유진테크 반기보고서 (2020.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가.사업부문 구분 주식회사 유진테크와 그 종속회사의 사업부문 현황을 요약하면 아래와 같습니다.

사업부문	회사명	주요 제품	주요 고객

반도체장비	(주)유진테크Eugenus Inc (*)유진태극무역(무석)유한공사	반도체 전공정 장비제조	SK 하이닉스삼성전자

반도체용 산업가스	(주)유진테크 머티리얼즈	반도체용 산업가스 제조반도체 전공정 소재 제조	SK 하이닉스

(*) 당사의 미국현지법인 Eugenus Inc는 반도체장비 사업영역확대 및 경쟁력 강화를 위하여 美 Aixtron Inc.의 반도체장비 중 원자층증착장비(ALD)/화학기상증착장비(CVD) 사업부문을 양수하였습니다.

나. 사업부문별 현황(반도체 장비 부문) (1) 산업의 특성 반도체 장비 산업은 반도체 회로설계, 실리콘 웨이퍼 제조 등 반도체 제조를 위한 준비단계부터 웨이퍼를 가공, 칩 제조ㆍ조립 및 검사하는 단계까지의 모든 공정에 이용되는 장비와 관련된 산업을 말합니다. 반도체의 고집적화에 따라 반도체 장비산업의 중요성은 커지고 있으며, 반도체 소자업체와의 긴밀한 협력관계가 무엇보다 중요합니다.

특히, 노광기, 증착기, 식각기 등 전공정에 사용하는 장비는 반도체칩의 미세화기술과 품질을 좌우합니다.

반도체장비산업은 교체주기가 빠른 지식집약적 산업이며, 고부가가치 산업(첨단 구성품의 집합체)으로 반도체소자 기술개발이 급격히 진행됨에 따라 신제품의 교체주기가 점점 짧아지는 적기 시장진입이 매우 중요한 산업으로, 특히 R 비중이 他 산업군에 비해 월등히 높으며, 기존 개발제품의 활용성 및 차세대 제품 개발등은 반도체 제조업체의 기술동향을 파악하고 적기에 시장진입이 필요한 타이밍 산업입니다. 이에 따라 국내 주력 반도체 제품의 생산 설비도 3~4년 마다 새로운 장비로 교체가 필요합니다. 설비산업의 발전을 위해서는 전반적인 기술수준, 즉, 전자, 재료, 기계, 물리, 화학 등의 종합적 기술이 뒷받침 되어야 합니다.

반도체 소자의 미세화, 고집적화를 위한 기술개발은 물리적 한계를 뛰어넘기 위해 반도체제조장비기술의 동반 발전 없이는 불가능하며 전체 반도체시장에 미치는 파급력이 큰 산업입니다.현재 반도체 장비개발 영역은 반도체 소자업체 영역인 공정기술 부문까지 확대된 통합 장비 산업 입니다. 반도체 장비 개발 범위는 반도체 제조업체가 요구하는 공정 조건을 만족하는 것은 물론이며 이를 위하여 소재 개발을 포함한 Software, Hardware, 제어부문 및 생산부문을 포함한 R 공정개발 능력을 필요로 합니다.

(2) 산업의 성장성반도체산업은 경기변동에 따른 경영실적의 변동성이 큰 산업이나 스마트폰등 전자기기 수요 증가에 힘입어 매년 꾸준한 성장세를 이어나가고 있습니다.특히 국내소자업체의 DRAM과 NAND Flash 시장점유율이 계속 늘어나고 있고, 설비투자도활발히 진행되고 있습니다.

다. 사업부문별 현황(반도체용 산업가스, 반도체용 소재 부문) (1) 산업의 특성 반도체용 소재산업은 원자재를 합성 또는 가공 공정을 거쳐 반도체 제조공정에 필요한 다양한 기능과 형상의 소재를 제조하는 산업입니다. 주로 반도체 소자 기업으로부터 주문생산방식 및 판매시장 수요에 대한 예측생산방식을 병행하고있으며, 소재 물질의 특성이 같아도 반도체 소자 기업별, 제조 공정별 최적화가 필요합니다. 여기에는 첨단 생산설비와고도의 분석기기가 필요하며 반도체 기술발전에 발맞춰 주기적인 시설투자와 우수 기술인력 양성이 필요한 기술집약형 산업입니다. 이와 같이 반도체 소재산업은 대규모 양산체제가 아닌 특성상 대기업보다는 중소기업에 적합한 산업이라 할 수 있습니다 (2) 산업의 성장성 반도체 소재산업은 반도체 산업의 눈부신 발전과 함께 성장하여 왔으며, 특히 80년대 후반부터 메모리 반도체의 급격한 수요증대로 급성장하였습니다. 최 근에도 DRAM 반도체 공정의 미세화 가속화, 3D-NAND 적층구조가 확대하면서 웨이퍼의 증설속도보다 반도체용 소재의 수요 증가속도가 더 빨라지고 있습니다. 2019년 일본 정부의 반도체 소재에 대한 수출 규제 이후 반도체 소재의 자립 필요성으로 국내 반도체 소재산업의 시장 점유율 확대 및 성장이 전망됩니다.

라. 회사의 현황

(1) 영업개황 유진테크의 BlueJay™(Single Thermal LPCVD장비)와 Albatross™(Plasma 장비)는 경쟁사 대비 뛰어난 기술 경쟁력을 갖추고 있습니다. 전세계 반도체증착장비 시장에서 국내장비업체의 국산화율이 현저히 낮은 상황에서 세계 굴지의 반도체 소자업체의 검증을 받아 핵심장비로 사용되고 있습니다. 2018년에는 연결재무제표기준 매출액 2,202억, 영업이익 408억을 기록하였습니다. 전 년 대비 매출액은 69.2% 증가하였으며, 영업이익은 58.6% 증가하였습니다. (2018년 실적은 한국채택국제회계기준 제1115호를 적용한 기준입니다.) 2019년에는 연결재무제표 기준 매출액 2,055억, 영업이익 238억을 기록하였습니다. 전년 대비 매출액은 6.7%, 영업이익은 41.6% 감소하였습니다.2020년 상반기에는 연결재무제표 기준 매출액 877억, 영업이익 10억을 기록하였습니다. 당사는 기술경쟁력 및 선택과 집중 전략을 기반으로 고부가가치 및 차별화된 제품 판매로성장세를 이어나갈 전망이며, 장기적으로 거래선 다변화와 제품 라인업 확대를 지속적으로 추진할 예정입니다.

