하나머티리얼즈 반기보고서 (2018.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

당사의 사업분야는 반도체 등의 제조공정에 사용되는 구조기능성 소재와 부품(parts)사업과 반도체 및 디스플레이 공정에 사용되는 고순도 특수가스 사업이 있으며, 각 사업부문의 제품은 아래와 같습니다.

사업부문	구분	주요 제품

부품	실리콘부품	Electrode, Ring, Tube, Disk, Ingot 등

SiC/세라믹부품	SiC Ring, 파인세라믹부품 등

특수가스	Pure 가스	N2O, Si2H6, HBr, CF4, NO 등

Mix 가스	Laser Mix, H2 Mix, SiH4 Mix, Si2H6 Mix 등

가. 사업의 개요

[부품사업](1) 사업 개황당사가 현재 영위하고 있는 주력 사업분야는 반도체의 핵심 제조공정인 에칭(식각) 공정에 사용되는 Silicon 및 SiC 소재의 Electrode, Ring 등 소모성의 구조기능성 부품(Parts)의 제조입니다. 제4차 산업혁명의 도래와 IT산업의 눈부신 성장에 기인하여 반도체산업은 소자의 고집적화 및 반도체 Wafer의 대구경화에 따라 반도체공정의 생산성과 수율향상이 반도체산업의 성패를 좌우할 만큼 중요해지고 있으며, 당사의 대구경 단결정 Silicon Ingot 성장과 정밀 부품가공 기술의 중요성이 부각되고 있습니다. 반도체 Wafer의 재료인 Silicon과의 친화성을 높이기 위해 반도체 제조 관련 Silicon 부품의 수요가 지속 증가하고 있습니다. 또한 당사는 Tokyo Electron, 세메스를 비롯한 장비제조업체와 삼성전자 등 반도체 제조업체를 고객으로 확보하고 있어 기술력과 품질수준은 검증되어 있으며, 향후 실리콘 부품의 비중 증가에 따라 매출이 확대될 것으로 보고 있습니다.

(2) 주요 제품당사의 제품은 반도체 제조공정 중 에정공정에 사용되는 핵심부품인 Silicon 및 SiC소재의 Electrode와 Ring 등으로 에칭시 식각 능력을 좌우할 만큼 반도체 칩 생산의 수율과 제품의 성능을 결정하는 고부가가치 부품입니다.

제품	적용공정	기능 및 용도

Electrode	Dry Etching	·Gas를 통과시켜 Si Wafer의 표면에 각종 가스를 일정하게 분사시켜 주는 역할

Ring	Dry Etching	·플라즈마가 형성된 후에 챔버(Chamber)내에서 플라즈마가 정확한 위치로 모여지도록 하는 역할
·ESC(정전척)을 보호하는 역할

기타 부품	Wafer 제조 등	-

아래의 그림에서 보시는 바와 같이 Electrode는 Plasma Etching 공정에서 Gas를 균일하게 흘려주고 Plasma를 균일하게 생성시켜 Wafer에 미세선을 Etching하는 반도체 부품이고, Ring은 Plasma Etching 공정의 핵심 부품으로 Electrode에서 생성된 Plasma가 Wafer에 균일하게 퍼지도록 안내해주는 역할과 하부의 ESC(정전척)을 보호하는 반도체 부품입니다. Silicon Ring 및 Electrode는 소모성 부품으로 Etching 공정의 식각 비율에 영향을 미쳐 반도체 소자의 수율을 좌우하며, 최근 공정기술의 미세화로 그 중요성이 더욱 부각되고 있습니다.

