브이엠 반기보고서 (2020.06)
II. 사업의 내용

[용어정리]

용 어	설 명

ACL(Amorphous Carbon Layer)
비정질탄소막	탄소를 함유한 탄화수소 화합물을 이용하여 만들어진 비정질탄소막으로, 사진공정의 반사방지막으로 사용됨.

Anode
양극	전류가 흘러 들어가는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼와 마주보고 있은 부위.

Ashing
에싱	고온 산화를 이용하여 기판으로 부터 PR을 제거하는 것.

Cathode
음극	전류가 흘러나오는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼가 놓여지고, 고주파 전력이 인가되는 부위.

CD(Critical Dimension)
임계치수	반도체 회로의 선폭을 말함.

Chamber
챔버	장비의 일부분으로 식각 또는 증착 공정이 진행되는 방.

CMP(Chemical Mechanical Polishing)
화학적ㆍ기계적 연마	화학적 기계적 연마. 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들기 위해 웨이퍼 표면을 갈아내는 공정.

CVD(Chemical Vapor Deposition)
화학기상증착	반도체 공정기술의 하나로 화학반응을 이용하여 Wafer 표면위에 단결정의 반도체막이나 절연막 등을 형성하는 방법.

Dielectric
유전체	절연체로서 전압을 걸었을 때 전류를 흘리지 못하는 물질로써, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4) 등이 있음.

Doping
도핑	반도체의 전도 형태를 바꿔주기 위해 p형 또는 n형의 불순물을 확산이나 이온주입에 의해서 주입하는 것.

Double Patterning(DP)
이중패터닝	하나의 회로 패턴을 완성하기 위해 같은 자리에 노광 또는 식각 공정을 두 번씩 진행하는 방식.

Electron Temperature(Te)
전자온도	자유전자를 갖는 계(系)에서 자유전자의 에너지 분포에 대응하는 온도로, eV로 나타냄.

ESC(Electrostatic Chuck)
정전척	정전기를 이용하여 진공 Chamber 안에서 웨이퍼를 고정시키는 장치.

Etch
식각	Wafer상의 특정지역의 물질을 화학반응을 통해 제거해 내는 공정으로 이때 사용되는 물질을 Etchant라고 한다. Etch 방법에는 화학용액을 사용하는 Wet Etch와 가스나 플라즈마, 이온 빔 등을 이용하는 Dry Etch가 있음.

Etch Rate(ER)
식각 속도	식각이 진행되는 속도를 일컬으며, 높을수록 빠름.

Etch Rate Uniformity(ERU)
식각속도 균일도	웨이퍼 전체 면적에서 식각 진행 속도가 얼마나 균일하게 일어나는지를 평가하는 척도로, 작을수록 우수함.

EUV(Extreme Ultraviolet)
극자외선	13.5nm의 파장을 갖는 광원으로 회로선폭을 미세화하기 위해 필요함.

FICD(Final Inspection CD)	식각하고 난 후의 선폭을 말함.

Ion Implantation
이온주입	반도체소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Mask
마스크	IC제작을 위해 각 Layer별 회로 Pattern이 그려진 유리판으로, 각 패턴은 빛을 막는 불투명지역과 빛을 통과시키는 부분으로 구분되며 Mask상의 Pattern을 Wafer위에 옮겨 소자를 제작.

PR(Photoresist)
감광액	감광성 수지를 말하며, 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성과 음성으로 나뉨.

Plasma
플라즈마	원자나 분자 이외에 양이온과 음이온, 전자가 뒤섞여 존재하는, 전기적으로는 중성인 상태

Poly(Polysilicon)
폴리실리콘	다결정의 Silicon 박막으로 내부 전극으로 사용하기 위해 CVD 공정을 이용해 만들어짐.

Sawing
절단	Chip 분리를 위해 웨이퍼를 절단하는 공정.

Silicon, Si
실리콘	원자번호 14인 5족의 원소(규소)로서, 반도체 재료로 널리 사용됨.

SiON(Oxynitride)
절연막	CVD 공정에서 산화막과 질화막의 단점을 보완해 증착된 박막을 일컬음.

SOC(Spin on Carbon)
탄소막	웨이퍼를 회전시키면서 탄소막을 증착시키는 방법.

