한 의존도를 낮추고 매출처의 다각화를 위해 해외 시장 공략을 준비하였습니다. 글로벌 통신장비업체인 화웨이, 노키아, 에릭슨과의 거래를 위하여 벤더등록을 추진하였고, 미국 방산업체 납품을 위하여 미국 노스캐롤라이나주에 공장과 법인을 설립하였습니다. 그 결과, 여러 해외 글로벌 통신장비업체들의 핵심 파트너로 자리매김할 수 있었으며, 무선통신 분야에서 획득한 가격경쟁력을 바탕으로(GaN트랜지스터를 방산용 레이더에 적용)레이더 및 군용 통신장비 분야로 사업 영업을 확대하였습니다.

재도약단계(2014 ~ 2016)	국내 이동통신사(SK텔레콤, KT, LG유플러스)의 국내 기지국 투자가 감소하면서 당사 매출액의 60%이상 차지하는 삼성전자 매출액이 감소하고 삼성전자 비즈니스가 GaN 전력증폭기에서 GaN 트랜지스터로 변경되어(삼성전자에서 당사 GaN트랜지스터를 구매하여 자체적으로 전력증폭기 제작) 당사의 전체 매출액은 감소하게 되었습니다. 다행히 2012년부터 준비해온 중국시장에서 중국 휴대폰 시장의 수요 급증으로 중국 정부가 3G망 대신 4G LTE 기지국 설치를 확대하면서 세계 1위 통신장비업체인 화웨이와의 거래가 시작되었습니다.또한 무선통신분야에서 획득한 가격경쟁력과 기술력을 바탕으로 방위산업용 레이더 시장 진입에 성공하여 Airbus(세계 7위 방산업체), Harris(세계 29위 방산업체), Cobham(세계 35위 방산업체), LIG넥스원(세계 63위 방산업체) 등과의 거래가 시작 및 확대 되었습니다.

현재	당사는 GaN트랜지스터(GaN on SiC)에 안주하지 않고 고주파, 광대역, 고효율을 요구하는 5세대 이동통신(5G)시대를 대비하여 Diamond에 GaN을 증착시킨 웨이퍼(Wafer)를 제작하는 원천기술(GaN on Diamond)을 확보하여(해외 35건 특허) 소재영역까지 사업분야를 확대하였습니다. Diamond는 기존의 실리콘이나 탄화규소(SiC)에 비해 열전도성이 4~10배 우수하여, GaN의 기판으로 적용 시 전력밀도, 전력효율 및 선형성의 개선으로 초소형기지국 및 5G 기지국 구현에서 높은 경쟁력을 가지며, 특히 SWaP(Size, Weight and Power) 특성이 가장 요구되는 방산제품에 가장 적합한 소재입니다. 당사는 GaN on Diamond 소자를 사용한 고출력 반도체 전력증폭기를 개발하여 기존 진공관(Magnetron, TWT: Traveling Wave Tube, Klystron등)을 1:1로 대체할 뿐 아니라, 정밀제어가 가능한 반도체 공정용 플라즈마 발생 장치 및 전력반도체 개발도 병행하여 사업영역의 확대를 추진하고 있습니다.

(2) 제품 설명 Radio Frequency(RF)는 3khz ~ 300GHz 주파수를 갖는 전자기파(전자파)를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법으로 라디오, 디지털 위성방송, 무선이동통신, 무선 LAN 등 우리의 일상에서 밀접하게 사용되고 있으며, 나아가 군사용/기상용 레이더, 위성 통신 등 산업 전반에서 다양한 분야에 활용되고 있는 기술입니다. 당사는 RF분야에서도 무선이동통신과 레이더 분야에 집중하고 있으며 화합물 반도체 소재를 사용한 제품을 생산 및 판매하고 있습니다. (가) 화합물 반도체 웨이퍼에 대한 설명 [화합물 반도체의 대표 소재]

1) 실리콘(Si)

실리콘(Silicon, Si)은 규소라고 불리우며, 유리의 원재료이기도 합니다. 주변에서 흔히 볼 수 있는 모레, 암석 등에 분포되어 쉽게 구할 수 있으며, 산소 다음으로 지구 매장량이 많아, 다른 화합물 반도체 소재와 비교하여 매우 값 싼 소재입니다. 미량의 불순물을 첨가하여 전기적 특성의 변화를 쉽게 얻을 수 있어, 다이오드 및 트랜지스터 등 반도체와 관련된 연구분야에서 다양하게 활용되고 있습니다.

2) 갈륨비소(GaAs)

갈륨비소(Gallium Arsenide, GaAs)는 갈륨(Gallium, Ga)과 비소(Arsenide, As)를 혼합한 화합물로, 실리콘에 비해 약6배 가량 빠른 전자이동도와 넓은 에너지 밴드갭으로 인하여 250GHz 고주파 대역에서 사용하기에 적합한 소자입니다. 이러한 특성으로 인해 갈륨비소는 전력증폭기나 스위치 등의 전자 디바이스 용으로 주로 사용됩니다.이러한 소재적 특징에도 불구하고, 실리콘 대비 지구 매장량이 적어 상대적으로 고가의 소재로 분류되며, 웨이퍼의 크기가 커질수록 쉽게 깨져 대량 생산이 어렵고 또한 구동 시 전력 소모가 심한 단점으로 인해 위성 및 군사 등 일부 분야에서만 사용되고 있습니다.

3) GaN on SiC 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN)은 갈륨(Gallium, Ga)과 암모니아를 약1,100℃ 에서 반응시켜 얻어지는 화합물입니다. GaN은 넓은 에너지 밴드 갭을 가지고 있으며, 높은 열전도도를 지니고 있습니다. 또한, 고주파에서 동작 성능이 실리콘(Si) 대비1000배, 탄화 규소(SiC) 대비3배 가량 높아 고주파, 고전력 반도체 소자로는 최적의 재료입니다. 다소 높은 가격으로 인하여 위성 및 군사 등 일부 분야에서만 사용되었지만, 최근에는 실리콘(Si)과의 가격 격차가 좁혀지고 있어 많은 사업영역에 사용되고 있습니다.탄화 규소(Silicon Carbide, SiC)는 반도체 재료로 널리 알려 있는 실리콘(Si)과 탄소(C)와의 반응에 의해 생성되는 화합물로, Diamond 다음으로 경도가 커 최초에는 사포의 재료로 사용되었으며, 현재 기존의 실리콘에 비해 고전압, 고출력, 고온 등 전기적특성 뿐만 아니라, 기계적, 열적 특성이 우수하여, 반도체 소재로서 연구되고 있는 재료입니다. 일반적으로 GaN 웨이퍼라고 하면 토대가 되는 기판위에 GaN을 성장시킨 구조를 갖는 웨이퍼를 지칭합니다. 여기에서 사용되는 기판은 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC), 사파이어(Sapphire), 실리콘(Si)이 사용될 수 있습니다.GaN on SiC는 대구경화가 어려워 다소 가격이 고가이지만, 탄화 규소의 우수한 열전도율 및 양질의 GaN을 안정적으로 성장시킬 수 있는 장점으로 인하여 화합물 반도체 제작에 가장 현실적인 대안으로 꼽히고 있으며 당사의 제품에는 GaN on SiC 웨이퍼가 사용되고 있습니다. (나) 제품의 설명 1) 무선통신 사업부문

가) GaN 트랜지스터 당사에서 제작하는 GaN 트랜지스터는 약한 전기 신호를 크게 증폭하는 반도체 부품으로 소재의 특성으로 인하여 3 GHz 이상의 고주파에서 특히 뛰어난 효율 및 성능을 발휘합니다. GaN 트랜지스터는 무선통신시스템의 송수신단을 포함하는 이동통신 기지국 및 중계기에서 주로 사용되며, 레이더, 위성통신, 선박 등 다양한 분야에도 적용될 수 있습니다.

무선통신장비인 기지국은 장비 내부의 각종 부품에서 발생하는 열로 인하여 온도가 상승하고 이러한 온도 상승은 장비의 오작동 및 성능 저하의 주요 원인이 되고 있습니다. 기지국 운영업체(예로 SK텔레콤 같은 이동통신사)들은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기지국 내에 각종 냉방장치를 설치하고 있어서 전력 소비를 증가시키고 있습니다. 결국 기지국 장비의 전력소비량 대부분을 차지하는 전력증폭기의 효율이 개선되어야 그에 따른 발열량을 감소시킬 수 있고 냉방장치에 소모되는 전력을 개선할 수 있습니다.

GaN 트랜지스터는 에너지 밴드 갭이 넓어서 높은 출력에서 고효율을 발휘할 수 있으며 전력밀도가 높아 제품의 소형화가 가능합니다. 전력증폭기에 GaN 트랜지스터를 적용하면 기지국 장비의 소형화 및 고효율이 가능하여 전력 소비를 절감할 수 있고 장비 자체의 효율도 향상시킬 수 있습니다. 전력증폭기에 기존의 실리콘 기반의 LDMOS 트랜지스터 대신 GaN 트랜지스터를 사용하면 효율 및 전력 소비 문제에 대하여 개선할 수 있습니다. 나) 통신용 GaN 전력증폭기

당사에서 주로 제작하는 통신용 GaN 전력증폭기는 작은 사이즈의 기판 안에 입출력 정합(Matching)회로를 포함하여 사용자의 편리성을 극대화한 제품이며 무전기와 같은 휴대용 무선통신, 초소형기지국, Point-to-Point 애플리케이션에 적용을 위해 개발되었습니다. 통신용GaN 전력증폭기는 COB(Chip on board) 공정을 통해 GaN 웨이퍼를 질화 알루미늄(AlN) 기판 상에 올리는 방식으로 제작됩니다. 입출력 정합 및 바이어스 회로는 표면 마운트 타입의 패키지로 통합되어 장착됩니다. 통신용 GaN 전력증폭기는 위성 통신, LTE, WCDMA, WiMAX, Point-to-Point 및 레이더 등 다양한 분야에서도 활용될 수 있습니다.

당사의 통신용 GaN 전력증폭기는 자체 제작한 GaN 트랜지스터를 사용하거나(기지국 및 중계기용) 자체 디자인한 GaN 웨이퍼를 사용하기 때문에(초소형 기지국용) 고객사에 경쟁적인 가격으로 공급이 가능합니다. 통신용 GaN 전력증폭기를 기지국에 사용하면 시스템 전체 효율을 높일 수 있으며 시스템 사이즈를 줄일 수 있기 때문에 유지보수비를 절감할 수 있습니다.

2) 방위산업 사업부문가) 레이더용 GaN 전력증폭기

당사의 레이더용 GaN 전력증폭기는 GaN 트랜지스터를 이용한 회로 기판으로 구성된 SSPA(Solid State Power Amplifier) 형태로 제작됩니다. 50V의 낮은 전압에서 동작하며 모듈 형태로 제작되어 기존 진공관(Magnetron, TWT, Klystron등) 대비 효율이 우수하고 및 소형화에 유리한 특징을 가지고 있습니다.

레이더용 GaN 전력증폭기는 레이더 시스템의 송수신부 또는 안테나 장치에 장착되어 제어부의 명령을 받아 RF(Radio Frequency) 송신출력을 안테나로 공급하는 필수 장비입니다. 레이더용 GaN 전력증폭기가 포함된 송수신부의 경우 레이더 시스템 전체 비용의 30%를 차지하며 전체 시스템의 운용 효율을 결정하는 핵심 요소입니다. 최근의 레이더 개발 및 성능개량 사업에 비용절감과 운용효율의 극대화를 위해 GaN트랜지스터를 사용한 전력증폭기가 다양하게 적용되고 있습니다. (다) 경기변동과의 관계

1) 무선통신 사업부문

무선통신 사업분야에 적용되는 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN 전력증폭기는 국가의 통신 서비스 산업의 발전과 서비스 가입자의 규모에 따라 수요가 달라집니다. 일반적으로 4세대 이동통신기술(4G, LTE)과 같은 신규 서비스가 도입되면 통신 서비스 사업자들은 보다 많은 가입자의 유치 및 안정적인 서비스를 제공하기 위해 네트워크 망 구축을 위한 기지국 및 중계기 수요가 늘어나게 됩니다. 서비스 도입 초기에는 이러한 수요가 폭발적으로 증가하지만 서비스 안정기에 접어들면서 수요의 증가폭은감소할 수 있습니다. 유지 및 보수 측면의 새로운 수요가 발생하면서, 일정 수준의 수요를 유지할 수 있습니다.

또한 무선통신 산업은 전 세계가 일괄적으로 특정 서비스를 도입이 되는 것이 아니여서, 각 국가별 산업 성숙도에 따라 영향을 받을 수 있습니다.

2) 방위산업 사업부문

방위산업 사업분야에 적용되는 레이더용 GaN 전력증폭기는 국가의 경기변동에 영향을 받지 않습니다. 오늘날 급변하는 국가간의 정세 속에서, 국가 방위에 핵심 설비인 레이더는 유지 보수, 성능 개선에 대한 수요가 지속적으로 발생하고 있습니다. 또한, 기술의 발달로 기존 레이더 체계에서는 탐지되지 않는 미사일, 전투기 등이 개발되면서, 미국, 영국 등 선진국을 중심으로 최신 기술인 반도체 송수신기를 도입한 레이더의 도입을 적극적으로 추진하고 있습니다.