(2) 시장점유율

반도체 장비산업의 특성상 각 Project별 수주결과에 따라 시장 점유율의 변동이 계속적으로 발생하고, 해당 소자업체의 자료 보안정책으로 인해 구체적인 장비 투입 대수(또는 투자/수주금액)를 파악하여 산정하기 어렵습니다.

(3) 시장의 특성

반도체 장비산업은 반도체 회로설계, 웨이퍼의 제조 및 가공, 반도체 칩의 조립과 검사 등 반도체 소자를 생산하기 위하여 사용되는 제반장비를 제조하는 산업으로 전방산업인 반도체 산업의 경기와 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 즉, 반도체 장비산업은 반도체 산업의 경기주기인 실리콘 사이클과 그 성장의 궤도를 같이 합니다. 그러나, 반도체 장비산업의 성장진폭은 반도체 산업의 성장진폭보다 오히려 커서, 반도체 시장의 경기가 호전되면 장비업체의 매출액 증가폭이 반도체 소자업체보다 더 크게 나타나고, 불경기시에는 그 타격이 반도체 소자업체에 비하여 상대적으로 큽니다. 즉, 반도체 장비산업은 경기변동에 따른 경영 실적의 변동성이 반도체 산업은 물론 타산업에 비하여 상대적으로 매우 큰 산업입니다. 또한 이 산업은 초정밀가공기술, 초청정기술, 극한제어기술, 운용소프트웨어기술 등 최첨단 기술이 집약된 전형적인 지식기반의 고부가가치 산업으로서 대규모시설 투자에 의한 양산보다는 고도의 기술력이 체화된 인적자원에 의하여 최종 수요자인 반도체소자업체의 요구사양에 맞게 생산되는 주문자 생산방식이 대부분입 니다. 이처럼 반도체 장비산업은 지속적으로 고도화하는 반도체 소자업체의 반도체 공정기술을 효율적으로 실현할 수 있는 반도체장비의 개발을 위하여 원천기술의 확보는 물론 계속적인 연구개발 투자를 해야 합니다. 반도체 장비 시장은 주요고객인 반도체 소자업체(삼성전자, SK하이닉스 등)의 Device 기술이 극미세화 고집적화 되고, 새로워지는 공정을 뒷받침하기 위한 장비가 함께 개발되지 않으면 안되는 특징을 지니고 있습니다. 반도체 소재산업은 초기 소규모 공급에서 현재는 그 사용량 증가로 인하여 대용량 공급 시스템을 갖추어야 합니다. 반도체 공정이 미세화, 고도화될수록 그 사용량도 지속해서 증가하고 있어, 안정적인 소재 공급을 하기 위한 기반 기술이 중요시되고 있습니다. 그리고, 반도체 경기를 바탕으로 변화하는 고객사의 사업전략에 영향을 받습니다. 계 절적 경기변동은 미미하나, 수요기업 생산설비의 가동 여부, 반도체의 수요 및 가격, 국제정세 등은 반도체용 소재 매출 상황에 큰 영향을 끼치는 중요한 요인들입니다. 또한, 반도체 소재는 정밀도 유지와 신뢰성 확보를 위해 지속적인 품질개선과 주기적인 시설투자가 필요하여 핵심기술의 축적이 어려우므로 시장진입 장벽이 높습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

현재 당사는 국내 반도체소자업체와 공동개발계약에 의하여 개발 완료된 장비를 2003년부터 반도체 소자업체의 양산라인에 본격적으로 공급하고 있습니다. 당사는 창사이래 전공정 CVD장비의 국산화 및 연구개발을 추진하여 왔으며, 앞으로도 이러한 자체적인 연구개발 활동 및 반도체소자업체와의 공동개발 활동으로 반도체 전공정 장비의 국산화에 이바지 할 것입니다. 반 도체 소재 부문에서는 국내 반도체 소자업체에 DRAM 캐패시터용 고유전율 물질 박막 증착에 필요한 전구체의 판매량 증진에 집중하고 있으며, 적극적인 마케팅 전략을 통해 시장 점유율을 확대할 것입니다. 당사는 인력의 과반수 이상을 연구개발에 투입한 연구중심 기업으로서의 활동을 지속하여 반도체 소재의 국산화에 이바지하고 반도체 미세화에 적합한 전구체 발굴과 사업화를 반도체 소자업체와 함께 추진할 것입니다. (5) 조직도

※ 상기 조직도는 본사기준입니다.

마. 종속기업의 개요

종속기업명	소재지	지분율(%)	주요영업활동	결산일

Eugenus Inc	미국	100%	반도체장비 제조	12월31일

(주)유진테크 머티리얼즈	한국	45%	반도체용 산업가스의 제조, 정제 및 판매업반도체 전공정 소재 제조	12월31일

유진태극무역(무석)유한공사	중국	100%	반도체장비 유지보수, 반도체 장비 수입, 수출	12월31일

2 . 주요 제품, 서비스 등 가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품목	구체적용도	주요상표등	제21기 상반기매출액(비율)

반도체장비	제품	LPCVDPlasmaALD	반도체 전공정 장비:웨이퍼 위에 특정 용도막(산화막, 절연막 등)을 증착하는 장비	-BlueJay-Albatross-QXP	66,387(75.7%)

반도체용 산업가스반도체 소재	제품	전구체	반도체 전공정 중 박막증착에 사용되는 화학물질	-SP	8,586(9.8%)

