디엔에프 분기보고서 (2026.03)
5. 위험관리 및 파생거래

가. 금융위험관리당사는 경영활동과 관련하여 신용위험, 유동성위험 및 시장위험 등 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 당사는 금융위험이 경영에 미칠 수 있는 불리한 효과를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.

1) 신용위험관리

당사는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있습니다. 당사는 최초 거래시 신용등급 및 거래량을 확인하여 한도를 부여하고 있으며, 채무불이행 및 재고보유량을 확인하여 거래량을 조절하는 방법으로 신용위험을 최소화하고자 노력하고 있습니다. 보고기간종료일 현재 회수기일이 경과하였으나 신용등급에 중요한 변동이 없고, 회수가능하다고 판단되어 대손충당금을 설정하지 않은 채권이 포함되어 있습니다. 당사는 이러한 채권에 대하여 담보를 설정하거나 기타 신용보강을 받고 있지 않으며, 거래상대방에 대한 당사의채무와 상계할 법적 권리도 보유하고 있지 않습니다.당기말 현재 중대한 채무불이행 등이 발생할 징후는 낮은 것으로 판단하고 있으며, 당기말 현재 신용위험의 최대노출금액은 금융상품의 장부가액과 같습니다.(1) 금융자산의 손상 당사는 기대신용손실 모형이 적용되는 다음의 금융자산을 보유하고 있습니다.· 재화 및 용역의 제공에 따른 매출채권· 기타 상각후원가 측정 금융자산현금성자산도 손상 규정의 적용대상에 포함되나 식별된 기대신용손실은 유의적이지 않습니다. 가) 매출채권당사는 매출채권에 대해 전체 기간 기대신용손실을 손실충당금으로 인식하는 간편법을 적용합니다. 기대신용손실을 측정하기 위해 매출채권은 신용위험 특성과 연체일을 기준으로 구분하였습니다. 매출채권에 대한 손상은 손익계산서상 대손상각비로 순액으로 표시되고 있습니다. 제각된 금액을 회수하는 경우 회수 시점에 당기손익으로 인식하고 손익계산서에서 대손상각비의 차감으로 인식하고 있습니다. 나) 기타 상각후원가 측정 금융자산상각후원가로 측정하는 기타 금융자산에는 미수금, 대여금 등이 포함되며 손실충당금 내역은 없습니다.(2) 대손상각비당분기와 전분기 중 손익으로 인식된 금융자산의 손상 관련 대손상각비는 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구분	당분기	전분기

매출채권의 대손상각비(환입)	-	(251)

2) 유동성위험관리당사는 미래의 현금흐름을 예측하여 단기 및 중장기 자금조달 계획을 수립하여 유동성위험을 관리하고 있으며, 당분기말과 전기말 현재 금융부채의 잔존계약 만기에 따른 만기분석 내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 장부금액 1개월 이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년 초과 매입채무 및 기타채무 7,931,056 6,106,377 1,694,968 - - 129,711 리스부채 406,933 9,782 19,111 82,431 331,763 - 합계 8,337,989 6,116,159 1,714,079 82,431 331,763 129,711 (단위 : 천원) 구분 장부금액 1개월 이하 1개월~3개월 3개월~1년 1년~5년 5년 초과 매입채무 및 기타채무 8,433,812 6,168,956 2,135,497 - - 129,360 리스부채 269,265 7,824 15,647 66,226 198,865 - 합계 8,703,077 6,176,780 2,151,144 66,226 198,865 129,360 3) 시장위험 당사는 환율과 이자율의 변동으로 인한 시장위험에 노출되어 있습니다.(1) 외환위험관리 가) 보고기간 종료일 현재 외환위험에 노출되어 있는 당사의 금융자산 및 금융부채의 내역의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 당분기말 전기말 USD USD 금융자산 보통예금 - 5,540 매출채권 446,616 547,734 미수금 - - 소계 446,616 553,274 금융부채 매입채무 4,783,562 6,076,654 나) 당사는 외화거래 수행에 따라 다양한 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당분기와 전기 중 주요 통화별 환율변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구분 당분기 전기 10% 상승 10% 하락 10% 상승 10% 하락 USD (433,695) 433,695 (552,338) 552,338 (2) 이자율위험관리당사는 당분기말과 전기말 현재 이자율 위험에 노출된 변동금리 차입금이 없습니다.