피엠티 분기보고서 (2017.09)
II. 사업의 내용

[주요 용어 정리]

용 어	설 명

메모리 반도체	정보를 저장하는 용도로 사용되는 반도체로 정보를 기록하고 기록해 둔 정보를 읽거나 수정할 수 있는 램(RAM)과 기록된 정보를 읽을 수만 있고 수정할 수 없는 롬(ROM)으로 구분됨.

미세화	반도체의 회로 선폭을 줄이는 작업. 선폭이 줄어들면 웨이퍼 단위당 생산량이 확대되어 생산성 증대를 위해서 미세화 공정 개발 진행

비메모리 반도체	정보를 저장하는 용도로 사용되는 메모리반도체와는 달리 정보처리를 목적으로 제작된 반도체로 주로 CPU, 주문형반도체(ASIC) 등을 지칭함.

세라믹	실리콘(Si), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등과 같은 금속원소가 산소, 탄소, 질소 등과 결합하여 만든 소재에 열을 가하여 강도가 생기도록 한 제품으로 내열성, 고강도, 내식성 등이 우수함

식각
(etching)	웨이퍼에서 액체 또는 기체의 부식액을 이용해 불필요한 부분을 제거한 후 반도체 회로 패턴을 만드는 것

웨이퍼
(Wafer)	반도체 집적회로를 만드는데 사용하는 주요 재료로, 주로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs)등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥을 적당한 지름으로 얇게 썬 얇은 원판모양의 판

패키징
(Packaging)	반도체 칩을 탑재될 전자기기에 적합한 형태로 만드는 공정으로 칩을 외부의 환경으로부터 보호하고, 단자 간 연결을 위해 전기적으로 포장하는 공정

포토리소그래피
(photolithography)	반도체웨이퍼 위에 감광 성질이 있는 프토레지스트를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴을 올려 놓고 빛을 가해 사진을 찍는 것과 같은 방법으로 직접회로, 부품, 박만회로, 프린트 배선 패턴 등을 넣는 기법

폴리이미드
(Polyimide)	탄소와 질소로 구성된 오각형 고리 모양 구조가 반복된 고분자로 금속보다 가벼우면서 쉽게 깨지지 않고 불에 잘 타지 않는 플라스틱으로서 절연재로 사용

프로브 카드
(Probe Card)	반도체의 동작을 검사하기 위하여 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하는 장치. 프로브 카드에 장착되어 있는 프로브 핀이 웨이퍼를 접촉하면서 전기를 보내고, 그때 돌아오는 신호에 따라 불량 반도체 칩을 선별

프로브 핀
(Probe Pin)	프로브 카드의 핵심부품으로 반도체 웨이퍼 범프 또는 패드에 직접 접촉하여 전기적 신호를 이용하여 반도체 칩을 검사

CIS
(CMOS Image Sensor)	CMOS 구조를 가진 저소비전력형의 촬상소자로 피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변화해주는 이미지 센서

DRAM
(Dynamic RAM)	반도체 기억소자로, 전기를 넣은 상태에서도 일정 주기마다 동작을 가하지 않으면 기억된 정보가 지워지는 램

MEMS
(Micro Electro Mechanical System)	미세전자기계시스템, 미세전자제어기술 등으로 불리는 것으로 반도체 공정기술을 기반으로 성립되는 마이크로(㎛)나 ㎜크기의 초소형 정밀기계 제작기술

NAND	일반적으로 NAND Flash Memory를 지칭함. 전원이 꺼지면 저장된 자료가 사라지는 D램과 달리 전원이 없는 상태에서도 메모리에 데이터가 계속 저장되는 플래쉬 메모리의 일종으로 NAND형은 셀이 직렬로 연결이 되어 있는 구조를 가지고 있어 제조단가가 싸고 대용량의 데이터를 저장할 수 있음.

PCB
(Printed Circuit Board)	별개의 전자부품들을 배치하고 지지시키는 바탕이 됨은 물론 부품들을 서로 전기적으로 연결해주는 역할을 하는 인쇄 회로 기판

SSD
(Solid State Drive)	메모리 반도체를 저장매체로 사용하는 차세대 대용량 저장장치임. 낸드 플레시 메모리에 정보를 저장하기 때문에 빠른 속도와 높은 안정성을 보유함

1. 사업의 개요

가. 사업 개황

당사가 영위하고 있는 주요 사업은 반도체 제조공정 중 반도체 소자의 전기적 기능의 검사를 위한 테스트 공정에 소요되는 프로브 카드(Probe Card)의 제조 및 판매입니다.

반도체 제조공정은 크게 웨이퍼를 제조하는 전공정과 제조된 웨이퍼를 가공하여 각각의 반도체 칩을 생산하는 후공정으로 구분됩니다. 전공정은 웨이퍼상에 설계된 회로에 따라 여러 종류의 막을 형성하고 불필요한 부분을 제거하는 과정을 반복하며 전자회로를 형성하는 공정입니다. 후공정은 개별 칩별로 전기적 신호를 연결하고 형상 가공의 역할을 하는 패키징 공정과 반도체 소자의 전기적 기능을 검사하는 테스트 공정으로 분류됩니다.

당사의 제품이 사용되는 테스트 공정은 다시 패키징 이전 단계인 웨이퍼 상태에서 진행되는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)와 패키징 공정 완료 후 완성된 개별 칩에 대한 검사를 수행하는 패키지(PKG Test) 테스트로 구분됩니다. 당사의 주요 제품인 프로브 카드는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)에 소요되는 고부가가치의 소모성 부품입니다.

[반도체 제조공정]

프로브 카드는 웨이퍼 상태에서 웨이퍼 내에 제작된 칩의 전기적 동작 상태를 검사하기 위해 아주 가는 선 형태의 Probe Pin을 일정한 규격의 회로기판에 부착한 카드로, Probe Pin이 웨이퍼에 생성된 칩 내부의 패드(Pad)에 접촉되면서 메인 테스트 장비로부터 받은 신호를 전달하고 칩에서 출력되는 신호를 감지하여 다시 메인 테스트 장비에 전달하는 역할을 수행합니다. 테스트 장비는 전달된 신호를 받아 칩의 양, 불량을 확정하게 되므로 프로브 카드는 웨이퍼와 테스트 장비의 중간 매개체입니다.

프로브 카드는 메모리 및 비메모리 즉, 반도체 종류와 무관하게 웨이퍼 테스트 공정에서는 필수적으로 소요되는 부품이며, 각 반도체의 특성에 맞춰 제품 사양이나 요구 기술 수준은 상이한 편입니다. 또한 고객사별로 사용되는 테스트 장비와 고객사의 요구 사양에 맞춰 전량 주문 제작되는 방식이며, 반도체 제조사의 설비 투자 규모 뿐만 아니라 가동률, 제품 구성 등에 직접적인 영향을 받게 됩니다.

[웨이퍼 테스트 시스템]

프로브 카드는 동시에 다수의 칩을 최소한의 테스트 시간으로 정확하게 테스트를 수행할 수 있는지 여부가 핵심 기술로, 테스트 효율을 제고시키기 위해 절대적으로 필요한 부품 소재인 반면, 반도체 제조사의 생산기술에 동조화되어야 하므로 기술적 진입장벽이 높은 분야입니다. 또한 제품의 신뢰성 확보가 매우 중요한 경쟁력이므로 장기간의 개발 및 양산 경력과 고객사와의 신뢰관계가 요구됩니다.

2000년 이전에는 주로 핀을 기판에 수작업으로 본딩하는 형태로 제조된 프로브 카드을 이용하여 웨이퍼 테스트 공정에 적용하였으나 웨이퍼의 크기는 확대되는 반면 칩은 소형화 되면서 검사 칩수가 제한적인 수작업 조립형태의 제품은 생산성이 떨어지고 한계에 봉착하게 됩니다. 특히, 최근 반도체 소자는 고집적화로 회로 선폭 및 칩 내부에 생성되는 입출력 패드 사이의 간격이 미세해 지면서 프로브 카드에도 높은 정밀도 및 미세화에 대한 대응이 요구되나 기존 수작업 형태의 제품은 대응이 불가합니다.

