브이엠 분기보고서 (2018.09)
II. 사업의 내용

[용어정리]

용 어	설 명

ACL(Amorphous Carbon Layer)
비정질탄소막	탄소를 함유한 탄화수소 화합물을 이용하여 만들어진 비정질탄소막으로, 사진공정의 반사방지막으로 사용됨.

Anode
양극	전류가 흘러 들어가는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼와 마주보고 있은 부위.

Ashing
에싱	고온 산화를 이용하여 기판으로 부터 PR을 제거하는 것.

Cathode
음극	전류가 흘러나오는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼가 놓여지고, 고주파 전력이 인가되는 부위.

CD(Critical Dimension)
임계치수	반도체 회로의 선폭을 말함.

Chamber
챔버	장비의 일부분으로 식각 또는 증착 공정이 진행되는 방.

CMP(Chemical Mechanical Polishing)
화학적ㆍ기계적 연마	화학적 기계적 연마. 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들기 위해 웨이퍼 표면을 갈아내는 공정.

CVD(Chemical Vapor Deposition)
화학기상증착	반도체 공정기술의 하나로 화학반응을 이용하여 Wafer 표면위에 단결정의 반도체막이나 절연막 등을 형성하는 방법.

Dielectric
유전체	절연체로서 전압을 걸었을 때 전류를 흘리지 못하는 물질로써, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4) 등이 있음.

Doping
도핑	반도체의 전도 형태를 바꿔주기 위해 p형 또는 n형의 불순물을 확산이나 이온주입에 의해서 주입하는 것.

Double Patterning(DP)
이중패터닝	하나의 회로 패턴을 완성하기 위해 같은 자리에 노광 또는 식각 공정을 두 번씩 진행하는 방식.

Electron Temperature(Te)
전자온도	자유전자를 갖는 계(系)에서 자유전자의 에너지 분포에 대응하는 온도로, eV로 나타냄.

ESC(Electrostatic Chuck)
정전척	정전기를 이용하여 진공 Chamber 안에서 웨이퍼를 고정시키는 장치.

Etch
식각	Wafer상의 특정지역의 물질을 화학반응을 통해 제거해 내는 공정으로 이때 사용되는 물질을 Etchant라고 한다. Etch 방법에는 화학용액을 사용하는 Wet Etch와 가스나 플라즈마, 이온 빔 등을 이용하는 Dry Etch가 있음.

Etch Rate(ER)
식각 속도	식각이 진행되는 속도를 일컬으며, 높을수록 빠름.

Etch Rate Uniformity(ERU)
식각속도 균일도	웨이퍼 전체 면적에서 식각 진행 속도가 얼마나 균일하게 일어나는지를 평가하는 척도로, 작을수록 우수함.

EUV(Extreme Ultraviolet)
극자외선	13.5nm의 파장을 갖는 광원으로 회로선폭을 미세화하기 위해 필요함.

FICD(Final Inspection CD)	식각하고 난 후의 선폭을 말함.

Ion Implantation
이온주입	반도체소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Mask
마스크	IC제작을 위해 각 Layer별 회로 Pattern이 그려진 유리판으로, 각 패턴은 빛을 막는 불투명지역과 빛을 통과시키는 부분으로 구분되며 Mask상의 Pattern을 Wafer위에 옮겨 소자를 제작.

PR(Photoresist)
감광액	감광성 수지를 말하며, 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성과 음성으로 나뉨.

Plasma
플라즈마	원자나 분자 이외에 양이온과 음이온, 전자가 뒤섞여 존재하는, 전기적으로는 중성인 상태

Poly(Polysilicon)
폴리실리콘	다결정의 Silicon 박막으로 내부 전극으로 사용하기 위해 CVD 공정을 이용해 만들어짐.

Sawing
절단	Chip 분리를 위해 웨이퍼를 절단하는 공정.

Silicon, Si
실리콘	원자번호 14인 5족의 원소(규소)로서, 반도체 재료로 널리 사용됨.

SiON(Oxynitride)
절연막	CVD 공정에서 산화막과 질화막의 단점을 보완해 증착된 박막을 일컬음.

SOC(Spin on Carbon)
탄소막	웨이퍼를 회전시키면서 탄소막을 증착시키는 방법.

TEOS(Tetraethyl orthosilicate)
산화막	CVD 공정에서 산화막을 증착할 때 사용하는 Gas이나, 일반적으로는 이 Gas를 이용하여 증착된 산화막을 일컬음.

TSV(Through Silicon Via)
실리콘 관통전극	웨이퍼를 관통하는 Hole을 뚫는 공정으로, Chip을 수직으로 쌓아 올리고 텅스텐 기둥을 통해 연결하는 적층 공정기술.

ULTO(Ultra Low Temperature Oxide)
저온산화막	매우 낮은 온도에서 증착된 산화막을 일컬음.

1. 사업의 개요 가. 사업 개황

당사는 반도체 제조 전공정 장비인 건식 식각장비(Dry Etcher) 제조업체로서 관련한 원천기술을 다수 보유하고 있으며, 특히 당사가 보유하고 있는 적응결합형 플라즈마 소스(Source)는 현재 200mm와 300mm 웨이퍼용 반도체 건식 식각장비의 원천기술로 적용되어 성능 및 가격 경쟁력을 보여주며 외산장비를 대체하고 있습니다. 또한 본 원천기술은 반도체 제조공정인 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장비 및 LCD와 LED, 태양광 제조용 식각장비, 에싱(Asher) 장비 등 다양한 플라즈마 공정장비에 적용될 수 있습니다.

적응결합형 플라즈마 소스는 플라즈마의 특성을 필요에 따라 임의대로 생성 및 변경할 수 있어 이를 바탕으로 200mm 및 300mm 금속막(Metal), 실리콘(Polysilicon), 산화막(Oxide) 식각 장비를 제조하여 다양한 고객사에 납품하였으며, 주력 제품인 300mm 실리콘 식각 장비(Poly Etcher)는 세계적인 반도체 소자업체인 SK하이닉스(주)에 다량 납품되어 현재 반도체 식각 공정에 사용 중에 있습니다.

