디엔에프 반기보고서 (2016.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

당사의 주요 사업분야는 반도체 박막 재료 부분입니다. 반도체 기술의 발전과 더불어 칩은 더욱 미세화 되어가고 있습니다. 최근 메모리 반도체 선두업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 25nm급 미세공정을 적용한 D램에 서 23nm급 및 21nm급 D램으로 주력제품이 전환되었습니다. 또한, 연내에 18nm D램 생산을 시작 하고 주력 제품화 할 가능성이 매우 높을 것으로 생각됩니다. 낸드플래시는 20nm급 미세 공정에 이은 16nm급 미세공정과 3D NAND(Vertical 낸드플래시)를 적용한 제품을 생산하고 있습니다. 특히, 삼성전자는 올해 초 48단 제품의 양산을 본격화 했고, 중국 시안 fab에 이은 국내 평택 fab 또한 3D NAND 용 생산설비 투자가 유력한 상황이며, 화성 fab에서는 64단 제품이 개발 완료 단계에 있습니다. 이에 기존 낸드플래시 미세화에 집중해오던 SK하이닉스 또한 연내 3D NAND 제품 양산을 계획하고 있습 니다. 이러한 반도체 칩의 초미세화 추세에 따라 다양한 반도체 재료 시장이 형성되고 있습니다. 반도체 장비만으로는 해결할 수 없는 기술적 한계들을 재료의 변화를 통하여 극복하고 있는 상황에서 특히 당사가 생산하고 있는 반도체 박막 재료는 반도체의 성능과 직결되기 때문에 반도체 공정 기술의 발전과 더불어 지속적인 성장이 가능한 사업 부문입니다. 당사에서 생산하고 있는 제품군에는 미세패턴 구현을 위한 패터닝용 희생막 재료인 DPT(Double Patterning Technology) QPT(Quadruple Patterning Technology) 전구체, Capacitor 유전막 및 Metal Gate 절연막으로 사용되는 High-k 전구체, 저온 공정용 SiO/SiN 전구체, 웨이퍼 패터닝 시 PR 보조역할을 하는 Hardmask용 ACL(Amorphous Carbon Layer) 전구체, 셀간 전기적 간섭을 막아주기 위한 STI Gap-fill용 및 최근 비메모리에서도 Thin-film 희생막용으로 적용을 확장한 SOD(Spin on Dielectric) 전구체, 메탈과 절연층과의 산화반응을 막아주는 확산 방지막용 전구체, 기존 ACL을 일부 대체하고 SPT(Spacer Patterning Technology)공정에 희생막으로 Double pattern을 형성을 원활하게 하기 위해 사용되고 있는 SOC(Spin on Carbon) 전구체, System LSI용 Metal Gate 물질로 테스트 중인 Al ALD 전구체 등이 있습니다.
현재 당사의 주요 거래처는 세계 반도체(메모리 분야) 1, 2위 업체인 삼성전자와 SK하이닉스입니다. 이들 업체와의 거래를 통하여 제품 매출이 지속적으로 이루어지고 있으며, 2016년도에 Capacitor 유전막용 High-k 전구체, DPT용 전구체 및 저온 공정용 SiO/SiN 전구체 등의 제품 매출이 유지될 것으로 예상되며 향후 1년간 신개념 낸드플래시 Gate Spacer용 전구체 및 Cu Metal 의 Barrier 박막인 SiCN 박막재료, SOC 전구체, AMOLED 패널의 박막봉지용 전구체 등에 의해 추가적으로 매출 증대가 기대되고 있습니다. 해외 칩 메이커들의 영업현황은 2011년부터 Gap-fill용 SOD재료 및 ACL 전구체를 대만 시장에 판매하고 있고, 기타 다른 아이템으로도 중국이나 일본 등으로 판매를 확대하려 노력하고 있습니다.
당사는 연구개발, 상용화 테스트, 생산, 납품 등의 단계로 제품들을 분류하여 각 단계별 전문적인 기술력으로 전략적인 연구개발을 진행하고 있으며 글로벌 기업들과의 공동개발연구를 바탕으로 신규 제품 개발에 박차를 가하고 있습니다.

가. 산업의 특성 및 성장성

소형화 및 휴대성이 강화된 첨단 전자기기의 수요증가 및 이들 제품, 전자 칩, 부품 등의 생산성 증대와 더불어 가격 경쟁력을 갖기 위한 업체간 경쟁의 심화로 인하여 반도체 칩은 계속 미세화 되어가고 있습니다. 특히, 2000년대부터 급격히 진행된 반도체 미세화로 인해 회로 구현의 난점, 누설 전류의 발생, 동작 속도 저하 등의 문제를 야기하였으며, 이를 해결하기 위한 새로운 공정과 재료 수요를 지속적으로 창출함으로써 재료 산업 성장을 견인하였습니다. 최근에는 공정개선에 대한 기술적 한계에 부딪혀 미세화 진행 속도가 현저히 줄어들었으며, 그에 따른 박막재료의 중요성이 더욱 커져가고 있습니다.

나. 경기변동의 특성 및 계절성

반도체 재료 산업은 반도체 제조업체들의 미세화 전략에 따른 Bit Growth와 반도체 수요, 가격, 설비투자 등에 영향을 받습니다. 특히, 업계 전반적으로 둔화된 미세화 진행 속도로 기술 리딩 기업인 고객사의 새로운 재료 적용 시기가 지연되고, 신규 설비 투자를 지연시킴으로 인해 그 어느 때 보다 반도체의 수요와 가격으로 인한 영향이 커지고 있습니다. 지속되는 PC 수요 둔화, 스마트폰 시장 포화 현상으로 DRAM 수요가 감소하고 가격은 계속해서 떨어지고 있습니다. 디램익스체인지에 따르면, DDR3 4Gb의 지난해 말 평균 가격 1.72달러에서 올해 2월 말 1.47달러로 15% 하락하였으며, 이러한 반도체 수요와 가격 동향은 반도체 제조업체인 고객사들의 실적과 당사와 같은 재료업체 실적에도 영향을 끼친 것이 사실입니다. 하지만, 상반기 대다수의 재고가 소진되면 하반기부터 공급초과가 완화될 것으로 전망합니다. 2016년 NAND Flash Memory는 SSD의 수요 증가로 DRAM 시장보다 밝게 전망하고 있지만 시장 경쟁에 의해 공급 초과는 불가피할 것으로 보입니다. 불황을 극복하기 위한 전략으로 고객사들은 그동안 속도를 줄였던 미세화를 통해 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보하고자 노력하고 있으며, 지연시켰던 신규 설비 투자 역시 연이어 발표하고 있습니다. 이러한 변화로 반도체 업황 턴어라운드 및 재료, 장비 업체들의 실적 개선 전망들 역시 이어지고 있습니다.

다. 국내외 시장 여건

전체 반도체 산업에서 당사가 다루는 박막재료 산업의 발전과 성장이 가장 두드러진 분야는 메모리 반도체 분야로 국내 기업들이 시장의 반 이상을 차지하고 있습니다. 2015년 기준 국내 기업들의 DRAM 시장점유율은 약 74%, NAND 시장점유율은 약 44%에 달합니다. 게다가, 반도체 박막재료 분야는 미세화의 성공 여부를 결정 짓는 선도기술이므로 그 진입 장벽이 높아 적용 초기에 진입하는 것이 유리한데, 그런 측면에서 국내 메모리 반도체 시장은 당사가 개발하는 신규 소재들의 진입에 매우 유리한 환경이라 말할 수 있습니다. 또한, 세계 1, 2위 기업들 대상으로 진행된 납품 실적을 바탕으로 메모리 반도체 후발주자인 해외 기업들과의 거래 기회가 상대적으로 수월하게 얻어지는 상황입니다.

