원익머트리얼즈 반기보고서 (2017.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요가. 업계 현황(1) 업계 개황

(가) 반도체 업계

2016년 전세계 반도체 매출은 3천3백97억 달러로 2015년 대비 1.5% 증가한 것으로 나타났습니다. 컴퓨팅 시장은 지속적인 감소 추세에 있는 반면, 서버와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 전방산업의 강력한 수요가 발생하였으며, 사물인터넷(IoT), 자동차 전장화, 인공지능(AI) 등에서 새로운 반도체 수요가 예상되고 있습니다.반도체 업계 슬림화가 진행되어 DRAM 업계는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론으로 낸드플래시 메모리는 사실상 삼성전자, 도시바, SK하이닉스로 재편되었습니다.Vertical Nand 시장의 지속적인 성장 및 중국 반도체 산업에 대한 기대감 등으로 장기적인 시장의 성장세는 지속적으로 유지될 것으로 전망하고 있습니다.

(나) 디스플레이 업계

세계 디스플레이 시장은 2016년 1천1억 달러로 2년 연속 역성장 추세를 보이고 있습니다만, OLED 디스플레이 출하량은 2014년부터 꾸준히 증가세를 보이고 있으며 그 중 스마트폰 탑재 비중이 크게 상승해 2016년에는 40%에 육박하였습니다. LCD 대비 여러 장점을 보유한 OLED는 앞으로 스마트폰 뿐만 아니라 자동차, 웨어러블 등 활용 분야가 확대되면서 차세대 디스플레이 시장의 주류로 자리매김 할 것으로 전망됩니다.

(2) 업계현황(가) 특수가스 업계 현황

특수가스는 반도체, LCD, LED, 태양전지 및 AMOLED 등을 제조하는 공정용 소재로 사용되는 소재입니다. 그 중 반도체 재료시장의 경우 환율 및 반도체 출하량 감소 영향으로, 2015년 약 434억 달라로 2014년 대비 1.5% 수준 감소하였으나, 한국시장의 경우 2014년 70억불 대비, 2015년은 2.9% 성장한 72억불로 집계되었습니다. 더불어 현재는 디스플레이 부분에 사용되는 특수가스에 대한 시장자료가 존재하지 않지만, 반도체 시장의 특수가스 시장규모 이외에 LCD, AMOLED 등 디스플레이 산업에 사용되는 특수가스를 포함할 경우 특수가스 시장의 규모는 훨씬 더 클 것으로 판단됩니다.

(나) 시장경쟁 상황

일반 산업용가스가 범용성을 띠는 것과 달리 전자용 특수가스 산업은 특정업체의 주문에 따라 비교적 소수의 업체에 의해 제조되기 때문에 경쟁업체의 수 등 절대적 측면에서 산업 내 경쟁정도는 타 산업 대비 낮은 편입니다. 반면 동 시장은 과거로부터 다국적 외산 업체가 높은 시장점유율을 보여와 상대적으로 시장의 진입이 용이하지 않았던 것은 사실이나, 반도체 생산공정의 필수적인 재료로서 대표적 특수가스의 하나인NF3를 시작으로 SiH4, NH3, NO 등의 국내 생산이 증가하고, 지리적 이점 등 안정적인 생산기반을 확보한 국내업체에 대한 전방산업 고객사의 관심이 증가하고 있는 상황입니다.

나. 회사의 현황 (1) 시장의 특성

당사가 영위하는 전자재료용 특수가스의 수요분야는 크게 DRAM과 FLASH 등의 Memory 반도체를 생산하는 삼성전자 및 SK하이닉스반도체 등의 종합반도체 회사를 중심으로, 삼성모바일디스플레이, LG이노텍 등 디스플레이 및 LED 제조회사로 분류할 수 있습니다.

고 객 군	고 객 사

반도체	삼성전자, SK하이닉스반도체, 동부하이텍, 매그나칩반도체, 페어차일드반도체 등

FPD	삼성디스플레이, BOE Group 등

LED	삼성전자 LED사업부 등

기타	실트론 등

20nm 이하급의 초 미세화 공정을 통해 제품을 생산하고 있는 국내의 삼성반도체 및 SK하이닉스반도체 등 당사의 주요 고객사들은 공정 안정화를위해 엄격한 품질검증 및 품질관리 절차를 운영하고 있어 신규 경쟁자에게는 높은 진입장벽으로 작용하고 있습니다.