당사는 반도체는 웨이퍼(Wafer) 제조, 회로설계 및 마스크(Mask) 제작, 웨이퍼 가공(전공정), 칩(Chip) 조립(후공정)을 거쳐 제조됩니다.

나. 시장 전망 (1) 반도체 시장전망

(단위 : 억원)

반도체 시장 규모2a.jpg [반도체 시장 규모2a]

년도	2016	2017	2018(E)	2019(E)	2020(E)	CAGR

Memory 반도체 시장	901,692	1,450,911	1,627,417	1,491,831	1,471,822	13.0%

비Memory 반도체 시장	2,968,231	3,269,277	3,430,185	3,536,170	3,693,668	5.6%

전체 반도체 시장규모	3,869,923	4,720,188	5,057,602	5,028,001	5,165,490	7.5%

2018.03 IHS (반도체 시장조사업체 /technology.ihs.com)주 : 기준환율 US$=1,100원으로 적용하여 계산하였습니다.

반도체 시장조사업체 IHS에 따르면 '18년 반도체 시장규모는 약 500조에 육박할 것으로 예상하고 있습니다. 그중 당사가 영위하고있는 메모리 시장은 약 163조, 비메모리 시장은 343조로 '17년 대비 성장세를 유지할 것으로 기대하고 있습니다. '16년 이후 메모리 반도체의 연평균 성장률은 13%로 비메모리 반도체의 5.6% 대비 큰폭의 성장을 나타내고 있습니다.

(2) 반도체 장비 시장 규모 및 전망

(단위: 억원)

(출처: Gartner, 2017. 07) (IT분야 리서치 기업/www.gartner.com/en)

Gartner의 2017년 7월에 발표된 2018년 반도체 장비 전체 시장 규모 예상은 약 85조원입니다. 이 중 Auto System 구축, Chip Package, Test 장비를 제외하고 실질적으로 반도체 제조에 해당하는 전공정에 필요한 장비의 시장은 약 48조원입니다.

반도체 장비 시장은 반도체 시장의 영향을 많이 받는데, 2017년 이후 범용 메모리 및 ASSP(Application Specific Standard Products, 특정용도 표준제품) 등이 일부 특수 시장에서 평균 판매 가격이 상승하고 스마트폰과 빅 데이터용 서버 등에 10nm급 반도체가 적용되어 수요가 확대되며 자동차용 반도체 시장의 성장, IoT(Internet of Things, 사물인터넷)의 발전 등으로 반도체 시장의 성장 폭이 더욱 증대될 것으로 전망하고 있습니다. 이에 따라 반도체 장비 시장도 낙수 효과를 누릴 것으로 전망 되며, 최근 국가적으로 많은 투자를 하고 있는 중국의 굴기로 인한 시장 확대 역시 큰 영향을 받을 것으로 전망하고 있습니다.

(3) 반도체 식각 장비 시장 규모 및 전망

(단위 : 억원)

식각장비 시장규모2a.jpg [식각장비 시장규모2a]

건식식각	2014	2015	2016	2017	2018(E)	2019(E)	2020(E)	CAGR

Dielectric Etch	21,040	22,430	28,713	52,138	53,193	37,494	34,067	8.4%

Conductor Etch	39,491	44,839	50,266	66,600	67,607	65,224	59,763	7.1%

Other	933	938	914	599	747	566	494	-10.0%

합계	61,464	68,207	79,893	119,337	121,547	103,284	94,324	7.4%

(출처: Gartner, 2018. 5) (IT분야 리서치 기업/www.gartner.com/en)

주) 기준환율 US$=1,100원으로 적용하여 계산하였습니다.

2018년 5월에 발표된 Gartner 조사에 따르면 2018년 반도체 전공정 장비 시장 중 Dry Etch(건식 식각) 장비 시장의 규모는 약 12조원으로 예측되고 있습니다. 이 건식 식각시장은 다시 Dielectric Etch(유전체 식각), Conductor Etch(도체 식각), 기타 Etch 분야로 나누어지는데, 당사가 주력하는 제품인 Poly Silicon Etch는 Conductor Etch에 포함 됩니다. 한편, Conductor Etch 장비의 시장은 약 6.8조원 정도로 가장 크고, 이 분야는 다시 Poly Silicon 및 Metal Etch로 나누어지는데, 최근 기술의 발달로 Poly Silicon Etch 장비로 Metal도 식각 할 수 있어 Conductor Etch 시장을 Poly Silicon Etch의 시장 규모로 볼 수 있습니다.

건식 식각의 종류	설 명	주요 재질	시장 규모

Conductor Etch	전기적으로 활성화된 물질을 식각 하여 원하는 패턴의 반도체 소자로 가공함.	Poly silicon, Metal	6.8 조원

Dielectric Etch	반도체 소자와 소자 사이에 장벽을 만들기 위해 절연 물질에 패턴을 식각함.	Oxide(산화막)	5.3 조원

상기 통계 자료에 따르면 Conductor Etch 장비 시장은 2020년까지 평균 성장률이 7%에 달하여 꾸준히 증가할 것으로 예상하고 있습니다. 증가 요인은 반도체 시장의 성장 폭이 점점 커지면서 이에 따른 수요를 반영하기 위해서 Fab 투자가 증가됨에 따

라 식각장비 시장규모가 지속적으로 늘어날 것으로 전망하기 때문입니다.

다. 반도체 장비 시장의 특성

(1) 교체주기가 빠른 기술 집약적 산업

반도체소자 기술개발이 급격히 진행됨에 따라 신제품의 교체주기가 점점 짧아져 기술적인 적기 시장진입이 매우 중요한 산업입니다. 이런 기술 집약적 산업 특성에 따라 R 비중이 타 산업 군에 비해 월등히 높으며, 기존 개발 제품의 활용성 및 차세대 제품 개발 등은 반도체 제조업체의 기술동향을 적기에 파악하고 다음 기술에 대한 준비가 되어있어야 시장 진입이 가능하다고 할 수 있습니다.1~2년을 1주기로 변화하는 디바이스의 특성에 대응하기 위해서는 평균 6개월에서 12개월 정도의 짧은 제품 개발기간이 필요한 구조로서, 한 세대 반도체 장비 부문에서 시장을 석권한 기업이라 하더라도 지속적인 R 통해 차세대 반도체 공정기술의 전개 방향을 정확하게 예측하고 준비하지 않으면 도태 될 수 있습니다.한편, 최근의 이러한 빠른 기술적인 변화는 주로 단위 웨이퍼 당 생산수율을 높이기 위한 소자의 Nano-size 극미세화와 집적화 과정이며, 이때 미세 선폭의 균일도를 결정짓는 식각 공정 기술의 중요성은 매우 높다 할 수 있습니다.