(라) 계절적 요인

당사의 제품은 계절적 요인에 따라 수요의 영향을 받지 않습니다. (마) 제품의 라이프사이클

2006년 당사에서 세계 최초로 무선통신시장에 GaN 트랜지스터를 출시하여 시장에서 큰 호응을 얻게 되면서, 기존 실리콘(Si) 기반의 업체들도 GaN 트랜지스터에 대한 연구 및 제품출시를 서두르기 시작하였습니다. 2009년 무선통신시장의 4세대 이동통신기술(4G, LTE)가 일부 국가에서 서비스가 시작되고, 무선통신장비 업체에서 규격에 맞는 제품 개발을 서두르면서, GaN 트랜지스터는 무선통신시장에 진입할 수 있었습니다. 2015년 중국에서 LTE 서비스를 시작함으로써 GaN 트랜지스터의 수요는 급격하게 성장하였습니다.

GaN 트랜지스터는 아직 성장 단계의 제품입니다. 프랑스의 전문 조사 업체 Yole Developpement에서 발간한 GaN RF Devices Market (2016. 03) 보고서에 따르면, GaN 트랜지스터는 무선통신 및 방위산업시장에서 GaN 트랜지스터를 적용한 GaN 전력증폭기가 채택됨에 따라 계속해서 성장할 것으로 전망하고 있습니다. 보고서에서는 이러한 근거로, 무선통신시장에서의 5G 무선 인프라의 구현 및 방위산업시장에서의 잼머, 군사용 통신, 레이더 및 전자전분야의 지속적인 활용을 제시하고 있으며, 그로 인해 GaN 트랜지스터의 규모는 2016년에서 2022년까지 연평균 14%씩 성장하여 2.5배 증가할 것으로 예측하고 있습니다.

(3) 사업 구조(가) 원재료 수급상황

1) GaN 트랜지스터

당사는 GaN 트랜지스터의 설계 및 패키지 공정에 집중하고 있으며, 주요 원자재인 GaN웨이퍼 및 Metal 패키지 경우 외주처로부터 공급을 받고 있습니다. 당사는 타사 대비 우수한 성능의 고품질 GaN 웨이퍼를 생산하는 미국의 CREE사를 웨이퍼 주문생산 공급자(foundry supplier)로 선정하여, 주요 원재료인 GaN 웨이퍼를 공급받고 있습니다. 또 다른 주요 자재인 Metal 패키지 경우 제작 가능한 곳이 해외에 일부 대기업 밖에 없었습니다. 주요 원재료인 Metal 패키지 의 공급처가 해외로 한정됨에 따라 높은 단가 및 오랜 납기기간으로 인한 문제가 있었습니다. 당사는 자체적으로 Metal 패키지 설계 기술을 연구하여, 제품의 국산화를 통해 어려움을 해결하였습니다. 자체설계기술 배양을 통해 국산화에 성공하면서 빠른 납기 대응과 제품 원가 부분에서 경쟁력을 확보할 수 있었습니다. 당사에 Metal 패키지를 납품하는 업체로는 A사와 B사가 있습니다. 2) 통신용 GaN 전력증폭기 주요 원재료인 PCB(Ceramic PCB)는 해외의 C사와 D사 2곳으로부터 공급받고 있습니다. 멀티소싱(multi-sourcing) 전략에 따라 복수의 공급자를 확보하고 있으며 경쟁력 있는 구매가격을 통해 당사의 원가 경쟁력을 유지하고 있습니다.기타 통신용GaN 전력증폭기 제조시 사용하는 저가의 칩 단위 부품류(저항, 캐패시터 등)이며, 대부분 국산화 부품을 사용함으로써 기술경쟁력 및 구매단가 경쟁력을 구축하였습니다. 3) 레이더용 GaN 전력증폭기

레이더용 전력증폭기에 사용되는 트랜지스터의 경우 통신용 트랜지스터 대비 수요가 적어 대량 양산에 따른 생산비 절감 효과를 얻기 어려우며, 방위 산업 제품의 특성상 극한의 조건(온도, 습도, 진동 등)에서도 안정적인 동작을 요구하다보니 제조사의 기술력이 뒷바침 되어야 합니다. 대부분의 레이더용 전력증폭기 제조사들은 해외 거래처로부터 GaN 트랜지스터를 구입하여 제작하는 방식인 반면 당사는 자체적으로 GaN 트랜지스터를 제작하여 레이더용 GaN 전력증폭기의 생산하는 공정을 보유함으로써 타사 대비 경쟁력 있는 원가 구조를 구성하였음을 나타내고 있습니다.

주요 원재료중 하나인 ISOLATOR 또한 국내에서 제작 가능한 외주처에서 수급을 진행하고 있으며 대부분의 기타 원자재 또한 빠른납기 대응이 가능한 협력업체를 선정함으로써 타사 대비 월등한 원가구조 및 조달 능력을 갖추었습니다.

4) GaAs MMIC 당사에 GaAs 웨이퍼를 공급하는 곳은 해외의 E사 입니다. E사의 생산능력은 6인치 GaAs 웨이퍼를 생산하는 공장 2곳을 운영하고 있습니다. 이는 전세계 시장점유율의 20%에 해당되며 GaAs 웨이퍼 주문생산(Foundry services) 점유율을 고려하면 약 50%를 차지하고 있는 수준입니다. 오래된 신뢰와 기술을 바탕으로 현재 당사에 양질의 원자재를 공급하고 있습니다.

(나) 주요 제품의 생산 및 판매 방법

1) 제품의 생산

당사는 대부분의 제품을 자체생산하며 일부 공정에 대해서만 가격경쟁력(원가하락)을 위하여 외주생산을 진행하고 있습니다.

2) 제품별 판매방법

GaN 트랜지스터의 경우 국내 중계기용으로 사용되는 일부 제품에 대해서만 국내 대리점을 통하여 판매하고 있으며, 그 외의 경우에는 모두 직접판매하고 있습니다.

통신용 GaN 전력증폭기는 모두 직접판매하고 있습니다.

레이더용 GaN전력증폭기는 일부 국가(독일, 터키 등)에 대해서만 해외 대리점을 통하여 판매하고 있으며, 그 외의 경우에는 직접판매하고 있습니다.

GaAs MMIC의 경우에도 일부 국가(중국, 일본 등)에 대해서만 해외 대리점을 통하여 판매하고 있으며, 그 외의 경우에는 직접판매하고 있습니다.

(다) 외주생산에 관한 사항

당사는 일부 공정(패키징 공정 및 특성 Test 공정)에 대하여 설비 및 공간을 확보하여 자체 생산하는 것보다 외주생산을 하는 것이 비용과 시간적인 측면에서 효율적이여서 외주처를 이용하여 제조를 진행 중에 있습니다. (4) 신규 사업(가) GaN on Diamond 당 사는 기존 실리콘(Si) 기반의 글로벌 경쟁사에서 GaN 트랜지스터에 대한 개발 및 제품 출시를 준비하는 동안 당사는 보다 향상된 기술을 확보하기 위하여 새로운 소재인 Diamond에 대한 연구를 진행하고 있습니다. 일반적으로 Diamond는 특유의 광택 및 화려함으로 보석의 대명사로 널리 알려져 있지만, Diamond 자체의 다양하고 우수한 물리적 특성에 의해 산업적으로도 널리 쓰이고 있는 소재입니다. 구체적으로 Diamond의 물리적 특성을 살펴보면, 구리보다 4배 정도 큰 열전도도를 가지며, 고압, 고출력 반도체에 요구되는 큰 에너지 밴드갭과 항복 전압(Breakdown voltage), 및 높은 전자 이동도를 갖는 등 반도체로 우수한 특성을 보유하고 있습니다.당사는 Diamond의 우수한 특성을 활용한 Diamond 웨이퍼 제조 공정 및 개발에 대한 원천기술확보 및 세계 최초의 GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화를 목표로 영국의 Element Six로부터 Diamond 웨이퍼 공정 및 설계 기술에 대한 지식재산권을 취득하였습니다.GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화 기술개발 및 원천기술확보는 기존 원재료인 웨이퍼를 수입하여 제품을 생산하던 팹리스(Fabless) 업체에서 자체 Fab을 보유한 반도체 전문 기업으로의 발전을 의미하며, 이를 통하여 급변하는 세계 시장에서 보다 능동적이고 빠르게 제품의 생산 및 경쟁력을 확보할 수 있습니다.5세대 이동통신 및 방위산업에서는 우수한 방열특성 및 높은 주파수가 필요합니다. GaN on Diamond 소자를 개발 및 적용하면 최대 400GHz까지 동작 가능한 소자를 확보할 수 있습니다. 개발된 GaN on Diamond 소자는 5세대 이동통신뿐만 아니라 고출력 AESA(Active Electronically Scanned Array, 능동 전자주사식 위상배열) 레이더용 전력증폭기와 같은 방위산업 분야의 선점효과를 기대할 수 있습니다. CVD Diamond 증착기술을 이용한 GaN on Diamond 웨이퍼의 국산화 및 원천 기술을 확보하면 전력반도체와 같은 시스템 반도체, 기타 응용 제품 등 신규 시장으로 사업의 영역을 확대할 수 있습니다. (나) GaN on SiC 1) 5G 이동통신가) 5G Front-End Module

무선데이터의 수요가 기하급수적으로 증가하면서, 선진 기업들은 무선데이터와 네트워크의 용량을 비약적으로 확대할 수 있는 새로운 혁신기술인 5세대 이동통신 기술 개발에 박차를 가하고있습니다. 5세대 이동통신 구현에 핵심 기술 중 하나인 대용량 MIMO(Massive MIMO, Massive Multi Input Multi Output)는 대용량의 데이터를 고속으로 전송하기 위해 다량의 안테나를 사용하여 무선데이터 전송 속도와 링크안정성을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기술입니다. 또한, 에너지 소비를 최소화 하면서, 더욱 많은 사용자를 수용할 수 있습니다.

대용량 MIMO 기술의 구현에는 64개 또는 128개 이상의 송/수신단과 연결되는 다수의 안테나가 배열 됩니다. 다량의 안테나가 사용됨에 따라 각 안테나의 간섭을 최소화할 수 있도록 전력증폭기 설계 기술이 필요합니다. 또한 각 송신단에서 사용되는 다수의 전력증폭기로 인한 발열 및 에너지 효율을 개선하기 위한 고효율 전력증폭기에 대한 개발이 요구되고 있습니다.

이러한 5세대 이동통신에 적합하도록 송수신 소자를 집적화한 제품이 Front-End Module 입니다. 송수신을 전환하는 RF스위치와 송신용 증폭기, 수신용 저잡음 증폭기를 모두 내장하고 소형화하였기 때문에 네트워크장비의 제조비용을 절감할 수 있으며 GaN 소자 특유의 고효율 성능으로 인해 유지비용이 낮아 소형기지국과 5G massive MIMO용으로 많은 수요가 기대되는 제품입니다. 나) 5G GaN MMIC 5G 차세대 통신용 Massive MIMO 기술에 적용되는 전력증폭기는 32개, 64개, 128개 이상의 다량의 안테나와 전력증폭기가 배열되므로 간섭을 최소화하며 효율을 최대화하는 고도의 설계 기술과 신뢰성있는 집적화 기술이 적용되어야 합니다. 특히 2019년에 확정되는 6Ghz 이하 및 28Ghz 이상 주파수 대역의 제품은 소재의 한계로 인하여 GaN MMIC로만 구현이 가능할것으로 예상됩니다.당사는 현재 6GHz 이하의 제품으로 평균 출력 XW 급 의 고효율 GaN MMIC를 개발하고 있습니다. 또한, 상업용 및 방산용 레이더 산업에 적합한 C, X, Ku, K-band 와 같은 고주파 대역의 GaN MMIC 제품 개발을 통해 설계기술 확보 및 5G 통신용 제품에 적용해 나갈 예정입니다. 2) 인공위성에 적용

우주 궤도에서 전력 사용은 극히 제한되어 있으므로 주어진 전력으로 기능을 극대화 할 수 있는 고출력 증폭기의 효율 개선, 경량화 및 신뢰성있는 기술의 확보가 매우 중요합니다.

GaN 트랜지스터를 이용한 전력증폭기는 한층 더 보강된 높은 신뢰성과 긴 수명, 고효율, 낮은 전압에서 동작 등의 장점을 적극 활용하여 새롭게 변화하고 있는 위성 통신 분야의 많은 데이터량을 처리 하는데 적합한 제품입니다. 당사는 위성 탑재체 개발 초기 단계부터 탑재체용 전력 증폭기의 개발에 참여하여 요구되는 성능 및 규격에 적합한 제품을 제공하고 있습니다.

당사에서는 위성 탑재체용 X, Ku-Band GaN 고출력 증폭 MMIC 및 이를 이용한 전력증폭기 우주인증모델을 개발하고 있으며, 개발된 제품은 향후 저궤도 소형, 중형 탑제체에 적용될 예정이며, 정지궤도 통신용 탑제체에도 활용될 수 있습니다.

나. 시장 현황(1) 시장의 특성(가) 무선통신 사업부문

1) 산업의 연혁 및 동향

이동통신기술은 10년 주기로 변화하면서 1980년대 1세대 아날로그 이동통신을 시작으로 1990년대 2세대, 2000년대 3세대, 그리고 2010년대 4세대를 거쳐 나아가 2020년 5세대로 향하고 있습니다.