이에 프로브 카드 제조사들은 미세 공정화, 기판 대형화 등 반도체 제조사의 생산기술 발전에 대응하고 테스트 시간을 최소화 하여 생산성을 확대하기 위한 연구 개발을 지속하였고 수작업이 아닌 반도체 식각 방법을 이용하여 초소형 정밀 기계 기술로 각광받는 MEMS(Micro Electronic Mechanical System) 기술을 기반으로 한 MEMS 프로브 카드를 개발하여 상용화 하기 시작하였습니다. MEMS란 미세전자기계시스템으로 반도체 공정기술을 기반으로 한 초소형 정밀기계 제작기술로, 초소형 제품의 대량 생산이 가능하여 프로브 카드를 비롯하여 자이로 센서, 가속도 센서, 프린터 헤드, 미세 기계 분야 등에 광범위하게 적용되고 있습니다.

MEMS 기술을 활용한 프로브 카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, Probe Pin의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 초기에는 DRAM 제품의 웨이퍼 테스트용으로 적용되었으나 NAND용 제품을 비롯하여 비메모리용 제품까지 반도체 산업 내에서 적용분야를 확대하고 있어 MEMS 기술을 기반으로 한 프로브 카드 제조사들의 경쟁력은 더욱 공고해지고 있는 상황입니다.

당사 역시 MEMS 기술을 기반으로 2004년 설립되어 MEMS 프로브 카드 개발을 시작하였으며, 2006년 12월 독자적으로 개발한 DRAM용 MEMS 프로브 카드가 삼성전자 양산 승인을 득하면서 본격적으로 매출을 시현하기 시작하였습니다. DRAM용 MEMS 프로브 카드는 기술적 진입장벽이 높아 글로벌 프로브 카드 제조사들이 지배하던 상황에서 당사는 독자적인 기술로 개발하여 양산에 성공하였으며, 프로브 카드 제조 전체 공정을 MEMS 공정을 통해 생산하고 있습니다. DRAM 중심에서 NAND 비중이 확대되는 전방산업의 변화에 맞춰 NAND용 프로브 카드 제품도 개발하여 양산하고 있고, 상기 제품들을 글로벌 종합 반도체 제조사인 삼성전자에 안정적으로 공급하며 협력사로 점유율을 확대해 가고 있습니다.

MEMS 기술을 기반으로 한 메모리용 프로브 카드 이외에 비메모리용 MEMS 프로브 카드를 비롯하여 최종 패키지 테스트에 사용되는 테스트 소켓 개발을 완료하여 양산 검증을 진행하는 등 제품 포트폴리오를 지속적으로 확대하고 있습니다. 또한 중국 반도체 제조사로 신규 매출처 발굴을 진행하고 있어 전방산업의 성장과 더불어 향후에도 안정적인 성장세를 시현할 수 있을 것으로 예상됩니다.

(1) 제품 설명

프로브 카드는 반도체 전공정이 완료된 웨이퍼에 대해서 웨이퍼 상에 배열되어 있는 각각의 칩(Chip)들이 동작 불능 상태 및 제 기능을 발휘하고 있는지를 성능 검사하여 불량 칩들을 판별하기 위한 검사카드입니다.

[MEMS Probe Card]

프로브 카드는 웨이퍼와 테스트 장비 헤드 사이에 장착되며, 프로브 카드상에 8,000~100,000개의 Probe Pin이 웨이퍼상의 개별 칩 내의 패드(Pad)에 접촉되어 테스트 장비와 개별 칩간에 테스트 신호(Signal)를 서로 주고 받을 수 있도록 하는 중간 매개체 역할을 수행하게 됩니다. 여기서 Probe Pin의 생성이 반도체 식각 방법을 이용한 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정으로 형성될 경우 MEMS Probe Card라고 하며, 핀의 초소형화 및 협 피치에 대응할 수 있다는 관점에서 Advanced Probe Card라고도 합니다.

[웨이퍼, 칩, 패드의 구성]

당사의 MEMS 프로브 카드는 반도체 종류에 따라 메모리용과 비메로리용으로 구분되며, 당사는 현재 메모리용 제품을 주력으로 생산하고 있습니다. 메모리용 프로브 카드는 DRAM용/NAND용으로 다시 구분됩니다.

DRAM용/NAND용 제품은 각 반도체 종류의 특성에 따라 프로브 카드의 요구 사양이 상이합니다. DRAM용 제품의 경우 테스트 시간이 매우 짧고 생산성 향상을 위해 핀의 초소형화 및 협 피치가 요구됩니다. 따라서 요구되는 핀의 수치가 증가하고 있으며 핀 수치의 증가는 프로브 카드의 선로의 증가를 유발하고 증가하는 선로를 처리할 수 있는 회로기판이 필요합니다. 당사는 2009년 MEMS 기술 기반의 DRAM용 12인치 프로브 카드 개발에 성공하여 양산을 진행하고 있으며 12인치의 제품을 12인치 세라믹 기판에 일괄해서 MEMS 공정으로 생산할 수 있는 생산라인을 확보하고 있습니다.

DRAM용 제품은 모델당 프로브 카드 소요량은 적은 반면 동일 웨이퍼에서 생산되는 칩의 수가 대량으로 요구되는 핀수가 많고 고사양의 스팩을 요구함에 따라 가격이 높은 편입니다. 반면, NAND용 제품은 DRAM 대비 모델당 생산량이 많아 프로브 카드 수요량은 많은 편이나 요구되는 핀수가 적고 테스트 시간이 긴 편으로 가격도 상대적으로 저렴합니다.

메모리용 프로브 카드 이외에 비메모리용 제품도 개발하여 공급한 실적을 확보하고 있습니다. 비베모리용 제품은 다품종 소량생산, 기술적 특성 등으로 인해 메모리용 프로브 카드 보다는 요구 사양 수준이 낮은 편으로 현재는 MEMS 프로브 카드 도입 초기입니다. 당사는 CIS용 프로브 카드를 개발하여 공급하였으나 양산 단계까지는 확대되지 못 한 상황이나 향후 시장 확대에 대비하여 라인업 확대를 위한 개발을 진행하고 있습니다.

나. 시장 현황 및 경쟁현황

(1) 산업의 특성 (가) 반도체 산업 특성

반도체 산업분야는 반도체 재료 및 반도체 전자회로소자의 제조·제작과 이들의 응용제품을 생산하는 산업이며 넓게는 반도체 소자 응용기기의 제작 및 이와 관련된 산업을 포함하고 있습니다. 그러므로 반도체 산업은 전자산업, 정보통신산업, 자동차산업, 항공우주산업, 바이오산업 등 다양한 첨단산업들을 포함하는 고부가가치 산업입니다.

최근 세계 반도체 시장은 디지털 TV, 스마트폰, 태블릿 PC, 자동차, 윈도 PC 등 응용제품시장의 급성장에 따라 반도체 수요가 지속적으로 증가하고 있습니다. 또한 글로벌 IT 경기 호조세, 개도국 중산층의 급증, 인터넷 게임시장의 성장 등도 반도체 시장 확대에 큰 기여를 하고 있습니다.

이런 반도체 산업의 특성을 요약하면 다음과 같습니다.

① 초기에 막대한 투자비가 소요되는 장치산업

반도체 산업은 지속적인 기술혁신으로 제품의 라이프 사이클이 짧고 신제품 개발이 완료된 단계에서 양산체제를 구축, 시장을 선점하는 전략이 중요시되며 양산체제 구축에는 대규모 투자가 요구됩니다. 투자 이후에는 투자에 따른 규모의 경제가 나타는 산업이며 생산에서의 경험, 지식 및 기술 등이 축적되어 효율적인 생산을 가능하게 하는 학습효과가 크게 나타나는 산업입니다.

② 투자에서의 적기(Timing)가 중요한 산업

막대한 투자가 판매에서 성공으로 연결되기 위해서는 투자의 적기를 판단하는 것이 중요합니다.

③ 산업의 연관효과가 큰 산업전방으로는 반도체생산에 필요한 재료와 장비산업을 후방으로는 반도체를 사용하는 전자기기 및 시스템 산업과 연관됨으로써 신시장 창출은 물론 전/후방산업의 경쟁력을 강화시킬 수 있습니다.

④ 부가가치가 높은 산업

반도체의 기능과 역할이 점차 증대되고 있으며 적용범위도 확대되고 있습니다. 이로 인하여 반도체의 크기는 축소되고 공정도 미세화 되면서 요소기술 개발에 대한 연구가 활발하게 진행되는 등 제조 공정상의 부가가치가 다른 제품에 비해 상대적으로 높습니다.

⑤ 성장 속도가 빠른 산업

1980년대 이후 전자산업은 산업경제가 정보화, 소형화, 과학화되는 추세에 맞춰 지속적으로 성장이 확대되었고, 이러한 추세는 반도체산업 성장을 촉진시켰습니다.

