비씨엔씨 분기보고서 (2022.09)
7. 기타 참고사항

가. 지적재산권 보유현황 2022년 3분기말 현재 당사의 지적재산권 보유 현황은 다음과 같습니다.

구 분	등록	출원

특허권	20건	10건

디자인권	34건	-

상표권	-	6건

전용실시권	4	-

※ 등록완료된 지적재산권 세부 내역

번호	구분	내용	출원일	등록일	만료일	적용분야	출원국

1	특허권	플라즈마 공정 챔버의 커버링 어셈블리	2017.09.27	2018.08.23	2037.09.27	QD9	대한민국

2	특허권	電漿製程腔室的蓋環組件	-	2019.06.21	-	QD9	대만

3	특허권	실린더 또는 링 형태의 보론카바이드 소결체 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 장치용 엣지링 제조방법	2019.01.31	2020.07.03	2039.01.31	CD9	대한민국

4	특허권	쿼츠 재가공 방법	2019.03.07	2020.07.03	2039.03.07	QD9	대한민국

5	특허권	저항 조절이 가능한 반도체 제조용 부품	2019.05.17	2020.11.04	2039.05.17	CD9	대한민국

6	특허권	열간가압 소결용 다층 적층 구조의 몰드	2019.08.13	2021-09-30	2039.08.13	CD9	대한민국

7	특허권	플라즈마 공정 챔버용 엣지링	2020.04.10	2020.11.04	2040.04.10	QD9	대한민국

8	특허권	세라믹 제조방법 및 세라믹 소결체	2020.05.19	2021.04.30	2040.05.19	CD9	대한민국

9	특허권	향상된 증착효율을 가지는 OVD공정을 통한 합성 석영유리 제조방법	2021.11.25	2022.04.15	2041.11.25	QD9+	대한민국

10	특허권	합성쿼츠 제조 방법	2021.06.02	2022.04.15	2041.06.02	QD9+	대한민국

11	특허권	보론카바이드 소결체 제조 장치	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	CD9	대한민국

12	특허권	수율 개선 및 기공 제어가 가능한 합성 석영유리 제조방법	2021.11.25	2022.07.06	2041.11.25	QD9+	대한민국

13	특허권	파티클 발생 최소화에 유리한 치밀한 보론카바이드 재질의 반도체 제조공정용 엣지링 및 그 제조방법	2021.11.25	2022.07.06	2041.11.25	CD9	대한민국

14	특허권	증착면 온도 균일 제어가 가능한 합성 석영유리 제조장치	2021.11.25	2022.07.06	2041.11.25	QD9+	대한민국

15	특허권	사이드 버너를 이용한 실린더형 합성쿼츠 제조방법	2021.12.23	2022.07.06	2041.12.23	QD9+	대한민국

16	특허권	반도체용 실린더형 합성쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성	2021.12.23	2022.07.06	2041.12.23	QD9+	대한민국

17	특허권	반도체용 실린더형 합성쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성 및 그 제조방법	2021.12.23	2022.07.06	2041.12.23	QD9+	대한민국

18	특허권	반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조기술	2021.12.23	2022.07.06	2041.12.23	QD9+	대한민국

19	특허권	표면 결함을 개선시키기 위한 실리카 증착체 제조 방법	2021.12.23	2022.07.06	2041.12.23	QD9+	대한민국

20	특허권	프리프레스를 이용한 내플라즈마성 엣지링 제조방법 및 이에 따라 제조된 내플라즈마성 엣지링	2021.08.24	2022.07.26	2041.08.24	CD9	대한민국

21	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

22	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

23	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

24	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-24	2020-01-08	2039-10-24	-	대한민국

25	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

26	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

27	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

28	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

29	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

30	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

31	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-01-08	2039-10-25	-	대한민국

32	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

33	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

34	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

35	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

36	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

37	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

38	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

39	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2019-10-25	2020-10-08	2039-10-25	-	대한민국

40	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2020-03-26	2021-01-15	2040-03-26	-	대한민국

41	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2020-03-26	2021-05-27	2040-03-26	-	대한민국

42	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

43	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

44	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

45	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

46	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

47	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

48	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

49	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

50	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

51	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

52	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

53	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

54	디자인	반도체 제조용 기판 유지 링	2021.08.26	2022.07.06	2041.08.26	-	대한민국

55	전용실시권	초경합금용 탄탈륨 카바이드 합금 제조방법 및 이를 이용한 초경합금용 탄탈륨 카바이드 합금	2017.03.16	2019.01.08	2032.01.31	탄탈륨	대한민국

56	전용실시권	자전연소합성법을 이용한 탄탈륨 카바이드 분말의 제조방법 및 이로부터 제조된 초경합금용 탄탈륨 카바이드 분말	2017.11.09	2019.07.22	2032.01.31	탄탈륨	대한민국

57	전용실시권	탄탈륨 잉곳 및 와이어 제조 방법	2018.10.26	2020.02.11	2032.01.31	탄탈륨	대한민국

58	전용실시권	탄탈륨 와이어 제조 방법	2018.10.26	2020.06.10	2032.01.31	탄탈륨	대한민국

주) 상기 전용실시권 4건은 2022년 2월 1일자 한국생산기술연구원과 체결한 기술이전계약서에 의한 특허 전용 실시권이며 계약기간은 2022.02.01~2032.01.31 (총10년) 입니다. 나. 산업의 현황 및 전망 (1) 산업의 특성

당사의 제품은 반도체 식각(Etching) 공정의 소모성 부품으로 당사의 주요 목표시장은 전방 산업인 반도체 소자업체와 반도체 소자 제조를 위한 장비제조 업체이며, 반도체 산업은 기업유형에 따라 다음과 같이 구분됩니다. [반도체 산업의 기업 유형]

구 분	특 징	주요기업

반도체 전공정	종합
반도체산업
(IDM)	하나의 기업이 반도체 설계와 제조를 동시에 하는 산업(Integrated Device Manufacturer, IDM)이며, 기업 규모가 크고 대규모 투자가 필요합니다.	한국 : 삼성전자, SK하이닉스
미국 : Intel, Texas
Instruments, Micron
일본: Toshiba, Renesas