(2) 소자업체와의 협업이 중요

원가 경쟁이 중요한 메모리 반도체 소자업체 입장에서 수율 극대화를 위해 치열해 지는 미세화 및 고집적화 공정을 뒷받침하기 위한 장비는 중요한 요소입니다. 따라서, 핵심 공정 장비의 경우 라인 교체 과정에서의 실패에 대한 책임소재 등 여러 이유에서 소자업체의 기술적 요구에 이미 검증을 마친 소수의 글로벌 기업들만이 시장을 형성하고 있습니다.특히, CVD등 여타 공정 장비의 경우 다수의 장비 업체들이 경쟁을 하고 있는 반면 기술 수준이 가장 어렵다고 알려진 노광 장비의 경우 ASML이 전세계적으로 독점하고 있으며, 식각 장비의 경우 AMAT, TEL 및 LAM 등 글로벌 3개사가 오랜 기간 장악해 틈새 시장을 개척하기도 어렵다고 알려져 있습니다.

핵심 공정의 경우 장비 자체의 기술개발도 어렵지만 1년 이상의 장기간의 Qualification과정을 거치면서 한편으로 차세대 반도체 기술의 수율을 결정짓는 중요한 공정으로 차세대 소자 기술을 back-up할 수 있는 장비 기술에 대한 선행 R 동시에 진행이 되는 경우가 많습니다. 따라서 실제 Field test 기회를 얻기 위한 기술적인 능력과 함께 반도체 설계 기술 유출 위험 측면에서도 소자업체와의 우호적인 관계가 무엇보다도 중요한 산업입니다.

(3) 파급효과가 큰 국가 기간 산업

반도체 장비산업은 종합 기술의 집합체로서 타 산업에의 파급효과가 지대한 산업입니다. 반도체 장비는 전기 전자, 기계적 요소뿐만 아니라 재료, 물리, 화학 등 기초 과학기술이 뒷받침 되어야 하며 이외에도 초정밀 가공기술, 초청정 기술, 극한기술(온도, 압력, 에너지 등), 메카트로닉스 기술, 소프트웨어 등의 핵심기술에 대한 인프라 구축이 중요한 산업의 특징을 지니고 있습니다.

한편, 우리나라는 메모리 반도체 생산 세계 1위의 국가로서 반도체를 제조하는 장비 구매액도 세계 시장의 21% 이상을 차지하고 있으나 대부분의 장비는 해외업체에서 수입하고 국내 업체가 생산하는 장비는 세계시장 점유율 약 3%에 그치는 것으로 보도 되고 있습니다. 따라서 반도체 장비 산업은 국가적인 대표 수출품인 반도체 소자의 기술 및 가격 경쟁력 강화에 핵심적인 기반 산업이나, 국내 반도체 장비 및 핵심 부품의 국산화율은 상당히 낮은 수준으로 극심한 무역 수지 불균형의 개선이 필요한 분야이기도 합니다.

라. 수요-공급 전망

[DRAM 업계 Application별 수요 추이 및 전망]	[DRAM 업계 업체별 공급 추이 및 전망]

d-ram 수요 및 공급 전망a.jpg [d-ram 수요 및 공급 전망a]

출처 : 한국기업평가 (2018년 산업전망-반도체. 2017.12.12) PC용 DRAM이 반도체 시장을 이끌던 시기에 반도체 장비산업은 삼성전자(주)나 SK하이닉스(주) 등 반도체 소자업체들의 설비투자 환경에 크게 영향을 받았으며, 소자업체의 설비투자 추이에 따라 반도체 장비 업체들의 경영환경은 호황과 불황을 반복하는 경우가 많습니다. 그러나 최근의 반도체 시장은 PC용 DRAM 시장이 줄어들고 모바일 기기와 Server 시장이 증가하면서 예전과 달리 반도체 경기가 꾸준히 증가하면서 반도체 장비에 대한 수요도 증가하고 있습니다.

[NAND 업계 Application별 수요 추이 및 전망]	[NAND 업계 업체별 공급 추이 및 전망]

nand 수요 및 공급 전망a.jpg [nand 수요 및 공급 전망a]

출처 : 한국기업평가 (2018년 산업전망-반도체. 2017.12.12)

NAND Flash의 경우 카메라의 필름을 대체했던 SD Card 등의 수요는 포화 국면이지만 PC의 Hard Disk를 대체하면서 새롭게 부상하고 있는 SSD(Solid State Drive) 및 스마트폰의 성능향상에 따른 메모리 용량 증가로 반도체 수요 증가와 함께 3D 공정 전환으로 반도체 장비에 대한 수요도 증가할 것으로 예상됩니다.

반도체 장비 산업의 성장 진폭은 반도체 산업의 성장 진폭보다 오히려 커서, 반도체 시장의 경기가 호전되면 장비업체의 매출액 증가폭이 반도체 소자업체보다 더 크게 나타나고, 불경기시에는 그 타격이 반도체 소자업체에 비하여 상대적으로 크게 나타납니다.

한편, 반도체 장비 산업은 반도체 소자기술의 급격한 발전에 따라 장비 교체 주기가 점점 짧아지면서 차세대 Device 생산에 적합한 신규 장비의 개발 및 기존 장비의 개선을 지속적으로 수행해야 되는 특징이 있습니다. 따라서 메모리 장치 등 최종 소비재에 대해 꾸준히 제품 수요가 있을 경우 반도체 장비 업체 입장에서 차세대 기술을 탑재한 신규 장비나 기존 장비의 교체 수요가 존재할 것이므로 반도체 장비 산업에 미치는 반도체 시장의 급격한 경기 변동이나 반도체 소자업체의 설비 투자 계획 등의 영향력은 점차 줄어드는 추세입니다.

