디엔에프 사업보고서 (2023.12)
5. 위험관리 및 파생거래

1. 금융위험관리당사는 경영활동과 관련하여 신용위험, 유동성위험 및 시장위험 등 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 당사는 금융위험이 경영에 미칠 수 있는 불리한 효과를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.

1) 신용위험관리당사는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있습니다. 당사는 최초 거래시 신용등급 및 거래량을 확인하여 한도를 부여하고 있으며, 채무불이행 및 재고보유량을 확인하여 거래량을 조절하는 방법으로 신용위험을 최소하고자 노력하고 있습니다. 보고기간종료일 현재 회수기일이 경과하였으나 신용등급에 중요한 변동이 없고, 회수가능하다고 판단되어 대손충당금을 설정하지 않은 채권이 포함되어 있습니다. 당사는 이러한 채권에 대하여 담보를 설정하거나 기타 신용보강을 받고 있지 않으며, 거래상대방에 대한 당사의 채무와 상계할 법적 권리도 보유하고 있지 않습니다.

금융상품 종류별 신용위험의 최대 노출금액은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구분	당기말	전기말

장부금액	신용위험최대노출금액	장부금액	신용위험최대노출금액

현금및현금성자산	6,240,868	6,240,868	7,935,196	7,935,196

매출채권	4,019,979	4,019,979	6,057,062	6,057,062

단기금융상품	5,000,000	5,000,000	1,968,219	1,968,219

대여금	425,170	425,170	381,028	381,028

미수금	1,513	1,513	37,702	37,702

임차보증금	3,100	3,100	3,100	3,100

기타보증금	1,710,935	1,710,935	3,804,937	3,804,937

미수수익	2,219	2,219	-	-

합계	17,403,784	17,403,784	20,187,244	20,187,244

2) 유동성위험관리당사는 미래의 현금흐름을 예측하여 단기 및 중장기 자금조달 계획을 수립하여 유동성위험을 관리하고 있으며, 당기말과 전기말 현재 금융부채의 잔존계약 만기에 따른 만기분석 내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 장부금액 1개월 이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년 초과 매입채무 및 기타채무 2,435,606 2,435,606 - - - - 차입금 6,000,000 - 1,000,000 5,000,000 - - 리스부채 121,229 7,021 9,337 39,763 65,108 - 합계 8,556,835 2,442,627 1,009,337 5,039,763 65,108 - (단위 : 천원) 구분 장부금액 1개월 이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년 초과 매입채무 및 기타채무 5,961,232 4,523,370 1,189,639 - 248,223 - 차입금 19,380,810 1,270,000 7,100,830 9,702,490 1,307,490 - 리스부채 302,650 19,425 38,999 122,997 121,229 - 합계 25,644,692 5,812,795 8,329,468 9,825,487 1,676,942 - 3) 시장위험당사는 환율과 이자율의 변동으로 인한 시장위험에 노출되어 있습니다.(가) 외환위험관리① 보고기간종료일 현재 외환위험에 노출되어 있는 당사의 금융자산 및 금융부채의 내역의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 당기말 전기말 USD TWD USD CNH JPY TWD 금융자산 보통예금 17,778 515,897 - 109,616 - 매출채권 390,864 293,040 1,072,135 677,252 8,388 384,213 소계 408,642 293,040 1,588,032 677,252 118,004 384,213 금융부채 매입채무 650,654 - 1,666,656 454,959 - - ② 당사는 외화거래 수행에 따라 다양한 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당기와 전기 중 주요 통화별 환율변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 당기 전기 10% 상승 10% 하락 10% 상승 10% 하락 USD (24,201) 24,201 (7,862) 7,862 CNH - - 22,229 (22,229) JPY - - 11,800 (11,800) TWD 29,304 (29,304) 38,421 (38,421) (나) 이자율위험관리당사는 고정이자율과 변동이자율로 자금을 차입하고 있으며, 이로 인하여 이자율위험에 노출되어 있습니다. 