설계
전문산업
(Fabless)	반도체 설계 기능만으로 사업을 영위하는 산업으로서IDM 업체에 비해 상대적으로 소규모 투자로 운영되며, 설계된 반도체 회로도는 반도체 생산을 전문으로 하는 파운드리에서 위탁 생산합니다.	한국 : 실리콘웍스, 엠텍비젼, 코아로직 미국 : Qualcomm, Broadcom, AMD

생산 전문산업 (Foundry)	제조시설을 구축하여 반도체 제조 만을 전문으로 하는 기업이 있는 산업으로 기업규모와 투자 규모가 대규모이며, Fabless 기업과의 전략적 협력관계가 중요합니다.	한국 : DB하이텍, 매그나칩코리아 대만 : TSMC, UMC 중국 : SMIC

반도체 후공정	조립
전문산업
(Packaging)	가공된 Wafer를 개별 칩으로 절단하여 밀봉하는 사업을 영위하는 산업입니다.	한국 : 칩팩코리아, 시그네 틱스, SFA반도체
대만 : ASE, SPIL, ChipMOS
미국 : AMKOR Technology

검사 등 지원 산업
(Support)	반도체 검사를 전문으로 하는 산업으로 가공이 완료된 Wafer, Chip을 검사하여 불량여부를 판단하는 산업입니다.	한국 : 테스나

소재 부품 장비	소재 산업
(Material)	반도체 제조 공정에 직접적으로 사용되는 재료, 소자를 생산하는데 사용되는 가스와 화학약품, 소자를 조립하여 완성품을 만드는데 사용되는 재료 등을 포함하는 산업이며, Wafer, Photo Resist, Mask, Gas, Chemical 등이 있습니다.	한국 : 비씨엔씨, 솔브레인, 동진세미켐, 실트론, 티씨케이
일본 : Shinetzu, JSR

부품 산업
(Parts)	반도체 제조 시 간접적으로 소모 되는 쿼츠, 실리콘, 세라믹 등의 소재로 만든 반도체 장비의 소모품 산업이며, Ring, Tube, Dome, Plate, Liner 등의 부품이 있습니다.	한국 : 비씨엔씨, 원익QnC, 월덱스, 하나머티리얼즈
미국 : 실펙스, Momentive,
일본 : Shinetzu, Tosoh

제조 장비 산업
(Equipment)	반도체 생산에 필요한 장비를 개발 하고 생산하는 사업을 영위하는 산업으로 전공정 장비와 후공정 장비를 제조합니다.	한국 : 유진테크, APTC, 세메스, 피에스케이, 원익IPS
미국 : AMAT, LAM
일본 : 도쿄일렉트론
네덜란드 : ASML

당사에서 제조 및 판매하고 있는 반도체 장비용 부품들은 특히 IDM 산업과 파운드리 산업 그리고 제조 장비 산업의 영향을 크게 받고 있는데, 반도체 제조 주요 공정은 다음과 같습니다.

구 분	내 용

①웨이퍼 제조 공정	웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세 나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판을 말합니다.웨이퍼 제조 공정은 ⓐ잉곳(Ingot) 성장, ⓑ잉곳 절단(Wafer Slicing), ⓒ웨이퍼 표면 연마 (Lapping Polishing) 순으로 진행 됩니다.

②산화 공정	산화공정은 웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성하여 회로 와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하는 공정입니다. 산화막 (SiO2)을 형성함으로써 이온주입공정에서 확산을 방지하고, 식각공정에서는 필요한 부분이 잘못 식각되는 것을 대비할 수 있습니다.

③포토 공정	포토공정은 웨이퍼 위에 회로 패턴이 담긴 마스크 상을 빛을 이용해 비춰 회로를 그리는 공정입니다. 미세 회로 패턴 역시 전적으로 포토공정에 의해 결정되기 때문에 집적도가 높아질수록 포토공정 기술 또한 세심하고 높은 수준의 기술을 요하게 됩니다.

④식각 공정	식각공정이란 포토공정을 통하여 회로가 새겨진 웨이퍼에 회로를 제외한 불필요한 부분을 플라즈마 등을 이용하여 제거하여 반도체 회로 패턴을 만드는 공정입니다.
웨이퍼 위에 형성된 패턴에 따라 하부 막을 제거하여 미세 패턴을 형성하는 공정으로 반도체 공정에서 가장 중요한 공정이라고 볼 수 있습니다.

⑤박막 공정	박막(Thin Film)이란 회로 간의 구분과 연결, 보호 역할을 하는 얇은 막을 칭합니다. 웨이퍼 위에 원하는 분자 또는 원자 단위의 박막을 입히는 일련의 과정을 증착이라고 하며 균일하게 박막을 형성하기 위해서는 정교하고 세밀한 기술력이 필수적입니다. 증착공정을 통해 형성된 박막은 크게 회로들 간 전기적인 신호를 연결해주는 금속막(전도)층과 내부 연결층을 전기적으로 분리하거나 오염원으로부터 차단시켜주는 절연 막층으로 구분됩니다.

⑥배선 공정	배선공정이란 반도체 회로가 동작하기 위해서는 외부에서 전기적 신호를 가해주어야 하는데, 신호가 잘 전달되도록 반도체 회로 패턴에 따라 금속선을 연결하는 작업입니다. 금속 배선 공정은 전기가 잘 통하는 금속의 성질을 이용하여 반도체의 회로 패턴을 따라 금속선(Metal Line)을 이어주는 과정입니다.

⑦EDS 공정	반도체 칩을 전기적 특성 검사를 통하여 양품, 불량을 선별하여 원하는 품질 수준(수율, Yield)에 도달했는지 확인하는 공정입니다.

⑧패키징 공정	반도체 칩이 외부와 신호를 주고받을 수 있도록 길을 만들고, 다양한 외부환경으로부터 안전하게 보호받는 형태로 만드는 공정입니다

1) 반도체 시장의 특성 반도체 시장은 글로벌 경기, 반도체 수급 등에 따라 업황이 수시로 변화는데, 세계 반도체 시장통계기구 WSTS(World Semiconductor Trade Statistics)의 2021년 11월 발표자료에 의하면 전세계 반도체 시장 규모는 2022년 대략 6,014억달러 규모로 추정하고 있습니다. 이 중에서 메모리 반도체는 30%를 차지하고 나머지 70%는 비메모리 반도체로 불리는 시스템 반도체입니다.