특히, 당사가 영위하는 반도체 식각 장비의 경우 공정의 미세화 진행에 따라 노광 장비와 함께 가장 중요한 공정 장비로 평가되고 있고, 그 기술적 난이도가 높아 소수의 회사가 독과점하고 있는 시장임을 감안할 때 여타 장비와 달리 경기 변동 등의 외부 요인에 보다 덜 민감하다고 할 수 있습니다.

마. 식각공정

반도체 제조공정 중 식각공정은 웨이퍼 가공 공정 중의 한 공정으로 인접한 소자간의 분리나 소자를 만들기 위하여 사진공정에서 만들어진 회로 패턴을 따라 웨이퍼 또는 웨이퍼 위에 증착되어 있는 막질을 산ㆍ알칼리 용액 등을 이용한 습식(Wet) 방법 또는 반응성 가스를 이용하는 건식(Dry) 방법으로 불필요한 부분을 선택적으로 제거하여 원하는 회로 패턴으로 만들어내는 공정입니다.

(a) 등방성 식각 형태	(b) 방향성 식각 형태	(c) 이방성 식각 형태

- 그림 2 >의 (a)와 같은 등방성 식각은 깊이 방향과 측면 방향으로 모두 식각이 일어나는 형태로 주로 화학용액의 화학적 반응을 이용하는 습식 식각에서 만들어지며, 그림 2 >의 (c)와 같은 이방성 식각은 깊이 방향으로만 식각이 일어나는 형태로 주로 물리적 반응을 이용하는 건식 식각으로 만들 수 있습니다. 그림 2 >의 (b)는 등방성 식각과 이방성 식각의 중간 형태로 공정에서의 요구에 따라 등방성 또는 이방성에 가깝게 만들 수 있습니다.

(1) 식각 공정의 중요성

식각 공정은 사진 공정으로 만들어진 패턴을 웨이퍼에 정확하게 새겨 넣는 공정으로, 공정이 진행되는 동안 패턴 왜곡과 웨이퍼 표면에 발생하는 손상(Damage)이 발생하지 않도록 하는 것이 중요합니다. 패턴 왜곡이나 손상이 발생하면 소자의 특성이 정상적으로 나오지 않고 신뢰성을 유지하기 어렵기 때문에 식각 장치는 이를 최소화할 수 있어야 합니다. 또한 소자의 미세화를 지속하기 위해서는 사진 공정에서 사용하는 노광(Lithography) 장치 개발이 선행되어야 하는데, 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)용 노광 장치의 양산 도입이 지연되면서 최근에는 이중 패터닝(Double patterning) 식각 기술을 이용한 소자의 미세화를 진행하고 있어 이를 위한 식각 장치의 개발이 더욱 중요하게 되었습니다.

(2) 식각 방법의 종류(가) 습식 식각

습식식각(Wet Etch)은 웨이퍼를 화학용액이 담긴 수조에 넣거나 스프레이를 이용하여 웨이퍼에 화학용액을 분사시켜 웨이퍼 표면과 화학용액의 화학적 반응(Chemical reaction)을 통해 식각하고자 하는 막질을 깎아내는 방식입니다. 제조 비용이 싸고 사용하기 용이하며 생산성이 높아 집적도가 낮은 웨이퍼 가공 공정이나 디스플레이, LED, 태양광 제조 공정에서 많이 사용하고 있으나, 감광액(Photoresist, PR)이 도포된 하부 막질까지 식각되는 등방성(Isotropic) 식각 형태를 형성함에 따라 미세 회로 패턴 조절에 어려움이 있고 화학용액 특유의 냄새 및 유독 가스(Fume) 발생으로 작업 환경이 열악하고 많은 화학 폐기물을 발생시켜 환경을 오염시킬 수 있는 문제점을 갖고 있습니다.

(나) 건식 식각

당사가 영위하고 있는 사업분야인 건식식각(Dry Etch)은 진공 상태의 밀폐된 공간(Chamber)에 반응성 Gas를 주입하고 외부에서 전자기(Electromagnetic) 에너지를 인가하여 Gas 입자를 플라즈마 상태로 변화시켜 식각하고자 하는 막질을 물리적ㆍ화학적 반응으로 식각하는 방식으로, 플라즈마 식각이라고도 합니다. 건식 식각 방식은 장치 비용이 비싸지만 감광액에 만들어진 회로 패턴과 동일한 이방성(Anisotropic) 식각 프로파일을 만들 수 있어 미세 패턴과 고집적도가 필요한 반도체 제조 공정에서 습식식각을 대신하여 많이 사용하고 있습니다.

바. 경쟁현황(1) 경쟁 상황

국내를 포함한 전세계 반도체용 건식 식각 장비시장은 소수의 기술력을 보유한 글로벌 업체가 독과점하고 있는 시장으로, Applied Materials(AMAT)와 Lam Research(LAM), Tokyo Electron(TEL)이 20년 이상 장기간 3강 체제를 유지하고 있습니다. 이들 업체는 당사보다 일찍 시작된 자국의 반도체 산업에서 축적된 기술을 바탕으로 메모리 반도체 시장이 성장하기 시작한 1980년대부터 전세계에 건식 식각 장비를 개발, 공급함으로써 글로벌 빅 3업체로 성장하게 되었습니다. 건식 식각 장비의 핵심 기술은 공정 챔버 내부에 밀도가 높은 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 원하는 형태로 조절하는 기술로써, 이들 글로벌 빅 3업체들은 막대한 자금과 풍부한 인력을 바탕으로 끊임없는 기술 개발을 통해 이러한 기술들을 선점하고 특허를 통해 후발업체의 진입을 견제하면서 300mm 웨이퍼용 건식 식각장비의 90% 이상을 공급하고 있습니다. 현재 산화막 식각 장비는 TEL을 선두로 LAM과 AMAT가 경쟁을 하고 있으며, 폴리 식각 장비는 LAM을 선두로 AMAT가 추격을 하는 형태입니다.