기타	기타	원부자재	원부자재외	-	12,773(14.6%)

합 계	87,746(100%)

당사에서 주력 제품으로 개발 중 이거나 개발이 완료되어 반도체 웨이퍼 제조기술에 적용하고 있는 분야는 화학기상증착기술 분야 입니다. 화학기상증착기술은 반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성 박막을 형성시키는공정으로서 반도체 제조공정의 핵심이라 할 수 있습니다. 당사는 전공정의 웨이퍼 처리공정 중 박막형성재료를 화학반응에 의해 반도체기판(wafer)위에 박막을 형성하는 장비를 제공하고 있습니다. 반도체 전공정 소재는 제조 공정(노광 - 증착 - 식각)과 관련된 화학소재를 의미하는데 그중 증착공정 소재인 전구체는 당사의 주력분야로서 금속게이트, 캐피시터, 전극배선 등의제조에 사용되는 다양한 화합물이 존재합니다. 전구체는 화학기상증착법, 원자층증착법 등의 반응기에 유입되어 화학반응을 일으켜 원하는 성분의 박막이 웨이퍼에 증착되도록 하는 역할을 하므로 그 특성이 증착장비의 성능과 설계를 제한할 만큼 중요성이 증가 추세에 있습니다. 당사는 전구체 물질의 설계에서 합성, 정제, 유통까지 일괄생산능력을 구축하고 있습니다. 나. 주요 제품 등의 가격변동추이

당사의 제품은 고객사의 요구에 따라 장비가 여러가지 형태로 나타나며 가격도 부착된 챔버의 수량에 따라 달라집니다. 공정특성 및 세대간의 챔버의 수와 종류가 다르기 때문에 제품별로 가격이 일정하지 않습니다.

반도체 산업 기술이 발전함에 따라 새로운 장비의 필요성으로 인한 기존라인의 업그레이드 또는 새로운 라인 증설시 더욱 발전된 장비를 당사가 납품할 수 있습니다. 무엇보다 중요한 것은 끊임없는 연구개발이 제품의 가격과 직접 연결됩니다.

3. 주요 원재료 가. 주요 원재료 등의 현황

(기준일 : 2020년 6월 30일) (단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품목	구체적 용도	매입액	비 고

반도체장비	원재료	플랫폼	Wafer 이송장치	3,872	Brooks

히터	Wafer를 고온으로 유지하기 위한Chamber 내부 부속품	4,627	NHK, Inabata

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이

(기준일 : 2020년 6월 30일) (단위 : 천USD,천JPY)

품 목	단위	제21기 상반기 (2020년 6월말)	제20기(2019년)	제19기(2018년)

플랫폼	USD	315	315	315

히터	JPY	4,792	4,360	4,554

(1) 산출기준산출기준은 당사 제품의 중요부품을 기준으로 품목을 정하였으며 산출단위는 평균매입단가를 기준으로 산출되었습니다. (2) 주요 가격변동원인주요 원재료는 고객 및 장비별 사양 변화, 발주수량에 따른 매입가격 변화, 환율 변동에 따라 가격이 변하는 특징이 있습니다. 플랫폼과 히터는 반도체 장비의 핵심 원재료에 해당되며 대부분 해외에서 수입되고, 각 장비별 형태가 상이하므로 가격차이가 발생하고, 원-달러 환율변동에 의한 가격변동 요인도 발생합니다. 4. 생산 및 설비 가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거 (1) 생산능력

(기준일 : 2020년 6월 30일) (단위 : 대)

사업부문	품 목	사업소	제21기 상반기(2020년 6월말)	제20기(2019년)	제19기(2018년)

반도체장비	LPCVD 외	본사	240대/년	210대/년	100대/년

* 당사는 2014년도에 제조시설 이전 및 2018년, 2019년 증축과 제품 제작기간 단축등의 노력을 통하여 생산능력을 확대하였습니다.

(2) 생산능력의 산출근거① 산출기준생산 능력의 산출 기준은 일8시간×월23일×12개월 가동 기준으로 산출하였습니다.② 산출방법

구 분	2020년 본관동 공장기준	2020년 신관동 공장기준

평균투입인원 / 대	8명	8명

동시작업가동	16대	10대

- 하나의 생산공장에서 장비를 여러 대 생산할 경우 장비당 작업 할당 공간은 계약 현황에 따라 배분- 생산 효율을 고려 가능 대수 = 연간 생산 가능 대수×공간 활용도 등을 반영한 생산효율 90%- 연간 생산 가능 대수 = 회전수×동시 생산 가능 대수×(가동기간/12개월) - 본관동 공장 : 회전수 = 12개월 / 제작 기간 (52주/4주=13) - 신관동 공장 : 회전수 = 12개월 / 제작 기간 (52주/8주=6.5) - 동시 생산 가능 대수 = 작업 할당 공간 / 작업 필요 공간 ③ 평균가동시간- 일 평균가동시간은 8시간 입니다. - 월 평균 작업일수 : 276일(연간 작업일수) / 12개월 = 23(일)- 연 평균 작업시간 : 23일 * 8시간 * 12개월 = 2,208(시간) 나. 생산실적 및 가동률 (1) 생산실적

(기준일 : 2020년 6월 30일) (단위 : 대)

사업부문	품 목	사업소	제21기 상반기('20.1.1~6.30)	제20기('19.1.1~12.31)	제19기('18.1.1~12.31)

반도체장비	LPCVD외	본사	19.0	50.0	52.0

소계	19.0	50.0	52.0

합계	19.0	50.0	52.0

(2) 당해 사업년도의 가동률

당사의 제품은 양산체제가 아닌 주문생산에 의하고 있으며, 장비의 사양에 따라 작업할당공간이 결정됩니다. 이러한 사업의 특성상 실제가동시간을 측정하는 것이 불가능합니다.

