우리엔터프라이즈 분기보고서 (2024.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요계약 등해당사항없음

나. 연구개발활동의 개요당사의 연구개발 조직은 Part별로 구성됩니다. LED 개발 Part 에서는 국내는 물론 유럽, 미국, 중국 등 세계각지의 조명 및 Display 모듈 등 다양한 고객사들의 요구로 개발, 생산 하고 있습니다. 당사는 고객사에 맞는 고효율, 장수명 제품을 개발하기 위하여 신공법 및 신소재 등 지속적인 연구, 개발 활동을 통해 시행착오를 최소화하고, 원가혁신 및 조기에 품질확보를 하기위한 활동 위주로 개발을 수행합니다.또한, 건강기능식품 및 식물공장 연구 Part에서는 우리나라에서만 자라는 고유한 약용식물의 재배 및 성분 추출을 통한 당사만의 고유한 개별인정형 원료에 대한 개발활동을 진행하고 있으며, 의료용 대마 재배, 대마 성분 연구를 준비하고 있습니다.(1) 연구개발담당조직

조직	인원	주요업무

건강기능식품 및식물공장 연구소	10	건강기능식품 원료 소재 개발 및 식물공장 종자 개발

(2) 연구개발비용(단위: 백만원)

과목	제59기 1분기	제58기	제57기	비고

원 재 료 비	2,316	9,573	7,602	-

인 건 비	705	2,376	2,317	-

감가상각비	-	-	-	-

위 탁 용 역 비	-	-	-	-

기 타	528	1,167	955	-

연구 개발비용 계	3,549	13,116	10,874	-

회계처리	판매비와 관리비	2,231	8,397	7,019	-

제조경비	1,318	4,719	3,858	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	1.2	0.7	0.8	-

