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제주반도체 반기보고서 (2019.06)
반 기 보 고 서

(제 20 기)

사업연도 2019.01.01 부터
2019.06.30 까지

금융위원회
한국거래소 귀중 2019년 08월 14일

제출대상법인 유형 : 주권상장법인
면제사유발생 : 해당사항 없음

회 사 명 : 주식회사 제주반도체
대 표 이 사 : 박성식/조형섭
본 점 소 재 지 : 제주특별자치도 제주시 청사로 1길 18-4
(전 화) 064-740-1700
(홈페이지) http://www.jeju-semi.com
작 성 책 임 자 : (직 책) 대표이사 (성 명) 조 형 섭
(전 화) 064-740-1733
1. 회사의 개요

(1) 연결대상 종속회사 개황 1) 종속회사 현황목록

(단위 : 백만원)

상호	설립일	주소	주요사업	최근사업연도말자산총액	지배관계 근거	주요종속회사 여부

램스웨이(주)	2002. 08. 26	성남시 분당구 삼평동 685	반도체 메모리 IC 개발	2,644	의결권의 과반수 소유(기업회계기준서 제1110호)	X

(주)인스턴트게임로직스	2015. 08. 12	제주시 청사로 1길 18-4	복권 중개 등	6	회사 소유 지분율 70%/종속회사 지분 30%	X

(주)동행복권	2018. 03. 22	서울시 서초구 순환로 2423	복권 판매 등	84,021	사실상 지배관계(기업회계기준서 제1110호)	O

2) 연결대상회사의 변동내용

구 분	자회사	사 유

신규연결	-	-

-	-

연결제외	-	-

-	-

(2) 회사의 법적, 상업적 명칭

회사의 명칭은 "(주)제주반도체"라고 표기합니다. 또한 영문으로는 "Jeju Semiconductor Corp."으로 표기합니다. 단, 약식으로 표기할 경우에는 "제주반도체" 또는 "JSC"라고 표기합니다. 회사는 국문 상호를 2013년 03월 27일 정기주주총회에서 기존 "(주)이엠엘에스아이"에서 "(주)제주반도체"로 변경하였습니다.

(3) 설립일회사는 대한민국 상법에 근거하여 "반도체, 정보통신에 관한 제품을 설계, 제조 및 이를 판매하는 사업 등"을 영위할 목적으로 2000년 04월 04일에 설립되었습니다. 2005년 01월 25일에 자본시장과 금융투자업에 관한 법률(구, 증권거래법)에 따라 코스닥시장에 상장이 승인됨에 따라 회사의 주식이 2005년 02월 01일부터 코스닥시장에서매매가 개시되었습니다.(4) 본사의 주소, 전화번호 및 홈페이지 - 주 소 : 제주특별자치도 제주시 청사로 1길 18-4 제주상공회의소 2층 - 전화번호 : 064-740-1700 - 홈페이지 : www.jeju-semi.com (5) 중소벤처기업회사는 본 보고서 제출일 현재 중소기업법 제2조에 따른 중소벤처기업에 해당합니다.