(나) 시장점유율

2018년 3월에 시장조사업체인 the Information Network에 의해 발표된 “Plasma Etching: Market Analysis and Strategic Issues”자료에 따르면 2012년 세계 식각장비 시장에서 40% 중반대의 점유율을 차지하던 Lam의 시장점유율이 2017년 55%까지 확대되었습니다. Lam의 이러한 시장점유율 성장은 경쟁업체인 TEL의 점유율을 잠식하며 늘어난 것으로 TEL의 경우 2012년 30%에서 2017년 20%로 시장점유율이 10% point 감소하였으며 세계 최대의 반도체/디스플레이 장비업체인 AMAT은 20%이하의 점유율을 유지하며 TEL의 시장점유율을 뒤쫓고 있습니다.

(다) 주요 경쟁업체 현황(단위 : 백만원, %)

구분	APTC	LAM Research(미국)	Applied Materials(미국)

2017년
(제16기)	2016년
(제15기)	2015년
(제14기)	2017년	2016년	2015년	2017년	2016년	2015년

설립일	2002년	1980년	1967년

매출액
(매출원가율)	41,122
(57.35%)	37,850
(60.10%)	4,400
(63.43%)	8,814,982
(55.03%)	6,474,482
(55.51%)	5,785,243
(56.57%)	15,990,700
(55.06%)	11,907,500
(58.33%)	10,624,900
(59.08%)

영업이익
(이익률)	12,690
(30.86%)	9,390
(24.81%)	-1,753
(-39.84%)	2,092,345
(23.74%)	1,181,682
(18.25%)	866,843
(14.98%)	4,254,800
(26.60%)	2,367,200
(19.88%)	1,862,300
(17.53%)

당기순이익
(이익률)	10,850
(26.38%)	13,888
(36.69%)	-2,114
(-48.04%)	1,867,539
(21.18%)	1,005,454
(15.53%)	721,135
(12.47%)	3,777,400
(23.62%)	1,893,100
(15.90%)	1,514,700
(14.26%)

총자산	29,615	20,992	10,077	13,335,042	13,489,681	10,301,113	21,360,900	16,046,800	16,838,800

총부채	5,671	9,230	13,105	5,648,998	6,786,405	4,421,666	11,077,000	8,108,100	8,464,500

자기자본	23,944	11,762	-3,028	7,686,044	6,712,276	5,879,447	10,283,900	7,938,700	8,374,300

상장여부
(상장일)	상장(2018.08)	상장(1984.05)	상장(1972.10)

주요제품
(매출비중)	300mm Poly Etcher
(98%)	반도체장비
(100%)	반도체장비
(64%)

구분	Tokyo Electron(일본)	세메스

2017년	2016년	2015년	2017년
(제25기)	2016년
(제24기)	2015년
(제23기)

설립일	1963년	1993년

매출액
(매출원가율)	7,997,190
(59.70%)	6,639,480
(59.75%)	6,131,240
(60.40%)	2,025,135
(83.86%)	1,086,818
(84.05%)	1,118,970
(83.25%)

영업이익
(이익률)	1,556,970
(19.50%)	1,167,880
(17.59%)	881,130
(14.37%)	190,912
(9.43%)	74,999
(6.90%)	89,440
(7.99%)

당기순이익
(이익률)	1,152,080
(14.41%)	778,920
(11.73%)	718,880
(11.72%)	141,341
(6.98%)	55,962
(5.15%)	76,299
(6.82%)

총자산	9,574,470	7,933,680	8,761,540	1,043,351	889,089	717,229

총부채	3,143,530	2,291,290	2,349,910	354,130	340,925	223,858

자기자본	6,430,940	5,642,390	6,411,630	689,221	548,164	493,371

상장여부
(상장일)	상장(1980.06)	비상장

주요제품
(매출비중)	반도체장비(94%)	반도체장비(52%)

(출처 : 각사 Annual Report 2017 및 다트전자공시시스템)

주) 비교를 위하여 기준환율 US$ 1,100 일본￥ 1,000원으로 적용하여 계산하였습니다.

2. 주요 제품 및 서비스에 관한 사항

가. 식각장비 구성

당사의 300mm Poly 식각 장비는 상위 그림 와 같이 Load Port와 EFEM(Equipment Front End Module), BM(Buffer Module), TM(Transfer Module)및 PM(Process Module)으로 구성되어 있으며, 공정이 진행되는 순서를 아래 그림으로 나타내었습니다.

Load Port는 FOUP(Front Opening Universal Pod)이 놓이는 곳으로 FOUP에는 웨이퍼가 들어가 있으며, EFEM에는 대기압 상태에서 동작하는 Robot과 Aligner가 있으며, Robot이 Load port에 놓여있는 FOUP에서 웨이퍼를 1매씩 꺼내 Aligner에 놓고 웨이퍼가 일정한 방향으로 놓이도록 정렬을 시킨 후 BM으로 옮깁니다. BM은 대기압과 진공 상태를 반복하는 공간으로 대기압 상태에서 웨이퍼가 들어오면 진공 상태의 TM을 통해 PM으로 가기 전에 진공 상태로 전환되고, TM에는 진공 상태에서 동작하는 Robot이 있어 BM에 놓인 웨이퍼를 각 PM으로 운반하게 됩니다. PM은 식각 공정을 담당하는 Process Chamber와 식각 공정이 끝난 후 감광액(Photoresist)을 제거하는 Strip Chamber로 구성되어 있으며, PM에서 식각 및 감광액 제거가 완료된 웨이퍼는 다시 TM과 BM을 거쳐 Side Storage에서 웨이퍼에 남아 있는 유독 가스(Fume)를 제거한 후에 원래 위치의 FOUP로 들어가면 식각 공정이 완료되어 다음 공정으로 이동하게 됩니다. 나. 제품 라인업

당사는 2002년 설립된 이후 2004년 6월에 최초로 200mm 웨이퍼의 금속 식각 공정을 위한 챔버 모듈을 개발하여 SK하이닉스(주)에 공급을 하였으며, 이를 시작으로 그동안 그림 11 >과 같이 다양한 200mm 및 300mm 웨이퍼용 장비를 개발하여 SK하이닉스(주)를 비롯하여 한국전자통신연구원(ETRI), 연세대학교, LG이노텍, 와이솔, 이피웍스 등에 판매하였습니다.

