디엔에프 반기보고서 (2021.06)
5. 위험관리 및 파생거래

1. 금융위험관리 연결실체는 경영활동과 관련하여 신용위험, 유동성위험 및 시장위험 등 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체는 금융위험이 경영에 미칠 수 있는 불리한 효과를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.1) 신용위험관리연결실체는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있습니다. 연결실체는 최초 거래시 신용등급 및 거래량을 확인하여 한도를 부여하고 있으며, 채무불이행 및 재고보유량을 확인하여 거래량을 조절하는 방법으로 신용위험을 최소하고자 노력하고 있습니다. 보고기간종료일 현재 회수기일이 경과하였으나 신용등급에 중요한 변동이 없고, 회수가능하다고 판단되어 대손충당금을 설정하지 않은 채권이 포함되어 있습니다. 연결실체는 이러한 채권에 대하여 담보를 설정하거나 기타 신용보강을 받고 있지 않으며, 거래상대방에 대한 연결실체의 채무와 상계할 법적 권리도 보유하고 있지 않습니다.

(가) 금융상품 종류별 신용위험의 최대 노출금액은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 )

구분	당반기	전기

장부금액	신용위험최대노출금액	내용	장부금액	신용위험최대노출금액	내용

매출채권	9,863,200	9,863,200	제품 등 재화의 공급에 따른 미회수대금	8,306,510	8,306,510	제품 등 재화의 공급에 따른 미회수대금

대여금	190,250	190,250	임직원단기대여금	148,950	148,950	임직원단기대여금

미수금	309,103	309,103	유무형자산및폐자재매각대금	401,546	401,546	유무형자산및폐자재매각대금

임차보증금	3,100	3,100	소액비품의 임차보증금	3,100	3,100	소액비품의 임차보증금

기타보증금	3,129,347	3,129,347	임직원기숙사보증금	2,913,987	2,913,987	임직원기숙사보증금

합 계	13,495,000	13,495,000	11,774,093	11,774,093

2) 유동성위험관리연결실체는 미래의 현금흐름을 예측하여 단기 및 중장기 자금조달 계획을 수립하여 유동성위험을 관리하고 있으며, 금융부채의 잔존계약 만기에 따른 만기분석 내용은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 ) 구 분 장부금액 1개월이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년초과 매입채무 및 기타채무 8,686,702 5,362,636 3,251,920 - 72,146 - 상환전환우선주부채 및 파생상품부채 7,566,226 7,566,226 - - - - 차입금 19,658,095 545,595 2,037,500 16,302,530 772,470 - 리스부채 463,365 18,712 35,928 160,378 248,347 - 합 계 36,374,388 13,493,169 5,325,348 16,462,908 1,092,963 - (단 위 : 천원 ) 구 분 장부금액 1개월이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년초과 매입채무 및 기타채무 4,516,383 2,637,357 1,738,313 - 140,713 - 상환전환우선주부채 및 파생상품부채 7,178,431 7,178,431 - - - - 차입금 22,099,909 2,916,576 7,000,000 11,289,203 856,630 37,500 리스부채 543,168 20,136 35,788 161,532 325,712 - 합 계 34,337,891 12,752,500 8,774,101 11,450,735 1,323,055 37,500 3) 시장위험연결실체는 환율과 이자율의 변동으로 인한 시장위험에 노출되어 있습니다.(가) 외환위험관리① 보고기간종료일 현재 외환위험에 노출되어 있는 연결실체의 금융자산 및 금융부채의 내역의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 ) 구분 당반기 전기 USD CNH JPY TWD USD CNH JPY TWD 금융자산 보통예금 8,330 - 124,249 - 14 - 81,473 - 매출채권 2,284,995 338,337 9,199 370,009 2,364,825 617,433 6,452 220,347 금융부채 매입채무 4,800,097 371,492 - - 1,356,270 447,054 - - ② 연결실체는 외화거래 수행에 따라 다양한 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 주요 통화별 환율변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 ) 구분 당반기 전기 10%상승 10%하락 10%상승 10%하락 USD (250,677) 250,677 100,857 (100,857) CNH (3,316) 3,316 17,038 (17,038) JPY 13,345 (13,345) 8,793 (8,793) TWD 37,001 (37,001) 22,035 (22,035) (나) 이자율위험관리연결실체는 고정이자율과 변동이자율로 자금을 차입하고 있으며, 이로 인하여 이자율위험에 노출되어 있습니다. 