아이에스티이 사업보고서 (2024.12)
1. 사업의 개요

당사는 조창현 대표이사가 2013년 08월 설립 이후 독창적이고 차별화된 기술력을 확보해 반도체 장비 회사로 성장해왔습니다. 설립 초기에는 주로 OLED, LCD, 자동차 등 다양한 산업에 사용되는 진공 물류 장비를 2차 벤더로서 공급하였으며, 반도체 미세화와 고집적화에 따라 새로이 요구되는 기술적 수요에 걸맞은 FOUP Cleaner, Sorter, EFEM 등의 반도체 장비를 개발했습니다. 2016년부터 현재까지 당사의 주요 고객사이자 세계적인 종합반도체 회사인 SK하이닉스의 BP사(Business Partner)에 등록을 계기로 현재의 반도체 장비 회사로 성장할 수 있었습니다.당사는 현재 크게 장비사업과 에너지사업을 영위하고 있습니다. 에너지 사업의 경우 사업 다각화를 목적으로 수소에너지사업을 추진하고 있으나, 현재 당사의 주력 사업은 장비사업이며, 특히 반도체 장비사업을 가장 주력으로 하고 있습니다. 당사의 장비사업은 반도체 장비를 중심으로, OLED, LCD, 자동차 등 다양한 기타산업에 사용되는 장비 및 부품을 판매하는 사업입니다. 최근 매출액 기준으로 반도체 장비사업은 당사의 주력 사업이며, FOUP Cleaner를 주축으로 해서, Sorter, EFEM, Shelf, 반도체부품 등을 판매하고 있으며, 주요 거래처는 SK하이닉스, 삼성전자, SK실트론, Soitec 등의 다양한 글로벌 고객을 확보함으로써 안정적인 매출을 실현하고 있습니다. 또한, 반도체 장비사업의 고도화를 위해 신규사업으로 PECVD 장비를 개발하여 사업화를 추진하고 있습니다.

당사는 2016년 설립 4년여만에 매출 100억원을 돌파한 이래, 본격적인 FOUP Cleaner 시장 진입 및 영업망 확장을 통해 2019년 매출 200억원, 2022년 매출 300억원을 돌파하면서 높은 매출 성장을 시현하였습니다. 현재 i) 반도체 장비 특히 현재 주력제품인 FOUP Cleaner의 세계화 추진, ii) 신규 사업으로 차세대 반도체 장비 PECVD의 연구개발 및 사업화를 추진, iii) 신규 시장으로 수소에너지 사업에 진출함으로써, 중·장기 성장 기반을 마련해 가고 있습니다. [주요 용어 설명]

No	용어	설명

01	FOUP(Front Opening Unified Pod)	Wafer를 최대 25장 적재하는 용기. 반도체 제조 공정 시 발생되는 각종 불순물로부터 웨이퍼를 보호하는 역할을 하며 웨이퍼의 세정 적재 보관 이송 등의 자동화 공정에 사용. FOSB에 비해 물리적 제한 사항은 적으나 화학적인 요구사항은 더 많다.

02	FOSB(Front Opening Shipping Box)	Wafer 제조사에서 만들어진 Wafer를 담아 반도체 소자업체로 이송할 때 사용하는 캐리어 용기. 외부 이송 과정에 사용되기 때문에 충격 및 진동에 강하도록 설계 제조. 물리적, 화학적 특수성이 엄격하게 요구되는 정밀도의 기술력을 필요로 하는 제품이다.

03	Thin Film 공정	반도체 공정은 웨이퍼 제조 공정, 산화 공정, 확산 공정, 포토 공정, 식각 공정, 금속 배선 공정, 테스트, 패키징으로 이루어지는데, 금속 배선을 특히 Thin Film 공정이라 부르기도 한다. Thin Film이란 통상 1㎛ 이하의 얇은 박막을 지칭한다. 박막 공정은 웨이퍼 위에 원하는 원자나 분자 단위의 금속 물질을 도포하여 원하는 전기적 특성을 갖도록 하는 과정인데, 여기서 전기적 특성은 단순히 전기를 잘 통하는 것만이 아니라 금속과 금속 사이에 전기를 잘 통하지 않게 하는 것도 중요하기 때문에 절연막도 사용한다. 대표적인 절연막으로는 SiO2, SiN 박막을 들 수 있다.

