티씨케이 반기보고서 (2016.06)
II. 사업의 내용

1. 업계의 현황 가. 산업의 개요 반도체 산업은 '산업의 쌀'로 표현되는 반도체칩을 제조하는 산업으로 반도체 제조업(소자산업)과 반도체 주변산업(후방산업)으로 크게 구분됩니다.이 중 반도체 주변산업(후방산업)은 소자생산을 위한 반도체 장비산업(기계, 기구, 전자장비), 반도체 주변장치산업(클린룸 등) 및 소자생산용 소재를 공급하는 반도체 재료산업으로 구분됩니다.이러한 반도체 산업의 분류방법에서 당사와 연관되어 있는 반도체 공정용 부분품에 대한 개념은 아직 명확히 구분되지 않습니다만, 일반적으로 반도체 소자를 생산하는 과정에서 소요되는 공정용 소모품으로 반도체 재료산업에 포함된 개념으로 설명되고있습니다.당사에서 생산하는 제품은 반도체 및 태양광 웨이퍼(실리콘웨이퍼)의 제조공정에 사용되는 장비의 부분품과 LED 및 반도체 소자제조 공정 장비용 부분품으로 사용되고 있습니다. 나. 경기변동의 특성 및 계절성 반도체 산업은 고정비 부담이 높고, 투자와 양산의 시차가 존재함으로써 가격변화에 대응하여 생산량을 탄력적으로 대응할 수 없는 이유로 가격 불안정성의 특성을 지니고 있습니다.그러나 반도체 재료산업은 장비산업과 비교하여 반도체 경기변화에 상대적으로 덜 민감합니다. 그 이유는 장비산업은 소자산업의 시설투자와 직접적인 관련이 있지만, 재료산업은 소모성 중심의 구조로 이루어져 있기 때문입니다. 다. 시장여건 및 경쟁현황 1996년 당사 설립 이전에는 반도체용 고순도 흑연제품은 100% 수입하여 사용하였으나, 높은 가격, 제품 조달의 문제 등으로 국내 생산업체의 필요성이 대두되어, 일본의 TOKAI CARBON CO.,LTD.와 대한민국의 (주)케이씨텍, 슝크카본테크놀로지(유)의 합작계약에 의거 당사가 설립되었습니다. 설립 이후 최근까지 반도체시장의 꾸준한 확대로 고순도 흑연제품의 판매를 이어가고 있습니다. 아울러, 최근 반도체 시장의 미세화 공정 진전으로, SiC Coating 기술이 경쟁력으로 부각되고 있는 상황입니다. 라. 조직도 (2016년 06월 30일 기준)

2. 주요 제품 및 서비스 가. 주요 제품 등의 현황

당사는 반도체, 태양전지 및 LED용 부품 전문 제조회사입니다. 구체적인 제품으로는 고순도 흑연(Graphite)을 이용한 반도체 및 태양전지용 실리콘 잉곳을 생산하는 Growing 장비용 Graphite 부품(이하 고순도 흑연 제품)을 국내 최초로 국산화하여 제조, 판매하고 있으며, 반도체 Device업체에서 사용하는 장비의 Solid SiC Wafer, Ring 및 SiC제품도 판매중에 있습니다. 또한 SiC Coating사업으로 반도체 ALD 장비에 들어가는 Susceptor류와 LED Chip 생산용 Wafer Carrier를 제조, 판매 하고 있습니다. 부수적으로 SiN Tube 등 각종 Heater류를 수입, 판매하고 있습니다.

[제품군별 매출유형] (단위 : 백만원,%)

사업부문	매출유형	제품군	2016년 반기	2015년

매출액	비율	매출액	비율

Gr부문	제품	반도체용 고순도 흑연제품	4,299	10%	7,855	13%

태양광용 고순도 흑연제품	3,363	8%	5,250	8%

Susceptor 부문	LED 및 반도체 부품 외	3,801	9%	8,534	14%

Solid SiC 부문	반도체 공정 부품	32,262	73%	39,469	64%

기타 부문	상품	HEATER 등	366	1%	822	1%

합계	44,091	100%	61,930	100%

나. 주요 제품 등의 가격변동 추이(단위 : 천원)

품목	제22기 반기	제21기	제20기

H/Z 외	5,078	4,851	5,224

▲ 상기 품목별 가격은 품목 중 주요 제품의 가격입니다.

