어보브반도체 분기보고서 (2023.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

[MCU 사업부문 (어보브반도체(주)]

가. 연구개발활동의 개요(1) 연구개발 담당조직

연구소	개발본부	HMS 그룹

PCS 그룹

APS 그룹

IP 그룹

PE 그룹

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제18기 1분기	제17기	제16기

연구개발비용 계	6,602,407	24,274,901	20,917,127

연구개발비용 /매출액 비율	20.16%	12.49%	13.09%

※ 상기 비율은 별도 매출액 대비 비율입니다. 나. 연구개발 실적당사는 MCU 전문회사로서 각종 MCU 및 MCU 주변에 사용되는 Driver IC를 개발하고 있습니다. 당사의 최근 개발 완료된 제품 실적 개요는 아래와 같습니다.

연도	구 분	개발실적	제품명	비고

2022	MCU	9종	AL8844	RGB sensor IC

A94B517	무선충전 MCU

MC96F7816S	LCD리모컨 MCU

A94B910	스마트폰용 고속충전 MCU

MC96F7864S	LCD리모컨 MCU

MC97F2664AS	MWO,냉장고용 MCU

A96G150	MWO용 MCU

A96T3A6	7채널 SAR 센서 MCU

A96L623	네트워크식 화재감지기 MCU

2021	MCU	4종	A94Q427	Car Charger

A96L533	Smoke Detector

A96T396	TWS용 SAR센서

A31T216	Touch/LCD/LED용 MCU

다. 경영상의 주요계약 등 - 해당사항 없음

[ PKG, TEST 사업 부문(주요종속회사인 (주)윈팩) ]1. 연구개발 활동가. 연구개발 담당조직

나. 연구개발 인력 현황(단위 : 명)

직위	2023년 1분기

연구위원	1

수석 연구원	10

책임 연구원	5

선임 연구원	4

연구원	9

합 계	29

다. 연구개발 비용(단위 : 천원)

구 분	2023년 1분기	2022년	2021년

비용처리	판관비	145,308	540,054	436,094

연구개발비용 합계	145,308	540,054	436,094

라 .연구개발 실적

연구과제	연구결과 및 기대효과	시작일	종료일	비고

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) 62um Bump Height 320um SDBG 적용8Gb DDR4 78B 플립칩 패키지 개발	기존 양산 중인 동일 C2타입 CPB를 동일하게 적용하였고, Bump height는 62um 제품이다. 단, 기존 DP(Die preparation) 공법이 Normal Back-grinding Saw공정이 아닌 SDBG(Stealth dicing before grinding)적용하여 chip crack 및 chipping에 보다 안정적인 품질향상이 기대되는 2세대 Flipchip BGA 제품이다.	2020.1Q	2020.1Q	완료

10nx 8Gb LPDDR4Dumped Die를 적용한200B DDP(16Gb)/QDP(32Gb) 패키지 개발	OQ(out of quality grade) Chip을 Waffle Tray에 Sorting하여 공급된 Dumped Die를 이용한 제품으로 DDP Chip Stack 방식을 도입하여 고용량 Mobile 향으로 PKG Design 하였다. DDP의 경우 Dumped Die의 Die Thickness가 여러 종류인 관계로 Mold cap thickness 0.43mm 안에서 다양한 조합으로 제품을 개발하여 시장에 양산 하였다.	2020.1Q	2020.3Q	완료

60um DBG 공법 적용한4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR4x4)10x15_200B 패키지 개발	21나노급 8Gb LPDDR4 칩을 4단 적층하는 구조의 신규 제품이다. DBG(Dicing before grind)공법을 적용하여 Chip crack 및 top chipping 발생을 최소화한 제품이다. DA공정에서 MS(Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 예방한 특징이 있다. FBGA 200ball은 기존 양산 인프라를 동일하게 적용하였다.	2020.1Q	2020.2Q	완료

Sub 2D(QR)마킹 및 Dual Bin SortingD/A공법 적용한eMCP/POP제품 패키지 공정 개발	Memory wafer는 probe test가 완료되면 단일 chip기준으로 Good, NG die로 나뉘고, Good die 중 성능에 따라 SQ와 NQ grade로 구분된다. SQ grade chip은 NQ Grade chip보다 좋은 성능을 갖고 있는데, MCP(Multi Chip Package) 조립 할때 SQ와 NQ를 섞어서 조립할 경우Package 성능이 NQ die기준으로 하향 평준화되게 된다. 이점을 개선하기 위하여 D/A공정에서 SQ는 SQ끼리, NQ는 NQ끼리 Attach할 수 있는 Dual bin sorting D/A공법을 개발하였다. Dual bin sorting D/A공법을 적용하기 위하여 Die Attach 완료된 Chip Grade 이력관리가 필요하다. Chip정보 이력 관리를 위하여 Substrate 외각에 2D(QR) M/K 각인시키고, 개별 Substrate에 Substrate Map을 생성하여 Host에 저장한다. 이후 D/A설비에서 Vision을 통해 Sub. 2D(QR) M/K를 인식하여 1차 D/A진행한다. DA1 작업 완료된 Chip grade 정보를 Host로 update하고, DA2 이후 Dual bin 적용 모든 DA차수에서 Host로 부터 전달 받은 이전 DA차수 Submap data를 Loading하여 동일 Bin을 Attach한다. 이후 후공정이 완료되면 Dual bin적용 Sub. map data기준으로 Package singulation 공정에서 NQ와 SQ grade를 별도 Tray로 Bin sorting을 진행하고, SQ, NQ Lot구분하여 제품 조립을 완료 한다.	2020.1Q	2020.3Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한128GB ROM/6GB RAM8uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	eMCP 제품에 적용되는 Controller Wire Bonding을 Flipchip Bond로 대체하여 Controller와 Nand 사이에 신호 안정성 및 PKG 공간 확보를 통한 고용량 제품에 적합 uMCP PKG를 설계하였다. Fine Cu Pillar Bump Pitch(55um) 적용된 Controller Bumped Wafer 적용 및 CUF(Cu piller Under Fill) 공법을 적용한 PKG 구조를 적용하였으며, Controller FCB후 Auto X-ray 전수 검사 공정을 추가하여 Controller FCB 불량에 대한 전수 선별이 가능함으로써 Controller FCB 불량에 기인한 제품 불량 예방이 가능하다. Controller FCB 적용을 통하여 지속적으로 요구되는 고용량 소형화 PKG 개발에 적합하며, uMCP용 FCB Line이 구축되어 해당 제품 외에 High End 제품 개발에 지속적으로 적용 및 활용 가능한 이점이 있다.	2020.2Q	2020.4Q	완료