TEOS(Tetraethyl orthosilicate)
산화막	CVD 공정에서 산화막을 증착할 때 사용하는 Gas이나, 일반적으로는 이 Gas를 이용하여 증착된 산화막을 일컬음.

TSV(Through Silicon Via)
실리콘 관통전극	웨이퍼를 관통하는 Hole을 뚫는 공정으로, Chip을 수직으로 쌓아 올리고 텅스텐 기둥을 통해 연결하는 적층 공정기술.

ULTO(Ultra Low Temperature Oxide)
저온산화막	매우 낮은 온도에서 증착된 산화막을 일컬음.

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황 (1) 산업의 특성 반도체장비 산업은 반도체소자 산업과 매우 밀접하게 관련되어 있습니 다. 신제품의교체주기가 빠른 기술 집약적인 고부가가치 산업으로 시장의 규모나 중요성 면에서 고유의 산업영역을 구축하고 있으며, 매년 대규모 설비투자와 연구개발투자가 소요되는 High-risk 산업입니다. 반도체소자 산업은 대한민국을 주도로 발전한 반면, 반도체장비 시장은 세계적으로미국 및 일본업체에 의해 과점되고 있습니다. 대한민국 역시 상당 부분을 수입에 의존하고 있습니다. 반도체소자의 미세화, 고집적화를 위한 기술개발은 반도체장비 기술의 발전 없이는 불가능합니다. 이처럼 반도체장비 기술은 반도체 시장 전체에 미치는 파급력이 큽니다. (2) 산업의 성장성 및 경기변동의 특성 과거의 반도체 산업은 글로벌 경기변동에 민감하게 반응했습니다. 호황기에 집중된설비투자로 인하여 공급과잉 현상이 나타나 산업경기 불황으로 이어지고, 공급과잉에 따른 단가하락은 또다시 수요증가를 일으켜 산업경기 회복으로 이어지는 전형적인 장치산업의 경기변동성 특징을 보였습니다. 하지만 최근에는 과거와 다른 시장의 모습을 보이고 있습니다. 반도체소자 업체들은 수년간 지속적으로 대규모 설비투자 및 연구개발투자를 진행했고, 그 결과 관련된반도체장비 투자도 증가하기 시작했습니다. 반도체소자 업체의 증가로 인한 생산량 증가는 반도체의 단가하락으로 이어질 수 있으나, 빅데이터, 데이터 저장장치의 대용량화, 자율주행 및 전기자동차, 사물인터넷(IOT) 등의 산업 발달은 반도체 시장의 성장을 이끌 것입니다. 최근 국가적으로 많은 투자를 하고 있는 중국의 시장 확대 역시 큰 영향을 줄 것입니다. 이러한 시대의 흐름으로 반도체장비 시장은 낙수 효과를 누릴 것 으로 전망하고 있습니다. (3) 경쟁요소 전세계 반도체용 건식 식각장비 시 장은 소수의 기술력을 보유한 미국과 일본의 글로벌 업체가 독과점하고 있는 상황입니다. 이 업체들은 당사보다 일찍 시작된 자국의반도체 산업에서 고유기술을 축적하며 경쟁력을 갖췄습니다. 메모리 반도체 시장이 성장하기 시작한 1980년대부터 전세계에 건식 식각장비를 개발, 공급함으로써 글로벌 업체로 성장하게 되었습니다 . 건식 식각장비의 핵심기술은 공정 챔버 내부에 밀도가 높은 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 원하는 형태로 조절하는 기술입니다. 이 글로벌 업체들은 막대한 자금과 풍부한 인력을 바탕으로 끊임없는 기술 개발을 통해 이러한 기술들을 선점하고, 특허를 통해 후발업체의 진입을 견제하면서 300mm 웨이퍼용 건식 식각장비의 90% 이상을 공급하고 있습니다. 이와 같은 과점시장에서 당사가 글로벌 업체들을 추격하기 위해 노력하고 있습니다. (4) 자금조달의 특성 반도체장비 산업은 소자업체의 주문에 의해서 제작되는 수주산업의 특성을 가지고있으며, 장비 특성상 대량생산이 불가능하고 장비에 적용되는 주요 원재료 및 부품들은 전문업체에서 조달받고 있습니다. 일반적으로 장비 제조에 사용되는 주요 부품들은 해외에서 조달하기 때문에 환율 변동에 따라 자원조달의 환경이 변동되는 문제점을 내포하고 있습니다. 또한 반도체장비 제조에 필요한 자금 결제는 보유 중인 자금력을 바탕으로 대부분 현금을 통해 이루어집니다. (5) 관련 법령 또는 정부의 규제 등 반도체장비 산업의 경우 일반적인 소비성 제품이 아닌 특정고객에게 특정한 제품사양으로 판매되는 특성이 있어, 정부의 규제 및 관계 법령에 의한 특별한 규제를 받지 않습니다. 오히려, 반도체장비 산업은 반도체 산업의 핵심 기반산업으로 정부차원의 R 지원 정책 등이 시행되고 있습니다. 나. 회사의 현황