이러한 이동통신 기술의 발달은 자연스럽게 관련 장비산업의 발달로 이어집니다. 3세대 이동통신(3G), 4세대 이동통신(4G)으로 기술이 발전됨에 따라 데이터의 사용량은 비약적으로 증가하였으며 이에 발맞추어 통신 서비스 사업자들은 안정적인 서비스 제공을 위해 무선 네트워크 장비에 대한 투자를 이어가고 있습니다. 무선 네트워크의 구조상 데이터 트래픽의 영향을 가장 많이 받는 부분은 기지국으로, 대부분의 통신 서비스 사업자들은 안정적인 서비스 제공을 위해 네트워크 설비에 대한 투자가 지속적으로 이루어지고 있습니다. 2) 수요 변동요인 무선 네트워크 시장은 통신 서비스 산업의 발전과 가입자의 규모에 따라 수요가 달라집니다. 예를 들어, LTE와 같은 신규 서비스가 도입되면 통신 서비스 사업자들의 가입자 유치 경쟁에 의하여 네트워크 망 구축을 위한 기지국 및 중계기 수요가 늘어나게 됩니다. 서비스 도입 초기에 급증한 수요는 서비스 안정기에 접어들면서 일부 감소될 수 있으나, 유지 및 보수 측면의 새로운 수요가 발생하면서, 일정 수준의 수요가 유지될 수 있습니다.무선 네트워크 시장의 가장 큰 수요 변동요인으로는 5세대 이동통신기술(5G)의 상용화 시점입니다. 당초 5세대 이동통신기술(5G)은 2020년에 상용화될 것으로 예상되었으나, 중국의 대규모 투자 계획 및 5G 규격 개발 기술안의 확정으로 인하여, 글로벌 통신 서비스 사업자들은 상용화 시점이 1년 앞당겨진 2019년에 이루어 질 것으로 예상하고 있습니다. 5세대 이동통신기술(5G)의 주파수 규격 및 성능을 만족하기 위해서는 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN전력증폭기의 사용이 유일한 대안으로, 무선통신시장에서 5세대 이동통신기술(5G)의 상용화를 위해 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN 전력증폭기를 적용한 장비의 연구 및 생산에 대한 투자가 증가할 것으로 예측하고 있습니다. 3) 주요 목표시장 기존 3세대, 4세대 이동통신기술은 주로 3Ghz 이하의 주파수가 활용되었으며, 관련된 무선통신장비시장은 3Ghz 이하의 주파수에서 가격대비 안정적인 성능을 보유한 실리콘(Si) 기반의 L DMOS 트랜지스터가 선호되었습니다. 하지만, 2019년 내지 2020년에 상용화될 것으로 예상되는 5세대 이동통신기술의 주파수 규격이 6Ghz 이하 주파수 및 28Ghz 이상 주파수가 사용될 것으로 발표됨에 따라, 다수의 경쟁사 및 조사업체들은 3Ghz 이상의 주파수에서 높은 효율 및 안정성을 보유한 GaN 트랜지스터가 LDMOS 트랜지스터를 대체할 것으로 예상하고 있습니다. 4) 규제환경

최근 미국에서는 사이버 보안을 이유로 세계 1위 통신장비 업체인 화웨이의 5세대 무선통신장비에 대하여 자국은 물론 동맹국의 설치에 대해 경계의 목소리를 높이고 있습니다. 미국의 이러한 움직임에는 무선통신장비의 특성상 보안이 필요한 국가 내지 기업의 기밀이 타국에 유출될 수 있다는 근거를 기초로 두고 있습니다. 또한, 자국의 핵심 기술을 보유한 기업에 대하여 기술 유출을 근거로 기업의 인수 등을 국가차원에서 금지하고 있습니다.

이렇듯, 국가간의 정세는 무선통신장비 시장에 영향을 미치는 중대한 요소입니다. 당사는 국가간 정세에 따른 영향을 최소화하기 위해 무선통신장비 시스템의 납품이 아닌 자체 반도체 기술력으로 개발 및 생산한 GaN 트랜지스터를 공급하는 부품단위의 공급 전략을 구축하여 미국, 중국 등 다양한 국가에 수출하고 있습니다.

(나) 방위산업 사업부문(레이더)

1) 산업의 연혁 및 동향

최근 레이더 시장은 중장거리 정밀타격 무기체계의 확산에 따라 중장거리 레이더 개발의 필요성 또한 증가하고 있으며 스텔스 표적에 대응하기 위한 레이더 탐지 정밀성의 향상에 초점을 맞추어 미래위협에 대처하고 수많은 무기체계들을 조정하고 통제하기 위한 반도체(GaN등) 기반 다기능 레이더로 발전하고 있습니다.

기존의 고전적인 레이더 신호처리 기능에 레이더 환경, 탐지되는 표적 등 변화하는 주위환경에 대한 지식 정보를 이용하여 더욱 효과적인 탐지 인식 기능을 더한 디지털 구조 지능형 레이더로 발전될 것으로 예상됩니다. 디지털 구조 지능형 레이더는 단지 표적을 탐지하는 장치에서 벗어나 표적을 식별하고 운용환경 및 표적에 따라 자동으로 최적 파형을 제어하며 탐지된 표적을 식별하여 위협표적에 경보하고 대응수단을 제시하는 인공지능을 갖추게 될 것입니다. 이 모든 기능들은 반도체 기반 다기능 레이더로 구현될 것입니다. 2) 수요 변동 요인

2015년도에 발행된 세계방산연감에 따르면 기술변화가 극심한 오늘날, 국방장비가 노후화되지 않으려면 연구개발 투자를 확대해야 하기 때문에 각국의 군 조달기관은 군용 레이더를 투자 우선순위로 인식하고 있으며, 미국의 레이더 부문 지출은 매년 1.6%씩 성장할 것으로 예측하고 있습니다.

새로운 레이더의 개발, 생산, 도입 단계에 이르기까지 최소 5년에서 10년의 기간이 필요합니다. 특히 레이더와 같은 주요 탐지 장비들의 발전 대비, 항공기, 미사일등의 은폐(Stealth)성능은 더욱 향상되고 있어 테러등에 무방비로 노출되기 쉬워 졌습니다. 때문에 많은 국가들은 레이더의 성능 개선을 위해 연구 개발을 진행하고 있으며, 최신 기술인 반도체 송수신기를 도입한 레이더의 도입을 적극적으로 추진하고 있습니다.

3) 주요 목표시장

일반적으로 레이더는 내부의 부품이 매우 민감하기 때문에 통상 5년이 지나면 한 세대가 지난 것으로 보고 있습니다. 이러한 레이더는 제 기능을 발휘하기 위해서 주기적으로, 정비, 성능개량 및 부품교체가 이루어져야 합니다.

기존 레이더의 성능을 결정하는 핵심 부품인 진공관(TWT, Klystron등)은 고전압 사용으로 인해 잦은 고장이 발생하고, 짧은 수명으로 인하여 운용에 많은 문제점을 노출 시켰습니다. 또한, 운용 시 10 ~ 20분의 예열이 필요하고, 연간 1,000 ~ 1,500시간으로 제한된 운용시간으로 인하여 레이더 분야의 기술 선진국인 미국, 영국 및 프랑스는 자국의 방위 산업 업체를 통해 기존 진공관 기반의 레이더를 반도체 기반의 레이더로 대체하는 사업을 추진하고 있습니다. 이러한 추세에 맞추어 당사는 글로벌 방위산업 업체와 연계하여 신규개발 사업외에도 레이더용 GaN 전력증폭기를 적용한 반도체 기반의 레이더 체계 개선 사업에도 적극적으로 참여하고 있습니다.

4) 규제환경 레이더 시스템은 국가 안보뿐만 아니라, 기상, 위성, 항공 등 다양한 분야에서 활용되는 최첨단 기술이며, 부가가치가 큰 기술입니다. 레이더 분야 최고 선진국인 미국은 주요 기술이 중국, 러시아 등 경쟁국에 넘어가는 것을 방지하기 위하여 핵심부품들에 대해서는 자국 회사가 자국내에서 생산하는 것은 물론이고, 수출 허가(EL) 없이는 반출도 불허하는 등 철저하게 통제하고 있습니다. 당사는 한국 법인과 미국 법인을 활용하여 국내 및 미국과 유럽의 방산업체를 공략하고 있으며 중국과 러시아 등의 국가에는 레이더 전력증폭기를 납품하고 있지 않습니다. (2) 시장 규모 및 전망

프랑스의 전문 조사 업체 Yole Developpement에서 발간한 GaN RF Devices Market(2016.03) 보고서에 따르면 전체 GaN 트랜지스터(RF 디바이스)의 91.1%가 무선통신 장비(네크워크 장비)시장과 방위산업 시장에 적용되고 있음을 확인할 수 있습니다. 보고서는 2015년도 말까지 전체 GaN 트랜지스터 시장 규모가 3억 달러에 육박했으며, 통신, 방위 사업 등 다양한 시장 분야에 걸쳐 GaN 트랜지스터가 채택됨에 따라 향후 5 년간 2배로 성장할 것으로 전망하였습니다. 특히 중국시장에서 4세대 이동통신(4G, LTE) 기지국 투자가 무선통신장비 시장 확대에 중요한 기여한 것으로 보고 있습니다.

이러한 성장 전망에는 2019 ~2020년에 상용화를 목표로 개발 중인 5세대 이동통신(5G) 무선통신장비 시장 및 방위 시장에서 GaN 기술의 채택이 시장의 성장에 주된 원동력으로 판단되고 있습니다. 전반적인 GaN 트랜지스터 시장의 성장으로 향후 당사의 사업분야인 무선통신 사업부문과 방위산업 사업부문의 괄목할 만한 성장을 기대할 수 있습니다.

(가) 무선통신 사업부문1) GaN 트랜지스터

Yole Developpement보고서(2016.03)에 따르면 2015년 GaN 트랜지스터 시장 규모는 2.98억 달러이며, 연평균 14% 성장하여 2022년까지 2.5배 성장할 것으로 예측하였습니다. 특히 무선통신용 GaN 트랜지스터의 규모는 2015년도에 1.6억 달러에서 2021년 4.0억 달러로 연 평균 16% 성장할 것으로 예측하고 있습니다. 2016년도 기준 당사의 통신용 GaN 트랜지스터 매출액은 4240만 달러로 통신용 GaN 트랜지스터 시장의 23%정도의 시장점유율을 차지하고 있습니다.기존 무선통신 분야의 경우 주로 사용되는 주파수가 3GHz 보다 낮아 수십 년 동안 연구 및 생산된 LDMOS 트랜지스터가 경쟁력이 높을 수 밖에 없습니다. 그러나 6Ghz 이하 및 28Ghz 이상 주파수를 사용하는 5 세대 이동통신(5G) 의 경우, LDMOS 트랜지스터로는 소재의 물질적 특성의 한계로 인하여 5 세대 이동통신의 규격 및 시스템 구현이 어려워 GaN 트랜지스터의 시장 점유율은 확대될 것으로 예상됩니다.

자료: Yole Developpement, GaN RF Devices Market (2016.03) 2) 통신용 GaN 전력증폭기

ABI Research(2014.03)에 의하면 RF 전력증폭기에서 RF 트랜지스터가 차지하는 비중은 약 30%입니다. 해당 비중치를 고려하여 위에서 언급한 통신용 GaN 트랜지스터 시장규모를 적용한 2015년부터 2021년까지 무선통신용 GaN 전력증폭기의 세계 시장규모는 다음과 같이 추산됩니다.

(단위 : 백만 USD)

시장규모	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021

통신용 GaN 전력증폭기	543	600	633	700	867	1,233	1,333

자료: 당사자체분석(나) 방위산업 사업부문

1) 레이더용 GaN 전력증폭기

2015년도 세계 방산 연감에 의하면 세계 방산 레이더 시장은 2015년 약 18억 달러에서 연 평균 약 5%의 성장을 통해 2021년까지 약 26억 달러 규모의 시장으로 확대될 것으로 전망됩니다.

자료: 세계방산연감 2015레이더 산업은 송수신부, 신호처리부, 안테나, 하우징, 디스플레이, 전원공급, 센서, 광학 등의 하부 구조 산업을 보유하고 있습니다. 그 중 당사의 주요 제품인 레이더용 GaN 전력증폭기가 적용되는 송수신 장비는 전체 레이더 산업의 30.2%를 차지하는 핵심 요소입니다.

다. 경쟁 현황(1) 경쟁 상황(가) 무선통신 사업부문

1) RF 트랜지스터(GaN, LDMOS 등)

RF트랜지스터 시장은 실리콘 기반 LDMOS 트랜지스터를 생산하는 NXP와 Ampleon, Infineon 3개 업체와 GaN 트랜지스터를 생산하는 Sumitomo Electric과 당사가 시장의 약 80% 이상을 장악하고 있습니다. 2016년도에 발간된 ABI Research의 세계 RF Semiconductor 시장 점유율에 따르면 NXP가 34.8%, Ampleon 24.1%, Infineon 10.6%, Sumitomo Electric이 8.1%의 시장점유율을 차지하고 있으며, 당사의 경우 약 3%로 추정하고 있습니다.

2) 통신용 전력증폭기 당사는 새로운 통신용 전력증폭기 시장을 개척하기 COB(Chip on board) 공정을 통해 GaN 웨이퍼를 질화알루미늄(AlN) 기판 상에 올리는 방식으로 제작한 하이브리드 타입의 통신용 GaN 전력증폭기를 세계 최초로 개발하였습니다. 당사의 통신용 GaN 전력증폭기는 노키아의 초소형(Small cell) 무선기지국에 적용되어, 저전력 무선 기지국 시장에 진입하게 되었습니다. 제출일 기준으로, 당사의 제품과 같은 하이브리드 타입의 고출력 통신용 GaN 전력증폭기를 제작하는 업체와 유사 제품은 없는 것으로 확인됩니다.