(1) 산출기준

주요 품목별 매출단가는 매출처별로 연간 판매단가 계약에 의해서 이루어지고 있으나 시장 변화 및 매출처별 사정에 의해서 월별로 상이한 판매단가가 적용되는 예가 있어 보고서 기준일 현재 대표적인 제품을 기준으로 제시하였습니다.(2) 주요 가격변동원인

주요 거래선의 단가조정 요구, 동종업체와의 경쟁관계 및 환율추이에 따라 제품의 매출가격은 변동됩니다.

3. 주요 원재료 가. 주요 원재료 구입 현황당사는 주요 구입 품목 중 Graphite(고순도 흑연)가 가장 큰 비중을 차지하고 있으며, Graphite 전량을 회사의 최대주주인 TOKAI CARBON CO.,LTD로부터 매입하고 있습니다.당사는 TOKAI CARBON CO.,LTD와 매년 초에 품목별로 협상을 통하여 원재료 구입단가를 체결하고 있습니다.

(단위 : 백만원,%)

사업부문	매입유형	품 목	용도	매입액	비율	비 고

탄소제품	원재료	Graphite	제품 제조	4,868	99.7%	TOKAI CARBON CO.,LTD

원재료	Graphite Foil 외	제품 제조	12	0.3%	기타

계	4,881	100.0%

▲ 2016년 반기 누계 실적 기준입니다.▲ 상기 매입액은 수입관세 및 부대비용을 포함한 금액입니다. 나. 원재료의 가격 변동 추이당사의 주요 원재료인 Graphite는 국내 조달이 불가능하기 때문에 전량 수입을 하고 있습니다. 따라서 원화의 평가절상은 원재료 가격 하락의 주요 요인이 되며 당사는 최대주주사인 TOKAI CARBON CO.,LTD.에서 Graphite 소재를 엔(JPY)화로 매입하고 있습니다.

(단위 : 천원)

품목	구분	제22기 반기	제21기	제20기

Graphite A	수입	5,773	5,714	6,255

Graphite B	수입	2,070	2,046	2,189

Graphite C	수입	3,199	3,052	3,399

Graphite D	수입	6,294	5,712	6,255

Graphite E	수입	6,465	5,755	6,157

▲ 상기 품목별 가격은 주요 원재료 품목의 가격입니다. 4. 생산 및 설비 가. 생산설비 현황 (1) 생산능력

(단위 : 매)

사업부문	품 목	사업소	제22기 반기	제21기	제20기

탄소제품	Susceptor 외	안성	40,092	52,985	57,131

합 계	40,092	52,985	57,131

▲ 당사 제조품목의 총생산능력을 수량기준으로 표시하였습니다.(2) 생산능력의 산출근거

① 산출기준

당사는 자체공장 생산을 주력으로 하고 있으며, 연간 실제생산량을 기준으로 사업연도의 가동률을 100%로 환산하여 산출하였습니다.

② 산출방법

- 제조수량 : 연간 실제생산량- 생산능력 = 제조수량/가동률

(3) 평균가동시간

▲ II. 사업의 내용, 4.생산 및 설비, 나. 생산실적 및 가동률 참조

나. 생산실적 및 가동률(1) 생산실적

(단위 : 매)

사업부문	품 목	사업소	제22기 반기	제21기	제20기

탄소제품	Susceptor 외	안성	28,465	39,209	37,742

합 계	28,465	39,209	37,742

(2) 제22기 반기의 가동률(단위 : 시간, %)

사업소(사업부문)	가동가능시간	실제가동시간	평균가동률

안성공장(탄소제품)	65,688	46,638	71%

▲ 일 8시간, 월 21일을 기준으로 산출하였습니다. 다. 설비에 관한 사항▲ 당사는 2010년 하반기부터 경기도 안성시 개정리에 신공장(제2공장) 증설을 진행하여 2011년 4월에 증설을 완료하였습니다. 2011년 4월부터 양산 Test를 거쳐, 2016년 6월말 현재 양산을 진행하고 있습니다.2016년 반기말 현재 당사가 보유중인 설비 등은 다음과 같습니다.(1) 유형자산