당사는 고정금리차입금과 변동금리차입금의 적절한 균형유지 정책을 수행하는 등 이자율위험을 관리하고 있으며, 당기말과 전기말 중 이자율위험에 노출된 차입금 내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 전기말 변동금리차입금 18,480,810 이자율 1% 포인트 변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 전기 1% 포인트 상승 1% 포인트 하락 이자비용 184,808 (184,808) (다) 기타가격위험요소당사는 재무상태표상 당기손익-공정가치측정금융자산으로 분류되는 지분증권의 가격위험에 노출되어 있습니다. 당기말 현재 당사의 시장성있는 지분상품은 당기손익공정가치측정금융자산으로 분류되어 공정가치의 변동이 손익으로 반영되고 있으므로, 주가가 10% 상승(하락)하는 경우, 지분상품의 가격 변동이 당사의 법인세비용차감전순손익에 미치는 효과는 686,077천원 (전기: 654,333천원) 증가(감소)입니다. 2. 자본위험관리 당사의 자본관리 목적은 계속기업으로 영업활동을 유지하고 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화하고 자본비용의 절감을 위하여 최적의 자본구조를 유지하는데 있습니다. 당사는 배당조정, 신주발행 등의 정책을 통하여 자본구조를 경제환경의 변화에 따라 적절히 수정변경하고 있습니다. 당사의 자본위험관리정책은 전기와 중요한 변동이 없습니다. (단위 : 천원) 구분 당기말 전기말 부채총계 10,577,475 32,776,470 차감: 현금및현금성자산 6,240,868 7,935,196 순부채 4,336,607 24,841,274 자본총계 155,009,615 157,768,193 순부채비율 2.80% 15.75% 6. 주요계약 및 연구개발활동 1. 경영상의 주요 계약 계약이행완료일 계약의 목적 및 내용 계약 상대방 2023.12.28 최대주주 변경을 수반하는 주식양수도 계약 체결 솔브레인주식회사 2023년 10월 30일 계약 체결 후, 2023년 12월 28일 주식양도잔금 지급으로 계약이행을 완료하였습니다. 자세한 사항은 2023년 12월 28일 공시된 '최대주주변경을수반하는주식양수도계약체결' 내용을 참고하시기를 바랍니다. 2. 연구개발활동 가. 연구개발활동의 개요 당사는 급변하는 반도체 전자 재료시장에서 향후 사용 가능성이 있는 신규 물질 연구개발에 대한 연구 개발을 수행하고 있습니다. 나. 연구개발 담당 조직 당사에서는 최상의 성능과 품질을 보유한 제품을 개발하기 위하여 핵심기술 개발에 집중하는 것은 물론이고 사업영역의 확대와 미래기술 확보를 위하여 노력하고 있습니다. 연구개발 조직의 내용은 다음과 같습니다. 금속재료연구센터 비금속재료연구센터 ◎ 차세대 ALD/CVD Metal 전구체 개발◎ 차세대 전구체 평가 및 ALD / CVD Process 개발◎ 차세대 OLED Display용 소재 개발◎ 차세대 고이동도 박막 트랜지스터용 소재 개발 ◎ ALD/CVD Si 전구체 개발◎ 전구체 평가 및 ALD / CVD Process 개발 다. 연구개발 비용 당사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다. (단위 : 원) 과 목 제23기(당기) 제22기(전기) 제21기(전전기) 비 고 연구개발비용 총계 7,212,713,071 5,820,501,911 11,086,471,572 - (정부보조금) (483,684,266) (570,590,529) (1,691,892,071) - 연구개발비용 계 6,729,028,805 5,249,911,382 9,394,579,501 - 회계처리 판매비와 관리비 6,729,028,805 5,249,911,382 9,394,579,501 - 제조경비 - - - - 개발비(무형자산) - - - - 연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100] 7.99% 5.42% 7.39% - ※ 제23(당)기는 종속회사 매각에 의해 개별기준으로 작성되었습니다. 제22(전)기는 비교표시를 위해 개별기준으로 작성되었으며, 제22(전)기 연결기준은 제22(전)기 사업보고서를 참고하시기 바랍니다. 제21(전전)기 재무제표는 연결기준으로 작성되었습니다. 라. 연구개발 실적 연구과제 연구기관 개발완료 연구결과 및 기대효과 Al 전구체 개발 자체개발 2005.10 반도체 배선 박막재료로 매출 기여 ACL 소재 개발 자체개발 2007. 9 Hardmask 용 박막재료로 매출 기여 SOD 소재 개발 자체개발 2010.12 SOD 박막재료로 매출 기여 DPT용 소재 개발 자체개발 2012. 4 DPT 박막재료로 매출 기여 DRMA용 High-k 소재 개발 자체개발 2013. 8 DRAM Capacitor 용 박막재료로 매출 기여 Low-k 소재 개발 자체개발 2013.11 저온 Low-k 박막재료로 매출 기여 High-k metal gate용 소재 개발 자체 개발 2016.12 금속 실란계 화합물로 MSiO4 박막재료로 활용 기대 Si 산화막 및 질화막용 소재 개발 자체개발 2016. 2 실리콘 산화막 및 질화막 재료로 매출 기여(CSN series) Si 산화막 및 질화막용 소재 개발 자체개발 2017. 