(나) 방위산업 사업부문1) 레이더용 전력증폭기

방위산업 레이더시장의 경우 다양한 업체가 경쟁하고 있으며, 글로벌 방산기업의 경우 자체적으로 레이더용 전력증폭기를 생산하는 곳도 많습니다. 당사와 유사한 방식으로 레이더용 전력증폭기를 외주생산하는 업체로는 미국 나스닥에 상장한 MACOM과 QORVO등이 있습니다.

(2) 경쟁업체 현황(가) 무선통신 사업부문

1) RF 트랜지스터(GaN, LDMOS 등)

(단위: 백만원)

구분	알에프에이치아이씨㈜	NXP	INFINEON	SUMITOMO ELECTRIC

16년	15년	14년	16년	15년	14년	16년	15년	14년	16년	15년	14년

설립일	1999.08.20	2006.09.01	1994.04.01	1897.01.01

매출액(매출원가율)	60,14666.21%	48,52468.04%	62,68757.64%	11,478,33357.16%	7,150,37254.32%	6,207,18253.25%	8,205,17564.00%	7,420,67164.00%	5,773,76662.00%	31,293,65882.00%	28,509,92082.00%	25,973,81082.00%

영업이익(이익률)	57,269.52%	3,8898.02%	16,14225.75%	-181,275-1.58%	2,361,58033.03%	1,153,06118.58%	967,17911,79%	710,69410.00%	701,67312.00%	1,572,0385.00%	1,394,6005.00%	1,237,1905.00%

당기순이익(이익률)	5,5649.25%	4,4769.23%	13,24521.13%	-160,731-1.40%	1,874,02826.00%	667,21411.00%	941,82711.48%	811,85611.00%	715,03812.00%	871,1444.50%	1,020,9304.00%	1,196,4705.00%

총자산	131,490	124,606	124,683	29,949,047	30,886,888	7,576,786	11,518,681	11,193,113	8,604,516	26,402,722	26,660,760	26,921,320

총부채	27,547	26,472	31,692	16,964,923	17,053,772	6,696,326	5,151,526	5,219,440	3,047,266	11,209,114	11,484,870	11,767,410

자기자본	103,943	98,134	92,991	13,004,669	13,833,116	880,459	6,367,155	5,973,672	5,557,250	15,197,902	15,175,890	15,153,910

상장여부(상장일)	상장(2017년 9월)	상장 (2017년 9월)	상장 (2017년 9월)	상장(2010년 8월)	상장(2010년 8월)	상장(2010년 8월)	상장(2000년 3월)	상장(2000년 3월)	상장(2000년 3월)	상장(2000년 1월)	상장(2000년 1월)	상장(2000년 1월)

주요제품(매출비중)	GaN 트랜지스터79%	GaN 트랜지스터53%	GaN 트랜지스터46%	SP13%	SP20%	SP23%	P32%	P31%	P25%	Infocom6%(추정)	Infocom6%	Infocom6%

주1) NXP출처: NXP financial press releases

주2) Infineon 출처: Infineon Annual Report 2016

주3) Sumitomo 출처: Sumitomo Annual report 2016

주4) SP: NXP Standard Products

주5) P Infineon Power Management Multimarket

주6) Infocom: Sumitomo Infocommunications

주7) 경쟁업체들은 글로벌 기업으로, 무선통신 사업분야 외에 타 분야도 영위하고 있습니다. 타 분야 대비 상대적으로 무선통신 사업분야의 매출 비중이 낮아 무선통신 사업분야에 한정하여 주요 제품에 대한 매출비중을 확인하기 매우 어렵습니다.

(나) 방위산업 사업부문(레이더)

1) 레이더용 전력증폭기(단위: 백만원)

구분	알에프에이치아이씨㈜	MACOM	QORVO

16년	15년	14년	16년	15년	14년	16년	15년	14년

설립일	1999.08.20	1950	2015.01.01

매출액(매출원가율)	60,14666.21%	48,52468.04%	62,68757.64%	657,83248.27%	492,95451.60%	372,83758.45%	3,155,06259.80%	2,005,25259.71%	1,262,13664.73%

영업이익(이익률)	57,269.52%	3,8898.02%	16,14225.75%	16,0102.43%	11,8282.40%	-30,587-8.20%	14,4630.46%	143,5307.16%	30,0532.38%

당기순이익(이익률)	5,5649.25%	4,4769.23%	13,24521.13%	1,7330.26%	56,94611.55%	-16,843-4.52%	-34,859-1.10%	230,06711.47%	13,8961.10%

총자산	131,490	124,606	124,683	1,436,364	1,008,897	742,897	7,972,256	8,077,868	1,011,607

총부채	27,547	26,472	31,692	877,089	511,345	491,656	1,930,152	842,925	268,162

자기자본	103,943	98,134	92,991	559,274	497,553	251,241	6,042,104	7,234,944	743,445

상장여부(상장일)	상장 (2017년 9월)	상장 (2017년 9월)	상장 (2017년 9월)	상장(2012년 3월)	상장(2012년 3월)	상장(2012년 3월)	상장(2015년 1월)	상장(2015년 1월)	상장(2015년 1월)

주요제품(매출비중)	레이더용 GaN 전력증폭기5%	레이더용 GaN 전력증폭기12%	레이더용 GaN 전력증폭기12%	A14%	A20%	A26%	IDP20%	IDP18%	IDP19%

주1) A MACOM Aerospace Defense

주2) IDP: Qorvo Infrastructure and Defense Products

주3) 경쟁업체들은 글로벌 기업으로, 방위산업 사업분야 외에 타 분야도 영위하고 있습니다. 타 분야 대비 상대적으로 방위산업 사업분야의 매출 비중이 낮아 방위산업 사업분야에 한정하여 주요 제품의 매출비중을 확인하기 어렵습니다.

(3) 비교우위 사항(가) 기술적인 우위

1) GaN 트랜지스터

당사의 GaN 트랜지스터는 GaN의 소재적 우수함으로 인하여 기존 실리콘(Si) 기반의 LDMOS 트랜지스터보다 높은 주파수에서 우수한 효율 및 선형성을 보유하고 있습니다. 이러한, GaN의 특성은 LDMOS 트랜지스터와 동일한 주파수 및 출력에서 보다 높은 효율을 갖는 제품의 제작이 가능하고, 보다 높은 주파수에서 사용 가능한 제품의 생산이 가능합니다. [LDMOS와 GaN on SiC 비교]

성능	LDMOS	GaN on SiC

효율	Peak Power	68 %	75 %

Doherty	48 %	55 %

선형성	-30 dBc	-28 dBc

열 전도율	70 W/mK	350 W/mK

주파수	3Ghz	0.5 um	5 Ghz

0.25 um	18 Ghz

0.15 um	40 Ghz

자료: 당사자체분석아래의 표는 GaN 트랜지스터를 생산하는 당사와 LDMOS 트랜지스터를 생산하는 경쟁 업체들의 제품을 비교한 것입니다. 동일한 주파수 대역 및 출력에서 GaN 트랜지스터가 LDMOS 트랜지스터 대비 높은 효율을 제품임을 확인할 수 있습니다. [LDMOS 트랜지스터와 GaN 트랜지스터 성능 비교]

제품 번호(제조사)	주파수(GHz)	출력(W)	효율(%)	Gain (typ)(dB)	소재

MRF24300N(NXP)	2.4 ~ 2.5	300	60.5	13.1	LDMOS

BLC2425M8LS300P(Ampleon)	2.4 ~ 2.5	300	58	17.5	LDMOS

PXFD252207NF(Infineon)	2.4 ~ 2.5	250	57	16.7	LDMOS

EGN21C320IV(Sumitomo Electric)	2.1 ~ 2.2	316	65	18	GaN

IE24300P(알에프에이치아이씨)	2.4 ~ 2.5	300	70	12.5	GaN

주1) 제조사별 홈페이지와 매체를 통해 홍보된 내용을 기초로 작성하였습니다.

주2) 이득(Gain)은 입력 신호 대비 출력 신호의 증폭된 양을 나타냅니다.

주3) Sumitomo Electric 은 동일한 주파수 대역의 제품이 없어 유사한 제품으로 조사하였습니다.

주4) 효율과 이득(Gain)은 상호간의 Trade-off 관계를 가지고 있습니다.

2) 통신용 GaN 전력증폭기 통신용 GaN 전력증폭기는 당사의 연구 노하우와 기술력을 바탕으로 기존의 모듈 형태와는 다른 새로운 형태 및 구조로 개발되어 세계에서 당사만이 유일하게 설계 및 제작하고 있습니다. 당사의 통신용 전력증폭기는 패키지에 의한 전기적 기생성분을 최소화하기 위해 메탈 패키지를 사용하지 않고 기판에 웨이퍼를 직접 붙여 일체화하는 기술로 제품의 크기를 보다 소형화 할 수 있는 반도체 기술입니다. 당사의 통신용 GaN 전력증폭기의 최대 장점은 입출력 정합(Matching) 회로를 포함하는 제품으로 사용자의 편리성을 극대화하였으며, 외부에 별도의 정합회로가 필요하지 않아 제품의 소형화에 매우 유리합니다. 또한, 열 전도율이 뛰어난 질화 알루미늄(Aluminium Nitride, AlN)을 이용하여 효과적으로 열을 배출할 수 있도록 설계된 제품입니다. 크기가 작고 가벼우며, SMD(Surface Mount Device)형태로 제작 가능하여, 대량 생산에 매우 용이한 구조입니다. 3) 레이더용 GaN 전력증폭기 당사는 글로벌 방위 산업 업체들과 다년간의 공동 연구 개발을 통해 방위 산업 제품에서 요구하는 극한의 조건(온도, 습도. 진동 등)에서도 안정적으로 동작하는 레이더용 GaN 전력증폭기를 다수 개발하였습니다. 또한, 복수의 GaN 트랜지스터 출력을 결합(Combine)하는 회로 및 안정적인 성능 구현을 위한 방열 구조에 대한 설계 기술을 보유하고 있습니다. 대부분의 레이더용 전력증폭기 제조사들은 해외 거래처로부터 GaN 트랜지스터를 구입하여 전력증폭기를 제작하는 방식입니다. 하지만, 당사는 자체적인 GaN 트랜지스터의 설계 및 생산 공정을 구축하고 있으며, 이를 이용한 레이더용 GaN 전력증폭기 설계 및 생산을 통해 경쟁사 대비 우수한 성능 및 경쟁력 있는 가격으로 제품을 출시하고 있습니다. (나) 웨이퍼 생산공정을 제외한 전공정 구축 미국CREE로부터 당사의 설계 데이터를 기초로 제작된 GaN 웨이퍼가 입고되면 패키징 공정(Die Attach, Wire Bonding, Internal Matching) 작업을 통하여 GaN 트랜지스터를 생산합니다. 당사에서 만들어진 GaN 트랜지스터는 자체로 판매하거나 GaN 전력증폭기에 적용하여 GaN 전력증폭기로 판매하기도 합니다. 웨이퍼를 생산하는 공정을 제외한 전공정, 즉 RF 설계, 제조 기술을 보유하고 있어 가격 경쟁력 및 고객 요구에 빠르게 대응할 수 있는 능력을 보유하고 있습니다. 2. 주요 제품 등에 관한 사항 가. 주 요 제품 등의 현황

(단위: 백만원 %)

품목	2014년 매출액 (비율)	2015년 매출액 (비율)	2016년 매출액 (비율)	2017년 매출액 3분기말 (비율)	제품설명

GaN 트랜지스터	28,540	44.45%	25,839	52.00%	47,709	77.92%	33,771	76.17%	주1)

통신용 GaN 전력증폭기	21,560	33.58%	11,918	23.99%	5,012	8.19%	3,579	8.07%	주2)

레이더용 GaN 전력증폭기	8,925	13.90%	7,144	14.38%	4,205	6.87%	4,100	9.25%	주3)

GaAs MMIC	5,175	8.06%	4,786	9.63%	4,303	7.03%	2,889	6.52%	주4)

합계	64,200	100.00%	49,687	100.00%	61,229	100.00%	44,339	100.00%

주1) GaN 트랜지스터

전력증폭기(Amplifier)의 핵심소자로서 과거 진공관의 역할을 대체하려는 목적으로 개발되었습니다. GaN 트랜지스터는 약한 전기 신호를 크게 증폭하는 반도체 부품으로 소재의 특성으로 인하여 3 GHz 이상의 고주파에서 특히 뛰어난 효율 및 성능을 발휘합니다. 당사는 글로벌 고객사의 요구에 맞추어 주파수 및 출력을 제품을 제작하고 있습니다.

주2) 통신용 GaN 전력증폭기

기존의 전력증폭기와 달리 작은 사이즈의 기판 안에 입출력 정합회로(Matching circuit)가 모두 들어가 있어 사용자 편리성을 극대화한 제품입니다. 주로 초소형기지국, Point-to-Point 애플리케이션에 적용을 위해 개발되었습니다.

주3) 레이더용 GaN 전력증폭기

레이더용 GaN 전력증폭기는 송신단 끝에서 강한 전력으로 신호를 증폭시키는 역할을 담당하고 있으며, 레이더 시스템의 가장 핵심적인 부분이라고 할 수 있습니다.

주4) GaAs MMIC

당사의 GaAs MMIC는 낮은 전류소모량과 노이즈발생을 최소화할 수 있어 CATV 및 광대역 어플리케이션 분야에서 활용되고 있습니다.