연결실체는 고정금리차입금과 변동금리차입금의 적절한 균형유지 정책을 수행하는 등 이자율위험을 관리하고 있으며, 이자율위험에 노출된 차입금 내용은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 ) 구 분 당반기 전기 차입금 17,658,095 7,666,666 합 계 17,658,095 7,666,666 이자율 1% 변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다. (단 위 : 천원 ) 구분 당반기 전기 1%상승 1%하락 1%상승 1%하락 이자비용 133,848 (133,848) 70,747 (70,747) (다) 기타가격위험요소연결실체는 재무상태표 상 당기손익공정가치측정금융자산과 기타포괄손익공정가치측정금융자산으로 분류되는 지분증권의 가격위험에 노출되어 있습니다. 당반기말 현재 연결실체의 시장성 있는 지분상품은 당기손익공정가치측정금융자산으로 분류되어 공정가치의 변동이 손익으로 반영되고 있으므로, 주가가 10% 상승(하락)하는 경우, 지분상품의 가격 변동이 연결실체의 법인세비용차감전순손익에 미치는 효과는 1,006,605천원(전기 : 893,432천원) 증가(감소)합니다. 2. 자본위험관리연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로 영업활동을 유지하고 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화하하고 자본비용의 절감을 위하여 최적의 자본구조를 유지하는데 있습니다. 연결실체는 배당조정, 신주발행 등의 정책을 통하여 자본구조를 경제환경의 변화에 따라 적절히 수정변경하고 있습니다. 연결실체의 자본위험관리정책은 전기와 중요한 변동이 없습니다. (단 위 : 천원 ) 구분 당반기 전기 부채총계 43,119,870 41,374,326 차감: 현금및현금성자산 13,219,656 16,190,396 순부채 29,900,214 25,183,930 자본총계 116,427,735 115,007,413 순부채비율 25.68% 21.90% ※ 상기 자본총계는 비지배지분을 포함한 금액입니다. 6. 주요계약 및 연구개발활동 1. 경영상의 주요계약 등 당사는 5G 이동 통신 사업 진출을 위해 전기/전자 분야 강소기업 100에 선정된㈜켐옵틱스의 주식 1,154,889주를 2020년 7월 1일에 인수하여 총발생주식 2,078,961주(우선주 222,000주 포함) 대비 50.2%지분율이며, 우선주를 금융부채로 분류함에 따라 지분율 55.6%를 기준으로 종속기업으로 편입하였습니다. 자세한 사항은 주요사항보고서(자기주식처분결정)(2020.06.15)와 타법인주식및출자증권취득결정(자율공시)(2020.06.15)을 참조하시기 바랍니다. ※ 당사는 2021년 7월 28일에 생산시설 증설 및 차세대 반도체 연구개발 목적으로 삼성전자(주)와 신주인수계약을 체결하였으며, 자세한 사항은 2021.07.28 주요사항보고서(유상증자결정) 공시를 참고하시기 바랍니다. ※ 기타 내용의 기재 회사는 2018년 4월 19일 골프장 운영업체인 (주)옥산레저의 경영권 인수 목적으로 (주)엘엔디를 공동 설립취득(지분율50%) 하였으며, 2021년4월에 청산완료 하였습니다.자금 거래 및 채권채무 주요 잔액은 아래에 기재 하였습니다. (단위 : 천원) 회사명 자금대여 거래 현금출자 대여 회수 ㈜엘앤디 - - - 2. 연구개발활동 가. 연구개발활동의 개요 당사는 급변하는 반도체 전자 재료시장에서 향후 사용 가능성이 있는 신규 물질 연구개발 및 산업재에 적용하기 위한 기능성 코팅제에 대한 연구 개발을 수행하고 있습니다. 나. 연구개발 담당 조직 당사에서는 최상의 성능과 품질을 보유한 제품을 개발하기 위하여 핵심기술 개발에 집중하는 것은 물론이고 사업영역의 확대와 미래기술 확보를 위하여 노력하고 있습니다. 연구개발 조직의 내용은 다음과 같습니다. 반도체 재료 연구소 1팀 2팀 3팀 선행기술연구센터 ◎ ALD/CVD 공정이 가 능한다목적 SiO2, Si3N4, SiOC(N), SiCN 전구체 개발 ◎ Gap-fill (flowable) SiO2, SiN 전구체 개발 ◎ 차세대 디바이스용 Polysilazane 개발 ◎ Ultra low-k 전구체 개발 ◎ Selective Si 증착 전구체 개발 ◎ High-k 전구체 개발 ◎ 전극용 전구체 개발◎ 배선재료용 전구체 개발◎ 반도체용 금속 MO 전구체 개발◎ GST 전구체 개발 ◎ Area Selective Deposition용 전구체 개발 ◎ ALD Process 개발◎ PECVD Process 개발◎ MOCVD Process 개발◎ 칩 메이커 Process 지원 업 무 ◎ ALE Process 개발 ◎ Display Encapsulation용 전구 개발◎ SOC 전구체 개발◎ Metallization용 전구체 개발 ◎ High-k용 Metal 전구체 개발 ◎ 8세대 IGZO계 산화물 원자층 증착 장비 및 고이동도 박막트랜지스터 기술개발 ◎ EUV 장비용 광학계 적용을 위 한 초박막 소재 및 부품의 양산 기술 개발 기능성재료연구소 ◎ 디스플레이용 눈부심 방지 코팅제 개발◎ 디스플레이 및 필름용 하드 코팅제 개발◎ 필름용 배리어 코팅제 개발 ◎ 다목적 발수 코팅제 개발 ◎ 건물일체형 태양광(BIPV)컬러유리 코팅제 개발 ◎ 귀금속 복합촉매 개발◎ 첨단 디스플레이 기능 향상을 위한 나노 입자합성 기술 개발 ◎ 표면처리 필름 용 저굴절 및 고굴절 소재 개발 종속회사 (주)켐옵틱스 연구소 소자 개발 부서 다채널 가변광감쇠기, 파장가변 광송수신기 개발 재료 개발 부서 디스플레이용 재료, 광통신용 재료 개발 다. 