(출처 : WSTS(세계반도체시장통계기구), 2021년 11월) D램 시장은 글로벌 과점 상태이며, 시장 조사기관인 트렌드포스의 발표자료에 의하면 2022년도 삼성전자가 44%의 압도적인 시장점유율을 보이며 1위를 차지하고, 그 뒤를 SK하이닉스가 27%, 미국의 마이크론은 24%로 점유율 3위를 기록하여, 3개 업체가 점유율 합계가 95%에 이를 것으로 예상하고 있습니다. 기존에도 많은 업체들이 있었지만 메모리 반도체 사이클을 견디지 못하고 3개 업체 과점 상태가 굳어졌습니다.

낸드는 D램보다 많은 6개 업체가 시장을 지배하고 있으며, 낸드 역시 2022년도 예상을 보면 삼성전자가 36%로 글로벌 시장 점유율 1위이며, 일본의 키옥시아는 18%, SK하이닉스는 14%, 이외에도 WDC(Western Digital Corporation)는 14%, 마이크론 및 인텔이 각각 10%미만을 유지할 것으로 예상하고 있습니다. 시스템반도체는 메모리 부문에서 삼성전자, SK하이닉스와 같은 종합반도체기업(IDM)이 없으며 글로벌 분업 구조로 이루어져 있으며, AMD, 엔비디아(Nvidia), 퀄컴 등 팹리스(Fabless)에서 필요로 하는 반도체를 설계하면 디자인 하우스에서 설계 최적화를 진행하고 파운드리(Foundry) 전문 업체에서 위탁 생산하고 있습니다.

(출처 : 산업자료, 당사 정리) 2) 반도체 장비시장의 특성 반도체 장비는 반도체 생산을 위한 준비 단계(반도체 회로설계, 웨이퍼 제조 등)부터 웨이퍼 가공, 칩 생산, 조립 검사단계까지의 모든 장비를 포함합니다. 반도체 공정은 웨이퍼에 회로를 인쇄하는 전공정과 웨이퍼에서 개별칩을 분리하여 조립, 검사하는 후공정으로 분류하며 공정별로 전문화된 장비를 사용합니다. 전공정은 반도체의 품질을 결정하는 단계로 높은 기술 수준이 요구되며, 후공정은 웨이퍼 검사, 패키징, 테스트를 담당합니다.

일반적으로 반도체 장비의 비중은 전공정 70%, 후공정 30%로 구성되며, 전공정 장비는 선진국 소수의 글로벌 기업들이 주도하고 있는 반면, 후공정 장비는 반도체 생산국 등 다양한 기업들이 경쟁하고 있는 양상입니다. 전공정 장비는 고도의 기술을 필요로 하며 반도체의 성능을 좌우하고, 후공정 장비는 전공정 장비 대비 진입장벽이 비교적 낮고 장비 구입 시 가격 경쟁력이 중요한 결정 요인으로 작용합니다. 반도체 공정별 장비가 상이하고 노광, 식각, 증착 장비 외에는 시장규모가 상대적으로 작으며, 당사의 제품들이 주로 사용되는 반도체 식각(Etching) 공정의 장비가 차지하는 비중은 약 29% 입니다.

(출처 : Gartner, 2020년)

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 전공정(웨이퍼 팹)과 후공정(조립/패키징 및 테스트) 반도체 장비 부문 모두 2021년은 두드러진 성장을 보였으며, 웨이퍼 가공, 팹 설비, 마스크/레티클 장비를 포함하는 전공정 장비 부문은 2021년에 880억 달러로 전년 대비 43.8% 성장할 것으로 보이며, 2022년에는 약 990억 달러로 12.4% 증가할 것이라고 전망하고 있습니다. 또한, 2020년에는 33.8%의 강력한 성장을 보인 조립 및 패키징 장비 부문은 2021년에 81.7% 증가한 70억 달러를 달성하고, 2022년에는 고급 패키징 기술이 적용된 애플리케이션에 의해 4.4% 더 성장할 것이라고 전망했습니다. 그리고, 반도체 테스트 장비 시장은 2021년 29.6% 성장한 78억 달러를 달성할 것으로 예상하며, 2022년에는 5G 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션 수요에 따라 4.9% 성장할 것으로 예상했습니다.

(출처 : SEMI, World Fab Forecast Report) (2) 수요 변동 요인 반도체 산업은 제품의 Life-cycle이 빠르고, 기술 집약적 고부가가치 산업이며, 설비 및 연구개발 투자비율이 높은 장치 산업입니다. 반도체 소모성 부품은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 투입량이 많을수록 이에 필요한 재료 및 부품의 소요량이 증가합니다. 2010년 이후 글로벌 경기 침체가 이어지면서 업계 구조적 변화가 현실화되어 업계 슬림화가 진행되고, 특히 DRAM 업계는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3개 업체, 낸드플래시 메모리는 사실상 삼성전자, 키옥시아, SK하이닉스, 마이크론 4개 업체로 재편되었으며, 3D NAND 시장의 지속적인 성장 및 중국 반도체 산업에 대한 기대감 등으로 장기적인 시장의 성장세는 지속적으로 유지될 것으로 전망하고 있습니다.

세계 반도체 및 부품시장은 전방산업인 전자제품 시장의 경기흐름에 연동하며, 전자제품 시장은 세계 경기의 흐름(GDP 등)에 따라 호황과 불황을 반복해오고 있습니다. 당사가 영위하는 반도체 부품산업도 마찬가지로 반도체 소자업체에 대한 의존도가 높아 일반적으로 소자업체의 생산계획 및 설비투자계획에 따라 영향을 받고 있습니다.

또한, 2022년 FAB 투자가 진행되는 경우 당사는 직접적인 수혜가 예상되며, 특히 주력 공급업체인 삼성전자 및 SK하이닉스의 투자가 결정되어 매출증대가 예상됩니다. 또한 반도체 공정 기술 발전(미세화, 고집적화 등)이 지속됨에 따라 FAB에서는 신규 공정이 필요로 하게 되며, 그에 따른 공정변화 투자가 일어나게 되고, 그 영향으로 식각관련 신규 공정이 요구되어 부품 수요가 지속적으로 증가하고 있으므로 경기 변동에 의한 영향성은 점점 둔화될 것으로 전망하고 있습니다.

