유진테크 반기보고서 (2019.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가.사업부문 구분 주식회사 유진테크와 그 종속회사의 사업부문 현황을 요약하면 아래와 같습니다.

사업부문	회사명	주요 제품	주요 고객

반도체장비	(주)유진테크Eugenus Inc (*)유진태극무역(무석)유한공사	반도체 전공정 장비제조	SK 하이닉스삼성전자

반도체용 산업가스	(주)유진테크 머티리얼즈	반도체용 산업가스 제조	소자업체

(*) 당사의 미국현지법인 Eugene Technology Inc는 전전기에 사명을 Eugenus Inc로 변경하였습니다. Eugenus Inc는 반도체장비 사업영역확대 및 경쟁력 강화를 위하여 美 Aixtron Inc.의 반도체장비 중 원자층증착장비(ALD)/화학기상증착장비(CVD) 사업부문을 양수하였습니다.

나. 사업부문별 현황(반도체 장비 부문) (1) 산업의 특성 반도체 장비 산업은 반도체 회로설계, 실리콘 웨이퍼 제조 등 반도체 제조를 위한 준비단계부터 웨이퍼를 가공, 칩 제조·조립 및 검사하는 단계까지의 모든 공정에 이용되는 장비와 관련된 산업을 말합니다. 반도체의 고집적화에 따라 반도체 장비산업의 중요성은 커지고 있으며, 반도체 소자업체와의 긴밀한 협력관계가 무엇보다 중요합니다.

특히, 전공정은 미세화기술등 반도체칩의 품질을 좌우하는 단계로서 노광기, 증착기, 식각기 등 매우 높은 기술수준이 요구됩니다.

반도체장비산업은 교체주기가 빠른 지식집약적 산업이며, 고부가가치 산업(첨단 구성품의 집합체)으로 반도체소자 기술개발이 급격히 진행됨에 따라 신제품의 교체주기가 점점 짧아지는 적기 시장진입이 매우 중요한 산업으로, 특히 R 비중이 他 산업군에 비해 월등히 높으며, 기존 개발제품의 활용성 및 차세대 제품 개발등은 반도체 제조업체의 기술동향을 파악하고 적기에 시장진입이 필요한 타이밍 산업입니다. 이에 따라 국내 주력 반도체 제품의 생산 설비도 3~4년 마다 새로운 장비로 교체가 요구되고 있습니다. 설비산업의 발전을 위해서는 전반적인 기술수준, 즉, 전자, 재료, 기계, 물리, 화학 등의 종합적 기술이 뒷받침 되어야 합니다.

반도체 소자의 미세화, 고집적화를 위한 기술개발은 물리적 한계를 뛰어넘기 위해 반도체제조장비기술의 동반 발전 없이는 불가능하며 전체 반도체시장에 미치는 파급력이 큰 산업입니다.현재 반도체 장비개발 영역은 반도체 소자업체 영역인 공정기술 부문까지 확대된 통합 장비 산업 입니다. 반도체 장비 개발 범위는 반도체 제조업체가 요구하는 공정 조건을 만족하는 것은 물론이며 이를 위하여 소재 개발을 포함한 Software, Hardware, 제어부문 및 생산부문을 포함한 R 공정개발 능력을 필요로 합니다.

(2) 산업의 성장성반도체산업은 경기변동에 따른 경영실적의 변동성이 큰 산업이나 스마트폰등 전자기기 수요 증가에 힘입어 매년 꾸준한 성장세를 이어나가고 있습니다.특히 국내소자업체의 DRAM과 NAND Flash 시장점유율이 계속 늘어나고 있고, 설비투자도활발히 진행되고 있습니다.

다. 회사의 현황

(1) 영업개황 유진테크의 BlueJay™(Single Thermal LPCVD장비)와 Albatross™(Plasma 장비)는 경쟁사 대비 뛰어난 기술 경쟁력을 갖추고 있습니다. 전세계 반도체증착장비 시장에서 국내장비업체의 국산화율이 현저히 낮은 상황에서 세계 굴지의 반도체 소자업체의 검증을 받아 핵심장비로 사용되고 있습니다. 2016년에는 연결재무제표 기준 매출액 1,410억, 영업이익 364억을 기록하였습니다. 소자업체의 신규 설비 투자에 따라 전년 대비 매출액은 48.9%, 영업이익은 96.2% 증가하였습니다. 2017년에는 연결재무제표기준 매출액 1,301억, 영업이익 257억을 기록하였습니다. 소자업체의 유휴장비 사용증가로 전년 대비 매출액은 7.7%, 영업이익은 29.4% 감소하였습니다. 2018년에는 연결재무제표기준 매출액 2,202억, 영업이익 408억을 기록하였습니다. 전년 대비 매출액은 69.2% 증가하였으며, 영업이익은 58.6% 증가하였습니다. (2018년 실적은 한국채택국제회계기준 제1115호를 적용한 기준입니다.) 2019년 상반기에는 연결재무제표 기준 매출액 1,164억, 영업이익 222억을 기록하였습니다. 당사는 기술경쟁력 및 선택과 집중 전략을 기반으로 고부가가치 및 차별화 제품 판매를 통해 성장세를 이어나갈 전망이며, 장기적으로 거래선 다변화와 제품 라인업 확대를 지속적으로 추진해나갈 예정입니다.

(2) 시장점유율

반도체 장비산업의 특성상 각 Project별 수주결과에 따라 시장 점유율의 변동이 계속적으로 발생하고, 해당 소자업체의 자료 보안정책으로 인해 구체적인 장비 투입 대수(또는 투자/수주금액)를 파악하여 산정하기 어렵습니다.