연구개발 비용 당사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다. (단위 : 원) 과 목 제21기(당반기) 제20기(전기) 제19기(전전기) 비 고 원 재 료 비 559,805,845 740,387,237 767,690,662 - 인 건 비 2,549,739,730 4,180,208,168 2,676,943,860 - 감 가 상 각 비 326,451,442 676,390,197 632,242,095 - 위 탁 용 역 비 - - - - 기 타 1,210,702,090 2,597,272,648 2,937,244,641 - 연구개발비용 계 4,646,699,107 8,194,258,250 7,014,121,258 - 회계처리 판매비와 관리비 4,646,699,107 8,194,258,250 7,014,121,258 - 제조경비 - - - - 개발비(무형자산) - - - - 연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100] 8.30% 8.62% 11.93% - ※ 상기 자료는 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 연결기준으로 작성되었습니다. 라. 연구개발 실적 주 요 연 구 과 제 명 연구결과 및 기대효과 절연 특성을 갖춘 SOD 재료 개발 - 전량수입에 의존하고 있는 STI, PMD, IMD Gap-Fill 적용되는 SOD 재료 개발 기능성 나노 유리막 코팅재 개발 - 차 량 외장 보호용 발수 코팅제 개발 - 인조대리석용 고광택 내오염 코팅제 개발 DPT용 전구체 개발 - DPT공정 희생막 형성용 박막재료의 개발 및 low temp. 공정용 SiO2 전구체 개발 신규 구리 배선용 CVD/ALD 전구체 개발(자체개발) - 반도체의 기존 알루미늄 및 텅스텐 배선을 대체 가능한 구리배선용 CVD/ALD 전구체 개발 low temp. Gap-Fill용(flowable oxide)절연막용 전구체 개발 - aspect raitio가 증가하는 공정에 대한 대응 개발 전구체로 30nm이하 급의 STI, ILD Gap-Fill사용 가능 기술 확보 PRAM용 GST 전구체 개발 - 삼성전자 세계 최초 512Mb PRAM 양산 및 하이닉스의 PRAM시장 진입등 DRAM 대체 메모리로 각광. 시장에 대응하며 GST전구체 개발 및 양산화 진행 실리콘계 표면개질을 통한 내습성이 우수한 인계 난연제 개발 - 기존 수입의존도 높은 물질의 국산화 개발 - 내습성 향상을 통한 난연성을 향상시킨 인계 난연제 개발 1X/2X급 반도체용 저온 무기물 증착을 위한 PEALD 장비 핵심기술 개발 - 저온 무기물 증착을 위한 ALD 장비 기술 개발에 필요한 전구체 개발 완료- 2012.06 ~ 2016.05 High-k metal gate용 신규 전구체 개발 - High-k metal gate용 HfSiO4 신규 precursor 개발- 자 체 ALD 증착 결과 armophos 형태의 HfSiO4 박막이 형성되어 기존대비 50%이상의 성능 향상기대 Ultra Low-k Si 전구체 개발 - 고강도, 고내열, 초저유전 소재 개발하여 IMD, ILD 절연막에 사용 검토 중 20nm 이하급 반도체 디바이스 적용 가능한 Ultra low-k용 전구체 개발 기술 - 20nm 이하급 반도체 디바이스 적용 가능한 Ultra low-k용 전구체 개발 기술 과제 완료 - 2014.10.01~2016.09.30 차세대 하드마스크용 물질 개발 - 붕소함유 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 붕소함유방막 제조 - 하드마스크용 SOC 물질개발 디스플레이용 글라스에 적용 가능한 눈부심방지 코팅제 개발 - 모바일 및 차량용 글라스용 눈부심방지 코팅제 개발 및 제품출시- 전자칠판,박막 글라스 등 적용분야 확대를 위한 개발 ALD/CVD 공정이 가 능한 다목적 SiO2, Si3N4, SiOC(N), SiCN 전구체 개발 - 저온 증착이 가능한 전구체 합성 및 공정 기술 개발. - 2018년 신규 Si 전구체 및 조성물 특허 3건 출원 에너지 절감을 위한 50인치 기준 15w급 환경적응(Light Adaptable Space Adaptable : LASA) 디스플레이 신모드 핵심 원천기술 개발 - LCD/PDP를 대체할 수 있는 차세대 디스플레이 기술 개발에 필요한 저가격, 저온 공정 박막 형성 용 전구체 개발 과제 완료 - 2013.03 ~ 2017.02 저온(100℃ 이하) ALD SiNx 박막 형성 기술 개발 및 이를 통한 Si precursors 개량 - OLED 봉지재로 사용 가능한 저온 (≤100℃)용 Si Precursor 개발 및 이를 이용한 SiNx 박막 기술 개발- 2016.09~2017.08 차세대반도체 커패시터용 고유전 전구체 개발 - Device 미세화 기술로 인한 소자의 성능개선에 부합할 수 있는 고온용 전구체 개발 - 2017년 신규 전구체 및 조성물 특허 3건 출원10-2017-0054290, 10-2017-0062801, 10-2017-0063332 Area Selective Deposition용 전구체 개발 - Selective(SiO2 : Metal) 가능한 전구체 합성 및 공정 기술 개발. C-band 25G TOSA 개발 - 외부 변조기(EAM) 구동부 포함 TOSA 구동 회로 제작 - 25 Gbps 파장 가변 TOSA 제작 및 성능 평가 KrF 및ArF Monomer 개발 - Dupont 요청 원자재 합성 대응 - ENF ArF 모노머 합성 대응 25G O-band Tunable Transceiver 개발 - 파장가변 광트랜시버 상용화 개발 7. 