라. 회사의 경쟁우위 요소

당사는 유기금속 소재 분자설계 및 합성에 특화된 높은 기술력을 바탕으로 2003년부터 국내·외 반도체 제조 업체 및 장비 업체와 공동개발을 시작하였고, 이후 양산을 위한 자체적인 플랜트 및 초고순도 정제 설비의 구축, 생산공정 개발, 정밀분석 장비 및 방법의 개발, 품질관리 체계를 통한 신뢰성 구축, 자체 제품공급을 위한 영업네트워크 구축을 통하여 2005년부터 이들 공동개발 제품을 차례로 양산공정에 공급하고 있습니다. 당시, Al 배선재료를 시작으로 Hardmask용 ACL 재료, Gap fill용 SOD 재료 등의 순서로 제품을 다각화 하였으며, 특히 2012년 납품 시작한 DPT 재료는 현재까지 높은 시장점유율을 유지하며 매해 성장하고 있습니다. 2013년 하반기부터 본격적으로 공급 시작한 High-k 전구체는 DRAM 제조 공정의 핵심인 Capacitor용 재료로 DRAM 미세화에 중심적 역할을 하였고, 같은 해 공급 시작한 저온 공정용 SiO/SiN 전구체는 V-NAND 양산에 따라 사용량이 점차 증가하여 향후, DPT 재료와 함께 당사 매출 성장의 든든한 버팀목이 될 것으로 예상되고 있습니다. 이처럼 당사는 글로벌 협력업체들과 진행하는 차세대 반도체 제조 공정용 재료 개발 프로젝트에 지속적이고 적극적인 참여로 선도기술에 대한 교류를 활발하게 진행하고 있으며, 그로 인해 진입 장벽이 높은 재료시장에서 매해 새로운 재료의 공급을 성공시키고 있습니다.
또한, 당사는 자체 연구개발에 대한 지속적인 투자를 통하여, 새롭게 창출되고 있는 다양한 반도체 재료시장에 앞서 대응하고 기존 제품의 지속적인 품질 향상을 위해 기업 연구소 산하 분야별 특화된 연구팀을 운영하여 새로운 소재개발 및 품질 향상을 위한 노력을 지속하고 있습니다.

마. 진행 및 향후 추진하려고 하는 사업

당사에서 기존 사업 외에 새로이 추진하고 있는 사업은 아래와 같습니다.
1) LT(Low-temp) SiN용 전구체
기존 디바이스에서는 SiN을 형성하기 위해 고온의 공정이 필요하였으며, 이로 인해 후속 공정에서의 Diffusion(확산), Pore(빈공간) 생성등의 문제 점을 가지게 되었습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 LT(Low-temp) SiN의 개발이 지속적으로 요구되고 있었으나, 공정상 적용에 어려움이 있었습니다. 이에 당사에서는 지속적인 연구개발을 통해 2014년 LT(Low-temp) SiN의 개발을 성공하였으며, 기존 어떤 전구체보다 훌륭한 물성을 갖고 있음을 확인하였습니다. 현재 유수의 장비 업체와 평가 중에 있으며, 개발 완료 시 시장에 큰 반향을 일으키는 것은 물론, 향후 당사 매출에 큰 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.
2) ACL 대체 또는 SPT공정용 SOC(Spin on Carbon) 전구체
SOC는 기존 ACL을 일부 대체하는 재료로 알려져 있지만 현재 평가중인 고객사에서는 SPT(Spacer Patterning Technology)공정에 희생막으로 역할로 추가 사용되고 있습니다. 특히, SOC는 Spin coating 방식으로 생산성이 높은 것이 특징입니다. DRAM 및 NAND Flash Memory 모두 사용하는데 공정 적용온도가 틀리고, 적용 Layer가 많아서 양산적용시 매출에 영향을 크게 미칠 전망입니다. 2015년 4분기에 초도 납품을 달성하였고, 2016년 3분기를 기점으로 판매물량이 점진적으로 증가할 것으로 예상됩니다.
3) En-capsulation용 전구체
LCD 중심의 디스플레이 패널 시장이 OLED 중심으로 변해가고, 나아가 Flexible OLED 패널에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 특히, 국내외 스마트폰 제조업체들이 신규 출시 스마트폰에 OLED 패널 및 Flexible OLED 패널 적용 계획을 보도하고 있습니다.
기본적으로 OLED 소재는 유연하여 Flexible에 적합하긴 하지만 수분과 산소에 약해 이를 보호하는 Barrier층이 적용되는데, 이 Barrier층은 유연성이 떨어지는 단점이 있습니다. 이를 극복하기 위한 재료 및 공정 개발이 활발하게 진행되고 있으며, 당사 역시 해당 이슈를 해결하기 위한 재료 개발을 진행하고 있습니다.
4) 고기능성 코팅제 : 당사의 고기능성 코팅제는 반도체 공정에 사용되는 SiO2 절연막 소재 폴리실라잔(polysilazane)을 이용한 실리콘계 코팅제 입니다. 이를 이용한 제품군은 자동차,가전 외장, 건축·산업용 외장발수 코팅제, 디스플레이 패널 글라스용 눈부심 방지용(Anti-glare, AG) 코팅제, 기타 하드 및 배리어 코팅제가 있습니다. 자동차용 외장 발수코팅제는 국내외 고정적으로 납품되고 있으며, 적용분야 확대 및 제품의 다양화를 위해 지속적인 개발을 추진하고 있습니다. 눈부심 방지용 코팅제 역시 국내 터치패널 제조업체에 납품 중이며 추가로 다수의 국내 대기업을 포함한 글라스 제조업체, 디스플레이용 패널 업체들과 테스트 중입니다. 제품 적용분야 확대를 위해 플라스틱 필름 소재 대한 공정개발 또한 진행 중 입니다. 배리어 코팅제는 다수의 국내 및 일본 배리어 필름 제조업체와 공동개발, 테스트 진행 중이며 2016년 하반기 런칭이 기대되고 있습니다.

2. 주요 제품 등

당사는 반도체 미세화 추세와 그에 따른 고집적회로 요구 등 고객의 필요에 따라 다양 한 제품을 개발, 판매하고 있습니다.
2016년 반기 현재 주요 제품군인 DPT용 전구체가 48.10% , High-k 전구체가 21.04 %, HCDS 전구체가 15.40% 점유율로 신규 진입한 제품들에서 고른 성장세를 보였으며, 기존 제품군인 확산방지막 제품의 7.15% , 식각보조재료 ACL 전구체의 6.64% 를 넘어서 주력 제품으로 자리 잡았습니다. 또한 이 주력제품들은 공급량 확대가 추가로 예상되고 있어 향후 매출 신장에 크게 기여할 것으로 기대하고 있습니다. 2016 년 의 제품군별 반기 매출액 및 매출액에서 차지하는 비율 은 다음과 같습니다 .