나. 주 요 제품 등의 가격변동 추이 (1) 가격 변동 추이

(단위: 원)

사업연도품목	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017연도3분기말

주요제품	GaN 트랜지스터	내수	45,556	31,076	33,566	28,913

수출	31,835	21,085	21,153	21,165

통신용 GaN 전력증폭기	내수	524,070	521,145	717,778	134,076

수출	329,627	329,170	163,266	140,598

레이더용 GaN 전력증폭기	내수	1,886,290	4,856,361	1,205,227	5,765,113

수출	553,068	450,245	135,858	114,616

GaAs MMIC	내수	550	610	478	853

수출	666	737	581	780

(2) 가격 변동 원인

품목	가격변동 추이 원인

GaN 트랜지스터	초도 양산의 경우 개발비를 반영한 비교적 높은 가격으로 납품하다가 본격적인 양산이 진행되면 거래처와의 협의를 통하여 가격이 조정됩니다. 거래처 및 모델별로 차이는 있지만 양산주기는 1~3년, 가격조정은 1년에 1회 진행합니다.

통신용GaN 전력증폭기	기존의 GaN 전력증폭기는 기지국에 적용되었던 제품으로 다수의 GaN 트랜지스터를 직렬 및 병렬 형태로 조합하여 여러 가지 특성과 기능을 구현한 제품이었습니다. 무선통신기술의 발달로 고객사 및 무선통신시장의 관심이 초소형 기지국에 집중됨에 따라 새로운 형태의(Hybrid 타입) 통신용 GaN 전력증폭기를 출시하여 가격 변동이 발생하였습니다.(기지국용 전력증폭기 ⇒ 초소형 기지국용 전력증폭기)

레이더용GaN 전력증폭기	레이더용 GaN 전력증폭기는 개발기간과 양산기간이 길고 다른 거래처로의 전환이 쉽지 않아 가격이 정해지면 특별한 이유가(양산 수량 증가) 없는 이상 가격 변동은 거의 없습니다.

GaAs MMIC	GaAs MMIC의 경우에는 범용성이 있는 제품으로 동일한 제품에 거래처별로 가격차이가 발생합니다. 납품수량은 많지만 거래 금액 자체가 크지 않아 가격이 정해지면 특별한 이유가(양산 수량 증가) 없는 이상 가격 변동은 거의 없습니다.

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 주 요 원재료 매입 현황 및 주요 매입처

(단위: 백만원)

매입유형	품목	매입처	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017연도3분기말

원재료	웨이퍼	CREE	28,682	9,861	12,032	10,761

패키지	A사, B사 등	8,348	4,739	8,163	4,735

기타	서진시스템, 리더스전자 등	14,484	5,957	6,994	5,862

나. 원재료 가격변동추이 및 가격변동원인 (1) 원재료 가 격변동추이

(단위: 원)

사업연도품 목	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017연도3분기말

웨이퍼	4,102.5	2,775.7	3,506.4	2,540.5

패키지	4,709.0	4,081.6	3,627.0	4,205.6

(2) 원재 료 가격변동원인 생산량 증가 및 판매가격 인하에 대한 당사 원가율 유지를 위하여 주요 원재료에 대해 최소 1년에 1회이상 가격 조정을 진행합니다. 4. 생산 및 설비에 관한 사항 가. 생 산능력 및 생산실적

(단위: 개)

제품품목명	구분	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017년도3분기말

수량	수량	수량	수량

GaN 트랜지스터	생산능력	1,996,800	2,496,000	3,494,400	2,620,800

생산실적	1,378,802	1,020,221	2,115,681	1,705,540

가동율	69.1%	40.9%	60.5%	65.1%

GaN 전력증폭기	생산능력	237,120	324,480	411,840	308,880

생산실적	70,119	48,033	54,224	40,997

가동율	29.6%	14.8%	13.2%	13.3%

GaAs MMIC	생산능력	13,478,400	13,478,400	13,478,400	10,108,800

생산실적	8,791,980	5,573,405	10,404,160	2,584,785

가동율	65.2%	41.4%	77.2%	25.6%

주1) 제품군에 속하는 품목들이 특성, Size, design이 다수 상이하고 다품목이기 때문에 대표모델을 기준으로 작성하였습니다.

주2) 생산능력과 방식은 통신용 GaN 전력증폭기와 레이더용 GaN 전력증폭기가 비슷하여 합산으로 표시하였습니다.

나 . 생 산 설 비에 관한 사항 (1) 생산설비의 현황 (2017년도 3분기말)

(단위: 백만원)

공장별	자산별	소재지	기초가액	당기증감	당기상각	기말가액

증가	감소

평촌사옥	토지	경기도 안양시동안구 부림로170번길 41-14	8,563	-	-	-	8,563

건물	14,751	-	-	(289)	14,462

기계장치	3,680	804	-	(1,138)	3,346

공구와기구	16	-	-	(10)	6

합계	27,010	804	-	(1,437)	26,377

(2) 최 근 3년간 변동사항(단위: 천원)

설비자산명	취득가액	취득일	취득사유

토지	평촌사옥	8,522,856	2013-02-15	본사사옥신축

평촌사옥	39,928	2014-01-22

건물	평촌사옥	14,796,113	2015-05-21

평촌사옥	86,201	2015-05-21

평촌사옥	509,930	2015-06-30

기계장치	SIGNAL GENERATOR	35,561	2014-05-31	연구 개발 및 생산 시설 증설

계측기	19,755	2014-07-31

계측기	21,000	2014-09-02

POWER METER	13,244	2014-09-30

TRAY TO TRAY MC	42,500	2014-10-31

계측기	10,724	2014-12-31

SIGNAL GENERATOR	29,600	2014-12-31

SIGNAL GENERATOR	13,874	2015-02-28

SIGNAL GENERATOR	96,645	2015-02-28

UV Machine	22,000	2015-03-30

POWER METER	53,053	2015-03-31

TRAY TO TRAY MC	33,000	2015-04-30

DIE BONDER	12,324	2015-05-29

DIE BONDER	12,324	2015-05-29

DIE BONDER	12,324	2015-05-29

DIE BONDER	12,324	2015-05-29

Peak Power Meter	28,400	2015-06-01

계측기	10,674	2015-06-05

Network Analyzer	233,969	2015-06-17

CHAMBER	84,627	2015-06-30

BONDING SYSTEM	59,500	2015-07-30

CHAMBER	66,526	2015-08-31

SEALING M/C	20,000	2016-01-29

C-SAM	182,387	2016-02-03

TEST Handler	15,200	2016-02-29

AUTOMATED TUNER	22,890	2016-03-23

DIE BONDER	250,089	2016-03-25

DIE BONDER	171,862	2016-03-25

WIRE BONDER	152,916	2016-03-30

계측기	20,560	2016-03-31

질소발생기	56,000	2016-03-31

계측기	22,365	2016-04-07

DIE BONDER	21,808	2016-04-29

WIRE BONDER	33,923	2016-04-29

계측기	10,890	2016-05-12

DIE BONDER	1,169,076	2016-05-20

Water System	10,000	2016-05-24

TRAY TO TRAY MC	42,500	2016-05-25

SEALING M/C	40,600	2016-11-30

정전기 시험기	17,000	2016-12-05

(3) 설비의 신설 ·매입계획 당사는 향후 오더 증가에 대응하여 생산능력 확대가 가능하도록 준비하고 있으며, 신규 사업과 관련하여 연구 개발 및 양산에 필요한 생산시설 및 설비에 대한 투자를 진행할 예정입니다.

5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위: 백만원)

매출유형	품목	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017연도3분기말

금액	금액	금액	금액

제품	GaN 트랜지스터	수출	21,897	19,760	36,823	27,243

내수	6,643	6,079	10,886	6,528

통신용 GaN 전력증폭기	수출	14,059	4,727	4,956	3,564

내수	7,501	6,690	56	15

레이더용 GaN 전력증폭기	수출	4,750	6,073	3,790	2,930

내수	1,569	1,073	415	1,170

GaAs MMIC	수출	4,758	3,978	3,537	2,029

내수	343	278	269	193

제품 합계	수출	45,464	34,538	49,106	35,766

내수	16,056	14,120	11,626	7,906

합계	61,520	48,658	60,732	43,672

상품	기타	수출	2,626	504	253	588

내수	54	525	244	79

합계	수출	48,090	35,042	49,359	36,354

내수	16,110	14,645	11,870	7,985

합계	64,200	49,687	61,229	44,339

나. 주요 매출처 등 현황(단위: 백만원)

매출유형	품목	매출처	2014연도(제16기)	2015연도(제17기)	2016연도(제18기)	2017연도3분기말

제품	GaN 트랜지스터	국내	F사	2,585	61	2,228	816

G사	-	2,954	7,194	5,712

기타	4,058	3,064	1,464	-

소계	6,643	6,079	10,886	6,528

수출	F사	21,300	3,637	4,060	2,933

H사	66	12,225	32,657	24,297

기타	531	3,898	106	13

소계	21,897	19,760	36,823	27,243

통신용 GaN 전력증폭기	국내	F사	6,652	6,499	29	14

기타	849	191	27	1

소계	7,501	6,690	56	15

수출	F사	13,234	3,974	4,400	2,951

I사	190	42	309	605

기타	635	711	247	8

소계	14,059	4,727	4,956	3,564

레이더용 GaN 전력증폭기	국내	J사	1,523	925	19	1,036

기타	46	148	396	134

소계	1,569	1,073	415	1,170

수출	I사	199	852	847	791

기타	4,551	5,221	2,943	2,139

소계	4,750	6,073	3,790	2,930

GaAs	국내	343	278	269	193

수출	4,758	3,978	3,537	2,029

제품소계	국내	16,056	14,120	11,626	7,906

수출	45,464	34,538	49,106	35,766

소계	61,520	48,658	60,732	43,672

상품	국내	54	525	244	79

수출	2,626	504	253	588

소계	2,680	1,029	497	667

합계	국내	16,110	14,645	11,870	7,985

수출	48,090	35,042	49,359	36,354

합계	64,200	49,687	61,229	44,339

다. 판매조직 및 판매경로 등 (1) 판매조직

DS (Domestic Sales)팀은 삼성전자 및 국내 중계기 업체를 포함하는 국내 무선통신 사업부문을 전담하고 있습니다.

CS (China Sales)팀은 화웨이 등 중화권 기업에 대한 중국 해외 무선통신 사업부문을 전담하고 있습니다.

DMS (Domestic Military Sales)팀은 LIG 넥스원 등을 포함하는 국내 방위산업 사업부문을 전담하고 있습니다.

GS (Global Sales)팀은 노키아를 포함하는 해외 통신부문 및 Airbus, Cobham, Raytheon 등 해외 방위산업 사업부문을 전담하고 있습니다.

(2) 판매경 로당사는 고객사에 대부분의 제품을 직접판매하고 있으나 특정 국가 및 특정 제품에 대하여 대리점 판매도 일부 병행하고 있습니다.

매출유형	품목	구분	판매경로

제품	GaN 트랜지스터	수출	당사 → 해외대리점 판매

당사 → 해외거래처 직판

국내	당사 → 국내대리점 판매

당사 → 국내거래처 직판

통신용GaN 전력증폭기	수출	당사 → 해외대리점 판매

당사 → 해외거래처 직판

국내	당사 → 국내대리점 판매

당사 → 국내거래처 직판

레이더용GaN 전력증폭기	수출	당사 → 해외대리점 판매

당사 → 해외거래처 직판

국내	당사 → 국내대리점 판매

당사 → 국내거래처 직판

GaAs MMIC	수출	당사 → 해외대리점 판매

당사 → 해외거래처 직판

국내	당사 → 국내대리점 판매

당사 → 국내거래처 직판

상품	GaAs MMIC	수출	당사 → 해외대리점 판매

당사 → 해외거래처 직판

국내	당사 → 국내대리점 판매

당사 → 국내거래처 직판

(3) 판매 전략 (가) 무선통신 사업부문: 선행개발을 통한 매출확대

무선통신기기 시장의 특성상 Design-in 이 된 제품을 변경하기는 쉽지 않아 당사는 경쟁사 보다 앞선 GaN트랜지스터 개발 및 적용으로 세계 글로벌 업체들을 공략하고 있습니다.

(나) 방위산업 사업부문: 가격경쟁력을 통한 매출확대

대부분의 레이더용 전력증폭기 제조사들은 해외 거래처로부터 GaN 트랜지스터를 구입하여 전력증폭기를 제작하는 방식입니다. 하지만, 당사는 자체적인 GaN 트랜지스터 의 설계 및 생산 공정을 구축하고 있으며, 이를 이용한 레이더용 GaN 전력증폭기 설계 및 생산을 통해 경쟁사 대비 우수한 성능 및 경쟁력 있는 가격으로 제품을 출시하고 있습니다.

6. 수주현황 2017년 09월 30일 기준 당사의 수주잔액 현황은 아래와 같습니다.

(단위: 천원)

품 목	수주잔액

레이더용 GaN 전력증폭기	7,669,446

합 계	7,669,446

7. 시장위험과 위험관리

당사는 여러 활동으로 인하여 신용위험 및 유동성위험과 같은 다양한 재무위험에 노출돼 있습니다. 당사의 전반적인 위험관리정책은 금융시장의 변동성에 초점을 맞추고 있으며 재무성과에 미치는 부정적 영향을 최소화하는데 중점을 두고 있습니다.

위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 이루어지고 있습니다. 이사회는 전반적인 위험관리에 대한 문서화된 정책, 외환위험, 이자율 위험, 신용 위험 및 유동성을 초과하는 투자와 같은 특정 분야에 관한 문서화된 정책을 검토하고 승인합니다.