※ 자료 : 업계 자료(3) 국내외 시장 여건 및 수요 증가 요인Silicon 소재는 반도체산업에서 사용되는 가장 기초적인 고기능성 소재이면서 고부가가치 소재입니다. 당사는 반도체 공정, 특히 Etching 장비용 구조기능성의 소모성 부품을 주사업으로 영위하고 있습니다. 반도체 공정의 미세화와 기술 전환 및 3D 적층화 등의 변화로 인해 당사 부품의 공급량은 지속 증가할 것으로 전망됩니다. 또한 반도체 FAB의 가동률이 당사 부품의 수요에 가장 큰 영향요인으로 FAB 가동률이 높을수록 부품의 사용빈도가 증가합니다. 또한 FAB 투자규모의 증가에 따라 영향력이 있으며, FAB 투자를 결정하는 가장 큰 요인은 D램, NAND, 시스템반도체 등 반도체 소자를 사용하는 모바일기기, 휴대폰, 태블릿, PC, TV 등 전자제품 수요 및 국내외 경기의 영향을 받게 됩니다. 최근 WSTS(세계반도체무역통계기구)의 전망에 따르면 2017년 이후 반도체 시장은 견조한 성장세가 예상되며, 특히 당사의 공급량이 많은 메모리반도체 시장의 성장이 두드러질 것으로 보고 있습니다. 메모리반도체의 수요 증대에 의한 생산설비의 추가 및 반도체 FAB의 신설 등 투자 증가로 당사의 부품 수요도 상대적으로 크게 나타날 것으로 전망됩니다.

[세계 반도체 장비시장 규모 추이 및 전망]

(단위 : 십억달러)	2014	2015	2016	2017	2018

한국	6.84	7.47	7.69	17.05	15.46

중국	4.37	4.90	6.46	7.33	11.09

대만	9.41	9.64	12.23	12.83	10.93

북미	8.16	5.12	4.49	5.10	5.71

일본	4.18	5.49	4.63	5.91	6.09

유럽	2.38	1.94	2.18	3.24	3.73

기타	2.15	1.97	3.55	2.87	3.17

Total Market	37.50	36.53	41.23	54.33	56.18

증가율(%)	-2.6%	12.9%	31.8%	3.4%

※ 자료 : SEMI (2017년 9월)

(4) 사업의 경쟁력을 좌우하는 요인 및 경쟁우위 사항당사는 Ingot 생산(소재기술)부터 부품 가공(가공기술), 세정(에칭기술) 등 일관생산공정 프로세스를 구축하고 있으며 이를 통해 고객이 원하는 납기와 품질 수준으로 경쟁우위의 제품을 공급하고 있습니다.이에 따른 당사의 경쟁우위 사항은 ① 최적의 잉곳 성장 기술력 확보, ② 일관생산 프로세스 구축, ③ 정밀 부품가공 기술 확보, ④ 글로벌 메이저 장비업체의 정품 공급 등이 있습니다. [특수가스사업]

(1) 사업 개황특수가스 사업부문은 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 제조공정에 사용되고 있는 고순도의 특수가스를 제조하고 있습니다. 일반적으로 고순도 특수가스 제조는 기술 개발이 어렵고, 시간이 장기간 소요될 뿐만 아니라, 대규모의 생산설비 구축에 많은 자금이 소요되는 사업입니다. 생산설비 및 분석 인프라를 갖춰야 하기 때문에 막대한 투자가 필요하며, 고정비 비율이 높아 판매 증대를 통한 가동률 향상이 수익성에 많은 영향을 미치는 구조입니다. 또한 후발 기업에게는 시장 진입장벽이 높아 품목별로 과점시장이 형성되어 있습니다.

국내시장은 반도체 및 디스플레이산업이 전체 특수가스 시장에서 매우 큰 비중을 차지하고 있으며, 특히 반도체산업은 모바일기기, 태블릿PC 및 웨어러블 기기 등의 성장으로 인해 반도체의 수요가 크게 증가하고 있고, 반도체 공정의 미세화 및 3D화 등으로 사용범위도 가전, 자동차용 반도체, 사물인터넷(IoT) 등으로 점점 넓어지면서 필수 소재인 특수가스의 수요는 지속적인 성장세가 전망되고 있습니다. 이처럼 특수가스 시장은 제4차 산업혁명에 기인한 반도체 및 디스플레이산업의 지속적인 성장과 전세계적으로 반도체 및 디스플레이 생산 공장이 한국, 대만, 중국, 일본 등 아시아권에 위치하고 있어 국내 및 인접 국가에 안정적인 수요처를 확보할 수 있는 장점으로 인해 상대적으로 매우 안정되어 있고 지속 성장 또한 가능합니다.