(3) 시장의 특성

반도체 장비산업은 반도체 회로설계, 웨이퍼의 제조 및 가공, 반도체 칩의 조립과 검사 등 반도체 소자를 생산하기 위하여 사용되는 제반장비를 제조하는 산업으로 전방산업인 반도체 산업의 경기와 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 즉, 반도체 장비산업은 반도체 산업의 경기주기인 실리콘 사이클과 그 성장의 궤도를 같이 합니다. 그러나, 반도체 장비산업의 성장진폭은 반도체 산업의 성장진폭보다 오히려 커서, 반도체 시장의 경기가 호전되면 장비업체의 매출액 증가폭이 반도체 소자업체보다 더 크게 나타나고, 불경기시에는 그 타격이 반도체 소자업체에 비하여 상대적으로 큽니다. 즉, 반도체 장비산업은 경기변동에 따른 경영 실적의 변동성이 반도체 산업은 물론 타산업에 비하여 상대적으로 매우 큰 산업입니다. 또한 반도체 장비산업은 초정밀가공기술, 초청정기술, 극한제어기술, 운용소프트웨어기술 등 최첨단 기술이 집약된 전형적인 지식기반의 고부가가치 산업으로서 대규모시설 투자에 의한 양산보다는 고도의 기술력이 체화된 인적자원에 의하여 최종 수요자인 반도체소자업체의 요구사양에 맞게 생산되는 주문자 생산방식이 대부분입 니다.이처럼 반도체 장비산업은 지속적으로 고도화하는 반도체 소자업체의 반도체 공정기술을 효율적으로 실현할 수 있는 반도체장비의 개발을 위하여 원천기술의 확보는 물론 계속적인 연구개발 투자를 해야 합니다. 반도체 장비 시장은 주요고객인 반도체 소자업체(삼성전자,SK하이닉스 등)의 Device 기술이 극미세화 고집적화 되고, 새로워지는 공정을 뒷받침하기 위한 장비가 함께 개발되지 않으면 안되는 특징을 지니고 있습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

현재 당사는 국내 반도체소자업체와 공동개발계약에 의하여 개발 완료된 장비를 2003년부터 반도체 소자업체의 양산라인에 본격적으로 공급하고 있습니다. 당사는 창사이래 전공정 CVD장비의 국산화 및 연구개발을 추진하여 왔으며, 앞으로도 이러한 자체적인 연구개발 활동 및 반도체소자업체와의 공동개발 활동으로 반도체 전공정 장비의 국산화에 이바지 할 것입니다.(5) 조직도

※ 상기 조직도는 본사기준입니다.

라. 종속기업의 개요

종속기업명	소재지	지분율(%)	주요영업활동	결산일

Eugenus Inc	미국	100%	반도체장비 제조	12월31일

(주)유진테크 머티리얼즈	한국	45%	반도체용 산업가스의 제조, 정제 및 판매업	12월31일

유진태극무역(무석)유한공사	중국	100%	반도체장비 유지보수, 반도체 장비 수입, 수출	12월31일

2 . 주요 제품, 서비스 등 가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품목	구체적용도	주요상표등	제20기 상반기매출액(비율)

반도체장비	제품	LPCVDPlasmaALD	반도체 전공정 장비:웨이퍼 위에 특정 용도막(산화막, 절연막 등)을 증착하는 장비	-BlueJay-Albatross-QXP	103,131(88.6%)

기타	기타	원부자재	원부자재외	-	13,233(11.4%)

합 계	116,364(100%)

당사에서 주력 제품으로 개발 중 이거나 개발이 완료되어 반도체 웨이퍼 제조기술에 적용하고 있는 분야는 화학기상증착기술 분야 입니다. 화학기상증착기술은 반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성 박막을 형성시키는공정으로서 반도체 제조공정의 핵심이라 할 수 있습니다. 당사는 전공정의 웨이퍼 처리공정 중 박막형성재료를 화학반응에 의해 반도체기판(wafer)위에 박막을 형성하는 장비를 제공하고 있습니다. 나. 주요 제품 등의 가격변동추이

당사의 제품은 고객사의 요구에 따라 장비가 여러가지 형태로 나타나며 가격도 부착된 챔버의 수량에 따라 달라집니다. 공정특성 및 세대간의 챔버의 수와 종류가 다르기 때문에 제품별로 가격이 일정하지 않습니다.

반도체 산업 기술이 발전함에 따라 새로운 장비의 필요성으로 인한 기존라인의 업그레이드 또는 새로운 라인 증설시 더욱 발전된 장비를 당사가 납품할 수 있습니다. 무엇보다 중요한 것은 끊임없는 연구개발이 제품의 가격과 직접 연결됩니다.

3. 주요 원재료 가. 주요 원재료 등의 현황

(기준일 : 2019년 6월 30일) (단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품목	구체적 용도	매입액	비 고

반도체장비	원재료	플랫폼	Wafer 이송장치	5,074	Brooks

히터	Wafer를 고온으로 유지하기 위한Chamber 내부 부속품	4,995	NHK, Inabata

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이

(기준일 : 2019년 6월 30일) (단위 : 천USD,천JPY)

품 목	단위	제20기 상반기 (2019년 6월말)	제19기(2018년)	제18기(2017년)