가. 신용위험 신용위험은 연결실체 차원에서 관리되고 있습니다. 신용위험은 보유하고 있는 수취채권 거래처에 대한 신용위험뿐 아니라 현금 및 현금성자산, 은행 및 금융기관 예치금으로부터 발생하고 있습니다.금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대 노출정도를 표시하고 있습니다. 2017년 09월말과 2016년도 12월말 현재 연결실체의 신용위험에 대한 최대 노출정도는 다음과 같습니다. 현금 및 현금성자산 및 장단기금융상품은 신용등급이 높은 금융기관에 예치하여 신용위험의 노출 정도가 제한적입니다.

(단위 : 천원)

구분	2017년 9월말	2016년 12월말	2015년 12월말	2014년 12월말

현금및현금성자산(*)	27,313,864	29,261,944	22,254,185	27,639,878

매출채권 및 미수금	11,681,397	13,115,556	12,563,898	2,255,416

기타금융자산 - 유동	16,914,810	2,660,099	5,469,353	8,467,299

기타금융자산 - 비유동	1,963,292	1,605,970	462,074	716,945

합 계	57,873,363	46,643,569	40,749,510	39,079,538

(*) 현금시재액은 제외하였습니다. 나. 유동성 위험 당사는 미사용 차입금한도를 적정수준으로 유지하고 영업 자금수요를 충족시킬 수 있도록 유동성에 대한 예측을 항시 모니터링하여 차입금 한도나 약정을 위반하는 일이 없도록 하고 있습 니다. 유동성에 대한 예측 시에는 당사의 자금조달 계획, 약정 준수, 당사 내부의 목표재무비율 및 통화에 대한 제한과 같은 외부 법규나 법률 요구사항이 있는 경우 그러한 요구사항을 고려하고있습니다. 당사의 유동성위험 분석내역은 다음과 같습니다. [2017년도 9월말]

구분	1년 미만	1~2년	2~5년	5년 초과	합 계

차입금(*)	14,382,901	-	-	-	14,382,901

매입채무 및 기타금융부채	7,250,046	12,288	12,757	5,598	7,280,689

합 계	21,632,947	12,288	12,757	5,598	21,663,590

[2016년 12월말]

구분	1년 미만	1~2년	2~5년	5년 초과	합 계

차입금(*)	15,252,881	161,984	-	-	15,414,865

매입채무 및 기타금융부채	10,661,872	110,061	19,473	47,163	10,838,569

합 계	25,914,753	272,045	19,473	47,163	26,253,434

[2015년 12월말]

구분	1년 미만	1~2년	2~5년	5년 초과	합 계

차입금(*)	19,957,508	1,529,741	377,404	-	21,864,653

매입채무 및 기타금융부채	4,062,648	20,572	11,144	5,819	4,100,183

합 계	24,020,156	1,550,313	388,548	5,819	25,964,836

[2014년 12월말]

구분	1년 미만	1~2년	2~5년	5년 초과	합 계

차입금(*)	10,910,700	7,702,942	1,923,378	-	20,537,020

매입채무 및 기타금융부채	9,616,510	16,590	11,398	5,467	9,649,965

합 계	20,527,210	7,719,532	1,934,776	5,467	30,186,985

(*) 차입금은 이자비용을 포함하고 있습니다. 8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래현황 당사는 분기보고서 작성기준일 현재 해당사항이 없습니다. 9. 경영상의 주요계약 등

계약상대방	계약일	계약기간	계약의 목적 및 내용	계약금액 또는 대금수주 방법(기준) 등	계약상의 주요내용

삼성전자	2011.07.08	2011.07.08 ~(자동연장계약)	거래기본계약서	특이사항 없음	특이사항 없음

CREE	2009.05.22	2009.05.22~ 2018.09.30(재연장예정)	당사의 주요 원재료 공급처인 CREE와 공급계약을 체결하여 안정적인 원재료 확보	특이사항 없음	공급계약이 재연장 되지 않더라도 기존 공급 제품에 대하여 10년동안 납품을 보장함

10. 연구개발활동 가. 연 구개발 담당조직 (1) 연구개발 조직개요

당사는 한국산업기술진흥협회로부터 인증을 받은 기업부설연구소를 운영하고 있습니다. 당사의 기업부설연구소는 분기보고서 제출일 기준 70 명의 전문연구인력으로 구성되어 있으며, GaN 트랜지스터 및 전력증폭기에 관련된 기초, 응용기술 연구 및 산학연과 공동연구개발 과제등을 수행하고 있습니다. (2) 연 구개발인력 구성

학력	박사	석사	학사	기타

인원수	1	31	32	8

(3) 주 요 연구개발인력 현황

팀명	인원	수행업무

연구소장	1	연구 개발 방향 설정 및 관리

GoDi (GaN on Diamond)본부	11	GaN on Diamond 웨이퍼 공정 및 CVD Diamond 증착 및 웨이퍼 공정 개발, 패키지 설계 및 개발

Telecom 본부	18	무선통신 사업부문에서 활용되는 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN 전력증폭기의 설계

방산 본부	18	방위산업 사업부문에서 활용되는 GaN 트랜지스터 및 레이더용 GaN 전력증폭기의 설계

NA (Next Generation Amplifier)본부	19	5G 및 차세대 초소형 무선통신 기지국에 사용되는 통신용 GaN 전력증폭기의 설계 및 GaAs 를 이용한 MMIC 설계, ISM(Industrial Scientific and Medical equipment)주파수를 활용한 산업용 GaN 트랜지스터 및 전력증폭기의 설계

PD (Process Development) 팀	2	GaN 트랜지스터 및 전력증폭기의 생산 공정 연구

MD (Mechanical Design) 팀	3	전력증폭기의 기구 설계 및 방열특성을 연구

나. 연구개발비용

당사의 주요 제품인 GaN 트랜지스터 및 전력증폭기에 관련한 연구개발활동 과정에서 발생된 지출들을 연구개발비용으로 인식하고 있습니다. 당사의 연도별 연구개발비용은 아래와 같습니다.

(단위 : 백만원, %)

구분	2014연도	2015연도	2016연도	2017연도

(제16기)	(제17기)	(제18기)	3분기말

비용처리 (판관비)	원재료비	1,674	1,303	1,038	722

인건비	2,696	2,965	3,937	2,693

감가상각비	428	494	546	418

위탁용역비	-	-	-

기타경비	477	341	338	477

소계	5,275	5,103	5,859	4,310

합계(매출액 대비 비율)	5,275 8.22%	5,103 10.27%	5,859 9.57%	4,310 9.72%

다. 연구개 발 실적 (1) 연구개발 실적(가) 무선통신 사업부문1) GaN 트랜지스터

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	상품화 내용

1	Dual path GaN 트랜지스터 개발	두 개의 웨이퍼를 하나의 패키지에 실장함으로써 두 개의 Path를 갖는 패키지 기술로 국내 LTE 시스템에 적용되었으며, 제품의 소형화, 원가 절감 및 생산/작업 편의성 향상	양산 진행

2	Hermetic GaN 트랜지스터 개발	패키지 내부에 습기를 원천적으로 차단하여 내부 부품의 손상을 방지하는 기술로 기술제조 비용을 절감할 수 있도록 기존 Ceramic 패키지와 유사한 구조로 설계.	성능 검증

3	Dual Path GaN 트랜지스터 개발	각 주파수 대역에서 시분할 다중접속(TDD:Time Division Duplexing)또는 주파수 분할 다중접속(FDD: Frequency Division Duplexing) 방식으로 LTE 신호를 증폭하는 GaN 트랜지스터 개발 경쟁사 대비 GaN 트랜지스터의 크기는 줄이고 전력 효율을 높여 해외 기지국체계(BTS : Base Transceiver System)에 적용	양산 진행

4	ISM Band용 GaN 트랜지스터 개발	ISM(Industrial Scientific and Medical equipment) 전용 고효율 GaN 트랜지스터를 개발하여 산업, 과학, 의료 장치에서 적용 가능	양산 예정

2) 통신용 GaN 전력증폭기

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	상품화 내용

1	기지국용 전력증폭기 개발	LTE 신호를 증폭하는 고출력 통신용 전력증폭기 개발로 기지국(RRH, Remote Radio Head) System 적용 환경 시험 및 신뢰성 시험을 통과하여 국내 기지국 시스템에 적용됨	양산 진행

2	방송용 전력 증폭기 개발	해외 방송용 대역에 맞추어 개발 진행. 제품에 대한 기본 신뢰성 시험은 당사에서 진행을 완료하였으며, 업체에서 복합 신뢰성 시험 중	성능 검증

3	통신용 전력증폭기 개발	TD-LTE 방식의 고효율, 광대역 성능을 보유한 제품을 개발하여 해외 기지국 시스템에 적용	양산 진행

4	Hybrid 통신용 전력 증폭기 개발	전력밀도가 높은 GaN 반도체를 이용한 고효율, 저전력 증폭기를 개발함으로써 기존 매크로 셀 기지국을 보완하여 향상된 네트워크 속도 및 품질 제공을 위한 마이크로, 펨토, 피코 셀 및 기타 소형 셀 등의 적용	양산 진행

5	통신용 전력증폭기 개발	통신 장비의 설비투자비용 (Capital expenditure, CAPEX)과 운용비용 (Operating expenditure, OPEX)의 절감하기 위하여 광대역을 커버하는 통신용 GaN 전력 증폭기를 개발	양산 예정

(나) 방위산업 사업부문1) 레이더용 GaN 전력증폭기

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	상품화 내용

1	레이더용 전력증폭기 개발	부품 수급을 원활히 하고 작전 운용 성능, 정비운용 능력 향상, 비용 절감, 장비 수명 연장, 부품 국산화율 증대를 위하여 진공관(TWTA)을 대체하는 레이더용 전력증폭기의 개발을 수행	양산 예정

2	Hybrid 레이더용 전력증폭기 개발	진공관(magnetron)으로 구성이 되어 있는 기존 선박용 레이더 송신기의 성능을 향상시킨 Quantum CHIRP Radar에 적용되는 레이더용 전력증폭기를 개발	양산 진행

3	레이더용 전력증폭기 개발	절충교역 협상에 의해 할당된 레이더 반도체 증폭기 개발 사업으로 진공관의 일종인 CFA(Cross Filed Amplifier)를 대체하는 레이더용 전력증폭기 개발	양산 예정

4	항공 감시 레이더용 전력증폭기 개발	레이더의 성능 개선을 위해 기존 진공관(TWT) 타입의 레이더 기술에 비해 많은 이점을 가지고 있는 레이더용 전력증폭기의 개발	양산 진행

5	탐지레이더 체계개발	레이더에 적용되는 반도체 송수신모듈 개발. 안테나 장치의 구성품으로 안테나 신호 송수신 및 빔조향을 위해 고출력 송신, 저잡음 수신, 위상 및 이득 변위 기능을 수행하는 송수신모듈을 GaN 전력증폭기를 활용하여 제작	양산 진행

6	기상용 레이더 개발	레이더에 적용되는 LRU(Line-Replaceable Unit)로써 RF Switch와 송수신단으로 구성되어 있으며, 안테나 장치에 장착되어 운용	양산 예정

7	Hybrid GaN 전력증폭기 개발	군용 무전기의 주파수 대역뿐만 아니라 데이터 전송을 위한 추가 대역을 모두 포함하는 미래형 무전기에 적용되는 제품	양산 진행

8	레이더용 전력증폭기 개발	기존의 진공관(TWT)를 사용하던 방식에서 GaN 전력증폭기를 적용하여 시스템의 수명과 성능을 획기적으로 개선할 수 있었으며 고객의 요구사항에 따라 시스템 외형은 변경하지 않고 내부 모듈만 적용 또는 추가 장착하여 사용할 수 있도록 고안된 시스템	초도 샘플 제공

(다) 기타

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	상품화 내용

1	GaAs E-pHEMT MMIC 개발	E-pHEMT(Enhancement-mode pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)를 기반으로 최적화된 설계를 통해낮은 전류 소모와 적은 노이즈가 발생하는 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 개발. 다양한 Line-up을 구성하여 기지국 등 국내외 이동통신 장비 업체에 판매되고 있음 .	양산 진행

2	GaAs E-pHEMT MMIC 개발	Active Divider는 LNA(Low Noise Amplifier)와 Splitter를 결합하여 공간을 최소화하고 설계의 용이성, 시간, 비용의 장점을 갖도록 설계. 국내외 튜너 및 STB업체에 판매되고 있음	양산 진행

(라) 국가 R 사업 수행(단위 : 천원)

번호	사업명	사업기간	사업규모	발주처	비고

1	학연 공동 기업부설연구소 연계후속 연구개발 지원사업
(광대역 X-Band GaN hybrid 전력증폭기 개발)	2014.06.01
~ 2015.02.28	207,000	한국산업 기술진흥 협회	주관 종료

2	중소기업 융복합 기술개발 사업 (Radar용 30W급 GaN 전력증폭기 MMIC 및 패키지 개발)	2012.06.26 ~ 2014.06.24	680,000	중소 기업청	공동 개발 종료

3	에너지 수요관리 핵심기술사업
(300W, 75% GaN RF Amplifier Source를 이용한 100Lumens/W급 Plasma Lighting System 기술 개발)	2014.12.01
~ 2017.09.30	780,000	산업통상 자원부	주관 종료

주) 사업규모는 민간부담금(현물)을 제외한 당사가 제공받은 정부지원금 및 민간부담금(현금)을 계상한 금액입니다.