(6) 주요 사업의 내용 회 사는 휴대폰 등 모바일 응용기기에 적용되는 메모리 반도체를 개발, 제조하 여 이를판매하는 사업을 영위하고 있습니다. 동 사업의 특징적인 요소는 회사가 자체적으로 제조 생산라인을 보유하고 있지 아니하고 직접 설계한 제품을 전문 파운드리 회사에 위탁하여 생산한다는 것입니다. 이러한 회사를 소위 "팹리스회사"라고 칭하기도 합니다. 위탁 파운드리에서 가공된 웨이퍼는 후공정 검사 전문업 체에서 웨이퍼 테스트(Chip Probing)를 마친 후, 웨이퍼 상태 그대로 판매되거나 조립 전문업체에서 패키징 공정 후 검사 전문업체의 최종 테스트(FT)를 거쳐 단품(Chip) 형태로 판매가 됩니다. 한편으로 회사는 직접 소싱 하여 개발한 Nand MCP, Nor MCP 제품을 시장에 공급하는 사업을 하고 있습니다. 이 사업의 제품은 주로 외부로부터 원재료인 웨이퍼를 조달받아 제품을 소싱 하여 고객에게 공급하고 있고, 일부 MCP에는 회사가 직접 설계 개발하여 생산된 메모리 제품이 사용되고 있습니다. 이들 낸드 MCP 제품은 회사의 매출에 기여하는 측면에서 볼 때 가장 비중이 큰 제품입니다. 설립 초기에 회사는 모바일용 저전력 에스램(SRAM)을 개발, 제품화에 성공하였습니다. 이 제품으로 회사는 사업 기반을 다졌으며, 이들 제품은 단품 패키지 형태인 휴대폰의 버퍼용 보조 메모리로서 다양한 응용기기에 사용되었고, 현재에도 적은 물량이지만 고객에게 꾸준하게 공급이 되고 있습니다. 이 에스램(SRAM) 후속 제품 모델로 개발된 슈도에스램(Pseudo static RAM; 후에 Cellular RAM으로 불리기도 함), 디램(DRAM) 제품은 복합칩(MCP)이나 SIP(System in Package) 형태로 공급되는 모바일전용 특화 메모리로 고객에게 공급되고 있습니다. 또한 회사는 자체 또는 타사에서 공급받은 디램과 낸드 플래시 메모리를 결합한 다양한 스펙의 낸드 MCP 제품을 상용화 하여 고객에게 공급하고 있습니다. 회사는 이들 제품으로 범용 시장 뿐만 아니라 고정 거래선을 목표시장으로 하는 주문형 반도체(ASIC) 성격의 제품시장에 자사 제품을 공급하고 있습니다. 주 1) 슈도에스램과 셀룰라램 : 슈도에스램(Pseudo RAM)은 에스램과 디램의 장점을 합한 제품으로, D램의 단순한 구조에 재기록 회로를 내장한 메모리입니다. 겉으로는 S램과 같은 동작을 하지만 속에서는 재기록 동작을 하는 구조로 돼 있습니다. 초기의 슈도에스램을 기능적인 측면에서 발전시킨 것이 셀룰라램(Cellular RAM)으로 명칭은 회사마다 다양하게 불리어지나 당사에서는 셀룰라램으로 칭하고 있 습니다. 주 2) ASIC(Application Specific Integrated Circuit/주문형반도체)이란 사용자가 특정 용도의 반도체를 주문하면 반도체 업체가 이에 맞춰 설계 및 제작해 주는 기술을 말합니다.

(7) 회사의 주권상장 여부 및 특례상장에 관한 사항

주권상장(또는 등록ㆍ지정)여부	주권상장(또는 등록ㆍ지정)일자	특례상장 등여부	특례상장 등적용법규

코스닥 상장	2005.02.01	아니오	해당 없음
2. 회사의 연혁

(1) 회사의 주요 연혁

연월	사유	비고

2000. 04	회사설립(주식회사 아펨스테크놀러지/성남시)	-

2000. 09	㈜이엠엘에스아이로 사명변경	-

2000. 11	벤처기업확인 인증획득	-

2001. 06	송파구 가락동으로 본사이전	-

2001. 07	기업부설연구소 설립(한국산업기술진흥협회)	-

2001. 12	4M SRAM 양산개시	-

2002. 01	ISO 9001 인증 획득(품질경영시스템)	-

2002. 12	4M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시(Foundry: 동부전자㈜)	-

2003. 05	2M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시(Foundry: 동부전자㈜)	-

2003. 12	1M 8M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시 (Foundry: 동부전자㈜)	-