(단위: 천원)

당기	토지	건물	구축물	기계장치	차량운반구	공구와기구	비품	건설중인자산	합계

기초 순장부금액	8,132,098	10,571,325	1,436,478	19,858,992	47,794	643,042	495,501	3,875,254	45,060,483

취득	0	0	0	0	0	3,300	14,274	9,120,313	9,137,887

처분	0	0	0	0	(1)	0	(129)	0	(130)

대체	0	0	61,253	6,920,035	0	41,734	54,146	(7,155,219)	(78,050)

감가상각비	0	(148,920)	(78,825)	(2,495,859)	(6,502)	(55,116)	(117,709)	0	(2,902,932)

손상차손(환입)	0	0	0	0	0	0	0	0	0

기말 순장부금액	8,132,098	10,422,405	1,418,906	24,283,168	41,291	632,960	446,083	5,840,348	51,217,259

(2) 건설중인자산 세부항목(단위: 천원)

구분	제22기 반기말	비고

건설중인자산(기계)	2,574,812	-

건설중인자산(구축물)	311,500	-

건설중인자산(건물)	2,954,036	-

소 계	5,840,348	-

라. 중요한 시설투자 계획 ▲ 당사는 2016년 4월부터 추가 기계장치 및 부대설비에 대한 투자를 진행하고 있으며, 투자자금 모두 내부 자금으로 집행될 예정입니다. 5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적

(2016년 06월 30일 현재) (단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제22기 반기	제21기	제20기

탄소제품	제품	반도체용	수 출	518	1,268	1,546

내 수	3,780	6,586	6,841

합 계	4,299	7,855	8,387

태양광용	수 출	25	395	-

내 수	3,338	4,855	8,439

합 계	3,363	5,250	8,439

Susceptor류(LED 및 반도체부품)	수 출	127	273	77

내 수	3,674	8,262	12,885

합 계	3,801	8,534	12,962

Solid SiC류	수 출	15,662	12,984	3,210

내 수	16,600	26,485	11,884

합 계	32,262	39,469	15,094

상품	HEATER 등	수 출	1	-	-

내 수	365	822	338

합 계	366	822	338

합 계	수 출	16,335	14,920	4,833

내 수	27,757	47,010	40,388

합 계	44,091	61,930	45,221

나. 판매방법 및 조건(1) 판매조직2016년 06월 30일 현재 영업본부 내에 2개의 팀이 있으며, 거래처별 담당자 지정에 의하여 각 품목별 기술영업을 진행하고 있습니다.

(단위: 명)

구분	직위	인원수	담당 업무

영업본부장	전무	1	영업 총괄

GR사업팀	부장	1	영업담당 팀장

차장	1	영업담당

과장	1	영업담당

대리	1	영업담당

사원	1	영업관리

계	5

SiC사업팀	부장	1	영업담당 팀장

차장	1	영업담당

대리	2	영업담당

사원	2	영업담당

계	6

합계	12

(2) 판매경로당사의 주요 매출처는 반도체 제조 및 태양광용 잉곳, LED용 칩 생산업체로서 판매경로는 생산된 제품을 고객사에 직접 납품하는 형태를 취하고 있으며, 수입물품은 통관 후 당사의 품질 검사실에서 수입검사 완료 후 납품하고 있습니다.

매출유형	품목	구분	판매경로	매출액 비중

Graphite외	CZ CZ-Coating LED 및 반도체장비용 부품 외	국내국외	업체발주서 접수 → 생산계획 수립 → 생산 → 업체별로 납품	99.2%

