하나머티리얼즈 분기보고서 (2017.03)
II. 사업의 내용

【주요 용어 설명】

용어	내용

실리콘
(Si ; silicon)	흔히 반도체를 만드는 물질로 알려진 실리콘(규소)은 모래나 돌에 가장 많이 들어 있으며 지각 무게의 25% 이상 차지할 만큼 풍부하고 금속과 비금속의 특성을 갖고 있어 불순물이 섞이면 전기가 통하는 성질이 있어 반도체산업에 가장 많이 이용되고 있음

폴리실리콘
(poly silicon)	모래에서 추출한 실리콘을 만드는 공정을 통해 얻어지는 고순도의 작은 실리콘 결정체로 반도체를 만드는데 사용하려면 11nine급 (99.999999999%) 이상의 고순도 폴리실리콘이 필요함

잉곳(ingot)	실리콘을 고순도의 정제과정을 거친 후 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들어 원통형의 실리콘 기둥으로 성장(growing)하여 제조하는 것임

웨이퍼
(wafer)	잉곳을 균일한 두께로 얇게 절단한 원형의 단결정 실리콘 박판으로 반도체적 성질을 갖도록 웨이퍼 표면에 여러 물질을 형성시킨 후, 설계 회로 모양대로 깍고 다시 물질을 입혀 깍는 작업을 반복해 반도체 집적회로를 만드는데 사용됨

팹
(Fab ;
Fabrication)	반도체 집적회로(칩)을 제조하기 위해 웨이퍼를 가공하는 공정을 의미하며, 크게 Diffusion(확산), Photo(노광), Etch(식각), Thin Film(증착) 등의 4개 공정으로 구분함

식각(에칭)
(etching)	웨이퍼 또는 웨이퍼 위에 증착된 박막의 일부분을 선택적으로 제거하는 공정으로 Photo 공정에서 패턴을 형성한대로 초미세 구조물을 형성하는 공정임. 에칭은 습식(wet) 에칭과 건식(dry) 에칭으로 분류할 수 있으며 대부분 Dry 에칭 또는 플라즈마 에칭이 일반화되어 있음

플라즈마
(plasma)	이온화된 가스를 의미하며 원자, 분자로 이루어진 가스에 전기 등의 에너지를 이용하여 방전시키면 전자, 이온, 분해된 가스, 광자 등으로 이루어진 플라즈마가 형성하게 됨. 이런 플라즈마를 이용하여 반도체 에칭공정에 많이 활용되고 있음

실리콘카바이드
(SiC ;
silicon carbide)	원소인 Si(실리콘)과 C(카본)의 반응에 의해 생성되는 화합물로 높은 경도와 내식성, 내마모성, 강도, 열전도성으로 구조재료나 반도체장비용 부품, 차량용 반도체 등에 활용되고 있음

세라믹
(ceramics)	고온에서의 열처리 및 고도의 정제된 원료와 기술을 통해 제조된 비금속 무기질 고체재료로 원자간의 결합력이 강하기 때문에 열팽창계수가 작고, 급열, 급랭에 견딜 수 있으며 고온에 강하기 때문에 반도체 공정용 부품에 많이 사용되고 있음

특수가스	반도체산업용 가스는 대량 소품종으로 사용되는 일반가스(산소, 질소, 수소, 알곤, 헬륨 등)와 웨이퍼 제조에 사용되는 특수가스가 있는데 특수가스는 소량 다품종으로 에칭용, 증착용, 확산용, 세정용으로 사용되며 각 반도체 공정 특성과 가스의 화화적 반응에 따라 종류가 30여 가지가 넘고 용도에 따라 혼·배합 비율과 압력 등을 달리 적용하고 있음

1. 사업의 개요

당사의 사업분야는 반도체 등의 제조공정에 사용되는 구조기능성 소재와 부품(parts)사업과 반도체 및 디스플레이 공정에 사용되는 고순도 특수가스 사업이 있으며, 각 사업부문의 제품은 아래와 같습니다.

사업부문	구분	주요 제품

부품	실리콘부품	Electrode, Ring, Tube, Disk, Ingot 등

SiC/세라믹부품	SiC Ring, 파인세라믹부품 등

특수가스	Pure 가스	Si2H6, HBr, CF4, NO 등

Mix 가스	Laser Mix, H2 Mix, SiH4 Mix, Si2H6 Mix 등

가. 사업의 개요

[부품사업](1) 사업 개황

당사가 현재 영위하고 있는 주력 사업분야는 반도체의 핵심 제조공정인 에칭(식각) 공정에 사용되는 Silicon 및 SiC 소재의 Electrode, Ring 등 소모성의 구조기능성 부품(Parts)의 제조입니다. IT산업의 눈부신 성장에 기인하여 반도체산업은 소자의 고집적화 및 반도체 Wafer의 대구경화에 따라 반도체공정의 생산성과 수율향상이 반도체산업의 성패를 좌우할 만큼 중요해지고 있으며, 당사의 대구경 단결정 Silicon Ingot 성장과 정밀 부품가공 기술의 중요성이 부각되고 있습니다. 반도체 Wafer의 재료인 Silicon과의 친화성을 높이기 위해 반도체 제조 관련 Silicon 부품의 수요가 지속 증가하고 있으며, 반도체 장비산업 대비 Silicon 부품은 소모성 부품으로 판매량은 반도체 제조업체의 투자 사이클 보다는 생산량과 관련이 있어 안정적인 매출이 가능한 사업입니다. 또한 당사는 Tokyo Electron을 비롯한 글로벌 장비제조업체와 삼성전자 등 반도체 제조업체를 고객으로 확보하고 있어 기술력과 품질수준은 검증되어 있으며, 향후 실리콘 부품의 비중 증가에 따라 매출이 확대될 것으로 보고 있습니다.