플랫폼	USD	315	315	315

히터	JPY	4,466	4,554	4,688

(1) 산출기준산출기준은 당사 제품의 중요부품을 기준으로 품목을 정하였으며 산출단위는 평균매입단가를 기준으로 산출되었습니다. (2) 주요 가격변동원인주요 원재료는 고객 및 장비별 사양 변화, 발주수량에 따른 매입가격 변화, 환율 변동에 따라 가격이 변하는 특징이 있습니다. 플랫폼과 히터는 반도체 장비의 핵심 원재료에 해당되며 대부분 해외에서 수입되고, 각 장비별 형태가 상이하므로 가격차이가 발생하고, 원-달러 환율변동에 의한 가격변동 요인도 발생합니다. 4. 생산 및 설비 가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거 (1) 생산능력

(기준일 : 2019년 6월 30일) (단위 : 대)

사업부문	품 목	사업소	제20기 상반기(2019년 6월말)	제19기(2018년)	제18기(2017년)

반도체장비	LPCVD 외	본사	210대/년	100대/년	94대/년

* 당사는 2014년도에 제조시설 이전 및 2018년, 2019년 증축과 제품 제작기간 단축등의 노력을 통하여 생산능력을 확대하였습니다.

(2) 생산능력의 산출근거① 산출기준생산 능력의 산출 기준은 일8시간×월23일×12개월 가동 기준으로 산출하였습니다.② 산출방법

구 분	2019년 본관동 공장기준	2019년 신관동 공장기준

평균투입인원 / 대	8명	8명

동시작업가동	15.5대	10대

- 하나의 생산공장에서 장비를 여러 대 생산할 경우 장비당 작업 할당 공간은 계약 현황에 따라 배분- 생산 효율을 고려 가능 대수 = 연간 생산 가능 대수×공간 활용도 등을 반영한 생산효율 90%- 연간 생산 가능 대수 = 회전수×동시 생산 가능 대수×(가동기간/12개월) - 본관동 공장 : 증축면적 사용승인일 2019년 04월 08일 - 본관동 공장 : 회전수 = 12개월 / 제작 기간 (52주/4주=13) - 신관동 공장 : 사용승인일 2018년 11월 20일- 신관동 공장 : 회전수 = 12개월 / 제작 기간 (52주/8주=6.5) - 동시 생산 가능 대수 = 작업 할당 공간 / 작업 필요 공간 ③ 평균가동시간- 일 평균가동시간은 8시간 입니다. - 월 평균 작업일수 : 276일(연간 작업일수) / 12개월 = 23(일)- 연 평균 작업시간 : 23일 * 8시간 * 12개월 = 2,208(시간) 나. 생산실적 및 가동률 (1) 생산실적

(기준일 : 2019년 6월 30일) (단위 : 대)

사업부문	품 목	사업소	제20기 상반기('19.1.1~6.30)	제19기('18.1.1~12.31)	제18기('17.1.1~12.31)

반도체장비	LPCVD외	본사	32.0	52.0	41.0

소계	32.0	52.0	41.0

합계	32.0	52.0	41.0

(2) 당해 사업년도의 가동률

당사의 제품은 양산체제가 아닌 주문생산에 의하고 있으며, 장비의 사양에 따라 작업할당공간이 결정됩니다. 이러한 사업의 특성상 실제가동시간을 측정하는 것이 불가능합니다.

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황

[사업소 : 본점 및 공장] (단위:천원)

계정과목	취득원가	감가상각누계액	국고보조금	장부가액

토지	14,692,436	-	-	14,692,436

건물	26,049,318	(-)3,066,447	-	22,982,871

구축물	1,081,134	(-)197,000	-	884,134

기계장치	7,048,316	(-)4,824,279	(-)78,807	2,145,230

차량운반구	444,860	(-)285,403	-	159,457

공구와기구	1,294,454	(-)327,606	-	966,848

집기비품	2,747,679	(-)1,574,138	-	1,173,541

시설장치	14,538,657	(-)5,236,787	(-)768	9,301,102

연구개발설비	7,549,409	(-)1,358,557	(-)13,510	6,177,342

임차개량자산	5,888,508	(-)1,215,575	-	4,672,933

사용권자산	4,492,436	(-)1,347,821	-	3,144,615

건설중인자산	6,679,582	-	-	6,679,582

합계	92,506,789	(-)19,433,613	(-)93,085	72,980,091

※ 당반기말(2019년 6월 30일) 기준 유형자산 내역입니다. (2) 생산설비의 변 동 내역

(단위:천원)

계정과목	기초	회계정책의 변경효과	취득	처분	감가상각비	대체	국고보조금 상계	기타(환율차이)	기말

토지	14,674,726	-	-	-	-	17,710	-	-	14,692,436

건물	21,285,273	-	4,040	-	(-)379,958	2,073,516	-	-	22,982,871

구축물	895,854	-	-	-	(-)11,720	-	-	-	884,134

기계장치	2,376,906	-	-	-	(-)249,396	-	17,720	-	2,145,230

차량운반구	204,881	-	-	(-)10,926	(-)34,887	-	-	389	159,457

공구와기구	1,040,710	-	16,880	-	(-)124,554	-	-	33,812	966,848

집기비품	1,123,428	-	185,818	-	(-)214,369	71,864	-	6,800	1,173,541

시설장치	7,270,374	-	50,097	-	(-)639,881	2,620,000	512	-	9,301,102

연구개발설비	4,070,115	-	198,030	-	(-)612,770	2,447,016	1,630	73,321	6,177,342

임차개량자산	4,820,541	-	51,338	-	(-)362,863	-	-	163,917	4,672,933

사용권자산	-	3,547,772	18,435	-	(-)418,192	-	-	(-)3,400	3,144,615

건설중인자산	8,643,935	-	5,989,163	-	-	(-)8,061,089	-	107,573	6,679,582

합계	66,406,743	3,547,772	6,513,801	(-)10,926	(-)3,048,590	(-)830,983	19,862	382,412	72,980,091

(주) 건설중인자산 중 52,900천원 은 소프트웨어로 대체되었고, 778,083천원은 경상연구개발비로 대체되었습니다.