(나) 프로브 카드 산업 특성

프로브 카드는 전공정이 완료된 웨이퍼상에 배열되어 있는 칩들에 대한 불/양품 여부를 검사하는 반도체 테스트 공정에 소요되는 핵심적인 부품이며, 반도체의 기술 발전 속도에 대응해야 하는 기술집약적 산업입니다. 반도체의 고집적화 및 정밀화 등의 추세에 따라 테스트의 중요성이 증대되고 있어 반도체 제조사의 생산 효율성 제고를 위해 절대적으로 필요한 부품으로 웨이퍼의 대형화, 칩 사이즈의 소형화에 따라 고객의 요구사항이 커지고 있는 사업분야입니다. 특히, 웨이퍼의 크기가 커지고, 웨이퍼 단위 면적당 구현되는 칩의 수가 증가하면서 많은 수의 칩을 동시에 시간을 단축시키면서 테스트 할 수 있는지 여부가 프로브 카드의 경쟁력으로 부각되고 있습니다.

초기 프로브 카드는 10개 이하의 칩을 동시에 테스트 할 수 있는 정도의 용량을 가지고 있었으며 프로브 핀 수도 3000핀 이하로 PCB 기판 위해 프로브 핀을 접착제로 고정하여 제작하는 수작업 조립방식(Cantilever type)으로 제작되는 방식이 주를 이루었습니다.

수작업 조립방식은 숙력된 인력으로 구성되어 있어도 사람의 손으로 프로브 핀의 위치를 조정하여 제조하기 때문에 프로브 핀의 위치 정밀도가 떨어지고 균일한 품질 수준의 확보가 불가하며 불량이나 파손 발생시 개별 프로브 핀의 수리가 불가한 단점이 있습니다. 더욱이 수작업으로는 32DUT(Device Under Test: 웨이퍼에 형성된 칩 하나의 단위)이상의 프로브 카드 제작이 불가함에 따라 생산성이 떨어지고 칩의 소형화 및 기판 대형화에 따른 고객의 요구수준에 대응하지 못하는 한계에 봉착하였습니다.

이에 프로브 카드 제조사들은 미세 공정화, 기판 대형화 등 반도체 제조사의 생산기술 발전에 대응하고 테스트 시간을 최소화 하여 생산성을 확대하기 위한 연구 개발을 지속하였고 결국 수작업으로 Probe Pin을 형성시키는 것이 아닌 반도체 식각 방법을 이용하여 프로브 핀을 직접 생성시키거나(3D MEMS 방식), 만들어진 프로브 핀을 로봇을 이용하여 자동화 본딩(2D MEMS 방식)하는 MEMS 프로브 카드를 개발하여 상용화기 시작하였습니다. MEMS 기술을 활용한 프로브 카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, 프로브 핀의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 Advanced Probe Card라고 명명하게 되었고, 메모리용 프로브 카드에 먼저 적용되어 현재는 12인치 웨이퍼와 동일한 사이즈로 한번 Touch Down에 웨이퍼상의 모든 칩을 테스트하는 대용량 프로브 카드를 수요처에 공급하게 되었습니다.

기존의 수작업 조립방식과 MEMS 프로브 카드의 중간 단계인 Vertical 프로브 카드는 수작업 조립방식의 단점을 일부 보완한 형태로, 다품종 소량 생산의 비메모리 분야에 초점을 맞추어 진화시킨 타입입니다. 비메모리 반도체는 메모리 반도체와 달리 칩의 패드 형태가 여러 열로 구성되어 있으므로 수직 스프링 개념의 프로브 핀을 제작한 후 조립하는 형태로 제조됩니다.

[Probe Card 타입별 특징]

구분	특징

Cantilever	- PCB기판에 Probe Pin을 접착제로 고정하여 제작하는 방식
- 수작업에 의한 조립으로 기술적 난이도가 낮음

Advanced	Vertical	- Guide plate(Probe Pin을 고정시키기 위한 지지체)에 Probe Pin을 삽입하여 제작하는 방식
- 기존에는 수작업으로 제작되었으나 최근 자동화 설비 도입
- 다품종 소량생산인 비메모리 반도체 중심으로 제품 공급

MEMS	2D	- Probe Pin의 형성공정과 형성된 Probe Pin의 조립 과정으로 구성
- Probe Pin을 형성하는 공정이 MEMS 공정임.
- 조립(또는 본딩) 공정이 필수적이며 원가 부담이 높음.

3D	- 기판위에 일괄 생산 방식으로 수만개의 Probe Pin을 동시 형성하는 제작 방식
- 정밀도가 높고 내구성이 강하며 대면적에 대응 가능
- 일괄 생산공정으로 초기 설비투자금액이 높음

(자료 : 자체 조사)

(2) 시장규모 (가) 반도체 산업 시장 규모 및 전망

2015년 세계 반도체 시장은 글로벌 경기 침체의 영향으로 인해 마이너스 성장을 기록하여 2014년 대비 2.3% 감소한 3,348억 달러를 기록하였으며, 특히 비메모리 반도체 시장 규모가 전년대비 2.6% 가량 감소하였습니다.

전체 반도체 시장규모 3,348억 달러 중 비메모리 반도체 시장이 2,555억 달러로서 76.3%를 점유하고 있으며, 메모리 반도체 시장 규모는 793억 달러로서 23.7%를 차지하여 비메모리 반도체 시장규모가 메모리 반도체 보다 약 3.2배 큰 규모를 형성하고 있습니다.

[세계 반도체 시장 규모 및 전망]

(단위 : 억불)

구분	2014년	2015년	2016년(E)	2017년(E)	2018년(E)

메모리 반도체	803	793	708	750	825

비메모리 반도체	2,623	2,555	2,539	2,650	2,768

합계	3,426	3,348	3,247	3,400	3,593

(자료 : Gartner, 2016.06)

주로 DRAM 및 NAND로 구성되는 메모리 반도체 시장은 지난 2010년까지 큰 폭의 성장세를 구현하며 호황세를 구현하였으나 2011년 및 2012년 경기 불황으로 인한 Conventional IT 제품들에 대한 수요 급감으로 시장 규모가 축소된 이후 모바일 디바이스의 수요증가에 따라 2014년 16.7%의 시장규모가 확대 되었습니다. 2015년의 경우 전년 대비 1.3% 감소하며 성장세가 둔화되었으며 이러한 메모리 반도체 시장 축소는 DRAM 시장 축소에 기인합니다.

[메모리 반도체 시장 규모 및 전망]

(단위 : 백만불)

구분	13년	14년	15년	16년(E)	17년(E)	18년(E)	19년(E)	20년(E)

DRAM	34,910	46,095	44,588	35,660	37,055	43,598	35,900	30,965

NAND	28,873	29,770	30,807	31,461	34,290	35,305	40,488	43,850

기타	5,094	4,481	3,901	3,765	3,668	3,632	3,909	4,700

합계	68,877	80,346	79,296	70,886	75,013	82,534	80,298	79,514

(자료 : Gartner, 2016.06)

DRAM의 경우 2013년~2015년 설비투자는 큰 폭으로 증가한 반면, 주 수요원인 PC 시장 하락과 더불어 신규 수요처인 스마트 디바이스 성장 정체에 따라 공급 증가가 수요 증가를 상회하면서 가격이 하락하고 이로 인해 전체 시장 규모가 축소된 것으로 판단됩니다. 향후 DRAM 시장은 공급과잉 상태가 당분간 지속될 것으로 예상됩니다.

반면, NAND의 업황은 DRAM과는 달리 지속적인 성장세를 시현하고 있습니다. PC나 스마트폰 등 개별 디바이스의 성장성 둔화의 영향은 DRAM과 동일하나 모바일 디바이스의 대당 탑재용량 증가와 더불어 SSD의 수요 확대가 전체 NAND 시장 성장을 견인할 것으로 전망됩니다.

[NAND 응용처별 수요 전망]

(단위 : 백만 Gb)

구분	2014년	2015년	2016년(E)	2017년(E)

SSD(Solid State Drive)	23,017	36,314	56,880	86,741

모바일(스마트폰/테블릿)	15,971	22,513	32,916	43,744

USB/Flash Card	14,344	16,523	18,554	20,170

기타	8,515	11,645	17,214	22,378

합계	61,846	86,995	125,564	173,032

(자료 : 미래에셋대우, 2016.05)

향후 설비투자에 있어서도 DRAM 보다는 NAND 중심으로 투자가 확대될 것으로 전망됩니다. DRAM의 경우 수요 부진으로 의미있는 신규 투자는 제한적이고 미세화 투자 수준에 그칠 것으로 전망되어 올해 DRAM 투자는 전년 대비 28% 감소할 것으로 예상됩니다. 반면, NAND 투자는 시장 수요 적기 대응 및 시장 지배력 강화를 위한 3D NAND 투자가 적극적으로 진행되어 전년대비 15% 증가한 153억불에 달할 것으로 추정됩니다.