04	NDC 공정	Nitride Doped Carbon의 줄임말로 SiN 박막에 Carbon이 도핑되어 있는 SiCN 박막을 지칭한다.

05	PECVD(Plasma Enhanced CVD)	증착 공법 중의 하나로 플라즈마를 활용하여 저온에서 높은 증착 속도를 구현한다. 진공 챔버에 원하는 가스 혼합물을 유입한 다음 플라즈마 방전에 의해 공정 가스들을 이온화 함으로써 박막의 증착 속도를 개선한다.

06	PM(Process Module)	반도체 증착 장비에서 가장 핵심적인 역할인 공정을 수행하는 진공 분위기의 Module이다. PM은 TM에서 이송된 웨이퍼에 원하는 공정을 수행하고, 공정이 완료된 웨이퍼는 다시 TM으로 이송된다.

07	TM(Transfer Module)	대기압 분위기의 EFEM에서 진공 분위기의 PM으로 웨이퍼를 이송해 주기 위해 설치되며, EFEM 후단과 PM 전단 사이에 위치한다. TM 안에 있는 진공 로봇을 이용해 웨이퍼를 진공 분위기의 PM으로 Loading 및Unloading하는 역할을 수행한다.

08	EFEM(Equipment Front End Module)	EFEM은 대기압 상태 또는 양압 상태에서 Wafer 이송을 위한 장비로, Wafer가 보관된 FOUP을 Loading 하기 위한 LPM, 상부에 Particle억제를 위한 Fan Filter Unit, 그 하부에 Wafer이송용 Atmosphere Robot, Wafer 정렬을 위한 Aligner로 구성된다.

09	Wafer Sorter	Wafer를 원하는 위치로 자동으로 정렬해주는 장치로, Wafer 이송, Wafer 정렬, Wafer 감지 기능을 수행하며, Load-port, Transfer Robot, Aligner, Adapter 등으로 구성된다.

10	OLED(Organic Light Emitting Diode)	유기 화합물 층으로 이루어진 LED 반도체 소자 중의 하나. 명칭에서 알 수 있듯이 다이오드의 한 종류인 발광 다이오드(LED) 중에서도 유기화합물을 이용하는 다이오드 종류를 뜻한다.

11	Technical Node Size	기술이 발전함에 따라 반도체 칩의 구성 요소의 크기를 나타내는 노드 크기는 계속 줄어들고 있다. 가장 작은 노드가 수요가 많고 가장 큰 수익 잠재력을 갖고 있기 때문에 반도체 제조업체들은 특히 작은 노드 칩 생산을 위해 새로운 FAB건설에 자본을 쏟아 붓고 있다.

12	Migration	최근 미세 전자소자에서 초고집적, 적층 구조 추세는 선폭이 10nm 수준까지 낮아지고 있다. 이러한 미세화는 Ag, Cu, Au, Al 등의 배선에 높은 전류 밀도를 초래하고, 이로 인해 금속 원자들의 엘렉트로-마이그레이션 현상이 야기되고, 이러한 금속 원자들의 배선 이탈로 의한 결함 발생이 치명적인 문제점의 하나로 대두된다.

13	초순수(Ultrapure Water)	초순수는 높은 수준의 사양으로 정제된 물이다. 통상 순수한 물에는 H2O만이 아니라, H+ 및 OH- 이온도 균형있게 포함되어 있다. 저항률은 18.2MΩ.cm이고, TOC는 10ppb 미만, 박테리아 수는 10CFU/ml 미만이다. 초순수로 분류되려면 물 속에 검출 가능한 엔도톡신이 포함되어서는 안 된다.

14	DI Water(Deionized Water)	물을 끓여 식혀서 모은 1차 증류수에는 꽤 많은 불순물들이 포함된다. 반면 DI WATER는 물속에 있는 극미량의 이온들도 거의 제거되어 초순수라 한다. DI WATER는 물을 증류를 통해 불순물을 어느 정도 제거하고, 이것을 다시 이온 필터를 통과시켜 남아있는 미량의 이온을 제거해주는 방식으로 만들어진다.