5. 매출 가. 매출실적 제20기 및 제19기는 2018년 1월 1일부터 시행된 K-IFRS 제1115호 신회계기준을 적용하였으며, 전전기는 소급적용하지 않았습니다.

(단위 :천원)

사업부문	매출유형	품 목	제20기 상반기('19.1.1~6.31)	제19기 ('18.1.1~12.31)	제18기 ('17.1.1~12.31)

반도체장비	제품	LPCVD장비 외	수출	45,840,755	77,726,871	22,918,497

내수	57,290,000	109,526,362	88,532,130

합계	103,130,755	187,253,233	111,450,627

상품 및 기타	수출	5,576,878	6,853,170	6,708,987

내수	7,656,242	26,071,121	11,994,451

합계	13,233,120	32,924,291	18,703,438

합계	수출	51,417,633	84,580,040	29,627,484

내수	64,946,242	135,597,483	100,526,581

합계	116,363,875	220,177,523	130,154,065

※ 제18기(전전기)는 종전 기준서인 K-IFRS 1039호, 1018호, 1011호에 따라 작성되었습니다. 나. 판매경로 및 판매방법 등 (1) 판매조직국내외 반도체소자업체 및 장비업체에서 오랜 경험을 가진 전문 인력으로 구성되어 있습니다.

직 위	성 명	담당업무	약 력

Sr. VP	Matthew P. Flynn	해외 영업	-Master of Public Administration South Florida-Axceils technologies -Eaton SEO
-Cherry Semiconductor -Teradyne

전무	심상현	SKH 영업 본부	-서강대학교 전자공학과 학사-SK하이닉스-SKC

상무	석종규	삼성 영업 본부	-영남대학교 전자공학과-삼성전자

상무	김영대	삼성 영업 부문	-연세대학교 신소재공학과
-삼성전자-하이닉스반도체

(2) 판매경로

당사는 국내, 해외 시장 모두 자체 브랜드로 시장에 직접 판매하고 있으며 설비 판매 뿐 아니라 설비 설치, 제품품질보증, 제품 품질보증기간 종료 후 서비스, 부품 판매 등도 당사에서 직접하고 있습니다.

(3) 판매방법 및 조건

당사 반도체장비의 판매 방법 및 조건은 고객과의 협상을 통해 확정됩니다. 일반적으로 내수는 납품시 90%, 장비검수 완료시 10%로 1개월 이내 대부분 결제가 되고, 수출은 선적후 90%~100%, 장비검수 완료 후 10%~0%의 LC 또는 현금으로 결제가 되고 있습니다.(4) 판매전략

①수주에서 납품까지의 Cycle 단축을 통한 고객 대응력 강화

②차세대 공정연구 및 공동연구개발을 통한 신규 장비 개발 및 공급③상품기획기능 강화를 통한 고객 Need 만족④국내소자업체의 양산 Line에서 입증된 제품기술력으로 해외시장 적극 개척

6. 수주상황 당반기말 현재 장비수주 계약 잔액은 아래 와 같 니다.

(1) 당반기말 장비수주 계약잔액(단위:천원)

구 분	기초	신규계약	수익인식	기말

반도체 전공정장비	46,263,940	81,190,102	103,130,755	24,323,287

(2) 전기말 장비수주 계약잔액(단위:천원)

구 분	기초	신규계약	수익인식	기말

반도체 전공정장비	60,955,729	172,561,444	187,253,233	46,263,940

* 기초금액에는 IFRS 제1115호 적용에 따른 금액효과가 반영되어 있습니다.

7. 시장위험과 위험관리 당반기말 현재 회사가 노출된 주요 시장위험과 시장위험이 회사의 손익에 미칠 수 있는 영향은 다음과 같습니다.

가. 민감도 분석(환율) 당사의 기능통화인 원화 외의 통화로 표시되는 매출채권 및 매입채무와 관련하여 환위험에 노출되어 있습니다. 환포지션이 발생되는 주요 통화로는 USD, JPY 등이 있습니다. 회사의 환위험관리의 목표는 환율변동으로 인한 불확실성과 손익의 변동을 최소화 하여 안정적인 재무활동을 지속하는 데 있습니다. 당사는 내부적으로 외화 대비 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 다른 변수가 모두 동일하다고 가정할 경우, 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시

USD	5,664,869	(-)5,664,869	1,791,537	(-)1,791,537

JPY	(-)56,916	56,916	(-)108,402	108,402

CNY	3,559	(-)3,559	(-)306	306

합 계	5,611,512	(-)5,611,512	1,682,829	(-)1,682,829

나. 민감도 분석(이자율) 이자율 위험은 미래에 시장이자율 변동에 따라 예금과 차입금에서 발생하는 이자비용 및 이자수익이 변동될 위험으로서, 이자율변동이 해당 금융자산의 공정가치 및 미래현금흐름에 미치는 영향은 당사에 규모에 비추어 중요하지 아니합니다. 당반기말과 전기말 당사가 보유하고 있는 변동금리 예금과 차입금으로, 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 변동한다고 가정할 때 변동금리부 차입금과 예금에서 발생하는 이자수익과 이자비용의 영향은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구분	당반기말	전기말

100bp 상승	100bp 하락	100bp상승	100bp하락

이자비용	-	-	-	-

이자수익	483,335	(-)483,335	742,431	(-)742,431

다 . 기타위험관리 (1) 유동성위험관리 유동성위험이란 당사의 경영환경 및 외부환경의 악화로 인하여 당사가 금융부채에 관련된의무를 적기에 이행하는데 어려움을 겪게 될 위험을 의미합니다. 당사는 유동성위험을 관리하기 위하여 장·단기 자금관리계획을 수립하고 자금수지를 지속적으로 검토하여 금융자산과 금융부채의 만기구조를 연결시키며 관리하고 있습니다.