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황

[사업소 : 본점 및 공장] (단위:천원)

계정과목	취득원가	감가상각누계액	국고보조금	장부가액

토지	15,072,799	-	-	15,072,799

건물	26,173,613	(-)3,861,197	-	22,312,416

구축물	1,081,134	(-)220,439	-	860,695

기계장치	7,393,537	(-)5,213,800	(-)45,477	2,134,260

차량운반구	421,162	(-)289,805	-	131,357

공구와기구	2,719,178	(-)737,977	-	1,981,201

집기비품	3,045,504	(-)2,039,495	-	1,006,009

시설장치	15,159,586	(-)6,650,686	-	8,508,900

연구개발설비	11,945,065	(-)3,096,408	(-)6,990	8,841,667

임차개량자산	6,171,901	(-)2,030,601	-	4,141,300

사용권자산	6,690,181	(-)2,665,931	-	4,024,250

건설중인자산	9,745,796	-	-	9,745,796

합계	105,619,456	(-)26,806,339	(-)52,467	78,760,650

※ 당반기말(2020년 6월 30일) 기준 유형자산 내역입니다. (2) 생산설비의 변 동 내역

(단위:천원)

계정과목	기초	취득	처분	감가상각비	대체	국고보조금 상계	기타(환율차이)	기말

토지	14,886,667	186,132	-	-	-	-	-	15,072,799

건물	22,589,947	124,295	-	(-)401,826	-	-	-	22,312,416

구축물	872,414	-	-	(-)11,719	-	-	-	860,695

기계장치	1,996,185	325,655	(-)37,889	(-)246,301	81,000	15,610	-	2,134,260

차량운반구	188,178	126	(-)18,278	(-)38,866	-	-	197	131,357

공구와기구	2,166,338	4,567	-	(-)269,701	-	-	79,997	1,981,201

집기비품	1,069,628	163,407	-	(-)236,356	-	-	9,330	1,006,009

시설장치	8,767,024	450,579	-	(-)708,959	-	256	-	8,508,900

연구개발설비	9,535,345	1,439,390	(-)1,160,895	(-)1,316,669	-	4,890	339,606	8,841,667

임차개량자산	4,365,296	-	-	(-)387,800	-	-	163,804	4,141,300

사용권자산	4,466,514	31,958	-	(-)639,102	-	-	164,880	4,024,250

건설중인자산	7,168,480	2,754,810	-	-	(-)183,080	-	5,586	9,745,796

합계	78,072,016	5,480,919	(-)1,217,062	(-)4,257,299	(-)102,080	20,756	763,400	78,760,650

(주) 건설중인자산 102,080천원은 소프트웨어로 대체되었습니다.

5. 매출 가. 매출실적 제21기, 제20기 및 제19기는 2018년 1월 1일부터 시행된 K-IFRS 제1115호 고객과의 계약에서 생기는 수익을 적용하였습니다.

(단위 :천원)

사업부문	매출유형	품 목	제21기 상반기('20.1.1~06.30)	제20기('19.1.1~12.31)	제19기 ('18.1.1~12.31)

반도체장비	제품	LPCVD장비 외	수출	42,187,617	92,315,654	77,726,871

내수	24,199,000	78,520,000	109,526,362

합계	66,386,617	170,835,654	187,253,233

반도체용 산업가스반도체 소재	제품	전구체	수출	2,751,943	2,497,670	167,805

내수	5,833,692	9,524,752	4,259,346

합계	8,585,635	12,022,422	4,427,151

상품 및 기타	수출	5,246,098	9,616,025	6,685,364

내수	7,527,360	12,992,789	21,811,775

합계	12,773,458	22,608,814	28,497,140

합계	수출	50,185,658	104,429,350	84,580,040

내수	37,560,052	101,037,541	135,597,483

합계	87,745,710	205,466,891	220,177,524

나. 판매경로 및 판매방법 등 (1) 판매조직국내외 반도체소자업체 및 장비업체에서 오랜 경험을 가진 전문 인력으로 구성되어 있습니다.

직 위	성 명	담당업무	약 력

Sr. VP	Matthew P. Flynn	해외 영업	-Master of Public Administration South Florida-Axceils technologies -Eaton SEO
-Cherry Semiconductor -Teradyne

전무	심상현	SKH 영업 본부	-서강대학교 전자공학과 학사-SK하이닉스-SKC

전무	전광열	삼성 영업 본부	-연세대학교 신소재공학과-삼성전자

상무	석종규	삼성 영업 부문	-영남대학교 전자공학과-삼성전자

(2) 판매경로

당사는 국내, 해외 시장 모두 자체 브랜드로 시장에 직접 판매하고 있으며 설비 판매 뿐 아니라 설비 설치, 제품품질보증, 제품 품질보증기간 종료 후 서비스, 부품 판매 등도 당사에서 직접하고 있습니다.

(3) 판매방법 및 조건

당사 반도체장비의 판매 방법 및 조건은 고객과의 협상을 통해 확정됩니다. 일반적으로 내수는 납품시 90%, 장비검수 완료시 10%로 1개월 이내 대부분 결제가 되고, 수출은 선적후 90%~100%, 장비검수 완료 후 10%~0%의 LC 또는 현금으로 결제가 되고 있습니다.(4) 판매전략

①수주에서 납품까지의 Cycle 단축을 통한 고객 대응력 강화

②차세대 공정연구 및 공동연구개발을 통한 신규 장비 개발 및 공급③상품기획기능 강화를 통한 고객 Need 만족④국내소자업체의 양산 Line에서 입증된 제품기술력으로 해외시장 적극 개척

6. 수주상황 당반기말 현재 장비수주 계약 잔액은 아래 와 같 니다.

(1) 당반기말 장비수주 계약잔액(단위:천원)

구 분	기초	신규계약	수익인식	기말

반도체 전공정장비	14,548,333	99,153,621	66,386,617	47,315,337

(2) 전기말 장비수주 계약잔액(단위:천원)

구 분	기초	신규계약	수익인식	기말

반도체 전공정장비	46,263,940	139,120,047	170,835,654	14,548,333

7. 시장위험과 위험관리 당반기말 현재 회사가 노출된 주요 시장위험과 시장위험이 회사의 손익에 미칠 수 있는 영향은 다음과 같습니다.