반도체 부품 산업은 소자업체의 신규 설비투자와도 관계가 있지만 반도체 생산량 및 가동율과 밀접한 관계가 있어, 장비산업에 비하여 경기변동에 덜 민감하게 나타나고 있으며, 최근 반도체 칩의 고집적, 초미세화 경향에 따라 새로운 공정에 부합된 부품의 필요성으로 인해 그 수요가 지속적으로 증가하고 있습니다.

반도체 부품의 특징은 반도체 공정 시장의 성장과 연동된다는 점입니다. 특히 공정의 스텝 수(공정 수) 성장이 이러한 공정시장의 성장을 의미하며, 이러한 공정시장의 성장은 주로 핵심공정에서 나타난다고 판단이 되는데, 반도체 공정에서 핵심공정은 노광, 증착, 식각 공정 3가지이며, 공정 내 차지하는 시장 비중도 크며 반도체 미세화, 고단화의 트렌드에 따라 함께 지속적으로 공정 수 자체가 성장해 나가고 있기 때문입니다.

그리고, 반도체를 생산하기 위해서는 가장 기본이 되는 그 원판인 웨이퍼(Wafer)가 필요하며, 그 웨이퍼 위에서 반도체 공정들이 진행되며 소자가 생산되므로 웨이퍼 투입의 증가분에 비례해 공정 수도 증가하게 되는 것입니다.

최근에는 반도체 업체들이 기술전환을 하는데 과거보다 점점 더 어려워지고 있으며, 동시에 기술전환에 성공해도, 그 효과(Bit growth)가 과거 대비 점점 둔화되고 있는 실정이며, 따라서 반도체 수요 증가를 맞추기 위해서는 이전보다 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하게 된 것입니다. 이 구조를 이해하기 위해서는 반도체 성장의 요소를 고려해야 하는데, 반도체의 공급(반도체 공급 증가 = 반도체 물량증가 효과 + 웨이퍼 증가 효과)은 기술전환에 따른 반도체 물량 증가(Bit growth) 효과와 웨이퍼 증가 효과로 이루어집니다. 그런데 과거와 달리 기술전환으로 인한 반도체 물량 증가 효과가 둔화되다 보니 수요를 맞추기 위해서는 웨이퍼 증가 효과가 더 커져야 된다는 의미이며, 이는 필연적으로 반도체 소자 제조회사가 웨이퍼 투입량을 증대시켜야 하는 구조적인 변화를 초래한다는 것입니다.

이러한 최근의 반도체 산업내 기술적 트렌드(공정 수 증가, 웨이퍼 투입량 증가)에 의해서도 반도체 부품 수요는 점점 증가할 것으로 예상됩니다. (3) 산업의 성장성

당사가 속한 반도체 공정용 소모성 부품(Parts) 시장은 전방 산업인 반도체 시장 및 반도체 장비시장과 상관관계가 높으며, 반도체 시장도 전방시장인 전자제품 시장의 수요와 신제품의 출현에 따른 시장성장 Cycle을 보이고 있습니다. 반도체 시장은 글로벌 경기, 반도체 수급 등에 따라 업황이 수시로 변화되고 있습니다. IMF가 2021년 10월 발표한 전망자료에 의하면 세계 경제는 2020년 코로나19 영향으로 3.1% 역성장하였으나 2021년에는 코로나 19 백신 보급, 경기부양책 등으로 인해 성장세로 전환되어 5.9%, 2022년은 4.9% 성장할 것으로 예상하고 있습니다. 코로나19는 재택근무, 온라인 쇼핑 등 비대면산업의 성장을 촉진했으며 코로나19가 종식되더라도 비대면 활동이 New Normal로 일상화될 가능성이 높으며, 인공지능(AI) 구현이 중앙화된 클라우드에서 엣지(Edge, 사용자 기기)로 변화하고, 자율 주행, 스마트시티 등 신수요가 창출되면서 반도체 수요는 중장기적으로 성장할 전망입니다. 특히, 과거 Al는 높은 컴퓨팅 파워를 요구하여 클라우드를 통해 구현되었으나 현재 시스템 부하 경감, 실시간 서비스 제공 등을 위해 단말기 또는 단말기 인근의 엣지 서버를 통해 Al를 구현하는 추세에 있습니다.

시장조사기관 OMDIA의 2021년 1월 발표자료에 의하면 2020년 반도체 수요처는 통신기기 (36%)와 컴퓨터(36%)이며 다음으로 공장자동화, 에너지 관리(스마트 미터 등), 보안, 의료 헬스케어(보청기, 내시경 등), 항공기 등을 포함한 산업재(11%), 가전, TV, 셋탑박스, 게임콘솔, 웨어러블 기기 등 소비자가전(9%), 자동차(8%) 순이며 2024년에도 유사한 비중을 유지할 것으로 전망하고 있습니다.

또한, 통신기기와 컴퓨터(서버 포함)는 짧은 제품 수명 주기, 대규모 물량, 고부가 반도체 탑재, 반도체 탑재량 증가 등으로 2024년에도 반도체산업에서 현 수준의 비중을 유지할 것으로 보고 있으며, 차량용 반도체 시장은 전기차 판매 확대 등으로 2020~2026년 연평균 약 11%의 성장을 예상하고 반도체산업에서의 비중은 약 10% 수준으로 전망하였습니다.

전기차는 내연기관차보다 반도체 탑재량이 많고 자율주행기능 탑재비중이 높아 반도체산업의 중장기 성장동력이 될 것으로 예상하고 있으며, 5G망 구축은 스마트시티 등 다수 혁신기술의 촉매재가 되며, 5G 확산으로 대용량 데이터 처리를 위해 메모리반도체, AI 반도체, 전력관리반도체 등이 성장할 것으로 전망하고 있습니다.

(출처 : IDC, 삼성전자) ① D램 시장 전망

시장 조사 기관 OMDIA의 2021년 1월 발표자료에 의하면, D램 시장은 2020년 653억 달러에서 2022년 1,044억 달러로 연평균 23% 성장하고, 2022년에는 역대 최대 규모를 기록하여 2017~2018년 시장규모로 성장할 것으로 전망하였습니다. DRAM 수요에 가장 큰 영향을 미치는 Application은 스마트폰(39%)과 서버(35%)입니다.