60um SDBG 공정이 적용된2-Die Stack 16Gb(8Gb LPDDR4x4)POP-TOP용 200B 패키지 개발	8Gb LPDDR4 2개로 Stack 구성된 POP-Top용 200B 패키지이다. SDBG(Stealth Dicing Before Grnding) 공법을 이용하여 Die Chipping 불량을 예방하였고, Normal sawing 대비 생성산을 추가 확보 하였다. Compression mold 적용으로 wire sweeping을 최소화 하여 안정적인 양산능력을 확보하였다.	2020.2Q	2020.3Q	완료

Dumped Die 8Gb LPDDR4를 적용한4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR4x4)10x15 Body 200B 패키지 개발	OQ(out of quality grade) Chip을 Waffle Tray에 Sorting하여 공급된 Dumped Die를 이용한 제품으로 QDP Chip Stack 방식을 이용하여 고용량 Mobile 향으로 PKG Design 하였다. Die Thickness가 상이한 2가지 Type으로 개발하였다.	2020.2Q	2020.3Q	완료

AEC-Q100인증 Automotive향8x10.5 Body 162B NAND MCP(4G Flash+4G RAM)패키지 개발	DRAM + Nand Flash로 구성 된 MCP(Multi Chip Package)제품으로 DRAM을 동일 die stack으로 추가 구성을 하여 용량을 증가 시키고, High level material 적용 및 전용 장비 적용을 통하여 공정 안정성과 제품 품질을 높여 차량용 반도체에 최적화 된 패키지 개발	2020.2Q	2020.3Q	완료

10나노2세대 60um SDBG 공정이 적용된2-Die Stack 16Gb(8Gb LPDDR4x2)Mobile용 200B 패키지 개발	10나노 2세대 LPDDR4 Chip을 이용한 Dual die stack PoP 제품이다. SDBG(Stealth Dicing Before Grnding)공법을 적용하여 60um Die Thinkness를 확보하였고, 1차, 2차 Chip 모두 20um DAF(Die Adhesive Flim) 사용한 계단형 Die stack구조이다. Compression Mold를 적용 0.43T Mold Cap 형성하여 Nominal 0.9T의 200FBGA 초박형 Package로 개발하였다.	2020.3Q	2020.4Q	완료

SDBG 공정이 적용된4-Die Stack 8GB8Gb 2CH5G통신모듈용 254B 패키지 개발	4G Nand *2 + 4G LPDDR4*2 + Dummy 5MCP로 구성된 통신모듈용 패키지 이다. LPDDR4는 Side by side로 구성 되었으며 Dummy Die를 추가하여 Nand Die를 Stack으로 가능하게 설계 하였다. 이로 인해 Tunnel 형태로 구성 되어 Mold 진행 시 미충진으로 인한 Void 발생 가능성이 높아 안정적인 양산을 위해 Compression Mold를 적용 하였다.	2020.3Q	2021.1Q	완료

SDBG 6Gb LPDDR4를 적용한4-Die Stack 24Gb(6Gb LPDDR4x4)Mobile용 200B 패키지 개발	6Gb LPDDR4 4개로 구성된 Mobile용 200B 패키지 이다. 4stack이 아닌 Side by Side 2stack으로 구성 함으로써, Die Attach와 Wire Bonding 공정에서 생산성을 추가 확보 하였으며 Wire Usage도 절감 되었다. SDBG(Stealth Dicing Before Grnding) 공법을 적용하여 Die Chipping 불량을 예방함으로써 안정적인 양산 능력을 확보 하였다.	2020.3Q	2021.1Q	완료

Mobile-PAM(전력증폭모듈)용3x3 20LGA SiP(3Die+5Comp.) 패키지 개발	이동 통신용 기기의 전력 사용의 효율성과 송신부의 미약한 신호를 증폭시켜 안테나를 통해 기지국까지 송출하는 전력 증폭 모듈에 적용되는 Package로, PAM Chip(미약한 신호를 증폭하여 안테나로 송출하는 소자) 의 안정적인 신호 송출을 위하여, PCB와 die이 전기적 연결 접착제를 전도성 Ag-paste를 적용 하였으며, 조립 공정 진행 간 발생 할 수 있는 접착제 물성 변화에 안정적으로 대응 가능 한 도포 핀의 모양 및 방식을 적용한 패키지 개발.	2020.4Q	2021.2Q	완료