가. 민감도 분석(환율) 당사의 기능통화인 원화 외의 통화로 표시되는 매출채권 및 매입채무와 관련하여 환위험에 노출되어 있습니다. 환포지션이 발생되는 주요 통화로는 USD, JPY 등이 있습니다. 회사의 환위험관리의 목표는 환율변동으로 인한 불확실성과 손익의 변동을 최소화 하여 안정적인 재무활동을 지속하는 데 있습니다. 당사는 내부적으로 외화 대비 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 다른 변수가 모두 동일하다고 가정할 경우, 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시

USD	7,364,394	(-)7,364,394	6,801,047	(-)6,801,047

JPY	(-)115,874	115,874	(-)68,243	68,243

CNY	1,991	(-)1,991	1,291	(-)1,291

합 계	7,250,511	(-)7,250,511	6,734,095	(-)6,734,095

나. 민감도 분석(이자율) 이자율 위험은 미래에 시장이자율 변동에 따라 예금과 차입금에서 발생하는 이자비용 및 이자수익이 변동될 위험으로서, 이자율변동이 해당 금융자산의 공정가치 및 미래현금흐름에 미치는 영향은 당사에 규모에 비추어 중요하지 아니합니다. 당반기말과 전기말 당사가 보유하고 있는 변동금리 예금과 차입금으로, 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 변동한다고 가정할 때 변동금리부 차입금과 예금에서 발생하는 이자수익과 이자비용의 영향은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구분	당반기말	전기말

100bp 상승	100bp 하락	100bp상승	100bp하락

이자비용	-	-	-	-

이자수익	515,282	(-)515,282	995,674	(-)995,674

다 . 기타위험관리 (1) 유동성위험관리 유동성위험이란 당사의 경영환경 및 외부환경의 악화로 인하여 당사가 금융부채에 관련된의무를 적기에 이행하는데 어려움을 겪게 될 위험을 의미합니다. 당사는 유동성위험을 관리하기 위하여 장·단기 자금관리계획을 수립하고 자금수지를 지속적으로 검토하여 금융자산과 금융부채의 만기구조를 연결시키며 관리하고 있습니다.

당사의 경영진은 영업활동에 의한 현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환 가능하다고 판단하고 있습니다.

당반 기말과 전기말 현재 금융부채 의 계약에 따른 만기분석은 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	장부금액	1년 이내	1년초과~5년이내	합 계

당반기말 :

매입채무및기타채무	15,014,218	15,014,218	-	15,014,218

기타금융부채(유동) (*1)	2,266,287	2,266,287	-	2,266,287

기타금융부채(비유동) (*2)	3,739,965	-	3,739,965	3,739,965

합 계	21,020,470	17,280,505	3,739,965	21,020,470

전기말 :

매입채무및기타채무	9,160,113	9,160,113	-	9,160,113

기타금융부채(유동) (*1)	2,193,373	2,193,373	-	2,193,373

기타금융부채(비유동) (*2)	3,794,772	-	3,794,772	3,794,772

합 계	15,148,258	11,353,486	3,794,772	15,148,258

(*1) 미지급비용, 미지급배당금, 리스부채 입니다.

(*2) 장기미지급금, 임대보증금, 리스부채 입니다.

3) 신용위험관리신용위험이란 당사의 통상적인 거래 및 투자활동에서 고객이나 거래상대방이 계약상의 의무를 이행하지 않아 당사가 재무손실을 입을 위험을 의미합니다.

당사는 매출채권에 대하여 입수가능한 외부, 내부 데이터를 참조하여 고객 또는 거래상대방의 계약상 의무를 불이행할 확률과 불이행된 의무에 대한 추정회수비율이 반영된 신용위험을 측정합니다. 당사는 금융회사에 현금및현금성자산 및 단기금융상품 등을 예치하고있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래를 하고 있고, 이에 따른 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다.① 신용위험에 대한 노출정도금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대 노출정도를 표시하고 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 신용위험에 대한 노출정도는 다음과 같습니다.

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

현금및현금성자산	24,832,189	21,295,498

매출채권및기타채권	9,508,554	11,679,521

기타금융자산(유동)	77,910,652	78,518,624

기타금융자산(비유동)	856,932	812,953

합 계	113,108,327	112,306,596

② 금융자산의 연령분석당반기말과 전기말 현재 매출채권및기타채권의 연령 및 손상 채권금액은 다음과 같습니다

(단위:천원)

구 분	당반기말	전기말

채권금액	손상금액	채권금액	손상금액

만기일 미도래	8,725,775	-	11,621,631	(-)27,498

0~1년	722,744	(-)480,893	-	-

1년초과	60,035	(-)60,035	57,890	(-)57,890

합계	9,508,554	(-)540,928	11,679,521	(-)85,388

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황 -해 당사항 없습니다. 9. 경영상의 주요 계약 등 -해 당사항 없습니다. 10. 연구개발활동 가 . 연구개발활동의 개요 (1) 연구개발 담당조직

당사의 주요장비는 반도체 전공정 핵심장비인 증착장비로 지속적인 연구개발은 당사의 향후 성장과 경쟁력의 핵심원천으로서 생존과도 직결되는 과제입니다. 즉, 반도체등 소자생산업체의 공정기술이 지속적인 연구개발을 통하여 향상되면서 고집적도, 고난이도의 제품을 생산하기 위해서는 지속적인 연구개발이 필요한 것입니다.당사는 2001년 1월에 기업부설연구소를 설립하고 관련 기술 및 제품에 대한 자체적인 연구개발과 산학연 공동연구 및 소자업체와의 공동개발을 수행하고 있습니다. 당사의 종속회사인 Eugenus Inc 가 있는 해외(미국)에도 연구개발 조직을 운영하고 있으며, 제품개발 및 기술연구 등의 연구활동을 수행중입니다. 보고서 작성기준일 현재 본사 및 종속회사의 전체 임직원 319명 중 42.9%에 해당하는 137명(석 박사 27명)의 연구개발인력을 보유하고 지속적인 투자를 진행하고 있습니다.