(2) 회사 성장과정

구 분	시장여건	생산 및 판매활동 개요	영업상주요전략

국 내	국 외

설립시
(2003년∼2005년)	반도체 300mm
Line 초기도입
삼성전자 및
하이닉스
신규투자 지속	IT 경기회복 및 모바일,
디지털가전시장 회복
윈도우비스타 출시의 기대감 증폭에 따른
시장호전	- 삼성전자 PH3 혼합가스 공급개시
- N2O, NH3, SF6 등 특수가스
삼성전자 및 하이닉스에 공급개시
- LED用 7N NH3 생산개시
- GeH4 혼합가스, C3H6 시제품 공급	- 국내 모든 반도체업체등록
- 수입제품에 대한 국산화 대체
- R 신규제품 공급확대로 차세대 품목 선점
- FPD 및 LED 업계向 제품공급을 위한 제품 Line up

성장기
(2006년~2008년)	12“ Flash
Memory Line
및 7세대 LCD
Line 본격가동
AMOLED
양산개시	IT 성장 가속화
윈도우비스타 기대감으로PC의 신규교체 수요예상
반도체 경기의 빠른 회복세
LCD Panel
가격 회복	- 반도체 business 역량강화 및 주력제품의 공급확대
- 세계 최고수준의 분석기술 확보
- 삼성전자 NO 공급개시
- 삼성LCD 및 삼성모바일디스플레이 공급개시
- 삼성LED 및 엘지이노텍 7N NH3 공급개시
- 30nm급 차세대 Device 개발用 신규소재 공급개시	- FPD 및 LED 업계 M/S 확대를 위한 전략적 공략
- 반도체업계 안정적 공급주력
- 원가경쟁력 확보를 위한 생산 System 최적화
- LED 시장의 NH3 국산화 대체 및 공급용 대형 Package 개발
- 차세대 TFPV SiGe Tandem 공정개발用 Source 공급기반 확보

현 재(2009년~2017년 )	DDR3 및 LED
TV의 수요 증가로IT시장회복
AMOLED 양산 궤도화V-Nand 투자러시	Global 경기침체
IT 시장침체
Smart 기기 시장성장	- Mobile 및 Graphic Dram 생산용 BF3 공급확대- 삼성반도체 16L 양산용 제품 공급확대
- 삼성LED 초대형 NH3 공급장치 수주 및 7N NH3 공급권 확보
- 삼성모바일디스플레이 AMOLED Line 공급확대
- PH3 혼합가스 및 C3H6 수출기반 확보- NO 합성공장 건설완료- N2O 합성공장 건설완료 - Laser Gas 생산공장 및 HCDS 합성공장 건설완료	- 반도체 고객요구 적극 대응
- FPD, LED M/S 확대를 통한 고객군 다양화 추진
- 차세대 공정用 특화제품 개발을 통한 성장동력 발굴
- 신규사업 진출

(3) 회사의 영업 및 생산

한국의 특수가스 산업은 1975년 삼성전자 반도체의 설립이후 일부 다국적 특수가스 회사를 중심으로 대부분의 특수가스를 수입하여 단순히 공급만하는 형태로 진행되어 왔으며, 당사의 사업개시년도인 2002년경에도 많은 부분의 특수가스를 수입에 의존하였으며, 국내에 생산기지를 갖춘 전문화된 특수가스 회사 또한 그 수가 극히 제한되어 있었습니다.
당사는 2003년 PH3 혼합가스를 비롯한 수종의 반도체 공정용 특수가스를 국산화하여 삼성전자 및SK하이닉스 비롯한 국내의 대부분의 반도체 회사에 공급을개시함을 필두로, 그간 수입에 의존하던 제품들을 당사의 독자적인 기술개발을 통해 점차적으로 국산화에 성공함은 물론 반도체 산업의 원가절감을 통한 국가 경쟁력 향상에 지속적으로 기여한바 크다고 할 수 있습니다. 최근에는 기존의 DRAM 및 2D Flash용 특수가스 공급기반을 바탕으로 최근 3D NAND 양산투자 확대에 따라 공급물량이 증대하고 있으며 반도체 이외에도 삼성모바일디스플레이 AMOLED 사업부에 N2O, NH3를 비롯한 10여종의 공정용 특수가스를 AMOLED 개발 초기부터 공급개시하여 현재까지 안정적인 공급과 높은 M/S를 확보하고 있습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