(2) 주요 제품당사의 제품은 반도체 제조공정 중 에정공정에 사용되는 핵심부품인 Silicon 및 SiC소재의 Electrode 와 Ring 등으로 에칭시 식각 능력을 좌우할 만큼 반도체 칩 생산의 수율과 제품의 성능을 결정하는 고부가가치 부품입니다.

제품	적용공정	기능 및 용도

Ring	Dry Etching	·플라즈마가 형성된 후에 챔버(Chamber)내에서 플라즈마가 정확한 위치로 모여지도록 하는 역할
·ESC(정전척)을 보호하는 역할

Electrode	Dry Etching	·Gas를 통과시켜 Si Wafer의 표면에 각종 가스를 일정하게 분사시켜 주는 역할

기타 부품	Wafer 제조 등	-

아래의 그림에서 보시는 바와 같이 Ring은 Plasma Etching 공정의 핵심 부품으로 Electrode에서 생성된 Plasma가 Wafer에 균일하게 퍼지도록 안내해주는 역할과 하부의 ESC(정전척)을 보호하는 반도체 부품이고, Electrode는 Plasma Etching 공정에서 Gas를 균일하게 흘려주고 Plasma를 균일하게 생성시켜 Wafer에 미세선을 Etching하는 반도체 부품입니다. Silicon Ring 및 Electrode는 소모성 부품으로 Electrode는 360~700시간, Ring은 150~400시간마다 교체수요가 발생하며, Etching 공정의 식각 비율에 영향을 미쳐 반도체 소자의 수율을 좌우하며, 최근 공정기술의 미세화로 그 중요성이 더욱 부각되고 있습니다.

※ 자료 : 업계 자료(3) 국내외 시장 여건 및 수요 증가 요인Silicon 소재는 반도체산업에서 사용되는 가장 기초적인 고기능성 소재이면서 생산 및 가공이 어려운 고부가가치 소재입니다. 당사는 반도체 공정 특히 Etching 장비용 구조기능성 소모품 부품 사업을 영위하고 있습니다. 반도체 공정의 미세화와 기술 전환 및 3D 적층화 등의 변화로 인해 당사 부품의 공급량은 지속 증가할 것으로 전망됩니다. 또한 반도체 FAB의 가동률이 당사 부품의 수요에 가장 큰 영향요인으로 FAB 가동률이 높을수록 부품의 사용빈도가 증가합니다. 또한 FAB 투자규모의 증가에 따라 영향력이 있으며, FAB 투자를 결정하는 가장 큰 요인은 D램, NAND, 시스템반도체 등 반도체 소자를 사용하는 PC, 휴대폰, 태블릿PC, TV 등 전자제품 수요 및 국내외 경기의 영향을 받게 됩니다. 최근 WSTS(세계반도체무역통계기구)의 전망에 따르면 2017년 이후 반도체 시장은 견조한 성장세가 예상되며, 특히 당사의 공급량이 많은 메모리반도체 시장의 성장이 두드러질 것으로 보고 있습니다. 메모리반도체의 수요 증대에 의한 생산설비의 추가 및 반도체 FAB의 신설 등 투자 증가로 당사의 부품 수요도 상대적으로 크게 나타날 것으로 전망됩니다.

[ 세계 반도체 시장 전망 ]

(단위:십억달러)	2013	2014	2015	2016	2017	2018	CAGR
2013-18

메모리	67.0	79.2	77.2	74.3	77.6	80.0	3.6%

증가율(%)	17.6%	18.2%	-2.6%	-3.8%	4.4%	3.1%

비메모리	238.5	256.6	258.0	260.7	268.5	274.0	2.8%

증가율(%)	1.7%	7.6%	0.5%	1.0%	3.0%	2.0%

아날로그	40.1	44.4	45.2	47.4	49.7	51.4	5.1%

증가율(%)	2.1%	10.6%	1.9%	4.8%	4.9%	3.4%

마이크로	58.7	62.1	61.3	62.7	63.4	64.8	2.0%

증가율(%)	-2.6%	5.8%	-1.2%	2.3%	1.1%	2.1%

로직	85.9	91.6	90.8	88.3	90.7	92.4	1.5%

증가율(%)	5.2%	6.6%	-1.0%	-2.7%	2.7%	1.9%

광/개별소자	53.8	58.5	60.7	62.3	64.7	65.5	4.0%

증가율(%)	0.9%	8.8%	3.7%	2.6%	3.9%	1.2%

Total Market	305.6	335.8	335.2	335.0	346.1	354.0	3.0%

증가율(%)	4.8%	9.9%	-0.2%	-0.1%	3.3%	2.3%

※ 자료 : WSTS (2016년 11월)

반도체 기술의 발전과 더불어 칩은 더욱 미세화가 진행되고 있습니다. 최근 메모리 반도체 선두업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 25nm급 미세공정을 적용한 D램에서 23nm급 및 21nm급 D램으로 주력제품이 전환되었으며, 최근 10나노(nm)대 D램을 본격 양산을 시작했습니다. 당사는 D램 및 NAND용 Etching 장비에 적용되고 있고, 메모리 대부분이 12인치 Wafer에 적용되고, 국내 업체가 메모리시장의 주도권을 가지고 있어 D램의 증가에 따라 당사 Silicon 부품의 증가도 전망되고 있습니다.

