동운아나텍 사업보고서 (2022.12)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 연구 개발 실적

연구과제명	연구
기관	연구결과 및 기대효과	상품화 내용

Voltage doubler IC개발
(Flash LED 구동 IC)	자체	- 아나텍 최초의 아날로그 반도체 IC로 개발
- Charge pump type의 전압 제어 기술 확보
- 휴대폰용 Flash LED 구동 목적
- 팬택에 납품되어 양산되어 양산성 검증됨	2005년 제품 양산

PWM 자동 초점 구동IC개발 (PWM type 구동 IC)	자체	- 카메라폰용 자동초점 IC로 국내 최초개발
- PWM로 구동되는 자동초점 기술
- 당사 초기 매출에 기여도가 높은 제품	2006년 제품 양산

8bit 자동 초점 구동 IC 개발( I2C interface, 8bit resolution)	자체	- PWM에서 I2C로 조정되는 자동초점기술 확보
- 해외 경쟁사 업체와 동등수준의 기술 확보
- Small size package로 제작
- 본격적인 매출 기여도가 높은 제품으로 성장	2007년 제품 양산

10bit 자동 초점 구동 IC개발( I2C interface, 10bit resolution)	자체	- Apple Iphone4와 삼성 갤럭시에 탑재
- 10bit 정확도의 DAC 기술 적용
- 선형 ringing control 기능 확보
- 카메라 화소수가 5M pixel에 채용	2009년 제품 양산

Hall feedback을 이용한 자동초점 구동IC개발(Hall 구동, I2C,10bit)	자체	- 삼성 갤럭시에 Hall feedback 자동조점지원기능 탑재
- Hall 소자 설계와 신호 증폭기술 확보
- 경쟁사인 일본 아사이카사이 제품 대체가능	2013년 제품 양산

E2PROM탑재된 자동초점구동 IC개발
(E2PROM, I2C,10bit)	자체	- ROM type의 메모리 탑재
- E2PROM 설계 기술과 신뢰성 확보
- 카메라 전용 메모리 탑재로 시장 수요 확대됨
- 다양한 자동초점 기술에 적용 범위 확대됨	2011년 제품 양산

eFlash탑재된 자동초점구동 IC개발
(eFlash, I2C,10bit)	자체	- 고집적 eFlash 메모리 탑재
- eFlash 설계 기술과 신뢰성 확보
- 카메라 application 메모리 필요 만족
- 세계 최초 고용량 최소형 메모리 기술 확보	2013년 제품 양산

SoC type Piezo type의자동초점 구동 IC개발
(Micom, Piezo, I2C)	자체	- 마이콤이 내장되어 다양한 알고리즘 기술 확보
- 새로운 Piezo actuator 구동 기술 확보
- 온도/전압에 무관한 정밀한 발진 기술 확보
- SoC 설계 기술 확보	2010년 제품 소량 생산

Switching type의 LED 구동IC 개발 (40V 구동, LED 10개)	자체	- 40V boost switching 기술 확보
- LED 전류 미세 조정 기술 적용
- 1-wire를 이용한 dimming 기술 확보
- PWM dimming 기술 확보	2010년 제품 양산

Charge pump type의 LED 구동IC 개발 (LED 6개, 콘덴서구동)	자체	- 콘덴서로 전압을 발생시키는 기술 확보
- 코일을 사용하지 않아 저비용으로 구현
- 휴대폰에 noise 발생을 줄일 수 있음
- LG 전자에 전략적 파트너 관계	2011년 제품 양산

삼성 type AMOLED panel 구동 IC개발 (+4.6V, -5.4V출력)	자체	- 2채널 비동기식 type 개발 완료
- 양전압, 음전압 동기 구현 기술 확보
- AMOLED display 전원구동기술 확보	2011년 제품 양산

LG type AMOLED panel 구동 IC개발 (+10V출력+LDO)	자체	- 1채널 동기식 출력전압 8V급 개발 완료
- 1채널 동기식 출력전압 10V급 개발 완료
- LG 향 AMOLED display 전원구동기술 확보	2012년 제품 양산

고화질 LCD panel 구동 IC개발 (12V 공정사용)	자체	- 동기식 DC/DC 전원변환 기술 확보
- Boost / Buck-Boost 제어기술 확보
- 고정밀(1%정확도) 제어기술 확보
- 자체 개발 메모리 탑재(수율 증가 목적)	2012년 제품 양산