기타 참고사항 1. 지 적재산권 보유현황 본 보고서 작성기준일 현재 57건 의 특 허권 을 취 득하여 보유하고 있으며 , 각 특허권의 상세 내용은 다음과 같습니다. 종 류 취득일 내 용 근거법령 취득소요현황 인력 기간 비용 전자재료 2005.09.07 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 9월 2억 전자재료 2006.09.13 루테늄 박막증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 1년3월 5억 전자재료 2007.09.04 게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을 이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성방법(칩메이커와 공동연구) 특허법 5명 1년2월 4억 전자재료 2007.10.01 고순도의 유기갈륨화합물의 제조방법 특허법 5명 1년2월 4억 전자재료 2008.05.07 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 3명 2년 5억 전자재료 2010.05.10 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법 특허법 6명 2년3월 4억 전자재료 2010.05.10 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 특허법 6명 2년4월 5억 전자재료 2010.05.10 신규한 저머늄유도체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 6명 1년7월 4억 귀금속촉매 2010.10.08 헤테로다이머 및 합금 나노결정의 제조방법(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전) 특허법 1명 - 0.42억 전자재료 2011.06.02 알킬아미노실란의 제조 특허법 6명 1년10월 2억 귀금속촉매 2011.12.09 나노래틀 구조물 및 그의 제조방법(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전) 특허법 1명 - 0.42억 귀금속촉매 2012.07.19 나노덴트라이트의 제조방법(경희대 산학협력단, 충북대 산학협력단으로부터 권리이전) 특허법 1명 - 0.4억 전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 전자재료 2013.05.13 인조대리석용 코팅액(대기업 공동특허) 특허법 8명 2년4월 1억 전자재료 2014.01.24 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 (대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 4월 1억 전자재료 2014.02.18 산화아연계 박막 증착용 전구체, 그 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법(대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 1억 전자재료 2014.03.28 트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자(인하대학교 산학협력단으로부터 권리이전) 특허법 2명 - 0.1억 전자재료 2015.05.07 접착제 조성물 및 그 조성물을 이용한 웨이퍼 본딩 방법 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2015.11.10 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 특허법 11명 2년 1억 전자재료 2015.12.29 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물(대기업 공동특허) 특허법 11명 2년 1억 전자재료 2016.01.15 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2016.02.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2016.02.