RFHIC 분기보고서 (2021.09)
II. 사업의 내용

[주요 용어 설명]

용 어	설 명

자동시험시스템(Automatic Test System)	- 제품 양산에 사용되는 자동화 시험 장비

증폭기(Amplifier)	- 신호를 원하는 크기로 확대해주는 장치

능동 전자주사식 위상배열(Active Electronically Scanned Array)	- 반도체를 활용하여 기존 기계식 레이더를 개선한 최신 레이더 기술

기지국(Base Transceiver Station)	- 유/무선 변환 및 무선 신호 송/수신 등을 수행하는 장치

양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor)	- 스위치 개념을 적용한 반도체 소자

대역(Band)	- 주파수의 물리적 성질과 용도가 동일한 범위의 주파수 간격

항복 전압(Breakdown Voltage)	- 전류의 흐름을 반대방향으로 변화 시키는 전압

베어 칩(Bare Chip)	- 트랜지스터를 제작하기 위해 웨이퍼를 가공(절단)한 형태- Bare Die, wafer Die 라고도 함

Chip on Board	- 인쇄회로기판(PCB) 위에 Bare Chip을 직접 붙이는 방식

케이블 텔레비전(Cable Television)	- 동축케이블 혹은 광케이블을 이용한 유선 텔레비전

화합물 반도체(Compound Semiconductor)	- 두 가지 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체

소자(Device)	- 전자 회로의 구성요소가 되는 부품(= Element)

Die Attach	- 패키지에 Bare Chip(Bare Die)을 부착하는 공정

도허티 증폭기(Doherty Amplifier)	- 주 증폭기와 보조 증폭기의 위상을 조절하여 출력에서 합성되도록 구성한 고효율 증폭기

전자이동도(Electron Mobility)	- 금속이나 반도체에서 전자가 얼마나 빨리 움직이는지를 나타내는 정도

에너지 밴드 갭(Energy bandgap)	- 전자의 흐름을 제어하기 위해 필요한 에너지- 트랜지스터 특성을 결정하는 중요한 요소이며 에너지 밴드 갭의 크기에 따라 부도체, 반도체, 도체로 나뉨

에피택시얼, 에피(Epitaxial, Epi)	- 웨이퍼 내지 기판 위에 새로운 층을 적층하여 형성하는 방법

제작(Fabrication)	- 웨이퍼를 생산 및 가공하는 공정

팹리스(Fabless)	- 웨이퍼 생산을 제외한 반도체의 설계와 개발을 전문화한 회사

주문생산공장(Foundry)	- 제3자의 주문에 의해 웨이퍼를 제조하는 업체

Frond-End Module	- RF 스위치, 수신용 필터, 송수신용 RF 증폭기등을 집적화한 모듈

질화갈륨(Gallium Nitride)	- 반도체 재료 및 전력 소자

이득(Gain)	- 입력 대비 출력 신호의 증가 량. 단위dB(데시벨)- RF 트랜지스터의 주요 성능 지표

갈륨비소(Gallium Arsenide)	- 반도체 재료 및 전력 소자

고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor)	- 서로 다른 물질의 접합 시 접합면에서 전자의 이동도가 매우 높아지는 것을 이용한 초고속 화합물 반도체소자

속도변조관(Klystron)	- 마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류, 전자 흐름(속도)의 변화를 이용하는 발진기 기존 레이더 분야에 사용된 증폭기의 일종

LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)	- 전력증폭기에 사용되는 소자의 일종
- 실리콘 계열의 화합물 반도체이며, 비교적 낮은 비용으로 기존 증폭기에 주로 사용됨