(1) 영업개황

당사는 반도체 제조 전공정 장비인 건식 식각장비(Dry Etcher) 제조업체로서 관련한 원천기술을 다수 보유하고 있습니다. 특히 당사가 보유하고 있는 플라즈마 소스는현재 200mm와 300mm 웨이퍼용 반도체 건식 식각장비의 원천기술로 적용되어 성능 및 가격 경쟁력을 보여주며 외산장비를 대체하고 있습니다. 또한 본 원천기술은 반도체 제조공정인 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장비, 원자층 박막증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 장비, 원자층식각(Atomic Layer Etch, ALE) 장비 등 다양한 플라즈마 공정장비에 적용될 수 있습니다. 이를 바탕으로 200mm 및 300mm 금속막(Metal), 실리콘(Polysilicon), 산화막(Oxide) 식각장비를 제조하여 다양한 고객사에 납품했습니다. 주력 제품인 300mm 실리콘 식각장비(Poly Etcher)는 세계적인 반도체소자 업체인 SK하이닉스(주)에 다량 납품되어 현재 반도체 식각 공정에 사용되고 있습니다.

(2) 시장점유율

반도체장비 산업의 특성상 반도체 제조공정에 따른 장비가 세분화되어 그 종류가 매우 다양합니다. 해당 소자업체의 보안정책으로 정확한 제품별 장비운용현황 등을 파악하기 어렵습니다. 이에 따라 현재 반도체 시장조사기관의 구체적인 장비현황 및 시장점유율 산정에 한계가 있습니다.

(3) 시장의 특성

반도체 시장은 다양한 학문과 기술 분야를 기반으로 하는 고도의 기술집약적 산업으로 기술적 진입장벽이 매우 높은 산업입니다. 반도체소자 기술개발이 급격히 진행됨에 따라 신제품의 교체주기가 점점 짧아져 기술적인 적기 시장진입이 매우 중요합니다. 특히 반도체장비 시장은 장비를 구매하는 반도체소자 업체들의 설비투자 증감에 영향을 받으며, 기술적으로는 제조기술의 발전에 따라 변동되는 특성이 있습니다.따라서 고객의 요구와 기술흐름에 맞는 장비를 개발해야 매출확대가 가능합니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망- 해당사항 없음

(5) 조직도

2. 주요 제품 및 서비스에 관한 사항 가. 식각장비 구성

당사의 300mm Poly 식각 장비는 위 그림과 같이 Load Port와 EFEM(Equipment Front End Module), BM(Buffer Module), TM(Transfer Module)및 PM(Process Module)으로 구성되어 있습니다. 공정이 진행되는 순서는 아래 그림과 같습니다.