5 실리콘 산화막 및 질화막 재료로 매출 기여(DTDX series) High-k 용 소재 개발 자체개발 2017.12 High-k 용 박막재료로 매출 활용 기대(ZTA series) High-k 용 소재 개발 자체개발 2017.12 High-k 용 박막재료로 매출 활용 기대(HTA series) 다목적 Si 소재 개발 자체개발 2019.12 DPT 및 봉지재 박막 재료로 매출 기여(NSi series) OLED용 봉지막 Si 및 Metal 소재 개발 자체개발 2021.12 OLED용 봉지막 재료로 매출 기여 예상 디스플레이 산화물 TFT ALD용 소재 개발 자체개발 2022.12 차세대 디스플레이 TFT용 제품 활용 예정 7. 기타 참고사항 1. 지적재산권 보유현황 본 보고서 작성기준일 현재 51건의 특허권을 취득하여 보유하고 있으며, 각 특허권의 상세 내용은 다음과 같습니다. 종 류 취득일 내 용 근거법령 취득소요현황 인력 기간 비용 전자재료 2005.09.07 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 9월 2억 전자재료 2006.09.13 루테늄 박막증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 1년3월 5억 전자재료 2007.09.04 게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을 이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성방법(칩메이커와 공동연구) 특허법 5명 1년2월 4억 전자재료 2008.05.07 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 3명 2년 5억 전자재료 2010.05.10 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법 특허법 6명 2년3월 4억 전자재료 2010.05.10 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 특허법 6명 2년4월 5억 전자재료 2010.05.10 신규한 저머늄유도체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 6명 1년7월 4억 전자재료 2011.06.02 알킬아미노실란의 제조 특허법 6명 1년10월 2억 전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 전자재료 2014.01.24 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 (대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 4월 1억 전자재료 2014.02.18 산화아연계 박막 증착용 전구체, 그 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법(대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 1억 전자재료 2015.05.07 접착제 조성물 및 그 조성물을 이용한 웨이퍼 본딩 방법 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2015.11.10 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 특허법 11명 2년 1억 전자재료 2015.12.29 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물(대기업 공동특허) 특허법 11명 2년 1억 전자재료 2016.01.15 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2016.02.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2016.02.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2017.03.16 실리콘 전구체를 포함하는 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2017.03.21 신규한 트리실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.05.08 붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 특허법 5명 2년 1억 전자재료 2017.05.08 신규한 사이클로다이실라잔 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.05.24 붕소함유 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 붕소함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.06.02 게르마늄 유도체 함유 박막증착용 조성물, 이를 이용하여 제조된 게르마늄 함유 박막 및 이를 이용한 게르마늄 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2017.07.14 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법 특허법 8명 2년 1억 전자재료 2017.08.16 붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.08.17 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.09.18 실리콘 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 유전막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2018.02.22 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2018.05.08 신규한 트리실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2018.06.