(2) 주요 연구개발인력

직 위	성 명	담당업무	약 력	주요연구실적

수석사장	김진웅	GM	-서울대학교 금속공학과
-한국과학기술원 재료공학 박사
-현대전자
-SK하이닉스	- DRAM/NAND 공정개발
- DRAM/NAND Process Integration
- NAND 개발 총괄

전무	정우덕	R	-동경공업대 유기재료공학과 박사-하이닉스반도체-Sandisk-Micron	- DRAM Diffusion/Cleaning 공정 개발- NAND FLASH Diffusion/Cleaning 공정 개발- DRAM 소자 개발- NAND FLASH 소자 개발

상무	이성한	R	-고려대학교 전기공학과-삼성전자	- DRAM 300mm Batch설비 유전막 공정 개발
- Batch설비 High Ouality Oxide 공정/설비 개발
- Batch 설비 Thermal DCS Nitride 박막 공정/설비 개발
- Flash Batch 설비SiN/SiO ALD 공정/설비 개발

상무	최달순	R	- 광운대학교 전자재료공학과
- 연세대학교 경영학 석사
- SK하이닉스	- Thin Film CMP 공정개발
- DRAM 제품개발

연구위원	조윤석	R	-서울대학교
-서울대학원 박사
-SK하이닉스
-주성엔니지니어링	- 복굴절을 이용한 강유전체 상전이 연구
- DRAM, FLASH, MRAM etch 공정 개발
- 반도체, 디스플레이 etcher 개발

이사	조정희	R	-한양대학교 일반대학원 박사-삼성전자-피에스케이	- Plasma Source 개발
- RF System개발
- Plasma treatment 장비개발

연구위원	유두열	R	-부경대학교 전자공학과-하이닉스 반도체-매그나칩 반도체	- Diffusion 장비개발
- Diffusion 공정개발
- NVM 제품 개발

연구위원	주문식	R	-싱가폴 국립대학교 전자공학과 박사
-SK하이닉스	- Diffusion 공정 개발
- DRAM Gate Module 개발
- NAND Gate Module 개발

상무	현준진	시스템개발	-서울과학기술대학교 전자공학과
-만도기계	- 만도 MGH용 FTCS (통합 구동력 제어시스템) 개발
- 만도 MGH VDC 시스템개발- LPCVD 장비개발

(3) 연구개발비용(단위 : 백만원)

과 목	제21기 상반기('20.1.1~6.30)	제20기('19.1.1~12.31)	제19기('18.1.1~12.31)

원 재 료 비	11,114	17,675	17,044

인 건 비	11,597	21,290	18,710

감 가 상 각 비	3,408	6,295	3,940

위 탁 용 역 비	-	-	-

기 타	7,437	12,309	8,952

연구개발비용 계	33,557	57,569	48,645

회계처리	판매비와 관리비	28,007	51,677	41,950

제조경비	-	-	-

개발비(무형자산)	5,550	5,892	6,696

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	38.2%	28.0%	22.1%

나. 연구개발 실적(가) 연구과제별 개발실적

아래는 당사의 중요연구 개발 실적입니다. 연구과제의 결과들은 양산용 장비에 적용되어 고객들에게 공급되고 있거나 적용 예정에 있습니다.

개발기간	연구과제명	연구결과	기 대 효 과

2000~2001	200mm 매엽식의 질화막 저압 화학기상증착 장비개발	개발성공관련 특허등록	LP CVD 장비 국산화개발 성공에 따른 가격경쟁력 확보, 당사의 매출증대 기여, 소자업체(하이닉스반도체)의 원가절감 , 수율증대 실현, 무역수지 적자 해소에 기여

2002~2004	300mm 매엽식의 질화막 저압 화학기상증착 장비개발	개발성공제품 판매중관련 특허등록	LP CVD 장비 국산화개발 성공에 따른 가격경쟁력 확보, 당사의 매출증대 기여, 소자업체(하이닉스반도체)의 원가절감 , 수율증대 실현, 무역수지 적자 해소에 기여

2002	200mm 질화막 저압 화학기상증착 장비용 CTC, TMC, PMC S/W 국산화 개발	개발성공	Single Chamber 장비의 통합 제어 SW의 국산화를 통한 비용절감

2003	300mm 매엽식의 질화막저압 화학기상증착 장비용 CTC, TMC, PMCS/W 국산화 개발	개발성공제품 판매중	Single Chamber 장비의 통합 제어 SW의 국산화를 통한 비용절감

2007~2009	Plasma를 이용한 Oxidation 및 Nitrogen Surface Doping 장비 개발	개발성공제품판매	소자업체와의 공동개발을 통하여 CVD 공정 주요 장비에 대한 기술력 확보로 장비국산화 수준 향상 및 선진국과의 기술격차 축소

2009~2013	Boron doped Si용 LP-CVD 증착 장비 개발	개발성공제품판매중국책과제	핵심원천기술확보공동구매연계형으로 매출증대국내소자업체의 산업경쟁력 향상고용 창출 효과

2014.6~2017	차세대 10nm이하급 소자용 Si, SiGe 및 Ge 선택적 에피 성장 장비 개발	개발성공관련 특허등록국책과제	Logic device 개발에 필수적인 에피 장비 개발 반도체 장비 기술 국산화를 통한 산업경쟁력 향상

(나) 현재 진행중인 연구개발 과제

아래는 당사가 현재 진행 중인 연구개발 과제들입니다. 다음의 연구개발 과제들의 결과는 향후 당사에서 제작하는 장비들에 적용되고, 공정기술 개발의 기반으로 사용할 예정입니다