[메모리 Capex 추이 및 전망]

(단위 : 백만불)

구분	2014년	2015년	2016년(E)	2017년(E)	2018년(E)	2019년(E)	2020년(E)

DRAM	10,169	11,862	8,486	6,978	9,862	9,734	9,057

NAND	10,589	13,309	15,357	17,102	18,462	18,726	16,249

기타	619	275	1,498	1,581	1,656	2,943	3,564

합계	21,377	25,446	25,341	25,661	29,981	31,404	28,870

(자료 : Gartner, 2016.06)

최근 NAND 시장 성장을 견인하는 것은 3D NAND입니다. NAND는 비활발성(Non-volitile) 메모리로 전원의 on/off에 관계없이 저장된 데이터는 영구보관이 가능하며, DRAM 대비 설계가 단순하므로 공정구현이 상대적으로 쉽기 떄문에 DRAM에 비해 미세화가 앞서 있습니다. 그러나 10nm 중반으로 오면서 NAND 또한 미세화에 한계가 오고 있습니다. 셀(Cell)간의 신호 간섭 현상이 심화되고, 저장할 수 있는 데이터의 양도 감소하면서 미세화를 통한 성능 및 용량 확대에 한계가 오고 있고 이를 극복하기 위해 3D기술이 본격적으로 도입되었습니다.

3D NAND는 2차원 평면에 형성된 Cell을 접은 후 수직으로 세워서 3차원 구조로 만드는 방식입니다. 동일 용량을 확보하기 위한 면적이 2D에 대비해 크게 감소하기 때문에 몇 배의 용량 증가가 가능합니다. 또한 3D는 2D에 비해 쓰기 속도는 2배, 쓰기 횟수는 2~10배 향상되고, 용량(집적도, 24단적층 기준)은 2배 이상 증가합니다. 소비 전력 또한 50% 감소하며, 내구성은 10배까지 향상됩니다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 정보를 저장하는 셀을 수직으로 쌓아 올려 기존 NAND 보다 용량과 속도를 대폭 개선한 3D NAND 양산에 성공하며 경쟁사들과 기술 격차를 벌리고 선투자로 NAND 시장에서 시장 지배력을 확대해 왔습니다. 2002년 이후 현재까지 NAND 시장 점유율 1위를 유지하고 있으며 향후 평택에 조성하는 신규 라인 양산시 점유율은 더욱 확대될 것으로 전망됩니다.

SK하이닉스는 기존 청주(M12) 라인을 활용해 현재 2세대 3D NAND를 양산하고 있으며 향후 M14(2층)을 활용해 생산능력 확대를 계획하고 있습니다. Toshiba는 2018년까지 3,600억엔(4조원)을 투자해 신규 3D NAND 라인을 신축할 예정이며 Micron은 싱가폴 라인을 활용해 3D NAND 양산을 준비하고 있고, Intel도 중국 다롄 비메모리 반도체 라인을 3D NAND로 전환하고 있습니다.

(나) 프로브 카드 시장 규모 및 전망

주요 반도체 재료인 웨이퍼의 검사기능을 수행하는 프로브 카드는 전방산업인 반도체산업 및 전자기기 및 시스템 산업 경기에 직접적인 영향을 받습니다. 특히, 웨이퍼 생산에 소모품으로 적용되어 반도체의 생산량에 따라 시장규모에 직접적인 영향을 받으며, 반도체 중에서도 큰 비중을 차지하고 있는 메모리 반도체산업의 경기변동에 직접적인 영향을 받습니다. 반도체의 최종 수요처인 전자제품의 성능 및 기능의 다양화 및 태블릿PC, 스마트폰 등 신규 어플리케이션 시장의 확대 등으로 전방산업의 약진이 예상되는 바 이에 따라 프로브 카드의 수요도 증가할 것으로 예상됩니다.

프로브 카드 시장은 제조방식별로 시장이 형성되어 있으며 수요처인 반도체 제조사의 생산품목에 따라 구분 하기도 합니다. 프로브 카드 시장은 2014년도에는 전년대비 13.6% 증가한 1,284백만불 규모로 성장하였으나 메모리 반도체 업황 영향으로 2015년에는 다소 성장이 정체되었습니다.

[반도체 종류별 프로브 카드 시장 규모 및 전망]

(단위 : 백만불)

구분	13년	14년	15년	16년(E)	17년(E)	18년(E)	19년(E)

메모리	451.9	533.4	521.6	530.0	576.5	613.8	631.4

비메모리	663.4	736.5	757.5	774.6	814.7	844.9	907.5

기타	14.6	14.1	15.1	16.7	16.7	16.9	15.9

합계	1,129.9	1,284.0	1,294.1	1,321.3	1,407.9	1,475.5	1,554.8

(자료 : VLSI Research, 2016년)최근 반도체 미세화 및 다핀화 대응, MEMS 기술 등의 새로운 공정 적용 추세에 따라 과거 Blade형 및 Cantilever형 프로브 카드를 탈피하여 Advanced형 프로브 카드가 부각되고 있습니다. 특히, MEMS 기술을 활용함에 따라 기존의 기술에 비하여 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, Probe Pin의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 MEMS 프로브 카드가 기존의 프로브 카드 시장에서 점유율을 확대할 것으로 예상됩니다.

메모리 반도체의 웨이퍼 테스트 공정에 사용되는 프로브 카드의 80% 이상이 MEMS 프로브 카드가 사용되고 있습니다. 비메모리 반도체 테스트공정에서 사용되는 프로브 카드는 다양한 형태로 진행됩니다. 이는 제품의 다양성에 기인합니다.

[반도체 종류별 MEMS 프로브 카드 시장 규모 및 전망]

(단위 : 백만불)

구분	13년	14년	15년	16년(E)	17년(E)	18년(E)	19년(E)

메모리	금액	364.1	464.4	458.4	467.0	509.6	543.8	557.8

비중	80.6%	87.1%	87.9%	88.1%	88.4%	88.6%	88.3%

비메모리	금액	144.7	177.7	213.4	220.8	234.7	247.5	269.5

비중	21.8%	24.1%	28.2%	28.5%	28.8%	29.3%	29.7%

합계	508.7	642.1	671.8	687.7	744.2	791.3	827.3

(자료 : VLSI Research, 2016년)국내 프로브 카드 시장규모는 삼성전자와 SK 하이닉스의 수요로 결정됩니다. 특히, 메모리용 제품의 경우에는 100% 수요처이며, 비메모리의 경우에는 팹리스나 테스트 업체에서 일부 소요가 있으나 금액이 미미합니다. 국내 프로브 카드 시장 규모는 2015년 기준 3억 9천만달러로 전 세계 시장의 30%를 점유하고 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 시장 지배력이 높은 상황이므로 이에 따라 프로브 카드의 소비도 국내가 전 세계에서 가장 많은 것으로 파악됩니다.

[주요 지역별 프로브 카드 수요]

(단위 : 백만불)

구분	2010년	2011년	2012년	2013년	2014년	2015년

Korea	234.2	359.9	337.6	358.4	410.2	386.7

North America	231.5	226.3	258.6	236.6	269.5	257.6

Taiwan	156.4	174.5	162.0	160.0	178.4	186.8

Japan	252.2	277.0	195.9	147.4	168.8	181.7

Europe	51.6	66.0	72.9	99.6	109.4	113.4

(자료 : VLSI Research, 2016년)

(다) 경쟁 현황

프로브 카드는 각 반도체 제조사별로 고유의 생산기술에 맞춰 특화된 제품을 공급해 줄 것을 요구하고 있으며 이로 인해 요구하는 기술 수준이 반도체 제조사의 반도체 생산기술과 동조화 되는 경향을 보이고 있습니다. 따라서 기본적으로 높은 기술 수준이 요구되며 신규 모델 출시에 대응하기 위한 지속적인 연구개발과 더불어 제품의 신뢰성 확보가 매우 중요한 경쟁력이므로 기술 경쟁력 뿐만 아니라 제품 양산 능력까지 확보되어야 합니다.