[세계 반도체 장비시장 규모 추이 및 전망]

(단위 : 십억달러)	2013	2014	2015	2016	2017	CAGR
2013-17

Wafer Fab. Process	25.36	29.26	28.78	29.97	33.24	7.0%

증가율(%)	15.4%	-1.6%	4.1%	10.9%

Assembly / Packaging	2.32	3.06	2.51	2.51	2.60	2.9%

증가율(%)	31.9%	-18.0%	0.0%	3.6%

TEST	2.72	3.55	3.33	3.53	3.64	7.6%

증가율(%)	30.5%	-6.2%	6.0%	3.1%

Other	1.42	1.63	1.90	1.86	2.04	9.5%

증가율(%)	14.8	16.6%	-2.1%	9.7%

Total	31.82	37.50	36.52	37.87	41.52	6.9%

증가율(%)	17.9%	-2.6%	3.7%	9.6%

한국 장비시장	5.22	6.84	7.46	6.30	8.29

증가율(%)	31.0%	9.1%	-15.5%	31.6%

※ 자료 : SEMI (2016년 9월)

(4) 사업의 경쟁력을 좌우하는 요인 및 경쟁우위 사항당사는 원재료 조달부터 Ingot 생산(소재기술), 부품 가공(가공기술), 세정(에칭기술) 등 일관생산공정 프로세스를 구축하고 있으며 이를 통해 고객이 원하는 납기와 품질 수준으로 경쟁우위의 제품을 공급하고 있습니다.이에 따른 당사의 경쟁우위 사항은 ① 최적의 잉곳 성장 기술력 확보, ② 일관생산 프로세스 구축, ③ 정밀 부품가공 기술 확보, ④ 글로벌 메이저 장비업체의 정품 공급 등이 있습니다. [특수가스사업]

(1) 사업 개황특수가스 사업부문은 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 제조공정에 사용되고 있는 고순도의 특수가스를 제조하고 있습니다. 일반적으로 고순도 특수가스 제조는 기술 개발이 어렵고, 시간이 장기간 소요될 뿐만 아니라, 대규모의 생산설비 구축에 많은 자금이 소요되는 사업입니다. 생산설비 및 분석 인프라를 갖춰야 하기 때문에 막대한 투자가 필요하며, 고정비 비율이 높아 판매 증대를 통한 가동률 향상이 수익성에 많은 영향을 미치는 구조입니다. 또한 후발 기업에게는 시장 진입장벽이 높아 품목별로 과점시장이 형성되어 있습니다.

국내시장은 반도체 및 디스플레이산업이 전체 특수가스 시장에서 매우 큰 비중을 차지하고 있으며, 특히 반도체산업은 기존 PC 뿐만 아니라 모바일, 태블릿PC 및 웨어러블 기기의 성장으로 인해 반도체의 수요가 크게 증가하고 있고, 반도체 공정의 미세화 및 3D화 등으로 사용범위도 가전, 자동차용 반도체, 사물인터넷(IoT) 등으로 점점 넓어지면서 필수 소재인 특수가스의 수요는 지속적인 성장세가 전망되고 있습니다. 이처럼 특수가스 시장은 전방산업인 반도체 및 디스플레이산업의 지속적인 성장과 전세계적으로 반도체 및 디스플레이 생산 공장이 한국, 대만, 중국, 일본 등 아시아권에 위치하고 있어 국내 및 인접 국가에 안정적인 수요처를 확보할 수 있는 장점으로 인해 상대적으로 매우 안정되어 있고 지속 성장 또한 가능합니다.

(2) 주요 제품당사는 반도체, 디스플레이 패널 등의 제조에 사용되는 고순도 특수가스의 제조 및 판매 사업을 영위하고 있습니다. 당사는 Si2H6(디실란), HBr, NO(산화질소), CF4, SiH4 등 약 80여종의 다양한 제품 라인업을 보유하고 있습니다. 당사의 주요 제품은 다음과 같습니다.

구분	제품	적용분야	기능 및 용도

Pure가스	Si2H6
(디실란)	반도체	·확산(Diffusion)이나 증착(CVD) 공정 사용
·반도체 미세공정화로 SiH4(실란)로 구현 불가능한 공정에 실리콘 막질을 증착하는 가스

NO
(산화질소)	·열처리 공정을 통해 SiON을 형성하는데 사용
·NAND의 신뢰도 향상에 기여하는 핵심 가스

HBr
(브롬화수소)	·Si 막을 제거하는 Dry Etching에 사용되는 가스

CF4
(사불화탄소)	·에칭, 폴리머 제거, 챔버 클리닝에 사용

SiH4
(실란)	·반도체 에칭공정에 사용

Mix가스	Laser Mix
(레이저혼합가스)	·반도체 Lithography 공정의 광원으로 사용
·OLED LPTS 열처리 공정의 광원으로 사용
·Ne를 Balance로 Kr, Xe, Ar, F2 등을 혼합

기타 혼합가스	·H2 Mix, AsH3 Mix, Si2H6 Mix, SiH4 Mix, PH3 Mix 등

(3) 사업의 특성

특수가스사업은 고객사 진입에 상당한 시간과 노력이 필요하고, 고객이 요구하는 고순도의 품질 및 품질관리가 요구됩니다. 시장은 안정적으로 성장 추세에 있으나, 보유 제품 및 경쟁구도에 따라 회사간 수익성의 차이가 매우 큽니다. 또한 원료 및 상품을 안정적으로 조달할 수 있는 소싱(sourcing)력과 용기의 물류 및 역물류를 효율적으로 관리하는 등 SCM(Supply Chain Management) 관리 역량이 기업간 경쟁력 차이를 가지고 오는 사업입니다. 또한 특수가스사업은 크게 정제가스(Pure Gas)와 혼합가스(Mix Gas)로 구분할 수 있습니다. Pure 가스는 저순도가스를 원료로 하여 정제(흡착, 증류 등) 공정을 거쳐 불순물을 제거하고 용기에 충전한 후 제품분석을 거쳐 고객사에 납품되고, Mix가스는 고순도가스를 제품사양에 맞는 농도(ppb 단위까지)로 혼합하여 용기에 충전 후 제품분석을 거쳐 고객사에 납품됩니다.