당사의 경영진은 영업활동에 의한 현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환 가능하다고 판단하고 있습니다.

당반 기말과 전기말 현재 금융부채 의 계약에 따른 만기분석은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	장부금액	1년 이내	1년초과~5년이내	합 계

당반기말 :

매입채무및기타채무	8,300,717	8,300,717	-	8,300,717

기타금융부채(유동) (*1)	1,915,051	1,915,051	-	1,915,051

기타금융부채(비유동) (*2)	2,600,403	-	2,600,403	2,600,403

합 계	12,816,171	10,215,768	2,600,403	12,816,171

전기말 :

매입채무및기타채무	13,760,010	13,760,010	-	13,760,010

기타금융부채(유동)	1,022,714	1,022,714	-	1,022,714

합 계	14,782,724	14,782,724	-	14,782,724

(*1) 미지급비용, 미지급배당금, 리스부채 입니다.

(*2) 장기미지급금, 임대보증금, 리스부채 입니다.

3) 신용위험관리신용위험이란 당사의 통상적인 거래 및 투자활동에서 고객이나 거래상대방이 계약상의 의무를 이행하지 않아 당사가 재무손실을 입을 위험을 의미합니다.

당사는 매출채권에 대하여 입수가능한 외부, 내부 데이터를 참조하여 고객 또는 거래상대방의 계약상 의무를 불이행할 확률과 불이행된 의무에 대한 추정회수비율이 반영된 신용위험을 측정합니다. 당사는 금융회사에 현금및현금성자산 및 단기금융상품 등을 예치하고있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래를 하고 있고, 이에 따른 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다.① 신용위험에 대한 노출정도금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대 노출정도를 표시하고 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 신용위험에 대한 노출정도는 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

현금및현금성자산	8,425,458	23,593,326

매출채권및기타채권	11,381,324	17,280,493

기타금융자산(유동)	88,392,376	50,779,138

기타금융자산(비유동)	806,086	786,849

합 계	109,005,244	92,439,806

② 금융자산의 연령분석당반기말과 전기말 현재 매출채권및기타채권의 연령 및 손상 채권금액은 다음과 같습니다

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

채권금액	손상금액	채권금액	손상금액

만기일 미도래	11,381,324	(-)111,798	17,280,493	(-)174,688

0~1년	-	-	-	-

1년초과	-	-	-	-

합계	11,381,324	(-)111,798	17,280,493	(-)174,688

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황 - 해 당사항 없습니다. 9. 경영상의 주요 계약 등 -해 당사항 없습니다. 10. 연구개발활동 가 . 연구개발활동의 개요 (1) 연구개발 담당조직

당사의 주요장비는 반도체 전공정 핵심장비인 증착장비로 지속적인 연구개발은 당사의 향후 성장과 경쟁력의 핵심원천으로서 생존과도 직결되는 과제입니다. 즉, 반도체등 소자생산업체의 공정기술이 지속적인 연구개발을 통하여 향상되면서 고집적도, 고난이도의 제품을 생산하기 위해서는 지속적인 연구개발이 필요한 것입니다.당사는 2001년 1월에 기업부설연구소를 설립하고 관련 기술 및 제품에 대한 자체적인 연구개발과 산학연 공동연구 및 소자업체와의 공동개발을 수행하고 있습니다. 당사의 종속회사인 Eugenus Inc 가 있는 해외(미국)에도 연구개발 조직을 운영하고 있으며, 제품개발 및 기술연구 등의 연구활동을 수행중입니다. 보고서 작성기준일 현재 본사 및 종속회사의 전체 임직원 329명 중 44.4%에 해당하는 146명(석 박사 31명)의 연구개발인력을 보유하고 지속적인 투자를 진행하고 있습니다.

(2) 주요 연구개발인력

직 위	성 명	담당업무	약 력	주요연구실적

사장	김진웅	CTO	-서울대학교 금속공학과
-한국과학기술원 재료공학 박사
-현대전자
-SK하이닉스	-DRAM/NAND 공정개발
-DRAM/NAND Process Integration
-NAND 개발 총괄

부사장	신승우	R	-부산대학교 물리학과-부산대학교 물리학 석사 -하이닉스반도체	-DRAM Diffusion 공정개발 -DRAM용 Capacitor Module 개발 -SRAM/NOR FLASH Diffusion 공정개발 -NAND FLASH Diffusion 공정개발 -3D NAND FLASH 소자 개발

전무	유차영	R	-서울대학교 금속공학과-한국과학기술원 석/박사 통합과정 박사-삼성전자	- DRAM capacitor 공정/장비 개발
- DRAM capacitor module 공정 개발
- NAND Flash IPD 공정 개발
- FRAM 공정 개발

전무	정우덕	R	-동경공업대 유기재료공학과 박사-하이닉스반도체-Sandisk-Micron	-DRAM Diffusion/Cleaning 공정 개발-NAND FLASH Diffusion/Cleaning 공정 개발-DRAM 소자 개발-NAND FLASH 소자 개발

상무	김희석	R	-인하대학교 전자공학과-삼성전자	-low-k Bit Line Spacer 박막(SiBN) 개발
-HCDS sorce를 이용한 SiN/SiO 박막 개발-상부 전극 박막(SiGe) 개발
-CVD ONO 박막 개발
-FRAM PZT MOCVD 공정 개발
-PRAM GST 박막 공정 개발