반도체 제조용 건식 식각장비는 2002년부터 2005년까지 200mm 웨이퍼용 산화막 및 금속, 폴리 식각 장비를 개발하여 판매하였고, 2006년부터 2008년까지 300mm 웨이퍼용 산화막 및 금속 식각 장비를 개발하여 판매하였습니다.

소자의 미세화로 금속 배선이 알루미늄(Al)에서 구리(Cu)로 대체됨에 따라 대부분의 금속 식각 공정이 연마(CMP) 공정으로 전환되면서 금속 식각 장비의 수요는 감소한 반면에 폴리 식각 공정이 늘어 폴리 식각 장비의 수요가 증가하는 추세로 식각 장비 시장이 변화되어 2010년부터 300mm 웨이퍼용 폴리 식각 장비를 본격적으로 개발하기 시작하였습니다.

APTC의 현재 판매가능하거나 개발중인 라인업은 아래 표와 같습니다.

장비 모델명	기능 및 용도	특징

Leo NK I	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	ACP4 Source, 4zone ESC,
Source Coil Tilting

Leo NK I-C	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	ACP4 Source, 4zone ESC,
Source Coil Tilting, Size 축소

Leo NK II	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	ACP5 Source, 18zone ESC,
Source Coil Tilting Lifting

APIS300	플라즈마 도핑, 300mm 웨이퍼 불순물 주입용	ACP1 Source, Bipolar ESC,
Negative DC Bias Pulsing

3. 주요 원재료 등 가. 매입 현황(단위 : 백만원, 천엔, 천달러)

매입유형	품 목	구 분	제17기 3분기	제16기	제15기

원재료	EFEM TM	국 내	5,139.3	4,184.3	5,099.1

RF Generator	국 내	1,471.1	1,473.8	2,335.3

IGS Gas Stick	국 내	1,517.6	790.4	2,229.4

Gas Box	국 내	167.6	2,352.5	2,310.9

ESC	국 내	1,252.0	1,360.0	1,601.0

RF Matcher	국 내	1,527.0	1,672.1	1,402.1

MFC	국 내	1,237.0	1,042.9	1,417.8

TMP	수 입	880.9	751.7	974.5

Chamber Body	국 내	728.5	591.9	898.6

Pendulum Valve	국 내	564.9	699.6	780.1

수 입	-	21.2
(US$17.9)	-

소 계	564.9	720.8	780.1

EPD	국 내	406.5	514.9	480.3

기타	국 내	8,463.0	9,903.1	9,034.3

수 입	74.0(US$67,023.0)	-	-

상품	Tunable ESC	국 내	99.0	-	56.0

ATM Robot	국 내	32.3	86.0	55.5

Edge Ring
(Leo NK) *2)	국 내	266.5	242.9	55.5

Edge Ring
(Poly)	국 내	-	42.5	46.1

기타	국 내	393.0	474.7	162.7

총 합계	국 내	23,265.3	25,431.6	27,909.2

수 입	954.9	772.9	974.5

소 계	24,220.2	26,204.5	28,883.7

주1) 상기 품목들은 금액 순으로 나열하였으며, 기타 품목들은 5% 미만 품목들의 합산 금액입니다.

나. 원재료 가격변동 추이(단위 : 천원, 천엔, 천달러)

사업연도
품 목	제17기 3분기	제16기	제15기

Vacuum System M2-C5 (EFEM /M)	국내	US$ 367.51	US$ 367.4	US$ 367.4

RF Generator	국내	14,060	14,060	18,500

수입	-	-	-

ESC	국내	32,000	34,000	37,000

MFC	국내	2,400	2,450	2,800

RF Matcher	국내	21,850	29,150	31,000

IGS Gas Stick	국내	22,900	44,000	45,000

TMP	국내	22,079	22,814	24,500

Chamber Body	국내	15,500	15,500	15,800

Pendulum Valve	수입	17,940	17,940	18,500

EPD	국내	13,550	13,550	13,550

주1) ESC의 경우 초기에는 적은 구입물량에 개발비가 포함된 가격이었으나, 구입수량 증대로 인해 상대적으로 매입단가가 낮아졌습니다.
주2) IGS Stick의 경우 Gas Stick의 구입수량 변경(12EA → 13EA)에 따른 가격 변동 포함되었습니다.
주3) 기타 구매 수량 증대 따른 가격 조정으로 인해 매입단가가 하락하는 추세입니다.

4. 생산 및 생산설비에 관한 사항가. 생산능력, 생산실적 및 가동률

(단위 : 장비대수, 백만원)

제 품 품목명	구 분	제17기 3분기	제16기	제15기

수량	금액	수량	금액	수량	금액

300mm	생산능력	15	58,500	20	78,000	20	74,000

Etcher	생산실적	11	42,900	10	39,000	10	37,000

-	가 동 율	73%	50%	50%

-	기말재고	2	7,800	7	11,923	6	8,497

기타	생산능력	18	9,000	24	12,000	24	12,000

생산실적	-	-	-	-	-	-

가 동 율	-	-	-

기말재고	-	-	-	-

주1) 2015년 클린룸 생산공간 개조를 통해 300mm Poly Etch Full System을 연간 최대 24대(월 2대*12개월)까지 생산 가능하지만, 인원수 등을 감안해 보수적으로 20대로 추정하였습니다.
주2) Full System 생산 공간을 제외한 나머지 공간에서 4" Chamber 등 기타장비를 연간 최대 24대(월 2대*12개월)까지 생산이 가능합니다.
주3) 동률은 수량 기준으로 산정하였으며 기말재고 수량은 연도별 기말기준 생산중인 재공품 수량과 투입된 원가금액을 기준으로 기재하였습니다. 단, 재고자산충당금으로 설정된 수량과 금액은 제외하고 기재하였습니다. (재고자산충당금 2015년 2,141백만원 / 2016년, 2017년 2,279백만원)

나. 생산설비에 관한 사항(단위 : 천원)