(4) 시장 여건반도체 및 디스플레이 공정용 특수가스는 공급의 안전성, 품질관리 능력, 선행개발 능력 등이 검증된 소수의 업체만 진입 가능한 시장의 특성을 가지고 있습니다. 특수가스는 제품의 전체 원가에서 차지하는 비중은 높지 않지만 최종 제품의 특성과 성능에 미치는 영향은 지대합니다. 이 때문에 특수가스 사업은 시장 진입에 성공만 한다면 매출이 계속 확보되는 안정적 사업입니다 또한 특수가스 시장은 반도체 및 디스플레이산업이 전방산업이기 때문에 반도체 및 디스플레이 산업의 가동률에 따라 경기변동을 겪습니다. 반도체 산업은 고정비 부담이 높고, 투자와 양산의 시차가 존재함으로써 가격변화에 대응하여 생산량을 탄력적으로 대응할 수 없는 이유로 가격 불안정성의 특성을 지니고 있습니다. 그러나 반도체 재료산업은 장비산업과 비교하여 반도체 경기변화에 상대적으로 덜 민감합니다. 그 이유는 장비산업은 소자산업의 시설투자와 직접적인 관련이 있지만, 재료산업은 소모성 중심의 구조로 이루어져 있기 때문입니다.(5) 시장의 성장성

특수가스 산업은 반도체, 디스플레이, 태양전지 산업의 성장과 관련성이 높은 산업입니다. 반도체시장은 모바일, 태블릿PC 및 웨어러블 시장의 성장으로 반도체 수요가 증가하고 있고 사용 범위도 반도체 공정의 미세공정 전환 및 NAND 플래시의 3D화 전개 등으로 공정 스텝수의 증가, 미세공정 적용을 위한 엄격한 공정환경 조성 등으로 특수가스 수요는 지속적인 성장 추세에 있습니다. 디스플레이시장은 대형 및 고화질의 UHD TV, 모바일 디스플레이 시장의 빠른 성장으로 특수 가스 수요가 증가하고 있으며, OLED 디스플레이의 시장 성장이 예상되는 등 전방산업의 규모가 커지고 있기 때문에, 특수가스 시장 규모 역시 증가하고 있습니다. 반도체용 특수가스 시장의 경우 전체 Fab 재료시장 중 17.0% 비중을 차지하고 있으며, 2020년까지 매년 6.7%의 안정적 성장을 보일 것으로 전망되며, 특히 에칭용가스와 포토공정용 가스가 성장을 주도할 것으로 전망되고 있습니다.

[ 세계 FAB 공정 재료시장 전망 ]

(단위 : 백만달러)	2015	2016	2017	~	2020	CAGR
2015-20

Lithography Materials	2,701	2,947	3,505	~	4,150	9.0%

Wet Chemicals	2,275	2,358	2,491	~	2,584	2.6%

Pads and Slurries	1,825	1,930	2,093	~	2,191	3.7%

Deposition Materials	2,617	3,116	3,685	~	4,689	12.4%

ALD	274	359	472	~	895	26.7%

CVD	1,049	1,289	1,499	~	1,947	13.2%

PVD	677	704	792	~	830	4.2%

Plating	174	192	227	~	305	11.9%

Spin on Dielectrics	443	572	695	~	712	10.0%

Gases	1,923	2,052	2,196	~	2,662	6.7%

Etchant Gases	217	232	249	~	306	7.1%

Dopant Gases	234	243	253	~	285	4.0%

Litho Gases	128	158	194	~	320	20.1%

Bulk Gases	1,344	1,419	1,500	~	1,751	5.4%

TOTAL	11,343	12,404	13,971	~	16,274	7.4%

※ 자료 : Linx-Consulting (2016년)

(6) 경쟁우위 사항당사의 경쟁우위 사항은 ① 반도체/디스플레이 공정에 필요한 다양한 제품 Line-up 보유하고 있으며, ② 고객의 요구수준과 공정 Spec에 맞는 불순물 분석 인프라 보유,③ 안정적이고 다양한 원료 가스 Source 확보 등이 있습니다.

나. 사업부문별 재무현황당사의 사업부문별 주요 재무정보는 아래와 같습니다.

(단위 : 백만원)

구분	제11기 1분기)	제10기 1분기

부품	특수가스	합계	부품	특수가스	합계

매출액	17,842	1,873	19,715	11,749	1,293	13,042

영업이익	3,931	(76)	3,855	2,424	(154)	2,270

총자산	65,031	13,555	78,586	54,060	11,807	65,867

다. 신규사업당사는 실리콘부품 위주의 사업구조에서 사업 및 제품 포트폴리오를 다각화하고자 SiC, Alumina 등 세라믹 부품사업을 추진하고 있습니다. 이를 통해 반도체 제조공정의변화에 유연하게 대처하고 경영효율성과 성장가능성을 제고하고, 반도체 부품 소재를 다양화하여 사업경쟁력을 강화하고자 합니다.