(2) 주요 제품당사는 반도체, 디스플레이 패널 등의 제조에 사용되는 고순도 특수가스의 제조 및 판매 사업을 영위하고 있습니다. 당사는 N2O(아산화질소), Si2H6(디실란), HBr, NO(산화질소), CF4, SiH4 등 다양한 제품 라인업을 보유하고 있습니다. 당사의 주요 제품은 다음과 같습니다.

구분	제품	적용분야	기능 및 용도

Pure가스	N2O(아산화질소)	반도체	·반도체 증착(CVD)공정 및 디스플레이 공정 사용

Si2H6
(디실란)	·확산(Diffusion)이나 증착(CVD) 공정 사용
·반도체 미세공정화로 SiH4(실란)로 구현 불가능한 공정에 실리콘 막질을 증착하는 가스

NO
(산화질소)	·열처리 공정을 통해 SiON을 형성하는데 사용
·NAND의 신뢰도 향상에 기여하는 핵심 가스

HBr
(브롬화수소)	·Si 막을 제거하는 Dry Etching에 사용

CF4
(사불화탄소)	·에칭, 폴리머 제거, 챔버 클리닝에 사용

GeH4(사수소화게르마늄)	·박막(SiGe) 형성에 사용

SiH4
(실란)	·반도체 에칭공정에 사용

Mix가스	Laser Mix
(레이저혼합가스)	·반도체 Lithography 공정의 광원으로 사용
·OLED LPTS 열처리 공정의 광원으로 사용
·Ne를 Balance로 Kr, Xe, Ar, F2 등을 혼합

기타 혼합가스	·H2 Mix, Si2H6 Mix, SiH4 Mix, PH3 Mix 등

(3) 사업의 특성

특수가스사업은 고객사 진입에 상당한 시간과 노력이 필요하고, 고객이 요구하는 고순도의 품질 및 품질관리가 요구됩니다. 시장은 안정적으로 성장 추세에 있으나, 보유 제품 및 경쟁구도에 따라 회사간 수익성의 차이가 매우 큽니다. 또한 원료 및 상품을 안정적으로 조달할 수 있는 소싱(sourcing)력과 용기의 물류 및 역물류를 효율적으로 관리하는 등 SCM(Supply Chain Management) 관리 역량이 기업간 경쟁력 차이를 가지고 오는 사업입니다. 또한 특수가스사업은 크게 정제가스(Pure Gas)와 혼합가스(Mix Gas)로 구분할 수 있습니다. Pure 가스는 저순도가스를 원료로 하여 정제(흡착, 증류 등) 공정을 거쳐 불순물을 제거하고 용기에 충전한 후 제품분석을 거쳐 고객사에 납품되고, Mix가스는 고순도가스를 제품사양에 맞는 농도(ppb 단위까지)로 혼합하여 용기에 충전 후 제품분석을 거쳐 고객사에 납품됩니다.