15	캐로우셀(Carousel)	Carousel이란 마치 회전목마 움직이듯이 컨베이어 벨트를 통해 빙빙 돌면서 수하물을 이동시키는 것을 의미한다.

16	FootPrint	컴퓨터나 정보기술 분야에서는 장치가 패널 등의 위에 차지하는 '면적'이나 '공간'을 뜻하는 말로 쓰이고, 반도체 공장에서는 집적 공정에 쓰이는 장비 가 청정실 내에서 차지하는 바닥의 면적을 흔히 Footprint 라고 칭한다.

17	Wafer	모래에서 추출한 순수한 규소(Si)을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판을 의미한다. 웨이퍼라는 얇은 기판 위에 다수의 동일 회로를 만들어 반도체 칩이 탄생되므로 반도체 소자의 기반이다.

18	Hot N2	질소(N2) 가스를 높은 온도로 가열하여 (450°C max.) 가스에 함유된 2차 불순물을 제거하여 Vent 시키며, 가열된 질소 가스를 이용하여 Tank의 수분(moisture)을 더 빨리 제거하기 위해 사용된다. Heating Module, Insulation, 그리고 Temperature Controller 등으로 구성된다.

19	CDA(Clean Dry Air)	CDA는 깨끗하고 건조한 공기를 의미하며, 일부 응용 분야에서는 오일이 없거나, 먼지가 없거나, 건식 압축 공기가 필요하지만, 반도체 산업에서는 상기 3가지가 모두 요구된다. 클린룸에 습기, 입자, 먼지, 오일이 있으면 반도체 기계 부품을 망칠 수 있으므로 깨끗하고 건조한 공기의 안정적인 공급이 중요하다.

20	IR LAMP	INFRARED LAMP(적외선 램프)는 다양한 산업용 열처리에 이용된다. 즉 코팅의 건조와 경화, 성형, 엠보, 적층, 결합, 용접, 브라우닝, 가열, 예열, 살균 등에 사용된다.

21	증착 공정(CVD)	웨이퍼 표면에 원하는 물질을 얇은 박막의 두께로 입혀 전기적 특성을 갖게 하는 과정이다. 이 과정에서 분자 또는 원자 단위의 물질을 쌓게 되는데, 이때 박막을 얼마나 얇고 균일하게 입히는가에 따라 반도체의 품질이 좌우되기 때문에 반도체 8대 공정 중 하나로 꼽힌다.

22	ALD 공정(Atomic Layer Deposition)	원자 정도의 두께로 박막을 한 층 한 층 형성해가는 공법이다. 화학적 증착 방식인 CVD나 물리적 증착 방식인 PVD의 응용분야 중 많은 영역을 대체할 수 있다. ALD 증착 방식은 DRAM의 Capacitor, Gate oxide, Metal Barrier, 특히 NAND의 3D(Cell Stacking 구조)를 구성하는 가장 중요한 절연막/금속막 증착에 쓰이고 있다.

23	노광 공정(Photo)	웨이퍼 상에 원하는 반도체 모양을 만들기 위해 회로 패턴을 그려 넣는 공정이다. 이때 패턴을 그려 넣는 데 사용하는 도구로 빛을 사용하기 때문에 'Photo 공정'이라고 하고. 반도체 8대 공정 중 하나로 꼽힌다.

24	식각 공정(Etch)	화학 약품의 부식 작용 등을 이용하여 웨이퍼 상의 특정 물질을 제거해주는 공정을 말한다. 반도체 8대 공정 중 하나로 꼽힌다.

25	플라즈마 여기	기체가 큰 에너지를 계속 받게 되면, 기체 입자들이 양이온 및 음이온으로 전리되어 양쪽의 수가 거의 같아져, 전기적으로 중성을 띈 상태가 되며, 이를 제4의 물질 상태라고 부른다. 이렇게 물리학이나 화학 분야에서 Debye sheath를 만족하는 이온화된 기체 상태를 플라즈마라고 부른다. 그리고 기체 상태에서 플라즈마 상태로 변화한 것을 두고 플라즈마로 여기되었다고 한다.