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2016.06.03 눈부심 방지 유리 및 이의 제조 방법 특허법 5명 2년 1억 전자재료 2016.12.27 포토레지스트 스트리퍼 조성물 특허법 2명 2년 0.5 전자재료 2017.03.16 실리콘 전구체를 포함하는 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2017.03.21 신규한 트리실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.05.08 붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 특허법 5명 2년 1억 전자재료 2017.05.08 신규한 사이클로다이실라잔 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.05.24 붕소함유 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 붕소함유 박막 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.06.02 게르마늄 유도체 함유 박막증착용 조성물, 이를 이용하여 제조된 게르마늄 함유 박막 및 이를 이용한 게르마늄 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2017.07.14 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법 특허법 8명 2년 1억 전자재료 2017.08.16 붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.08.17 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2017.09.18 실리콘 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 유전막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2018.01.02 반사방지용 코팅 조성물 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2018.02.22 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2018.05.08 신규한 트리실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2018.06.29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 및 원자층 증착법을 이용한 Si-N결합을 포함하는 절연막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2018.08.17 비정질 탄소막 및 이의 제거방법 특허법 4명 2년 1억 전자재료 2018.11.16 반사방지용 코팅 조성물 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2019.03.12 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속함유 박막 증착용 조성물 특허법 8명 2년 1억 전자재료 2019.07.25 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2019.08.20 플라즈마 원자층 증작법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2019.10.11 금속 트리아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속 함유 박막증착용 조성물 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2019.10.15 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2020.02.04 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 특허법 6명 2년 1억 전자재료 2020.03.19 규소함유 유기금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조방법 특허법 7명 2년 1억 전자재료 2020.03.19 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.04.23 실리콘함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.04.23 실릴아민 화합물, 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.10.12 비스(아미노실릴)아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 전자재료 2020.10.23 전도성 박막의 제조방법 특허법 5명 2년 1억 전자재료 2020.10.29 반사방지용 코팅 조성물 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2020.12.08 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 10명 2년 1억 전자재료 2021.02.15 비스(아미노실릴)아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 특허법 9명 2년 1억 2. 환경 관련 사항 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항을 규제하는 정부규제의 준수에 대한 사항은 다음과 같습니다. 