최근 반도체 공정에서의 고집적도를 위한 선폭 미세화에 따른 고밀도 플라즈마 환경의 도입과 건식 에칭(dry etching)과 같은 공정 도입이 확산되면서 고온공정의 정밀한 제어 필요성이 확대되고 있습니다. 또한 따라 반도체 공정에서 사용되고 있는 부품 소재도 Silicon 외에도 석영(Quartz), 탄화규소(SiC),알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN) 등의 다양한 소재로 확산 적용되고 있습니다. 따라서 당사는 소재 다양화를 통해 파인세라믹 소재 분야에 진출하여 포트폴리오의 다각화를 추진하고 있습니다.

(1) 신규사업 내용

당사가 추진하고 있는 신규사업 추진을 위한 신제품 개발 내용은 아래와 같습니다.

신규사업	제품	주요 내용

CVD SiC	SiC Ring	·반도체 공정용 CVD SiC Ring 개발
·CVD SiC Ring 양산을 통한 매출 및 수익성 증대

Alumina Plate	ESC Chuck	·반도체 공정용 ESC용 알루미나 개발
·ESC용 알루미나 플레이트 양산을 통한 매출 증대

(2) 시장의 특성 및 전망

최근 반도체 공정에서 웨이퍼의 크기는 점점 커지고 있고 칩의 크기는 작아지면서 수율을 높일 수 있는 소재의 내입자 오염도에 대한 관심이 커지고 있는 상황으로 회로의 미세화가 높이지면서 식각에 쓰이는 고에너지 플라즈마를 견딜 수 있는 소재에 대한 요구도 커지고 있으며, Wafer 가공의 효율성을 위해 SiC 소재의 초고순도화가 매우 중요해지고 있습니다. 당사는 SiC의 초고순도화를 위해 CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착) 방식의 SiC 사업을 추진하고 있습니다. CVD 방식은 다른 방식보다 SiC를 고순도로 만들 수 있는 더 높은 수준의 기술로, 제조공정이나 가공이 까다로워져 초정밀기술이필요합니다. CVD SiC Ring은 Silicon Ring과 마찬가지로 반도체 핵심공정인 에칭(식각) 공정에 사용된다. 반도체용 Wafer를 지지하며 고주파 플라즈마를 견디는 능력이 기존 Silicon 대비 우수하며, 반도체 공정의 미세화와 Step수의 증가가 진행될수록 고주파 플라즈마를 견뎌야하고 공정시간이 길어지고 있어 부품 교체를 위한 낭비를 줄이기 위해 일부 공정(깊은 Contact를 가공하는 공정 등)에서 수명이 1.3~1.5배 이상인 CVD SiC Ring의 채용이 늘어날 전망입니다.

(3) 기대효과 및 향후 활용

반도체 에칭공정에서 High Power와 깊은 Contact를 요구하는 공정은 30% 미만으로추정되며, Silicon 대비 CVD SiC의 가격 대비 성능 등의 이유로 일부 한정적인 공정에 한하여 사용되고 있는 것으로 추정됩니다. 따라서, 당사는 FAB 요구조건에 따라 즉, 공정시간이 길고, 고주파 플라즈마를 적용하는 공정에서 CVD SiC를 공급하고, 기존의 주요 공정은 Silicon 제품을 공급할 예정입니다.

2. 주요 제품 등에 관한 사항가. 주요 제품 현황

(단위 : 천원)

사업구분	매출 유형	품 목	구체적용도	제11기 1분기

매출액	비율(%)

부품	제품외	Ring,Electrode	반도체 식각장비의주요 소모품	16,283,418	82.59%

기타	-	1,558,576	7.91%

특수가스	제품외	Pure, Mix가스	반도체 등 공정용특수가스	1,668,140	8.47%

기타	-	204,573	1.04%

합계	-	-	-	19,714,707	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동 추이당사는 주요 제품은 고객사의 주문에 따라 제품을 생산하는 사업으로 고객사의 주문시점 및 주문수량, 비정규적인 가격의 제품 생산 등으로 가격의 등락이 존재하며, 각 거래처 및 모델별 상이한 가격에 따라 가격변동추이를 산출하는 것이 부적합하고 정확한 가격의 변동 추이를 파악하기 어려워 기재를 생략하였습니다.

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	매입액(비율)	비고

부품	원재료	Poly Silicon	작은 실리콘 결정체들로 이루어진 물질로Ingot과 부품을 만드는 데 사용	642(27.82%)	-

원재료	Multi Ingot	폴리실리콘을 녹여 원통형의 실리콘 기둥으로부품 두께로 잘라내기 전의 덩어리	1,024(44.37%)	-

원재료	기타	-	346(14.99%)	-

특수가스	원재료	가스	고순도의 특수가스로 정제 및 혼합하기 전의원료 가스	296(12.82%)	-

합 계	-	-	-	2,308(100.0%)	-

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목(단위)	단위	제11기 1분기	제10기	제9기

Poly Silicon	(kg)	26,432	29,640	34,054

Multi Ingot	(kg)	218,418	192,995	183,914

가스	(kg/psi/㎥)	20,974	18,722	6,275

(1) 가격산출 기준Poly Silicon, Ingot 및 가스의 단가는 총평균법을 적용하여 산출하였습니다.(2) 가격변동원인

Poly Silicon은 글로벌 공급과잉 및 태양광시장의 위축에 따라 2012년말 A社와 LTA계약(Long-Term Agreement)을 체결하여 고품질의 Poly Silicon을 안정적으로 공급받고 있습니다. 또한, 다결정 Ingot의 경우 고객사 요구로 인해 대부분 수입하여 사용하고 있으며, 이에 따른 환율 변동에 따라 원재료 매입 단가의 변동이 발생합니다. Gas에 대한 단가 변동은 아직 사업을 시작한지 2년이 채 되지 않아 유의한 가격변동은 없는 것으로 나타나고 있으며, 환율 변동에 따라 단가의 변동이 발생합니다.