- 당사는 지난 2015.08.06일 신규시설 투자등 공시를 통하여 반도체 기술 변화(미세화, 3D화) 및 고객사 신규라인 증설에 따른 전구체 수요증가 대응 및 HCDS ,HCDS 합성기술을 활용한 Si Base 전구체 국산화를 추진하고자 합니다. 2015년8월 Precursor 생산설비 및 연구동 투자에 관한 공시를 제출 하였으며 분기보고서 제출일 기준(17.03.31) 해당 투자는 완료되었습니다. 이에 따라 당사는 반도체, FPD, LED向 사용되는 특수가스 외에 신규로 Precursor(전구체) 사업을 본격적으로 추진할 예정입니다.

(5) 조직도

2. 주요 제품 등에 관한 사항 가. 주요 제품 등의 현황 (별도기준)

(단위: 백만원)

제 품	생산(판매)개시일	용도 및 특징	2017년 반기(제12기)매출액(비율)

NH3(암모니아)	2004년1월	◇ 반도체, LCD, 결정계 태양전지 및 LED 제조공정에 사용되는 가스 - 순도 99.9995% ~ 99.99999% - 반도체, LCD 및 결정계 태양전지 공정에서는 모노실란(SiH4)과 결합하여 실리콘 나이트라이드(Si3N4)의 절연막을 증착시키는데 사용되며, LED제조공정에서는 트리메틸갈륨(TMGa)과 결합하여 질화갈륨(GaN)막질을 증착시키는데 사용 됩니다 - LED 제조공정에서는 최고순도인 99.99999%의 순도가 요구됩니다.	65,681 (73.75%)

NO(산화질소)	2005년1월	◇ 반도체 제조공정 중 열처리(Annealing) 공정에 사용되는 가스 - 순도 99.99% - 플래시 반도체 제조공정 중 열처리 공정을 통해 실리콘옥시나이트라이드(SiON)를 형성하는데 사용되는 가스 입니다. - 플래시 반도체의 신뢰도 향상에 탁월한 기여를 하는 핵심 가스 입니다.

N2O(아산화질소)	2003년3월	◇ 반도체, LCD 및 AMOLED 제조공정 중 증착공정에 사용되는 가스 - 순도 99.9995% - 반도체, LCD 및 AMOLED 공정에서 모노실란(SiH4)과 결합하여 실리콘옥사이드 (SiO2)의 산화막을 증착시키는데 사용되는 가스입니다. - 전자산업의 용도 이외에 저순도 N2O는 의료용 마취제로도 사용됩니다.

GeH4(사수소화게르마늄)	2004년2월	◇ 반도체, LCD 및 박막형 태양전지의 실리콘게르마늄(SiGe)막 형성용 가스 - 순도 99.999% - 게르마늄(Ge)은 실리콘(Si)과 구조적으로 유사한 동일 족의 원소이며, 대부분 모노실란(SiH4)와 결합하여 실리콘게르마늄(SiGe) 형태로 증착되는 가스 입니다. - 증착된 막질이 실리콘(Si) 단독으로 사용한 것과 유사한 구조와 성능을 가지고 있으나, 전기전도도 측면 및 불순물 확산방지 측면에서 탁월한 특성을 나타냅니다.

Si2H6(디실란)	2006년4월	◇ 반도체 제조공정 중 Diffusion(확산) 및 CVD 공정에 사용되는 가스 - 순도 99.998% - 반도체 Device의 미세화로 인해 기존의 모노실란(SiH4)으로 구현이 불가능한 공정에 실리콘 증착 으로 사용되는 신규 소재입니다. - 모노실란(SiH4) 가스대비 반응온도, 증착속도, 접촉면의 거칠기 등에서 탁월한 성능을 보이는 가스입니다.

Laser Mix	2009년9월	◇ AMOLED 제조공정 중 열처리(Annealing) 및 반도체 제조공정 중 Lithography공정의 광원으로 사용되는 가스 - 순도 99.999% 이상
- AMOLED Panel 제조 시 Amorphous Si 형태로 증착된 막질을 Poly Si로 변환시키기 위한 열처리 공정에 사용되는 특수가스 - 반도체 Lithography 공정 중 패턴을 형성시키기 위한 노광공정의 광원으로 사용 되는 가스 일반적으로 ArF, KrF 등으로 나뉩니다.