기타상품外	HEATER 외	국내국외	업체발주서 접수 → 상품발주 → 물품 수입통관,보세운송 → 수입검사 → 업체별로 납품	0.8%

▲ 2016년 반기 누계실적 기준입니다.(3) 판매전략

① 고순도 Graphite 제품국내 최초의 국산화 업체로서 고객 Needs에 신속한 대응과 다양한 Design Modify 대응력을 통한 고객과의 공동 개발로 타 경쟁사와 차별화를 도모하고 있습니다.② LED당사는 2007년 하반기에 국내의 S사와 공동으로 국책과제(구매조건부)를 진행, 2008년 말 국내최초로 LED MOCVD용 Susceptor 개발에 성공하였습니다.2009년 1년 간의 양산 Test를 거쳐 2010년 2분기부터 매출을 시작하였습니다. ③ Solid SiC 제품국내 최초의 CVD-SiC로(爐) 도입으로 그동안 수입에 의존해 왔던 CVD SiC Coating 부품의 국산화 실현 업체라는 이미지 부각과 신속한 납기대응, 품질강화 전략으로 신규대체 품목수를 확산시켜 이 부문에 대한 수익을 증대하고 있습니다. 반도체 공정부품과 관련된 SiC Cathode, SiC Ring의 국산화 실현으로 높은 시장 점유율을 보이고 있습니다. 6. 수주상황

(단위 : 억원)

품 목	수주잔고

Gr 부문	54.2

Susceptor 부문	6.3

Solid SiC 부문	100.9

합 계	161.4

▲ 당사는 거래처별로 연속적인 수주를 받고 있기 때문에 기납품액을 별도로 표기하지 않았습니다. ▲ 수주 잔고 작성 기준일은 2016년 06월 30일입니다.

7. 시장위험과 위험관리 가. 주요 시장위험 내용 당 사 는 외화표시 매출, 매입거래 에 따라 환율변동에 의한 리스크가 상존하고 있으며, 이러한 환 리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 지속가능한 경영 실현을 목표로 환 리스크를 관리하고 있습니다. 나. 위험관리방식

당사는 보다 체계적이고 지속적인 환위험관리를 위하여 외환관리규정 제정 및 전담인원을 배정하여 업무를 수행하고 있습니다. 당사는 재무건전성을 위하여 무차입경영을 실현하고 있으며, 2016년 06월 30일 현재 외부로부터 차입한 차입금은 없습니다.

8. 파생상품 거래현황 가. 파생상품 거래현황 및 파생상품 계약으로 발생한 손익 현황회사는 환율 변동에 따른 위험을 회피할 목적으로 통화선도거래 계약 및 환변동보험 계약을 체결하고 있습니다. 매매목적의 파생상품계약과 관련하여 발생된 손익은 당기손익으로 인식하였습니다.파생상품계약과 관련하여 당반기말 현재 계약이 진행중인 체결 내역은 다음와 같습니다. (1) 통화선도체결 평가내역(2016년 06월 30일 현재)

(단위 : 달러, 엔, 천원)

구분	상품명	목적	POSITION	가입일자	만기일	계약액	환율(원)	평가손익(천원)

계약환율	기준환율

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-30	2016-08-29	$55,850.00	1,150.5000	1,165.5113	(838)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-22	2016-08-22	$59,090.00	1,155.2000	1,165.4341	(605)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-30	2016-08-12	$230,698.00	1,150.3500	1,165.3031	(3,450)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-30	2016-08-12	$136,272.00	1,150.3500	1,165.3030	(2,038)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-22	2016-08-10	$91,504.00	1,155.0500	1,165.2824	(936)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-08	2016-08-08	$250,756.00	1,156.2000	1,165.2574	(2,271)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-22	2016-08-05	$230,698.00	1,155.0000	1,165.2166	(2,357)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-22	2016-08-05	$181,600.00	1,155.0000	1,165.2166	(1,855)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-06-08	2016-07-22	$121,810.00	1,155.9500	1,165.0763	(1,112)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-05-04	2016-07-07	$53,070.00	1,153.0500	1,164.8570	(627)

통화선도부채	선물환	매매목적	매도	2016-05-04	2016-07-04	$125,631.00	1,153.0000	1,164.8318	(1,486)

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-14	2016-08-17	$14,040.00	1,172.0000	1,165.3927	93

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-03	2016-08-04	$93,054.00	1,184.6500	1,165.2354	1,807

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-03	2016-08-01	$169,488.00	1,184.6000	1,165.2086	3,287

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-14	2016-08-01	$55,850.00	1,171.7500	1,165.1980	366