제품군	구체적인 용도	매출액(원)	비율(%)

1. DPT 제품	Double Patterning Tech.용 소재	13,409,510,481	48.10

2. High-k 제품	캐패시터 유전막용 소재	5,865,092,000	21.04

3. HCDS 제품	LT(Low-temp)Sio/Sin용 소재	4,293,450,000	15.40

4. 확산방지막 제품	확산방지막용의 소재	1,992,571,145	7.15

5. ACL 제품	식각공정에 사용되는 하드마스크필름용 소재	1,850,943,564	6.64

6. 기타 제품	연구(고유전체용, PRAM의 상변화물질용 소재)제품, 납품용기 및 건자재코팅용 소재 등	464,575,478	1.67

합 계	27,876,142,668	100

가. D PT(Double Patterning Tech.) 제품 : 30nm급 이하 미세패턴 구현을 위한EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) 장비 개발이 미흡하여 DPT공정이 도입되었고, 이 공정에 필요한 패터닝용 희생막 재료입니다. DPT 재료는 미세패턴 구현을 위한 핵심재료로 일시적으로 반도체 집적도 발전 속도를 따라가지 못하는 장비기술 간의 불균형 해소에 기여하고 있습니다. 당사는 수입에 의존했던 DPT 재료를 개발 및 평가 완료하여 2012년2분기부터 양산 공급을 하고 있으며, 해마다 매 출이 증가하고 있습니다. 최근 고객사의 미세공정 확대에 따라 DPT 공정에서 QPT 공정으로의 전환이 진행되면서 적용 Layer가 증가하고 있으며, 삼성전자 평택 Fab에 신규 투자가 이루어지면 추가 매출 증대가 예상됩니다. 나. High-k 제품 : DRAM에서 가장 중요한 역할을 하는 캐패시터의 유전막 재료로 칩의 미세화에 의해 유전율 값이 높은 재료가 사용되거나, 전후 공정에 영향 없이 안정적인 증착성향을 갖는 재료가 사용되는 등 변화가 요구되고 있습니다. 이에 당사는 20~30nm 미세공정에 대응이 가능한 전구체를 개발하여 납품하고 있으며, 차세대 High-k 재료의 연구 개발에도 박차를 가하고 있습니다 . 다. HCDS 제품 : 저온 공정용 SiO/SiN 전구체로써 DRAM 및 NAND Flash Memory에 적용되고 있습니다. 당사는 삼 성전자의 국 내 DRAM 생산라인과 중국 V-nand 생산라인에 공급 중 입니다. 향후 고객사의 국내 생산라인 증설에 따라 매출 증대가 기대됩니다. 라. 확 산 방지막용 제 품 : 2013년 하반기부터 양산공급 시작한 Si 박막재료는, M/S의 꾸준한 증가로 매출이 증가하고 있으며, 국내 고객사의 해외 fab에도 공급 요청이 있어 추가 매출 증대가 예상됩니다. 메탈 확산방지막재료는 메모리 반도체 제조에 사용되었다가 그 사용이 중단되었으나, 최근 비메모리용으로 재평가되고 있으며 올해 하반기부터 다시 매출이 발생될 것으로 예상됩니다.
마. ACL 제품 : 2008년 국내 및 국외 공급을 시작으로, 그 동안 당사의 매출 비율에서 중요한 역할을 해왔던 제품입니다. 현재는 대체 재료 사용으로 인해 사용량이 많이 감소하였으나, 여전히 미세패턴 구현을 위한 재료로 일정량이 사용되고 있습니다 . 바. 기타 제품 : 개발이 완료되지 않았거나 현재 진행 중인 제품군으로 국내 고객사와 지속적으로 평가를 받고 있는 연구제품 들이 포함되어 있습 니다. 신규 개발된 기능성 코팅제인 눈부심 방지용(Anti-glare) 코팅액의 경우에는 국내 터치패널 제조업체에 안정적으로 납품하고 있으며, 국내 대기업을 비롯한 다수의 신규 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다. 또한 세라믹 절연용 코팅액의 경우에도 국내 디스플레이 및 반도체 소자 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다.

3. 주요 원재료 등

당사 는 제품 생산에 필요한 주요 원 재료의 대부분을 미국, 일본, 유럽, 중국 등 일부 주요 선진국으로부터 수입하고 있습니다. 원재료마다 수입 의 존에 상당한 비중을 차지하는 만큼 안전 재고 확보 등 Risk에 대한 상시 원재료 재고 관리에 만전을 기하고 있습니 다 . 아 래 표는 2016년 반기 주요 제품에 사 용된 원재료 매 입처 및 매입현황 등 가격변동 추이를 간략하게 나타내고 있습니다 .

가. 주요 원재료의 가격변동추이(단위 : 원)

사업부문	매입유형	품 목	제16기 (2016년 반기)	제15기 (2015년)	제14기(20 14년 )	제13기 (2013년 )	제12기(2012년)	제11기(2011년)

반도체전자재료	원재료	1-He(kg)	9,800	9,800	9,800	-	9,800	9,800

P1(kg)	9,500	9,500	9,500	9,500	9,500	9,640

H1(kg)	7,100	7,100	6,889	7,100	7,100	7,185

T1(kg)	16,575	16,797	18,584	19,000	20,394	-

P4(kg)	3,080	3,080	3,080	4,280	5,440	-

HD(kg)	$620	$669	$696	$802	-	-

※ 공시대상기간 중 당사 사업부문의 수익성에 중요한 영향을 미치는 원재료는 존재하지 않습니다.

나. 주요 원재료 매입처에 대한 사항(단위 : 백만원)

원재료명	매입액	주요매입처	특수관계여부	공급안정성

P1 (kg)	666.7	대한유화공업㈜	해당무	이상무

T1(kg)	332.0	MS머트리얼즈	해당무	이상무

T1(kg)	82.0	켐바이오	해당무	이상무

※ 상기 표 에 기재된 매입액 은 2 016년 1 월 1일부터 2016년 6월 30 일 까지 의 거 래내역을 기준으로 작성 되었습니다.

4. 생산 및 설비 가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거 (1) DPT 제품

사업장	주요 제품군	생산량 /batch(kg)	최대 batch/(주)	연간(주)	연간 생산능력(kg)	평균 가동시간/ batch	연간 생산가동시간	생산방식

대전 본사	DPT-1	110.0	3/(주)	52주	17,160	140	21,840	4조 3교대

DPT-2	110.0	3/(주)	52주	17,160	140	21,840	4조 3교대

(2) Si 전구체 제품

사업장	주요 제품군	월 생산능력(kg)	연간 생산능력(kg)	평균 가동시간	연간 생산가동시간	생산방식

대전 본사	저온 Low-k 제품	990.0	11,880	21	2,079	4조 3교대

대전 본사	확산방지막 제품	1,000.0	12,000	-	-	3조 3교대

(3) High-k 제품

사업장	주요 제품군	생산량 /batch(kg)	최대 batch/(주)	연간(주)	연간 생산능력(kg)	평균 가동시간/ batch	연간 생산가동시간	생산방식

대전 본사	High-k 제품	120.0	3/(주)	52주	18,720	92	14,352	4조 3교대

(4) ACL 제품

사업장	주요 제품군	생산량 /batch(kg)	최대 batch/(주)	연간(주)	연간 생산능력(kg)	평균 가동시간/ batch	연간 생산가동시간	생산방식