Load Port는 FOUP(Front Opening Universal Pod)이 놓이는 곳으로 FOUP에는 웨이퍼가 들어가 있으며, EFEM에는 대기압 상태에서 동작하는 Robot과 Aligner가 있습니다. Robot이 Load port에 놓여있는 FOUP에서 웨이퍼를 1매씩 꺼내 Aligner에 놓고웨이퍼가 일정한 방향으로 놓이도록 정렬을 시킨 후 BM으로 옮깁니다. BM은 대기압과 진공 상태를 반복하는 공간으로서 대기압 상태에서 웨이퍼가 들어오면 진공 상태의 TM을 통해 PM으로 가기 전에 진공 상태로 전환되고, TM에는 진공 상태에서 동작하는 Robot이 있어 BM에 놓인 웨이퍼를 각 PM으로 운반합니다. PM은 식각 공정을 담당하는 Process Chamber와 식각 공정이 끝난 후 감광액(Photoresist)을 제거하는 Strip Chamber로 구성되어 있습니다. PM에서 식각 및 감광액 제거가 완료된 웨이퍼는 다시 TM과 BM을 거쳐 Side Storage에서 웨이퍼에 남아 있는 유독 가스(Fume)를 제거한 후에 원래 위치의 FOUP로 들어가면 식각 공정이 완료되어 다음 공정으로 이동합니다.

나. 제품 라인업

당사는 2002년 설립된 이후 2004년 6월에 최초로 200mm 웨이퍼의 금속 식각 공정을 위한 챔버 모듈을 개발하여 SK하이닉스(주)에 공급했습니다. 이를 시작으로 위 그림과 같이 다양한 200mm 및 300mm 웨이퍼용 장비를 개발하여 SK하이닉스(주)를 비롯한 한국전자통신연구원(ETRI), 연세대학교, LG이노텍, 와이솔, 이피웍스 등에 판매했습니다.

반도체 제조용 건식 식각장비의 경우, 2002년부터 2005년까지 200mm 웨이퍼용 산화막 및 금속, 폴리 식각장비를, 2006년부터 2008년까지 300mm 웨이퍼용 산화막 및 금속 식각장비를 개발하여 판매했습니다.

소자의 미세화로 금속 배선이 알루미늄(Al)에서 구리(Cu)로 대체됨에 따라 대부분의 금속 식각 공정이 연마(CMP) 공정으로 전환되었습니다. 금속 식각장비의 수요는감소한 반면에 폴리 식각 공정이 늘어 폴리 식각 장비의 수요가 증가하는 추세로 시장이 변화되었습니다. 이에 당사는 2010년부터 300mm 웨이퍼용 폴리 식각장비를 본격적으로 개발하기 시작했습니다.

당사의 현재 판매가능하거나 개발중인 라인업은 아래 표와 같습니다.

장비 모델명	기능 및 용도	특징

Leo NK I	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	4zone ESC,Source Coil Tilting

Leo NK I-C	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	4zone ESC, Size 축소
Source Coil Tilting

Leo NK II	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	4zone ESC, Size 축소
Source Coil Tilting

Leo WH	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Poly 식각용	18zone ESC, ERE 적용
Source Coil Tilting Lifting

Nardo-M	플라즈마 식각, 300mm 웨이퍼 Metal 식각용	4zone ESC,

APIS300	플라즈마 도핑, 300mm 웨이퍼 불순물 주입용	Bipolar ESC,
Negative DC Bias Pulsing

3. 주요 원재료 등가. 매입 현황(단위 : 백만원)

매입유형	품 목	제19기 반기	제18기	제17기

원재료	RF Power System	2,913	2,795	4,411

Gas Supply System	3,062	3,389	3,648

Vacumm Building system	1,215	1,417	3,582

나. 원재료 가격변동 추이 당사의 주요 원재료는 국내뿐 아니라 해외에서 수입하여 조달합니다. 이 과정에서 원-달러 환율변동에 의한 가격차이가 발생하며, 장비의 사양변화 또한 가격 변동요인으로 작용합니다.

4. 생산 및 생산설비에 관한 사항가. 생산능력, 생산실적 및 가동률

(단위 : 장비대수)

품 목	구 분	제19기 반기	제18기	제17기

반도체장비	생산능력	24	20	20

생산실적	12	14	15

가 동 율	50%	70%	75%

기타	생산능력	12	24	24

생산실적	-	-	-

가 동 율	-	-	-

주1) 클린룸 생산공간 개조와 제작기간 단축을 통해 반도체장비를 연간 최대 48대(월 4대*12개월)까지 생산 가능합니다.
주2) 반도체장비 생산 공간을 제외한 나머지 공간에서 4" Chamber 등 기타장비를 연간 최대 24대(월 2대*12개월)까지 생산 가능합니다.
주3) 가동률은 수량 기준으로 산정하였습니다.