Mobile-PAM(전력증폭모듈)용3x3 20LGA SiP(4Die+4Comp.) 패키지 개발	이동 통신용 기기의 전력 사용의 효율성과 송신부의 미약한 신호를 증폭시켜 안테나를 통해 기지국까지 송출하는 전력 증폭 모듈에 적용되는 Package로, 제품 품질 측면에서 IPD(Intelligent Power Device) chip를 추가하여 기존 제품 대비 품질 안정성 을 확보 하였으며, 조립 측면에서는 특정 I/O pin 의 Wire bonding Loop mode를 변경 적용 하여, 제품 성능을 개선 한 패키지 개발.	2020.4Q	2021.2Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한128GB ROM/6GB RAM(10nx세대)10단 uMCP(UFS+LPDDR4X)패키지 개발	기 개발된 C2 타입 CPB 플립칩 적용 8uMCP(UFS+LPDDR4X)에 Nand Flash 용량 상향 Version으로 TLC Nand Flash Die 2ea를 추가 적층하여 기 제품대비 2배 용량인 128GB를 구현 하였다. 또한 19nm 8Gb LPDDR4X 6ea를 적용하여 4,266Mbps 처리 속도를 구현하여 고용량 고속화를 요구하는 Mobile 고사양 시장제품에 적합하다	2021.1Q	2021.1Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한128GB ROM/6GB RAM(10ny세대)8단 uMCP(UFS+LPDDR4X)패키지 개발	Controller Wire Bonding을 Flipchip Bond로 대체하여 Controller와 Nand 사이에 신호 안정성 및 PKG 공간 확보를 통한 고용량 제품에 적합 uMCP PKG를 설계하였다. Fine Cu Pillar Bump Pitch(50um) 적용된 Controller Bumped Wafer 적용 및 CUF(Cu piller Under Fill) 공법을 적용한 PKG 구조를 적용하였으며, 고용량 소형화 제품 및 High End Mobile 기기에 적합한 패키지 개발.	2021.1Q	2021.2Q	완료

10ny세대 60um SDBG 공정이 적용된4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR4x4)Mobile용 200B 패키지 개발	8Gb LPDDR4 4개로 구성된 200B 패키지 이다. Redistribution layer을 사용하여 Die 양쪽에 있는 Pad 중 한쪽을 Side로 변경 하였다. 이로 인해 DA 진행시 한번에 2stack 작업이 가능하다. 기존 Die attach Wire Bonding 4차수에서 2차수로 변경 되어 생산성 향상 및 인건비 절감에 이점이 있다. Compression mold 적용으로 wire sweeping을 최소화 하였으며 WBL Tape 10um 제품을 사용하여 Coplanarity에 최적화된 설계로 안정적인 양산 능력을 확보 하였다.	2021.1Q	2021.2Q	완료

32Gb(4GB) NAND+4Gb LPDDR4적용한 8GBROM/1GBRAM보급형 149B(4Stack) eMCP 패키지 개발	SMI Controller + 32Gb Nand Flash + 4Gb LPDDR4 X2 조합으로 구성된 eMCP 제품이다. 양산 F162 eMCP 제품 대비 LPDDR2에서 LPDDR4로 변경 되었고, PKG Size도 11.5 x 13mm에서 8.0x9.5mm로 축소 되었다. 기존 제품 대비 성능 향상 및 전력 이용 효율이 좋게 설계되어 소형화 제품에 강점을 보인다. 기존 개발 진행 및 양산 이력 있는 Die로 구성 되어 품질 Risk 없이 안정적인 양산을 기대할 수 있다.	2021.1Q	2021.3Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한64GB ROM/6GB RAM(10ny세대)7단 uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	Controller Wire Bonding을 Flipchip Bond로 대체하여 Controller와 Nand 사이에 신호 안정성 및 PKG 공간 확보를 통한 고용량 제품에 적합 uMCP PKG로 설계하였으며, 전압 조절 위해 PMIC(Power management IC)를 추가 적용하여, 고용량 소형화 제품 및 High End Mobile 기기에 적합한 패키지 개발.	2021.2Q	2021.4Q	완료

V5 256Gb 3D-Nand WF에50um SDBG와 C-mold공정을 적용한메인스트림 스토리지 F132 패키지 개발(SSD용 128GB)	V5 256Gb 3D-Nand 4Stack 구조의 Multichip BGA Package이다. Max. 1.0mm Package 높이를 맞추기 위해 SDBG(Stealth Dicing Before Grind)공법을 적용 50um Thin die 구성하고, 20um DAF 모델로 적층하였다. Total 188EA I/O Pin Wire bonding 방식으로 Substrate와 연결하고, Compression Molding 공법을 적용하여 170um Narrow Gap을 Encpasulation 진행하였다. SAC305 조성의 0.45mm Solder ball을 이용하여 132Ball array를 구성하고, 최종 Package sawing 후 12x18mm FBGA132 Package를 구성하였다.	2021.2Q	2021.3Q	완료

V5 512Gb 3D-Nand WF에50um SDBG와 C-mold공정을 적용한메인스트림 스토리지 F132 패키지 개발(SSD용 256GB)	V5 512Gb 3D-Nand 4Stack 구조의 Multichip BGA Package이다. Max. 1.0mm Package 높이를 맞추기 위해 SDBG(Stealth Dicing Before Grind)공법을 적용 50um Thin die 구성하고, 20um DAF 모델로 적층하였다. Total 188EA I/O Pin Wire bonding 방식으로 Substrate와 연결하고, Compression Molding 공법을 적용하여 170um Narrow Gap을 Encpasulation 진행하였다. SAC305 조성의 0.45mm Solder ball을 이용하여 132Ball array를 구성하고, 최종 Package sawing 후 12x18mm FBGA132 Package를 구성하였다.	2021.2Q	2021.3Q	완료