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 및 원자층 증착법을 이용한 Si-N결합을 포함하는 절연막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2018.08.17 비정질 탄소막 및 이의 제거방법 특허법 4명 2년 1억 전자재료 2019.03.12 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속함유 박막 증착용 조성물 특허법 8명 2년 1억 전자재료 2019.07.25 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2019.08.20 플라즈마 원자층 증작법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2019.10.11 금속 트리아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속 함유 박막증착용 조성물 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2019.10.15 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2020.02.04 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2020.03.19 규소함유 유기금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2020.03.19 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.04.23 실리콘함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.04.23 실릴아민 화합물, 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.10.12 비스(아미노실릴)아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2020.12.08 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2021.02.15 비스(아미노실릴)아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2021.05.10 유기금속 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법(대기업 공동특허) 특허법 3명 2년 1억 전자재료 2021.08.04 박막 내 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 실리콘 금속 산화물 봉지막 및 이의 제조방법 특허법 13명 2년 1억 전자재료 2022.01.20 몰리브덴 함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 몰리브덴함유 박막 특허법 5명 3년 1억 전자재료 2022.03.08 루테늄함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 루테늄함유 박막 특허법 5명 3년 1억 전자재료 2022.07.15 신규한 실릴사이클로다이실라잔 화합물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 3년 1.5억 전자재료 2023.06.22 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 5년 1억 2. 환경 관련 사항 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항을 규제하는 정부규제의 준수에 대한 사항은 다음과 같습니다. 환경배출물질 법규 규제 사항 준수 사항 먼지, 염화수소, 황화합물 등 대기환경보전법 대기방지시설 (1차 흡착탑/1차 세정식 스크러버) 대기 자가측정 (월2회 측정 /배출허용기준 미만) COD, BOD, SS 등 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만) 비점오염원 저감설비 설치 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 SS,먼지등 강우시 발생되는비점오염원 저감 후 배출 사업장 폐기물 폐기물 관리법 허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체를 통한 전량 외주 처리 ※ 당사는 상기와 같은 법규 준수 및 아래와 같은 환경보호 활동을 능동적으로 대응하고 있습니다. - ISO14001 환경 인증 및 유지관리 - 녹색성장 기본법에 준하는 온실가스 인벤토리 구축 및 배출 감소 활동 - 폐기물 재활용화 사업을 통한 가치 창출 - 안전보건경영시스템 인증획득(ISO45001) 3. 