D램 수요측면에서는 스마트폰 수요 회복, 5G폰 비중 확대, 인텔의 신규 서버용 CPU 출시 등으로 2021~2022년 D램 수요는 견조할 것으로 예상하였으며, 공급측면에서는 D램 공급은 보수적인 투자로 DDR5로의 전환, 1z에서 1α나노(D램 10나노대 미세공정은 공정기술 발달에 따라 1세대 1x, 2세대 1y, 3세대 1z, 4세대 1α, 5세대 1β로 전환)로의 미세공정 전환 등으로 제한적으로 공급이 증가할 것으로 예상하였습니다.

② 낸드플래시 시장 전망

시장 조사 기관 OMDIA의 2021년 1월 발표자료에 의하면, 낸드플래시 시장은 2020년 560억 달러에서 2022년 816억 달러로 연평균 26% 성장할 것으로 전망하였습니다.

수요측면에서는 2021~2022년 낸드플래시 수요는 스마트폰 수요 회복 및 SSD 수요 증가 등으로 견조할 것으로 예상하고 있으며, 낸드플래시 주요 수요처로는 휴대폰 37%, PC SSD 28%, 서버용 SSD 18% 순으로 휴대폰과 SSD가 낸드플래시 수요의 84%를 창출하고 있습니다.

공급측면에서는 낸드플래시는 5~6개 기업이 시장점유율 경쟁중으로 투자 확대를 예상하고 있으며, 트렌드포스의 발표자료에 의하면 2022년 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 낸드플래시 공급 증가율은 각각 전년대비 35%, 41%, 21%로 전망했으며, D램과 낸드플래시 사업을 병행하는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 낸드플래시 가격하락에도 불구하고 시장 주도권 확보를 위해 D램에서 창출한 수익을 낸드플래시 사업에 투자할 것으로 예측했습니다.

③ 시스템반도체 및 파운드리 시장 전망

시장 조사 기관 OMDIA의 2021년 1월 발표자료에 의하면, 시스템반도체 시장규모는 2020년 2,665억 달러에서 2022년 2,907억 달러로 연평균 4.5% 성장할 것으로 전망하고 있습니다.

시스템반도체는 8천여종의 제품과 다변화된 수요산업, 반도체 위탁생산 확대 등으로 메모리반도체와 달리 가격 및 투자 변동성이 낮은 것이 특징입니다. 시스템반도체는 종합반도체기업의 자체 생산과 반도체 설계전문 팹리스의 반도체 위탁생산을 통한 생산으로 이루어지는데 시스템반도체는 다품종 주문형 생산, 설계 생산의 분업화, 전방산업의 장기적인 수요 전망에 기반한 투자 등으로 메모리반도체 대비 가격 및 CAPEX 변동성이 낮습니다.

코로나19 이후 발생한 work from home 및 distance education 등의 영향으로 인해 HPC(High Performance Computing) chips의 수요가 크게 증가하고 있고, 5G 네트워크와 스마트폰의 시장 확대 등이 수요의 견인차 역할을 하고 있습니다. 또한, 7nm 및 5nm 공정 도입과 공급 부족으로 인해 서비스 단가의 상승이 나타나고 있으며, HPC 시장 성장과 DDI(Display Driver IC)와 PMIC(Power Management IC)의 수요 폭증으로 인해 발생한 200mm Foundry의 공급 부족은 2022년에도 지속될것으로 전망하고 있습니다.

(4) 경기변동의 특성 및 계절성 당사의 주요 제품은 반도체 생산 공정 장비에 탑재되는 소모성 부품으로 반도체 FAB의 가동률이 당사 부품의 수요에 가장 큰 영향요인으로 FAB 가동률이 높을수록 부품의 사용빈도가 증가합니다. 또한 FAB 투자규모의 증가에 따라 영향이 있으며, FAB 투자를 결정하는 가장 큰 요인은 D램, NAND, 시스템반도체 등 반도체 소자를 사용하는 PC, 휴대폰, 태블릿PC, 서버 등의 수요 및 국내외 경기의 영향을 받게 됩니다. 당사가 영위하는 반도체 식각 공정용 소모성 부품은 특별히 계절적인 요인을 나타내지 않습니다. 반도체 최대 수요처인 스마트폰과 같은 통신기기 및 컴퓨터(PC, 서버)의 성장 그리고 팹리스의 성장, 반도체 수요기업의 자체 칩 개발, 종합반도체 기업의 반도체 위탁생산 확대 등으로 파운드리 수요 증가 등으로 반도체 시장이 급격하게 성장하고 있음에 따라 당사의 매출 역시 매년 큰 폭으로 성장하고 있습니다. 다. 경쟁 현황 (1) 경쟁상황 당사가 영위하는 반도체 식각 공정용 소모성 부품 사업은 고객사에 맞춤형 제품 생산이 필요합니다. 반도체 제조회사의 공정 기술 변화에 맞추어 부품회사에서도 새로운 공정에 맞는 소재의 개발이 함께 이루어지고 있고 해당 소재의 변경이 고객사에게는 공정 환경에 큰 영향을 미치는 변경점이므로 반도체 제조회사 또는 반도체 장비회사와 부품회사 상호간에는 기술적으로 밀접한 협업관계에 있습니다. 이로 인해 고객사로부터 인정받은 품질의 제품에 대하여는 지속적으로 납품이 이루어지게 됩니다. 그리고, 당사는 새로운 반도체 생산 공정에 적합한 소재를 끊임없이 개발하여 해당 소재를 당사의 가공기술 및 표면처리 기술 Know-How을 통해서 고객사의 반도체 생산 수율 향상과 원가경쟁력에 기여하고 있습니다. 이처럼 부품이 반도체 제조회사의 생산수율 및 원가경쟁력에 직접적인 영향을 미치고 있기에 반도체 제조회사는 부품업체를 쉽게 바꾸기 어렵고, 설비 투자 확대 및 공정 변화 등 부품 연구 개발도 동시에 필요한 만큼 부품사업의 진입장벽은 높을 수밖에 없습니다. (2) 경쟁업체 현황 당사를 포함하여 반도체용 부품 사업을 영위하는 회사는 각사의 기술 및 생산 특성 그리고 거래하고 있는 고객사에 따라 천연쿼츠, 실리콘, 세라믹 등 다양한 제품포트폴리오를 구성하고 있습니다. 당사에서 파악하고 있는 일반 천연쿼츠, 실리콘, 세라믹 부품에 대한 해외 및 국내 경쟁업체의 현황은 다음과 같습니다. [국내 상장회사 기준 경쟁업체 현황]

업체명	업체 현황

T사	일본의 도카이카본(지분율 44%)과 한국의 케이씨(지분율 14%)의 합작으로 설립되었으며, SiC Ring을 국내 최초로 개발하여 2015년부터 기존의 Si 부품을 대체하여 본격적인 매출 성장을 보이기 시작하였습니다. 2021년말 누계기준으로 매출 비중은 CVD-SiC 84%, 기타 16% 입니다.