개발기간	연구과제명	연구결과	기 대 효 과

2017~현재	차세대 3D NAND memory 향
mini-batch ALD 증착 장비 개발	개발 중	High aspect ratio를 갖는 차세대 3D NAND 핵심 공정 solution 제공 및 차세대 Logic 및 DRAM에 추가 적용 가능

2019.7~현재	3차원 반도체 소자용 Batch Type Plasma-Enhanced ALD 설비/공정개발	개발 중	차세대 10 nm급 이하 3차원 반도체 소자를 위한 고생산성, 12 inch Batch Type의 Thermal/Plasma-Enhanced ALD Process가 가능한 설비/공정 개발

2019.9~현재	LPCVD 질화 규소(SiN) 장비 개발	개발 중	고생산성, 12 inch 웨이퍼용 Batch Type의 LPCVD 질화규소(Si3N4) 막질 Deposition 장비/공정 개발

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항

가. 외부자금조달 요약표[국내조달] (단위 : 백만원)

조 달 원 천	기초잔액	신규조달	상환등감소	기말잔액	비고

은행	-	-	-	-	-

기타금융기관	-	-	-	-	-

금융기관합계	-	-	-	-	-

기타	-	-	-	-	-

자본시장합계	-	-	-	-	-

총계	-	-	-	-	-

(참 고) 당기 중 회사채 총발행액 공모 : - 백만원
사모 : - 백만원

※ 해당사항 없습니다.

[해외조달] (단위 : 백만원)

조 달 원 천	기초잔액	신규조달	상환등감소	기말잔액	비고

금융기관 (*)	-	3,024	-	3,024	-

해외증권(회사채)	-	-	-	-	-

해외증권(주식등)	-	-	-	-	-

자산유동화	-	-	-	-	-

기타	-	-	-	-	-

총계	-	3,024	-	3,024	-

(*) 상기 금융기관 차입금과 관련하여 담보로 제공한 자산은 없습니다. 나. 지 적재산권 보유현황 회사는 영위하는 사업과 관련하여 반기보고서 제출일 현재 총 342건( 국내 125건 ,해외 217건)의 특허권을 취득하여 보유하고 있으며, 총 69건( 국내 14건, 해외 55건 )의 특허가 출원 중에 있습니다.

(기준일 : 2020년 6월 30일) (단위 : 건)

구분	특허권	특허출원	상표권

국내	125	14	15

해외	217	55	-

합계	342	69	15

회사가 영위하는 사업과 관련한 중요한 지적재산권(특허권) 상세 내용은 다음과 같습니다.

구분	권리	출원번호	등록일	등록번호	출원내용

국내	특허	10-2013-0125075	2015.02.11	10-1489306	어포머스 실리콘막의 증착 방법 및 증착장치

국내	특허	10-2013-0135639	2015.02.11	10-1494274	사이클릭 박막 증착 방법 및 반도체 제조 방법, 그리고 반도체소자

국내	특허	10-2014-0022837	2015.03.23	10-1507381	폴리실리콘 막의 성막방법

국내	특허	10-2013-0160434	2015.05.27	10-1525210	기판처리장치

국내	특허	10-2013-0160268	2015.06.12	10-1530024	기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판처리장치 및 기판 전달방법

국내	특허	10-2014-0003063	2015.07.02	10-1535155	기판 처리장치

국내	특허	10-2013-0165686	2015.09.02	10-1551199	사이클릭 박막 증착방법 및 반도체 제조방법, 그리고 반도체 소자

국내	특허	10-2013-0123761	2015.09.24	10-1557016	기판 처리장치

국내	특허	10-2014-0000563	2015.10.08	10-1560623	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2014-0060415	2015.11.12	10-1570227	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2014-0089285	2015.12.04	10-1576637	고종횡비를 가지는 오목부 상에 절연막을 증착하는 방법

국내	특허	10-2014-0124585	2015.12.04	10-1576639	절연막 증착방법

국내	특허	10-2014-0016469	2016.04.12	10-1613544	기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0127733	2016.06.02	10-1628786	기판처리장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0028508	2016.08.24	10-1652469	다중 가스 제공 방법 및 다중 가스 제공 장치

국내	특허	10-2014-0031737	2016.11.14	10-1677560	공정공간 높이별 가열온도를 조절할 수 있는 히터를 구비한 기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0055297	2016.11.28	10-1682155	기판 처리 장치

국내	특허	10-2015-0052533	2016.11.28	10-1682154	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0052534	2016.11.28	10-1682153	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0053733	2016.12.05	10-1685095	기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0161409	2016.12.05	10-1685096	기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0064857	2017.02.08	10-1706747	비정질 박막의 형성방법

국내	특허	10-2015-0096978	2017.02.20	10-1710105	기판 처리 장치 및 기판처리방법

국내	특허	10-2015-0128970	2017.02.22	10-1710944	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0102391	2017.03.06	10-1715193	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0149573	2017.03.06	10-1715192	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0055991	2017.03.22	10-1720620	기판처리장치 및 챔버 세정방법

국내	특허	10-2015-0149572	2017.04.24	10-1731488	기판처리장치 및 튜브 조립체 조립방법

국내	특허	10-2015-0187865	2017.05.31	10-1744201	기판처리장치

국내	특허	10-2015-0128971	2017.07.17	10-1760316	기판처리장치

국내	특허	10-2017-0035412	2018.10.01	10-1905822	기판처리장치

국내	특허	10-2017-0071633	2018.10.15	10-1910085	기판처리장치

국내	특허	10-2018-0051460	2018.12.12	10-1930456	기판처리시스템

국내	특허	10-2017-0129740	2018.12.17	10-1931692	배치식 플라즈마 기판처리장치

국내	특허	10-2016-0146049	2019.03.15	10-1960763	저온 에피택셜층 형성방법

국내	특허	10-2017-0133031	2019.04.22	10-1972783	ICP 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치