상무	이성한	R	-고려대학교 전기공학과-삼성전자	-DRAM 300mm Batch설비 유전막 공정 개발
-Batch설비 High Ouality Oxide 공정/설비 개발
-Batch 설비 Thermal DCS Nitride 박막 공정/설비 개발
-Flash Batch 설비SiN/SiO ALD 공정/설비 개발

상무	조윤석	R	-서울대학교
-서울대학원 박사
-SK하이닉스
-주성엔니지니어링	복굴절을 이용한 강유전체 상전이 연구
DRAM, FLASH, MRAM etch 공정 개발
반도체, 디스플레이 etcher 개발

이사	조정희	R	-한양대학교 일반대학원 박사-삼성전자-피에스케이	-Plasma Source 개발
-RF System개발
-Plasma treatment 장비개발

연구위원	유두열	R	-부경대학교 전자공학과-하이닉스 반도체-매그나칩 반도체	-Diffusion 장비개발
-Diffusion 공정개발
-NVM 제품 개발

연구위원	주문식	R	- 싱가폴 국립대학교 전자공학과 박사
- SK하이닉스	- Diffusion 공정 개발
- DRAM Gate Module 개발
- NAND Gate Module 개발

(3) 연구개발비용(단위 : 백만원)

과 목	제20기 상반기('19.1.1~6.30)	제19기('18.1.1~12.31)	제18기('17.1.1~12.31)

원 재 료 비	8,200	17,044	17,372

인 건 비	10,601	18,710	9,461

감 가 상 각 비	2,697	3,940	1,231

위 탁 용 역 비	-	-	-

기 타	6,492	8,952	2,795

연구개발비용 계	27,991	48,645	30,859

회계처리	판매비와 관리비	25,896	41,950	22,586

제조경비	-	-	-

개발비(무형자산)	2,095	6,696	8,273

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	24.1%	22.1%	23.7%

나. 연구개발 실적(가) 연구과제별 개발실적

아래는 당사의 중요연구 개발 실적입니다. 연구과제의 결과들은 양산용 장비에 적용되어 고객들에게 공급되고 있거나 적용 예정에 있습니다.

개발기간	연구과제명	연구결과	기 대 효 과

2000~2001	200mm 매엽식의 질화막 저압 화학기상증착 장비개발	개발성공관련 특허등록	LP CVD 장비 국산화개발 성공에 따른 가격경쟁력 확보, 당사의 매출증대 기여, 소자업체(하이닉스반도체)의 원가절감 , 수율증대 실현, 무역수지 적자 해소에 기여

2002~2004	300mm 매엽식의 질화막 저압 화학기상증착 장비개발	개발성공제품 판매중관련 특허등록	LP CVD 장비 국산화개발 성공에 따른 가격경쟁력 확보, 당사의 매출증대 기여, 소자업체(하이닉스반도체)의 원가절감 , 수율증대 실현, 무역수지 적자 해소에 기여

2002	200mm 질화막 저압 화학기상증착 장비용 CTC, TMC, PMC S/W 국산화 개발	개발성공	Single Chamber 장비의 통합 제어 SW의 국산화를 통한 비용절감

2003	300mm 매엽식의 질화막저압 화학기상증착 장비용 CTC, TMC, PMCS/W 국산화 개발	개발성공제품 판매중	Single Chamber 장비의 통합 제어 SW의 국산화를 통한 비용절감

2007~2009	Plasma를 이용한 Oxidation 및 Nitrogen Surface Doping 장비 개발	개발성공제품판매	소자업체와의 공동개발을 통하여 CVD 공정 주요 장비에 대한 기술력 확보로 장비국산화 수준 향상 및 선진국과의 기술격차 축소

2009~2013	Boron doped Si용 LP-CVD 증착 장비 개발	개발성공제품판매중국책과제	핵심원천기술확보공동구매연계형으로 매출증대국내소자업체의 산업경쟁력 향상고용 창출 효과

2014.6~2017	차세대 10nm이하급 소자용 Si, SiGe 및 Ge 선택적 에피 성장 장비 개발	개발성공관련 특허등록국책과제	Logic device 개발에 필수적인 에피 장비 개발 반도체 장비 기술 국산화를 통한 산업경쟁력 향상

(나) 현재 진행중인 연구개발 과제

아래는 당사가 현재 진행 중인 연구개발 과제들입니다. 다음의 연구개발 과제들의 결과는 향후 당사에서 제작하는 장비들에 적용되고, 공정기술 개발의 기반으로 사용할 예정입니다

개발기간	연구과제명	연구결과	기 대 효 과

2017~현재	차세대 3D NAND memory 향
mini-batch ALD 증착 장비 개발	개발 중	High aspect ratio를 갖는 차세대 3D NAND 핵심 공정 solution 제공 및 차세대 Logic 및 DRAM에 추가 적용 가능

2019.7~현재	3차원 반도체 소자용 Batch Type Plasma-Enhanced ALD 설비/공정개발	개발 중	차세대 10 nm급 이하 3차원 반도체 소자를 위한 고생산성, 12 inch Batch Type의 Thermal/Plasma-Enhanced ALD Process가 가능한 설비/공정 개발

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항

가. 외부자금조달 요약표[국내조달] (단위 : 백만원)

조 달 원 천	기초잔액	신규조달	상환등감소	기말잔액	비고

은행	-	-	-	-	-

기타금융기관	-	-	-	-	-

금융기관합계	-	-	-	-	-

기타	-	-	-	-	-

자본시장합계	-	-	-	-	-

총계	-	-	-	-	-

(참 고) 당기 중 회사채 총발행액 공모 : - 백만원
사모 : - 백만원

※ 해당사항 없습니다. 나. 지 적재산권 보유현황 회사는 영위하는 사업과 관련하여 반기보고서 제출일 현재 총 331건( 국내 129건 ,해외 202건)의 특허권을 취득하여 보유하고 있으며, 총 73건( 국내 12건, 해외 61건 )의 특허가 출원 중에 있습니다.