26	3D NAND FLASH	3D 낸드 플래시 메모리는 트랜지스터 다이의 플래시 메모리 셀을 수직으로 쌓아 저장 집적률을 높인 비휘발성 플래시 메모리이다. 셀 크기가 작아지면 단일 트랜지스터 평면에서 셀 사이의 간격도 줄어든다. 플래시 메모리가 단일 트랜지스터 셀 내에 전압 상태를 저장해 작동한다는 점을 고려할 때 전자가 셀 밖으로 새어 나가는 것은 영구적인 메모리 저장에 좋지 않다. 낸드 셀을 수직으로 쌓아 층을 이루면 트랜지스터 셀 간격을 띄울 수 있고 이는 셀의 안정성과 수명을 개선한다.

27	CMP 공정	요철이나 굴곡이 발생한 웨이퍼의 박막 표면을 화학적/기계적 요소를 통해 연마해 평탄화(Planarization)하는 공정을 뜻한다 반도체 8대 공정 중 하나로 꼽힌다.

28	Copper	화학 원소 중의 하나로 기호는 Cu, 원자 번호는 29이다. 구리는 부드러운 금속으로 열 전도성과 전기 전도성이 매우 높다. 공기에 접촉하기 전 구리 표면은 분홍빛을 띠는 주황빛을 나타낸다.

29	Low-K Etchstopper	Low-K 박막을 식각하는 과정 중에 더 이상의 깊이까지는 식각이 되지 않도록 방어해주는 박막을 사용하는데, 이를 일컬어 Etch Stopper라고 칭한다. 이러한 용도로 SiCN 박막을 이용하고 있다.

30	PE-TEOS 박막	액체 원료 TEOS를 O2와 반응시켜 만든 SiO2 박막이다. SiH4 가스로 만든 SiO2 박막에 비해 Step Coverage가 우수하며 기계적 물성 또한 우수하다. Capping Oxide, ILD, IMD 층을 형성하는 용도로 많이 활용되고 있다.

31	ACL 박막(Amorphous Carbon Layer)	반도체 선폭이 좁아짐에 따라 Aspect Ratio가 증가하고, 이로 인해 Photoresist층이 얇아지게 되었다. 이를 보완하기 위해 Photoresist와 하부막 사이에 ACL막을 넣어 Hard mask 역할을 수행해주는 박막으로 많이 활용된다.

32	SiN 박막	SiO2보다 더 Dense한 막질로 소자의 보호막으로 불순물 확산을 억제하는 Passivation Layer 용도로 많이 활용된다. 그러나 SiN 박막의 유전율은 6~7 정도로 높기 때문에 Cu Layer의 Passivation Layer로 사용되면 Metal과 Metal 사이 기생 Capacitance가 커지는 단점이 있다.

33	SiCN 박막	SiN 박막의 유전율이 너무 높기 때문에 이 보다 낮은 유전율을 갖는 Passivation Layer가 필요하게 되었고, 이를 위해 Carbon이 도핑된 SiN 박막, 즉 SiCN 박막이 출현하게 되었다. SiCN 박막의 유전율은 5 이하로 SiN 보다 유리하다.

34	Cu Diffusion Barrier	Cu Layer가 배선 공정에 도입되면서, 종래의 Cu 확산 억제용으로 사용되던 SiN 박막 대신 SiCN 박막으로 서서히 교체되고 있다. SiCN 박막은 유전율도 낮지만, Cu의 확산 방지 효과도 SiN 보다 우수하다.

35	PM(Process Module)	반도체 증착 장비는 통상 EFEM-TM-PM으로 구성된다. 이러한 세가지 Module 중에서 PM이 이송된 웨이퍼 상에 박막을 증착 공정을 수행하므로, 가장 중요하고 핵심적인 Module이라고 할 수 있다.

36	WLP(Wafer Level Package)	웨이퍼가 절단되기 전에 패키징 구성 요소를 집적 회로(IC)에 부착하는 프로세스로서, Wafer, FAB, Packaging, Test, Burn-in의 전 과정을 웨이퍼 레벨로 통합해, 시작부터 고객 배송까지의 프로세스가 간소화 된다.