공장별	자산별	소재지	2018년기초가액	당분기증감	당분기
상각	2018년분기말가액	비고

증가	감소

공장A	토지	이천시 마장면	2,481,819	-	-	-	2,481,819	-

건물	994,027	-	-	26,626	967,401	-

기계장치	70,397	369,808	-	37,291	402,914	-

공구와기구	20,630	176,638	-	29,580	167,688	-

다. 생산공정도

공정 챔버 조립	작 업 내 용	조립도

자재입고	가공 및 구매 Parts 입고	-

전장 Box 조립	Main Frame에 Power 및 Sensor Signal을 Control하는 전장 Box를 조립	공정도1.1a.jpg 공정도1.1a

챔버 Body 조립	Main Frame에 챔버 Body를 안착하고 공정 압력을 조절하는 Pendulum 밸브와 진공상태 유지를 위한 터보 펌프를 조립	공정도2a.jpg 공정도2a

Cathode 모듈 조립	ESC Heating 전원 및 Temp. Sensor와 Bias RF Power 전달을 위한 RF Rod, 웨이퍼 Cooling을 위한 Cathode 모듈을 챔버 Body에 조립	공정도3.1a.jpg 공정도3.1a

Dome 하우징 조립	챔버 내부로 가스를 공급하는 Dome Housing을 조립	공정도4a.jpg 공정도4a

소스 코일 Housing Tilting Motor 조립	RF Power를 챔버 내부로 유도하기 위한 소스 코일과 코일 Tilting을 위한 Tilting Motor를 조립	공정도5.1a.jpg 공정도5.1a

Matching Box 조립	RF Power 전달을 위한 Match Box를 소스 코일과 Cathode에 조립	공정도6.1a.jpg 공정도6.1a

He 판넬 TMP N2 Purge Line 조립	웨이퍼 Cooling을 위한 He 판넬과 TMP Purge를 위한 N2 Line 조립	공정도7.1a.jpg 공정도7.1a

Vacuum Coolant Line 조립	챔버 Pumping을 위한 Vacuum Line과 전원장치와 TMP, ESC 냉각을 위한 Cooling Line을 조립	공정도8.1a.jpg 공정도8.1a

Power Signal Cable, 공압 라인 Dressing	전원장치용 AC DC Power Cable과 각종 Sensor의 신호 전달을 위한 Cable, 실린더 및 Valve 구동을 위한 공압 라인을 연결	공정도9a.jpg 공정도9a

5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적 당사의 최근 3년간 품목별 매출내역은 다음과 같습니다

(단위 : 백만원)

매출유형	제 품 명	제17기 3분기	제16기 3분기	제15기	제14기

매출액	비율	매출액	비율	매출액	비율	매출액	비율

자 사
제 품	매출1위	300mm Poly Etch System	47,831	94.75%	39,000	96.80%	37,000	97.75%	2,700	67%

매출2위	-	-	-	-	-	-	-	-	-

소 계	47,831	94.75%	39,000	96.80%	37,000	97.75%	2,700	61.4%

상 품	2,507	4.97%	1,227	3.04%	838	2.22%	1,435	32.6%

기 타	143	0.28%	63	0.16%	12	0.03%	264	6.0%

매 출 총 계	50,481	100%	40,290	100%	37,850	100%	4,399	100%

업 종	반도체 제조용 기계 제조업

당사는 300mm Poly Etch System 1개 품목에 매출이 집중되어 있으나 해당 제품은 반도체 소자 생산에 필수적인 핵심공정의 구성요소이므로 타 기술로 대체될 가능성이 낮습니다. 이에 따라 당사의 매출액은 안정적으로 성장하는 추세를 보이고 있습니다.

나. 판매 관련 (1) 판매조직당사의 판매 조직은 영업팀 1 팀으로 이루어져있으며, 국내 영업의 경우 SK 하이닉스(주), LG 이노텍 등을 중심으로 이루어져 있습니다. 또한 당사는 영업팀뿐만 아니라 모든 팀이 영업의 일부를 담당하고 있으며, 특히 개발1, 2팀 및 S/W팀이 각각 담당 엔지니어를 대상으로 영업활동을 하고 있습니다. (2) 판매경로당사 판매 방식은 반도체 소자 업체(SK하이닉스, LG이노텍, WiSOL)와 직접 거래하는 방식으로 판매하고 있습니다.(3) 판매전략당사는 국내 반도체시장에서 최종 반도체 소자 업체(SK하이닉스, LG이노텍, WiSOL)에게 장비를 판매하고 있습니다. 또한 2017년부터 본격적인 중국 영업을 대비하기 위한 준비 및 체제 구축 중에 있으며 중국 현지 법인 설립 계획에 있습니다. 또한 당사가 제품을 판매하기 위하여 아래와 같이 지속적으로 노력 중입니다.

항 목	판매 전략	상 세

고객 관리
강화	1. 고객 List 관리 작성 및 전체 공유	고객별 Profile 작성(담당 분야, 중요도 등)

2. 고객 요청 사항 전 직원 공유 및 요청 즉시 신속 대응	문제 해결은 당일 대응원칙이며 최대 일주일을 넘기지 않도록 함.

3. 전 직원 영업화	분야별로 담당 고객에게 주기적으로 접촉

품질 및
기술력 강화	1. 품질 관리팀 신설	품질팀 신설 하여 품질 개선 및 불량 발생 최소화

2. 주력 장비 기술 개발 강화	ACP Coil Upgrade

AGF(Adaptive Gas Feed)

Multi-zone ESC

New System Design

3. 고객 요청 사항을 반영하여 개발	ESC 표면 Type 개발

Side Gas Feed 개발

서비스 강화	1. 고객 Site별 담당 엔지니어 배치	Site별 책임급 이상 엔지니어 배치

2. 고객 Site별 대응 사무소 설치	신속대응 할 수 있도록 이천(본사) 및 청주에 대응 사무소 설치

6. 수주상황

당사의 수주는 주로 고객사의 발주에 따라 생산 및 납품하는 형태입니다. 7. 시장위험과 재무관리

가. 재무위험 관리

회사는 여러 활동으로 인하여 시장위험(환위험), 신용위험 및 유동성 위험과 같은 다양한 금융 위험에 노출되어 있습니다. 회사의 전반적인 위험관리 정책은 금융시장의 예측불가능성에 초점을 맞추고 있으며 재무성과에 잠재적으로 불리할수 있는 효과를최소화하는데 중점을 두고 있습니다.재무위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 이루어지고 있습니다. 이사회는 전반적인 위험관리에 대한 정책 및 외환위험, 신용위험, 유동성위험과 같은 특정분야에 관한 문서화된 정책을 검토하고 승인합니다.