고화질 LCD panel 구동 IC개발 (6V 공정사용)	자체	- 고효율 DC/DC 전원 변환 기술 확보
- 6V 소자로 12V 소자의 특성 확보
- 45% IC 면적 감소 효과
- SIMO 기술 확보	2013년 제품 양산

조명용 40V급 LED 구동 IC개발 (Linear type)	자체	- 40V DMOS 를 사용한 고전압 회로기술 확보
- 적용범위:LED bar, 간판, 백색가전
- 기타 광범위한 조명에 적용 가능	2009년 제품 양산

조명용 40V급 LED 구동 IC개발 (Switching type)	자체	- 1채널 Switching type LED 구동 기술 확보
- 평판용 LED조명 적용 가능	2010년 제품 양산

조명용 60V급 LED 구동 IC개발 (Switching type)	자체	- 고효율 LED조명 구동 기술 확보
- 평판용 LED조명 적용 가능
- 삼성사업장내 LED조명에 채택	2014년 제품 양산

조명용 교류전원 역률개선LED 구동 IC (외주 진행)	OPD
(국내업체)	- PSR type의 non-isolation으로 AC/DC구현기술
- 저가 LED 조명 시장에 공략 가능한 상품
- 다양한 protection 기능으로 안정적 동작지원	2012년 제품 양산

eFlash탑재된 자동초점 구동IC 개발 (eFlash, I2C,10bit)	자체	- 고집적 eFlash 메모리 탑재- eFlash 설계 기술과 신뢰성 확보- 카메라 application 메모리 필요 만족- 세계 최초 고용량 최소형 메모리 기술 확보	2015년 제품 양산

SRA용 HD Haptic 구동 IC 개발	자체	- High Density (HD) Haptic driver IC- Solenoid resonant actuator (SRA) 구동기술	2015년 제품 양산

TFT LCD용 듀얼 출력 전원 IC개발 (Single Inductor Type)	자체	- 고효율 DC/DC 전원 변환 기술 확보- 고정밀 LDO 기술 확보- Negative Charge-Pump 기술 확보- 저전력용 Sleep Mode 탑재	2015년 제품 양산

eFlash탑재된 양방향 자동초점구동 IC 개발 (eFlash, I2C,10bit)	자체	- 고집적 eFlash 메모리 탑재- eFlash 설계 기술과 신뢰성 확보- 카메라 application 메모리 필요 만족- 세계 최초 고용량 최소형 메모리 기술 확보- 양방향 구동 기술 적용	2016년 제품 양산

Closed loop AF driver IC 개발	자체	- DSP 적용, 다양한 제어 알고리즘 구현 가능- Hall sensor interface 적용, 정확한 위치 제어가능- 빠른 제어 speed 구현 가능- 고해상도 ADC, DAC 구현	2016년 제품 양산

3축 OIS 개발	자체	- AF구동 포함 3축 제어 가능한 OIS driver IC 개발- DSP 탑재, 다양한 제어 알고리즘 구현 가능- 자이로센서 interface 및 filter 구현- 30dB의 억압비 구현- SoC 기반 기술 구축	2016년 초도 Sample 제작2019년 제품 양산

모바일 카메라용 AF 구동IC 개발	자체	- AF(Auto Focus) 구동 IC
- Vibration 억제, 소음감소 기능 탑재	2016년 제품 양산

고효율 Backlight용 LED 구동IC 개발	자체	- 고효율 Backlight용 LED 구동 기술 확보
- High Resolution Dimming IP 확보
- Mobile Display 제품 라인업 확대	2016년 제품 양산

중국 type AMOLED Panel구동 IC개발	자체	- 2채널 Boost, 1채널 Buck-boost 내장 개발
- 3W급 AMOLED display 전원구동기술 확보	2017년 제품 양산

High Voltage 진동 모터 구동 IC	자체	- High Voltage 승압 및 구동 기술 확보
- 구동 전압 보상 PWM 구동 기술 확보
- 저대기전력 Voltage Regulator 기술 확보	2018년 제품 양산

TOF용 VCSEL Driver IC	자체	- High current VCSEL Driver: 1A bias current and 3.5A modulation current- Modulation interface: LVDS or CMOS with built-in fail safe function- Eye safety detection- I2C/SPI interface	제품 양산 준비