국내	특허	10-2017-0124725	2019.05.31	10-1986744	플라즈마 처리 장치 및 방법

국내	특허	10-2017-0125830	2019.06.25	10-1994700	샤워헤드 및 기판처리장치

국내	특허	10-2017-0121352	2019.08.05	10-2009348	배치식 플라즈마 기판처리장치

국내	특허	10-2018-0108446	2019.08.29	10-2018318	박막 형성 방법

국내	특허	10-2018-0042857	2019.10.15	10-2034766-00-00	기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

국내	특허	10-2019-0057528	2020.02.20	10-2081686-00-00	플라즈마를 이용한 기판 처리 방법

국내	특허	10-2018-0042858	2020.04.06	10-2099824-00-00	기판 처리장치

해외	특허	2013-531512	2015.02.16	제5690406호	METHOD AND APPARTUS FOR MANUFACTURING MEMORY DEVICE HAVING 3-DIMENSIONAL STRUCTURE

해외	특허	101130615	2015.02.21	제I474435호	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

해외	특허	101126742	2015.02.21	제I474422호	EQUIPMEMT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTR FOR EPITAXIAL PROCESS

해외	특허	100127081	2015.02.21	제I474399호	METHOD OF DEPOSITING CYCLIC THIN FILM

해외	특허	2013-525842	2015.02.20	제5698847호	METHOD OF DEPOSITING CYCLIC THIN FILM

해외	특허	101139449	2015.05.21	I485794	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING HEAT-SHIELD PLATE

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해외	특허	101139444	2015.06.21	I489577	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING EXHAUST PORTS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	101126739	2015.07.21	I493641	EQUIPMENT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR

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해외	특허	2011800427425	2016.08.03	ZL2011800427425	METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

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해외	특허	2015-531866	2016.09.23	제6,009,677호	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2012800378989	2016.10.12	ZL2012800378989	EQUIPMEMT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTR FOR EPITAXIAL PROCESS

해외	특허	201280068840.0	2016.10.12	ZL201280068840.0	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS HAVING SIDE PUMPING TYPE

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해외	특허	102122656	2016.12.01	I560310	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2014-542245	2016.12.16	6,060,172	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING EXHAUST PORTS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	201280039981X	2016.12.21	ZL201280039981X	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

해외	특허	2015-561262	2016.12.22	6,602,075	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2015-006410	2017.01.13	6073936	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	103101565	2017.02.01	I569346	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	201380045392.7	2017.04.26	ZL201380045392.7	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	201380066374.7	2017.04.26	ZL201380066374.7	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	104102446	2017.04.21	I579947	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2016-521662	2017.06.16	제6,158,436호	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	2016-521666	2017.06.09	제6,155,389호	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	201380045437.0	2017.06.06	ZL201380045437.0	APPARTUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	103101391	2017.06.01	I585228	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	2016-129195	2017.06.02	6,151,829	Substrate Processing Apparatus

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해외	특허	2016-129196	2017.07.28	6,182,646	Substrate Processing Apparatus

해외	특허	14/915,705	2017.08.01	9,721,798	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	14/915,919	2017.08.22	9,741,574	CYCLIC DEPOSITION METHOD OF THIN FLIM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE

해외	특허	15/116,974	2017.08.22	9,741,562	METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM

해외	특허	201380019312.0	2017.09.01	ZL201380019312.0	HEATER MOVING TYPE SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS

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해외	특허	14/234,723	2017.09.12	9,761,473	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

해외	특허	103135790	2017.10.11	I601842	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	2015-026512	2017.09.22	6,212,063	SUBSTRATE TRANSFER ROBOT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME

해외	특허	ZL201510076200.X	2017.11.14	ZL201510076200.X	SUBSTRATE TRANSFER ROBOT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME

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해외	특허	105131824	2018.01.11	I611529	APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

해외	특허	14/357,592	2018.01.23	9,875,895	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING EXHAUST PORTS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	105105399	2018.02.01	I613699	APPARTUS AND METHOD FOR HEATING SUBSTRATE

해외	특허	2016-196254	2018.02.23	6294930	APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	14/357,619	2018.04.24	9,953,850	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS INCLUDING HEAT-SHIELD PLATE

해외	특허	2016-536227	2018.05.11	6336079	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD

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해외	특허	15/568,536	2019.04.02	10,246,773	METHOD FOR FORMING AMORPHOUS THIN FILM

해외	특허	2017-558451	2019.04.26	6516871	METHOD FOR FORMING AMORPHOUS THIN FILM

해외	특허	201480052521.X	2019.05.03	ZL201480052521.X	AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION METHOD AND AMORPHOUS SILICON FILM FORMATION APPARTUS

해외	특허	15/535,380	2019.05.07	10,283,391	METHOD FOR MULTI-SUPPLYING GAS AND APPARTUS FOR MULTI-SUPPLYING GAS

해외	특허	15/038,678	2019.05.14	10,287,687	APPARTUS AND METHOD FOR HEATING SUBSTRATE

해외	특허	106137952	2019.06.01	I661472	METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER LOW TEMPERATURE

해외	특허	201480070512	2019.07.05	ZL201480070511.9	APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE

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해외	특허	201480070510	2019.07.30	ZL201480070510.4	SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD

해외	특허	201610915856.0	2019.10.11	ZL201610915856.0	SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

해외	특허	201680004480.6	2019.10.15	ZL201680004480.6	METHOD FOR MULTI-SUPPLYING GAS AND APPARATUS FOR MULTI-SUPPLYING GAS

해외	특허	2018-129720	2019.11.01	6609006	BATCH TYPE PLASMA SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

해외	특허	2018-519007	2019.11.15	6615336	SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR ASSEMBLING TUBE ASSEMBLY

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해외	특허	2018-154764	2020.01.16	6647354	BATCH TYPE PLASMA SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

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해외	특허	15/394,477	2020.04.14	10622228	SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF THE SUBSTRATE SUPPORTING UNIT

해외	특허	107102920	2020.04.21	I692033	METHOD FOR FORMING AMORPHOUS THIN FILM

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