브이엠 반기보고서 (2021.06)
7. 기타 참고사항

가. 용어정리

용 어	설 명

ACL(Amorphous Carbon Layer)
비정질탄소막	탄소를 함유한 탄화수소 화합물을 이용하여 만들어진 비정질탄소막으로, 사진공정의 반사방지막으로 사용됨.

Anode
양극	전류가 흘러 들어가는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼와 마주보고 있는 부위.

Ashing
에싱	고온 산화를 이용하여 기판으로 부터 PR을 제거하는 것.

Cathode
음극	전류가 흘러나오는 쪽의 전극을 의미. 진공 Chamber 안에서 웨이퍼가 놓여지고, 고주파 전력이 인가되는 부위.

CD(Critical Dimension)
임계치수	반도체 회로의 선폭을 말함.

Chamber
챔버	장비의 일부분으로 식각 또는 증착 공정이 진행되는 방.

CMP(Chemical Mechanical Polishing)
화학적ㆍ기계적 연마	화학적 기계적 연마. 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들기 위해 웨이퍼 표면을 갈아내는 공정.

CVD(Chemical Vapor Deposition)
화학기상증착	반도체 공정기술의 하나로 화학반응을 이용하여 Wafer 표면위에 단결정의 반도체막이나 절연막 등을 형성하는 방법.

Dielectric
유전체	절연체로서 전압을 걸었을 때 전류를 흘리지 못하는 물질로써, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4) 등이 있음.

Doping
도핑	반도체의 전도 형태를 바꿔주기 위해 p형 또는 n형의 불순물을 확산이나 이온주입에 의해서 주입하는 것.

Double Patterning(DP)
이중패터닝	하나의 회로 패턴을 완성하기 위해 같은 자리에 노광 또는 식각 공정을 두 번씩 진행하는 방식.

Electron Temperature(Te)
전자온도	자유전자를 갖는 계(系)에서 자유전자의 에너지 분포에 대응하는 온도로, eV로 나타냄.

ESC(Electrostatic Chuck)
정전척	정전기를 이용하여 진공 Chamber 안에서 웨이퍼를 고정시키는 장치.

Etch
식각	Wafer상의 특정지역의 물질을 화학반응을 통해 제거해 내는 공정으로 이때 사용되는 물질을 Etchant라고 한다. Etch 방법에는 화학용액을 사용하는 Wet Etch와 가스나 플라즈마, 이온 빔 등을 이용하는 Dry Etch가 있음.

Etch Rate(ER)
식각 속도	식각이 진행되는 속도를 일컬으며, 높을수록 빠름.

Etch Rate Uniformity(ERU)
식각속도 균일도	웨이퍼 전체 면적에서 식각 진행 속도가 얼마나 균일하게 일어나는지를 평가하는 척도로, 작을수록 우수함.

EUV(Extreme Ultraviolet)
극자외선	13.5nm의 파장을 갖는 광원으로 회로선폭을 미세화하기 위해 필요함.

FICD(Final Inspection CD)	식각하고 난 후의 선폭을 말함.

Ion Implantation
이온주입	반도체소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Mask
마스크	IC제작을 위해 각 Layer별 회로 Pattern이 그려진 유리판으로, 각 패턴은 빛을 막는 불투명지역과 빛을 통과시키는 부분으로 구분되며 Mask상의 Pattern을 Wafer위에 옮겨 소자를 제작.

PR(Photoresist)
감광액	감광성 수지를 말하며, 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성과 음성으로 나뉨.

Plasma
플라즈마	원자나 분자 이외에 양이온과 음이온, 전자가 뒤섞여 존재하는, 전기적으로는 중성인 상태

Poly(Polysilicon)
폴리실리콘	다결정의 Silicon 박막으로 내부 전극으로 사용하기 위해 CVD 공정을 이용해 만들어짐.

Sawing
절단	Chip 분리를 위해 웨이퍼를 절단하는 공정.

Silicon, Si
실리콘	원자번호 14인 5족의 원소(규소)로서, 반도체 재료로 널리 사용됨.

SiON(Oxynitride)
절연막	CVD 공정에서 산화막과 질화막의 단점을 보완해 증착된 박막을 일컬음.

SOC(Spin on Carbon)
탄소막	웨이퍼를 회전시키면서 탄소막을 증착시키는 방법.

TEOS(Tetraethyl orthosilicate)
산화막	CVD 공정에서 산화막을 증착할 때 사용하는 Gas이나, 일반적으로는 이 Gas를 이용하여 증착된 산화막을 일컬음.

TSV(Through Silicon Via)
실리콘 관통전극	웨이퍼를 관통하는 Hole을 뚫는 공정으로, Chip을 수직으로 쌓아 올리고 텅스텐 기둥을 통해 연결하는 적층 공정기술.

ULTO(Ultra Low Temperature Oxide)
저온산화막	매우 낮은 온도에서 증착된 산화막을 일컬음.