5G 통신용High Speed Switching SPDT를 적용한3x3-13LGA 패키지 개발	MACOM社 High Speed Swiching SPDT GaAs Wafer를 적용한 LGA Package 제품이다. Sawing 완료된 2.100x1.546mm Small die를 Epoxy 용액으로 Substrate와 접합하였다. Chip의 13개 I/O를 Wire bonding 방식으로 Substrate와 연결하고, Molding 공정으로 Encapsulation 진행하였다. 최종 0.6mm Lead Pitch의 3x3mm 13LGA Package 개발완료하였다.	2021.2Q	2021.2Q	완료

10yn 60um SDBG 공법 적용한4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR4x4)10x15-F200 패키지 개발	OQ(out of quality grade) Chip을 Waffle Tray에 Sorting하여 공급된 Dumped Die를 이용한 제품으로 8Gb LPDDR4 4개로 구성된 200B 패키지 이다. Redistribution layer을 사용하여 Die 양쪽에 있는 Pad 중 한쪽을 Side로 변경 하였다. 이로 인해 DA 진행시 한번에 2stack 작업이 가능하다. 기존 Die attach Wire Bonding 4차수에서 2차수로 변경 되어 생산성 향상 및 인건비 절감에 이점이 있다. Compression mold 적용으로 wire sweeping을 최소화 하였으며 WBL Tape 10um 제품을 사용하여 Coplanarity에 최적화된 설계로 안정적인 양산 능력을 확보 하였다.	2021.3Q	2021.3Q	완료

12" Recon. Wafer을 적용한2-Die Stack 16Gb(8Gb LPDDR4x2)10x15_F200 패키지 개발	Micron社의 8Gb LPDDR4 Die를 Stack 으로 구성한 200B 패키지이다. Bare Wafer가 아니라 Tape에 Die Attach가 되어 있는 Recon. Wafer 형태로 제공 되어 Die preparation 공정 진행 없이, Die Attach 부터 진행이 가능하다.(DP공정이 완료된 상태로 Die가 제공되는 관계로 Die Thickness 및 WBL Tape의 Model을 변경할 수가 없음) 구조적으로 Film On Wire Tape이 적용되야 하므로 Mirror Die를 삽입 하였으며 5가지 두께 조합으로 개발 하였다.	2021.3Q	2021.3Q	완료

사무용 PC, 테블릿 PC용보안 칩(암호화 칩) 적용된10x10_144B 패키지 개발	고객 사에서 직접 설계한 보안 칩(MSOC2_3)을 적용한 Single Die Package 제품이다. 타사에서 12x12mm BGA로 개발 하였으나, 양산 목적으로 10x10mm으로 변경하여 기존 제품 대비 PKG Size에 대한 경쟁력을 강화 하였다. 기존 양산 Tool을 적용하여 별도 투자 없이 진행 하였으며 제품의 특성에 유리한 Au Wire를 적용 하여 개발 하였다. SDP PKG로 기술적으로 큰 Risk가 없어 안정적인 양산이 가능하다.	2021.3Q	2021.3Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한64GB ROM/4GB RAM(10ny세대)6단 uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	Controller Wire Bonding을 Flipchip Bond로 대체하여 Controller와 Nand 사이에 신호 안정성 및 PKG 공간 확보를 통한 고용량 제품에 적합 uMCP PKG로 설계하였으며, 전압 조절 위해 PMIC(Power management IC)를 추가 적용하여, 고용량 소형화 제품 및 고객 맞춤형 High End Mobile 기기에 적합한 패키지 개발.	2021.3Q	2021.3Q	완료

14nm 1286Gb 낸드플래시를 적용한저용량 스토리지 패키지 개발(UDP2.0 16GB)	SEC 14nm MLC 128Gb Nand Dump Die를 적용하여 16GB 저용량 UDP 2.0 패키지를 구현하였다. AU6989SN-TA Controller + Dump 128Gb Nand 조합의 1stack 제품으로 256Gb, 512Gb Dump Nand 파생 패키지 개발 가능하며 Dump Nand를 활용한 저용량, 저단가 UDP 제품 시장의 보급형 제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2021.3Q	2021.3Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) +RDL(재배선) WF + 235um GAL공법적용한 78ball DDR4 플립칩 패키지 개발	16m(나노) Tech의 RDL(재배선) Wafer에 CPB공정이 적용된 Flipchip 제품이다. Scribe line 60um로 GAL(Grinding After Laser)공정을 적용하여 235um 비교적 두꺼운 Si wafer에 대한 Laser sawing condition을 내부 2beam, 외부 1beam으로 Fine Tuning하여 분단성 품질 및 작업성을 확보하였다. 또한, Cavity vacumm molding system을 적용하여 EMC 충진성을 확보하였다. 고객 긴급 개발 요구사항으로 DOE/신뢰성 동시 평가진행을 통한 제품개발 일정을 단축하여, 21년 하반기 Flipchp BGA 주요제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2021.3Q	2021.3Q	완료