37	PLP(Panel Level Package)	동일한 패널에 서로 다른 종류의 집적회로(IC) 칩을 실장 한 후 가공하여 개별 패키지로 분리하는 패키징 방식으로서, 보다 콤팩트하면서 생산 효율성을 높이고 비용을 줄일 수 있다. 또한 다양한 구성으로 패널에 서로 다른 칩을 배치하고 배열할 수 있으므로 높은 수준의 사용자 정의가 가능해진다.

38	FoPLP(Fan-out Panel Level Packaging)	입출력(I/O) 단자 배선을 칩 밖으로 빼, 외부에 더 많은 I/O 단자를 배치할 수 있도록 하는 기술이다. 그리고 PLP는 사각형 패널에서 진행하는 패키징을 말한다. 원형의 웨이퍼 상태로 패키징을 하는 기존 공정 대비 생산성이 더 뛰어나다.

39	Hybrid Bonding	금속(Metal)과 금속(Metal), 그리고 유전체(Dielectric)와 유전체(Dielectric), 이렇게 성질이 다른 두 물질을 끼리끼리 동시에 접착 시키는 기술이기 때문에 하이브리드 본딩이라고 한다. 솔더볼 방식이나 마이크로 범프 방식이 아닌 구리(Cu) 연결을 통해 I/O(입출력)를 늘리는 신기술이다.

40	AMAT	Applied Materials는 반도체 제조 장비를 설계, 제조 및 판매하는 미국의 다국적 기업이다. 현재 글로벌 반도체 장비사 중 시가총액 1등인 ASML이 포토 장비에서 두각을 보인다면, AMAT는 증착 분야에서 가장 대표적인 기업이라고 할 수 있다.

41	LAM Research	AMAT에 이어 2번째 큰 미국의 다국적 기업이다. 반도체 식각 장치, 증착 장치, 세정 장치 부문에서 두각을 보이고 있다. 특히 식각 장비 분야에서 타의 추종을 불허하는 압도적인 점유율을 자랑하고 있는 업체이다.

42	N2 Purge	기체 분위기를 100% 질소 분위기로 바꾸어 주는 과정을 말한다. 이송 용기에 질소를 주입해 주면 용기 내 습도를 5% 이하로 떨어뜨릴 수 있으며, FOUP 내부 환경을 제어해 웨이퍼 품질을 높여 수율 향상에 도움을 줄 수 있다.

43	Load Port	웨이퍼가 담긴 FOUP을 장비에 로딩시켜주는 역할을 수행한다. 특정 FOUP이 작업 예약이 잡히면 해당 FOUP이 OHT에서 운반되어 Load Port에 안착이 되면 Door가 열리면서 웨이퍼를 FOUP에서 꺼내어 공정이 시작되고, 공정이 완료되면 다시 웨이퍼가 FOUP으로 담기게 된다.

44	Compiler	2개의 로봇과 Aligner 2개가 장착되어 있어 종래의 Wafer sorter 2대가 처리할 수 있는 것을 Compiler 1대가 처리할 수 있다. 총 10개의 Port 가 있으며 이 중 2개는 In, 2개는 Out이고, 나머지 6개의 Port는 Wafer 분류에 할당된다.

45	ThermalEvaporation 장비	진공 증착(Vacuum deposition)을 수행하는 장비를 말한다. 진공 분위기에서 증착하고자 하는 물질의 전구체(precursor)를 기체상으로 증발시키면 기판 표면에 얇은 박막이 형성되는데 열 증발은 초기 진공도 10-4torr 정도가 요구되며 전기를 증발하고자 하는 물질을 얹은 Boat에 흘리고 여기에 발생하는 저항열을 이용하여 소스를 가열하는 방식의 진공 증착 방식이다. 보트로는 타이타늄이나 텅스텐을 많이 사용한다. 열 진공 증착법은 보통 용융점이 낮은 물질(예: Al, Cu, Ag, Au 등)을 증착 할 때 사용하며, 증착 속도는 필라멘트에 공급되는 전류량을 조절하여 변화시킬 수 있다. 이 방식은 비용이 저렴하며 장치 구성이 간단하다는 장점이 있으나, 보트의 증발도 동시에 발생하기 때문에 박막에 불순물이 포함될 수 있다.