(4) 시장 여건 및 성장성반도체 및 디스플레이 공정용 특수가스는 공급의 안전성, 품질관리 능력, 선행개발 능력 등이 검증된 소수의 업체만 진입 가능한 시장의 특성을 가지고 있습니다. 특수가스는 제품의 전체 원가에서 차지하는 비중은 높지 않지만 최종 제품의 특성과 성능에 미치는 영향은 지대합니다. 이 때문에 특수가스 사업은 시장 진입에 성공만 한다면 매출이 계속 확보되는 안정적 사업입니다 또한 특수가스 시장은 반도체 및 디스플레이산업이 전방산업이기 때문에 반도체 및 디스플레이 산업의 가동률에 따라 경기변동을 겪습니다. 반도체 산업은 고정비 부담이 높고, 투자와 양산의 시차가 존재함으로써 가격변화에 대응하여 생산량을 탄력적으로 대응할 수 없는 이유로 가격 불안정성의 특성을 지니고 있습니다. 그러나 반도체 재료산업은 장비산업과 비교하여 반도체 경기변화에 상대적으로 덜 민감합니다. 그 이유는 장비산업은 소자산업의 시설투자와 직접적인 관련이 있지만, 재료산업은 소모성 중심의 구조로 이루어져 있기 때문입니다.

(5) 경쟁우위 사항당사의 경쟁우위 사항은 ① 반도체/디스플레이 공정에 필요한 다양한 제품 Line-up 보유하고 있으며, ② 고객의 요구수준과 공정 Spec에 맞는 불순물 분석 인프라 보유,③ 안정적이고 다양한 원료 가스 Source 확보 등이 있습니다.

나. 사업부문별 재무현황당사의 사업부문별 주요 재무정보는 아래와 같습니다.

(단위 : 백만원)

구분	제12기 반기	제11기 반기

부품	특수가스	합계	부품	특수가스	합계

매출액	70,999	4,892	75,891	37,556	3,613	41,169

영업이익	21,313	58	21,371	8,008	(218)	7,790

총자산	155,391	20,912	176,303	94,481	12,974	107,455

다. 신규 사업당사는 실리콘부품 위주의 사업구조에서 사업 및 제품 포트폴리오를 다각화하고자 파인세라믹부품사업(SiC 등)을 추진하고 있습니다. 이를 통해 반도체 제조공정의변화에 유연하게 대처하고 경영효율성과 성장가능성을 제고하고, 반도체 부품 소재를 다양화하여 사업경쟁력을 강화하고자 합니다. 이는 최근 반도체 공정에서의 고집적도를 위한 선폭 미세화에 따른 고밀도 플라즈마 환경의 도입과 Dry Etching과 같은 공정 도입이 확산되면서 고온 공정의 정밀한 제어 필요성이 확대되고 있는 상황에 대응하고자 합니다.

(1) 신규사업 내용

당사가 추진하고 있는 신규사업 추진을 위한 신제품 개발 내용은 아래와 같습니다.

신규사업	주요 내용

CVD SiC	·반도체 공정용 CVD SiC Parts 개발
·CVD SiC Ring 양산을 통한 매출 및 수익성 증대

ESC Chuck	·반도체 공정용 ESC용 알루미나 개발
·ESC용 알루미나 플레이트 양산을 통한 매출 증대

(2) 시장의 특성 및 전망

최근 반도체 공정에서 웨이퍼의 크기는 점점 커지고 있고 칩의 크기는 작아지면서 수율을 높일 수 있는 소재의 내입자 오염도에 대한 관심이 커지고 있는 상황으로 회로의 미세화가 높이지면서 식각에 쓰이는 고에너지 플라즈마를 견딜 수 있는 소재에 대한 요구도 커지고 있으며, 이에 당사는 플라즈마 환경에 강한 CVD SiC와 GR SiC 사업을 추진하고 있습니다.SiC Ring은 Silicon Ring과 마찬가지로 반도체 핵심공정인 에칭(식각) 공정에 사용되며, 반도체 공정의 미세화와 Step수의 증가가 진행될수록 고주파 플라즈마를 견뎌야하고 공정시간이 길어지고 있어 일부 공정(깊은 Contact를 가공하는 공정 등)에서 SiC Ring의 채용이 늘어날 전망입니다.