(1) 환율변동위험당사는 장비의 수출 및 일부 원자재의 수입 거래와 관련하여 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 거래되고 있는 대표적인 주요 통화로는 USD, CNY, JPY 등이 있습니다.당사는 거래로부터 발생하는 환위험을 최소화하기 위하여 수출입 등의 경상거래시 입ㆍ지출 통화를 일치시키는 것을 원칙으로 함으로써 환포지션 발생을 억제하고, 불가피하게 발생한 환포지션에 대해서는 관리원칙 및 정책, 규정에 따라 주기적으로 환위험을 관리하고 있습니다.(2) 이자율위험이자율위험은 미래 시장이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 예금과 차입금에서 발생하고 있습니다. 당사가 보유하고 있는 금융상품 중 이자율변동 위험에 노출된 중요한 부채는 없으며, 안정적인 금리를 확보할 수 있는 예금을 운영함으로써, 이자율변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다.(3) 신용위험

신용위험은 금융상품의 당사자 중 일방이 의무를 이행하지 않아 상대방에게 재무적손실을 미칠 위험을 의미합니다. 당사는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키는 수단으로 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있으며 필요한 경우 담보를 수취하고, 신용보증보험계약을 체결하여 중요한 신용위험 요소를 최소화하고 있습니다. 당기말 현재 당사가 보유 중인 금융자산은 대손충당금이 설정된 매출채권을 제외하고는 특별한 연체 및 손상의 징후가 발견되지 않았습니다.한편, 당사는 산업은행, 하나은행, 우리은행 등의 금융기관에 현금및현금성자산 및 단기금융상품 등을 예치하고 있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 매우 제한적입니다.

(4) 유동성 위험

유동성위험은 회사 경영 환경 또는 금융시장의 악화로 인해 회사가 부담하고 있는 단기 채무를 적기에 이행하지 못할 위험으로 정의합니다. 당사의 경영진은 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고 현금유출 예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 당사의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 충분히 상환할 수 있다고 판단하고 있습니다.

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다. 9. 경영상의 주요계약 등 보고서 제출일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 없습니다. 10. 연구개발 현황

가. 연구개발 조직

연구개발 조직은 연구소와 6개 팀으로 구성되어 있습니다. 요소기술 측면으로 플라즈마 원천기술개발 및 플라즈마 해석을 담당하는 연구소와 설계 및 시뮬레이션 을 담당하는 기구설계팀, 장비의 하드웨어와 전장 개발을 담당하는 개발1팀, 개발2팀, 장비 운영에 필요한 프로그래밍 개발을 위한 소프트웨어 개발팀, 공정 개발을 하는 Demo Lab팀, 제품 품질을 개발하는 품질개발팀으로 연구개발 조직이 구성되어 있습니다.

나. 연구개발 실적

연구 과제	연구 기관	연구결과 및 기대효과	상품화 내용

국책과제
“300㎜급 플라즈마 도핑 장비 개발”
(2009.11.~2012. 10)	APTC(주), SK하이닉스(주)(주)동아하이텍
(주)코리아세미텍, 군산대, 연세대, 한양대	플라즈마 이온 도핑장비의 개발 및 도핑 공정 개발	- 플라즈마 소스 및 공정 챔버 개발
- 정전척 개발
- 고전압 펄스 전원장치 개발
- 도핑 공정개발
- Monitoring System 개발

국책과제
“300mm급 반도체 후공정용 패키징 장비 개발”
(2009.3.~2013.2)	한국반도체연구조합, (주)젠, 로체시스템즈(주), APTC(주), 삼성전자(주), SK하이닉스(주) 성균관대	32나노급 이하 300mm용 반도체 소자제작을 위한 플라즈마 기반의 웨이퍼 가공 양산장비 개발	- Deep via etcher 개발
- Wafer thinning 장비 개발
- Wafer sawing 장비 개발

국책과제
“10nm급 초미세 SADP 공정용 건식 식각장비개발”
(2012.6.~2016.5)	APTC(주), (주)미코, 전북대, 군산대 중앙대, NFRI, 국민대, 고려대 SK하이닉스(주)	10나노급 SADP 공정개발 및 폴리장비 판매 촉진	- 우수한 식각속도 균일도 달성
- 4-zone CESC 개발
- 100MHz의 공정성능 평가 완료
- Plasma etch profile simulation 달성
- RF pulsing에 대한 sheath movement 해석
- Plasma damage 측정
- SADP 공정개발 완료
- Davinci 제품 공정 테스트 성공적 완료

Post-Reflow 장비 개발
(2012.3~2015.2)	APTC(주),
SK하이닉스(주)	Post-Reflow 공정 개발 성공	- 균일한 reflow 달성
- warped wafer reflow 성공적 달성

다. 연구개발 비용(단위 : 천원)

구 분	제17기 3분기	제16기	제15기

자산처리	원재료비	-	-	-

인건비	-	-	-

감가상각비	-	-	-

위탁용역비	-	-	-

기타 경비	-	-	-

소 계	-	-	-

비용처리	제조원가	-	-	-

판관비	409,288	403,741	672,021

합 계	0.81%	0.98%	1.80%

(매출액 대비 비율)

라. 향후 연구 계획 당사는 2002년 설립된 후 계속하여 여러 가지 종류의 200mm/300mm 산화물, 메탈 및 폴리식각 장비를 주로 개발해 왔습니다. 앞으로의 개발 계획은 크게 폴리 식각장비 Leo NK-Ⅲ 개발(원자층 식각가능), 산화물 식각챔버 및 TSV(Through Silicon Etch) 챔버이며 자세한 내용은 아래와 같습니다.