멜파스 사업보고서 (2021.12)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주 요계약 당사는 본 보고서 제출 기준일 현재 회사의 재무상태에 영향을 미치는 비경상적인 중요 계약이 존재하지 않습니다.

나. 연구개발활동 (1) 연구개발 담당조직

회사 연구개발 조직은 효율적이고 능동적으로 고객사에 대응할 수 있도록 총괄부로구성하였으며, 각 그룹이 유기적으로 협업할 수 있는 구조를 갖추고 있습니다. ( 2) 연구개발 비용

(단위: 백만원)

구 분	제22기	제21기	제20기

비용 처리 세부 내역	원재료비	-	95	125

인건비	1,171	1,644	1,756

감가상각비	-	-	-

위탁용역비	-	-	265

기타경비	4	295	-

소 계	1,175	2,033	2,146

비용 처리	제조원가	-	-	-

판관비	1,175	2,033	2,146

합 계	1,175	2,033	2,146

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	4.89%	4.05%	2.82%

(3) 연구개발 실적 1) 정전용량방식 터치 컨트롤러 IC (Capacitive Touch Sensor Chip)

연구과제	연구기간	연구개발 결과 및 기대효과

1세대 센서칩 Hard-wired Capacitive Touch Sensor	2005.01 ~ 2006.12	- 독자적인 Full analog 방식 capacitive 센싱 IC 개발 - 정전용량방식 터치키 구현 IC 개발(수입 대체) - 세계 최초 Visual feedback 기능 구현용 LED 드라이버 탑재(시장 확대) - 구동 회로 및 부가 기능을 집적하여 동일 기능 구현시 제조 비용 절감

2세대 센서칩 8bit-MCU Embedded Capacitive Touch Sensor	2007.01 ~ 2009.06	- 8bit MCU embedded 방식 capacitive 센싱 IC 개발 - 정전용량방식 터치키/터치스크린 구현 IC 개발(수입 대체) - 대기모드 저전력 소모용 모드 기억 기능 구현용 비휘발성 메모리 탑재(시장 확대) - 구동 회로 및 부가 기능을 집적하여 동일 기능 구현시 제조 비용 절감

3세대 센서칩 32bit-MCU Embedded Capacitive Touch Sensor	2009.07 ~ 2010.03	- 32bit MCU embedded capacitive touch sensing IC 개발 - 32bit MCU의 IC 내장으로 정전용량 센싱 처리 속도를 향상시켜 정밀한 좌표 정보 제공 기능 - 고속처리 속도 구현으로 사용자에게 터치 만족도 향상에 기여

4세대 센서칩 High Sensitive Power Noise Free Capacitive Touch Sensor	2010.07 ~ 2011.02	- 고감도 정전용량방식 센싱회로 구현을 통해 미세터치 가능 - 전원 노이즈 제거용 H/W Filter 내재화하여 사용자 환경에서 발생하는 노이즈에 의한 오동작 및 성능 저하 방지 기능 - 2-chip 연동 기술 구현으로 Tablet PC와 같은 중대형 터치스크린 솔루션 제공

5세대 센서칩 Superior Sensitive Higher Performance MCU Touch Sensor	2012.03 ~ 2012.12	- 신호대 잡음비 개선해서 미세터치 구현 (1mm 스타일러스) - 장갑 터치 구현 - 고성능 MCU 적용으로 디지털 연산 향상

6세대 센서칩 Low Power Consumption Capacitive Touch Sensor	2014.01 ~ 2014.09	- 저전력 설계(~0.5mA) - 장갑 터치 구현, 방수 특성 지원 - Wake up Gesture 인식

In-cell Touch Sensor	2014.01 ~ 2014.10	- Mobile AIT In-cell Touch Solution 확보 - 저전력 Knock-on mode 지원 - Report rate 향상을 위한 성능 확보

7세대 센서칩 Low Power Consumption Capacitive Touch Sensor	2014.08~ 2015.06	- 고감도 Hover sensing 지원 - SNR 개선 (1phi 지원 가능) - Glove/Wet touch 개선 - 저전력 구현