F2 Mix	2009년 11월	◇ 반도체 증착장비 세정(Cleaning)에 사용되는 가스 - 순도 99.9% 이상 - 반도체 Decive 미세화에 따라 기존 Wet cleaning에서 F2 Mix Dry Cleaning 공정 채택률 증가전망

C4F8	2005년 1월	◇ 반도체 및 Display 제조공정 중 에칭(Etching)에 사용되는 가스 - 순도 99.999% 이상 - 전통적으로 산화막 식각공정에 사용되는 특수가스로 Device 미세화에 따라 에칭용 가스의 적용공정

CH2F2	2005년 1월	◇ 반도체 및 Display 제조공정 중 에칭(Etching)에 사용되는 가스 - 순도 99.99% 이상 - 전통적으로 질화막 식각공정에 사용되는 특수가스로 Device 미세화에 따라 에칭용 가스의 적용공정

기타 가스매출	23,376 (26.25%)

가스매출 소계	89,057 (100.00%)

기 타 매 출	1 (0.00%)

합 계	89,058 (100.00%)

주) 가스매출액은 순도를 구분하지 않은 수치입니다.주) 별도기준으로 작성되었습니다.

나. 주요 제품 등의 가격변동 추이 (1) 연도별 가격변동 추이

(단위 : 백만원)

유형	품목	2017년 반기(제12기)	2016년(제11기)	2015년 (제10기)

금 액	금 액	금 액

제품	N2O,C4F8,
NH3, F2 MixNO, CO2	수출	5,355	10,358	7,294

국내	25,422	39,398	41,143

소계	30,777	49,756	48,437

기타	수출	1,409	3,479	2,130

국내	9,390	16,354	17,973

소계	10,799	19,833	20,103

소 계	41,576	69,589	68,540

상품	Si2H6,GeH4,CO2,CH2F2Laser MIX	수출	7,715	18,325	11,631

국내	35,144	60,816	90,303

소계	42,859	79,141	101,934

기타	수출	14	124	96

국내	4,608	13,766	9,467

소계	4,622	13,890	9,563

소 계	47,481	93,031	111,497

기타	가스공급시설	수출	-	-	-

국내	-	-	1,075

소계	-	-	1,075

기타	수출	-	-	37

국내	1	29	210

소계	1	29	247

소 계	1	29	1,322

합 계	수출	14,493	32,286	21,188

국내	74,565	130,363	160,171

소계	89,058	162,649	181,359

주1) 별도기준으로 작성되었습니다. 주 2 ) 품 목 별 가격은 영업비밀 이므로 공시대상 주요 품목과 기타 품목 및 기타 매출로 구분하여 연도별 매출금액 합계를 기재하였습니다.

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 매입현황

(단위 : 백만원)

매입유형	품 목	구 분	2017년 반기(제12기)	2016년(제11기)	2015년(제10기)

원재료	NH3, N2O,NO, F2 MIX,
CO2, C4F8	국 내	3,965	5,650	5,547

수 입	3,020	4,035	1,082

소 계	6,985	9,685	6,629

상품 / 기타	국 내	10,553	17,417	39,453

수 입	26,238	58,457	51,070

소 계	36,791	75,874	90,523

합 계	국 내	14,518	23,067	45,000

수 입	29,258	62,492	52,153

합 계	43,776	85,559	97,153

주) 연도별 금액 합계를 기재하였습니다.주) 상품/기타에는 상품 및 원재료 기타가 포함된 금액입니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항 가. 생산능력 및 생산능력의 산출 근거

(단위 : kg,BT)

제품품목명	구 분	2017년 반기(제12기)	2016년(제11기)	2015년 (제10기)