2004. 05	16M PSRAM(0.175um급) 양산개시	-

2005. 01	일반공모 유상증자(코스닥상장을 위한)	-

2005. 01	송파구 가락동에서 제주시 연동으로 본사이전	-

2005. 02	회사 공개(코스닥상장법인)	-

2005. 05	16M PSRAM(0.13um급) 개발 및 양산 개시 (Foundry: 대만 Winbond)	-

2006. 10	미주 법인 설립(EMLSAI)_ 메모리 디자인 센터	-

2006. 12	Winbond 투자 유치(제3자 배정 유상증자/약 140억원)	-

2007. 07	Ramsway 주식양수도를 통한 종속회사 편입	-

2007. 08	BW 발행(110억원)	-

2008. 06	EST 자회사 설립(대만)	-

2008. 09	32M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시	-

2009. 03	16M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시	-

2009. 07	주주배정 유상증자(6,100,000주 발행)	-

2009. 10	64M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시	-

2009. 12	128M DRAM 양산개시	-

2010. 01	64M CRAM 2.0 개발진행	-

2010. 07	Nor Flash Memory 개발착수	-

2011. 12	63nm CRAM 개발착수	-

2012. 04	미주 법인(EMLSAI) 청산	-

2012. 11	EST 지분양도로 자회사 제외	-

2012. 12	63nm 64m CRAM 양산개시	-

2013. 03	회사명 변경 (EMLSI → JSC)	-

2013. 07	각자대표이사 체제 출범 (대표이사 박성식/조형섭)	-

2013. 10	45nm급 256M Low Power DDR1 양산개시	-

2013. 11	Nand MCP 공급개시	-

2014. 05	45nm급 512M LPDDR1 양산개시	-

2014. 05	90nm급 4M SPI Nor Flash 양산개시	-

2014. 09	45nm급 1G LPDDR1 양산개시	-

2014. 2Q	38nm급 2G Low Power DDR2 개발착수	-

2015. 08	저지에코밸리 자회사 설립(부동산개발)	-

2017. 01	UMC와 DRAM 용역개발 계약 체결	-

2019. 03	벤처기업확인 재인증 획득	-

(2) 상호의 변경: 브랜드가치 제고차원 2000년 09월 20일 : (주)아펨스테크놀로지 ⇒ (주)이엠엘에스아이 2013년 03월 27일 : (주)이엠엘에스아이 ⇒ (주)제주반도체(3) 종속회사 연혁1) 주식회사 동행복권 연혁2018. 03. 22. 설립 2018. 12. 02. 제4기 로또사업자로서 로또 발권 개시2) 램스웨이 주식회사 연혁2008. 01 : 반도체 메모리 사업에 집중하기 위하여 시스템 LSI 사업부 철수2011. 10 : 본사 분당 삼평동으로 이전2013. 02 : 결손금보전을 위한 자본감소 결의 2015. 11 : Draper Athena Fund로부터 전환사채(CB) 방식으로 USD10,000,000.00 자금조달2015. 12 : JSC에 64M Octa CRAM 용역개발(제품개발 완료) 2016. 12 : JSC에 128M Octa CRAM 용역개발 의뢰(제품개발 완료)
4. 주식의 총수 등

회사는 보고서 제출일 현재까지 발행한 주식의 총수는 28,932,514 주이며, 이 중 300,000주를 이익소각하여 발행주식 총수는 28,632,514 주입니다.

(1) 주식에 관한 사항현황>

(기준일 : 2019.08.14 ) (단위 : 주)

구 분	주식의 종류	비고

보통주	합계

Ⅰ. 발행할 주식의 총수	100,000,000	100,000,000	-

Ⅱ. 현재까지 발행한 주식의 총수	28,932,514	28,932,514	-

Ⅲ. 현재까지 감소한 주식의 총수	300,000	300,000	-

1. 감자	-	-	-

2. 이익소각	300,000	300,000	-

3. 상환주식의 상환	-	-	-

4. 기타	-	-	-

Ⅳ. 발행주식의 총수 (Ⅱ-Ⅲ)	28,632,514	28,632,514	-

Ⅴ. 자기주식수	369,729	369,729	-

Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ)	28,262,785	28,262,785	-

(2) 자기주식 현황 회사는 기초에 자사주 219,729주를 보유하고 있었으며, 보고서 기간 후 보고서 제출 전에 150,000주를 매입하여 제출일 기준 자사주 총 369,729주를 보유하고 있습니다.