(3) 기타가격위험요소당사는 재무상태표상 당기손익-공정가치측정금융자산으로 분류되는 지분증권의 가격위험에 노출되어 있습니다. 당분기말 현재 당사의 시장성 없는 지분상품은 당기손익공정가치측정금융자산으로 분류되어 공정가치의 변동이 손익으로 반영되고 있으므로, 공정가치가 10% 상승(하락)하는 경우, 지분상품의 가격 변동이 당사의 법인세비용차감전순손익에 미치는 효과는 541,914천원 (전기: 548,914천원) 증가(감소)입니다. 나. 자본위험관리당사의 자본관리 목적은 계속기업으로 영업활동을 유지하고 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화하고 자본비용의 절감을 위하여 최적의 자본구조를 유지하는데 있습니다. 당사는 배당조정, 신주발행 등의 정책을 통하여 자본구조를 경제환경의 변화에 따라 적절히 수정 변경하고 있습니다. 당사의 자본위험관리정책은 전기와 중요한 변동이 없습니다. (단위 : 천원) 구분 당분기말 전기말 부채총계 11,560,926 10,790,662 차감: 현금및현금성자산 14,440,412 14,576,969 순부채 (2,879,486) (3,786,307) 자본총계 148,788,449 149,412,625 순부채비율(주1) - - (주1) 당분기말 및 전기말 순부채가 (-)로 산정되어 부채비율을 산정하지 아니하였습니다. 6. 주요계약 및 연구개발활동 가. 경영상의 주요 계약 경상적인 영업활동 외에 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요 계약은 없습니다. 나. 연구개발활동 1) 연구개발활동의 개요당사는 급변하는 반도체 전자 재료시장에서 향후 사용 가능성이 있는 신규 물질 연구개발에 대한 연구 개발을 수행하고 있습니다. 2) 연구개발 담당 조직당사에서는 최상의 성능과 품질을 보유한 제품을 개발하기 위하여 핵심기술 개발에 집중하는 것은 물론이고 사업영역의 확대와 미래기술 확보를 위하여 노력하고 있습니다. 연구개발 조직의 내용은 다음과 같습니다. 연구소 ◎ 차세대 ALD/CVD Metal 전구체 개발◎ 차세대 전구체 평가 및 ALD/CVD Process 개발◎ 차세대 고이동도 박막 트랜지스터용 소재 개발◎ ALD/CVD Si 전구체 개발 3) 연구개발 비용당사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다. (단위 : 원) 과 목 제26기 1분기(당기) 제25기(전기) 제24기(전전기) 비 고 연구개발비용 총계 1,834,130,823 7,935,401,853 7,459,951,739 - (정부보조금) (219,498,128) (289,215,969) (287,077,620) - 연구개발비용 계 1,614,632,695 7,646,185,884 7,172,874,119 - 회계처리 판매비와 관리비 1,614,632,695 7,646,185,884 7,172,874,119 - 제조경비 - - - - 개발비(무형자산) - - - - 연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100] 7.7% 9.7% 9.7% - 4) 연구개발 실적 연구과제 연구기관 개발완료 연구결과 및 기대효과 Al 전구체 개발 자체개발 2005.10 반도체 배선 박막재료로 매출 기여 ACL 소재 개발 자체개발 2007. 9 Hardmask 용 박막재료로 매출 기여 SOD 소재 개발 자체개발 2010.12 SOD 박막재료로 매출 기여 DPT 용 소재 개발 자체개발 2012. 4 DPT 박막재료로 매출 기여 DRAM 용 High-k 소재 개발 자체개발 2013. 8 DRAM Capacitor 용 박막재료로 매출 기여 Low-k 소재 개발 자체개발 2013.11 저온 Low-k 박막재료로 매출 기여 High-k metal gate용 소재 개발 자체개발 2016.12 금속 실란계 화합물로 MSiO4 박막재료로 활용 기대 Si 산화막 및 질화막용 소재 개발 자체개발 2016. 2 실리콘 산화막 및 질화막 재료로 매출 기여(CSN series) Si 산화막 및 질화막용 소재 개발 자체개발 2017. 