3D NAND 128Gb+10nx 12Gb LPDDR4적용한 32GBROM/6GBRAM보급형 254B(6Stack) eMCP 패키지 개발	128Gb 3D Nand flash 2개, 12Gb LPDDR4 4개 그리고 Controller chip으로 구성된 eMCP(Embeded Multi-Chip Package) 제품이다. Mobile Dram을 Side by Side로 2단 배치하고, Controller chip 양옆으로 Spacer die를 배치하여 최종적으로 상단에 Nand Flash 2개를 계단식으로 적층한 Dolmen 구조제품이다. 특히, Mobile 2chip Wire 상단에 Nand FOW(Fill Of Wire) Tape이 동시 penetration 되도록 최초 구조설계하여 Package 두께를 더욱 얇으면서 작업성과 신뢰성 모두를 만족하는 제품으로 개발하였다.	2021.3Q	2021.4Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) +RDL(재배선) WF + 170um SD공법적용한 F78 DDR4 플립칩 패키지 개발	RDL(재배선) Wafer에 C2타입 CPB(Cu Pillar Bump)를 적용한 Flipchip BGA 제품이다. Wafer Scribe lane이 56um 협소한 제품으로 SDBG공법을 적용 Parameter 최적화를 진행하여 Chip 분단성을 확보하였다. Bump Height 62um이고, Mold Gap Height는 55um 수준으로 MUF공법을 적용하여 EMC 충진성 확보하였다. 고용량 16G DDR4 제품으로 22년 상반기의 Main Memory 제품으로 자리잡을것으로 예상된다.	2021.4Q	2021.4Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한32GB ROM/4GB RAM(10ny세대)5단 uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	C2타입 CPB를 동일하게 적용하였고, Fine Cu Pillar Bump Pitch(50um) 적용된 Controller Bumped Wafer 적용 및 CUF(Cu piller Under Fill) 공법을 적용한 PKG 구조를 적용하였으며, 고용량 소형화 제품에 접합한 고객 맞춤형 패키지 제품으로 기존 제품 대비하여Nand die 두께 증가 및 하부 Dummy die를 제거하여, 제조 원가 및 구조적인 안정성을 확보한 제품 개발 및 양산.	2021.4Q	2021.4Q	완료

128Gb 3D-NAND와 FOD공법 적용한16GB용량(128GbX1)153B eMMC_5.1 패키지 개발	Nand와 Controller chip 조합의 eMMC 5.1 제품이다. Controller wafer 두께를 50um Thin wafer로 가공하고, Wire bonding공정 Loop height Max. 50um로 Setup하였다. 자사 최초 FOD(Fill OF Die) Type DAF를 적용하여 Nand DAF가 Controller chip과 Wire를 모두 감싸는 Stack 구조 2단 MCP(Multi Chip Package)이다. Nand Chip 2nd Die attach공정 시 1st Controller Chip Wire의 눌림과 Tape void 최소화 하기 위해 Bond Search speed Level를 최소수치로 setup 하였다. 향후 이제품과 같이 FOD DAF를 적용하여 Dummy die Skip 및 Wire usage를 최소화 할 수있는 Unit design 설계가 가능할 것으로 기대된다.	2021.4Q	2021.4Q	완료

Digital Audio 칩을 적용한18x18 245Ball 패키지 개발	USB, SD Card, Nand Flash등 다양한 스토리지를 엑세스 할 수 있는 다중 형식 디지털 오디오 플레이어용 시스템 컨트롤러 및 디코더 컨트롤러 기능을 위해 설계된 System On Chip을 적용하여 18x18mm SDP 245 FBGA 패키지로 개발하였다.다중 형식 디지털 오디오(MP3/WMA/Ogg/AAC-LC/AAC+/MUSICAM/BSAC) 디코딩, 온칩 SRAM 및 ROM, 다양한 오디오 인터페이스를 통합하며 디지털 오디오 디코딩, 파일 시스템 관리 및 시스템 제어에 필요한 제어 코드와 신호 처리의 조합을 위해 최적의 성능과 코드 밀도를 제공한다. 전력 소비가 적은 디지털 오디오 제품에 적합한 제품이다.	2021.4Q	-	진행중

10nm-3세대 60um SDBG 공정이 적용된8-Die Stack 96Gb(12Gb LPDDR5x8)Mobile용 496B 패키지 개발	10나노급 12Gb LPDDR5 칩을 8단 적층하는 구조의 신규 제품으로 SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여, 분단성 및 Chip crack 발생을 최소화하였다. FBGA 496ball 신규 인프라를 확보하여 개발 하였으며, DA공정에서 4단 FMS(Full Auto Multi Step)Kit 적용하여 NFC crack / Pick-up성을 확보 및 최적 구조 설계를 통하여 고온 Wapage 편차를 최소화한 제품이다	2022.1Q	2022.2Q	완료

10nm-3세대 150um SDBG 공정이 적용된2-Die Stack 24Gb(12Gb LPDDR4x2)Mobile용 200B 패키지 개발	10나노급 12Gb LPDDR4 칩을 2단 적층하는 구조의 신규 제품이다. SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여 Chip crack 및 Top chipping 발생을 최소화한 제품으로, DA공정에서 FMS(Full Auto Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 예방한 특징이 있다. FBGA 200ball은 기존 양산 인프라를 동일하게 적용하였다.	2022.1Q	2022.2Q	완료

14nm 256Gb 낸드플래시를 적용한USB용 스토리지 패키지 개발(UDP2.0 32GB)	SEC 14nm MLC 128Gb Nand Dump Die를 적용한 16GB 저용량 UDP 2.0 패키지에 파생 제품으로 256Gb Nand Dump Die를 적용하여 용량을 상승시켰다. Dump Nand를 활용하여 저용량, 저단가 UDP 제품 시장의 보급형 제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2022.1Q	2022.1Q	완료