수량	수량	수량

NH3	생산능력	1,519,000	3,009,000	3,814,400

생산실적	1,159,013	1,967,179	1,820,693

가 동 율	76.30%	65.38%	47.73%

기말재고	102,562	32,761	14,285

N2O	생산능력	2,392,000	4,706,000	3,000,000

생산실적	2,324,059	3,249,894	2,447,623

가 동 율	97.16%	69.06%	81.59%

기말재고	382,979	289,547	169,871

NO	생산능력	3,258	6,588	6,324

생산실적	1,270	3,551	4,856

가 동 율	38.98%	53.90%	76.79%

기말재고	95	71	87

F2 MIX	생산능력	1,586	3,224	2,969

생산실적	1,368	2,203	2,403

가동율	86.25%	68.33%	80.94%

기말재고	81	102	197

C4F8	생산능력	75,000	153,000	93,000

생산실적	58,427	68,673	48,885

가동율	77.90%	44.88%	52.56%

기말재고	152	64	46

주1) 생산능력(Capa)은 연간 정제Capa 기준이며, 생산실적은 일평균 8시간 작업 기준임.주2) NH3, N2O,C4F8은 kg기준이며 NO,F2 Mix는 (47L Cyl )BT 기준임.주3) NH3는 제1사업장(오창) 3,038ton/y;정제방식 Capa 기준임.주4) N2O는 1공장(1,202ton/y;정제방식), 2공장(3,582ton/y;합성방식) Capa를 합산하였음.
16년 Capa. 대비 약 78ton/y 가량 증가(약 1.7%↑), 사유는 제1,2사업장 정비시간 감소로인한 Capa. 소폭 증가.
주5) NO는 제2사업장(전의) 6,570bt/y:합성방식 Capa 기준임.주6) F2 Mix 는 제1사업장(오창) 3,172bt/y;합성방식 Capa 기준임.주7) C4F8은 15년 Capa. 대비 16년 증가 사유는 연속 정제 시스템 구축으로 정제량이 증대되었으며, 16년 Capa. 대비 17년 소폭 감소사유는 연간 정비시간 증가로 인함

나. 생산설비에 관한 사항(1) 현황 (별도기준)

(단위 : 천원)

소유형태	자산별	소재지	기초장부가액	당기증가	당기감소	당기상각	당기손상	기말장부가액	비고

자가	토지	오창	19,536,498	-	-	-	-	19,536,498	-

자가	토지	전의	4,155,417	-	-	-	-	4,155,417	-

자가	건물	-	12,335,690	22,520,411	-	(494,652)	-	34,361,448	-

자가	구축물	-	4,231,450	177,660	-	(79,155)	-	4,329,955	-

자가	기계장치	-	21,610,724	14,803,108	(199,677)	(2,757,878)	-	33,456,277	-

자가	차량운반구	-	3,434,364	588,447	-	(535,500)	-	3,487,311	-

자가	공구와기구	-	9,841,142	4,878,275	(19,559)	(2,001,406)	-	12,698,452	-

자가	집기비품	-	1,106,387	2,045,342	(889)	(271,325)	-	2,879,515	-

2) 설비의 신설 및 매입계획

보고서 제출일 현재 당사는 지난'신규 시설투자 등'(15.08.06) 의무공시에서 밝힌바와 같이 2015년8월6일(시작일:이사회결의일(공시일))~ (종료일)기간中 신규 Precursor 공장 및 연구동 투자를 위하여 총279억원을 집행할 계획을 공시하였으며 16년말 기준 본 투자는 완료되었습니다.총투자금은 내부 유보자금(공모자금 포함) 을 통하여 집행하였습니다. 신규 Precursor 공장 및 연구동 투자를 위하여 본 투자건과 별도로 지난 2015년 4월 오창 본사 인근 소재지(충북 청주시 청원구 오창읍 양청3길 30 ;약 15,020평))의 신규부지(135억 취득)를 이미 취득하였습니다.2017년 3월에 당사는 사업영역 확장을 위하여 양청본사 인근 소재지에 신규부지(약20,900평/180억원)를 추가로 취득하였습니다.

5. 매출에 관한 사항 가.매출실적 (별도기준)

(단위 : 백만원)

유형	품목	2017년 반기(제12기)	2016년(제11기)	2015년 (제10기)