나. 생산설비에 관한 사항(단위 : 천원)

공장별	자산별	소재지	기초가액	당반기증감	당반기
상각	반기말가액	비고

증가	감소

공장A	토지	이천시 마장면	2,481,819	-	-	-	2,481,819	-

건물	923,025	-	-	17,750	905,275	-

기계장치	364,420	50,800	2	61,463	353,755	-

공구와기구	126,926	15,600	2	21,755	120,769	-

다. 생산공정

공정 챔버 조립	작 업 내 용

자재입고	가공 및 구매 Parts 입고

전장 Box 조립	Main Frame에 Power 및 Sensor Signal을 Control하는 전장 Box를 조립

챔버 Body 조립	Main Frame에 챔버 Body를 안착하고 공정 압력을 조절하는 Pendulum 밸브와 진공상태 유지를 위한 터보 펌프를 조립

Cathode 모듈 조립	ESC Heating 전원 및 Temp. Sensor와 Bias RF Power 전달을 위한 RF Rod, 웨이퍼 Cooling을 위한 Cathode 모듈을 챔버 Body에 조립

Dome 하우징 조립	챔버 내부로 가스를 공급하는 Dome Housing을 조립

소스 코일 Housing Tilting Motor 조립	RF Power를 챔버 내부로 유도하기 위한 소스 코일과 코일 Tilting을 위한Tilting Motor를 조립

Matching Box 조립	RF Power 전달을 위한 Match Box를 소스 코일과 Cathode에 조립

He 판넬 TMP N2 Purge Line 조립	웨이퍼 Cooling을 위한 He 판넬과 TMP Purge를 위한 N2 Line 조립

Vacuum Coolant Line 조립	챔버 Pumping을 위한 Vacuum Line과 전원장치와 TMP, ESC 냉각을 위한 Cooling Line을 조립

Power Signal Cable, 공압 라인 Dressing	전원장치용 AC DC Power Cable과 각종 Sensor의 신호 전달을 위한 Cable, 실린더 및 Valve 구동을 위한 공압 라인을 연결

5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적 당사의 최근 3년간 품목별 매출내역은 다음과 같습니다.

(단위 : 백만원)

품목	제 19 기 반기	제 18 기	제 17 기

반도체 장비 및 상품	내 수	34,356	17,943	27,990

수 출	8,187	40,738	32,810

합 계	42,543	58,681	60,800

기타	내 수	25	168	193

수 출	250	477	45

합 계	275	645	238

매출총계	내 수	34,381	18,111	28,183

수 출	8,437	41,215	32,855

합 계	42,818	59,326	61,038

업종	반도체 제조용 기계 제조업

나. 판매 관련 (1) 판매조직 당사의 판매 조직은 영업기획팀 1팀으로 이루어져 있으며, 국내 영업은 SK하이닉스(주)를 중심으로 이루어져 있습니다. 또한 영업기획팀뿐만 아니라 모든 팀이 영업의 일부를 담당하고 있으며, 특히 개발1, 2팀 및 S/W팀이 각 담당 엔지니어 대상으로영업활동을 하고 있습니다. (2) 판매경로 당사 판매 방식은 반도체소자 업체(SK하이닉스(주))와 직접 거래하는 방식입니다. (3) 판매전략 당사는 국내 반도체시장에서 최종 반도체소자 업체(SK하이닉스(주))에게 장비를 판매하고 있습니다. 또한 본격적인 해외 영업을 위해 2019년 10월 미국에 현지법인을 설립하였으며, 중국 현지 법인 설립도 계획하고 있습니다. 당사가 제품을 판매하기 위해 아래와 같이 지속적으로 노력 중입니다.

항 목	판매 전략	상 세

고객 관리
강화	1. 고객 List 관리 작성 및 전체 공유	고객별 Profile 작성(담당 분야, 중요도 등)

2. 고객 요청 사항 전 직원 공유 및 요청 즉시 신속 대응	문제 해결은 당일 대응원칙이며 최대 일주일을 넘기지 않도록 함.