14nm 5126Gb 낸드플래시를 적용한USB용 스토리지 패키지 개발(UDP2.0 64GB)	SEC 14nm MLC 128Gb Nand Dump Die를 적용한 16GB 저용량 UDP 2.0 패키지에 파생 제품으로 512Gb Nand Dump Die를 적용하여 용량을 상승시켰다. Dump Nand를 활용하여 저용량, 저단가 UDP 제품 시장의 보급형 제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2022.1Q	2022.1Q	완료

SM2736 Controller 적용3-Die embeded Stack(64Gb+8Gb)5G통신모듈용 254B 패키지 개발	SM2736 Controller를 적용한 eMCP 제품이다. DRAM을 Side by Side구조로 배치하여 용량을 상승 시켰다. 위에 Nand Die Fow Tape 60um 적용하여 Tunnel 형태로 설계하고 EMC 미충진 Risk를 제거 하기 위해 C-Mold를 적용 하였다. PKG 기준, 우측 부분 Controller 외 Die가 없어 Warpage Risk가 우려 되었으나(Mirror Die 삽입을 검토) Ball이 PKG 안쪽으로 위치해 있어 큰 영향성은 없을것으로 판단하여 개발 하였다. Build 진행 결과 Coplanarity 특이 사항 없음을 확인 하였다.	2022.1Q	2022.1Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) +RDL_WF + 125um SD공법적용한 F82 DDR5 플립칩 패키지 개발	RDL(재배선) Wafer에 C2 Type CPB공정이 적용된 Flipchip 제품이다. GAL(Grinding After Laser)공정을 적용하여 Wafer Thickness 120um 의 Chip 분단성을 확보하였다. 기존 F/C 제품과 동일하게 MUF(Molded Underfill)공법을 적용하여 CPB 충진성 및 작업성을 만족시켰다. DDR5 1세대 제품으로 2022년 하반기부터 주력 양산 제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

10nm-2세대 60um SDBG 공정이 적용된4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR5x4)Mobile용 315B 패키지 개발	10나노급 32Gb LPDDR5 칩을 4단 적층하는 구조의 신규 제품이다. SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여 Chip crack 및 Top chipping 발생을 최소화한 제품으로, DA공정에서 FMS(Full Auto Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 예방한 특징이 있다. PoP Top Pakcage FBGA200 후속 Version으로 Ball Array FBGA315 규격의 Solder ball mount공정 신규 Setup하였으며, Module 실장 Simulation data인 고온 Warpage 검증 결과 양호한 결과값을 확인하였다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

10nm-2세대 60um SDBG 공정이 적용된2-Die Stack 16Gb(8Gb LPDDR5x2)Mobile용 315B 패키지 개발	10나노급 32Gb LPDDR5 칩을 2단 적층하는 구조의 신규 제품이다. SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여 Chip crack 및 Top chipping 발생을 최소화한 제품으로, DA공정에서 FMS(Full Auto Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 예방한 특징이 있다. PoP Top Pakcage FBGA200 후속 Version으로 Ball Array FBGA315 규격의 Solder ball mount공정 신규 Setup하였으며, Module 실장 Simulation data인 고온 Warpage 검증 결과 양호한 결과값을 확인하였다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

10nm-4세대 60um SDBG 공정이 적용된4-Die Stack 32Gb(8Gb LPDDR5x4)Mobile용 200B 패키지 개발	10나노급 32Gb LPDDR5 칩을 4단 적층하는 구조의 신규 제품이다. SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여 Chip crack 및 Top chipping 발생을 최소화한 제품으로, DA공정에서 FMS(Full Auto Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 예방한 특징이 있다. FBGA 200ball은 기존 양산 인프라를 동일하게 적용하였다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

Dumped Die NAND를 이용한16GB용량(128GbX1)153B eMMC_5.1 패키지 개발	Nand와 Controller chip 조합의 eMMC 5.1 제품으로 128Gb Nand를 적용하여 고용량을 요구하는 모바일 기기 저장 장치에 적합한 제품을 개발 하였다. AS2726 Controller + Dump SEC MLC 128Gb Nand 조합의 1stack 제품으로 11.5x13.0mm PKG Size를 구현하기 위해 Dummy Die 2ea를 Nand Die 아래 위치하는 구조 채택 하였으며, Dummy Die 사이 공간에 Controller를 배치하였다. Tunel 구조 EMC 충진성 확보를 위해 Compression Mold 적용하였다. 256Gb, 512Gb Dump Nand를 적용한 고용량 파생 패키지 개발 가능하며 고용량 eMMC 제품으로 자리 잡을 것으로 예상된다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

SM2735 Controller 적용3-Die embeded Stack(64Gb+8Gb)Automotive통신모듈용 162B 패키지 개발	SM2736 Controller를 적용한 eMCP 제품이다. DRAM이 2stack으로 Nand위에 배치되는 구조이며, Overhang이 약 870um 있어 Die Crack을 방지하기 위해 DRAM 1차 100+20um / DRAM 2차 70+60um로 제품 설계를 진행 하였다. Nand Loop 구현시 역방향 간섭 해소를 위해 Nand pad to dram 250um를 확보 하였다. 유사 제품 진행 이력을 근거로 큰 특이사항없이 개발 가능 할것으로 판단 된다.	2022.2Q	2022.3Q	완료