(2) 연구개발 계획(가) 무선통신 사업부문

1) GaN 트랜지스터

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	Dual Path GaN 트랜지스터 개발

연구목표	기존 LTE 대역 다중입력 다중출력(MIMO : Multi-input Multi-output) 구조의 기지국 시스템(BTS : Base Transceiver System) 및 4.5G 대역 대용량 다중입력 다중출력 구조의 기지국 시스템 적용

기대효과	BTS에 적용 승인을 위한 신뢰성 검증과 시험 생산을 위한 성능 검증이 진행 중에 있고, 2017년 하반기부터 매출이 발생 예상

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	GaN 트랜지스터 개발

연구목표	고객사로부터 제공받은 시스템 디자인 모듈을 기반으로 GaN 트랜지스터를 개발하여, 기지국 시스템에 최적화된 성능을 갖는 제품 설계

기대효과	고객사에서 제공한 시스템 디자인 모듈은 주파수별로 동일한 형상을 보유하고 있어, 한 제품의 적용이 결정될 경우, 다른 주파수 대역에도 용이하게 적용 가능

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	GaN 트랜지스터 개발

연구목표	최대출력 XXXW급 이상의 고출력, 고효율 제품 개발 목적

기대효과	당사에서는 2017년 3월 말까지 GaN 트랜지스터의 검증이 완료하였고. 고객사의 검증후 2017년 3분기에 양산 예상

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	ISM Band 산업용 GaN 트랜지스터 개발

연구목표	ISM(Industrial Scientific and Medical equipment) Band에서 다양한 분야에 활용되는 전력증폭기의 개발에 필요한 14~55W급 GaN 트랜지스터의 개발 계획

기대효과	기존 무선통신사업 분야에만 국한되었던 트랜지스터 사업을 ISM Band의 활용도가 많아지고 있는 산업용 트랜지스터 시장에 진출하여 새로운 시장의 창출이 가능. 산업용 트랜지스터는 가정용 전자레인지에서 산업용 건조기, 소각기, 반도체 설비 등 다양한 분야에 적용

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	삼성전자 - 해외 이동통신사향 GaN 트랜지스터 개발

연구목표	고객사의 요청에 XXW, XXW 및 XXW 출력을 갖는 시스템에 적용되는 GaN 트랜지스터 개발.

기대효과	2017년 4분기에 대량 양산이 계획 중이며, 이중 대역(Dual band)시스템 적용에 따라 추가적인 수요가 발생할 것으로 예상

2) 통신용 GaN 전력증폭기

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	Envelope Tracking용 통신용 GaN 전력 증폭기

연구목표	Doherty 기술을 대체할 수 있는 차세대 기술로, 인가되는 전압에 따라 패키지의 효율을 손실 없이 최대로 끌어낼 수 있는 Envelope Tracking 기술을 적용한 고출력 전력증폭기 개발. Envelope Tracking은 높은 전력에서 RF 포락선을 추적함으로서 증폭기는 항상 고효율로 동작하는 방식

기대효과	Envelope Tracking 방식에 고효율 GaN 트랜지스터를 이용할 경우 높은 효과가 발생될 것으로 예상. 상용화 될 경우 통신 시스템 시장에서 큰 반향을 일으킬 것으로 기대

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	Hybrid 통신용 GaN 전력증폭기 개발

연구목표	패키지에 의한 전기적 기생성분을 최소화하기 위해 메탈 패키지를 사용하지 않고 기판에 반도체 소자를 직접 붙여 일체화하는 기술로 제품의 크기를 보다 소형화 가능. 방열특성이 우수한 AlN(Aluminium Nitride)기판에 GaN 트랜지스터를 이용하여 Doherty구조로 구현

기대효과	전력증폭기의 동일 면적대비 높은 출력으로 타 경쟁사 제품과 차별화 가능한 제품임

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	5G 통신용 제품 개발

연구목표	1) 5G GaN MMIC
5G 이동통신 주파수 대역에 맞춘 GaN MMIC 개발 계획. XW이상의 고출력, 고효율의 MMIC를 개발하여 구동 증폭기 및 메인 증폭기 등에 적용 가능하게 다양한 출력 및 주파수의 제품 개발 예정
2) 5G Front-End Module
5G에 적합하도록 송수신 소자를 집적화한 Front-End Module 개발 계획. 송수신을 전환하는 RF스위치와 송신용 전력증폭기, 수신용 저잡음 증폭기를 모두 내장하고 소형화 하였기 때문에 네트워크장비의 제조비용 절감 가능.

기대효과	개발되는 제품들은 2020년에 상용화를 목표로 하고 있는 5G용 LTE 네트워크 장비에 적용가능. GaN 소자 특유의 고효율 성능으로 인해 유지비용 또한 낮아 많은 수요 기대

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	ISM Band용 고출력 전력증폭기 개발

연구목표	당사에서 개발한 ISM Band용 GaN 트랜지스터를 이용하여 100W~550W 출력의 GaN 전력증폭기 개발. CW(Continuous Wave)신호 Peak Power에서 고효율 특성을 가지며 높은 온도에서 안정적인 구동이 가능하도록 설계

기대효과	출력별로 개발완료시 다양한 ISM Application에 대한 고객사 요구에 대응 가능. 개발 중인 550W급 고출력 전력증폭기의 경우, 반도체 제조공정, 무전극 조명시스템, Plasma Chamber등 다양한 사업영역으로의 확장에 용이함.

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	ISM Band용 소형 전력증폭기 개발

연구목표	ISM Band에서 2-stage 300W 출력의 가격경쟁력 있는 소형 전력증폭기 개발 계획. 경쟁사 제품대비 보다 높은 출력과 효율을 구현함으로써 전자레인지와 같이 저가의 고효율 성능을 요구하는 ISM 분야에 최적화된 소형 전력증폭기 개발 목표

기대효과	ISM 대역 전력증폭기를 개발하여 출시함으로써 신규 시장의 창출로 인한 매출의 증대 및 다각화에 기여 예상

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	kW 급 ISM Band GaN 전력증폭기 개발

연구목표	개발 중인 ISM(Industrial Scientific and Medical equipment) 대역 550W GaN 전력증폭기를 다수 연결하는 결합기(Combiner)개발과 병행하여 출력 1~30kW 전력증폭기 개발

기대효과	550W proto type 검증 후 결합기 설계와 병행하여 kW급 제품을 개발할 예정. 개발된 제품은 산업용 가열 설비 및 반도체 공정 설비 등 다양한 분야에 활용될 수 있음.

(나) 방위산업 사업부문1) 레이더용 GaN 전력증폭기

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	기상 레이더용 전력증폭기

연구목표	기존 진공관(Klystron) 송신 장치를 레이더용 GaN 전력증폭기를 적용한 송신 장치로 변경 및 새로운 기상 레이더 송신장치를 개발을 추진하고 있음.기존 진공관(Klystron)을 적용한 송신장치는 Short Pulse Width 위주의 신호 사용으로 사각지대의 거리가 짧지만 전력증폭기의 경우 Long Pulse Width 신호 및 Short Pulse Width 신호를 같이 사용하여 사각지대를 없애줄 수 있으며, 레이더 시스템에서 중요한 규격인 펄스 기울기 특성이 기존 진공관(Klystron)에 비해 우수한 성능 보유

기대효과	현재 1st Version 전력증폭기가 납품되어 테스트 진행 중. 2nd Version 개발 계획 예정되어 있으며, 2018년부터 본격적인 양산 예상

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	차세대 다기능 레이더용 전력증폭기 개발

연구목표	개발되는 전력증폭기는 군용 함정 및 지상에 설치되어 항공 위협에 대비하고, 함정 또는 지역 방어를 지원하는 레이더의 핵심 부품으로, 기존 MFR EWACS 시스템은 진공관(TWT, Magnetron)을 이용하여 개발 되었음.신규 개발되는 레이더에는 GaN트랜지스터를 이용한 GaN 전력증폭기로 구현됨으로써 별도의 예열시간이 필요하지 않아 신속 대응이 가능하며, 여러 서브 전력증폭기의 고장 상황에서도 작전 운용 및 유지가 가능함.

기대효과	전력증폭기를 적용하게 되면서 기존의 고전압, 고전력 부품 및 수냉 시스템이 없이 운용이 가능하게 되어 레이더 시스템 장비의 소형화 및 유지보수 비용의 절감효과를 얻을 수 있음

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	항공감시 레이더용 전력증폭기

연구목표	항공 감시 레이더(TASR: Terminal Air Surveillance Radar)는 탐지거리 내에 있는 항공기들의 사고방지를 위한 교통 관제를 실시하는 레이더로 기존에 사용되었던 진공관(TWT)을 GaN 레이더용 전력증폭기로 대체하는 사업입니다.
레이더 시스템의 기능에 따라 출력 조절 또는 일부 불량에도 유연하게 운용이 가능하도록 설계 및 개발

기대효과	당사의 레이더용 전력증폭기가 적용된 항공감시 레이더는 유럽 및 아시아의 공항에 설치되어 운용될 것으로 예상됨.

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	해상 감시레이더 체계개발

연구목표	개발제품은 해상 감시레이더에 적용되는 고출력 전력증폭장치로 저레벨의 신호를 고출력 신호로 증폭하여 송수신 전단조립체로 전송하는 설비임. GaN 트랜지스터를 이용한 고효율 GaN 레이더용 전력증폭기가 다수 적용되어 높은 신뢰성을 제공할 수 있음.
기존에는 레이더 시스템은 진공관(TWT) 불량 시 시스템이 정지되는 문제가 있었으나, 새롭게 개발 중인 고출력 전력증폭장치는 다수의 GaN 전력증폭기를 결합하여 일부 전력증폭기가 불량 발생시에도 출력저하는 있지만 정상동작이 가능하며, 부분 교체가 가능하도록 설계하여 정비성을 향상시킴

기대효과	기존 해상 감시레이더의 진공관(TWT)을 레이더용 GaN 전력증폭기로 대체함으로써, 제기되었던 문제점을 해소하여 정비 및 유지보수 효율을 크게 개선할 수 있음. 현재 개발 진행중인 고출력전력증폭장치는 2차 성능시제를 납품예정이며 2020년부터 양산이 계획되어 있음

(다) GaN on Diamond

연구과제(연구개발계획)	과 제 명	GaN on Diamond project

연구목표	1) Diamond substrate가 적용된 GaN on Diamond 웨이퍼 개발
당사가 보유한 GaN on Diamond 웨이퍼 제조 기술 및 특허를 활용하여 6인치 웨이퍼 양산기술 개발
2) GaN on Diamond 웨이퍼 개발 및 자체 제조시설 확보
양산 및 제품의 경쟁력 극대화하기 위하여 당사 자체적으로 GaN on Diamond 웨이퍼를 제조할 수 있는 공정라인 설계 및 구축 예정
3) GaN on Diamond 기판이 적용된 GaN on Diamond 트랜지스터 개발
기존 SIC 기판의 GaN 트랜지스터(GaN on SiC HEMT)에서 방열특성이 더 우수한 Diamond 기판의 GaN 트랜지스터(GaN on Diamond HEMT)로 변경하여 트랜지스터의 성능이 획기적으로 향상될 것으로 예상.4) 0.25um/0.5um GaN on Diamond 웨이퍼 공정 개발
0.5um GaN on Diamond 소자를 우선 개발하여 5G 이동통신제품으로 상용화하고, 보다 성능을 개선시킨 0.25um GaN on Diamond 소자를 추가 개발하여 5G 이동통신, 방위 산업 및 전력반도체 다양한 분야에 단계적으로 제품화 추진

기대효과	GaN 트랜지스터를 뛰어넘는 GaN on Diamond 트랜지스터를 세계 최초로 상용화하여, 경쟁사보다 한발 앞서 5G 무선통신 및 방위산업 시장에서 기술을 선도할 수 있을 것으로 예상.

(라) 국가 R 사업 수행(단위 : 천원)

번호	사업명	사업기간	사업규모	발주처	비고

1	ETRI 연구개발지원사업
(차기위성 Flexible 통신방송 탑재체 핵심기술 개발)	2014.03.01
~ 2018.02.28	1,212,000	정보통신기술진흥센터	참여
진행

2	우주핵심기술사업
(MMIC 기반 X-band GaN SSPA 제작, 조립 및 시험)	2015.07.01
~ 2018.06.30	1,270,000	미래창조
과학부	참여
진행

3	핵심부품국산화개발사업
(함정 탐색레이더용 X-대역 송신장치 및 전원분배장치)	2016.01.01
~ 2018.12.31	2,750,000	국방기술 품질원	주관
진행

4	우수기술연구센터
(전력밀도 20W/mm의 GaN-on-Diamond HEMT 소자 공정기술 개발과 5G 이동통신용 C-band 50W 및 Ku-band 15W 전력증폭기 모듈 개발)	2016.10.01
~ 2021.09.30	2,928,000	한국산업 기술평가원	주관
진행

5	World Class 300	-	-	산업기술진흥원	-

주1) 사업규모는 민간부담금(현물)을 제외한 당사가 제공받은 정부지원금 및 민간부담금(현금)을 계상한 금액입니다. 주2) 당사는 2017년 04월 World Class 300 기업으로 선정되었으며, 선정 기업의 연구개발 지원 사업(WC300 프로젝트 R 지원)에 대한 협의를 진행하고 있습니다.