3. 전 직원 영업화	분야별로 담당 고객에게 주기적으로 접촉

품질 및
기술력 강화	1. 품질 관리팀 신설	품질팀 신설 하여 품질 개선 및 불량 발생 최소화

2. 주력 장비 기술 개발 강화	ACP Coil Upgrade

AGF(Adaptive Gas Feed)

Multi-zone ESC

New System Design

3. 고객 요청 사항을 반영하여 개발	ESC 표면 Type 개발

Side Gas Feed 개발

서비스 강화	1. 고객 Site별 담당 엔지니어 배치	Site별 책임급 이상 엔지니어 배치

2. 고객 Site별 대응 사무소 설치	신속대응 할 수 있도록 이천(본사) 및 청주에 대응 사무소 설치

6 . 수주상황

당사의 수주는 주로 고객사의 발주에 따라 생산 및 납품하는 형태입니다.

7. 시장위험과 재무관리가. 재무위험 관리

당사는 여러 활동으로 인해 시장위험(환위험), 이자율위험, 신용위험 및 유동성위험과 같은 다양한 금융 위험에 노출되어 있습니다. 당사의 전반적인 위험관리 정책은 금융시장의 예측불가능성과, 재무성과에 잠재적으로 불리할 수 있는 효과를 최소화하는데 중점을 두고 있습니다. 재무위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 이루어지고 있습니다. 이사회는 전반적인 위험관리에 대한 정책 및 외환위험, 신용위험, 유동성위험과 같은 특정분야에관한 문서화된 정책을 검토하고 승인합니다.

(1) 환율변동위험 당사는 장비의 수출 및 일부 원자재의 수입 거래와 관련하여 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 거래되고 있는 대표적인 주요 통화는 USD, CNY, JPY 등입니다. 당사는 거래로부터 발생하는 환위험을 최소화하기 위해 수출입 등의 경상거래시 입ㆍ지출 통화 일치를 원칙으로 하여 환포지션 발생을 억제합니다. 불가피하게 발생한 환포지션에 대해서는 관리원칙 및 정책, 규정에 따라 주기적으로 환위험을 관리하고 있습니다. (2) 이자율위험 이자율위험은 미래 시장이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험입니다. 이는 주로 변동금리부 조건의 예금과 차입금에서 발생하고 있습니다. 당사가 보유하고 있는 금융상품 중 이자율변동 위험에 노출된중요한 부채는 없으며, 안정적인 금리를 확보할 수 있는 예금을 운영하여 이자율변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다. (3) 신용위험

신용위험은 금융상품의 당사자 중 일방이 의무를 이행하지 않아 상대방에게 재무적손실을 미칠 위험을 의미합니다. 당사는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키기 위해 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있습니다. 필요한 경우 담보를 수취하고, 신용보증보험계약을 체결하여 중요한 신용위험 요소를 최소화하고 있습니다. 당기말 현재 당사가 보유 중인 금융자산은 대손충당금이 설정된 매출채권을 제외하고는 특별한 연체 및 손상은 발견되지 않았습니다. 한편, 당사는 산업은행, 하나은행, KB국민은행, 우리은행 등의 금융기관에 현금 및 현금성자산을 예치하고 있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터 신용위험은 매우 제한적입니다.

(4) 유동성위험

유동성위험은 회사 경영 환경 또는 금융시장의 악화로 인해 회사가 부담하고 있는 단기 채무를 적기에 이행하지 못할 위험입 니다. 당사의 경영진은 유동성위험을 관리하기 위해 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고 현금유출 예산과 실제 현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 충분히 상환할 수있다고 판단하고 있습니다.

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다. 9. 경영상의 주요계약 등 보고서 제출일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 없습니다. 10. 연구개발 현황 가. 연구개발 조직

연구개발 조직은 연구소와 6개 팀으로 구성되어 있습니다. 요소기술 측면으로 플라즈마 원천기술개발 및 플라즈마 해석을 담당하는 연구소와 설계 및 시뮬레이션을 담당하는 기구설계팀, 장비의 하드웨어와 전장 개발을 담당하는 개발1팀, 개발2팀, 장비 운영에 필요한 프로그래밍 개발을 위한 소프트웨어 개발팀, 공정 개발을 하는 Demo Lab팀, 제품 품질을 개발하는 품질개발팀으로 연구개발 조직이 구성되어 있습니다.