대전 문평	ACL 제품	87.5	5/(주)	52주	22,750	37	9,620	3조 3교대

사업장	주요 제품군	일 가동시간	연간 가동일	일 최대생산량(kg)	연간 생산능력(kg)	평균 가동시간/ batch	연간 생산가동시간	생산방식

울산 지점	ACL 제품	8	260	760	197,600	-	2,080	-

(5) SOD 제품

사업장	주요 제품군	Batch 생산량(B/T)	최대 batch/(월)	연간(개월)	연간 생산능력(B/T)	평균 가동시간/ batch	연간 생산가동시간	생산방식

대전 본사	SOD 제품	60.0	10/(월)	12(개월)	7,200	168	20,160	4조 3교대

나. 생산실적 및 가동률

실적 기준	사업장	주요 제품군	생산능력	생산실적	가동률(%)

2016년 반기	대전 본사	DPT 제품(kg)	17,160	9,350	54.49

High-k 제품(kg)	9,360	2,280	24.36

저온 Low-k 제품	5,940	3,520	59.26

확산방지막 제품	4,500	3,800	84.44

울산 지점	ACL 제품(kg)	98,800	38,050	38.51

2016년 반기 가동률(%)	135,760	57,000	41.99

※ 주요 제품군 중 확산방지막 제품은 2분기부터 생산능력을 상향 조정하여 반영되었습 니다.

다. 생산설비의 현황 등

당사는 문평 사업장 을 시작으로 2007년과 2008년에 완공된 울산 사업장 및 대전 대화 본사 사업장으로 구성된 총 3개 지역의 독립된 시스템을 갖춘 생산공장을 보유하고 있습니다. 원 활 한 경영활동과 생산을 위해 2013년에는 문평 사업장의 생산공장은 그대로 운영하면서 다양한 제품 개발 활동을 위해 본사 및 대화지점을 하나로 통합하 여 대화본사로 새롭게 운영해 나가고 있습니다. 대전 문평에 위치한 생산 사업장은 0.2㎥ 반응 설비 총 14기를 보유하고 있으며, 대전 본사 사업장의 경 우도 마찬가지로 2㎥, 0.5㎥, 0.4㎥, 0.2㎥ 등 다양한 크기의 반응 설비 및 이하 유틸리티 설비를 갖추고 있습니다. 최근 신규 아이템 양산 적용에 따라 다양한 설비를 운용하고 있으며, 연구소 및 클린룸 등의 연구동 증축 및 이전으로 당사의 제반 활동 거점 지역으로 급부상하고 있습니다. 울산 사업장은 별도의 가스 저장탱크 및 제조 설비, 클린룸과 분석 설비를 갖추고 있으며, 각 사업장마다 독립적인 운영이 가능합니다.

라. 설비의 신설ㆍ 매입 계획 등

대전 대화동 본사 사업장은 2010년 중순부터 신규 아이템 생산 및 기존 설비 확충으로 다양한 아이템 생산을 전개하고 있으며, 2012년부터는 신규 시제품 생산을 위한 시스템 적용도 완료하였습니다. 2013년 1분기에는 연구소 및 클린룸 증축 완공으로 본사이전 통합과 함께 양산 라인에 제품을 정상적으로 공급하기 위한 설비 확충 등 강도 높은 투자를진행하여 왔습니다. 최근에 기존 제품의 납품량 확대 및 신규 아이템 준비에 대비하기 위한 신 규 제 조 소 공사가 완 공되어 고객사의 요구에 대응하고 있습니다. 최근 반도체 재료 및 신사업 소재 다변화를 위해 본사에서 접근성이 좋은 부지를 매입하여 신규 사업 다각화에도 준비를 하고 있어 향후 생산거점지역으로 급부상할 것으로 전망하고 있습니다. 각 사업장별 생산과 영업에 중요한 시설 등 물적 재산에 대한 내역은 아래와 같습니다.

[자산항목 : 토지] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	9,523	-	-	-	-	9,523	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	2,960	-	-	-	-	2,960	-

합 계	12,483	-	-	-	-	12,483	-

[자산항목 : 건물] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	9,900	2,423	-	164	-	12159	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	739	-	-	12	-	727	-

합 계	10,639	2,423	-	176	-	12886	-

[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	32	-	-	1	-	31	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	1,216	-	-	47	-	1,169	-

합 계	1,248	-	-	48	-	1,200	-

[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	6,406	5,839	14	1,102	-	11,129	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	29	-	-	11	-	18	-

합 계	6,435	5,839	14	1,113	-	11,147	-

[자산항목 : 차량운반구] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	101	-	-	10	-	91	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	8	-	-	1	-	7	-

합 계	109	-	-	11	-	98	-

[자산항목 : 공구와기구] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	4,978	447	-	1,000	-	4,425	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	209	38	-	61	-	186	-

합 계	5,187	485	-	1,061	-	4,611	-

[자산항목 : 비품] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	126	13	-	26	-	113	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	-	-	-	-	-	-	-

합 계	126	13	-	26	-	113	-

[자산항목 : 건설중인자산] (단위 : 백만원)

사업장	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	상각	대체	장부가액	비고

증가	감소

대화/문평	자가	대전 대덕구 대화동 40-15 외	6,899	14,053	-	-	(8,722)	12,230	-

울산	자가	울산 울주 온산 원산리 916-6	-	38	-	-	(38)	-	-

합 계	6,899	14,091	-	-	(8,760)	12,230	-

5. 매출에 관한 사항가. 매출실적

당사의 매출은 반도체 생산라인에 지속적으로 사용되는 제품과 현재 공동 및 자체개발중인 제품의 매출로 이루어 지며, 공동 개발중인 제품은 향후 생산라인에 사용되기 위한 제품으로써 연구용 제품으로 구분하고 있습니다. 또한, 매출액의 대부분이 삼성전자와 SK하이닉스 및 해외 반도체 업체로 구성되어 있으며, 세부내역은 다음과 같습니다.

(단위 : 원)