11. 그 밖의 투자의사결정에 필요한 사항 가. 특허, 실용신안 및 상표 등 지적재산권 현황

번호	구분	내용	권리자	출원일	등록일	적용
제품	출원국가	주무관청

1	특허 (등록)	혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법	알에프에이치아이씨(주)	00.12.09	02.12.21	GaAs
MMIC	대한민국	특허청

2	특허 (등록)	초고주파 전력 증폭기	알에프에이치아이씨(주)	02.12.18	05.02.23	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

3	특허 (등록)	대역 가변이 가능한 저잡음 증폭기	알에프에이치아이씨(주)	03.12.10	06.01.13	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

4	특허 (등록)	초광대역 특성과 우수한 감쇠도 특성을 가진 디지털감쇠장치	알에프에이치아이씨(주)	05.09.14	06.11.16	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

5	특허 (등록)	갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터를 이용한 고출력 하이브리드 스위치 모듈	알에프에이치아이씨(주)	06.05.09	08.01.16	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

6	특허 (등록)	이중변환을 이용한 무선 통신기기의 다채널 선형증폭기	알에프에이치아이씨(주)	02.05.02	08.07.07	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

7	특허 (등록)	광대역 프리 임피던스 매칭 고출력 트랜지스터와 고출력 트랜지스터의 제조방법	알에프에이치아이씨(주)	07.02.22	08.08.22	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

8	특허 (등록)	초고주파 단일 집적회로용 초광대역 밀봉 표면 실장 패키지	알에프에이치아이씨(주)	07.10.05	08.11.18	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

9	특허 (등록)	고출력 반도체 소자 패키지 및 방법	알에프에이치아이씨(주)	07.09.04	09.01.08	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

10	특허 (등록)	갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터를 이용한 케이블 TV 혼성증폭기 모듈	알에프에이치아이씨(주)	06.10.27	09.03.12	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

11	특허 (등록)	금속-절연체 전이 소자 및 그 패키지 방법	알에프에이치아이씨(주)	07.12.12	09.09.09	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

12	특허 (등록)	안테나 이득향상을 위한 전도성 구조체 및 안테나	알에프에이치아이씨(주)	08.09.23	11.02.11	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

13	특허 (등록)	다이나믹도허티증폭기	알에프에이치아이씨(주)	08.12.08	11.03.04	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

14	특허 (등록)	ISM 대역 전자파 흡수체 및 그 제조방법	알에프에이치아이씨(주)	09.07.17	11.10.21	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

15	특허 (등록)	고주파 고출력 증폭기	알에프에이치아이씨(주)	09.01.13	11.11.07	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

16	특허 (등록)	초고주파 증폭기 및 그것을 위한 바이어스 회로	알에프에이치아이씨(주)	08.11.27	11.12.08	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

17	특허 (등록)	도허티 증폭기	알에프에이치아이씨(주)	09.11.04	11.12.15	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

18	특허 (등록)	질화갈륨 소자를 이용한 캐스코드 전력증폭기 및 그의 제조방법	알에프에이치아이씨(주)	09.12.18	11.12.21	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

19	특허 (등록)	불균형도허티전력증폭기	알에프에이치아이씨(주)	10.12.07	12.06.25	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

20	특허 (등록)	전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조방법	알에프에이치아이씨(주)	09.09.01	12.09.13	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

21	특허 (등록)	소신호 수신기 보호 장치	알에프에이치아이씨(주)	10.12.23	12.09.20	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

22	특허 (등록)	임펄스 신호기반 초광대역 무선통신 시스템의 효율적 수신구조를 이용한 자동 이득 제어 장치 및 방법	알에프에이치아이씨(주)	09.04.09	12.12.04	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

23	특허 (등록)	무선 통신 시스템에서 배열 원형 편파 안테나 및 그 제조 방법	알에프에이치아이씨(주)	09.11.30	13.02.28	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

24	특허 (등록)	주파수 이중변환을 이용한 전치보상 선형 증폭 시스템	알에프에이치아이씨(주)	12.01.11	13.10.08	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

25	특허 (등록)	전원순차 인가회로	알에프에이치아이씨(주)	12.05.22	13.11.29	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

26	특허 (등록)	통신 시스템에서 증폭기, 및 그의 구동 장치 및 방법	알에프에이치아이씨(주)	10.11.08	14.05.22	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

27	특허 (등록)	방열덮개	알에프에이치아이씨(주)	12.11.02	14.07.09	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

28	특허 (등록)	광대역 특성의 반도체 소자 패키지 및 방법	알에프에이치아이씨(주)	13.07.25	14.09.04	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

29	특허 (등록)	광대역 도허티 결합기	알에프에이치아이씨(주)	13.07.25	14.12.04	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

30	특허 (등록)	소자의 특성 측정 장치	알에프에이치아이씨(주)	13.12.02	15.02.09	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

31	특허 (등록)	광대역 도허티 결합기	알에프에이치아이씨(주)	14.03.21	15.06.18	GaN
트랜지스터	대한민국	특허청

32	특허 (등록)	반도체 소자 장착용 패키지	알에프에이치아이씨(주)	13.12.02	15.08.12	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

33	특허 (등록)	고출력 반도체 소자 패키지	알에프에이치아이씨(주)	14.02.14	15.10.20	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

34	특허 (등록)	고출력 반도체 소자 패키지	알에프에이치아이씨(주)	14.08.25	16.03.03	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

35	특허 (등록)	화합물 반도체 증폭기를 이용한 의료장치	알에프에이치아이씨(주)	15.01.13	16.08.26	GaN 전력증폭기	대한민국	특허청

36	특허 (등록)	반사판을 포함하는 무전극 조명장치	알에프에이치아이씨(주)	16.09.13	17.05.10	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

37	특허 (출원)	다단 전력증폭 모듈	알에프에이치아이씨(주)	15.03.18	-	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

38	특허 (출원)	방열성능 및 전기적 특성의 향상이 가능한 기판 연결 구조를 갖는 모듈 및 기판 연결 구조 형성방법	알에프에이치아이씨(주)	16.07.08	-	GaN
트랜지스터
패키지	대한민국	특허청

39	특허 (출원)	고효율 무전극 광원 시스템	알에프에이치아이씨(주)	17.08.04	-	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

40	특허 (출원)	마이크로파를 이용한 온수 생성 장치 및 방법	알에프에이치아이씨(주)	17.10.20	-	GaN
전력증폭기	대한민국	특허청

41	특허 (출원)	다결정성 CVD 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물	알에프에이치아이씨(주)	17.06.19	-	웨이퍼 공정	대한민국	특허청

42	특허 (출원)	다결정성 CVD 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물	알에프에이치아이씨(주)	17.06.19	-	웨이퍼 공정	대한민국	특허청

43	특허 (등록)	Gallium-nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture	RFHICCorporation	12.02.28	14.03.18	웨이퍼 공정	미국	-

44	특허 (등록)	Gallium-nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture	RFHICCorporation	14.01.24	14.06.24	웨이퍼 공정	미국	-

45	특허 (등록)	RF and milimeter-wave high-power semiconductor device Packaging	RFHICCorporation	10.08.12	14.08.05	GoDi
트랜지스터
패키지	미국	-

46	특허 (출원)	HANDLE FOR SEMICONDUCTOR-ON-DIAMOND WAFERS AND METHOD OF MANUFACTURE	RFHICCorporation	14.12.19	-	웨이퍼 공정	미국	-

47	특허 (등록)	Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates	RFHICCorporation	14.06.04	16.08.16	웨이퍼 공정	미국	-

48	특허 (등록)	Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHICCorporation	06.04.12	09.09.29	웨이퍼 공정	미국	-

49	특허 (등록)	Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHICCorporation	09.06.12	12.10.09	웨이퍼 공정	미국	-

50	특허 (등록)	Method for manufacturing semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates	RFHICCorporation	09.09.29	12.10.09	웨이퍼 공정	미국	-

51	특허 (등록)	METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GALLIUM NITRIDE EPILAYERS ON DIAMOND SUBSTRATES USING INTERMEDIATE NUCLEATING LAYER	RFHICCorporation	12.09.10	15.02.03	웨이퍼 공정	미국	-

52	특허 (등록)	Gallium-Nitride-On-Diamond Wafers and Manufacturing Equipment and Methods of Manufacture	RFHICCorporation	13.02.28	16.06.07	웨이퍼 공정	미국	-

53	특허 (출원)	SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED RELIABILITY AND OPERATING LIFE AND METHODS OF MANUFACTUIRING THE SAME	RFHICCorporation	15.03.31	-	GoDi 트랜지스터	미국	-

54	특허 (출원)	SUBSTRATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES	RFHICCorporation	15.05.28	-	웨이퍼 공정	미국	-

55	특허 (등록)	Synthetic diamond heat spreaders	RFHICCorporation	15.04.30	15.12.15	GoDi
트랜지스터
패키지	미국	-

56	특허 (등록)	Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHICCorporation	16.11.21	17.06.13	웨이퍼 공정	미국	-

57	특허 (등록)	Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHICCorporation	16.02.03	17.01.17	웨이퍼 공정	미국	-

58	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.06.07	-	웨이퍼 공정	미국	-

59	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.06.08	-	웨이퍼 공정	미국	-

60	특허 (출원)	Method of Fabricating Diamond-Semiconductor Composite Substrates	RFHICCorporation	17.10.30	-	웨이퍼 공정	미국	-

61	특허 (출원)	High Electron Mobility Transistor (HEMT)	RFHICCorporation	17.05.07	-	웨이퍼 공정	미국	-

62	특허 (출원)	Bulk Acoustic Wave Filter	RFHICCorporation	17.06.19	-	웨이퍼 공정	미국	-

63	특허 (출원)	Wafers Having GaN Compound and Diamond Layers	RFHICCorporation	17.08.31	-	웨이퍼 공정	미국	-

64	특허 (등록)	HANDLE FOR SEMICONDUCTOR-ON-DIAMOND WAFERS AND METHOD OF MANUFACTURE	RFHICCorporation	14.12.26	16.11.11	웨이퍼 공정	일본	-

65	특허 (등록)	Gallium-Nitride-On-Diamond Wafers and Manufacturing Equipment and Methods of Manufacture	RFHICCorporation	14.08.29	16.08.05	웨이퍼 공정	일본	-

66	특허 (등록)	신뢰성 및 동작 수명을 개선한 반도체 소자 및 그 제조 방법	RFHICCorporation	15.04.24	16.11.18	GoDi 트랜지스터	일본	-

67	특허 (등록)	Gallium-Nitride-On-Diamond Wafers and Manufacturing Equipment and Methods of Manufacture	RFHICCorporation	15.10.26	17.01.20	웨이퍼 공정	일본	-

68	특허 (등록)	반도체 소자용 기판	RFHICCorporation	15.06.17	17.02.03	GoDi 트랜지스터	일본	-

69	특허 (출원)	반도체 소자용 기판	RFHICCorporation	17.02.23	-	GoDi 트랜지스터	일본	-

70	특허 (출원)	Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHICCorporation	16.03.02	-	웨이퍼 공정	일본	-

71	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.06.06	-	웨이퍼 공정	일본	-

72	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.06.05	-	웨이퍼 공정	일본	-

73	특허 (출원)	HANDLE FOR SEMICONDUCTOR-ON-DIAMOND WAFERS AND METHOD OF MANUFACTURE	RFHICCorporation	14.12.16	-	웨이퍼 공정	유럽	-

74	특허 (출원)	Gallium-Nitride-On-Diamond Wafers and Manufacturing Equipment and Methods of Manufacture	RFHICCorporation	14.08.22	-	웨이퍼 공정	유럽	-

75	특허 (출원)	SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED RELIABILITY AND OPERATING LIFE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME	RFHICCorporation	15.03.13	-	웨이퍼 공정	유럽	-

76	특허 (출원)	SUBSTRATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES	RFHICCorporation	15.05.28	-	GoDi 트랜지스터	유럽	-

77	특허 (출원)	Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near- 당사 substrate thermal conductivity	RFHICCorporation	16.01.22	-	웨이퍼 공정	유럽	-

78	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.05.31	-	웨이퍼 공정	유럽	-

79	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.05.31	-	웨이퍼 공정	유럽	-

80	특허 (등록)	Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates	RFHICCorporation	12.12.12	14.07.23	웨이퍼 공정	영국	-

81	특허 (등록)	Substrates for semiconductor devices	RFHICCorporation	13.12.04	16.06.08	웨이퍼 공정	영국	-

82	특허 (출원)	Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near-substrate thermal conductivity	RFHICCorporation	14.08.29	-	웨이퍼 공정	영국	-

83	특허 (등록)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	15.12.09	17.05.10	웨이퍼 공정	영국	-

84	특허 (등록)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	15.12.09	17.05.10	웨이퍼 공정	영국	-

85	특허 (등록)	Method of Fabricating Diamond-Semiconductor Composite Substrates	RFHICCorporation	15.12.09	17.06.07	웨이퍼 공정	영국	-

86	특허 (출원)	Mounting of Semiconductor-On-Diamond Wafers for Device Processing	RFHICCorporation	15.12.11	-	웨이퍼 공정	영국	-

87	특허 (출원)	SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED RELIABILITY AND OPERATING LIFE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME	RFHICCorporation	15.04.24	-	GoDi 트랜지스터	중국	-

88	특허 (출원)	Compound Semiconductor Device Structures Comprising Polycrystalline CVD Diamond	RFHICCorporation	17.06.21	-	웨이퍼 공정	중국	-

89	특허 (출원)	Include the compound semi-conductor device structure of Polycrystalline vapour deposition diamond	RFHICCorporation	15.12.09	-	웨이퍼 공정	중국	-

90	특허 (출원)	Mounting of Semiconductor-On-Diamond Wafers for Device Processing	RFHICCorporation	16.11.18	-	웨이퍼 공정	대만	-

91	특허 (출원)	High Electron Mobility Transistor (HEMT)	RFHICCorporation	17.05.11	-	웨이퍼 공정	대만	-

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