금 액	금 액	금 액

제품	N2O,C4F8,
NH3,F2 MixNO, CO2	수출	5,355	10,358	7,294

국내	25,422	39,398	41,143

소계	30,777	49,756	48,437

기타	수출	1,409	3,479	2,130

국내	9,390	16,354	17,973

소계	10,799	19,833	20,103

소 계	41,576	69,589	68,540

상품	Si2H6,GeH4,CO2,CH2F2Laser MIX	수출	7,715	18,325	11,631

국내	35,144	60,816	90,303

소계	42,859	79,141	101,934

기타	수출	14	124	96

국내	4,608	13,766	9,467

소계	4,622	13,890	9,563

소 계	47,481	93,031	111,497

기타	가스공급시설	수출	-	-	-

국내	-	-	1,075

소계	-	-	1,075

기타	수출	-	-	37

국내	1	29	210

소계	1	29	247

소 계	1	29	1,322

합 계	수출	14,493	32,286	21,188

국내	74,565	130,363	160,171

소계	89,058	162,649	181,359

주1) 별도기준으로 작성되었습니다. 주2) 품목별 가격은 영업비밀 이므로 공시대상 주요 품목과 기타 품목 및 기타 매출로 구분하여 연도별 매출금액 합계를 기재하였습니다.

나. 주요 매출처 등 현황 당사의 최대 매출처는 삼성전자이며 연도별 삼성전자 향 매출액 및 매출비중은 다음과 같습니다.

[연도별 삼성전자 向 매출액 및 매출비중]

(단위 : 백만원)

연 도	매출처	금 액	총매출액 대비 비중(%)

2017년 반기	삼성전자	56,873	63.86

2016년	삼성전자	93,912	57.74

2015년	삼성전자	124,371	68.58

2014년	삼성전자	92,825	66.17

2013년	삼성전자	90,795	69.35

2012년	삼성전자	80,753	73.34

2011년	삼성전자	58,240	64.68

※ 삼성전자 매출은 반도체 사업부 매출만 적용함.다. 수주현황- 해당사항 없습니다. 6. 판매경로

가. 판매조직

전자재료용 특수가스 시장은 일반 산업과 달리 특정고객만을 위한 전담 영업 및 제품개발이 이루어져야 하는 특수 시장입니다.따라서 당사도 고객의 특성에 맞추어 영업팀과 마케팅팀으로 나누어 고객에 특화된 영업조직을 운영하고 있습니다. 영업팀에서는 기존 고객사의 M/S 유지 및 확대에 주력하여 기존 확보된 시장을 굳건히 유지 및 확장 시키는데 주력하고 있으며, 마케팅팀에서는 반도체, LCD 시장의 차세대 공정 대응용 신규 소재의 대응에 주력하여 수종품목의 확보에 진력하고 있습니다.

나. 판매경로

전자재료용 특수가스는 고압가스로 분류되어 고압가스안전관리법의 규정에 준하여 모든 물류 System의 기반하에 운송 및 납품이 이루어 지고 있습니다. 따라서 삼성전자를 비롯한 국내외 모든 반도체, FPD 및 LED 업계에는 관련 규정을 준수할 수 있는 외부 전문 물류업체를 통해 고객사 저장소에 공급하는 방식으로 운영되고 있습니다.

다. 판매전략

당사는 고객사의 기술개발 Roadmap에 맞추어 신규로 수요가 예상되는 제품에 대한 개발과 고객사 생산 Line의 증설 등으로 인하여 발생되는 수요 증대에 따라, 안정적인 공급대응을 위한 품질개선 및 특수가스 제품 생산성 증대에 집중하여 당사의 모든 역량을 극대화하고 있습니다. 또한 고객사와의 지속적인 기술 및 동향의 교류를 통해 고객의 Needs를 사전 파악하여 수시로 대응전략을 재설정하고 있으며, 제품의 경쟁력 향상을 위해 생산공정의 최적화, 원부자재 구매단가의 인하 등을 통해 경쟁사와의 단가경쟁에서 차별화를 확보하기 위한 부단한 노력을 하고 있습니다. 현재 반도체, FPD 제조사와 차세대 공정개발을위한 다양한 신소재에 대한 공동개발을 진행하고 있으며, 외국계 장비회사 대비 국내 장비업체의 한계성으로 인해 국외의 Business partner와 지속적인 교류 및 협력을 통해 외국계장비회사와의 공정개발 또한 진행 중에 있습니다. 장비회사와의 공정 및 소재 공동개발은 향후 잠재적 시장에 대한 조기 대응뿐만 아니라, 해당 장비공정의 양산도입 시 특정소재에 대한 국내 고객사의 시장선점 효과는 경쟁적 소재시장 대비 월등한 우위를 영위할 수있다는 점에 그 중대성이 있습니다.