나. 업계의 현황 (1) 산업의 특성 반도체장비 산업은 반도체소자 산업과 매우 밀접하게 관련되어 있습니 다. 신제품의교체주기가 빠른 기술 집약적인 고부가가치 산업으로 시장의 규모나 중요성 면에서 고유의 산업영역을 구축하고 있으며, 매년 대규모 설비투자와 연구개발투자가 소요되는 High-risk 산업입니다. 반도체소자 산업은 대한민국의 주도로 발전한 반면, 반도체장비 시장은 세계적으로미국 및 일본업체에 의해 과점되고 있습니다. 대한민국 역시 상당 부분을 수입에 의존하고 있습니다. 반도체소자의 미세화, 고집적화를 위한 기술개발은 반도체장비 기술의 발전 없이는 불가능합니다. 이처럼 반도체장비 기술은 반도체 시장 전체에 미치는 파급력이 큽니다. (2) 산업의 성장성 및 경기변동의 특성 과거의 반도체 산업은 글로벌 경기변동에 민감하게 반응했습니다. 호황기에 집중된설비투자로 인하여 공급과잉 현상이 나타나 산업경기 불황으로 이어지고, 공급과잉에 따른 단가하락은 또다시 수요증가를 일으켜 산업경기 회복으로 이어지는 전형적인 장치산업의 경기변동성 특징을 보였습니다. 하지만 최근에는 과거와 다른 시장의 모습을 보이고 있습니다. 반도체소자 업체들은 수년간 지속적으로 대규모 설비투자 및 연구개발투자를 진행했고, 그 결과 관련된반도체장비 투자도 증가하기 시작했습니다. 반도체소자 업체의 증가로 인한 생산량 증가는 반도체의 단가하락으로 이어질 수 있으나, 빅데이터, 데이터 저장장치의 대용량화, 자율주행 및 전기자동차, 사물인터넷(IOT) 등의 산업 발달은 반도체 시장의 성장을 이끌 것입니다. 최근 국가적으로 많은 투자를 하고 있는 중국의 시장 확대 역시 큰 영향을 줄 것입니다. 또한 최근 국내 반도체소자 업체의 DRAM과 NAND Flash 시장에서의 점유율이 증가하고 있습니다. 이러한 시대의 흐름으로 반도체장비 시장은 낙수 효과를 누릴 것 으로 전망하고 있습니다. (3) 경쟁요소 전세계 반도체용 건식 식각장비 시 장은 소수의 기술력을 보유한 미국과 일본의 글로벌 업체가 독과점하고 있는 상황입니다. 이 업체들은 당사보다 일찍 시작된 자국의반도체 산업에서 고유기술을 축적하며 경쟁력을 갖췄습니다. 메모리 반도체 시장이 성장하기 시작한 1980년대부터 전세계에 건식 식각장비를 개발, 공급함으로써 글로벌 업체로 성장하게 되었습니다 . 건식 식각장비의 핵심기술은 공정 챔버 내부에 밀도가 높은 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 원하는 형태로 조절하는 기술입니다. 이 글로벌 업체들은 막대한 자금과 풍부한 인력을 바탕으로 끊임없는 기술 개발을 통해 이러한 기술들을 선점하고, 특허를 통해 후발업체의 진입을 견제하면서 300mm 웨이퍼용 건식 식각장비의 90% 이상을 공급하고 있습니다. 이와 같은 과점시장에서 당사가 글로벌 업체들을 추격하기 위해 노력하고 있습니다. (4) 자금조달의 특성 반도체장비 산업은 소자업체의 주문에 의해서 제작되는 수주산업의 특성을 가지고있으며, 장비 특성상 대량생산이 불가능하고 장비에 적용되는 주요 원재료 및 부품들은 전문업체에서 조달받고 있습니다. 일반적으로 장비 제조에 사용되는 주요 부품들은 해외에서 조달하기 때문에 환율 변동에 따라 자원조달의 환경이 변동되는 문제점을 내포하고 있습니다. 또한 반도체장비 제조에 필요한 자금 결제는 보유 중인 자금력을 바탕으로 대부분 현금을 통해 이루어집니다. (5) 관련 법령 또는 정부의 규제 등 반도체장비 산업의 경우 일반적인 소비성 제품이 아닌 특정고객에게 특정한 제품사양으로 판매되는 특성이 있어, 정부의 규제 및 관계 법령에 의한 특별한 규제를 받지 않습니다. 오히려, 반도체장비 산업은 반도체 산업의 핵심 기반산업으로 정부차원의 R 지원 정책 등이 시행되고 있습니다.

다. 시장상황 및 회사의 기타현황(1) 시장점유율

반도체장비 산업의 특성상 반도체 제조공정에 따른 장비가 세분화되어 그 종류가 매우 다양합니다. 해당 소자업체의 보안정책으로 정확한 제품별 장비운용현황 등을 파악하기 어렵습니다. 이에 따라 현재 반도체 시장조사기관의 구체적인 장비현황 및 시장점유율 산정에 한계가 있습니다.

(2) 시장의 특성

반도체 시장은 다양한 학문과 기술 분야를 기반으로 하는 고도의 기술집약적 산업으로 기술적 진입장벽이 매우 높은 산업입니다. 반도체소자 기술개발이 급격히 진행됨에 따라 신제품의 교체주기가 점점 짧아져 기술적인 적기 시장진입이 매우 중요합니다. 특히 반도체장비 시장은 장비를 구매하는 반도체소자 업체들의 설비투자 증감에 영향을 받으며, 기술적으로는 제조기술의 발전에 따라 변동되는 특성이 있습니다.따라서 고객의 요구와 기술흐름에 맞는 장비를 개발해야 매출확대가 가능합니다. (3) 신규사업 등의 내용 및 전망 - 해당사항 없음

(4) 조직도

라. 사업부문별 재무정보 당사는 연결회사를 포함하여 단일의 사업부문으로 운영되고 있 기 때문에 별도 기재를 생략하였습니다. 영업부문 재무정보에 관한 자세한 사항은 'III. 재무에 관한 사항' 중 '3. 연결재무제표 주석'의 ' 29 . 영업부문 정보'를 참조하시기 바랍니다. 마. 지적재산권 보유현황 보고서 제출일 현재 당사가 보유한 지적재산권 현황은 다음과 같습니다.

구분	특허권	비고

국내	해외

등록	56	26	-

출원	58	31	-