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-14	2016-07-29	$241,365.00	1,171.7000	1,165.1684	1,576

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-14	2016-07-29	$153,696.00	1,171.7000	1,165.1684	1,004

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-26	2016-07-28	$52,800.00	1,181.1000	1,165.1647	841

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-26	2016-07-25	$171,458.00	1,181.0500	1,165.1298	2,730

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-26	2016-07-22	$6,318.00	1,181.0000	1,165.0913	101

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-18	2016-07-21	$42,240.00	1,181.1500	1,165.0777	679

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-03	2016-07-20	$229,472.00	1,184.4000	1,165.0655	4,437

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-06-03	2016-07-19	$176,264.00	1,184.3800	1,165.0510	3,407

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-18	2016-07-18	$316,655.00	1,181.1000	1,165.0346	5,087

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-11	2016-07-08	$104,400.00	1,166.6000	1,164.8773	180

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-11	2016-07-08	$41,996.00	1,166.6000	1,164.8774	72

통화선도자산	선물환	매매목적	매도	2016-05-18	2016-07-06	$4,790.00	1,180.8500	1,164.8442	77

합계	$3,410,865.00	-	-	(8,168)

통화선도부채	선물환	매매목적	매수	2016-06-29	2016-09-20	￥32,335,527.00	11.4700	11.3609	(3,517)

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-04-07	2016-07-20	￥5,448,254.00	10.6700	11.3299	3,593

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-04-15	2016-07-20	￥151,200.00	10.5790	11.3299	113

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-04-27	2016-07-20	￥36,617,364.00	10.3780	11.3299	34,831

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-04-29	2016-07-20	￥109,200.00	10.6950	11.3299	69

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-06-30	2016-07-20	￥3,697,500.00	11.2780	11.3299	192

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-05-23	2016-08-22	￥27,877,479.00	10.8730	11.3453	13,141

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-05-31	2016-08-22	￥28,675,122.00	10.7790	11.3453	16,207

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-06-13	2016-09-20	￥39,911,438.00	11.1390	11.3609	8,831

통화선도자산	선물환	매매목적	매수	2016-06-30	2016-09-20	￥1,911,840.00	11.3130	11.3609	91

합계	￥176,734,924.00	-	-	73,552

(2) 파생상품 거래내역(2016년 06월 30일 현재)

(단위 : 천원)

상품명	목적	거래이익	거래손실

선물환 및 환변동보험	매매목적	315,247	121,960

9. 경영상의 주요계약당사는 1996년 08월 07일자로 특수관계자인 일본국 TOKAI CARBON CO.,LTD.와 기술도입계약을 체결하였으며, 동 기술도입계약은 매년 08월 01월부터 익년 07월 31일까지 연간 단위로 자동연장하고 있습니다.

(단위 : 천원)

계약처	제22기 반기	제21기 반기

TOKAI CARBON CO.,LTD.	998,870	497,458

그리고 특수관계자인 케이씨텍주식회사와 2000년 09월 01일자로 SC 및 ESC의 사업양수 및 사업권부여계약을 체결하였으며, 동 계약이 종료됨에 따라 2010년 09월 01일자로 동 계약에 대한 자동연장 조건으로 재계약을 체결하였습니다. 또한, 2011년 06월 16일자로 V사향 SiC-Coating 매출에 대한 사업권부여재계약을 체결하였으며, 변경사항 없을시 자동연장 조건으로 재계약을 체결하고 있습니다. 상기 계약과 관련하여 발생한 지급수수료는 아래와 같습니다.

(단위 : 천원)

계약처	제22기 반기	제21기 반기

주식회사 케이씨텍	388	144

거래선	항 목	내 용

TOKAI CARBON CO., LTD.	계약 유형	기술도입계약

체결시기 및 기간	1996년 08월 07일 최초 체결08월01월부터 익년 07월 31일까지 연간 단위로 자동연장

목적 및 내용	CVD SiC-Coating 매출액에서 원재료가액을 공제한 금액의 1% 및 3%

대금수수 방법	-

기타 주요내용	-

(주)케이씨텍	1) 계약 유형	사업권부여계약

체결시기 및 기간	1차 : 2000년 09월01일 부터 2010년 08월 31일 까지2차 : 2011년 09월01일 부터 2012년 08월 31일 까지→ 변경사항 없을시 1년 자동연장