1990년대 초반까지 프로브 카드는 모두 수작업 조립방식을 사용하였으나, 반도체 회로 선폭이 급격히 축소됨에 따라 1990년 중반부터 MEMS 프로브 카드를 사용하게 되었습니다. 1990년도 중반에 MEMS기술을 적용한 선발업체로는 미국의 FormFactor 가 성공적으로 시장에 진입하였으며, 현재 세계시장 점유율 1위을 차지하고 있습니다. 또한 기존 수작업 조립방식으로 생산하던 일본업체들이 성공적으로 MEMS 프로브 카드로 전환하였습니다.

기술적 진입장벽으로 인해 신규업체들의 진입이 쉽지 않은 상황으로 소수의 업체들이 시장을 과점하고 있어 매출액 기준으로 상위 10개사가 글로벌 프로브 카드 시장의 80%를 점유하고 있습니다. 상위 10개사들은 10위권 내에서 순위 변동은 있으나 동일한 업체들로 구성되어 있어 개별 회사별로 특화된 기술적 특장점을 기반으로 시장 지위를 확보하고 있는 것으로 판단됩니다.

[Top 10 프로브 카드 제조사 현황]

(단위 : 백만불)

회사명	국가	분야	2013년	2014년	2015년

FormFactor	미국	메모리	231.5	268.6	282.4

Micronics Japan(MJC)	일본	메모리	195.0	220.0	230.0

Technoprobe	미국	비메모리	99.9	105.5	118.7

Japan Electronic Materials	일본	메모리	81.6	95.2	102.5

MPI	대만	비메모리	63.5	82.5	77.0

Cascade Microtech	미국	비메모리	41.0	52.4	64.5

SV TCL	미국	비메모리	32.9	43.0	44.9

윌테크놀러지	한국	비메모리	47.3	36.4	38.5

코리아인스트루먼트	한국	메모리	37.2	55.7	36.9

마이크로프랜드	한국	메모리	45.4	50.7	32.5

상위 10사 소계	875.3(77%)	1,010.0(79%)	1,027.9(79%)

(자료 : VLSI Research, 2016년)

당사는 반도체 제조사로는 삼성전자, 반도체 종류별로는 메모리 반도체용 프로브 카드에 특화되어 제품을 공급하고 있어 당사의 실질적인 경쟁사는 삼성전자에 메모리 반도체용 프로브 카드 제품을 공급하는 업체들입니다. 따라서 FormFactor, Micronics Japan(MJC), Japan Electronic Materials(JEM)을 비롯하여 코리아인스트루먼트, 티에스이 등과 직접적인 경쟁관계를 형성하고 있습니다.

(라) 경쟁 우위① 기술적 측면에서의 비교우위

당사는 독자적인 MEMS 공정기술을 개발하여 12인치 세라믹 기판을 적용한 MEMS 공정 기술을 확보하고 있습니다. MEMS 프로브 카드를 개발하여 양산하는 제조사는 존재하나 대부분이 전체 공정을 MEMS로 구현하지 못 하고 프로브 핀 구현만 MEMS 공정을 진행하고 있습니다.

반면에 당사는 최초 제품 개발시부터 기판 자체에서 MEMS 공정을 직접 구현하는 방식을 채택하였고 이로 인해 핀 수 증가에 대한 유연한 대응이 가능합니다. 따라서 DRAM용 제품에 대한 양산 승인을 먼저 획득하여 양산을 시작하였으며 제품 라인 업을 NAND용 제품으로까지 확대하는 형태로 성장해 왔습니다.

현재 MEMS 공정은 Micro를 지나 Nano 공정으로 진화되고 있습니다. 당사가 보유하고 있고, 현재 개발하고 있는 기술은 극 초소형화 기술이므로 현재 수십 Micro 단위에 있는 협피치에 충분히 대응할 수 있으며, 향후 더욱 더 축소된다고 해도 충분히 대응할 수 있는 기술을 보유하고 있다고 판단됩니다.

② 독자 개발한 MEMS PROCESS을 통한 원가경쟁력 확보

현재 Nano 사이즈 반도체공정이 구현됨에 따라 웨이퍼에 생성되는 칩수가 증가 하고 있습니다. 따라서 Probe Card 역시 기판에 구현해야 할 핀 수가 큰 폭(2만핀→5만핀→10만핀)으로 증가하는 추세입니다. 핀 수가 증가 할 경우 제조원가 또한 핀 수에 비례적으로 증가하는 것이 일반적입니다.

다만, 당사의 MEMS 공정은 동시에 많은 핀을 생성시킬 수 있는 장점을 가지고 있기 때문에 타 공정에 비해 제조 원가경쟁력을 확보하고 있습니다. 타사의 제조방식은 핀 수의 증가에 따라 비례적으로 제조원가가 상승하게 되지만, 당사의 경우 초기 설비투자 규모가 큰 반면 핀 수의 증가에 따른 원가 상승은 제한적입니다.

따라서 당사는 반도체 웨이퍼 칩수의 증가 추세에 대응하는 원가경쟁력을 확보하고 있으며, 향후 반도체 공정이 미세화 될수록, Probe Card의 성능이 고도화 될수록 장점으로 휘될 것으로 전망됩니다.

2. 주요 제품 등의 현황 가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

품 목	2017년 3분기	2016년	2015년	2014년

매출액	비율	매출액	비율	매출액	비율	매출액	비율

제품	반도체 검사용 프로브 카드	40,306	99.8%	44,539	99.5%	36,370	99.5%	53,240	99.6%

기타 매출	90	0.2%	236	0.5%	185	0.5%	195	0.4%

합계	40,396	100.0%	44,775	100.0%	36,555	100.0%	53,435	100.0%

주1. 주요 제품인 반도체 검사용 프로브 카드는 웨이퍼 내에 제작된 칩의 전기적 동작 상태를 검사하기 위해 아주 가는 선 형태의 프로브 핀(Probe Pin)을 일정한 규격의 회로기판에 부착한 카드로, 프로브 핀(Probe Pin)이 웨이퍼에 생성된 칩 내부의 패드(Pad)에 접촉되면서 메인 테스트 장비로부터 받은 신호를 전달하고 칩에서 출력되는 신호를 감지하여 다시 메인 테스트 장비에 전달하는 역할을 수행합니다 .반도체 종류에 따라 메모리 반도체 중 DRAM용 프로브 카드와 NAND용 프로브 카드를 생산하여 공급하고 있습니다. 주2. 기타매출은 유지 보수에 대해 유상으로 청구한 금액이며, 그 이외에 MEMS 공정 수행 용역 제공 등으로 구성되어 있습니다. 나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(단위 : 백만원/장)

구 분	2017년 3분기말	2016년	2015년	2014년

반도체 검사용프로브 카드	90	77	95	110

주1. 당사의 매출은 국내 뿐만 아니라 수출도 존재하나 판매가격은 기밀사항에 해당되어 내수/수출 구분 없이 전체 평균 판매 가격을 기재하였습니다.주2. 당사의 제품은 전량 주문생산 방식으로 고객사의 요구사양에 따라 제품 가격이 상이하합니다. 상기 가격변동추이는 연간 매출액을 판매수량으로 나누어서 산출하였습니다.

다. 주요 제품 등 관련 각종 산업표준

구분	인증일	인증내용	인증기관	비고

성능평가협력사업인증서	2008.06.25	MEMS 프로브 카드	한국반도체산업협회	-

환경경영시스템인증서	2016.08.30	반도체 검사장치의 설계, 생산, 판매, 무역 및 부가서비스	아이씨알국제인증원	인증규격
ISO 14001: 2004

품질경영시스템인증서	2016.08.30	반도체 검사장치의설계, 생산, 판매, 무역 및 부가서비스	아이씨알국제인증원	인증규격
ISO 9001:2008

3. 주요 원재료 등의 현황가. 매입 현황

(단위 : 백만원)

매입유형	품 목	구분	2017년 3분기 (제14기)	2016년 (제13기)	2015년 (제12기)	2014년 (제11기)

원재료	세라믹 기판
(Multi-Layer Ceramic)	국내	8,723	12,417	8,653	8,938

수입	-	-	1,359	2,856

소계	8,723	12,417	10,012	11,794

PCB
(Printed Circuit Board)	국내	831	1,779	2,472	3,332

수입	1,895	542	353	594

소계	2,726	2,321	2,825	3,926

기구물	국내	1,406	1,364	1,114	1,780

기타	국내	7,649	6,413	5,555	9,588

합 계	국내	18,609	21,973	17,403	23,638

수입	1,895	542	2,103	3,450

소계	20,504	22,515	19,506	27,088

주1. 주요 원재료 품목에 대한 세부 설명은 다음과 같습니다.