사업의 내용과 관련된 사항 가. 산업의 특성 및 성장성 인공지능(AI), 사물인터넷, 자율주행, 5G 등 신흥 기술에서 반도체 소재에 대한 수요가 증가함에 따라 반도체 산업은 상당한 성장 국면을 맞이하고 있습니다. 칩의 소형화, 경량화, 저전력 소모, 고용량화, 고속화 등의 수요 트렌드에 부응하기 위해 업계에서는 공정, 장비, 소재 혁신을 통해 지속적으로 기술 발전을 이루고 있습니다. 그러나 반도체용 정밀화학 소재 산업, 특히 반도체 제조의 핵심인 증착용 소재 산업은 글로벌 시장에서 선전하고 있는 전방 산업이나 국산화 기술 개발이 활발한 장비 산업과 달리, 상당 부분 미국, 유럽, 일본 소수의 대기업이 과점하고 있어 신규 플레이어의 시장 진입이 쉽지 않은 상황입니다. 따라서 국내 반도체 제조 업체의 시장 경쟁력을 높이기 위해서는 지속적인 국산화 노력이 필요한 산업입니다. 시장조사업체 Precedence Research에 따르면 2023~2032년 예측 기간 동안 반도체 시장 규모 연평균 성장률(CAGR)을 12.28%로 전망했으며, 향후 장기적인 측면에서 지속적인 성장이 예상됩니다. precedence research 2023-06-20.jpg Precedence research(2023-06-20) 나. 경기변동의 특성 및 계절성 코로나 19 바이러스 팬데믹으로 소비 감소가 이어지고, 미국과 중국의 무역분쟁, 러시아-우크라이나 전쟁으로 인한 글로벌 변동성 확대 및 불안감 증가로 국제 정세에 미치는 영향이 작다고 할 수 없습니다. 또한 메모리 반도체는 소품종 대량생산 방식으로 가격 변동이 매우 큰 반면 시스템 반도체 가격은 변동이 상대적으로 크지 않는 모습으로 한국의 반도체 수출은 메모리 부문이 차지하는 비중이 커서 글로벌 반도체 경기의 변동에 취약한 모습을 보이고 있습니다. 이렇듯 반도체의 수요, 가격, 국제정세 등은 반도체용 소재 매출 상황에 큰 영향을 끼치는 중요한 요인들입니다. 다. 국내외 시장 여건 코로나19, 미국과 중국의 무역분쟁, 러시아-우크라이나 전쟁, 환율·금리·물가 등의 영향으로 불확실한 환경에서 빠른 속도로 나빠진 세계 경제는 IT 기기 소비자 수요를 위축시켰고, 대규모 공급 과잉과 가격 하락으로 이어졌습니다. 시장조사업체 Gartner의 예측에 따르면 2023년 세계 반도체 매출은 총 5,340억 달러로 작년대비 10.9% 감소한 것으로 나타났습니다. 구체적으로 세계 메모리 시장이 2023년 38.8% 감소한 뒤 2024년 66.3% 성장하며 크게 반등할 것으로 전망했습니다. 낸드 플래시 매출은 2023년에 38.8% 감소하나, 2024년에 낸드 매출이 전년 대비 49.6% 성장할 것으로 예측 했습니다. 2024년 메모리 시장의 두 자릿수 성장에 힘입어 모든 칩 유형의 매출이 성장하는 반등의 해가 될 것으로 Gartner는 예측했으며, 세계 반도체 매출은 16.8% 증가하여 총 6,240억 달러에 이를 것으로 예상했습니다. 반도체는 장기적인 관점에서 자율주행차를 비롯한 대부분의 미래 산업에 필수적이며, 머신러닝과 AI에 필요한 고성능 반도체 수요는 산업 전체 규모를 확장 시킬 것이며, 이를 토대로 당사 주력 제품 매출 또한 함께 성장할 것으로 기대합니다. gartner(december 2023).jpg Gartner(December 2023) 라. 회사의 경쟁우위 요소 당사는 분자설계 및 합성, 정제에 특화된 높은 기술력을 바탕으로 2003년부터 국내·외 반도체 제조 업체 및 장비 업체와 공동개발을 시작하였고, 이후 양산을 위한 자체적인 플랜트 및 초고순도 정제 설비의 구축, 생산공정 개발, 정밀분석 장비 및 방법의 개발, 품질관리 체계를 통한 신뢰성 구축, 자체 제품공급을 위한 영업네트워크 구축을 통하여 2005년부터 이들 공동개발 제품을 차례로 양산공정에 공급하고 있습니다. 당시, Al 배선재료를 시작으로 Hardmask용 ACL 재료, Gap fill용 SOD 재료 등의 순서로 제품을 다각화 하였으며, 특히 2012년 납품 시작한 DPT 재료는 현재까지 높은 시장점유율을 유지하고 있습니다. 2013년 하반기부터 본격적으로 공급 시작한 High-k 전구체는 DRAM 제조 공정의 핵심인 Capacitor용 재료로 DRAM 미세화에 중심적 역할을 하였고, 같은 해 공급 시작한 저온 공정용 SiO/SiN 재료는 V-NAND 양산에 따라 사용량이 점차 증가하여 향후, DPT 재료와 함께 당사 매출 성장의 든든한 버팀목이 될 것으로 예상되고 있습니다. 이처럼 당사는 글로벌 협력 업체들과 진행하는 차세대 반도체 제조 공정용 재료 개발 프로젝트에 지속적이고 적극적인 참여로 선도기술에 대한 교류를 활발하게 진행하고 있으며, 그로 인해 진입 장벽이 높은 재료시장에서 매해 새로운 재료의 공급을 성공 시키고 있습니다. 또한, 당사는 자체 연구개발에 대한 지속적인 투자를 통하여, 새롭게 창출되고 있는 다양한 반도체 재료시장에 앞서 대응하고 기존 제품의 지속적인 품질 향상을 위해 기업 연구소 산하 분야별 특화된 연구팀을 운영하여 새로운 소재개발 및 품질 향상을 위한 노력을 지속하고 있습니다. 