나. 연구 개발 실적(1)연구 개발 실적

번호	개발기술명	적용제품	성과	개발완료시기(00년, 0월)	기술개발	자금조달

1	Side View 패키징2.8X1.2X0.8T패키징개발	Netbook	신제품개발	09년 12월	독자개발	자체

2	Top View 패키징3.0X1.4X1.2T 패키징 개발	NetbookNote PC	신제품개발	09년 4월	독자개발	자체

3	Top View 패키징5.0X5.0X1.2T 패키징 개발	조명용	신제품개발	09년 9월	독자개발	자체

4	Top View 패키징3.0X2.0X0.8T 패키징 개발	Ultra Slim모니터용	신제품개발	09년 4월	독자개발	자체

5	Top View 패키징5.6X3.0X0.9T 패키징 개발	TV	신제품개발	09년 9월	독자개발	자체

6	Top View 패키징4.1X1.4X0.8T 패키징 개발	Note PC	신제품개발	10년 6월	독자개발	자체

7	Top View 패키징6.0X3.0X1.0T 패키징 개발	TV	신제품개발	10년 9월	독자개발	자체

8	Top View 패키징7.0X2.0X1.0T 패키징 개발	모니터용	신제품개발	10년 4월	독자개발	자체

9	IOL 패키징 개발7.4X7.4X T 패키징 개발	Direct BLU	신제품개발	11년 12월	독자개발	자체

10	Low Vf Side View 패키징3.8X1.2X0.8T 개발	NetbookNote PC	신제품개발	12년 9월	독자개발	자체

11	Ultra Slim Side View3.8X1.0X0.6T 패키지 개발	NetbookNote PC	신제품개발	12년 9월	독자개발	자체

12	대형 TV BLU用 Top View Hybrid7.0X3.0X0.8T 패키지 개발	TV	신제품개발	12년 6월	독자개발	자체

13	T3228 Middle Power 패키징 개발	조명	신제품개발	12년 6월	독자개발	자체

14	WIDE COLOR GAMUT LED PKG6.0x3.0x0.8T 패키지 개발	TV	신제품개발	12년 9월	독자개발	자체

15	내열성 신규 Material을 적용한 LED Lead Frame 개발	TV	신제품개발	12년 11월	독자개발	자체

16	Ceramic 패키징 개발 (3030C)	조명	신제품개발	12년 5월	독자개발	자체

17	D.C 4.5W/12W COB개발	조명	신제품개발	12년 3월	독자개발	자체

18	A.C 5W/30W COB개발	조명	신제품개발	12년 6월	독자개발	자체

이외, 연구개발 실적-고내열성 Reflector 수지 및 기판 개발 High CRI 형광체 개발-고내열성 봉지제 개발-High Voltage Flip Chip 개발-Slim 직하용 광각 Len’s-Quantum Dot Nano 형광체 개발-Eutectic Bonding 공법-Compress Len’s Molding 공법-Conformal Coating 공법(2)주요 핵심 기술 현황가. 특허보유현황ㅇ 특허/프로그램 출원 등록실적LED-사업부

번호	출원등록자	특허/프로그램명	국가명	출원등록일	출원등록순번출원등록자수	비고

1	우리이앤엘	댐 인캡식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법	대한민국	2008.01.24	10-0799553	등록

2	우리이앤엘	단차 인캡식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법	대한민국	2008.02.11	10-0804021	등록

3	우리이앤엘	리드프레임 내의 내부 반사층이 라운드 형태를 갖는 엘이디	대한민국	2007.11.01	10-0774251	등록

4	우리이앤엘	엘이디 백라이트 장치	대한민국	2008.03.28	10-0819652	등록

5	우리이앤엘	광학 구조물을 갖는 엘이디 백라이트 장치	대한민국	2008.03.28	10-0819657	등록

6	우리이앤엘	발광소자의 제조 방법 및 리드 프레임 구조	대한민국	2009.03.02	10-0887598	등록

7	우리이앤엘	발광소자 및 그 제조 방법	대한민국	2008.10.06	10-0863035	등록

8	우리이앤엘	ＬＥＤ 어레이 검사장치 및 그 검사방법	대한민국	2010.05.06	10-0957748	등록

9	우리이앤엘	연성 회로 기판	대한민국	2008.11.05	10-0868240	등록

10	우리이앤엘	반도체 발광소자 패키지	대한민국	2011.06.08	10-1041503	등록

11	우리이앤엘	발광 장치	대한민국	2012.03.16	10-1129585	등록

12	우리이앤엘	발광 장치	대한민국	2012.05.04	10-1145209	등록

13	우리이앤엘	발광 장치	대한민국	2012.04.13	10-1138442	등록

14	우리이앤엘	발광장치	대한민국	2010.12.20	KR10-2010-0130453	출원

15	우리이앤엘	발광장치	대한민국	2010.12.20	KR10-2010-0130454	출원

16	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2011.07.19	KR10-2011-0087667	출원

17	우리이앤엘	발광소자	대한민국	2011.08.17	KR10-2011-0100703	출원

18	우리이앤엘	발광 모듈	대한민국	2011.10.26	KR10-2011-0122162	출원

19	우리이앤엘	발광 모듈	대한민국	2011.12.12	KR10-2011-0132747	출원

번호	출원등록자	특허/프로그램명	국가명	출원등록일	출원등록순번출원등록자수	비고

20	우리이앤엘	칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법	대한민국	2012.05.18	KR10-2012-0052868	출원

21	우리이앤엘	칩온보드 타입 발광 모듈	대한민국	2012.05.18	KR10-2012-0052869	출원

22	우리이앤엘	발광 장치	대한민국	2012.07.18	KR10-2012-0078282	출원

23	우리이앤엘	발광 장치 및 그 제조 방법	대한민국	2012.07.23	KR10-2012-0079829	출원

24	우리이앤엘	발광장치용리드프레임원판 및 이를 이용한발광장치제조방법	대한민국	2012.08.21	KR10-2012-0091107	출원

25	우리이앤엘	LED 기판	대한민국	2007.02.27	30-0442374-00-00	등록

26	우리이앤엘	발광다이오드	대한민국	2007.10.05	30-0465248-00-00	등록

27	우리이앤엘	발광다이오드	대한민국	2007.10.05	30-0465248-00-02	등록

28	우리이앤엘	발광다이오드	대한민국	2007.10.05	30-0465248-00-01	등록

29	우리이앤엘	발광다이오드	대한민국	2009.06.08	30-0531036-00-00	등록

30	우리이앤엘	발광다이오드	대한민국	2010.03.08	30-0555425-00-00	등록

31	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2011.10.07	30-0616436	등록

32	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.01.20	30-0630521	등록

33	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.01.13	30-0629702	등록

34	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.10.12	30-0664105	등록

35	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.05.24	KR30-2012-0025646	출원