목적 및 내용	1차 : SC 및 ESC의 사업부문에서 발생한 매출액의 4%2차 : SC 사업부문에서 발생한 매출액의 3%

대금수수 방법	-

기타 주요내용	-

2) 계약 유형	사업권부여계약

체결시기 및 기간	1차 : 2004년 06월16일 부터 2010년 06월 15일2차 : 2011년 06월16일 부터 2012년 06월 15일→ 변경사항 없을시 1년 자동연장

목적 및 내용	1차 : V사향 SiC-Coating 매출대금 회수액의 5%2차 : V사향 SiC-Coating 매출액의 3%

대금수수 방법	-

기타 주요내용	-

10. 연구개발활동 가. 연구개발활동의 개요당사에서 주력으로 생산하고 있는 반도체 공정, 태양전지 및 LED 공정부품 분야에 사용되는 핵심부품의 기술개발을 통한 성장동력 확보를 위하여 핵심 기술인력의 확보와 투자를 확충하고 있습니다.

나. 연구개발 담당조직

당사는 한국산업기술협회로부터 2009년 03월 '연구개발 전담부서'에 대한 설치 승인을 득하고 연구전담부서를 운용하였으며, 2012년 03월에 한국산업기술협회로부터 '기업부설 연구소' 인가를 얻어 CVD-SiC Coating을 이용한 신제품 개발 연구를 진행하고 있습니다. - 연구개발 인력현황 (2016년 06월 30일 현재)

개발조직	연구전담요원	비 고

연구소	연구소 담당 임원	1	-

수석 연구원	-

책임 연구원	1

선임 연구원	3

주임 연구원	5

계	10

다. 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제22기 반기	제21기	제20기	비 고

원 재 료 비	-	-	39,244	-

인 건 비	424,043	632,312	505,301	-

감 가 상 각 비	51,512	78,968	101,136	-

위 탁 용 역 비	109,637	30,774	8,200	-

기 타	615,584	781,788	658,808	-

연구개발비용 계	1,200,776	1,523,842	1,312,689	-

회계처리	판매비와 관리비	1,200,776	1,523,842	1,078,771	-

제조경비	-	-	233,918	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기 매출액×100]	2.72%	2.46%	2.90%	-

▲ 상기의 개발비용은 연구소 외에 생산기술 연구비를 포함하였습니다. 라. 연구개발 실적(1) SiC Dummy Wafer 제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	8인치, 6인치, SiC Wafer의 가공기술	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- SiC Wafer는 반도체 소자 생산공정중 Dummy용도로 Chamber내부의 조건을 맞추기 위해서 Silicon Wafer대용으로 사용됩니다.Silicon Wafer는 공정에 사용함에 따라 약품증착에 의하여 표면에 막이 형성되는데 이막을 식각시키고 Cleaning하여 재사용하게 되는 후작업이 필요하게 되어 공정의 Loss가 발생하게 됩니다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 공정사용 중 증착량이 미미하여 후작업을 하지 않고 장시간 사용할 수 있는 SiC Wafer를 개발하게 되었습니다.▶ 제품특성- 고온에 의한 열변형이 없고 내약품성이 강함.- Out Gassing이 거의 없고 Life Time이 길다.▶ 용도- Diffusion, LP-CVD, Sputter 등의 Dummy용	-

연구 결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 제조업체	-

(2) SiC Monitoring Wafer제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	SiC Wafer의 표면처리 경면화기술	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- Monitoring Wafer는 공정사용중 Silicon Wafer 표면의 막상태를 검증하는 Wafer로써 한번 사용하고 나면 다시 사용하지 못하고 버리게 되는데, 이러한 공정에서 재사용이 가능한 SiC Wafer를 개발하게 되었습니다.▶ 제품특성- 금속과의 확산이 거의 없다.- 초고순도로 Particle이 일어나지 않는다.▶ 용도- Diffusion 공정의 Monitoring용	-