Ultra Low cost capacitive Touch sensor	2014.10~ 2015.6	- Self cap sensing 지원 - 가격경쟁력 확보 및 저전력 구현

6세대 센서칩 Enhance Version	2015.04 ~2015.11	- 최근 trend 에 맞는 가격 경쟁력 확보한 27/34/38 채널 IC 개발 - Wet touch 기능 강화

Touch key sensor	2015.04 ~2015.12	- 4ch touch key IC 개발 - 저전력 구현 및 SDC 요구 사항 만족

Touch sensor with Force touch	2015.06 ~2015.12	- Touch sensor + Force touch integrated chip 개발

In-cell Touch Sensor	2015.06 ~ 2016.01	- 중대형 AIT In-cell Touch Solution 확보 - 저전력 Knock-on mode 지원 - Report rate 향상을 위한 성능 확보

Finger print (Prototype)	2015.06~ 2016.06	- 508dpi 급 지문 인식 센서 Pilot 개발 (Area 방식)

중대형 터치 센서 IC	2015.08~ 2016.06	- 7세대 센서칩 기반의 중대형 지원 IC - 1Layer Pattern을 이용한 15.6" Panel Size 1칩 Solution 제공

Finger print (1세대)	2016.05~ 2016.12	- 508dpi 급 지문 인식 센서 제품 개발 (Area 방식 및 memory-less) 1) 4.8mm x 4.8mm sensor (MFP-100A) 2) 5.6mm x 4.4mm sensor (MFP-100B) 3) 8.0mm x 4.0mm sensor (MFP-100C)

중저가 Hybrid Touch Sensor IC	2016.05~ 2016.12	- 가격 경쟁력 확보 및 저전력/고성능 터치 센서 - 최신 요구사항 만족 (Latency) Pay 모델 저전력 요구사항 만족

TDDI (Touch + DDI ) 통합 센서 칩	2015.09~ 2016.12	- LTPS FHD TDDI 칩 지원 (=Touch+Display driver IC) - 가격경쟁력 갖춘 RAMLESS 제품

In-cell Touch Sensor (Monitor) 개발	2016.08 ~ 2016.12	- 중대형 AIT In-cell Touch Solution 확보 - 저전력 Knock-on mode 지원 - Report rate 향상을 위한 성능 확보 - Monitor 지원

Heavy Load 전용 Touch IC 개발	2017.04 ~ 2017.10	- Heavy load Touch Display 구동용 터치 컨트롤러

Automotive In-cell Touch Sensor	2017.01 ~ 2017.09	- Automotive용 In-cell Touch Controller

TDDI (Touch + DDI ) 통합 센서 칩	2017.07~ 2018.6	- TFT Panel용 HD TDDI 칩 지원 (=Touch+Display driver IC) - 가격경쟁력 갖춘 RAMLESS 제품

중저가 Hybrid Touch Sensor IC with Force Touch	2017.10~ 2018.6	- 가격 경쟁력 확보 및 저전력/고성능 터치 센서 - Force touch 기능

Wearable Touch Sensor IC with Haptic Driver	2019.7~ 2020.5	- Wearable Application 용 저전력/고성능 터치 센서 - Haptic 구동을 위한 Driver 내장

중저가 Hybrid Touch Sensor IC	2020.8~ 2020.12	- 240Hz 고속 구동을 위한 모바일 용 저전력/고성능 터치 센서

2) 정전용량방식 터치키 (Capacitive Touch Key)

연구과제	연구기간	연구개발 결과 및 기대효과

Visual Feedback 터치키 모듈	2005.08~2006.09	- 세계 최초 Visual feedback 기능 제공 터치키 모듈 개발 - 국내 최초 휴대폰용 터치키 모듈 개발 (수입대체) - 터치키 입력시 독립 키별로 제공되는 터치키 입력 피드백을 광학적으로 제공함으로써 사용자에게 기기 제어시 사용선 개선 - 광학적 피드백 기능을 터치 센서칩에서 제공함으로써 제조 비용 절감 D13

Hybrid 키 처리 모듈	2006.03~2006.09	- 기계식키와 터치키를 동일 칩에서 처리하는 Hybrid 키 처리 모듈 개발 - 동일 기능 구현을 위한 세트 H/W, S/W 리소스 절감 및 제조 비용 절감