(기준일 : 2019년 6월 30일) (단위 : 건)

구분	특허권	특허출원	상표권	실용신안

국내	129	12	14	4

해외	202	61	-	-

합계	331	73	14	4

회사가 영위하는 사업과 관련한 중요한 지적재산권(특허권) 상세 내용은 다음과 같습니다.

구분	권리	출원번호	등록일	등록번호	출원내용

국내	특허	10-2012-0011175	2014.01.22	10-1356664	측방배기 방식 기판처리장치

국내	특허	10-2011-0120256	2014.02.12	10-1364701	위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치

국내	특허	10-2012-0001153	2014.03.03	10-1371435	처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치

국내	특허	10-2012-0015735	2014.03.04	10-1372333	기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

국내	특허	10-2012-0148665	2014.03.12	10-1375742	기판처리장치

국내	특허	10-2011-0120258	2014.03.26	10-1380240	열차단플레이트를 포함하는 기판 처리 장치

국내	특허	10-2012-0066080	2014.04.02	10-1383291	기판처리장치

국내	특허	10-2012-0123116	2014.04.15	10-1387519	퍼지챔버 및 이를 구비하는 기판처리장치

국내	특허	10-2012-0094384	2014.04.15	10-1387518	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0038077	2014.04.23	10-1390474	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0032529	2014.04.29	10-1392379	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0032995	2014.04.29	10-1392378	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0004539	2014.05.19	10-1398949	기판처리장치

국내	특허	10-2011-0120259	2014.06.10	10-1408084	보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치

국내	특허	10-2012-0102925	2014.09.04	10-1440307	기판처리장치

국내	특허	10-2012-0065137	2014.09.05	10-1440911	기판처리장치(복사가열을 이용한 증착챔버)

국내	특허	10-2014-0018039	2014.10.14	10-1452829	히터의 온도조절방법

국내	특허	10-2012-0094385	2014.10.14	10-1452858	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0081155	2014.11.13	10-1463592	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0125075	2015.02.11	10-1489306	어포머스 실리콘막의 증착 방법 및 증착장치

국내	특허	10-2013-0135639	2015.02.11	10-1494274	사이클릭 박막 증착 방법 및 반도체 제조 방법, 그리고 반도체소자

국내	특허	10-2014-0022837	2015.03.23	10-1507381	폴리실리콘 막의 성막방법

국내	특허	10-2013-0160434	2015.05.27	10-1525210	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0160268	2015.06.12	10-1530024	기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판처리장치 및 기판 전달방법

국내	특허	10-2014-0003063	2015.07.02	10-1535155	기판 처리장치

국내	특허	10-2013-0165686	2015.09.02	10-1551199	사이클릭 박막 증착방법 및 반도체 제조방법, 그리고 반도체 소자

국내	특허	10-2013-0123761	2015.09.24	10-1557016	기판 처리장치

국내	특허	10-2014-0000563	2015.10.08	10-1560623	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2014-0060415	2015.11.12	10-1570227	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2014-0089285	2015.12.04	10-1576637	고종횡비를 가지는 오목부 상에 절연막을 증착하는 방법

국내	특허	10-2014-0124585	2015.12.04	10-1576639	절연막 증착방법

국내	특허	10-2014-0016469	2016.04.12	10-1613544	기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0127733	2016.06.02	10-1628786	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0028508	2016.08.24	10-1652469	다중 가스 제공 방법 및 다중 가스 제공 장치

국내	특허	10-2014-0031737	2016.11.14	10-1677560	공정공간 높이별 가열온도를 조절할 수 있는 히터를 구비한 기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0055297	2016.11.28	10-1682155	기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0052533	2016.11.28	10-1682154	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0052534	2016.11.28	10-1682153	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0053733	2016.12.05	10-1685095	기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0161409	2016.12.05	10-1685096	기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0064857	2017.02.08	10-1706747	비정질 박막의 형성방법

국내	특허	10-2015-0096978	2017.02.20	10-1710105	기판 처리 장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0128970	2017.02.22	10-1710944	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0102391	2017.03.06	10-1715193	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0149573	2017.03.06	10-1715192	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0055991	2017.03.22	10-1720620	기판처리장치 및 챔버 세정방법

국내	특허	10-2015-0149572	2017.04.24	10-1731488	기판처리장치 및 튜브 조립체 조립방법

국내	특허	10-2015-0187865	2017.05.31	10-1744201	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0128971	2017.07.17	10-1760316	기판처리장치

국내	특허	10-2017-0035412	2018.10.01	10-1905822	기판처리장치

국내	특허	10-2017-0071633	2018.10.15	10-1910085	기판처리장치

국내	특허	10-2018-0051460	2018.12.12	10-1930456	기판처리시스템

국내	특허	10-2017-0129740	2018.12.17	10-1931692	배치식 플라즈마 기판처리장치

국내	특허	10-2016-0146049	2019.03.15	10-1960763	저온 에피택셜층 형성방법

국내	특허	10-2017-0133031	2019.04.22	10-1972783	ICP 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치