(3) 기대효과 및 향후 활용

반도체 에칭공정에서 High Power와 깊은 Contact를 요구하는 공정은 일부 공정으로 추정되며, Silicon 대비 SiC의 가격 대비 성능 등의 이유로 일부 한정적인 공정에 한하여 사용되고 있는 것으로 추정됩니다. 따라서, 당사는 FAB 요구조건에 따라 즉, 공정시간이 길고, 고주파 플라즈마를 적용하는 공정에서 SiC를 공급하고, 기존의 주요 공정은 Silicon 제품을 공급할 예정입니다.

2. 주요 제품 등에 관한 사항가. 주요 제품 현황

(단위 : 백만원)

사업구분	매출유형	품 목	구체적용도	제12기 반기

매출액	비율(%)

부품	제품 외	실리콘부품	반도체 식각장비의 주요 소모품	68,176	89.83%

기타	-	2,824	3.72%

특수가스	제품 외	Pure, Mix가스	반도체 등 공정용 특수가스	4,424	5.83%

기타	-	468	0.62%

합계	-	-	-	75,892	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동 추이당사는 주요 제품은 고객사의 주문에 따라 제품을 생산하는 사업으로 고객사의 주문시점 및 주문수량, 비정규적인 가격의 제품 생산 등으로 가격의 등락이 존재하며, 각 거래처 및 모델별 상이한 가격에 따라 가격변동추이를 산출하는 것이 부적합하고 정확한 가격의 변동 추이를 파악하기 어려워 기재를 생략하였습니다.

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	매입액(비율)	비고

부품	원재료	Poly Silicon	작은 실리콘 결정체들로 이루어진 물질로Ingot과 부품을 만드는 데 사용	2,009(15.6%)	-

원재료	다결정Ingot 등	실리콘부품에 사용되는 다결정 실리콘잉곳	8,661(67.5%)	-

원재료	기타	-	259(2.0%)	-

특수가스	원재료	가스	고순도의 특수가스로 정제 및 혼합하기전의 원료 가스	1,911(14.9%)	-

합 계	-	-	-	12,840(100.0%)	-

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	단위	제12기 반기	제11기	제10기

Ingot	(kg)	170,677	228,717	192,995

가스	(kg/psi/㎥)	29,948	28,735	18,722

* Poly Silicon 가격은 환율변동에 따른 영향이 크며, 거래처와 장기공급계약에 따른 민감한 사항이 포함되어 가격변동추이 작성을 제외합니다.(1) 가격산출 기준Ingot 및 가스의 단가는 총평균법을 적용하여 산출하였습니다.(2) 가격변동원인Poly Silicon은 글로벌 수급 균형 및 및 태양광시장의 영향 등에 따라 장기공급계약을 체결하여 고품질의 Poly Silicon을 안정적으로 공급받고 있습니다. 다결정 Ingot의 경우 고객사 요구로 인해 대부분 수입하여 사용하고 있으며, 전기 대비 가격 변동원인은 다결정 Ingot의 수입 품목 및 단가의 변동에 따른 영향입니다. Gas에 대한 단가는 아직 유의한 가격변동은 없는 것으로 나타나고 있으며, 환율 변동에 따라 단가의 변동이 발생합니다.

4. 생산 및 설비 관한 사항 가. 생산 능력

(단위 : 백만원)

사업부문	품 목	제12기 반기	제11기	제10기

부품	실리콘 부품	50,206	91,345	44,123

특수가스	Pure, Mix 가스	5,231	9,271	10,762

합 계	55,437	100,616	54,885

※ 생산능력 = 제조비용(재료비, 노무비, 경비) 기준 최근 12개월 최대생산금액 × 12로 일괄 계산 후 안분함 나. 생산 실적 및 가동률(1) 생산실적

(단위 : 백만원)

사업부문	품 목	제12기 반기	제11기	제10기

부품	실리콘부품	45,737	62,605	36,099

특수가스	Pure, Mix 가스	4,480	6,290	6,650

합 계	50,217	68,895	42,749

(2) 당해 사업연도의 가동률(단위 : 시간, %)

사업부문	품목	가동가능시간	실제가동시간	평균가동률

부품	실리콘부품	164,790	153,736	93.29%

특수가스	Pure, Mix 가스	7,173	2,595	36.18%

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산과 영업에 중요한 시설 및 설비 등당사는 본사인 충남 천안의 백석사업장을 비롯하여 충남 천안의 동면사업장, 충북 청주의 오창사업장과 경기 용인의 기흥CS센터 등에서 주요 제품에 대한 제조, 개발, 영업 등의 사업활동을 수행하고 있습니다.