사업부문	매출유형	품 목	제16기 반기	제15기	제14기

반도체전자재료	제품	반도체 전극 배선재료, 하드마스크재료	수 출	1,461,306,204	8,013,715,852	9,821,326,166

내 수	26,013,579,694	62,515,343,626	50,833,167,773

합 계	27,474,885,898	70,529,059,478	60,654,493,939

기타화학재료	제품상품용역	기타	수 출	123,724,244	182,019,170	58,669,800

내 수	277,532,526	777,641,330	916,611,900

합 계	401,256,770	959,660,500	975,281,700

합 계	수 출	1,585,030,448	8,195,735,022	9,879,995,966

내 수	26,291,112,220	63,292,984,956	51,749,779,673

합 계	27,876,142,668	71,488,719,978	61,629,775,639

나. 판매방법 및 조건

반도체 재료 사업은 불특정 다수를 상대로 수많은 고객들에게 판매하는 사업과는 달리 특정 고객만을 위한 영업 및 개발, 기술지원이 이루어져야 하므로 특정고객 전담 팀을 중심으로 판매조직이 구성되어 있습니다. 삼성전자 및 SK하이닉스 관련 영업부문은 현재 기술영업부에서 모두 담당하고 있으며 삼성전자 담당, SK하이닉스 담당 해외 및 디스플레이 담당으로 운영을 하고 있으며 기타 반도체 장비 업체 및 연구소의 영업도 함께 담당하고 있습니다.
당사의 영업담당 부서인 기술영업부는 현재 오산 에 위치하고 있으며 , 기술영업부 내부는 다시 고객지원 파트와 개발지원 파트로 구분되어 있습니다. 고객지원 파트는 납품 및 제품 사용시 발생하는 기술지원을 담당하고 있고 개발지원파트는 연구소와 협력하여 신규 과제 개발을 지원하고 있습니다. 당사가 주력하는 반도체 재료는 국내 반도체 칩 메이커인 삼성전자, SK하이닉스 , 동부하이텍 등의 업체에서 직접 사용하는 품목이므로 국내의 경우에는 100% 당사가 직접 공급하는 형식으로 납품하고 있습니다. 해외의 경우, 당사가 직접 현지 법인이나 지사를 운용 시 매출대비 비용 지출이 과다하여 해외진출 초기에는 가능한 대리점을 통해서 비즈니스를 추진하고 있습니다. 이에 중국 및 대만 현지 영업 대리점과 대리점계약을 체결한 후 이미 시장 진입이 이루어 졌으며, 해외 매출의 극대화와 거래처 다변화를 위하여 기존 고객사인 대만의 TSMC사(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)와 Inotera사(Inotera Memories, Inc.), Winbond사(Winbond Electronics Corp.)를 포함한 대만의 Nanya(Nanya Technology Corp.) 및 중국의 SMIC사(Semiconductor Manufacturing International Corp.)등의 아시아 지역의 주요 반도체 칩 메이커를 대상으로 영업활동을 진행하고 있습니다.
또한, 향후 반도체 사업의 안정적인 수행을 위해 장비업체 사전 평가 및 고객사의 연구 개발활동에 참여하여 기술개발과 동시에 신규재료의 시장진입을 위한 영업 활동을 진행하고 있습니다.
장기적으로 반도체 사업의 안정적인 수행을 위해서 장비업체를 통하여 개발 초기에 신규재료의 시장진입이 매우 중요하므로 미국과 일본에 지사 형식의 개발지원 부서를 상주시켜 장비업체 및 반도체 업체와의 기술개발 및 영업 활동을 추진할 계획입니다. 당사가 새롭게 추진하고 있는 고기능성 코팅제는 자동차, 가전제품, 건축·산업용 자재, 디스플레이·필름 등 다양한 제품의 표면 보호나 기능적 특성(오염 방지, 부식방지, 슬립성 증대 등)을 부여하기 위해 사용되고 있습니다. 이러한 기능성 코팅은 본래의 제품에 화학적 기능이나 기계적 기능, 전기전자적 기능 그리고 광학적 기능을 추가함에 따라 제품의 고기능화를 가능하게 할 수 있고 부가가치를 높일 수 있도록 도와주고 있습니다. 2010년 이후 기능성 코팅 시장은 꾸준히 증가하고 있습니다. 일례로 PET 필름의 경우 전기전자, 광학, 포장산업 분야 등에서 기능성 코팅(하드코팅, 발수코팅, 내지문 코팅 등) 수요가 매년 30% 이상 증가하고 있습니다. 이러한 기능성 코팅제 시장의 성장에 대응하기 위해 고객사의 다양한 요구에 맞춰 함께 기능성 코팅제의 연구개발을 진행하고 있으며 해당 고객사는 곧 매출처가 되므로 초기 개발단계부터 적극적인 영업활동을 진행하고 있습니다.

다. 판매전략

당사는 신기술 개발에 맞추어 변화하는 시장에 핵심역량과 사업전략을 혁신하는데 집중하고 있습니다. 고객의 입장에서 주요 제품별 부서를 재구성하고, 부분별 연구인력 및 연구개발비투자를 높여 생산 플랜트 다변화/대형화로 다양한 소재의 재료를 단기간에 대량 생산할 수 있는 능력을 갖추며 고객을 만족시키는 기술력과 경험을 축적하여 고객에게 차별화된 가치를 제공하고자 합니다.
수요업체에 근접하게 사무소를 설립하여 신속한 납품업무와 상황에 따른 issue발생시 대처를 위한 서비스를 제공하며, 반도체 설비 업체와의 협력관계를 적극 강화하여 제품 개발, 공급망 관리, 구매, 생산, 고객관리, 재무, 인사, 정보기술 등을 고객중심으로 생각하고 발전시킴으로써 고객의 요구에 언제든지 유연하게 대처할 수 있는 체계를 갖추려 노력하고 있습니다. 이를 바탕으로 대량생산과 품질관리, 메모리 생산 공정에서 최적화된 소재를 제공할 수 있는 기술력을 확보하여 초기 시장진입이 가능한 공동개발 형식의 연구개발을 집중적으로 수행하고자 합니다. 현재 반도체 칩 메이커와 JDP형식의 공동개발을 진행하고 있습니다. 당사가 장비업체나 반도체 칩 메이커와 공동개발에 많은 비중을 두고 있는 이유는 초기 시장 진입의 유리한 점뿐만 아니라 삼성전자나 SK하이닉스 에 납품된 재료의 경우 해외 다른 업체로의 판매 확대에 매우 유리한 점이 있기 때문입니다. 삼성전자나 SK하이닉스 가 메모리 분야에서 반도체 산업을 선도하는 역할을 하기 때문에 공동개발을 새로운 재료의 테스트베드 성격으로 활용하고 있습니다.실 예로, 메모리 반도체 부분에서 세계 최대 반도체 생산업체인 삼성전자와 당사가 공동 기술개발을 통해 상용화된 Alpis-3는 삼성전자로부터 Quality Certificate를 획득하고 메모리 양산 라인에 적용하여 왔습니다. 이를 바탕으로 하여 중국, 대만, 일본 등에 있는 반도체 칩 메이커에 해당 제품의 시장진입을 추진한 결과, 대만TSMC사 및UMC사에 납품을 진행한 바 있습니다.
그리고, Alpis-3뿐 아니라 신규 반도체 재료에 대해서도 삼성전자나 SK하이닉스 가 메모리 분야에서 반도체 산업을 선도하는 역할을 하기 때문에 공동개발을 통해 먼저 실적과 품질을 검증 받은 후 관련 제품을 해외업체에 공급하는 방식의 판매 전략을 추진하고 있습니다.
해외 판매를 위한 영업 조직적인 측면에서는 해당 국가의 업체와 영업 대리점 계약을 체결하고 대리점과 협력하여 해당 국가의 반도체 시장에 진입하려는 전략입니다. 그리고 대만 및 일본의 경우에는 반도체 칩 메이커뿐 아니라, 대형 장비업체가 새로운 공정 개발을 주도하고 있기 때문에 장비업체와의 긴밀한 관계형성이 매우 중요합니다. 따라서, 장기적으로 지사 형식의 개발지원 부서를 상주시켜 장비업체 또는 반도체 업체에 대한 기술 개발 및 영업활동을 할 계획입니 다. 고기능성 코팅제는 자동차용 외장발수 코팅제를 비롯하여 가전외장용 코팅제, 건축·산업용 외장발수 코팅제, 디스플레이·필름용 UV코팅제 등의 다양한 고기능성 제품군을 보유하고 있습니다. 발수코팅제의 주요 고객사는 3M이며, 3M이 보유하고 있는 글로벌 네트워크를 활용하여 해외 시장 진출을 확대하고 있습니다. 또한 신규 제품으로 눈부심 방지용(Anti-glare, AG) 코팅액과 세라믹 절연용 코팅액을 개발하였습니다. 눈부심 방지용 코팅액의 경우에는 국내 터치패널 제조업체에 고정적으로 납품하고 있으며, 최근에는 눈부심 방지 기 능 이외에 내지문(Anti-fingerprint, AF) 기능이 동시에 구현되는AG+AF 코팅액을 추가로 개발하여 국내 대기업을 포함한 다수의 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다. 세라믹 절연용 코팅액의 경우에도 디스플레이 및 반도체 소자 관련 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있으며, 기술적인 교류을 통해 업체에서 요구하는 맞춤형 코팅액을 공동 개발하고 있습니다. 첨단 디스플레이의 기능 향상을 위한 기술에 필요한 나노 입자의 안정적인 합성 기술을 확보하기 위해 노력하고 있습니다. 현재 저굴절 및 고굴절 소재인 SiO2와 TiO2 구형(sphere) 나노입자의 크기별 제조 기술을 보유하고 있으며, 이외에 코어-쉘(core-shell)이나 중공 실리카(hallow silica) 등 다양한 형태의 나노입자 양산 기술을 확보하기 위한 테스트를 진행하고 있습니다. 이러한 나노 입자 합성기술과 관련하여 세계적인 대기업과 기술 협약을 맺고 유상 샘플을 제공하고 있습니다.