다. 주요 매입처에 관한 사항

구분	주요품목	구 입 처	비고

가스	원료가스	Linde 등	-

Poly Silicon	Poly Silicon	OCI주식회사	-

Multi Ingot	Multi Ingot	Mitsubishi Materials Trading Corporation	-

4. 생산 및 설비 관한 사항 가. 생산 능력

(단위 : 개, kg)

사업부문	품 목	단위	제11기 1분기	제10기	제9기

부품	실리콘 부품	개	14,900	44,224	32,370

특수가스	Pure, Mix 가스	kg	4,311	17,244	15,972

※ 산츨 근거 ① 실리콘부품 : 공정 장비 가용시간 / 공정 개당 표준시간 ③ 특수가스 = GAS별 공정의 장비 가용시간 / Gas 공정 개당 표준시간 나. 생산 실적 및 가동률 (1) 생산실적

(단위 : 개, kg)

사업부문	품 목	단위	제11기 1분기	제10기	제9기

부품	실리콘부품	개	14,166	39,958	28,117

특수가스	Pure, Mix 가스	kg	1,206	4,802	2,849

(2)당해 사업연도의 가동률(단위 : 개, kg, %)

사업부문	품목	단위	당기실제생산수량	당기생산가능수량	평균가동률

부품	실리콘부품	개	14,166	14,900	95.07%

특수가스	Pure, Mix 가스	kg	1,206	4,311	27.97%

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황(자산항목 : 유형자산)

(단위 : 천원)

구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	당기말장부가액	비고

증가	감소

토 지	3,473,391	0	0	0	3,473,391	-

건 물	10,609,811	1,772,827	0	(130,362)	12,252,276	-

구 축 물	238,496	35,000	0	(4,266)	269,230	-

기계장치	23,333,005	810,300	0	(1,173,112)	22,970,193	-

공구와기구외	1,435,203	23,000	(62,073)	(113,532)	1,282,598	-

건설중인자산	4,531,943	7,465,231	(2,641,127)	0	9,356,047	-

합 계	43,621,849	10,106,358	(2,703,200)	(1,421,272)	49,603,735	-

(2) 설비의 신설 및 매입 계획 등

(기준일 : 2017.03.31 현재) (단위 : 백만원, %)

구분	총소요자금	기지출액	비고

토지	2,500	1,900	특수가스

건물	1,980	840	제2공장

기계장치	34,607	12,526	Puller, SiC 등

계	39,087	15,266

5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위 : 천원)

사업부문	매출유형	품 목	제11기 1분기	제10기	제9기

부품	제품	실리콘부품(Ring, Electrode)	수 출	5,820,813	16,504,894	13,331,806

내 수	10,462,605	30,410,622	24,860,151

합 계	16,283,418	46,915,516	38,191,957

기타	수 출	209,233	1,640,472	2,080,000

내 수	856,217	2,470,842	2,553,613

합 계	1,065,450	4,111,314	4,633,613

상품 외	수 출	55,916	8,501	153,928

내 수	437,210	3,417,215	6,234,681

합 계	493,126	3,425,716	6,388,609

특수가스	제품	Pure, Mix 가스	수 출	1,393,675	5,323,872	2,182,132

내 수	274,465	1,090,984	1,257,651

합 계	1,668,140	6,414,856	3,439,783

기타	수 출	0	23,044	0

내 수	0	6,970	0

합 계	0	30,014	0

상품 외	수 출	64,697	88,325	1,411

내 수	139,876	294,985	57,630

합 계	204,573	383,310	59,041

총 합 계	수 출	7,544,334	23,589,108	17,749,277

내 수	12,170,373	37,691,618	34,963,726

합 계	19,714,707	61,280,726	52,713,003

나. 판매경로 및 판매전략 (1) 판매조직

당사 부품사업의 영업 조직은 영업본부장을 중심으로 매출 및 출하 관리를 하는 영업지원, 고객사의 수율 향상을 위한 제품 디자인 변경이나 신규 제품 제안 등을 담당하는 기술영업, 기존 고객사들별 담당자를 정하여 고객관리를 하는 영업팀으로 구성되어 있습니다. 그리고 End User에 빠른 대응을 위하여 경기도 용인시 기흥구에 영업CS센터를 설치하여 운영하고 있습니다. 특수가스사업의 영업 조직은 가스사업부장을 중심으로 영업팀이 구성되어 있으며, 현재 충북 청주시 오창읍의 생산공장에 위치하고 있습니다.