5 실리콘 산화막 및 질화막 재료로 매출 기여(DTDX series) High-k 용 소재 개발 자체개발 2017.12 High-k 용 박막재료로 매출 활용 기대(ZTA series) High-k 용 소재 개발 자체개발 2017.12 High-k 용 박막재료로 매출 활용 기대(HTA series) 산화물 TFT ALD용 소재 개발 자체개발 2022.12 차세대 TFT용 제품 활용예정 7. 기타 참고사항 가. 지식재산권 보유현황 당사는 지속적으로 지식재산권을 확보하고 있으며, 본 보고서 작성기준일 국내 64건 및 해외 112건을 보유하고 있습니다. 당사의 국가별 등록 건수 및 주요 지식재산권은 다음과 같습니다. 1) 국가별 등록 건수 (기준일 : 2026년 3월 31일) (단위 : 건) 구분 한국 일본 미국 중국 대만 계 등록건수 64 32 31 23 26 176 2) 주요 지식재산권 출원번호 등록번호 등록일 발명의 명칭 10-2006-0065987 10-0757415 2007-09-04 게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을 이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성 방법 10-2008-0008349 10-0958332 2010-05-10 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 10-2009-0078749 10-1040325 2011-06-02 알킬아미노실란의 제조방법 10-2011-0120424 10-1357595 2014-01-24 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 10-2013-0159399 10-1600337 2016-02-29 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 10-2015-0002581 10-1735379 2017-05-08 신규한 사이클로다이실라잔 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 10-2017-0025572 10-1857478 2018-05-08 신규한 트리실릴아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 10-2015-0069444 10-1875183 2018-06-29 신규한 아미노실릴아민 화합물 및 원자층 증착법을 이용한 si-n 결합을 포함하는 절연막의 제조방법 10-2016-0136011 10-2624608 2024-01-09 저유전막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 10-2016-0129937 10-2727616 2024-11-04 유기 금속 전구체, 이를 이용한 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 나. 환경 관련 사항 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항을 규제하는 정부규제의 준수에 대한 사항은 다음과 같습니다. 환경배출물질 법규 규제 사항 준수 사항 먼지, 염화수소, 황화합물 등 대기환경보전법 대기방지시설 (1차 흡착탑/1차 세정식 스크러버) 대기 자가측정 (월2회 측정 /배출허용기준 미만) COD, BOD, SS 등 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만) 비점오염원 저감설비 설치 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 SS,먼지등 강우시 발생되는 비점오염원 저감 후 배출 사업장 폐기물 폐기물 관리법 허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체를 통한 전량 외주 처리 ※ 당사는 상기와 같은 법규 준수 및 아래와 같은 환경보호 활동을 능동적으로 대응하고 있습니다. - ISO14001 환경 인증 및 유지관리 - 녹색성장 기본법에 준하는 온실가스 인벤토리 구축 및 배출 감소 활동 - 폐기물 재활용화 사업을 통한 가치 창출 - 안전보건경영시스템 인증획득(ISO45001) 다. 사업의 내용과 관련된 사항(산업의 특성 등) 최근 인공지능(AI) 확산과 생성형 AI 서비스의 본격화, 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 힘입어 반도체 산업은 구조적인 성장 국면에 진입하고 있습니다. 