6.수주상황

당사의 거래처 특성상 고정된 수주현황은 없습니다. 다만, 매일 거래처의 PO 상황을 확인하여 납품하고 있습니다.

7. 시장위험과 위험관리

당사는 경영활동과 관련하여 시장위험(외환위험,이자율위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 위험에 노출되어 있습니다. 당사의 위험관리는 재무적 성과에 영향을미치는 잠재적 위험을 식별하여 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 목적으로 하고 있습니다.(1) 시장위험1) 외환위험당사의 외환위험은 주로 인식된 자산과 부채의 환율변동과 관련하여 발생하고 있습니다. 당사의 영업거래 및 자본거래 상 외환위험에 대한 회피가 필요하다고 판단되는경우 통화선도거래 등을 통해 외환위험을 관리하고 있습니다. 외환위험은 미래 예상거래 및 인식된 자산ㆍ부채가 기능통화 외의 통화로 표시될 때 발생하고 있습니다.보고기간종료일 현재 기능통화 이외의 외화표시 화폐성 자산 및 부채의 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

통 화	당반기말	전기말

자산	부채	차감계	자산	부채	차감계

USD	3,151,111	837,599	2,313,512	5,100,148	2,475,238	2,624,910

TWD	174,476	-	174,476	163,715	-	163,715

합 계	3,325,587	837,599	2,487,988	5,263,863	2,475,238	2,788,625

각 외화에 대한 원화환율이 10% 변동시 세전이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구 분	USD	TWD

당분기	전기말	당분기	전기말

세전이익	231,351	262,491	17,448	16,372

2) 이자율 위험당사는 이자율 변동으로 인한 금융자산, 부채의 가치변동 위험 및 투자, 차입에서 비롯한 이자수익(비용)의 변동위험 등의 이자율변동위험에 노출되어 있습니다.당사는 이자율 위험에 대해 다양한 방법의 분석을 수행하고 있습니다. 당사는 이자율변동위험을 최소화하기 위해 위험회피 등 다양한 방법을 검토하여 가장 유리한 자금조달 방안에 대한 의사결정을 수행하고 있습니다.당반기말 현재 다른 변수가 일정하고 변동금리부 차입금에 대한 이자율이 1% 변동할 경우 연간 세전손익에 미치는 영향은 145,174천원입니다.(2) 신용위험신용위험은 당사의 통상적인 거래 및 투자활동에서 발생하며 고객 또는 거래상대방이 계약조건상 의무사항을 지키지 못하였을 때 발생합니다. 이러한 신용위험을 관리하기 위하여 당사는 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에 대한 신용한도를 설정하고 있습니다. 당반기 중 중요한 손상의 징후나 회수기일이 초과된 매출채권 및 기타금융자산에 포함된 대여금이나 미수금 등은 발생하지 않았으며, 당사는 당반기말 현재 채무불이행 등이 발생할 징후는 낮은 것으로 판단하고 있습니다.신용위험은 현금시재액을 제외한 현금및현금성자산, 금융기관 예치금, 매출채권 및 기타채권, 매도가능금융자산(채무증권), 기타금융자산 그리고 파생금융상품 등과 같은 거래에서 발생할 수 있습니다. 이러한 위험을 줄이기 위해 당사는 신용도가 높은 금융기관 및 고객에 대해서만 거래를 하고 있습니다.
한편, 보고기간종료일 현재 신용위험의 최대노출도는 현금및현금성자산, 매출채권 및 기타채권, 기타금융자산의 장부가액과 같습니다.
(3) 유동성 위험유동성위험 관리는 충분한 현금 및 시장성 있는 유가증권의 유지, 적절하게 약정된 신용한도금액으로부터의 자금 여력 및 시장포지션을 결제할 수 있는 능력 등을 포함하고 있습니다. 활발한 영업활동을 통해 당사의 재무팀은 신용한도 내에서 자금 여력을 탄력적으로 유지하고 있습니다.당사의 금융부채를 보고기간종료일로부터 계약 만기일까지의 잔여기간에 따라 구분한 내역은 다음과 같습니다.

(당반기말) (단위 : 천원)

구 분	장부금액	계약상 원금

1년 미만	1년 ~ 2년	2년 ~ 5년	5년 초과	합 계

금융부채	22,453,126	11,353,425	1,058,035	10,041,666	-	22,453,126

금융부채이자	-	320,145	217,798	298,422	-	836,365

합 계	22,453,126	11,673,570	1,275,833	10,340,088	-	23,289,491

(전기말) (단위 : 천원)

구 분	장부금액	계약상 원금

1년 미만	1년 ~ 2년	2년 ~ 5년	5년 초과	합 계

금융부채	15,135,575	13,144,878	1,524,033	466,664	-	15,135,575

금융부채이자	-	118,903	85,548	14,683	-	219,134

합 계	15,135,575	13,263,781	1,609,581	481,347	-	15,354,709

(4) 자본위험당사는 부채와 자본의 최적화를 통하여 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화시키는 동시에 계속기업으로서 존속할 수 있도록 자본을 관리하고 있습니다. 당사는 자본관리 지표로서 부채비율을 이용하고 있으며 부채총계를 자본총계로 나누어 산출하고 있습니다.보고기간종료일 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구 분	당반기말	전기말

부채총계	24,168,086	18,744,787

자본총계	65,986,353	60,702,903

부채비율	36.63%	30.88%

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황

당사는 공시서류작성기준일 현재 해당 사항이 없습니다.

9. 경영상의 주요계약 등

공시서류작성기준일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 아래와 같습니다.