(2) 판매경로

매출유형	품 목	구 분	판매경로

정품공급	부품(Si, SiC 등)	국 내	당사 → 장비업체 → End-User

수 출	당사 → 장비업체 → End-User

직판	부품(Si, SiC 등)	국 내	국내 소비자에게 직판

수 출	해외 업체로 직수출

직판	특수가스	국 내	국내 소비자에게 직판

수 출	해외 업체로 직수출 및 Local 수출

(3) 판매경로(수출입)별 매출액(단위 : 천원)

품목	구분	판매경로	판매경로별매출액(천원)	비중(%)	주요 매출처

부품(Si, SiC 등)	국내	당사→고객사	11,756,032	59.63%	Tokyo Electron, 세메스, 삼성전자 등

수출	당사→고객사	6,085,962	30.87%	Tokyo Electron, Applied Materials 등

특수가스	국내	당사→고객사	414,341	2.10%	SK하이닉스, 동부하이텍 등

수출	당사→고객사	1,458,372	7.40%	오션브릿지, 매그나칩 등

합계	19,714,707	100.00%

(4) 판매전략

당사의 주요 제품이 사용되고 있는 반도체 에칭공정 장비는 미국과 일본 업체가 시장을 장악하고 있으며, 최근 한국의 반도체 장비업체가 두각을 나타내고 있습니다. 이에 당사는 미국 및 일본의 업체의 시장 점유율을 더욱 확대하고 있으며, 국내 장비사에 당사가 생산하는 Si-Parts에 대한 OEM 공급을 하고 있습니다. 또한 최근 미국 반도체 장비회사를 통해서도 당사 제품의 OEM 공급이 이뤄질 수 있도록 추진 중에 있습니다. 특수가스사업은 기존 시장의 Market Share 확대를 통한 영업기반을 다지며, 대형고객사의 Qual. 승인으로 대형고객사로의 공급을 목표로 하고 있습니다.

6. 수주상황 부품업계는 제품 특성상 정기적 수주에 의하여 공급하는 것이 아니라 수요처로부터 기본거래계약만을 체결한 후 수시 발주물량을 수주(주문)받습니다. 당사도 주요고객들과 기본거래계약서만을 체결한 후 수시로 물량을 수주(주문)받고 있어 장기적인 수주는 없으며 특정시점에서의 수주현황은 큰 의미가 없습니다. 7. 시 장위험 과 위험관리당사가 노출된 주요 시장위험에는 외환위험, 금리위험 등이 있으며, 이러한 내용은 Ⅲ. 재무에 관한 사항의 5. 재무제표 주석 26. 위험관리"에 자세히 기재되어 있으므로 해당 부분을 참조해 주시기 바랍니다. 8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래현황 당사는 공시기준일 현재 파생상품 및 풋백옵션 등 거래가 없습니다.

9. 경영상의 주요 계약 등당사는 공시기준일 현재 특수가스사업을 영위하는 오창사업장의 신규 부지 매입을 위해 사업장 인근 부동산의 매매계약을 진행하고 있습니다.

계약상대방	계약의 목적 및 내용	계약체결시기 및 계약기간

(주)리엔	특수가스 증설부지 확보	2016.12~ 2017. 05

10. 연구개발 활동 가. 연구개발 담당조직 (1) 연구개발 조직 개요

연구개발조직에는 경영전략과 기술전략을 연계하고, 자체 R 능력의 축적과 효과적인 활용을 위해 소재 중심의 결정성장팀, 제품 중심의 선행개발팀과 파인세라믹 등의 신소재를 연구하는 AE팀으로 구성되어 있습니다. 기술개발 및 공정개발 업무로써 기술조사, 실험 및 기초과학 연구, 신제품 개발 및 제품개선에 관한 개량 연구, 선진 신기술도입 및 기술 관리, 특허권 등 산업재산권 개발 및 관리, 신제품(소재, 부품) 연구 및 기술개발 관련업무를 수행하고 있습니다. 그리고 연구개발 계획 및 조사의 업무로써 장단기 연구정책 수립, 국내외 신기술 및 신소재 관련 기술조사, 산학연 공동연구개발과제 발굴 및 진행, 신제품 개발을 위한 기초연구 및 기술 연구, 연구과제 선정 및 수행, 연구원 자질향상 및 전문인력 양성업무를 수행하고 있습니다.

(2) 연 구개발인력 구성

학력	박사	석사	학사	기타	합계

인원수	1	3	11	3	18

나. 연구개발 비용(단위 : 천원, %)

과 목	제11기 1분기	제10기	제9기

원재료비	17,195	76,053	866

인건비	416,607	1,699,496	1,309,914

감가상각비	111,363	371,624	19,793

기 타	289,724	1,198,419	1,007,507

연구개발비용 계	834,889	3,345,592	2,338,080

회계처리	판관비와 관리비	478,837	2,230,358	2,303,252

제조경비

개발비(무형자산)	356,052	1,115,234	34,828

연구개발비/매출액 비율 (연구개발비용계/당기매출액x100)	4.2%	5.5%	4.4%

다. 연구개발 실적

당사 연구 개발 과제는 반도체 공정에 사용되는 고기능성 부품 소재를 국산화하는 과제와 소재 특성 및 기능을 향상하기 위해 개조 개선하는 과제 등에 연구역량을 집중하고 있습니다. 모든 연구개발 전 과정은 고객사와의 협력을 통해서 당사의 연구소에서 주관하고 있으며 필요에 따라 각 대학 산학 협력 부서 또는 정부투자 연구기관에 시험 및 분석을 의뢰, 지원받는 과정으로 진행되며 연구 개발품의 최종 검증은 고객의 제조현장에서 실제 장착 테스트를 통해 개발의 성공 여부가 판명됩니다.