국내	특허	10-2017-0124725	2019.05.31	10-1986744	플라즈마 처리 장치 및 방법

국내	특허	10-2017-0125830	2019.06.25	10-1994700	샤워헤드 및 기판처리장치

해외	특허	2012-519465	2014.03.20	제5501459호	SUBSTRATE-PROCESSING APPARTUS AND SUBSTRATE-PROCESSING METHOD FOR SELECTIVELY INSERTING DIFFUSION PLATES

해외	특허	95142214	2014.04.01	제I432599호	CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR EQUALIZING HEATING TEMPERATURE

해외	특허	13/382,812	2014.07.08	제8,771,418호	SUBSTRATE-PROCESSING APPATRIS AND SUBSTRATE-PROESSING METHOD FOR SELECTIVELY INSERTING DIFFUSION PLATES

해외	특허	13/808,926	2014.09.09	제8,828,890호	METHOD OF DEPOSITING CYCLIC THIN FILM

해외	특허	100134942	2014.10.21	제I457997호	SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS SUPPLYING PROCESS GAS USING SYMMETRIC INLET AND OUTLET

해외	특허	2013-525848	2014.11.07	제5642282호	METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

해외	특허	2013-531511	2014.10.10	제5626830호	METHOD AND APPARTUS FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL-STRUCTURE MEMORY DENICE

해외	특허	97121955	2014.12.21	제I466176호	METHOD AND APPARTUS FOR DEPOSITING THIN FILM

해외	특허	200980143879.2	2014.12.24	ZL200980143879.2	PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA ANTENNA

해외	특허	2010-523949	2014.12.26	제5668925호	SHOWERHEAD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SHOWERHEAD, AND PLASMA SUPPLYING METHOD USING THE SHOWERHEAD

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해외	특허	101139449	2015.05.21	I485794	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING HEAT-SHIELD PLATE

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해외	특허	2014-542244	2016.04.15	5919388	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE FOR SUPPLYING REACTION GAS HAVING PHASE DIFFERENCE

해외	특허	103111418	2016.05.11	I532967	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	103144733	2016.05.11	I532876	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	103143088	2016.05.21	I534935	EQUIPMENT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR

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해외	특허	2014-523843	2016.07.29	제5978301호	EQUIPMEMT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTR FOR EPITAXIAL PROCESS

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해외	특허	13/822,416	2016.08.23	제9,425,057호	METHOD AND APPARTUS FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL-STRUCTURE MEMORY DEVICE

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해외	특허	2012800378989	2016.10.12	ZL2012800378989	EQUIPMEMT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTR FOR EPITAXIAL PROCESS

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해외	특허	14/220,678	2016.11.15	9,493,875	SHOWER HEAD OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

해외	특허	102122656	2016.12.01	I560310	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	201280039981X	2016.12.21	ZL201280039981X	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

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해외	특허	2015-006410	2017.01.13	6073936	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	2015-528403	2017.02.17	6,093,860	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	103101565	2017.02.01	I569346	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	103135787	2017.02.01	I568877	CYCLIC DEPOSITION METHOD OF THIN FLIM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE

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해외	특허	201380045392.7	2017.04.26	ZL201380045392.7	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	201380066374.7	2017.04.26	ZL201380066374.7	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	104102446	2017.04.21	I579947	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2016-521662	2017.06.16	제6,158,436호	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	2016-129195	2017.06.02	6,151,829	Substrate Processing Apparatus

해외	특허	2016-536239	2017.06.30	6,165,341	APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2016-521663	2017.06.30	6,165,333	CYCLIC DEPOSITION METHOD OF THIN FLIM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE

해외	특허	2016-129196	2017.07.28	6,182,646	Substrate Processing Apparatus

해외	특허	14/915,705	2017.08.01	9,721,798	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	14/915,919	2017.08.22	9,741,574	CYCLIC DEPOSITION METHOD OF THIN FLIM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE

해외	특허	15/116,974	2017.08.22	9,741,562	METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM

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해외	특허	103135790	2017.10.11	I601842	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

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해외	특허	ZL201510076200.X	2017.11.14	ZL201510076200.X	SUBSTRATE TRANSFER ROBOT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME

해외	특허	15/323,295	2017.11.14	9,818,604	METHOD FOR DEPOSITING ON DEEP TRENCH HAVING HIGH ASPECT RETIO

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해외	특허	105105399	2018.02.01	I613699	APPARTUS AND METHOD FOR HEATING SUBSTRATE

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해외	특허	2016-536227	2018.05.11	6336079	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD

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해외	특허	15/038,672	2018.12.04	10,145,012	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	104101684	2018.12.11	I644385	SUBSTRATE TRANSFER ROBOT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME

해외	특허	105121664	2018.12.21	I645455	Substrate Processing Apparatus

해외	특허	15/220,383	2018.12.25	10,161,036	Substrate Processing Apparatus

해외	특허	14/922,869	2019.01.29	10,192,760	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF THE MANUFACTURING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

해외	특허	15/566,695	2019.02.05	10,199,225	Substrate Processing Apparatus

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해외	특허	2017-549781	2019.03.22	6499771	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS

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해외	특허	2017-558451	2019.04.26	6516871	METHOD FOR FORMING AMORPHOUS THIN FILM

해외	특허	201480052521.X	2019.05.03	ZL201480052521.X	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	15/535,380	2019.05.07	10,283,391	METHOD FOR MULTI-SUPPLYING GAS AND APPARTUS FOR MULTI-SUPPLYING GAS

해외	특허	15/038,678	2019.05.14	10,287,687	APPARTUS AND METHOD FOR HEATING SUBSTRATE

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