● 자산양수도

계약상대방	계약 내용	계약체결일	양수기준일	자산양수금액	대금지급기준

유니레버코리아 주식회사	유형자산양수(목적물 : 대전 대덕구 대화동 40-66번지 소재 토지(26,180㎡) 및 건물(15,337.824㎡))	2016-03-10	2016-04-11	11,500백만원	계약금(20%) : 토지 2,022,620,000원(2016.03.11) 계약금(20%) : 건물 277,380,000원(2016.03.11) 부가세10% 별도잔금(80%) : 토지 8,090,480,000원(2016.04.11)잔금(80%) : 건물 1,109,520,000원(2016.04.11) 부가세10% 별도

목적	공장 추가 건설을 위한 토지매입(매출성장 및 생산량 확대)

※ 위의 자산양수를 통하여 당사의 경영권에 미치는 영향은 없으며, 세부적인 내용은 공시서류(주요사항보고서-유형자산양수결정, 2016-03-10)를 참조하시기 바랍니다.

10. 연구개발활동가. 연구개발활동의 개요

당사는 급변하는 반도체 전자 재료시장에서 향후 사용 가능성이 있는 신규 물질 연구개발 및 산업재에 적용하기 위한 기능성 코팅제에 대한 연구 개발을 수행하고 있습니다.

나. 연구개발 담당 조직

당사에서는 최상의 성능과 품질을 보유한 제품을 개발하기 위하여 핵심기술 개발에 집중하는 것은 물론이고 사업영역의 확대와 미래기술 확보를 위하여 노력하고 있습니다. 연구개발 조직의 내용은 다음과 같습니다.

반도체 재료 연구 센터

1팀	2팀	3팀	4팀

◎ ALD 및 PEALD방식의 저온 공정이 가능한다목적 SiO2, Si3N4 전구체 개발 ◎ Flowable SiO2 전구체 개발 ◎ LPCVD 방식의 Si seed layer 증착 전구체 개발 ◎ 1×/2x nm급 반도체 및 플렉시블 디스플레이를 위한 고밀도 플라즈마 응용 무기물 증착 핵심 기술 개발	◎ 하드마스크용 SOC 물질개발◎ Gap-Fill용 SiO₂전구체 개발 ◎ 신규 ACL 전구체 개발
◎ 20nm 이하급 디바이스 적용가능한 Ultra low-k 전구체 개발(산업통상자원부 과제)	◎ 고온용 High-k Capacitor Dielectric 전구체 개발 ◎ 차세대반도체 커패시터용 고유전 전구체 개발 ◎ High-k metal gate용 전구체 개발	◎ 배선재료용 전구체 개발◎ 반도체용 금속 MO 전구체 개발◎ PRAM용 GST 전구체 개발◎ 투명 전도막(TCO) 전구체 개발 ◎ 에너지 절감을 위한 50인치 기준 15w급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천기 술 개발	◎ ALD Process 개발◎ PECVD Process 개발◎ MOCVD Process 개발◎ 칩 메이커 Process 지원 업무

신사업추진실

기능성코팅연구센터	나노재료개발팀

◎ 다목적 발수 코팅제 개발◎ 필름용 하드 코팅제 개발◎ 눈부심 방지 코팅제 개발 ◎ 배리어 코팅제 개발 ◎ 기타 기능성 코팅제 개발	◎ 귀금속 복합촉매 개발◎ 첨단 디스플레이 기능 향상을 위한 나노 입자합성 기술 개발 ◎ 표면처리 필름 용 저굴절 및 고굴절 소재 개발

다. 연구개발 비용

당사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다.

(단위 : 원)

과 목	제16기 반기(2016년)	제15기(2015년)	제14기(2014년)	비 고

원 재 료 비	153,729,525	379,104,055	567,798,692	-

인 건 비	1,235,108,493	2,541,216,620	2,107,507,546	-

감 가 상 각 비	156,264,482	322,184,265	321,532,116	-

위 탁 용 역 비	10,000,000	59,000,000	-	-

기 타	852,222,803	1,333,682,134	1,067,703,672	-

연구개발비용 계	2,407,325,303	4,635,187,074	4,064,542,026	-

회계처리	판매비와 관리비	2,331,023,654	4,482,295,473	3,934,223,309	-

제조경비	76,301,649	152,891,601	130,318,717	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	8.64%	6.48%	6.60%	-

※ 상기 자료는 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 기준으로 작성되었습니다.

라. 연구개발 실적

주 요 연 구 과 제 명	연구결과 및 기대효과

신규 구리 배선용 CVD/ALD 전구체 개발(자체개발)	- 반도체의 기존 알루미늄 및 텅스텐 배선을 대체 가능한 구리배선용 CVD/ALD 전구체 개발

절연 특성을 갖춘 SOD 재료 개발	- 전량수입에 의존하고 있는 STI, PMD, IMD Gap-Fill 적용되는 SOD 재료 개발

CVD/ALD용 SiO₂ 박막을 위한 전구체 개발	- 신규 산화규소 박막용 전구체 개발

기능성 나노 유리막 코팅재료 개발	- 얇은유리박막의 우수한 물성으로 산업재 전반 에 경쟁력 있는 제품으로 평가 - 인조대리석용 고광택 내오염 코팅제 출시

반도체용 Thinner 개발	- 폴리실라잔 처리 용제 개발

유전체용(low-k) 전구체 개발	- DPT공정 희생막 형성용 박막재료의 개발 및 low temp. 공정용 SiO₂ 전구체 개발

배선재료용 전구체 개발	- Cu계 전구체 개발

기능성 코팅제 개발	- 자동차용 하드 코팅제 출시

low temp. Gap-Fill용(flowable oxide)절연막용 전구체 개발	- aspect raitio가 증가하는 공정에 대한 대응 개발 전구체로 30nm이하 급의 STI, ILD Gap-Fill사용 가능 기술 확보

투명 전도성 소재(TCO) 산화물 전극의 전구체 개발	- 투명 전도성 재료의 90% 이상을 차지하고 있는 ITO중 인듐의 고갈로 인한 대체 재료의 연구개 발 이 시급하며, 투명 전도성 소재 개발에 따른 저단가 및 안정적 생산에 따른 시장 확보

PRAM용 GST 전구체 개발(공동개발)	- 삼성전자 세계 최초 512Mb PRAM 양산 및 하이 닉스의 PRAM시장 진입등 DRAM 대체 메모리 로 각광. 시장에 대응하며 GST전구체 개발 및 양산화 진행

반도체 패키지용 비시안화 금도금액 개발	- 전량 수입 의존 물질로 국산화 개발- 산학연 공동기술 개발사업(과제 종료)

실리콘계 표면개질을 통한 내습성이 우수한 인계 난연제 개발	- 기존 수입의존도 높은 물질의 국산화 개발
- 내습성 향상을 통한 난연성을 향상시킨 인계 난 연제 개발

에너지 절감을 위한 50인치 기준 15w급 환경적응(Light Adaptable Space Adaptable : LASA) 디스플레이 신모드 핵심 원천기술 개발	- LCD/PDP를 대체할 수 있는 차세대 디스플레이 기술 개발에 필요한 저가격, 저온 공정 박막 형성 용 전구체 개발

1X/2X급 반도체용 저온 무기물 증착을 위한 PEALD 장비 핵심기술 개발	- 저온 무기물 증착을 위한 ALD 장비 기술 개발에 필요한 전구체 개발

High-k metal gate용 신규 전구체 개발	- High-k metal gate용 HfSiO4 신규 precursor 개발- 자 체 ALD 증착 결과 armophos 형태의 HfSiO4 박막이 형성되어 기존대비 50%이상의 성능 향상기대