W사	제품 포트폴리오는(2021년말 연결 누계기준) 반도체 부품사업(매출비중 88%)과 세정사업(매출비중 12%)을 영위하고 있으며, 부품 사업의 세부 매출은 천연쿼츠 부품 83.6%, 세라믹 외 기타 부품 4.4%로 구성되어 있습니다. 2020년 1월 미국의Momentive 로부터 쿼츠사업 부문을 인수하였습니다.

W사	반도체 부품사업을 영위하고 있으며, 제품 포트폴리오는(2021년말 연결 누계기준) 실리콘 부품 58.4%, 쿼츠 외 기타 부품 41.6%로 구성되어 있으며, 미국, 대만, 싱가포르, 일본에 해외 현지법인을 두고 있습니다.

H사	실리콘 소재인 잉곳(Ingot)을 자체생산하여 실리콘(Si) 부품을 전문으로 하고 있으며, 2021년말 누계기준 실리콘 부품 매출비중이 92.29%, 기타 부품 매출비중이 7.71% 입니다.

그리고 해외 경쟁회사에 대한 세부 사항은 현실적으로 파악이 힘들지만 반도체 식각 장비 시장을 주도하는 글로벌 3대 Etching 장비 제조회사를 기준으로 보면 미국의 Lam Research 및 Applied Materials 그리고 일본의 Tokyo Electron에 납품하는 회사들은 미국 및 일본의 소재부품 회사에 한정되어 있습니다. 미국의 Lam Research은 자회사인 Silfex를 통하여 납품받고 있으며, 일본의 Tokyo Electron은 일본내 CoorsTek를 통해서는 쿼츠 부품을 납품받고, 미국의 Applied Materials는 미국 내 Techno Quartz 또는 Momentive 등을 통해 납품받고 있습니다. (3) 시장점유율 당사가 주력하고 있는 쿼츠 부품(Parts)는 객관적인 시장 데이타가 현재 존재하지 않습니다. 일반 천연쿼츠는 식각공정 이외에도 확산(Diffusion) 및 증착(Deposition) 공정에 널리 사용되고 있습니다. 합성쿼츠 부품(Parts)는 현재 식각공정에서 주로 사용되고 있는데 이에 따라 각 공정별 부품(Parts) 연간 소모량을 추정해야 하나 반도체 제조회사의 장비별, 공정별 사항에 따라 소모량이 다를수밖에 없고 납품업체별 가격정책 또한 차이가 존재하는데다 이러한 사항은 각 업체의 보안사항에 해당되어 정확한 데이타를 구하기가 어려운 실정입니다. (4) 당사의 경쟁력 1) 합성쿼츠 소재 국산화 현재 당사에서 주력제품으로 판매하고 있는 반도체 공정용 쿼츠 원재료를 자체 개발할 수 있는 기술력을 보유한 국내 회사는 당사를 제외하고는 전무한 상태입니다. 따라서 국내 업체는 반도체 공정용 쿼츠 부품을 생산하기 위한 쿼츠 원재료 100%를 미국, 일본, 독일, 중국 등 해외 수입에 의존하고 있습니다. 당사는 반도체용 합성쿼츠 부품을 QD9이라는 브랜드로 명명했던 것처럼, 당사에서 자체 개발한 반도체용 합성쿼츠 소재를 “QD9+”라는 브랜드로 명명하였습니다. 당사가 보유한 합성쿼츠 소재 국산화 기술력을 요약하면 품질은 기존 소재 대비 동등 이상입니다. 기존의 합성쿼츠 소재가 염소(Cl)를 포함한 사염화규소(SiCl4) 가스를 사용하여 소재 생산과정에서 환경오염 물질이 배출되는데 반해 당사에서는 환경친화적인 OMCTS 가스를 사용하므로 유해가스를 배출하지 않습니다. 특히 OMCTS 방식은 사염화규소(SiCl4) 방식보다 증착효율이 높아서 기존의 합성쿼츠 소재의 재료비 대비 60% 이상 절감 효과가 있으며, OVD(Outside Vapor Deposition) 공법을 적용해 실린더 타입으로 생산함에따라 부품 생산과정에서 발생하는 가공비또한 절감할 수 있습니다. 2) 정밀 가공 기술 및 표면 처리 기술 당사는 반도체용 소모품인 쿼츠, 실리콘, 세라믹 등의 부품 생산을 위하여 필요한 공구 설계 및 제작, 제품 설계, 공정관리, 품질 관리 등 주요 기술을 자체 보유하고 있습니다. 제품에 요구되는 높은 정밀도(0.02mm)와 안정성을 충족하고 있으며, 제품의 신뢰도와 기술적 완성도를 위해 제품 생산에 필수적인 Drawing 기술을 보유하고 있어 글로벌 경쟁에서도 우위의 제품을 공급하고 있습니다. 특히, 고객사 및 제품별로 커스터마이징된 맞춤형 Chemical Treatment, Fire Polishing 기술을 보유함으로써 10nm 이상 공정부터 7, 5, 3nm급 최첨단 공정에 들어가는 부품을 맞춤 제공합니다. 당사만의 맞춤형 후처리 표면 처리 기술을 C1부터 C6까지 세분화하여 파티클 제어 및 Life Time 증가 효과를 개선하는 등 초미세 공정에서 기술 리더십을 강화하고 있습니다.