7. 시장위험과 위험 관리 연결기준>가. 재무위험관리요소

회사는 여러 활동으로 인하여 시장위험(환위험, 가격위험, 공정가치이자율위험 및 현금흐름이자율위험), 신용위험 및 유동성 위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어있습니다. 회사의 전반적인 위험관리정책은 금융시장의 예측불가능성에 초점을 맞추고있으며 재무성과에 잠재적으로 불리할 수 있는 효과를 최소화하는데 중점을 두고 있습니다.

나. 시장위험

(1) 외환위험 회사는 외화차입금 및 기능통화와 다른 수입과 지출에 따른 환율변동위험에 노출되어 있으며, 주요 위험은 USD와 JPY에 집중되어 있습니다. 한편, 회사는 외화로 표시된 채권과 채무에 대한 환노출 위험을 주기적으로 평가, 관리 및 보고하고 있습니다.

보고기간 종료일 현재 외화금융자산 및 외화금융부채는 다음과 같습니다.

(단위 : USD,JPY,EUR)

구 분	계정과목	외 화 금 액

당반기말	전기말

외화자산	현금및현금성자산	USD	10,302,145	USD	6,593,936

JPY	-	JPY	-

매출채권	USD	2,860,627	USD	2,666,292

JPY	-	JPY	-

미수금	USD	42,750	USD	53,118

합 계	USD	13,205,522	USD	9,313,346

JPY	-	JPY	-

외화부채	매입채무	USD	3,551,203	USD	8,487,373

JPY	114,909,700	JPY	73,540,000

EUR	-	EUR	20,232

미지급금	USD	36,634	USD	138,746

JPY	1,034,000	JPY	-

단기차입금	USD	2,600,000	USD	2,600,000

합 계	USD	6,187,837	USD	11,226,119

JPY	115,943,700	JPY	73,540,000

EUR	-	EUR	20,232

(*)전기의 단기차입금은 장기차입금에서 유동성대체된 것임.

법인세비용차감전순이익에 영향을 미치는 환율효과는 기능통화인 원화에 대한 다른 통화들의 변동효과 합계로 계산된 것입니다.

보고기간 종료일 현재, 다른 변수가 일정하고 해당 통화가 5% 절상 및 절하인 경우 법인세비용차감전순이익에 영향을 미치는 환율효과는 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구 분	당반기말	전기말

절상시	절하시	절상시	절하시

외화금융자산	752,451	(752,451)	562,759	(562,759)

외화금융부채	(411,572)	411,572	(717,744)	717,744

순효과	340,879	(340,879)	(154,985)	154,985

(2) 가격위험 보고기간 종료일 현재 보유한 매도가능금융자산으로 분류되는 지분증권과 관련하여 가격위험에 노출된 금액은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구 분	당반기말	전기말

매도가능금융자산	7,809,102	7,944,014

한편, 연결회사가 보유중인 매도가능금융자산은 지분증권으로 주식가격이 30% 상승 또는 하락할 경우 자본(세전)이 2,342,731천원(전기: 2,383,204천원) 증가 또는 감소합니다.

다. 신용위험

신용위험은 거래상대방의 채무불이행 및 계약불이행으로 인하여 보유하고 있는 자산포트폴리오로부터 손실을 입을 위험입니다. 신용위험은 대여금 및 수취채권 등으로부터 발생하고 있습니다.

라. 유동성 위험

(1) 유동성위험 일반 유동성위험이란 자금의 조달 및 운용 기간의 불일치 또는 예기치 않은 자금의 유출 등으로 자금부족 사태가 발생하여 지급불능 상태에 직면하거나, 자금의 부족을 해소하기 위한 고금리 차입부채의 조달 또는 보유자산의 불리한 매각 등으로 손실을 입을수 있는 위험을 의미합니다. 회사는 유동성위험과 관련하여 모든 금융자산, 부채 등을 포함하여 계약상 만기분석을 3개월 이하, 3개월 초과 ~ 1년 이하, 1년 초과 ~ 5년 이하, 5년 초과와 같이 4구간으로 나누어 공시합니다.

(2) 비파생금융부채의 계약만기구조 보고기간 종료일 현재 회사의 비파생금융부채에 대한 계약상 잔존만기에 대한 상세내역은 다음과 같습니다. 금융부채의 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 회사가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되어 있으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

(단위 : 천원)