하나머티리얼즈 반기보고서 (2021.06)
7. 기타 참고사항

가. 지적재산권 등(1) 지적재산권 현황 및 내역당사가 공시기준일 현재 보유중인 지적재산권의 현황은 다음과 같습니다.

구분	명칭	등록일	주무관청

특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	07.11.20	특허청

특허	실리콘 링의 제조 방법	08.09.08	특허청

특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	08.10.31	특허청

특허	코어링 휠 및 이를 이용한 잉곳 코어링 장치	08.12.16	특허청

특허	카세트 및 이를 구비하는 세정 장치	09.06.15	특허청

특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.09.11	특허청

특허	포장용 보호 부재	09.09.11	특허청

특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

특허	잉곳 세정 장치 및 잉곳 세정 방법	10.01.04	특허청

특허	전극판 체결용 이중 너트	12.04.09	특허청

특허	이중 너트 체결구조를 포함하는 실리콘 적재 조립체	12.04.25	특허청

특허	플라즈마 챔버의 캐소드 체결구	13.04.18	특허청

특허	캐소드 전극판의 핸들링 지그	14.12.16	특허청

특허	캐소드 전극판의 제작방법	15.01.15	특허청

특허	내구성이 향상된 플라즈마 처리 장비용 단결정 실리콘 부품및 이의제조방법	15.01.15	특허청

특허	플라즈마 챔버용 캐소드 전극판	15.04.16	특허청

특허	캐소드 전극판 어셈블리	15.04.16	특허청

특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	15.04.16	특허청

특허	높은 내구성을 갖는 플라즈마 처리 장치용 단결정 실리콘부품의제조방법	15.04.21	특허청

특허	플라즈마 챔버용 냉각판	15.06.17	특허청

특허	ＣＮＣ 실리콘 다축 가공기	15.08.19	특허청

특허	응력 완충층을 포함하는 SiC 코팅 탄소 부재 및 그제조방법	15.08.19	특허청

특허	부시 체결 구조체	15.08.19	특허청

특허	원터치 공정 가스 분사체 조립체	16.02.02	특허청

특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	16.02.04	특허청

특허	화학기상증착법에 의한 반도체 공정용 다결정 탄화규소벌크부재 및 그 제조방법	16.02.04	특허청

특허	반도체 공정용 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품의 재생방법 및 이러한 방법으로재생된 탄화규소부품	16.02.04	특허청

특허	화학기상증착 탄화규소의 전기 저항 조절 방법 및 이를통해 전기저항이 제어된 탄화규소 부품	16.06.02	특허청

특허	플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법	16.06.02	특허청

특허	체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치	16.12.09	특허청

특허	조립체를 가진 처리 기판을 위한 록킹 어셈블리와 장치	19.03.08	특허청

특허	반도체 공정용 플라즈마 장치의 일체형 상부 전극 및 이의 제조 방법	19.05.24	특허청

특허	포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치	20.06.24	특허청

특허	플라즈마 전극용 부시 조립체 및 이를 포함하는 전극 조립구조	20.06.24	특허청

특허	포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치	20.11.02	특허청

특허	탄화규소분말 및 단결정 탄화규소의 제조방법	21.06.22	특허청

특허	플라즈마 전극판용 부시 조립체 및 이를 포함하는 상부전극 조립구조	21.06.22	특허청

나. 법규, 정부 규제에 관한 사항당사는 공시 기준일 현재 해당 사항이 없습니다. 다. 부품사업부문 영업의 개황

(1) 사업 개황당사가 현재 영위하고 있는 주력 사업분야는 반도체의 핵심 제조공정인 에칭(식각) 공정에 사용되는 Silicon 소재의 Electrode, Ring 등 소모성 구조기능성 부품(Parts)의 제조입니다. 제4차 산업혁명의 도래와 IT산업의 눈부신 성장에 기인하여 반도체산업은 소자의 고집적화 및 반도체 Wafer의 대구경화에 따라 반도체공정의 생산성과 수율향상이 반도체산업의 성패를 좌우할 만큼 중요해지고 있으며, 당사의 대구경 단결정 Silicon Ingot 성장과 정밀 부품가공 기술의 중요성이 부각되고 있습니다. 반도체 Wafer의 재료인 Silicon과의 친화성을 높이기 위해 반도체 제조 관련 Silicon 부품의 수요가 지속 증가하고 있습니다. 또한 당사는 Tokyo Electron, 세메스를 비롯한 장비제조업체와 삼성전자 등 반도체 제조업체를 고객으로 확보하고 있어 기술력과 품질수준은 검증되어 있으며, 향후 실리콘 부품의 비중 증가에 따라 매출이 확대될 것으로 보고 있습니다. (2) 주요 제품당사의 제품은 반도체 제조공정 중 에칭공정에 사용되는 핵심부품인 Silicon 소재의 Electrode와 Ring 등으로 에칭시 식각 능력을 좌우할 만큼 반도체 칩 생산의 수율과 제품의 성능을 결정하는 고부가가치 부품입니다.

제품	적용공정	기능 및 용도

Electrode	Dry Etching	·Gas를 통과시켜 Si Wafer의 표면에 각종 가스를 일정하게 분사시켜 주는 역할

Ring	Dry Etching	·챔버(Chamber)내에서 플라즈마가 정확한 위치로 모여지도록 하는 역할
·Electrode를 웨이퍼에 평행하게 고정시켜주는 역할

아래의 그림에서 보시는 바와 같이 Electrode는 Plasma Etching 공정에서 Gas를 균일하게 흘려주고 Plasma를 균일하게 생성시켜 Wafer에 미세선을 Etching하는 반도체 부품이고, Ring은 Plasma Etching 공정의 핵심 부품으로 Electrode에서 생성된 Plasma가 Wafer에 균일하게 퍼지도록 안내해주는 역할과 하부의 ESC(정전척)을 보호하는 반도체 부품입니다. Silicon Ring 및 Electrode는 소모성 부품으로 Etching 공정의 식각 비율에 영향을 미쳐 반도체 소자의 수율을 좌우하며, 최근 공정기술의 미세화로 그 중요성이 더욱 부각되고 있습니다.