저온 증착 가능한 Co(Si)2 박막 증착용 전구체 개발 및 공정 개발	- 저온 증착이 가능한 Co 전구체 합성 및 공정 기술 개발

차세대반도체 커패시터용 고유전 전구체 개발	- 25nm이하의 Device에서 미세화 기술로 인 한 소자의 성능개선에 부합할 수 있는 고온용 전 구체 개발 및 양산 기술 확보- 산학연 공동개발을 통한 기술인력 양산과 독자적인 기술력 확보(과제종료)- 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물,
이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조

Ultra Low-k Si 전구체 개발	- 고강도, 고내열, 초저유전 소재 개발하여 IMD, ILD 절연막에 사용 검토 중- 실리콘 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 유전막의 제조 - 실리콘 전구체를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법- 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법

차세대 Low-k 하드마스크용 물질 개발	- high modulus, low-k 값을 갖는 저 유전율 차세대 물질 개발- 붕소함유 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 붕소함유방막 제조 - 하드마스크용 SOC 물질개발

고품위 Plastic AMOLED 원천기술개발	- Plastic AMOLED용 절연막 재료 개발 과제 완료 - 2010.03 ~ 2015.02

첨단 디스플레이 기능 향상을 위한 나노 입자 개발	- 세계적인 대기업과 기술 협약을 맺고, 유상 샘플 제공

배선재료용 전구체 개발	- 텅스텐 전구체화합물 및 이의 제조방법 출원 - 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 출원- 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 출원

저온 공정이 가능한 다목적 SiO2, Si3N4 전구체 개발	- 저온 증착이 가능한 전구체 합성 및 공정 기술 개발. - 2013 ALD 학회 저온 SiO2 증착 관련 발표 - 2014 한 국반도체학술대회 발표 2건 - 2014 ALD 국제학회 발표 1건 - 2015 ALD 국제학회 발표 2건 - 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조 방법 출원

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항 가. 지적재산권 보유현황

보고서 작성기준일 현재 회사가 영위하는 사업과 관련 하여 28 건의 특허권 을 취득하여 보유하고 있으며, 각 특허권의 상세 내용은 다음과 같습니다.

종 류	취 득 일	내 용	근거법령	취득소요현황	상용화여부 및매출기여도

인력	기간	비용

전자재료	2005.09.07	반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착방법	특허법	4명	9월	2억	상용화로 매출액의 60~70%

전자재료	2006.09.04	반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막증착방법	특허법	4명	1년4월	4억	상용화로매출액의 60~70%

전자재료	2006.09.13	루테늄 박막증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착방법	특허법	4명	1년3월	5억	상용화 단계

전자재료	2007.08.31	알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물의 제조방법	특허법	3명	1년3월	3억	상용화완료

전자재료	2007.08.31	알루미늄 증착 전구체 및 그의 제조 방법	특허법	5명	1년2월	4억	상용화완료

전자재료	2007.09.04	게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을 이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성방법(칩메이커와 공동연구)	특허법	5명	1년2월	4억	상용화진행중

전자재료	2007.10.01	고순도의 유기갈륨화합물의 제조방법	특허법	5명	1년2월	4억	상용화진행중

전자재료	2008.05.07	알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물 및 이의 제조방법	특허법	3명	2년	5억	상용화완료

전자재료	2010.05.10	신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법	특허법	6명	2년3월	4억	상용화진행중

전자재료	2010.05.10	신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법	특허법	6명	2년4월	5억	상용화진행중

전자재료	2010.05.10	신규한 저머늄유도체 화합물 및 이의 제조방법	특허법	6명	1년7월	4억	상용화진행중

귀금속촉매	2010.10.08	헤테로다이머 및 합금 나노결정의 제조방법(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전)	특허법	1명	-	0.42억	상용화 진행중

전자재료	2011.06.02	알킬아미노실란의 제조	특허법	6명	1년10월	2억	상용화로매출액의 30~40%

귀금속촉매	2011.12.09	나노래틀 구조물 및 그의 제조방법(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전)	특허법	1명	-	0.42억	상용화 진행중

귀금속촉매	2012.07.19	나노덴트라이트의 제조방법(경희대 산학협력단, 충북대 산학협력단으로부터 권리이전)	특허법	1명	-	0.4억	상용화 진행중

전자재료	2012.08.23	폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법	특허법	8명	6월	1억	상용화 진행중

전자재료	2012.08.23	폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법	특허법	8명	6월	1억	상용화 진행중

전자재료	2013.05.13	인조대리석용 코팅액(대기업 공동특허)	특허법	8명	2년4월	1억	상용화 진행중

전자재료	2014.01.24	알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 (대기업 공동특허)	특허법	14명	2년 4월	1억	상용화 진행중

전자재료	2014.02.18	산화아연계 박막 증착용 전구체, 그 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법(대기업 공동특허)	특허법	14명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2014.03.28	트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자(인하대학교 산학협력단으로부터 권리이전)	특허법	2명	-	0.1억	상용화 진행중

전자재료	2015.05.07	접착제 조성물 및 그 조성물을 이용한 웨이퍼 본딩 방법	특허법	6명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2015.11.10	지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조 방법	특허법	11명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2015.12.29	신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물(대기업 공동특허)	특허법	11명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2016.01.15	코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막	특허법	7명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2016.02.29	신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막	특허법	9명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2016.02.29	신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막	특허법	9명	2년	1억	상용화 진행중

전자재료	2016.06.03	눈부심 방지 유리 및 이의 제조 방법	특허법	5명	2년	1억	상용화 진행중

※ 나노래틀 구조물 및 그의 제조방법과 헤테로다이머 및 합금 나노결정의 제조방법은 2011년 10월 27일에 경희대 산학협력단으로부터 권리 및 기술이전 하였습니다. ※ 트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자는 2014년 6월 25일 인하대학교 산학협력단으로부터 권리 및 기술이전 하였습니다.

나. 환경 관련 사항

환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항을 규제하는 정부규제의 준수에 대한 사항은 다음과 같습니다.

환경배출물질	법규 규제 사항	준수 사항

먼지, 염화수소, 황화합물 등	대기환경보전법	대기방지시설 (1차 흡착탑/1차 세정식 스크러버)

대기 자가측정 (월2회 측정 /배출허용기준 미만)

COD, BOD, SS 등	수질 및 수생태계 보전에 관한 법	전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만)

비점오염원 저감설비 설치	수질 및 수생태계 보전에 관한 법	SS,먼지등 강우시 발생되는비점오염원 저감 후 배출

사업장 폐기물	폐기물 관리법	허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체 를 통한 전량 외주 처리

※ 당사는 상기와 같은 법규 준수 및 아래와 같은 환경보호 활동을 능동적으로 대응하고 있습니다. - ISO14001 환경 인증 및 유지관리 - 녹색성장 기본법에 준하는 온실가스 인벤토리 구축 및 배출 감소 활동 - 폐기물 재활용화 사업을 통한 가치 창출 - 안전보건경영시스템 인증획득(KOSHA18001,OHSAS18001)※ 환경유해물질 배출억제를 위해 당사가 투자한 내역은 아래와 같습니다.

(단위 : 천원)

연도별 (최근 3년도)	악취개선 시설명	투자액

2011	중화제 외	12,000

2012	세정식 스크러버 외	208,000

2013	폐수처리 외	302,100

2014	폐수처리 외	158,227

2015	세정식스크러버외	53,501