팔라듐 코팅 구리(PdCu) 와이어를 적용한16x16 120LQFP 패키지 개발(Consumer_MCU용)	생활가전제품에 적용되는 MCU로 16x16mm 120LQFP 패키지로 구현한 제품이다. 팔라듐 코팅 구리(PdCu) 와이어와 Stamped Leadframe을 적용 하였으며 50um Die Pad와 62um Die Pad Pitch를 반영하여 0.8mil Wire를 채택하여 W/B 공정을 설계하였다. 고사양과 저사양 모두 만족시킬 수 있는 중간 사양의 제품으로 생활가전제품의 메인유닛, 인버터, 디스플레이 MCU 시장에 메인제품으로 공급될 것으로 예상된다	2022.3Q	-	진행중

구동채널확대(48CH>120CH) 구현을 위해DDP공법+6LYR PCB를 적용한uLED Driver IC용241B FBGA 패키지 개발	Micro LED Driver를 적용한 3MCP 제품이다. 기존에는 Driver를 1chip만 적용 하였으나 채널 확대를 위해 2chip을 적용하여 신규 개발하는 제품이다. 중첩되는 Wire가 있어 Low Loop 구현이 불가하여 FOW Tape이 아니라 Dummy Die를 삽입하여 3MCP로 제품 설계 하였다. 이로 인해 Overhang이 발생하여 Die Crack Risk가 존재 한다. PCB는 Trace에 흐르는 전류에 부하를 견딜수 있게 설계하여 6Layer 0.36T로 제작 예정이다. PCB가 두꺼워 Warpage Risk가 예상되며 진행 이력이 많지 않아 전 공정 품질 점검이 중요한 제품이다.	2022.3Q	-	진행중

10nm-2세대 60um SDBG 공정이 적용된8-Die Stack 64Gb(8Gb LPDDR5x8)Mobile용 496B 패키지 개발	10나노급-2세대 8Gb LPDDR5 칩을 8단 적층하는 구조의 신규 제품으로 SDBG(Stealth Dicing before grind)공법을 적용하여, 조립 진행 간 발생하는 공정 stress를 최소화하였다. FBGA 496ball 신규 인프라를 확보하여 개발 하였으며, DA공정에서 4단 FMS(Full Auto Multi Step)Kit 적용하여 NFC crack / Pick-up성을 확보 및 최적 구조 설계를 통하여 고온 Wapage 편차를 최소화한 제품이다	2022.3Q	2022.4Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump)플립칩 Controller를 적용한128GB ROM/8GB RAM(10nm 4세대)10단 uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	Controller Wire Bonding을 Flipchip Bond로 대체하여 Controller와 Nand 사이에 신호 안정성 및 PKG 공간 확보를 통한 고용량 제품에 적합 uMCP PKG 제품으로. Fine Cu Pillar Bump Pitch적용된 Controller Bumped Wafer 적용 및 CUF(Cu piller Under Fill) 공법을 적용한 PKG 구조를 적용하였으며, 고용량 소형화 제품 및 High End Mobile 기기에 적합한 패키지 개발.	2022.3Q	-	진행중

10nm-4세대 60um SDBG 공법이 적용된2-Die Stack 16Gb(8Gb LPDDR4x2)Mobile용 315B 패키지 개발	10나노급-4세대 32Gb LPDDR5 칩을 4단 적층하는 구조의 신규 제품이다.DA공정에서 FMS(Full Auto Multi Step) Kit 적용하여 NFC crack을 포함한 미세 crack을 사전 차단 하였으며. PoP Top Pakcage FBGA200 후속 Version으로 Ball Array FBGA315 규격의 Solder ball mount공정 신규 Setup하였으며, 최적 구조 설계를 통하여 구조적인 안정성을 확보한 제품이다.	2022.3Q	2022.4Q	완료

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) +Amstrong_WF + (PBG SKIP)150um SD공법F82 DDR5 플립칩 패키지 개발	C2타입 CPB(Cu Pillar Bump) 적용된 16Gb DDR5 Flipchip Package 제품이다. GAL(Grinding After Laser)공법을 동일 적용하였으나, Wafer 반사율 측정을 통해 전처리 Pre-grinding 공정을 Skip하여 Back-grinding 생산성 Loss를 최소화하였다. Die thickness 150um / Mold Top margin 210um 제품구조로 MUF(MUF(Mold Under-Fill)공법적용 Bump gap 충진성을 확보하였다. 향후 DDR5 주력 양산 제품으로 자리잡을 것으로 기대된다.	2022.3Q	2022.3Q	완료

260um GAL공정이 적용된2-Die Stack 8Gb(4Gb LPDDR4x2)Mobile용 200B 패키지 개발	8Gb LPDDR4 2개 Chip을 Side by side 구조로 구성한 7.5x13.8mm Size 200FBGA Package 제품이다. Chip 두께 260um로 GAL(Grinding After Laser)공정에서 3Beam Laser parameter setting 통한 분단성 확보하였다. GAL공법 적용된 Die thickness 200um이상의 최초 개발 제품으로 Die attach공정의 Chip간 간격 확보를 통해 Chip간의 간섭을 최소화 하여 Corner crack을 예방하였다. Mold thickness 550um로 Compression mold 적용을 통해 Wire sweeping 및 Package 두께 편차를 최소화한 Mobile Package 제품이다.	2022.3Q	2022.3Q	완료

170um GAL공정이 적용된2-Die Stack 48Gb(24Gb LPDDR4x2)Mobile용 200B 패키지 개발	24Gb LPDDR4 2개 Chip을 Side by side 구조로 구성한 10x15mm Size 200FBGA Package 제품이다. Chip 두께 170um로 GAL(Grinding After Laser)공정에서 3Beam Laser parameter setting 통한 분단성 확보하였다. 삼성 Kepler 24Gb XM-ver Wafer 특성이 GAL 살란에 취약하여 Laser power 마진평가를 통해 GAL Parameter optimize 진행하였다. Mold thickness 500um로 Compression mold적용하였고, Norminal 0.9mm Thin Mobile Package 제품이다.	2022.3Q	2022.4Q	완료

