한미반도체 사업보고서 (2025.12)
1. 회사의 개요

1-1) 연결대상 종속회사 현황(요약)

(단위 : 사)

구분	연결대상회사수	주요종속회사수

기초	증가	감소	기말

상장	-	-	-	-	-

비상장	5	1	3	3	-

합계	5	1	3	3	-

※상세 현황은 '상세표-1. 연결대상 종속회사 현황(상세)' 참조

1-2) 연결대상회사의 변동내용

구 분	자회사	사 유

신규연결	HANMI SINGAPORE Pte. Ltd.	AI 반도체 산업 성장에 따른 글로벌 고객사 현지 대응

해당사항 없음	해당사항 없음

연결제외	현대차증권 자사주 24-2	2025.01 500억원 자사주 신탁계약 해지

현대차증권 자사주 24-3	2025.03 400억원 자사주 신탁계약 해지

삼성증권 자사주 24-449호	2025.05 400억원 자사주 신탁계약 해지

2) 회사의 법적, 상업적 명칭 - 당사는 한미반도체 주식회사라고 호칭합니다. - 영문의 경우 HANMI Semiconductor Co., Ltd.라 표기합니다. 3) 설립일자당사는 반도체 자동화 장비의 제조 및 판매 등을 영위할 목적으로 1980년 12월 24일에 설립되었습니다.

4) 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소 주소 : 인천광역시 서구 가좌로30번길 14(가좌동) 전화번호 : 032-571-9100 홈페이지 : http://www.hanmisemi.com

5) 중소기업 등 해당 여부

중소기업 해당 여부	미해당

벤처기업 해당 여부	미해당

중견기업 해당 여부	해당

6) 주요 사업의 내용

한미반도체는 1980년 설립후 반도체 제조용 장비를 개발 및 출시해 왔으며, 자체 기술을 적용하여 주물, 설계, 제작, 조립, 검사와 테스트까지의 수직통합제조(Vertical Integration Manufacture) 시스템을 구축하여 글로벌 주요 AI 반도체 기업에 최첨단 장비를 공급해 오고 있습니다.

당사의 주력 장비 'HBM TC(Thermal Compression) 본더'는 메모리칩에 정밀한 열과 압력을 가해 12단, 16단과 같은 고적층 HBM을 생산하는 핵심 장비입니다. AI 서버와 데이터센터 투자 확대에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 급증하고 있으며 메모리 칩의 적층도가 고단화 될수록 TC 본더의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 최근 메모리 업계는 하이브리드 본더가 기술적 난제로 개발이 지연됨에 따라 20단 이상의 HBM 적층 시 보다 넓은 HBM칩을 적층할 수 있는 신장비의 필요성이 부각되고 있습니다. 이에 따라 Wide Die 본딩이 가능한 새로운 TC 본딩 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있으며, 따라서 당사는 차세대 HBM 구조 변화에 선제적으로 대응하기 위해 'WIDE TC 본더' 출시를 앞두고 있습니다. 아울러 HBM 생산용과 시스템 반도체 적층용 하이브리드 본더도 병행 개발 중으로 향후 미래 수요에 체계적으로 대비하고 있습니다.

'6-SIDE INSPECTION' 장비는 TC 본딩 전후공정에서 HBM 수율을 관리하는 필수 검사 장비입니다. TC 본더로 적층하기 전 개별 다이의 6면을 정밀 검사하고, 적층 완료 후 최종 HBM 칩의 외관 및 접합 상태를 검사하여 불량률을 최소화합니다. HBM 생산량 증가와 고적층화 추세에 따라 검사 공정의 중요성이 높아지는 가운데, 이 장비는 HBM 수율 향상과 생산성, 검사 정밀도를 크게 향상시키며 향후 당사 매출 성장에 기여할 것으로 기대됩니다.