마. 진행 및 향후 추진하려고 하는 사업 당사에서 기존 사업 외에 새로이 추진하고 있는 제품 및 사업 분야는 아래와 같습니다. 1) LT(Low-temp) SiN용 재료 기존 디바이스에서는 SiN을 형성하기 위해 고온의 공정이 필요하였으며, 이로 인해 후속 공정에서의 Diffusion(확산), Pore(빈공간) 생성등의 문제 점을 가지게 되었습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 LT(Low-temp) SiN의 개발이 지속적으로 요구되고 있었으나, 공정상 적용에 어려움이 있었습니다. 이에 당사에서는 지속적인 연구개발을 통해 LT(Low-temp) SiN 재료 개발을 성공하였고, 현재 양산에 사용되는 장비와 최적화 작업을 진행하고 있습니다. 2) 차세대 Hardmask 재료Hardmask 재료는 적용 방법에 따라 CVD 공정에 사용되는 ACL(Amorphous Carbon Layer) 재료와 Spin coating 공정에 사용되는 SOC(Spin on Carbon) 혹은 SOH(Spin on Hardmask) 재료로 나누어집니다. 이러한 Hardmask 재료 역시 미세화에 따라 대두되는 수율 문제 해결을 위해 새로운 스펙의 다양한 재료 수요가 발생되고 있습니다. 당사는 이러한 수요에 대응하기 위해 차세대 Hardmask 재료 개발을 진행하고 있습니다. 3) 차세대 Metal 재료 Seed (Logic), Fill (Memory, Nand) 공정에서 미세화로 인하여, 기존 사용중인 아이템 대체 요구가 대두되고 있습니다. 이에 박막 특성 향상을 위한 차세대 Metal 재료 개발을 진행하고 있습니다. 글로벌 장비업체와 공동 개발 계약을 체결하였으며, 현재 고객사의 관심이 증가 되고 있습니다. 4) 디스플레이 소재 LCD 중심의 디스플레이 패널 시장이 OLED 중심으로 변해가고, 나아가 Flexible OLED 패널에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 특히, 국내외 스마트폰 제조업체들이 신규 출시 스마트폰에 Flexible OLED 패널 적용 계획을 보도하고 있습니다. OLED 소재는 유연하여 Flexible에 적합하긴 하지만 수분과 산소에 약해 이를 보호하는 Barrier층이 적용되는데, 이 Barrier층은 유연성이 떨어지는 단점이 있습니다. 이를 극복하기 위한 재료 및 공정 개발이 활발하게 진행되고 있으며, 당사 역시 해당 이슈를 해결하기 위한 재료 개발을 진행하고 있습니다. 4. 사업부문별 매출액, 영업이익, 자산 2023년말 (주)디엔에프의 매출액, 매출비중, 영업이익, 영업이익 비중은 다음과 같습니다. 사업부문 구체적인 용도 매출액(천원) 매출액비중(%) 영업이익(손실)(천원) 영업이익(손실)비중(%) (주)디엔에프[반도체] - DPT 제품 : DPT 제품(Double Patterning Tech.용 소재)- HCDS 제품 : HCDS 제품LT(Low-temp) SiO/SiN용 소재- High-k 제품 : 캐패시터 유전막용 소재- ACL 제품 : 식각공정에 사용되는 하드마스크필름용 소재- 확산방지막 제품 : 확산방지막용의 소재- 연구(High-k, Low-k, Metal 소재 등)제품- 나노 및 기능성코팅 재료 등 84,232,728 100.00% (2,862,630) (100)% ※ 주요제품에 대하여는 '고객과의 계약에서 생기는 수익' 인식에 있어 회사의 재무제표는 K-IFRS 제1115호 '고객과의 계약에서 생기는 수익'을 적용하여 작성되었으며, 개별기준으로 작성하였습니다.※ 상기 표에 기재된 매출액은 2023년 1월 1일부터 2023년 12월 31일까지의 거래내역을 기준으로 작성되었습니다. 2023년말 (주)디엔에프의 자산은 다음과 같습니다. (단위 : 백만원) 구 분 토지 건물및구축물 기계장치 건설중인자산 기타유형자산 계 기초 기초장부금액 34,147 24,073 13,501 13,254 6,386 91,361 - 취득원가 34,147 31,466 48,389 13,254 23,353 150,609 - 감가상각누계액(손상 포함) - (7,393) (34,888) - (16,967) (59,248) 증감 일반취득 및 자본적지출 - 11,137 14,925 (10,881) 2,796 17,977 감가상각 - (995) (4,331) - (1,458) (6,784) 처분ㆍ폐기ㆍ손상 - - (20) - (2) (22) 기타 (5,951) (3,727) (4,492) (10) (391) (14,571) 기말 기말장부금액 28,196 30,488 19,583 2,363 7,331 87,961 - 취득원가 28,196 37,327 45,402 2,363 24,067 137,355 - 감가상각누계액(손상 포함) - (6,839) (25,819) - (16,736) (49,394) ※ 주요 유형자산에 대한 시가는 객관적인 시가 판단이 어려워 기재를 생략했습니다.※ 기타는 환율변동에 의한 증감액 효과, 종속기업처분으로 인해 토지 및 건물 중 일부 투자부동산으로 계정재분류, 종속기업처분으로 인한 제거 등을 포함하고 있습니다.