Lid	- Bare Chip 을 보호하는 덮개

Lead	- 전자 회로의 기판이나 전자 부품의 단자에서 인출하는 선

LTE(Long Term Evolution)	- 4세대 무선데이터 통신 규격

정합(Matching)	- 서로 다른 회로의 연결 시 임피던스 내지 신호 레벨을 동일하게 맞추는 것

소재(Material)	- 제작에 바탕이 되는 재료

메크로 셀(Macro cell)	- 높은 전송 파워와 넓은 운용범위를 갖는 기지국을 중심으로 이동통신 접속이 가능한 영역-> 스몰 셀(Small cell)

Magnetron	- 마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류
- 레이더 및 가정용 전자레인지에 주로 활용

마이크로파(Microwave)	- 주파수가 매우 높은 전자파. 300MHz ~ 30GHz

MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)	- 수동소자를 포함한 각종 개별 소자를 고집적화하여 단일 칩으로 제작된 고주파 집적회로

다중입출력(Multi Input Multi Output)	- 안테나를 2개 이상 늘려 신호를 여러 경로로 전송하고, 각각의 경로로 수신된 신호를 검출하는 다중 입출력 안테나 시스템

패키지(Package)	- 집적회로 소자의 단자를 외부배선과 연결하여 소자의 기능을 발휘시키고 동시에 이것을 보호하는 포장- 세라믹과 플라스틱이 사용됨

플라즈마(Plasma)	- 기체 상태의 물질에 계속해서 에너지를 가하면 이온핵과 자유전자로 나누어지는 고체, 액체, 기체에 이은 제4의 물질 상태

인쇄회로기판(Printed Circuit Board)	- 전기부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성한 회로판

전력증폭기(Power Amplifier)	- 신호를 원하는 크기로 키워주는 것이 증폭기의 역할이며, 여러 단의 증폭기로 구성된 시스템에서 최종단(출력부에 가까운)에 적용된 증폭기를 전력증폭기라 일컬음

전력반도체(Power Semiconductor)	- 전력의 변환이나 제어용으로 최적화된 반도체

전력밀도(Power density)	- 단위 면적당 생성되는 전력의 양

Radio Frequency	- 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

RRH(Remote Radio Head)	- 데이터만 골라 수신하는 무선부와 데이터를 해독하는 제어부로 구성되는 장치- 기지국의 소형화된 형태

탄화규소(Silicon Carbide)	- 반도체 재료 및 전력 소자

스몰 셀(Small cell)	- 낮은 전송파워와 좁은 운용 범위를 갖는 소형 기지국을 중심으로 이동통신 접속이 가능한 영역-> 메크로 셀(Macro Cell)

표면실장(Surface Mounting)	- 인쇄회로기판(PCB)위에 반도체나 다이오드, Chip 등을 부착하고 이를 단단하게 굳어지는 기능을 수행하는 방법

Solid State Power Amplifier	- 복수의 트랜지스터 및 인쇄회로기판으로 구성된 모듈타입의 증폭기- 진공관 대비 낮은 전압에서 동작하며, 소형화 유리함

트랜지스터(Transistor)	- 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, 또는 스위치 역할을 수행하는 반도체 소자

진행파관(Travelling Wave Tube)	- 마이크로파를 발생시키는 진공관의 한 종류, 전자 흐름을 연속 또는 되풀이하는 발진기- 기존 레이더 분야에 사용된 증폭기의 일종

전이층(Transition Layer)	- 두 개의 층의 특성이 혼재되어 있는 영역

열전도율(Thermal Conductivity)	- 열 에너지가 고온부에서 저온부로 이동하는 현상을 열 전도라고 하며, 열 전도의 크기를 나타내는 수치

박막(Thin Film)	- 기계 가공으로는 실현 불가능한1μm (1μm = 10-6m) 이하의 얇은 막

웨이퍼(Wafer)	- 트랜지스터나 다이오드를 제조하는 원재료. 한 개의 웨이퍼의 표면에는 트랜지스터나 다이오드 제작 시 사용되는 Bare Chip 수백개가 배열됨

Wire Bonding	- 반도체 부품의 전극에 가는 금선을 얹고 순간적으로 가열 압착하는 공정