구분	연구과제명	연구내용 및 기대효과	연구결과 및 상품화 여부	개발시기

1	480mm 단결정 실리콘 잉곳 성장기술 개발	450mm 웨이퍼 공정에 필요한 실리콘 부품을 직접 공급함으로써 수입대체, 원가절감, 생산성 향상에 기여	국내 최초로 480mm 단결정 실리콘 잉곳 성장(growing)에 성공	2011년

2	Growth reaction 탄화규소 부품개발	Growth reaction 탄화규소(SiC) Focus Ring을 개발함으로써 회사의 수익성 개선에 기여	시제품을 제작하여 내플라즈마성이 뛰어난 Dry etch 공정용 탄화규소 부품을 개발	2015년

3	반도체 공정용 CVD SiC F/R 개발	CVD 탄화규소(SiC) F/R을 개발함으로써 회사의 수익성 개선에 기여	Silicon 소재보다 Life Time이 길며, 불순물이 없는 CVD-SiC Ring을 개발 완료	2017년

4	비저항 수율 항샹된 Si Ingot 개발	High resistivity ingot의 spec out loss 감소 및 고부가가치 (70~80Ω㎝) 제품을 개발함으로써 수익성 개선	Resistivity 수율 향상된 Si Ingot 개발	2018년

5	정전척(Electrostatic Chuck)용 알루미나(Al2O3)개발	완성도 높은 알루미나의 플레이트 공급을 통해 매출 증대 기여	알루미나(Al2O3)플레이트의 원천기술을 확보하고 고객평가를 통해 제품으로서의 가치를 인정	2018년

6	CVD SiC Coating 기술 개발	Susceptor Coating으로 확대하여 기술력 향상	표면 전체를 균일한 두께로 CVD SiC Coating 제어하는 기술을 확보	2018년

7	반도체히터용 AlN 소재개발	회사의 사업다양화를 통한 안정적인 수익창출에 기여	선진사대비 동등이상 성능수준을 갖는 소결체 제조기술을 확보	2018년

11. 그밖에 투자의사결정에 필요한 사항 가. 지적재산권 등 (1) 지적재산권 현황 당사가 공시기준일 현재 보유중인 지적재산권의 현황은 다음과 같습니다.

(단위 : 건)

구분	총출원건수	총등록건수	미등록건수	미등록 사유

출원중	포기

국내특허	39	35	4	1	3

국제특허	1	1	0	0	-

합계	39	35	4	1	3

(2) 지적재산권 내역

번호	구분	명칭	등록일	주무관청

1	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	07.11.20	특허청

2	특허	실리콘 링의 제조 방법	08.09.08	특허청

3	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	08.10.31	특허청

4	특허	코어링 휠 및 이를 이용한 잉곳 코어링 장치	08.12.16	특허청

5	특허	카세트 및 이를 구비하는 세정 장치	09.06.15	특허청

6	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.09.11	특허청

7	특허	포장용 보호 부재	09.09.11	특허청

8	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

9	특허	플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법	09.10.13	특허청

10	특허	잉곳 세정 장치 및 잉곳 세정 방법	10.01.04	특허청

11	특허	대용량 케미칼 또는 액상가스 공급용 저장탱크를 이용한공급시스템	10.04.05	특허청

12	특허	케미칼 용액 또는 액상가스 공급용 저장탱크	12.11.01	특허청

13	특허	케미칼 용액 또는 액상가스 공급시스템	12.01.02	특허청

14	특허	전극판 체결용 이중 너트	12.04.09	특허청

15	특허	이중 너트 체결구조를 포함하는 실리콘 적재 조립체	12.04.25	특허청

16	특허	플라즈마 챔버의 캐소드 체결구	13.04.18	특허청

17	특허	상온반응에 의한 일산화질소 생산설비 시스템 및 생산방법	14.05.07	특허청

18	특허	캐소드 전극판의 핸들링 지그	14.12.16	특허청

19	특허	캐소드 전극판의 제작방법	15.01.15	특허청

20	특허	내구성이 향상된 플라즈마 처리 장비용 단결정 실리콘 부품및 이의제조방법	15.01.15	특허청

21	특허	플라즈마 챔버용 캐소드 전극판	15.04.16	특허청

22	특허	캐소드 전극판 어셈블리	15.04.16	특허청

23	특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	15.04.16	특허청

24	특허	높은 내구성을 갖는 플라즈마 처리 장치용 단결정 실리콘부품의제조방법	15.04.21	특허청

25	특허	플라즈마 챔버용 냉각판	15.06.17	특허청

26	특허	ＣＮＣ 실리콘 다축 가공기	15.08.19	특허청

27	특허	응력 완충층을 포함하는 SiC 코팅 탄소 부재 및 그제조방법	15.08.19	특허청

28	특허	부시 체결 구조체	15.08.19	특허청

29	특허	원터치 공정 가스 분사체 조립체	16.02.02	특허청

30	특허	캐소드 전극판용 부시 조립체	16.02.04	특허청

31	특허	화학기상증착법에 의한 반도체 공정용 다결정 탄화규소벌크부재 및 그 제조방법	16.02.04	특허청

32	특허	반도체 공정용 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품의 재생방법 및 이러한 방법으로재생된 탄화규소부품	16.02.04	특허청

33	특허	화학기상증착 탄화규소의 전기 저항 조절 방법 및 이를통해 전기저항이 제어된 탄화규소 부품	16.06.02	특허청

34	특허	플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법	16.06.02	특허청

35	특허	체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치	16.12.09	특허청

(3) 국내 출원중이 지적재산권

번호	구분	명칭	출원인	출원일	적용제품	주무관청

1	국내특허	탄소가 포함된 희생핀을 사용하여 가공 시간이 단축된 SiC 샤워헤드 전극의 제조방법	하나머티리얼즈	16.02.29	SIC 캐소드	특허청

( 4) 국외 출원중이 지적재산권 당사는 공시 기준일 현재 해당 사항이 없습니다.

나. 법규, 정부 규제에 관한 사항당사는 공시 기준일 현재 해당 사항이 없습니다.