라. 회사의 현황 당사의 사업분야는 반도체 제조공정에 사용되는 소모성 부품 중 합성쿼츠, 천연쿼츠, 실리콘, 세라믹 등의 소재를 기반으로하는 부품의 제조와 부품 소재의 개발입니다. 현재 합성쿼츠 원재료인 QD9+를 개발해 양산에 성공하였으며, 기존의 CVD-SiC 부품을 대체하게 될 신소재 CD9 부품의 개발과 시제품 테스트가 진행중에 있습니다. 또한, 중장기 미래 신사업으로 ST-T1, BC-T1 등 반도체 전후 공정에 투입될 수입 대체 소재 및 신소재 개발 프로젝트를 진행중에 있습니다.

(1) 사업 개황

당사가 현재 영위하고 있는 사업분야는 반도체의 핵심 제조 공정인 식각(Etching) 공정을 중심으로 확산, 증착공정 등에서 주로 사용되는 Ring, Tube, Dome, Baffle, Liner, Inner Cover, Plate 등 소모성의 쿼츠, 실리콘, 세라믹 부품 제조와 해당 소재의 개발입니다.

반도체 식각 공정의 장비는 다른 공정의 장비들에 비하여 고가의 소모성 부품을 사용하며 소모량도 많은 편이며, 주로 사용되는 소재로는 높은 내열성, 내마모성, 고강도의 특성을 지닌 쿼츠(Quartz), 실리콘(Silicon), 세라믹(Al2O3), 탄화규소(SiC), 알루미늄(Al), 질화알루미늄(AlN) 등의 소재로 만들어진 부품들이 사용되고 있습니다.

반도체 부품사업은 전방산업인 반도체 시장의 트렌드와 밀접하게 연관되어 있으며, 반도체의 기술적 트렌드를 살펴볼 필요가 있습니다.

메모리 반도체의 기술적 트렌드를 살펴보면, 메모리 반도체는 정보를 저장하는 용도로 사용되는 반도체인데 크게 휘발성 메모리인 RAM과 비휘발성 메모리인 ROM으로 구분되며, DRAM은 RAM의 대표적인 종류로 사실상 RAM의 대부분을 차지하고 있고 ROM의 종류로는 플래시 메모리가 있으며 NAND가 대표적인 플래시 메모리입니다.

DRAM의 기술적 트렌드는 미세화입니다. 기존 하나의 회로만 그리던 것에서 더블 패터닝 그리고 쿼트러블 패터닝의 방식으로 회로를 여러 번 그림에 따라 DRAM의 회로는 점점 미세화되고 있으며, 일례로 2015년 20nm(나노미터) 수준이었던 삼성전자의 DRAM은 2020년 10 nm 중후반으로 회로의 크기가 줄었습니다.

그리고 NAND의 기술적 트렌드는 적층화입니다. NAND는 회로가 미세화될수록 저장된 전자들끼리의 간섭이 심해지는 문제가 발생하여 미세화가 아니라 수직 구조로 적층하는 기술이 주효해졌습니다. 다만, 높이 적층하는 것 역시 고도화된 기술이 뒷받침되어야 가능합니다.

미세화와 적층화의 트렌드는 반도체 주요 8대 공정 중 식각공정의 중요도를 높이는 기술적 변화입니다. DRAM의 경우에는 미세한 회로를 실현시킬 수 있는 섬세한 식각이 가능해져야하고, NAND는 높이 쌓아올린 소자들을 한번에 식각해야 하는 기술을 실현해내야 하기 때문입니다. 이는 결과적으로 해당 공정 내에 식각해야 하는 횟수가 증가하게 되었다는 것이며, 이에 따라 소모성 부품의 교체주기가 더욱 빨라지고 있고, 부품 교체 수요가 증가하고 있음을 의미합니다.

(2) 제품 설명 ※제품 해설

구 분	내 용

QD9 부품
(합성쿼츠)	합성쿼츠(Synthetic Quartz)를 반도체 생산 공정에 적합하도록 개발한 소재를 사용한 부품으로“QD9”이라는 brand로 자체 명명하였습니다. 주로 반도체 식각공정에서 사용되고 있으며, 부품 종류로는 Ring, Plate, Baffle, Tube, Dome, Liner 등이 있습니다. 장점으로는 내마모성과 빛 투과율이 뛰어나고 또한 Micro Bubble(기공)이 없어서, 20nm, 10nm 등으로 집적화 되어가는 반도체 식각 공정의 핵심 부품으로 채용되기 시작했습니다.

천연쿼츠 부품
(Natural Quartz)	SiO2로 이루어진 천연쿼츠(Natural Quartz) 부품은 반도체 식각 공정 및 확산(Diffuion) 공정 그리고 증착공정 등에서 사용되며, 주로 Ring, Tube, Boat, Liner, Window, Plate, Baffle 등 다양한 형태로 제작되어 반도체 부품용으로 널리 사용되고 있습니다.

실리콘(Si) 부품	실리콘 부품은 대부분 RING 형태로 제작되어, 반도체 식각공정에서 Wafer 주변에 장착되며 Etch rate를 균일하게 하며, ESC(정전척)을 보호하는 역할을 수행합니다.

알루미나 세라믹
(Al2O3) 부품	알루미나 세라믹(Al2O3)은 내열성, 내화학성이 우수하여 오랫동안 반도체 대부분의 공정에서 다양하게 사용하고 있으며, 주로 Chamber 하부의 plasma 노출 부위 부품 또는 웨이퍼를 챔버 내부로 이송하는 Carrier 등 보조적인 역할을 주로 수행하고 있습니다.

기타 부품	Sapphire, Zirconia 등의 소재를 사용한 반도체용 부품입니다.

당사의 제품은 반도체 칩 생산의 수율과 제품의 성능을 결정하는 고부가가치 품목으로 Ring, Tube, Dome, Baffle, Liner, Inner Cover, Plate 등의 부품이 있으며, 2022년도 9월말 연결기준으로 소재별 매출비중은 QD9(합성쿼츠) 부품 73%, 천연쿼츠 부품 11%, 실리콘부품 5%, 세라믹부품 6%, 기타 5% 입니다.

(3) 신규 사업

당사는 현재 국내에서 생산하고 있는 기업이 전무하여 해외에서 100% 수입에 의존하고 있는 당사의 주력 제품인 합성쿼츠 부품의 소재를 당사에서 직접 개발하여 양산에 성공하였습니다. 또한 쿼츠, 실리콘, 세라믹 위주의 부품 사업구조에서 초미세화, 고단화 되어가는 반도체 생산공정의 기술발전에 대응하기 위한 신소재 개발을 통해 부품 포트폴리오를 다각화하고자 CD9 소재를 개발하여 고객사 테스트를 진행중에 있습니다.

