브이엠 분기보고서 (2026.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요계약 등보고서 제출일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 없습니다.

나. 연구개발 현황1) 연구개발 조직

2) 연구개발 실적 가) 연구과제별 개발실적

연구 과제	연구 기관	연구결과 및 기대효과	상품화 내용

국책과제
“300㎜급 플라즈마 도핑 장비 개발”
(2009.11.~2012.10)	브이엠(주)SK하이닉스(주)(주)동아하이텍(주)코리아세미텍군산대, 연세대, 한양대	플라즈마 이온 도핑장비의 개발 및 도핑 공정 개발	- 플라즈마 소스 및 공정 챔버 개발
- 정전척 개발
- 고전압 펄스 전원장치 개발
- 도핑 공정개발
- Monitoring System 개발

국책과제
“300mm급 반도체 후공정용 패키징 장비 개발”
(2009.3.~2013.2)	브이엠(주)한국반도체연구조합(주)젠로체시스템즈(주)삼성전자(주)SK하이닉스(주)성균관대	32나노급 이하 300mm용 반도체 소자제작을 위한 플라즈마 기반의 웨이퍼 가공 양산장비 개발	- Deep via etcher 개발
- Wafer thinning 장비 개발
- Wafer sawing 장비 개발

국책과제
“10nm급 초미세 SADP 공정용 건식 식각장비개발”
(2012.6.~2016.5)	브이엠(주)SK하이닉스(주)(주)미코, NFRI전북대, 군산대, 중앙대국민대, 고려대	10나노급 SADP 공정개발 및 폴리장비 판매 촉진	- 우수한 식각속도 균일도 달성
- 4-zone ESC 개발
- 100MHz의 공정성능 평가 완료
- Plasma etch profile simulation 달성
- RF pulsing에 대한 sheath movement 해석
- Plasma damage 측정
- SADP 공정개발 완료
- 10nm급 초미세 공정 테스트 성공적 완료

Post-Reflow 장비 개발
(2012.3~2015.2)	브이엠(주),
SK하이닉스(주)	Post-Reflow 공정 개발 성공	- 균일한 reflow 달성
- warped wafer reflow 성공적 달성

Leo NKⅠ장비개발(2014.1~2015.12)	브이엠(주)	- 1세대 Poly Etch. 장비개발- Middle급 Poly Etch. 공정가능	- Plasma Uniformity control- 4zone Tunable ESC- Gas Uniformity control- Center pumping system- 양산판매 성공

Leo NKⅠ-C 장비개발(2016.1~2016.12)	브이엠(주)	- 1세대 Poly Etch. 장비개선- 양산장비로서 안정성 확보	- NKⅠ공정 성능 Upgrade- 양산판매 성공

Leo NKⅡ 장비개발(2016.1~2018.12)	브이엠(주)	- 2세대 Poly Etch. 장비개발- High Level Poly Etch. 공정 가능	- 공정 성능 Upgrade- 소자업체와의 JDP, JEP 체결 및 평가완료

Nardo-M 장비개발(2019.1~2020.3)	브이엠(주)	- 1세대 Metal Etch. 장비 개발- High level Metal 공정 가능	- 소자업체와의 JDP 성공- 장비 평가 완료, 양산판매 시작

Leo WH 장비 개발(2019.1~2020.12)	브이엠(주)	- 2세대 Poly Etch. 장비 양산형 모델 개발- High End Poly Etch. 공정 가능	- High End Poly Etch. 공정 기능 개발 후 양산형 모델 개발 완료- 소자업체와의 JDP 성공, 양산판매 시작

Leo WH LT 장비 개발(2021.1~2022.12)	브이엠(주)	- 2세대 Poly Etch. 장비 양산형 극저온 모델 개발- High Aspect Ratio Contact Poly Etch. 공정 가능	- 고종횡비 공정 기능 개발 및 양산 적용 가능성 확인 검토 완료- 소자업체와의 JDP 성공, 양산판매 시작

Leo WS 장비 개발(2021.01~2025.12)	브이엠(주)	- 3세대 Poly Etch. 장비 양산형 모델 개발- Leo WH 대비 모든면에서 우월한 공정 성능 확인	- 2025년 상반기 사내 공정 테스트 진행 완료- 2025년 하반기 고객사 주관 HW performance 검증 및 공정 평가 완료- 2026년 6월 중 고객사 JDP 진행 예정

산업통상자원부국책과제 [월드클래스플러스사업] “차세대 300 mm 고종횡비 공정 산화막 건식 식각 장비 개발”(2022.06~2025.12)	브이엠(주)	- CCP Type Oxide Etcher (산화막 식각장비) HW 장비 개발 및 공정 개발- 국책과제 산화막 식각 정량적 목표 달성, 공인인증평가 및 기본 성능 검증 완료	- CCP Type Dry Etch System 개발- 고종횡비 식각을 위한 고출력 RF system 구성- 국책과제 최종발표 6월 초 예정

산업통상자원부국체과제 [차세대지능형반도체기술개발] "10nm급 이하 Deep Trench silicon용 고생산성 및 저손상 하이브리드 원자층 식각 장비 개발" (2024.04~2026.12)	브이엠(주)한국공학대학교인투코어테크놀로지	- Atomic Later Etcher (원자층 식각장비) HW 장비 개발 및 공정 개발	- 1차년도 Thermal ALE Type Alpha Chamber제작하여 Feasibility TEST 완료

나) 현재 진행중인 연구개발 과제

당사가 현재 진행중인 연구개발 과제 및 진행상황은 아래와 같습니다.

