티씨케이 분기보고서 (2021.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요계약

당사는 2019년 04월 24일자로 특수관계자인 TOKAI CARBON CO.,LTD.와 기술사용허락 계약서를 체결하였습니다. 동 계약의 계약 기간은 2019년 01월 01일부터 10년간이며, 계약 종료 후 해약의 의사표시가 없을 시 1년씩 자동 연장 됩니다.

(단위 : 천원)

계약처	제27기 3분기	제26기 3분기

TOKAI CARBON CO.,LTD..	4,912,182	4,268,892

그리고 주식회사 케이씨와 2018년 04월 18일자로 Solid SiC Ring의 판매 지원에 대한 수수료 지급 계약을 2024년 12월 31일까지 체결하였으며, 변경사항 없을시 자동연장 조건으로 재계약을 체결하고 있습니다.상기 계약과 관련하여 발생한 지급수수료는 아래와 같습니다.

(단위 : 천원)

계약처	제27기 3분기	제26기 3분기

주식회사 케이씨	3,168,544	2,649,339

거래선	항 목	내 용

TOKAI CARBON CO., LTD.	계약 유형	기술도입계약

체결시기 및 기간	2019년 04월 24일 체결2019년 01월 01일부터 10년→ 변경사항 없을시 1년씩 자동연장

목적 및 내용	기술 사용에 의한 제품의 제조, 판매

대금수수 방법	-

기타 주요내용	-

(주)케이씨	계약 유형	판매 지원에 대한 수수료 지급 계약

체결시기 및 기간	2018년 04월 18일 최초 체결2024년 12월 31일까지 적용→ 변경사항 없을시 1년씩 자동연장

목적 및 내용	제품 판매에 대한 지원

대금수수 방법	-

기타 주요내용	-

나. 연구개발활동(1) 연구개발활동의 개요당사에서 주력으로 생산하고 있는 반도체 공정, 태양전지 및 LED 공정부품 분야에 사용되는 핵심부품의 기술개발을 위하여 핵심 기술인력의 확보와 투자를 확충하고 있습니다.(2) 연구개발 담당조직당사는 한국산업기술협회로부터 2009년 03월 '연구개발 전담부서'에 대한 설치 승인을 득하고 연구전담부서를 운용하였으며, 2012년 03월에 한국산업기술협회로부터 '기업부설 연구소' 인가를 얻어 CVD-SiC Coating을 이용한 신제품 개발 연구를 진행하고 있습니다.- 연구개발 인력현황 (2021년 09월 30일 현재)

개발조직	연구전담요원	비 고

연구소	연구소 담당 임원	1	-

연구원	20

계	21

(3) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제27기 3분기	제26기	제25기	비 고

원 재 료 비	530,672	1,170,516	1,179,116	-

인 건 비	1,280,479	1,620,258	1,428,228	-

감 가 상 각 비	523,541	676,970	580,833	-

위 탁 용 역 비	27,719	63,973	55,212	-

기 타	1,229,929	1,400,320	1,430,724	-

연구개발비용 계	3,592,339	4,932,036	4,674,113	-

회계처리	판매비와 관리비	3,592,339	4,932,036	4,674,113	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기 매출액×100]	1.81%	2.16%	2.73%	-

(4) 연구개발 실적 - SiC Dummy Wafer 제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	8인치, 6인치, SiC Wafer의 가공기술	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- SiC Wafer는 반도체 소자 생산공정중 Dummy용도로 Chamber내부의 조건을 맞추기 위해서 Silicon Wafer대용으로 사용됩니다.Silicon Wafer는 공정에 사용함에 따라 약품증착에 의하여 표면에 막이 형성되는데 이막을 식각시키고 Cleaning하여 재사용하게 되는 후작업이 필요하게 되어 공정의 Loss가 발생하게 됩니다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 공정사용 중 증착량이 미미하여 후작업을 하지 않고 장시간 사용할 수 있는 SiC Wafer를 개발하게 되었습니다.▶ 제품특성- 고온에 의한 열변형이 없고 내약품성이 강함.- Out Gassing이 거의 없고 Life Time이 길다.▶ 용도- Diffusion, LP-CVD, Sputter 등의 Dummy용	-

연구 결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 제조업체	-

- SiC Monitoring Wafer제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	SiC Wafer의 표면처리 경면화기술	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- Monitoring Wafer는 공정사용중 Silicon Wafer 표면의 막상태를 검증하는 Wafer로써 한번 사용하고 나면 다시 사용하지 못하고 버리게 되는데, 이러한 공정에서 재사용이 가능한 SiC Wafer를 개발하게 되었습니다.▶ 제품특성- 금속과의 확산이 거의 없다.- 초고순도로 Particle이 일어나지 않는다.▶ 용도- Diffusion 공정의 Monitoring용	-