이를 통해 반도체 제조공정의 변화에 유연하게 대처하여 수익성 개선과 성장가능성을 제고하고, 반도체 부품 회사에서 소재 회사로 제2의 도약을 이루고자 합니다.

1) 합성쿼츠 소재 국산화 당사는 해외 수입에 의존하고 있는 합성쿼츠 소재를 자체 생산하여 국산화, 내재화하고자 하며 이를 “QD9+”라는 브랜드로 명명하고 있습니다. QD9+는 기존 해외 수입처의 합성쿼츠인 QD9 보다 ①원재료의 Cost down, ②수명 연장, ③반도체 미세공정에 적합한 치밀한 조직을 가지는 소재, ④세계적 추세에 부합하는 친환경 제조, ⑤원재료의 가공 Loss율 최소화 등의 목적에 부합하도록 당사에서 자체 공정 개발 및 장비 설계 등을 통하여 제작된 국산화 소재입니다. 당사는 QD9+ 내재화 및 국산화를 통해서 다음과 같은 효과를 기대합니다.

- 원자재 수입의 국산화 즉, 내재화를 통한 원자재의 안정적인 공급 및 원가 절감

- 제품 생산을 위한 최적 조건의 원자재 생산

- 제품별 소요량에 따른 원자재 확보

- 원자재 생산부터 최종 부품 제조까지 전공정 국산화를 통한 수직 계열화

- 천연쿼츠 원재료 구매 단가보다 낮은 생산원가를 기반으로 천연쿼츠 부품 대체

특히, 그동안 천연쿼츠는 가격이 낮다는 장점을 가지고 반도체 공정에서 사용되었으나 기존 천연쿼츠와 동등 가격대로 합성쿼츠의 높은 품질 특성을 가진 QD9+를 시장에 출시할 경우 기존 천연쿼츠 시장을 상당히 장악할수 있을것으로 판단됩니다.

2) CD9 소재 부품 개발

당사에서 개발하고 있는 신소재는 “CD9”으로 명명하였으며, 기존의 SiC Ring를 대체하고자 합니다. 현재 SiC Ring은 식각공정 장비용 부품으로 챔버내에서 포커스링(Focus Ring)으로 사용하고 있습니다. 포커스링은 ESC(정전척) 보호 및 Plasma를 Wafer에 수직하게 내려올 수 있도록 도와주어 Edge 부위의 Etch rate를 Uniformity하게 유지하는 역할을 합니다.

보통 반도체 식각챔버내 구성은 여러 부품들로 이루어져 있는데, 마모된 부품을 적시에 교체해주지 못하면 파티클 이슈가 발생해 챔버 내부 웨이퍼가 오염되어 공정 효율성이 떨어질 뿐만아니라 웨이퍼(Wafer) 가장자리 부위의 Uniformity가 떨어져 수율이 하락하게 됩니다. 웨이퍼와 가장 가까이 위치해 웨이퍼를 감싸고 있는 부품이 포커스링인데, 포커스링은 공정 과정을 거치며 가장 빠르게 마모가 됩니다. 따라서 교체주기가 가장 빠르게 도래하는데, 부품을 교체하기 위해서는 식각 챔버의 뚜껑을 열어 교체작업이 진행되고 다시 정상 가동되기까지는 보통 16~24시간 정도가 소요되는 로스타임이 발생합니다.

당사는 2019년부터 글로벌 반도체 회사인 국내 S사, 일본 S사 그리고 반도체 장비회사 국내 S사 등에서 실장테스트를 진행하고 있습니다. 3) 스퍼터용 탄탈(Ta) 타겟 소재 및 제품 개발당사의 신소재 개발 프로젝트 "ST-T1"은 는 현재 100% 수입에 의존하고 있는 탄탈 분말 소재 및 탄탈 타겟 제품 개발이며, 반도체 증착 공정 소재인 스퍼터링 타켓 글로벌시장 규모는 2025년 기준으로 8,000억원 규모로 예측하고 있습니다.동 신소재 개발 프로젝트는 2022년 2월 1일 한국생산기술연구원과의 기술이전 계약 체결으로 확보된 향후 10년간 지식재산권(특허)의 전용실시권 및 희소금속 공정 실현 기술지도를 통해서 진행될 예정입니다.동 프로젝트의 기대효과는 탄탈(Ta) 분말 제조부터 금속 소재 생산, 탄탈 타겟 등 제품 생산까지 전공정 100% 내재화한 전세계 유일 일괄 생산시스템을 구축하게 되는 것입니다. 4) 보론 계열 백앤드용 세라믹 소재 개발보론 계열 백앤드용 세라믹 소재 개발 프로젝트 "BC-T1"은 차세대 디바이스 검사를 위한 보론 계열 백앤드공정 테스트 소켓용 세라믹 소재 분말 개발입니다.현재 반도체 후공정 테스트 소켓용 소재는 해외 수입에 의존하고 있는 수지 계열 소재이며, 해당 수지 계열 소재는 누설 전류 발생으로 미세화, 고단화 공정을 동반하는 차세대 디바이스 생산에 취약하여 뛰어난 절연 능력과 미세 가공이 가능한 세라믹 소재인 보론 계열 세라믹 소재 분말을 개발함으로서 파운드리 차세대 디바이스 백앤드 공정 검사용에 대응하고자 합니다.동 프로젝트의 기대효과는 해당 소재의 개발을 통해서 반도체 전공정 소재 및 부품 개발 뿐만아니라 반도체 후공정 소재까지도 개발이 가능한 명실공히 반도체 전분야 대응이 가능한 소재전문회사로 자리매김하게 될 것입니다.마. 법률/규정 등에 의한 규제사항 당사는 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다. 바. 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 정부규제의 준수 여부 당사는 영위하는 사업과 관련하여 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항에 대한 정부 규제를 준수하고 있습니다. 향후 관련법률에 의거하여 생산공정에 대한 환경영향평가 수행 등이 필요한 경우에는 환경에 미치는 영향을 최소화하기 위한 노력을 지속할 계획입니다.