환경배출물질 법규 규제 사항 준수 사항 먼지, 염화수소, 황화합물 등 대기환경보전법 대기방지시설 (1차 흡착탑/1차 세정식 스크러버) 대기 자가측정 (월2회 측정 /배출허용기준 미만) COD, BOD, SS 등 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만) 비점오염원 저감설비 설치 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 SS,먼지등 강우시 발생되는비점오염원 저감 후 배출 사업장 폐기물 폐기물 관리법 허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체 를 통한 전량 외주 처리 ※ 당사는 상기와 같은 법규 준수 및 아래와 같은 환경보호 활동을 능동적으로 대응하고 있습니다. - ISO14001 환경 인증 및 유지관리 - 녹색성장 기본법에 준하는 온실가스 인벤토리 구축 및 배출 감소 활동 - 폐기물 재활용화 사업을 통한 가치 창출 - 안전보건경영시스템 인증획득(ISO45001)※ 환경유해물질 배출억제를 위해 당사가 투자한 내역은 아래와 같습니다. (단위 : 천원) 연도별 (최근 3년도) 악취개선 시설명 투자액 2015 세정식스크러버외 53,501 2019 대화 2공장 세정식스크로버외 430,300 - 종속회사 (주)켐옵틱스 환경배출물질 법규 규제 사항 준수 사항 먼지, 질소산화물 대기환경보전법 대기방지시설 (세정식 스크러버) 대기 자가측정 년2회 측정(5종 사업장) Ph, TOC, SS, n-H(광유), ABS, T-N, T-P, 생태독성 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만) 사업장 폐기물 폐기물 관리법 허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체를 통한 전량 외주 처리 3. 사업의 내용과 관련된 사항 가. 산업의 특성 및 성장성 반도체는 사물인터넷 시대를 맞아 대호황기를 겪고 있으며, 그에 따른 칩의 소형화, 경량화, 저전력화, 고용량화, 고속화 등의 수요 트랜드에따라 공정, 장비, 소재 등의 변화로 다양한 다양한 기술 진보를 만들어내고 있습니다. 반도체용 정밀화학소재산업, 특히 반도체 제조의 핵심소재로 사용되는 증착용소재산업은 글로벌 시장에서 선전하고 있는 전방산업과 국산화 기술개발이 활발한 장비산업과 달리, 상당부분의 시장을 미국, 유럽, 일본 기업들이 점유하고 있어 국내 반도체 제조 기업의 시장 경쟁력을 높이기 위해 지속적인 국산화 노력이 필요한 산업입니다. 세계반도체시장통계기구(WSTS) 에 따르면,2020년 반도체 규모는 3.3% 성장에서 5.1%로 상향 조정한 4331억4500만 달러를 기록할 것으로 예측했습니다. 또한 2020년 성장세가 가장 높을 것으로 보는 반도체는 메모리로 대략 12.2% 성장을 예상했습니다. WSTS는 2021년 반도체 업계 시장 규모는 4694억300만 달러에 이를 것으로 전망했으며, 이는 2020년 대비 8.4% 성장하는 것으로 반도체 산업의 지속적인 성장이 예상됩니다. 종속회사 (주)켐옵틱스의 사업 영역인 통신 시장은 크게 무선통신시장과 유선통신시장으로 나눌 수 있으며 부품-모듈-장비-서비스로 이어지는 수직적인 구조를 이루고 있습니다. 2019년부터 한국과 미국에서는 5G 상용화 서비스를 개시한 이후 5G 통신망 투자 수요에 따라 시장은 급격하게 성장하고 있으며 국내의 경우 2022년 전국망 구축까지 투자가 지속될 것으로 전망하고 있습니다. 또한 광통신 산업은 국가 인프라 산업으로서 국가정책 관련성이 크고 높은 신뢰성이 요구되는 기술 집약형 산업이라는 특성이 있습니다. 5G 통신망 구축에 따라 5G 통신 시장은 급속하게 성장하고 있습니다. 한국전자통신연구원(ETRI)에 따르면, 국내 5G 시장은 2020년 27억달러에서 2026년 381억달러로 약 10배 이상 시장규모가 성장할 것으로 예상하고 있으며 해외 5G 시장은 2020년 378억 달러에서 2026년 1조1588억 달러로 약 30배 가까이 시장규모가 성장할 것으로 예상하고 있습니다. 5G 통신망 구축은 무선뿐만 아니라 유선 네트워크 구조에도 변화를 가져오고 있으며, 10기가 인터넷 상용화, 대용량 광전송장비 확대 설치 등 유선 인프라의 고도화 작업도 진행되고 있으므로 향후 지속적인 성장을 기대합니다. 나. 경기변동의 특성 및 계절성 미국과 중국의 무역분쟁으로 인하여 글로벌 변동성 확대로 불안감이 증가하였고, 코로나 19 바이러스 팬데믹으로 소비 감소로 이어져 이로 인한 영향으로 국제 정세의 영향이 작다고 할 수 없습니다. 하지만 5세대 이동통신, 자동차 산업 회복, 데이터센터 수요증가,인공지능 등 4차 산업의 영향 및 코로나19로 재택근무와 원격수업 등 비대면 경제가 활성화되면서 반도체와 서버용 반도체 수요가 폭발적으로 증가 했습니다. 이렇듯 반도체의 수요, 가격, 국제정세 등은 반도체용 소재 매출 상황에 큰 영향을 끼치는 중요한 요인들 입니다. 종속회사 (주)켐옵틱스의 사업 영역인 통신 시장의 투자계획은 비교적 장기계획을 통하여 이루어지기 때문에 타 산업에 비해 경기 변동에 의한 영향이 적은 편입니다. 반면 통신료 책정정책, 공공 주파수 경매, 방통융합정책, 통신 인프라 촉진정책 등 정부 정책과 통신망 교체주기 등에 따른 영향은 크게 받고 있습니다. 그럼에도 불구하고 인터넷 사용자나 모바일 데이터 통신의 수요는 꾸준히 증가하고 있기 때문에 장기적 관점에서는 4~5년을 주기로 신규 서비스에 대한 수요와 관련 투자가 지속적으로 발생하고 있습니다. 다. 국내외 시장 여건 당사의 주력 제품들은 메모리 반도체의 소자 형성에 사용되는 증착재료이므로, 메모리 반도체 경기를 바탕으로 변화하는 고객사의 사업전략에 영향을 받습니다. 2020년 초 전 세계를 강타한 코로나 19 바이러스 팬데믹은 쉽게 회복되지 않고 있고, 미국과 중국의 무역분쟁도 극에 달하며 시장의 급격한 위축을 불러 일으켰습니다. 