- 12인치 SiC Wafer 제품 국산화

구 분	내 용	비고

연구과제	12인치 SiC Wafer의 개발	-

연구기관	(주)티씨케이 연구개발전담부서	-

연구결과및기대효과	▶ 제품개요- 8인치 SiC Wafer의 제품개발에 성공하여 양산하고 있으며, 이를 기초로 한 응용기술로 12인치 SiC Wafer를 개발하였습니다.Silicon Wafer가 8인치에서 12인치 전환시점에서 SiC Wafer도 수요가 창출될 것으로 판단되어지므로 개발에 착수한것 입니다.▶용도- Diffusion, LP-CVD, Sputter 등의 Dummy용	-

연구결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 제조업체	-

- 반도체 공정용 CVD-SiC Ring 개발

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 CVD-SiC Ring 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 Wafer의 공정시에 Wafer 바깥 자리에 위치하여, Device의 생산 수율을 높여 주는 역할을 하는 Ring은 현재 Wafer의 재질과 동일한 Silicon 소재가 주류를 이루나, Plasma 이온 등에 의한 침식이 빠르게 진행되는 소모성 부품입니다.이러한 문제점을 해결하기 위하여, Plasma의 내화학성이 뛰어난 SiC 소재로의 개발이 시급히 요구되는 상황이며, 일부 공정에서는, 반응 소결 SiC 소재를 사용한 Ring 등이 Silicon 소재를 대체하려는 시도가 진행되나, 반응 소결 SiC의 불순물이나, Particle 문제로 인하여 반응 소결 SiC 소재의 사용이 제한되고 있는 실정입니다. 이러한 문제점을 근본적으로 해결하기 위하여 Silicon 소재보다 Life Time이 길며, 불순물이 없는 CVD-SiC Ring을 개발하였습니다.▶ 제품 특성- Plasma에 대한 높은 내화학성과 내마모성이 강함.- 초 고순도 제품으로 Particle 발생이 없음.- Silicon, Aluminum 등과 같은 금속과의 확산이 거의 없음.▶ 용도- 반도체 공정용	-

연구결과의상품화	주요고객 : 국내외 반도체 장비 업체 및 반도체 제조 업체	-

- 반도체 공정용 Susceptor

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 Susceptor 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과 및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 박막 증착 장비에서 Wafer Susceptor로 사용되는 소모성 부품으로, Graphite 소재에 제품의 내마모성과 내화학성을 증진시키기 위하여, CVD-SiC 코팅 기술을 접목시켜 Susceptor 제품을 개발하였습니다.▶ 제품 특성- 고온에 의한 열 변형이 없으며, 내화학성이 강함.- Particle 발생이 거의 없음.▶ 용도- 반도체 증착 장비용 Susceptor	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내 반도체 장비 업체 및 반도체 제조 업체	-

- 반도체 공정용 Heater

구 분	내 용	비고

연구과제	반도체 공정용 Heater 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- 반도체 공정 장비에서 사용되는 Heater로, 기존에 사용하던 Graphite 소재보다 좀 더 가볍고, 강한 C/C 복합재료(Carbon/Carbon Composites)에 Particle 발생을 억제시키기 위하여, C/C Composite 위에 CVD-SiC 공법을 적용하여 개발하였습니다.▶ 제품 특성- 가볍고, 충격에 강함.- Particle 발생이 적음.▶ 용도- 반도체 공정용 Heater	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내 반도체 장비 업체	-

- LED용 Susceptor

구 분	내 용	비고

연구과제	LED(Light Emitting Diode)용 Susceptor 개발	-

연구기관	(주) 티씨케이 부설 연구소	-

연구결과및기대효과	▶ 제품 개요- LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode), EPI(Epitaxial)용 Susceptor로 사용되는 소모성 부품입니다. 본 제품은 발광 소자 제작시 반드시 필요한 핵심 부품 중의 하나로써, Susceptor의 온도 편차 제어 및 휨 등을 제어하는 등의 매우 높은 기술을 요구하며, 발광 소자의 수율을 결정하는 매우 중요한 부품입니다.본 제품은 국내에서 당사가 개발하기 전까지는 전량 외국으로부터 수입된 제품으로, 당사에서 Graphite 위에 CVD-SiC 공법으로 코팅하여 제작한 국산화 실현 제품입니다.▶ 제품 특성- 국내 최초 개발된 국산화 실현 제품으로, 내화학성이 강함.- 고온에서 열 변형이 없으며, Particle 발생이 적음.▶ 용도- 발광 소자 제조용	-

연구결과의상품화	주요 고객 : 국내외 발광 소자 및 장비 업체	-