※ 자료 : 업계 자료(3) 국내외 시장 여건 및 수요 증가 요인Silicon 소재는 반도체산업에서 사용되는 가장 기초적인 고기능성 소재이면서 고부가가치 소재입니다. 당사는 반도체 공정, 특히 Etching 장비용 구조기능성의 소모성 부품을 주사업으로 영위하고 있습니다. 반도체 공정의 미세화와 기술 전환 및 3D 적층화 등의 변화로 인해 당사 부품의 공급량은 지속 증가할 것으로 전망됩니다. 또한 반도체 FAB의 가동률이 당사 부품의 수요에 가장 큰 영향요인으로 FAB 가동률이 높을수록 부품의 사용빈도가 증가합니다. 또한 FAB 투자규모의 증가에 따라 영향력이 있으며, FAB 투자를 결정하는 가장 큰 요인은 D램, NAND, 시스템반도체 등 반도체 소자를 사용하는 모바일기기, 휴대폰, 태블릿, PC, 서버 등 전자제품 수요 및 국내외 경기의 영향을 받게 됩니다. 메모리반도체의 수요 증대에 의한 생산설비의 추가 및 반도체 FAB의 신설 등 투자 증가로 당사의 부품 수요도 상대적으로 크게 나타날 것으로 전망됩니다.

[세계 반도체 장비시장 규모 추이 및 전망]

(단위 : 십억달러)	2019	2020	2021(F)	2022(F)

한국	9.9	15.7	18.9	19.7

중국	13.4	18.1	16.8	15.6

대만	17.1	16.8	15.6	17.2

일본	6.2	7.3	7.9	8.4

북미	8.1	6.1	6.1	6.0

기타	2.5	2.6	3.0	3.4

유럽	2.3	2.4	3.5	5.9

Total Market	59.5	69.0	71.8	76.2

증가율(%)	15.97%	4.06%	6.13%

※ 자료 : SEMI (2020년 12월)

(4) 사업의 경쟁력을 좌우하는 요인 및 경쟁우위 사항당사는 Ingot 생산(소재기술)부터 부품 가공(가공기술), 세정(에칭기술) 등 일관생산공정 프로세스를 구축하고 있으며 이를 통해 고객이 원하는 납기와 품질 수준으로 경쟁우위의 제품을 공급하고 있습니다.이에 따른 당사의 경쟁우위 사항은 ① 최적의 잉곳 성장 기술력 확보, ② 일관생산 프로세스 구축, ③ 정밀 부품가공 기술 확보, ④ 글로벌 메이저 장비업체의 정품 공급 등이 있습니다. 라. 사업부문별 재무현황

당사의 사업부문별 주요 재무정보는 아래와 같습니다.

(단위 : 백만원)

구분	제15기 반기	제14기 반기

부품(계속)	특수가스(중단)	부품(계속)	특수가스(중단)

매출액	119,024	-	97,421	1,008

영업이익	34,573	-	24,165	(118)

총자산	395,543	-	320,614	-

마. 신규 사업당사는 실리콘부품 위주의 사업구조에서 사업 및 제품 포트폴리오를 다각화하고자 실리콘카바이드사업(SiC)을 추진하고 있습니다. 이를 통해 반도체 제조공정 변화에 유연하게 대처하고, 반도체 부품 소재를 다양화하여 사업경쟁력을 강화하고자 합니다. 이는 최근 반도체 공정에서의 고집적도를 위한 선폭 미세화에 따른 고밀도 플라즈마 환경의 도입과 Dry Etching 공정 도입이 확산되면서 고온 공정의 제어 필요성이 확대되고 있는 상황에 대응하고자 합니다.

(1) 신규사업 내용

당사의 신규사업 추진을 위한 신제품 개발 내용은 아래와 같습니다.

신규사업	주요 내용

CVD SiC	·반도체 공정용 CVD SiC Parts 개발
·CVD SiC Ring 양산을 통한 매출 및 수익성 증대

(2) 시장의 특성 및 전망

최근 반도체 공정은 수율을 높이기 위해 회로의 미세화가 진행되고 식각에 쓰이는 고에너지 플라즈마를 견딜 수 있는 소재에 대한 요구도 커지고 있습니다. 이에 당사는 플라즈마 환경에 강한 CVD SiC와 GR SiC 사업을 추진하고 있습니다.SiC Ring은 Silicon Ring과 마찬가지로 반도체 핵심공정인 에칭(식각) 공정에 사용되며, 반도체 공정의 미세화와 Step수의 증가가 진행될수록 고주파 플라즈마를 견뎌야하고 공정시간이 길어지고 있어 일부 공정(깊은 Contact를 가공하는 공정 등)에서 SiC Ring의 채용이 늘어날 전망입니다.

(3) 기대효과

반도체 에칭공정에서 High Power와 깊은 Contact를 요구하는 공정은 일부 공정으로 Silicon 대비 SiC의 가격 대비 효율이 낮아 일부 한정적인 공정에 한하여 사용되고 있습니다. 따라서, 당사는 FAB 요구조건에 따라 공정시간이 길고, 고주파 플라즈마를 적용하는 공정에서 SiC를 공급하고, 기존의 주요 공정은 Silicon 제품을 공급할 예정입니다.