나. 연구개발 실적

연구 과제	연구 기관	연구결과 및 기대효과	상품화 내용

국책과제
“300㎜급 플라즈마 도핑 장비 개발”
(2009.11.~2012. 10)	APTC(주)SK하이닉스(주) (주)동아하이텍 (주)코리아세미텍군산대, 연세대, 한양대	플라즈마 이온 도핑장비의 개발 및 도핑 공정 개발	- 플라즈마 소스 및 공정 챔버 개발
- 정전척 개발
- 고전압 펄스 전원장치 개발
- 도핑 공정개발
- Monitoring System 개발

국책과제
“300mm급 반도체 후공정용 패키징 장비 개발”
(2009.3.~2013.2)	APTC(주)한국반도체연구조합(주)젠, 로체시스템즈(주)삼성전자(주) SK하이닉스(주) 성균관대	32나노급 이하 300mm용 반도체 소자제작을 위한 플라즈마 기반의 웨이퍼 가공 양산장비 개발	- Deep via etcher 개발
- Wafer thinning 장비 개발
- Wafer sawing 장비 개발

국책과제
“10nm급 초미세 SADP 공정용 건식 식각장비개발”
(2012.6.~2016.5)	APTC(주)SK하이닉스(주)(주)미코, NFRI전북대, 군산대, 중앙대국민대, 고려대	10나노급 SADP 공정개발 및 폴리장비 판매 촉진	- 우수한 식각속도 균일도 달성
- 4-zone ESC 개발
- 100MHz의 공정성능 평가 완료
- Plasma etch profile simulation 달성
- RF pulsing에 대한 sheath movement 해석
- Plasma damage 측정
- SADP 공정개발 완료
- 10nm급 초미세 공정 테스트 성공적 완료

Post-Reflow 장비 개발
(2012.3~2015.2)	APTC(주),
SK하이닉스(주)	Post-Reflow 공정 개발 성공	- 균일한 reflow 달성
- warped wafer reflow 성공적 달성

Leo NKⅠ장비개발(2014.1~2015.12)	APTC(주)	- 1세대 Poly Etch. 장비개발- Middle급 Poly Etch. 공정가능	- Plasma Uniformity control - 4zone Tunable ESC- Gas Uniformity control- Center pumping system- 양산판매 성공

Leo NKⅠ-C 장비개발(2016.1~2016.12)	APTC(주)	- 1세대 Poly Etch. 장비개선- 양산장비로서 안정성 확보	- NKⅠ공정 성능 Upgrade- 양산판매 성공

Leo NKⅡ 장비개발(2016.1~2018.12)	APTC(주)	- 2세대 Poly Etch. 장비개발- High Level Poly Etch. 공정 가능	- 공정 성능 Upgrade- 소자업체와의 JDP, JEP 체결 및 평가완료

Leo WH 장비 개발(2019.1~2020.2)	APTC(주)	- 2세대 Poly Etch. 장비 양산형 모델개발- High End Poly Etch. 공정 가능	- High End Poly etch.공정 기능 개발 후 양산형 모델 개발 완료- 소자업체와의 JDP 체결

Nardo-M 장비개발(2019.4~2019.12)	APTC(주)	- 1세대 Metal Etch. 장비 개발- High level Metal 공정 가능	- 소자업체와의 JDP 체결- 장비 평가 진행 중

다. 연구개발 비용(단위 : 천원)

구 분	제19기 반기	제18기	제17기

자산처리	원재료비	-	-	-

인건비	-	-	-

감가상각비	-	-	-

위탁용역비	-	-	-

기타 경비	-	-	-

소 계	-	-	-

비용처리	제조원가	-	-	-

판관비	597,275	1,689,344	561,822

합 계	1.39%	2.85%	0.92%

(매출액 대비 비율)

라. 향후 연구 계획 당사는 2002년 설립된 후 여러 가지 종류의 200mm/300mm 산화물, 메탈 및 폴리식각장비를 주로 개발해 왔습니다. 앞으로의 개발 계획은 크게 폴리 식각장비 Leo WH 개발(원자층 식각가능), 메탈 식각장비 Nardo-M, 산화물 식각챔버 및 TSV(Through Silicon Etch) 챔버이며 자세한 내용은 아래와 같습니다.