사업장	소재지	주요 사업	비고

백석사업장	충남 천안시 서북구 3공단3로 42	부품 제조, 연구개발 등	본사

동면사업장	충남 천안시 동면 충절로 2165	부품 제조

오창사업장	충북 청주시 청원구 오창읍 후기길 62	가스 제조, 개발, 영업 등

기흥CS센터	경기 용인시 기흥구 서천로 121	영업, CS 등

(2) 생산설비의 현황

[자산항목 : 유형자산] (단위 : 백만원)

구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	당반기말장부가액	비고

증가	감소

토 지	5,188	-	-	-	5,188	-

건 물	17,903	39	-	369	17,572	-

구 축 물	280	-	-	9	271	-

기계장치	43,953	8,005	-	3,679	48,279	-

공구와기구외	2,109	1,500	29	403	3,177	-

건설중인자산	32,618	38,539	9,543	-	61,614	-

합 계	102,051	48,083	9,572	4,460	136,102	-

(3) 시설투자현황당사는 2018년 반기 실리콘부품 생산능력 확대, SiC 및 가스 등 신/증설을 위한 시설투자에 337억원을 사용하였습니다.

(기준일 : 2018년 06월 30일 현재) (단위 : 백만원)

사업부문	구분	투자기간	대상자산	제12기 반기	비고

부품	신/증설, 보완투자	'18.1~'18.6	건물/설비 등	29,262	Si, SiC 부품

가스	신/증설, 보완투자	'18.1~'18.6	건물/설비 등	4,466	특수가스

합 계	33,728

5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품목	구분	제12기 반기	제11기	제10기

부품	제품	실리콘부품(Electrode, Ring)	수출	13,676	23,160	16,505

내수	54,500	64,479	30,411

합계	68,176	87,638	46,916

기타	수출	376	1,573	1,640

내수	771	3,692	2,471

합계	1,147	5,265	4,111

상품 외	수출	70	387	9

내수	1,607	2,323	3,417

합계	1,677	2,710	3,426

소계	71,000	95,613	54,453

특수가스	제품	Pure, Mix가스	수출	2,890	5,370	5,347

내수	1,534	1,151	1,098

합계	4,424	6,520	6,445

상품 외	수출	268	250	88

내수	200	529	295

합계	468	779	383

소계	4,892	7,299	6,828

총 합 계	수출	17,280	30,739	23,589

내수	58,612	72,173	37,692

합계	75,892	102,914	61,281

나. 판매경로 및 판매전략(1) 판매조직당사 부품사업의 영업 조직은 영업본부장을 중심으로 매출 및 출하 관리를 하는 영업지원, 고객사의 수율 향상을 위한 제품 디자인 변경이나 신규 제품 제안 등을 담당하는 기술영업, 기존 고객사들별 담당자를 정하여 고객관리를 하는 영업팀으로 구성되어 있습니다. 그리고 고객과 End User에 빠른 대응을 위하여 경기도 용인시 기흥구에 기흥CS센터를 설치하여 운영하고 있습니다. 특수가스사업의 영업 조직은 가스사업부장을 중심으로 영업팀이 구성되어 있으며, 현재 충북 청주시 오창읍의 생산공장에 위치하고 있습니다.