연구 과제	연구 기관	연구결과	기대효과 및 진행상황

Leo WSE장비 개발(2025.11 ~ 2026.12)	브이엠(주)	최신 공정 종류별 Trend에 맞춘 부분 성능 Upgrade ver. 챔버 개발, 공정별 특수성에 대응 가능 모델 옵션 준비	- 최신 공정 Trend에 맞춴 Leo WS 사양 업그레이드 버전인 Leo WSE 개발 중- HW upgrade 항목별 HW test 진행 완료, 고객사 공정 활용 평가 진행 중

Oxide etch chamber DaVinci WH 장비 개발(2022.01 ~ 2028.12)	브이엠(주)	개발 중	- 독자적인 기술을 통해 고종횡비(High Aspect Ratio) 산화막 식각 장비로써 업계 최고 수준 HW 퍼포먼스를 목적으로 함- 양산 개발 완료 후 기존 Poly/Metal Etcher에 더하여 Oxide Etcher Line up 확대로 전체 Dry Etcher 시장 점유율 확대 및 매출 증대가 예상됨- 2022년 6월 산업통상자원부-산국산업기술진흥원 주관 월드클래스 후보기업 국책과제 선정- 2023년 8월 ~ Alpha Ver. Prototype Chamber 제작 및 평가- 2025년 ~ 개선 및 추가 개발 아이템 평가 진행중

Oxide etch chamberMona Lisa WH 장비 개발(2023.12 ~ 2026.12)	브이엠(주)	개발 중	- 고종횡비 식각을 목적으로하는 Da Vinci WH와는 목적성이 일부 다른 Oxide Etch Chamber로써, 보다 넓은 범위에서 다양하게 활용되는 범용 산화막 식각 장비를 개발- 2023년 기초 설계 및 시스템 구성 진행 개시- 2024년 Alpha Ver. Prototype Chamber 제작, 기초 통신/공압 IO, 기초 Function 테스트 완료- 2025년 박막 식각 공정 테스트 진행, HW 개선 평가 등 추가 테스트 진행 중- 2026년 양산형 Ver. chamber 제작 및 평가 진행

Atomic layer etcherAPES ALE장비 개발(2024.04.01 ~ 2030.12)	브이엠(주)	개발 중	- 고효율 Remote Plasma 및 Thermal Type의 Hybrid Concept 특허를 기반으로 신규 ALE 시장에서의 경쟁력 확보- 2024년 3월 산업통상자원부 산하 산업기술평가원 주최 산업기술혁신사업의 차세대 지능형 반도체 기술 개발 국책과제 선정- 2025년 특허 출원에 근거한 alpha ver. prototype chamber 제작 및 function check 진행 완료.추가 개선 아이템 적용 및 평가 예정- 2026년 beta ver. prototype chamber 제작 및 평가 예정

3) 연구개발 비용(단위 : 원)

구 분	제25기 1분기	제24기	제23기

연구개발비용 총계	4,546,098,748	8,486,651,831	15,004,897,951

(정부보조금)	(87,665,159)	(783,645,357)	(454,084,518)

연구개발비용 계	4,458,433,589	7,703,006,474	14,550,813,433

회계처리	판매비와관리비	4,458,433,589	7,703,006,474	14,550,813,433

개발비(무형자산)	-	-	-

연구개발비/매출액비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	5.11%	5.88%	21.35%

※ 비율은 정부보조금(국고보조금)을 차감하기 전의 연구개발비용 지출 총액을 기준으로 산정하였습니다. 4) 향후 연구 계획 1) 양산 제품의 지속적인 HW/SW 개선- 현 양산 제품인 poly etcher(Leo NK I, Leo WH) 및 metal etcher(Nardo-M)에 대해 고객사 엔지니어의 피드백을 바탕으로한 지속적인 HW/SW 개선2) 차세대 poly metal etcher HW 개발 및 공정 평가- Leo WS HW 개발 완료 후 고객사 양산 공정 및 개발 공정 적용 가능성 평가를 위한 process 평가, 6월 고객사 FAB In 후 JDP 진행 예정- 일부 공정 특이성에 대응하기 위한 HW/SW 추가 기능과 모듈을 적용한 Leo WSE 개발 및 공정 평가 예정3) 건식 식각 부문 line up 구성- Oxide etcher (Mona Lisa Da Vinci)의 개발을 통한 주요 건식 식각 공정에서의 모든 식각 장비 line up 구성 예정- Mona Lisa HW 양산 ver. HW 개발 후 공정 평가를 통해 양산화 목적 과제 수행- Atomic layer etch system (APES)을 국책과제를 통하여 HW 개선 및 공정 평가 진행 예정4) 최신 개발 road map 하기 첨부