특히 데이터센터 투자 확대와 고대역폭 메모리(HBM), 첨단 패키징(Advanced Packaging) 기술의 발전은 반도체 고성능화 및 고집적화를 가속화하며 관련 소재 수요를 크게 확대시키고 있습니다. 또한 전기차(EV), 자율주행, 5G/6G 통신, 사물인터넷(IoT) 등 응용 분야의 다변화로 반도체 적용 영역이 지속적으로 확대되고 있으며, 이에 따라 고신뢰성ㆍ고순도 소재에 대한 요구 수준 또한 더욱 높아지고 있습니다. 반도체 제조 공정은 미세화 및 3차원 구조 전환이 가속화됨에 따라 공정 난이도가 크게 증가하고 있으며, 이에 대응하기 위해 증착(CVD, ALD) 공정용 고순도 전구체 및 정밀화학 소재의 기술적 중요성이 더욱 부각되고 있습니다. 반도체용 정밀화학 소재 산업은 미국, 유럽, 일본 등 소수 글로벌 선도 기업 중심의 과점 구조를 형성하고 있어 진입장벽이 높은 산업입니다. 동시에 글로벌 공급망 재편 및 지정학적 리스크가 지속됨에 따라, 공급망 안정성 확보와 기술 자립을 위한 국산화 및 고객 다변화 전략의 중요성이 더욱 확대되고 있습니다. (국내외 시장 여건 등)국내의 경우, 주요 메모리 제조사를 중심으로 선단 공정 전환 및 HBM 증설 투자가 지속되고 있으며, 이에 따라 ALDㆍCVD 공정용 전구체 및 고순도 소재에 대한 수요도 확대되고 있습니다. 또한 미세화 공정 확대로 인해 고신뢰성ㆍ고순도 소재의 품질요구 수준이 더욱 엄격해지고 있습니다. 중국 시장은 자국 반도체 산업 육성을 위한 지속적인 투자 기조를 유지하고 있으며, 중장기적으로는 내수 중심의 공급망 구축을 강화하고 있습니다. 이에 따라 현지 고객 대응력 확보 및 기술 차별화 전략이 중요해지고 있습니다. 한편, 미국ㆍ유럽ㆍ일본 등 주요 선진국을 중심으로 반도체 공급망 재편이 지속되고 있으며, 각국의 산업 정책 강화로 인해 지역별 투자 및 조달 구조가 변화하고 있습니다. 이러한 환경 속에서 안정적인 공급 능력 확보, 고객 다변화, 기술 경쟁력 확보가 기업의 핵심 경쟁 요소로 부각되고 있습니다. (영업개황 등) 당사의 주요 제품은 메모리 반도체 소자를 구성하는 증착 재료로, 메모리 반도체 시장의 변화에 따라 고객사의 사업 전략에 직접적인 영향을 받습니다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)에 따르면 2026년 글로벌 반도체 시장이 전년 대비 25% 이상 성장하여 약 9,750억 달러 수준에 이를 것으로 전망하였습니다. 이러한 전망은 인공지능(AI) 기술의 확산과 데이터센터 수요 증가로 인해 고성능 메모리 반도체에 대한 수요가 증가하면서 산업 전체 규모를 확대할 것으로 예상됩니다. 이에 따라 당사의 주력 제품 매출 또한 함께 성장할 것으로 기대됩니다. 당사는 반도체 산업의 선두기업이 양산하는 초미세반도체용 증착재료를 공급하고 있으며, 국내 반도체용 증착 소재 시장에서 약 8% 수준의 점유율을 확보하고 있는 것으로 추정됩니다. 당사는 기존 반도체 사업의 시장 지배력을 더욱 공고히 하기 위해 연구개발 및 제품 경쟁력 강화에 지속적으로 노력하고 있습니다. (회사의 경쟁우위 요소) 당사는 분자설계 및 합성, 정제에 특화된 높은 기술력을 바탕으로 2003년부터 국내ㆍ외 반도체 제조 업체 및 장비 업체와 공동개발을 시작하였습니다. 이후 양산을 위한 자체적인 플랜트 및 초고순도 정제 설비의 구축, 생산공정 개발, 정밀분석 장비 및 방법의 개발, 품질관리 체계를 통한 신뢰성 구축, 자체 제품공급을 위한 영업네트워크 구축을 통하여 2005년부터 이들 공동개발 제품을 차례로 양산공정에 공급하고 있습니다. 당시, Al 배선재료를 시작으로 제품을 다각화 하였으며, 2012년 납품 시작한 DPT 재료는 현재까지 높은 시장점유율을 유지하고 있습니다. 2013년 하반기부터 본격적으로 공급 시작한 High-k 전구체는 DRAM 제조 공정의 핵심인 Capacitor용 재료로 DRAM 미세화에 중심적 역할을 하였고, 같은 해 공급을 시작한 저온 공정용 SiO/SiN 재료는 V-NAND 양산에 따라 사용량이 점차 증가하여 DPT재료와 함께 당사 매출 성장의 든든한 버팀목이 되고 있습니다. 당사는 글로벌 협력 업체들과 진행하는 차세대 반도체 제조 공정용 재료 개발 프로젝트에 지속적이고 적극적인 참여로 선도기술에 대한 교류를 활발하게 진행하고 있으며, 그로 인해 진입 장벽이 높은 재료시장에서 새로운 재료의 공급에 성공한 경험을 바탕으로 경쟁력을 강화하는 노력을 지속하고 있습니다.