(2) 판매경로

매출유형	품 목	구 분	판매경로

정품공급	부품(Si, SiC 등)	내 수	당사 → 장비업체 → End-User

수 출	당사 → 장비업체 → End-User

직판	부품(Si, SiC 등)	내 수	국내 고객에게 직판

수 출	해외 업체로 직수출

직판	특수가스	내 수	국내 고객에게 직판

수 출	해외 업체로 직수출 및 Local 수출

(3) 판매경로(수출입)별 매출액(단위 : 백만원)

품목	구분	판매경로	판매경로별매출액	비중(%)	주요 매출처

부품(Si, SiC 등)	내수	당사→고객사	56,878	74.9%	Tokyo Electron, 세메스, 삼성전자 등

수출	당사→고객사	14,122	18.6%	Tokyo Electron, Applied Materials 등

특수가스	내수	당사→고객사	1,734	2.3%	SK하이닉스, 동부하이텍 등

수출	당사→고객사	3,158	4.2%	오션브릿지, 매그나칩 등

합계	75,892	100.0%

(4) 판매전략당사의 주요 제품이 사용되고 있는 반도체 에칭공정 장비는 미국과 일본 업체가 시장을 장악하고 있으며, 최근에는 한국의 반도체 장비업체가 두각을 나타내고 있습니다. 이에 당사는 미국 및 일본의 업체의 시장 점유율을 더욱 확대하고 있으며, 국내 장비사에 당사가 생산하는 Si-Parts를 공급을 하고 있습니다. 특수가스사업은 기존 시장의 Market Share 확대를 통한 영업기반을 다지며, 대형고객사의 Qual. 승인으로 대형고객사로의 공급을 목표로 하고 있습니다.

6. 수주상황 부품업계는 제품 특성상 정기적 수주에 의하여 공급하는 것이 아니라 수요처로부터 기본거래계약만을 체결한 후 수시 발주물량을 수주(주문)받습니다. 당사도 주요고객들과 기본거래계약서만을 체결한 후 수시로 물량을 수주(주문)받고 있어 장기적인 수주는 없으며 특정시점에서의 수주현황은 큰 의미가 없습니다. 7. 시장위험과 위험관리당사가 노출된 주요 시장위험에는 외환위험, 금리위험 등이 있으며, 이러한 내용은 Ⅲ. 재무에 관한 사항의 5. 재무제표 주석 4. 재무위험관리"에 자세히 기재되어 있으므로 해당 부분을 참고해 주시기 바랍니다. 8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래현황당사는 공시기준일 현재 파생상품 및 풋백옵션 등 거래가 없습니다.

9. 경영상의 주요 계약 등당사는 공시기준일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요 계약은 없습니다.

10. 연구개발 활동 가. 연구개발 담당조직(1) 연구개발 조직

(2) 연구개발인력 구성

학력	박사	석사	학사	기타	합계

인원수	1	4	9	-	14

나. 연구개발 비용(단위 : 백만원, %)

과 목	제12기 반기	제11기	제10기

원재료비	-	60	76

인건비	1,054	1,604	1,699

감가상각비	417	399	372

기 타	625	1,106	1,198

연구개발비용 계	2,096	3,169	3,346

회계처리	판관비와 관리비	2,096	2,355	2,230

제조경비	-	-	-

개발비(무형자산)	-	814	1,115

연구개발비/매출액 비율(연구개발비용계/당기매출액x100)	2.8%	3.1%	5.5%

다. 연구개발 실적

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	개발시기

1	480mm 단결정 실리콘잉곳 성장기술 개발	450mm 웨이퍼 공정에 필요한 실리콘 부품을 직접 공급함으로써 수입대체, 원가절감, 생산성 향상에 기여	2011년

2	Growth reaction 탄화규소 부품개발	Growth reaction 탄화규소(SiC) Focus Ring을 개발함으로써 회사의 수익성 개선에 기여	2015년

3	반도체 공정용CVD SiC F/R 개발	CVD 탄화규소(SiC) F/R을 개발함으로써 회사의 수익성 개선에 기여	2017년

4	비저항 수율 항샹된 Si Ingot 개발	High resistivity ingot의 spec out loss 감소 및 고부가가치 (70~80Ω㎝) 제품을 개발함으로써 수익성 개선	2018년