및 처분 현황>

(기준일 : 2019.08.14 ) (단위 : 주)

취득방법	주식의 종류	기초수량	변동 수량	기말수량	비고

취득(+)	처분(-)	소각(-)

배당가능이익범위이내취득	직접취득	장내 직접 취득	보통주	219,729	150,000	-	-	369,729	-

-	-	-	-	-	-	-

장외직접 취득	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

공개매수	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

소계(a)	보통주	219,729	150,000	-	-	369,729	-

-	-	-	-	-	-	-

신탁계약에 의한취득	수탁자 보유물량	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

현물보유물량	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

소계(b)	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

기타 취득(c)	보통주	-	-	-	-	-	-

-	-	-	-	-	-	-

총 계(a+b+c)	보통주	219,729	150,000	-	-	369,729	-

-	-	-	-	-	-	-

(3) 종류주식의 발행현황

회사는 종류주식을 발행한 사실이 없습니다.
5. 의결권 현황

회사의 의결권에 관한 사항은 하기 표에 정리된 사항과 같습니다.

(기준일 : 2019.08.14 ) (단위 : 주)

구 분	주식의 종류	주식수	비고

발행주식총수(A)	보통주	28,632,514	-

우선주	-	-

의결권없는 주식수(B)	보통주	369,729	-

우선주	-	-

정관에 의하여 의결권 행사가 배제된 주식수(C)	보통주	-	-

우선주	-	-

기타 법률에 의하여의결권 행사가 제한된 주식수(D)	보통주	-	-

우선주	-	-

의결권이 부활된 주식수(E)	보통주	-	-

우선주	-	-

의결권을 행사할 수 있는 주식수(F = A - B - C - D + E)	보통주	28,262,785	-

우선주	-	-

※ 회사는 주주총회에서 주주의 의결권 행사의 편의를 지원하기 위하여 2016년 3월 정기주주총회부터 전자투표와 전자위임장 제도를 도입하여 활용하고 있습니다.
6. 배당에 관한 사항 등

회사는 관계 법령 및 정관에 의거하여 이사회 및 주주총회 결의를 통하여 매 회계연도마다 주식과 현금으로 배당을 실시할 수 있으며, 주식에 의한 배당은 이익배당총액의 2분의 1에 상당하는 금액을 초과할 수 없습니다. 회사는 영업이익을 창출하여 현금유보율이 정상화되고 법적 배당요건을 충족하게 되면, 주주 중심의 경영을 실현하는데 소흘함이 없도록 적극적인 배당정책을 실시하겠습니다. → 회사의 배당과 관련한 정관 규정은 기 제출한 사업보고서에 첨부된 회사의 정관을 참고하시기 바랍니다.

구 분 주식의 종류 당기 전기 전전기 제20기 반기 제19기 제18기 주당액면가액(원) 500 500 500 (연결)당기순이익(백만원) -159 3,941 -811 (별도)당기순이익(백만원) 1,782 7,298 2,843 (연결)주당순이익(원) 9 160 -32 현금배당금총액(백만원) - - - 주식배당금총액(백만원) - - - (연결)현금배당성향(%) - - - 현금배당수익률(%) 보통주 - - - - - - - 주식배당수익률(%) 보통주 - - - - - - - 주당 현금배당금(원) 보통주 - - - - - - - 주당 주식배당(주) 보통주 - - - - - - - *** 회사는 분, 반기 배당을 실시하지 아니합니다. *** 연결 주당순이익은 지배회사 지분만을 의미합니다.