이러한 위기 상황에서도 5세대 이동통신, 자동차 산업 회복, 데이터센터 수요증가,인공지능 등 4차 산업의 영향으로 코로나 19 바이러스 팬데믹으로부터 부정적 영향을 덜 받았습니다. 종속회사 (주)켐옵틱스의 사업 영역인 국내외 통신 시장에서는 5G 네트워크 인프라 투자 및 개발이 진행되고 있습니다. 국내는 2019년 4월 3일 전 세계 최초로 5G 서비스를 상용화 했고 약 925만명 가입자[과학기술정보통신부_2020년 9월 기준]를 돌파 하며 빠르게 증가하고 있고 지속적으로 증가될 것으로 예상됩니다. 국내외 주요 국가들도 5G서비스 상용화를 위해 경쟁적으로 네트워크 인프라 투자를 진행함에 따라 광부품의 수요 또한 빠르게 성장할 것으로 기대하고 있습니다. 코로나19의 영향으로 2020년 5G 투자는 현재 감소 및 지연된 상황이지만 국내는3.5GHz 주파수 대역의 전국망 구축을 위한 투자가 진행되고 있으며, 28GHz 대역의 추가 투자가 이루어질 전망이며, 해외 주요국가 역시본격적인 투자가 이루어질 것으로 예상됩니다. 라. 회사의 경쟁우위 요소 당사는 분자설계 및 합성, 정제에 특화된 높은 기술력을 바탕으로 2003년부터 국내·외 반도체 제조 업체 및 장비 업체와 공동개발을 시작하였고, 이후 양산을 위한 자체적인 플랜트 및 초고순도 정제 설비의 구축, 생산공정 개발, 정밀분석 장비 및 방법의 개발, 품질관리 체계를 통한 신뢰성 구축, 자체 제품공급을 위한 영업네트워크 구축을 통하여 2005년부터 이들 공동개발 제품을 차례로 양산공정에 공급하고 있습니다. 당시, Al 배선재료를 시작으로 Hardmask용 ACL 재료, Gap fill용 SOD 재료 등의 순서로 제품을 다각화 하였으며, 특히 2012년 납품 시작한 DPT 재료는 현재까지 높은 시장점유율을 유지하고 있습니다. 2013년 하반기부터 본격적으로 공급 시작한 High-k 전구체는 DRAM 제조 공정의 핵심인 Capacitor용 재료로 DRAM 미세화에 중심적 역할을 하였고, 같은 해 공급 시작한 저온 공정용 SiO/SiN 재료는 V-NAND 양산에 따라 사용량이 점차 증가하여 향후, DPT 재료와 함께 당사 매출 성장의 든든한 버팀목이 될 것으로 예상되고 있습니다. 이처럼 당사는 글로벌 협력업체들과 진행하는 차세대 반도체 제조 공정용 재료 개발 프로젝트에 지속적이고 적극적인 참여로 선도기술에 대한 교류를 활발하게 진행하고 있으며, 그로 인해 진입 장벽이 높은 재료시장에서 매해 새로운 재료의 공급을 성공시키고 있습니다. 또한, 당사는 자체 연구개발에 대한 지속적인 투자를 통하여, 새롭게 창출되고 있는 다양한 반도체 재료시장에 앞서 대응하고 기존 제품의 지속적인 품질 향상을 위해 기업 연구소 산하 분야별 특화된 연구팀을 운영하여 새로운 소재개발 및 품질 향상을 위한 노력을 지속하고 있습니다. 종속회사 (주)켐옵틱스가 속해있는 광통신 산업의 특성상 제품에 대한 장기간의 높은 신뢰성을 요구하므로 이를 충족할 수 있는 기술력과 품질경쟁력이 가장 중요한 요소입니다. 또한 초기 개발 단계에서부터 광통신 장비의 요구 사항을 만족할 수 있는 고객 맞춤형 개발 역량과 고객 대응 역량도 중요합니다. 당사는 10년 이상 광통신 부품 개발 및 제조 경험과 역량을 갖추고 있으며 고객과의 긴밀한 협력 관계에서 신뢰를 확보하고 있습니다. 마. 진행 및 향후 추진하려고 하는 사업 당사에서 기존 사업 외에 새로이 추진하고 있는 제품 및 사업 분야는 아래와 같습니다. 1) LT(Low-temp) SiN용 재료 기존 디바이스에서는 SiN을 형성하기 위해 고온의 공정이 필요하였으며, 이로 인해 후속 공정에서의 Diffusion(확산), Pore(빈공간) 생성등의 문제 점을 가지게 되었습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 LT(Low-temp) SiN의 개발이 지속적으로 요구되고 있었으나, 공정상 적용에 어려움이 있었습니다. 이에 당사에서는 지속적인 연구개발을 통해 LT(Low-temp) SiN 재료 개발을 성공하였고, 현재 양산에 사용되는 장비와 최적화 작업을 진행하고 있습니다. 2) 차세대 Hardmask 재료 Hardmask 재료는 적용 방법에 따라 CVD 공정에 사용되는 ACL(Amorphous Carbon Layer) 재료와 Spin coating 공정에 사용되는 SOC(Spin on Carbon) 혹은 SOH(Spin on Hardmask) 재료로 나누어집니다. 이러한 Hardmask 재료 역시 미세화에 따라 대두되는 수율 문제 해결을 위해 새로운 스펙의 다양한 재료 수요가 발생되고 있습니다. 당사는 이러한 수요에 대응하기 위해 차세대 Hardmask 재료 개발을 진행하고 있습니다. 3) 차세대 Metal 재료 Seed (Logic), Fill (Memory, Nand) 공정에서 미세화로 인하여, 기존 사용중인 아이템 대체 요구가 대두되고 있습니다. 이에 박막 특성 향상을 위한 차세대 Metal 재료 개발을 진행하고 있습니다. 