WB 타입_Controller를 적용한32GB ROM/6GB RAM(10nm_3세대)8단 eMCP(eMMC+LPDDR4)패키지 개발	기존 양산중인 9eMCP F254 Mobile 후속 Tech 제품으로 개발되었다. 8eMCP 제품으로 Controller Die 1EA, Mobile die 2EA, Space Mirror die 3EA, Nand die 2EA 구성된 MCP(Multi Chip Package)이다. 24Gb Mobile LPDDR4 Chip 2ea, Controller chip 1ea 그리고 Controller의 상/하 Mirror chip 2EA로 하단을 구성하고, 그위 FOW(Fill of Wire)이용 Mirror die 1ea와 Nand Chip 2ea를 적층 시킨 Doleman 구조의 제품이다. Nand chip은 Die crack 예방을 위하여 Die attach공정에서 FMS(Full auto Multi Step) Kit를 적용하였고, Compression mold 적용을 통해 Doleman 구조의 Narrow Gap 충진성을 확보 Void 불량을 예방하였다.	2022.3Q	2022.3Q	완료

WB 타입_Controller를 적용한128GB ROM/12GB RAM(10nm_3세대)12단 uMCP(UFS+LPDDR4)패키지 개발	Mobile 6ea, Controller 1ea, Nand 2ea, Space Mirror 3ea로 구성된 12단 uMCP package이다. Mobile, Cotroller, Mirror Chip 상단에 Nand chip이 Stack되는 Doleman 구조 MCP 제품이다. Mobile, Nand wafer는 각각 50um, 35um로 GAL공정을 적용하여 Chip crack 및 Chipping을 최소화 하였고, Mold Top margin 확보를 위하여 Nand chip 5um DAF가 적용된 High tech제품이다. 5um DAF는 Particle에 취약하기때문에 B/G공정 습식 집진기를 추가 적용하여 Dry polishing 시 발생되는 미세 분진을 제거 미세 Particle을 최소화 하였다. 해당 제품 인증을 통해 라인현장 Paticle 관리 수준이 Upgrade 될 것으로 예상되며, 향후 Thin die, High stack 제품 확대가 기대된다.	2022.3Q	2022.4Q	완료

16nm_FET_32GbNAND를 이용한 저용량 임베디드 스토리지153B eMMC_5.1_STD POD패키지 개발	Nand와 Controller chip 조합의 eMMC 5.1 저용량 제품으로 Controller와 Nand Die를 Side by Side로 배치하여 하였다. Controller와 Nand Flash Memory가 패키지로 통합된 eMMC 5.1 국제 규격화 된 패키지로 스마트폰, 태블릿 PC의 부품으로 주로 사용된다. Nand Flash 4GB(32Gb) 저용량으로 초기 개발 하였으며 향후 8GB~128GB까지 제품 개발 예상된다.	2022.4Q	-	진행중

V7 512Gb 3D-Nand WF에50um SDBG와 C-mold공정을 적용한메인스트림 스토리지 F132 패키지 개발(SSD용 256GB)	V7 512Gb 3D-Nand 4Stack 구조의 Multichip BGA Package이다. 8Stack 구조의 고용량 제품까지 고려하여 PKG 높이를 기존제품 Max.1.0mm에서 Max.1.16mm로 상향 반영하였다. Total 214EA I/O Pin Wire bonding 방식으로 Substrate와 연결하고 Tunel 영역 Narrow Gap Filling을 위해 Compression Molding 공법을 적용하였다. SAC305 조성의 0.45mm Solder ball을 이용하여 132Ball array를 구성하고 12x18mm FBGA132 POD를 적용 하였으며 DDP, QDP, ODP 공용 Substrate Design 적용하여 시장이 요구하는 용량에 따라 제품 생산이 가능하도록 제품 설계 반영하였다.	2022.4Q	-	진행중

10nm-3세대 PKG_RDL공법 적용Wafer를 100um SDBG 공법 적용한2-Die Stack 32Gb(16Gb DDR4x2)HPC용 96B 패키지 개발	고성능 컴퓨팅(HPC, High Performance Computing) 환경에 적합한 차세대 메모리 제품으로, 10nm-3세대 PKG_RDL공법 적용 Wafer를 사용하였으며, Au-Bond Pad에 최적화된 Wire boding para.를 적용하여 접합 계면 면적을 확보 하였다.Die 면적 대비 협소한 구조적인 취약점으로 보완하기 위하여 Mold공정 다단 Clamp 방식으로 적용하여 품질 / 신뢰성을 확보한 제품이다.	2022.4Q	-	진행중

C2 타입 CPB(Cu Pillar Bump) +(Inline)RDL_WF + 170um SD공법적용한 F78 DDR4 플립칩 패키지 개발	RDL(Redistribution layer_재배선) Wafer에 C2타입 CPB(Cu Pillar Bump)를 적용한 Flipchip BGA 제품이다.Wafer Scribe lane이 56um 협소한 제품으로 SDBG공법을 적용 Parameter 최적화를 진행하여, Chip간 분단성을 확보 하였으며, EMC물성 변경 적용을 하여 기존 제품 대비 MUF(Mold Under Fill)이후 진행 되는 Cure공정을 Skip함으로써 공정 단순화 및 제조 원가를 감소 시킨 제품이다.	2022.4Q	-	진행중