46	Sputter 장비	비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟(Target)에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 박막을 증착하는 방식이다. 스퍼터 방식의 증착은 실리콘 웨이퍼, 태양 전지, 광학 부품 등 다양한 무기 박막 제조에 사용되고 있다.

47	SEMI	SEMI는'인증'이라기 보단 반도체 제조 장비의 품질 안전 평가 리포트이며, 반도체 제조 설비에 대한 환경, 보건, 안전 요구 사항에 관한 규격으로 특정한 지역의 강제 규격이 아닌 반도체 제조회사에서 요구하는 비 강제 규격이므로 업체가 자율적으로 선택하거나 수입업체의 요청이 있을 경우, SEMI를 발행하는 시험/인증기관에 신청하여 획득하고 있다. 'SEMI S2'는 포괄적 규격으로 모든 유형의 반도체 생산 장비에 필요한 최소한의 환경, 건강과 안전 요건을 정의하고 있다. 'SEMI S8'은 인체 공학적 설계 요건을 다루고 있다.

48	HBM(High Bandwidth Memory)	넓은 대역폭을 지닌 메모리를 말한다. 여기서 '대역폭'은 순간적으로 보낼 수 있는 데이터 양이 얼마나 되는지를 뜻한다. 고속도로의 차선이 넓을수록 더 많은 차들이 빨리 지나갈 수 있는 것처럼 대역폭이 넓을수록 데이터 전송 속도나 처리량이 늘어나는 이치다. 인공지능 수퍼 컴퓨터 등이 AI를 구현하려면 방대한 양의 데이터를 더하고, 빼고, 나누고, 곱하면서 학습을 한 뒤 스스로 추론하고, 이를 재빨리 처리해야 하는데, 이 과정에서 HBM은 데이터를 가장 빠르게 처리하는 필수품이 되었다.

49	Wafer Cassette	반도체 제조 작업 중에 웨이퍼를 운반하고 보관하는 데 사용되는 용기이다. 웨이퍼 캐리어라고도 하는 이 캐리어는 동일한 크기의 여러 웨이퍼를 수용하거나 운반하도록 설계되었으며 열처리와 같은 특정 응용 분야를 지원하기 위해 다양한 재료로 제공되고 있다.

50	QUAL Test	제조 프로세스를 검증하기 위해 수행되며 후속 승인 테스트를 위한 기준을 제공하는 생산 적격성 테스트이다. 생산 적격성 테스트는 생산 품목에 대한 단위, 하위 시스템, 시스템 수준 등에서 수행되며, 생산 적용 가능성 여부를 결정하기 위해 수행된다.

51	EPC 사업(Engineering, Procurement, Construction)	설계(engineering), 조달(procurement), 시공(construction) 등의 영문 첫 글자를 딴 용어로, 대형 건설 프로젝트나 인프라사업 계약을 따낸 사업자가 설계와 부품·소재 조달, 공사를 원스톱으로 제공하는 형태의 사업을 뜻한다.

52	수전해	수전해는 물을 전기분해하여 수소를 추출하는 것을 뜻한다. 재생에너지를 활용하여 물에서 수소를 생산하는 방식으로 추출 과정에서 이산화탄소를 전혀 배출하지 않아 친환경 에너지 기술로 주목받고 있다.

53	수소생산설비	수소를 생산하는 방법은 수전해를 통한 그린수소생산, LNG등 화석연료의 개질을 통한 블루수소, 블루수소 생산과정에서 CO2를 포집하는 청록수소등의 방식이 있다.

54	수전해 스택	공급된 물을 전기분해하여 그린 수소를 생산하는 수전해 설비의 핵심 장치이다. 분리판, MEA 등의 단위 부품을 용량에 맞게 수십 장에서 수백 장까지 쌓아서 제작한다.

55	SOEC(Solid Oxide Electrolyzer Cell)	이른바 '고체산화물수전해'라는 것은 수소 생산 과정인 수전해에 사용되는 고체 산화 전기분해장치를 말한다. 믈을 전기 분해하여 수소를 생산하는 수전해 시스템은 전해질의 종류에 따라 나뉘는데, Alkaline 방식, PEM(Polymer Electrolyte Membrane, 고분자전해질막) 방식, SOEC방식등이 있다. 이중 SOEC 즉 '고체산화물수전해'는 수소 생산과정인 수전해에 사용되는 전해질은 세라믹계열 고체산화물 전해질을 사용한다.