사용 모드별 동적 활성화 키 모듈	2005.12~2006.05	- 세계 최초 사용모드별 동적으로 키 활성화 기능을 제공하는 터치키 모듈 개발 - 사용 모드별로 필요한 키의 동적 활성화 및 활성화키 가이드용 광학적 백라이팅 기능을 제공함으로써 직관적인 기기 제어 환경 제공

No-bracket 타입 slim형 Visual feedback 터치키 모듈	2006.04~2007.01	- 세계 최초 초박형 visual feedback 기능 제공 터치키 모듈 개발 - 기구물 제거를 통하여 제조 비용 절감 및 SCM 단순화

투명 터치키 모듈	2008.03~2008.09	- 국내 최초 ITO 패널 기반 투명 터치키 모듈 개발 (수입 대체) - 사용 모드별로 필요한 키의 동적 활성화 및 활성화키 가이드용 LCD GUI 연동 기능을 투명 터치키를 통해 제공함으로써 직관적인 기기 제어 환경 제공

Hybrid sensing 지원 터치키	2013.02~2013.10	- Active, Passive 방식 stylus pen 동시 지원 가능- Inductance sensing 기술 적용- 기존 Passive type용 터치키 문제점 개선

고감도 터치키	2014.10~2015.10	- 1phi 입력 기준 고감도 터치키 개발- 공정 최적화로 가격 경쟁력 확보

Touch key + Grip sensor	2016.09~2017.03	- 4ch touch key IC 개발- 저전력 구현 및 Grip sensing 지원 (유럽향포함)

3) 정전용량방식 터치스크린 모듈 (Capacitive Touch Screen Module)

연구과제	연구기간	연구개발 결과 및 기대효과

ITO Film 기반 1-Layer 삼각 전극 터치스크린 모듈 개발	2006.08~2008. 06	- 국내 최초 정전용량방식 터치스크린 모듈 개발 - 국내 최초 1-Layer 터치스크린 모듈 개발 - 세계 최초 1-Layer 삼각 전극 터치스크린 모듈 개발 - 세계 최초 IC, H/W, S/W, 테스트시스템, 공정(ACF, 라미네이션)을 제공하는 정전용량방식 터치스크린 turn-key 솔루션 개발 - 기존 경쟁사 3-Layer 터치스크린 대비 20% 원가 절감

Curved Lamination 터치스크린 모듈 개발	2008.07~2008.12	- 세계 최초 곡면 라미네이션 적용 2.5D 표면 터치스크린 모듈 개발 - 터치스크린 적용 세트 윈도우의 표면 형상 제약을 2.5D로 확장함으로써, 다양한 디자인 수용이 가능한 터치스크린 공정 기술 확보

ITO Film 기반 2-Layer 다이아몬드 전극 터치스크린 모듈 개발	2008.10~2009.04	- 정확도를 개선한 2-Layer 다이아몬드 전극 터치스크린 모듈 개발 - 고기능을 제공할 수 있는 2층 기반 터치스크린 플랫폼 확보를 통하여 기능별 터치스크린 솔루션 포트폴리오 확보

DPW(Direct Patterned Window) 터치스크린 모듈 개발	2009.01~2010.08	- DPW 공법을 적용한 터치스크린 모듈 개발- Window에 직접 ITO를 증착시키는 DPW 공법 개발로 터치 스크린 두께 감소- 기존 공법과 달리 ITO Film을 사용하지 않아서 원가 절감 및 광학 특성 향상 가능

GF1 Type 1-layer 터치스크린 모듈 개발	2013.04~2013.11	- 1-layer ITO 사용으로 원가절감 가능- 미세 Pitch 구현으로 터치 정확도 향상- 배면 Noise filtering 알고리즘

All ITO type 1-layer 터치스크린 모듈 개발	2015.02~2015.08	- GF1 type에서 배선부 및 Bonding부를 ITO Pattern으로 대체하여 원가절감 가능- ITO Sensor 內에 metal or Ag Paste 적용 배제- No Bezel 가능 (신규 Pattern)