원재료 품목	내 용

MLC
(MULTILAYER CERAMIC)	세라믹 기판.jpg 세라믹 기판	프로브카드의 핵심부품으로, MEMS 공정 진행시의 기판으로 사용됨.
MLC을 가공하여 웨이퍼와 직접 콘택하는 probe pin을 형성하게 되며, 개별주문제작하고, 웨이퍼 사이즈에 크기가 연동됨.

PCB
(PRINTED CIRCUIT BOARD)	pcb.jpg pcb	테스트 장비와의 전기적 연결을 담당하는 부품으로 일반 PCB와는 달리 50층 이상의 회로패턴으로 구성

기구물	기구물.jpg 기구물	프로브 카드의 물리적 안정을 위한 기구물로 주로 sus 재질을 가공하여 맞춤 제작하며, 주로 PCB 크기에 따라 구분됨.

기타(소자류 등)	PCB에 실장되는 부품으로 전기적 회로 구성에 필요한 반도체 소자(특수목적)로, 별도 주문제작이 아닌 표준품을 활용함.

나. 원재료 가격변동추이(단위 : 천원)

구 분	2017년 3분기(제14기)	2016년(제13기)	2015년 (제12기)	2014년 (제11기)

세라믹 기판
(Multi-Layer Ceramic)	17,273	18,250	20,588	20,881

PCB
(Printed Circuit Board)	7,142	7,033	6,724	8,289

기구물	3,515	3,646	3,619	3,673

주1. 원재료 품목의 가격변동추이는 원재료 매입단가 노출 위험 등으로 인해 내수 및 수입을 통합하여 평균단가를 기재하였습니다.

주2. 원재료 매입가격은 국내, 수입을 포함하여 평균매입단가를 적용 하였습니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항가. 생산능력 및 생산실적

(단위 : 장)

품목	구 분	2017년 3분기(제14기)	2016년(제13기)	2015년
(제12기)	2014년
(제11기)

반도체 검사용프로브 카드	생산능력	630	840	840	840

생산실적	506	647	472	547

가 동 율	82.7%	77.0%	56.2%	65.1%

기말재고	15	20	38	37

주1. 당사의 제조공정 중 핵심 공정은 MEMS 공정으로, MEMS 공정은 주요 4가지 공정이 반복적으로 진행되는 형태입니다. 또한 각 공정은 장비 구성이 상이하고 개별 장비별로 공정시간 등에 차이가 존재하여 처리할 수 있는 Capa도 상이합니다. 따라서 각 공정의 주요 장비 중 Capa가 가장 작은 장비 기준으로 전체 생산 능력을 산출하였으며, 생산 공정 중 약 30%는 연구개발용 공정으로 사용하고 있어 전체 Capa의 70%를 기준으로 생산 능력을 산출하였습니다.

나. 생산설비에 관한 사항(단위 : 백만원)

공장별	자산별	기초가액	당기증감	당기상각	기말가액

증가	감소

본사	기계장치	3,063	1,604	26	1056	3,585

공구와기구	2,648	835	707	2,776

소계	5,711	2,439	26	1,763	6,361

주1. 국고보조금 차감 전 금액 기준이며, 증가는 건설중인자산에서 대체된 금액까지 포함된 금액 기준입니다.

다. 설비투자계획(단위 : 백만원)

구분	총소요
자금	기 지출액	지 출 예 정	착 공
예 정	준 공예 정	진척율

2017년	2018년	2019년 이후

토지	5,650	4,610	1,040	-	-	-	-	82%

건물	12,520	240	8,680	3,600	-	17.11	18.05	2%

기계장치	15,000	1,605	7,049	1,500	3,976	-	-	11%

구축물	-	-	-	-	-	-	-	-

기타	-	871	-	-	-	-	-	-

합계	33,170	7,326	16,768	5,100	3,976	-	-	22.1%

주1. 건물의 경우 크린룸 설치 및 각종 유틸리티 투자 포함입니다.주2. 기타는 당기 공구와기구 및 비품 투자금액입니다.

5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위 : 백만원)

매출
유형	품 목	2017년 3분기(제14기)	2016년(제13기)	2015년
(제12기)	2014년
(제11기)

제품	반도체 검사용 프로브카드	수출	2,489	10,463	4,544	13,114

내수	37,817	34,076	31,826	40,126

소계	40,307	44,539	36,370	53,240

기타	수출	90	181	181	202

내수	55	4	-7

소계	90	236	185	195

합계	수출	2,579	10,644	4,725	13,316

내수	37,817	34,131	31,830	40,119

소계	40,396	44,775	36,555	53,435

주1. 수출 금액은 전액 원화로 결제됨에 따라 외화 금액은 해당사항 없습니다.

주2. 2014년 기타 매출 중 마이너스 금액은 당사가 국책과제 개발로 진행한 BLDC 모터 개발 사업과 관련하여 발생된 과거매출액 중 일부(15백만원)가 취소된 것에 기인합니다. 국책과제 개발은 성공적으로 종료되었으나 현재 양산은 진행하고 있지 않아 주력 매출과는 무관한 일회성 매출입니다. 나. 판매경로 등

(1) 판매조직

당사의 주요 제품인 반도체 검사용 프로브 카드는 B2B 형태로 전량 주문 제작 방식으로 수주 받아 생산 후 공급되고 있고 당사의 영업은 영업개발본부의 영업/기획팀에서 담당하고 있습니다.

(2) 판매경로

당사에서 생산되는 반도체 검사용 프로브 카드는 반도제 제조사로 공급하고 있으며 당사가 직접 수주하여 판매하는 형태입니다.

(단위 : 백만원)

매출유형	품 목	구분	판매경로	판매경로별 매출액(비중)

제 품	반도체 검사용프로브 카드	국내	마이크로프랜드→매출처	37,817	93.62%

수출	2,489	6.16%

기타	국내	0.00%

수출	90	0.22%

합 계	40,396	100.00%

주1. 판매경로별 매출액은 2017년 3분기 매출액 기준입니다.

(3) 판매전략

① 3D MEMS 방식 12인치 DRAM용 프로브 카드 제조 기술을 기본으로 고객사의 제품 Road Map 에 따른 고집적, 고기능의 제품 포트폴리오 보유

- 주요 고객사의 Needs에 따른 제품 포트폴리오 확보로 빠른 기술변화 및 제품요구에 대한 신속적인 대처

② 해외 고객사를 통한 매출처 다변화 추구, 경쟁력 있는 Agent발굴과 영업활동을 통해 해외 고객사를 통한 매출 다변화

③ 지속적인 연구개발 및 정부과제 수행을 통한 MEMS Application의 다양화 추구

-당사는 고유 MEMS 기술을 기반으로 다양한 정부 과제를 수행하였으며 이를 기반으로 프로브 카드 이외에 다양한 Application으로 MEMS 기술의 응용

6. 수주 현황 당사의 제품은 반도체 제조사의 생산계획에 의한 주문 생산방식이며 단기 발주형식으로 이루어지고 있으나 거래처와의 상호 긴밀한 협력관계 구축에 따른 사전 개발단계에서 사전 생산량을 예측하고 있으며, 자재확보 및 생산계획 등을 통하여 적절하게 대응하고 있습니다.

7. 시장위험과 위험관리가. 위험관리 정책

당사의 위험관리 정책은 당사가 직면한 위험을 식별 및 분석하고, 적절한 위험 한계치 및 통제를 설정하고, 위험이 한계치를 넘지 않도록 하기 위해 수립되었습니다. 위험관리정책과 시스템은 시장 상황과 당사의 활동의 변경을 반영하기 위해 정기적으로 검토되고 있습니다. 당사는 훈련 및 관리기준, 절차를 통해 모든 종업원들이 자신의 역할과 의무를 이해할 수 있는 엄격하고 구조적인 통제환경을 구축하는 것을 목표로 하고 있습니다.

나. 신용위험

신용위험이란 고객이나 거래상대방이 금융상품에 대한 계약상의 의무를 이행하지 않아 당사가 재무손실을 입을 위험을 의미합니다. 주로 거래처에 대한 매출채권에서 신용위험이 발생하나 현금및현금성자산을 비롯한 금융자산에서도 발생하고 있습니다. 다만, 금융기관의 경우 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대노출정도를 나타냅니다. 당분기말과 전기말 현재 당사의 신용위험에 대한 최대 노출정도는 다음과 같습니다.