5	정전척(ESC Chuck)용알루미나(Al2O3)개발	완성도 높은 알루미나의 플레이트 공급을 통해 매출 증대 기여	2018년

6	CVD SiC Coating기술 개발	Susceptor Coating으로 확대하여 기술력 향상	2018년

7	반도체히터용AlN 소재개발	회사의 사업다양화를 통한 안정적인 수익창출에 기여	2018년

11. 그밖에 투자의사결정에 필요한 사항 가. 지적재산권 등(1) 지적재산권 현황 및 내역당사가 공시기준일 현재 보유중인 지적재산권의 현황은 다음과 같습니다.

번호	구분	명칭	등록일	주무관청

1	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	07.11.20	특허청

2	특허	실리콘 링의 제조 방법	08.09.08	특허청

3	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	08.10.31	특허청

4	특허	코어링 휠 및 이를 이용한 잉곳 코어링 장치	08.12.16	특허청

5	특허	카세트 및 이를 구비하는 세정 장치	09.06.15	특허청

6	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.09.11	특허청

7	특허	포장용 보호 부재	09.09.11	특허청

8	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

9	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

10	특허	잉곳 세정 장치 및 잉곳 세정 방법	10.01.04	특허청

11	특허	대용량 케미칼 또는 액상가스 공급용 저장탱크를 이용한공급시스템	10.04.05	특허청

12	특허	케미칼 용액 또는 액상가스 공급용 저장탱크	12.11.01	특허청

13	특허	케미칼 용액 또는 액상가스 공급시스템	12.01.02	특허청

14	특허	전극판 체결용 이중 너트	12.04.09	특허청

15	특허	이중 너트 체결구조를 포함하는 실리콘 적재 조립체	12.04.25	특허청

16	특허	플라즈마 챔버의 캐소드 체결구	13.04.18	특허청

17	특허	상온반응에 의한 일산화질소 생산설비 시스템 및 생산방법	14.05.07	특허청

18	특허	캐소드 전극판의 핸들링 지그	14.12.16	특허청

19	특허	캐소드 전극판의 제작방법	15.01.15	특허청

20	특허	내구성이 향상된 플라즈마 처리 장비용 단결정 실리콘 부품및 이의제조방법	15.01.15	특허청

21	특허	플라즈마 챔버용 캐소드 전극판	15.04.16	특허청

22	특허	캐소드 전극판 어셈블리	15.04.16	특허청

23	특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	15.04.16	특허청

24	특허	높은 내구성을 갖는 플라즈마 처리 장치용 단결정 실리콘부품의제조방법	15.04.21	특허청

25	특허	플라즈마 챔버용 냉각판	15.06.17	특허청

26	특허	ＣＮＣ 실리콘 다축 가공기	15.08.19	특허청

27	특허	응력 완충층을 포함하는 SiC 코팅 탄소 부재 및 그제조방법	15.08.19	특허청

28	특허	부시 체결 구조체	15.08.19	특허청

29	특허	원터치 공정 가스 분사체 조립체	16.02.02	특허청

30	특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	16.02.04	특허청

31	특허	화학기상증착법에 의한 반도체 공정용 다결정 탄화규소벌크부재 및 그 제조방법	16.02.04	특허청

32	특허	반도체 공정용 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품의 재생방법 및 이러한 방법으로재생된 탄화규소부품	16.02.04	특허청

33	특허	화학기상증착 탄화규소의 전기 저항 조절 방법 및 이를통해 전기저항이 제어된 탄화규소 부품	16.06.02	특허청

34	특허	플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법	16.06.02	특허청

35	특허	체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치	16.12.09	특허청

나. 법규, 정부 규제에 관한 사항당사는 공시 기준일 현재 해당 사항이 없습니다.