56	연료전지(Fuel Cell)	내부 연료가 되는 물질을 촉매를 이용한 화학반응을 통해 지속적으로 전기를 생산할 수 있는 에너지 변환 장치로 '3차 전지' 라고도 한다. 외부에서 직접 전기에너지를 충전해주어야 하는 2차 전지와 달리 연료가 공급되는 한 지속적으로 전기를 생산할 수 있으며, 에너지 변환 과정 중에 발생하는 열 에너지도 온수 생산이나 난방 용도로 사용 가능하다. 연료로 사용되는 물질은 석유나 도시가스 등의 탄화수소나 알코올과 같은 탄화수소화합물 등을 사용할 수 있다.

57	개질기(Fuel Reformer)	탄화수소 등을 수소로 전환시켜 스택에 공급해 주는 장치이다. 탄화수소는 크게는 기체 상태인 천연가스와 액화 상태인 액화석유가스(LPG) 그리고 액체인 휘발유, 경유가 있는데, 더 넓게는 산소계 탄화수소인 메탄올과 에탄올, DME(Di-Methyl Ether)등도 포함될 수 있다. 이런 탄화수소는 개질(Reforming)이라는 과정을 거쳐 수소로 전환할 수 있으며, 현실적으로도 수전해 등 다른 수소 제조 방법보다 수소를 대량으로 그리고 경제적으로 생산할 수 있는 방법이다.

58	M-BOP(Mechanical Balance of Plant)	스택에 연료를 공급해주는 연료 공급기를 말한다. 수소와 산소를 스택에 공급해주는 역할을 수행한다. 연료공급시스템, 공기공급시스템, 밸브류, 배관류 등으로 구성된다.

59	E-BOP(Electrical Balance of Plant)	AC/DC 전류 변환기를 말한다. 스택에서 발생된 전류는 직류 전기인데, 이를 우리가 실생활에서 사용할 수 있도록 교류 전기로 변환하고, 전송하는 역할 및 연료전지 시스템 제어를 수행한다.

60	기체수소충전소(Tube Trailer)	수소 운송은 크게 기체 운송과 액체 운송으로 나눌 수 있다. 기체 운송은 튜브 트레일러로 운송하는 방법과 배관을 통해 운송하는 방법이 있다. 아직은 대규모 수소가 필요하지 않은 국내 여건 상 근거리의 경우 저압 배관 방식, 중·장거리의 경우 고압 튜브 트레일러로 운송하는 방법이 주로 사용되고 있다. 배관 운송 방식은 수소 운송량이 적고 소비지가 수소 생산시설과 인접하여 배관 건설비용이 사용량 대비 효율성이 있을 때 사용되고, 튜브 트레일러를 통한 운송은 강재로 만들어진 실린더(용기) 또는 카트리지에 담아 운송하는 방식으로, 현재는 중·장거리에 중·소규모 단위로 공급하는 곳에 적합하다.

61	액화수소충전소	수소를 대기압 기준 영하 253℃까지 냉각하여 액체 상태로 탱크로리를 통해 운송하는 방식으로, 이미 해외에서는 상용화된 기술이다. 1∼2bar 압력 이하로 대량 운송이 가능하다는 장점과 고압 관련 규제 회피가 가능하며 대도시 내 수소 공급에 적합한 방식으로 알려져 있다. 그러나 액화하는 데 많은 전력이 소비되며 이에 따른 온실가스 배출량이 많다는 단점이 있다. 액체 상태로 대량의 수소를 운송할 수 있는 장점과 액화에 따른 단점을 극복할 수 있는 새로운 대안은 액상 화합물 형태로 수소를 운송하는 방법이 있다. 이는 아직 상업화 단계까지는 도달되지 못한 기술이지만, 상온·상압과 유사한 온도 및 압력 조건하에서 유·무기 화합물을 이용하여 액상 형태로 저장된 수소를 운송하는 기술이다.