(3) 12인치 SiC Wafer 제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	12인치 SiC Wafer의 개발	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- 8인치 SiC Wafer의 제품개발에 성공하여 양산하고 있으며, 이를 기초로 한 응용기술로 12인치 SiC Wafer를 개발하였습니다.Silicon Wafer가 8인치에서 12인치 전환시점에서 SiC Wafer도 수요가 창출될 것으로 판단되어지므로 개발에 착수한것 입니다.▶용도- Diffusion, LP-CVD, Sputter 등의 Dummy용	-

연구결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 제조업체	-

(4) 반도체 공정용 CVD-SiC Ring 개발

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 CVD-SiC Ring 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 Wafer의 공정시에 Wafer 바깥 자리에 위치하여, Device의 생산 수율을 높여 주는 역할을 하는 Ring은 현재 Wafer의 재질과 동일한 Silicon 소재가 주류를 이루나, Plasma 이온 등에 의한 침식이 빠르게 진행되는 소모성 부품입니다.이러한 문제점을 해결하기 위하여, Plasma의 내화학성이 뛰어난 SiC 소재로의 개발이 시급히 요구되는 상황이며, 일부 공정에서는, 반응 소결 SiC 소재를 사용한 Ring 등이 Silicon 소재를 대체하려는 시도가 진행되나, 반응 소결 SiC의 불순물이나, Particle 문제로 인하여 반응 소결 SiC 소재의 사용이 제한되고 있는 실정입니다. 이러한 문제점을 근본적으로 해결하기 위하여 Silicon 소재보다 Life Time이 길며, 불순물이 없는 CVD-SiC Ring을 개발하였습니다.▶ 제품 특성- Plasma에 대한 높은 내화학성과 내마모성이 강함.- 초 고순도 제품으로 Particle 발생이 없음.- Silicon, Aluminum 등과 같은 금속과의 확산이 거의 없음.▶ 용도- 반도체 공정용	-

연구결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 장비 업체 및 반도체 제조 업체	-

(5) 반도체 공정용 Susceptor

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 Susceptor 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과 및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 박막 증착 장비에서 Wafer Susceptor로 사용되는 소모성 부품으로, Graphite 소재에 제품의 내마모성과 내화학성을 증진시키기 위하여, CVD-SiC 코팅 기술을 접목시켜 Susceptor 제품을 개발하였습니다.▶ 제품 특성- 고온에 의한 열 변형이 없으며, 내화학성이 강함.- Particle 발생이 거의 없음.▶ 용도- 반도체 증착 장비용 Susceptor	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내 반도체 장비 업체 및 반도체 제조 업체	-

(6) 반도체 공정용 Heater

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 Heater 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 공정 장비에서 사용되는 Heater로, 기존에 사용하던 Graphite 소재보다 좀 더 가볍고, 강한 C/C 복합재료(Carbon/Carbon Composites)에 Particle 발생을 억제시키기 위하여, C/C Composite 위에 CVD-SiC 공법을 적용하여 개발하였습니다.▶ 제품 특성- 가볍고, 충격에 강함.- Particle 발생이 적음.▶ 용도- 반도체 공정용 Heater	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내 반도체 장비 업체	-

(7) LED용 Susceptor

구 분	내 용	비고

연구과제	LED(Light Emitting Diode)용 Susceptor 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode), EPI(Epitaxial)용 Susceptor로 사용되는 소모성 부품입니다. 본 제품은 발광 소자 제작시 반드시 필요한 핵심 부품 중의 하나로써, Susceptor의 온도 편차 제어 및 휨 등을 제어하는 등의 매우 높은 기술을 요구하며, 발광 소자의 수율을 결정하는 매우 중요한 부품입니다.본 제품은 국내에서 당사가 개발하기 전까지는 전량 외국으로부터 수입된 제품으로, 당사에서 Graphite 위에 CVD-SiC 공법으로 코팅하여 제작한 국산화 실현 제품입니다.▶ 제품 특성- 국내 최초 개발된 국산화 실현 제품으로, 내화학성이 강함.- 고온에서 열 변형이 없으며, Particle 발생이 적음.▶ 용도- 발광 소자 제조용	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내외 발광 소자 및 장비 업체	-

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항▲ 해당사항 없음.