당사는 HBM 중심의 TC 본더 라인업을 넘어 적층형 GDDR, 기업용 eSSD 등 고성능 메모리 시장으로도 사업 영역을 확장하고 있습니다. 'BOC COB 본더'는 BOC(Board On Chip)와 COB(Chip On Board) 두 가지 본딩 공정을 한 대의 장비로 처리할 수 있는 세계 최초의 투인원(Two-in-One) 본딩 장비입니다. 이 장비 하나로 두 공정이 모두 가능해져 공장 내 공간 효율화와 설비투자 비용(CAPEX) 절감을 동시에 실현할 수 있습니다. 이외에도 AI 시스템 반도체용 TC 본더, FC 본더, Die 본더를 출시하며 'AI 반도체 2.5D 패키징' 시장에 진출하였습니다. 2.5D 패키징은 실리콘 인터포저 위에 Core HBM(12단, 16단)과 베이스 다이, 그리고 CPU+GPU를 통합하는 첨단 패키징 기술로 차세대 AI 반도체에서 요구되는 초대형 다이와 멀티칩 집적을 가능하게 합니다.

또한, 'micro SAW VISION PLACEMENT(MSVP)'는 반도체 패키지의 절단→세척→건조→2D/3D 비전 검사→선별→적재까지의 공정을 일괄 처리하는 반도체 제조공정의 필수 장비입니다. 높은 안정성과 처리 속도를 바탕으로 2000년대 중반 이후 세계 시장점유율 1위를 유지하고 있는 당사의 핵심 장비이며 최근 전통 반도체 수요의 점진적 회복의 영향으로 수요가 증가하고 있습니다.

'EMI SHIELD(전자기파 차폐)'는 반도체에서 발생하는 전자파가 반도체 패키지내 다른 반도체 칩의 오작동을 유발하지 않도록 하는 공정입니다. 당사는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 출시한 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 유지하고 있으며, 최근 차세대 모델인 'EMI SHIELD 2.0 X' 시리즈를 출시하여 기술을 한층 강화하였습니다. 특히 EMI 장비는 우주항공, 저궤도 위성통신, 방산용 드론 그리고 스마트 디바이스 시장에 필수 공정인 전자파 차폐 장비로 시장 수요와 성장에 따라 매출이 지속적으로 증가할 것으로 기대합니다.

7) 신용평가에 관한 사항

(1) 재무결산기준일: 2024. 12. 31(2) 등급평가일 : 2025. 04. 30(3) 평가기관명 : (주)나이스디앤비(4) 신용등급 : AA0(5) 유효기간 : 2025. 04. 30 - 2026. 04. 29

동 평가와 관련하여 신용평가전문기관의 신용등급체계와 해당 신용등급에 부여된 의미는 다음과 같습니다.

등급	등급정의

AAA	최상위의 상거래 신용도를 보유한 수준

AA	우량한 상거래 신용도를 보유하여, 환경변화에 대한 대처능력이 충분한 수준

A	양호한 상거래 신용도를 보유하여, 환경변화에 대한 대처능력이 상당한 수준

BBB	양호한 상거래 신용도가 인정되나, 환경변화에 대한 대처능력은 다소 제한적인 수준

BB	단기적 상거래 신용도가 인정되나, 환경변화에 대한 대처능력은 제한적인 수준

B	단기적 상거래 신용도가 인정되나, 환경변화에 대한 대처능력은 미흡한 수준

CCC	현 시점에서 신용위험 발생가능성이 내포된 수준

CC	현 시점에서 신용위험 발생가능성이 높은 수준

C	현 시점에서 신용위험 발생가능성이 매우 높고 향후 회복가능성도 매우 낮은 수준

D	상거래 불능 및 이에 준하는 상태에 있는 수준

NG	등급부재: 신용평가불응, 자료불충분, 폐(휴)업 등의 사유로 판단보류

주) 기업의 신용능력에 따라 AAA 등급에서 D등급까지 10등급으로 구분 표시되며, 등급 중 AA 등급에CCC 등급까지의 6개 등급에는 그 상대적 우열 정도에 따라 +,- 기호가 첨부.

8) 회사의 주권상장 (또는 등록ㆍ지정) 여부 및 특례상장에 관한 사항

주권상장(또는 등록ㆍ지정)현황	주권상장(또는 등록ㆍ지정)일자	특례상장 유형

유가증권시장 상장	2005년 07월 22일	해당사항 없음

9) 계열회사 관련사항 당사는 본 보고서 작성기준일 현재, 총 4개의 계열회사(지분율 30% 이상)를 보유하고 있으며, 자세한 사항은 본 보고서 IX. 계열회사와 XII. 상세표를 참고하시길 바랍니다.