(단위: 원)

구 분	2017년 3분기말	2016년말	2015년말

매출채권및기타채권(주1)	1,160,768,583	1,502,363,733	2,385,858,833

기타유동금융자산	32,444,185	17,916,474	4,135,692,350

기타비유동금융자산	714,036,351	700,727,351	518,175,351

합 계	1,907,249,119	2,221,007,558	7,039,726,534

주1. 매출채권 및 기타채권의 각 지역별 신용위험에 대한 최대 노출정도는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	2017년 3분기말	2016년말	2015년말

국내	1,143,974	1,472,168	1,016,663

중국	16,794	30,196	1,369,196

합계	1,160,768	1,502,364	2,385,859

다. 유동성위험

유동성위험이란 당사가 금융부채에 관련된 의무를 충족하는데 어려움을 겪게 될 위험을 의미합니다. 당사의 유동성 관리방법은 재무적으로 어려운 상황에서 수용불가한 손실이 발생하거나, 당사의 평판에 손상이 발생하지 않도록 만기일에 부채를 상환할 수 있는 충분한 유동성을 유지하도록 하는 것입니다.

보고기간종료일 현재 당사가 보유한 금융부채의 계약상 만기는 다음과 같습니다.

[2017년 3분기말] (단위: 원)

구 분	장부금액	계약상현금흐름	1년 이내	1년 초과 ~5년 이내

비파생금융부채:

매입채무및기타채무	3,535,263,806	3,535,263,806	3,535,263,806	-

차입금	1,700,000,000	1,700,000,000	1,700,000,000	-

기타유동금융부채	191,805,416	191,805,416	191,805,416	-

기타비유동금융부채	156,390,000	156,390,000	156,390,000	-

합 계	5,583,459,222	5,583,459,222	5,583,459,222	-

[2016년말] (단위: 원)

구 분	장부금액	계약상현금흐름	1년 이내	1년 초과 ~5년 이내

비파생금융부채:

매입채무및기타채무	4,295,063,678	4,295,063,678	4,295,063,678	-

차입금	3,266,620,000	3,266,620,000	3,266,620,000	-

기타유동금융부채	149,080,124	149,080,124	149,080,124	-

기타비유동금융부채	125,890,000	125,890,000	-	125,890,000

합 계	7,836,653,802	7,836,653,802	7,710,763,802	125,890,000

[2015년말] (단위: 원)

구 분	장부금액	계약상현금흐름	1년 이내	1년 초과 ~5년 이내

비파생금융부채:

매입채무및기타채무	3,748,102,224	3,748,102,224	3,748,102,224	-

차입금	4,499,860,000	4,499,860,000	4,333,240,000	166,620,000

기타유동금융부채	139,015,579	139,015,579	139,015,579	-

기타비유동금융부채	176,605,600	176,605,600	-	176,605,600

합 계	8,563,583,403	8,563,583,403	8,220,357,803	343,225,600

라. 시장위험

시장위험이란 시장가격의 변동으로 인하여 금융상품의 공정가치나 미래현금흐름이 변동할 위험을 의미합니다. 시장가격 관리의 목적은 수익은 최적화하는 반면 수용가능한 한계 이내로 시장위험 노출을 관리 및 통제하는 것입니다. 시장위험은 이자율위험과 환위험으로 구성됩니다.

① 이자율위험

이자율위험은 시장이자율의 변동으로 인하여 금융상품의 공정가치가 변동할 위험입니다. 당사의 이자부 금융자산은 고정이자율로 확정되어 있어, 당사의 수익 및 영업현금흐름은 시장이자율의 변동으로부터 실질적으로 독립적입니다. ② 환위험

당사의 기능통화 외의 통화로 표시되는 판매, 구매 및 차입에 대해 환위험에 노출되어 있습니다. 이러한 거래들이 표시되는 주된 통화는 USD, CNY 등입니다. 보고기간종료일 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산ㆍ부채의 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위: 원)

구 분	2017년 3분기말	2016년말	2015년말

자 산	부 채	자 산	부 채	자 산	부 채

USD	11,555,892	-	2,551,868	-	1,068,489	-

EUR	-	-	-	-	-	-

JPY	510,523,177	-	142,831	-	12,976	-

CNY	1,096	-	248,492	-	654,566	-

NTD	19,624	-	-	-	-	-

합 계	522,099,789	-	2,943,191	-	1,736,031	-

보고기간 종료일 현재 다른 변수가 모두 동일하다고 가정할 경우, 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 법인세비용차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(원화 단위: 원)

구 분	2017년 3분기말	2016년말	2015년말

10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시

USD	1,155,589	(1,155,589)	255,187	(255,187)	106,849	(106,849)

EUR	-	-	-	-	-	-

JPY	51,052,318	(51,052,318)	14,283	(14,283)	1,298	(1,298)

CNY	110	(110)	24,849	(24,849)	65,457	(65,457)

NTD	1,962	(1,962)	-	-	-	-

합 계	52,209,979	(52,209,979)	294,319	(294,319)	173,604	(173,604)

마. 자본관리 당사의 자본관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 차입금의존도(순차입금비율) 등의 재무비율을 매월 모니터링하여, 필요한 경우 적절한 재무구조 개선 방안을 실행하고 있습니다.한편, 보고기간종료일 현재 당사의 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 원)

구 분	2017년 3분기말	2016년말	2015년말

부채(A)	8,126,947,877	13,072,707,406	12,417,025,639

자본(B)	48,812,289,323	42,174,020,956	22,852,048,823

부채비율(A/B)	16.6%	31.00%	54.34%

8. 파생상품 거래 현황 해당사항이 없습니다.

9. 경영상의 주요계약 등 해당사항이 없습니다.

10. 연구개발 활동가. 연구개발 조직

명칭	㈜마이크로프랜드 부설연구소

인증기관	한국산업기술진흥협회

연구분야	(전기, 전자) MEMS Probe Card 개발

인원구성	연구전담요원 : 박사 1명, 석사 5명, 학사 17명 총 23명

나. 연구개발비용현황(단위 : 백만원)

구분	2017년 3분기말(제14기)	2016년(제13기)	2015년
(제12기)	2014년
(제11기)

자산처리	-	118	1,869	-

비용
처리	제조원가	-	-	-	-

판관비	1,814	1,874	1,977	2,091

소계	1,814	1,874	1,977	2,091

합계
(매출액 대비 비율)	1.814(4.5%)	1,992(4.4%)	3,846
(10.5%)	2,091
(3.9%)

다. 연구개발실적

연구과제	연구기간	개발 결과 및 기대효과	상품화 내용

극초소형 기계시스템용 캔틸레버 빔 배열 기구개발	05.07.~ 07.03	마이크로센서에의 응용 관련 :
-극초소형 기계시스템용 캔티레버 빔 배열기구는 마이크로센서의 감지부에 응용될 수 있음-이 기술은 마이크로 자이로스코프, 마이크로 엑셀로미터로 응용될 수 있으며, 향후 국내 전기자동차 보급과 더불어 수요가 있을 것으로 판단됨.
반도체 분야에의 응용 관련 :
-비메모리용 Fine Pitch MEMS Probe Card에 응용함.
-당사는 2년 동안의 본 과제를 통해 캔티레버 빔 배열구조가 fine(피치가 30마이크로 이하)피치를 갖도록 하여 극초소형 기계시스템 분야에서 광범위하게 상용화 될 수 있도록 하는 켄티레버 배열 구조를 개발함.	상용화 완료

MEMS 기술을 이용한 60 um급 협피치 connector 개발	07.11~09.10	- MEMS Microspring Connector는 구체적으로 메모리 또는 비메모리 웨이퍼 회로의 검사 프로브카드의 내부회로 Connector역할을 해주는 데 응용하고자 함.
- 1차적으로 당사 생산중인 반도체 메모리, 비메모리 검사 MEMS 프로브 카드의 핵심부품으로 상용화
- 모바일 극초소형 소자 및 가전제품, 극 초소형 기계시스템 구현에 활용 가능	상용화 완료