글로벌 장비업체와 공동 개발 계약을 체결하였으며, 현재 고객사의 관심이 증가 되고 있습니다. 4) 디스플레이 소재 LCD 중심의 디스플레이 패널 시장이 OLED 중심으로 변해가고, 나아가 Flexible OLED 패널에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 특히, 국내외 스마트폰 제조업체들이 신규 출시 스마트폰에 Flexible OLED 패널 적용 계획을 보도하고 있습니다. OLED 소재는 유연하여 Flexible에 적합하긴 하지만 수분과 산소에 약해 이를 보호하는 Barrier층이 적용되는데, 이 Barrier층은 유연성이 떨어지는 단점이 있습니다. 이를 극복하기 위한 재료 및 공정 개발이 활발하게 진 행되고 있으며, 당사 역시 해당 이슈를 해결하기 위한 재료 개발을 진행하고 있습니다. 5) 고기능성 코팅제 당사의 고기능성 코팅제는 반도체 공정에 사용되는 SiO2 절연막 소재를 이용한 실리콘계 코팅제 입니다. 이를 이용한 제품군은 자동차, 가전 외장, 건축 및 산업용 외장발수 코팅제, 디스플레이 패널 글라스용 눈부심 방지용(Anti-glare, AG) 코팅제, 기타 하드 및 배리어 코팅제가 있습니다. 자동차용 외장 발수코팅제는 국내외 고정적으로 납품되고 있으며, 적용분야 확대 및 제품의 다양화를 위해 지속적인 개발을 추진하고 있습니다. 눈부심 방지용 코팅제는 국내 대기업과 공급계약을 체결하고 모바일 커버글라스에 적용 납품 중 입니다. 추가로 다수의 국내외 디스플레이 글라스 업체들의 평가를 진행하고 있습니다. 4. 사업부문별 매출액, 영업이익, 자산 2021년 반기 (주)디엔에프와 그 종속기업의 매출액, 매출비중, 영업이익, 영업이익 비중은 다음과 같습니다. 사업부문 구체적인 용도 매출액(천원) 비율(%) 영업이익 영업이익비중 (주)디엔에프[반도체] - DPT 제품 : DPT 제품(Double Patterning Tech.용 소재)- HCDS 제품 : HCDS 제품LT(Low-temp) SiO/SiN용 소재- High-k 제품 : 캐패시터 유전막용 소재- ACL 제품 : 식각공정에 사용되는 하드마스크필름용 소재- 확산방지막 제품 : 확산방지막용의 소재- 연구(High-k, Low-k, Metal 소재 등)제품- 나노 및 기능성코팅 재료 등 41,632,231 74.3 4,697,293,287 125.9 (주)켐옵틱스[광통신 소자] - 가변광감쇠기- 광스위치- 광송수신기- 파장분할다중화기- 광재료 및 전자재료 14,375,775 25.7 (-)965,314,230 (-)25.9 합 계 56,008,006 100.0 3,731,979,057 100.0 ※ 주요제품에 대하여는 '고객과의 계약에서 생기는 수익' 인식에 있어 회사의 재무제표는 K-IFRS 제1115호 '고객과의 계약에서 생기는 수익'을 적용하여 작성되었으며, 연결기준으로 작성하였습니다. ※ 상기 표 에 기재된 매 출 액 은 2 021 년 1 월 1일 부 터 2021년 6월 30 일 까지 의 거 래 내역 을 기준으로 작성 되었습니다. 2021년 반기 (주)디엔에프와 그 종속기업의 자산과 그 비중은 다음과 같습니다. (단위 : 백만원) [(주)디엔에프-반도체] 구 분 토지 건물및구축물 기계장치 건설중인자산 기타유형자산 계 비중(%) 기초 기초장부금액 25,836 16,892 9,762 372 3,633 56,496 81.59 - 취득원가 25,836 21,705 32,653 372 17,757 98,324 81.72 - 감가상각누계액(손상 포함) 0 (4,813) (22,891) 0 (14,124) (41,828) 81.89 증감 일반취득 및 자본적지출 0 0 1,354 2,019 455 3,828 82.30 감가상각 0 (369) (1,147) 0 (539) (2,055) 76.34 처분ㆍ폐기ㆍ손상 0 0 0 0 0 0 - 기타 0 0 0 0 0 0 - 기말 기말장부금액 25,836 16,523 9,969 2,391 3,550 58,270 81.84 - 취득원가 25,836 21,705 34,000 2,391 18,183 102,116 81.76 - 감가상각누계액(손상 포함) 0 (5,182) (24,031) 0 (14,633) (43,846) 81.66 기말장부금액 비중(%) 82.10 84.13 71.93 100 92.45 81.84 [(주)켐옵틱스- 광통신소자] 구 분 토지 건물및구축물 기계장치 건설중인자산 기타유형자산 계 비중(%) 기초 기초장부금액 5,633 3,168 3,655 0 289 12,745 18.41 - 취득원가 5,633 3,964 11,277 0 1,124 21,998 18.28 - 감가상각누계액(손상 포함) 0 (796) (7,623) 0 (834) (9,253) 18.11 증감 일반취득 및 자본적지출 0 0 756 0 67 823 17.70 감가상각 0 (50) (521) 0 (66) (637) 23.66 처분ㆍ폐기ㆍ손상 0 0 0 0 (4) (4) 100.00 기타 0 0 0 0 4 4 100.00 기말 기말장부금액 5,633 3,118 3,890 0 289 12,930 18.16 - 취득원가 5,633 3,964 12,008 0 1,170 22,775 18.24 - 감가상각누계액(손상 포함) 0 (845) (8,119) 0 (881) (9,845) 18.34 기말장부금액 비중(%) 17.90 15.87 28.07 - 7.53 18.16 ※ 주요 유형자산에 대한 시가는 객관적인 시가 판단이 어려워 기재를 생략했습니다.※ 기타는 환율변동에 의한 증감액 효과 등을 포함하고 있습니다. 5. 조직도 (주)디엔에프 조직도(20210630).jpg (주)디엔에프 조직도(20210630)