MEMS 공정을 이용한 60 um급 이하 Fine Pitch용 300 mm Probe Card 상용화 개발	08.06 ~ 10.05	- 본 연구개발은 당사가 각종 개념설계와 공정개발을 거쳐 세계 최초로 다층 세라믹 회로 인쇄기판(Multi Layer Ceramic)상에 MEMS Probe Pin을 본딩을 하지않고 직접 형성시키는300mm MEMS Probe Card를 개발하여 상용화 성공함.
- 연구개발 결과는 미국의 폼펙터, 일본의 MJC 와 경쟁할 수 있는 근간을 마련하였으며, 현재 수요처로 부터 인증을 득하고 현재 양산을 진행하고 있음.	상용화 완료

500MHz 이상 High Speed MEMS Probe Card 및 관련 소재 국산화	09.05 ~ 11.04	- 칩의 성능 및 신뢰성을 개선하기 위하여 메모리 테스트의 환경이 고주파수대로 이동함에 따라 수요처의 기술 진화에 부응하기 위해 하이스피드 프로브카드를 개발함..- 제작된 시제는 반도체메이커에 의해 성능평가가 수행되었으며 그 Speed는 800MHz로 150% 초과 달성하고 상용화 시기가 단축됨.
- 국외업체에 의존하였던 세라믹 기판이 당사의 연구개발의 재료로 사용함으로 국산화 검증되어 상용화 됨	상용화 완료

600MHz 이상 High Speed CIS용 Multi Para Probing System 개발	12.11 ~ 13.10	- 600 MHz 이상 Test Speed 대응 가능한 고성능 회로 설계 기술을 포함한 CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발- 전기적 특성 Signal Integrity와 Power Integrity를 만족하는 프로브 카드 개발
- 수요처의 생산성 및 효율성을 높이기 위한 64Para 이상 급 CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발- 회로 구성 및 확장성 대응 Polyimide 배선 적층이 가능한 프로브 카드 개발- 수요처 사용 중Test 품질 저하를 방지할 수 있는MEMS 구조물로 만들어진CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발	상용화 완료

One Touch DRAM용 대용량 MEMS Probe Card 개발	14. 10 ~ 현재	- DRAM 웨이터 테스트를 위해 90,000-100,000 Probe가 생성된 16분기 Probe Card가 요구되는 상황에서, 기존의 회선(선폭100um)으로는 Probe Pin이 형성되는 세라믹 적층기판 제조의 한계가 발생됨.
- 따라서 대량의 회선이 구현 가능하고(선폭 20um) 기판의 유전율 측면에서 유리한 Polyimide 적층기술의 응용이 필요함.
- 당사는 기 확보된 Polyimide 적층기술을 기반으로 XDT Advanced Probe Card를 개발 완료함.- 웨이퍼 테스트 온도 환경(-40도~125도)에서의 핀 포지션의 변동 최소화, 웨이퍼 체인지 시, 핀 포지션의 최소화를 위해 세라믹기판내 열선을 내장하여, 세라믹 기판의 온도를 일정하게 유지시켜 줌.- XDT에는 520mm PCB가 사용되므로 그에 따른 평탄도, 각종 조립품의 열변형, 경량화에 촛점을 맞추어 제품을 개발하고, 회선 길이의 증대에 따른 전기적특성 저하를 최소화 하기 위해 MWB(Multi Wire Board)를 적용함.	개발 완료

전기차 Battery Cooling Fan BLDC 모터 시스템 개발	10.11 ~ 12.10	4.jpg 4	개발 완료(국첵 과제)

나노와이어 어레이-isFET를 이용한 전립선질환 진단키트 상용화	11.07 ~ 13.06	- 바이오 MEMS의 기술확보 목적 및 시도
- 가정에서 1차적으로 판별하는 저가 보급형 단일 전립선 질환 진단키트
- 3차원 나노와이어와 핵산마커를 이용한 전립선 질환 및 전립선 암 진단을 위한 진단키트 및 진단기 개발- 국책과제	개발 완료(국첵 과제)

스마트홈 및 빌딩구현을 위한 개방형 IoT 서비스 플랫폼 기반의 자율적 상황 판단 액츄에이터 개발	14.04 ~ 17.03	- 당사 Mechatronic 비즈니스로서 자동차向 BLDC모터 기술에서 파급된 연구개발 사업 및 상용화 모델임. 현재 IoT기반으로 사업모델을 기획하였음- 본 연구개발에서 개발된 각종 기술은 미래 스마트 시티의 컨트롤타워 및 구동 어플리케이션으로 발전될 것임.- 국책과제	개발 완료(국첵 과제)

100um 피치급 하이브리드 팬아웃 BGA 프로브 개발	15.05 ~현재	- 웨이퍼 레벨 하이브리드 BGA 프로브 개발- 100um을 만족하는 팬아웃 프로브 소켓 개발- 국책과제	개발 진행(국첵 과제)

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항 가. 지적재산권

[특허권]

번호	내용	권리자	출원일	등록일	주무관청

1	프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조	마이크로프랜드	06.01.06	06.10.18	특허청

2	프로브 카드의 탐침팁 공정 방법	마이크로프랜드	05.08.31	06.01.19	특허청

3	탐침 카드의 조립 구조	마이크로프랜드	05.08.29	06.01.27	특허청

4	마이크로 제조기술을 이용한 프로브 카드의 니들, 그제조방법 및 이 니들로 구현된 프로브 카드	마이크로프랜드	04.07.01	05.09.08	특허청

5	프로브 카드의 프로브 니들 구조체와 그 제조 방법	마이크로프랜드	08.06.10	10.08.31	특허청

6	프로브 카드 및 그 제조방법	마이크로프랜드	10.07.19	11.07.05	특허청

7	프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법	마이크로프랜드	10.07.19	11.06.03	특허청

8	Method for manufacturing probe card needles	마이크로프랜드	08.02.08	11.08.23	미국 특허청

9	Method for fabricating probe needle tip of probe card	마이크로프랜드	08.02.04	12.04.03	미국 특허청

10	외팔보 구조물을 이용한 반도체소자 테스트 소켓용 컨택터 및 그 제조방법	마이크로프랜드	13.03.26	14.07.10	특허청

11	외팔보 구조물을 이용한 반도체소자 테스트 소켓용 컨택터 및 그 제조방법	마이크로프랜드	14.02.04	15.04.17	특허청

12	반도체소자 테스트 소켓용 컨택터 및 그 제조방법	마이크로프랜드	14.12.03	15.07.02	특허청

13	반도체소자 테스트소켓	마이크로프랜드	16.04.21	특허청

14	혈액분리를 위한 칩 및 이를 구비한 진단기구	마이크로프랜드	12.04.30.	14.04.28	특허청

15	Chip for separating blood and diagnosis device equipped with the same	마이크로프랜드	12.05.09.	PCT

16	ac유도전동기 스테이터코어를 이용한 브러시레스dc 모터 스테이터 어셈블리 제조방법과 이를 이용한 브러시리스 DC모터	마이크로프랜드	00.07.07	02.10.21	특허청

17	슬롯리스 스테이터 코어를 사용한 브러시리스 직류 모터용 스테이터 어셈블리 제조방법과 이를 이용한 브러시리스 직류모터	마이크로프랜드	00.12.13	02.12.24	특허청

18	슬롯리스 모터용 스테이터 어셈블리의 제조방법	마이크로프랜드	01.08.27	03.06.23	특허청

19	세그먼트형 스테이터 코어를 이용한 비엘디씨 모터용스테이터 및 그의 제조방법과 비엘디씨 모터	마이크로프랜드	02.05.09	04.10.18	특허청

20	슬롯레스 모터용 스테이터 어셈블리의 제조방법, 이를 이용한 슬롯레스 모터의 제조방법 및 슬롯레스 모터	마이크로프랜드	05.12.28	06.08.21	특허청

21	스파이럴 스테이터 코어 및 그 제조방법	마이크로프랜드	12.01.03	12.06.13	특허청

22	IoT 기반의 환경적응형 액츄에이터 컨트롤 시스템	마이크로프랜드	16.01.12	16.11.14	특허청

23	프로브모듈 및 그 제조방법	마이크로프랜드	16.09.13	특허청

24	짧은 스크럽마크를 위한 프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법	마이크로프랜드, 조병호, 조용호	17.06.28	특허청

25	처짐 방지를 위한 트러스형 프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법	마이크로프랜드, 조병호, 조용호	17.06.28	특허청

26	처짐 방지를 위한 보강형 프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법	마이크로프랜드, 조병호, 조용호	17.06.28	2017.10.20	특허청

주1. 14번~23번에 기재된 특허는 정부 과제를 수행하면서 획득한 특허입니다.