36	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.05.24	KR30-2012-0025647	출원

37	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.05.24	KR30-2012-0025648	출원

38	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.05.24	KR30-2012-0025650	출원

39	우리이앤엘	발광다이오드 패키지	대한민국	2012.05.24	KR30-2012-0025652	출원

40	우리이앤엘	반도체 레이저 다이오드	대한민국	1997.11.07	10-0129379	등록

41	우리이앤엘	반도체 레이저	대한민국	1998.04.16	10-0144190	등록

42	우리이앤엘	반도체 레이저	대한민국	1998.04.16	10-0144188	등록

번호	출원등록자	특허/프로그램명	국가명	출원등록일	출원등록순번출원등록자수	비고

43	우리이앤엘	다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의 제조방법	대한민국	2010.07.09	10-0970611	등록

44	우리이앤엘	고 광적출 효율 발광 다이오드 및 그의 제조 방법	대한민국	2006.11.01	10-0644052	등록

45	우리이앤엘	발광 다이오드 및 그 제조방법	대한민국	2006.12.13	10-0659899	등록

46	우리이앤엘	발광소자와 그의 제조방법	대한민국	2008.10.22	10-0865740	등록

47	우리이앤엘	발광소자와 그의 제조방법	대한민국	2009.02.17	10-0885190	등록

48	우리이앤엘	화합물 반도체를 이용한 발광소자	대한민국	2008.10.15	10-0864609	등록

49	우리이앤엘	질화물계 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2009.03.12	10-0889569	등록

50	우리이앤엘	질화물계 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2009.03.12	10-0889568	등록

51	우리이앤엘	3차원 구조의 전방향 반사경을 구비한 질화물계 발광소자	대한민국	2010.10.20	10-0990226	등록

52	우리이앤엘	화합물 반도체를 이용한 발광소자	대한민국	2009.06.09	10-0903103	등록

53	우리이앤엘	화합물 반도체를 이용한 발광소자	대한민국	2009.11.02	10-0925704	등록

54	우리이앤엘	하이브리드 버퍼층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법	대한민국	2010.07.29	10-0974048	등록

55	우리이앤엘	발광소자 및 이의 제조방법	대한민국	2011.02.24	10-1019134	등록

56	우리이앤엘	임의의 발진파장을 갖는 발광소자 제조방법	대한민국	2010.03.08	10-0947507	등록

57	우리이앤엘	비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한 발광소자	대한민국	2010.12.06	10-1000279	등록

58	우리이앤엘	화합물 반도체 발광소자 및 발광소자를 위한 발광소자의 화	대한민국	2010.05.06	10-0957724	등록

59	우리이앤엘	발광 소자	대한민국	2010.05.06	10-0957750	등록

60	우리이앤엘	에피택셜 성장 방법 및 이를 이용한 질화물계 발광소자	대한민국	2011.03.02	10-1020498	등록

61	우리이앤엘	수직형 질화물계 발광소자의 제조방법	대한민국	2011.01.27	10-1012638	등록

62	우리이앤엘	발광 소자	대한민국	2011.01.27	10-1012636	등록

63	우리이앤엘	질화물계 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2011.08.30	10-1062283	등록

64	우리이앤엘	질화물계 발광소자	대한민국	2011.07.28	10-1053799	등록

65	우리이앤엘	질화물계 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2011.08.30	10-1062282	등록

66	우리이앤엘	질화물계 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2012.03.21	10-1131085	등록

67	우리이앤엘	질화물계 발광소자의 제조방법	대한민국	2011.07.07	10-1049158	등록

68	우리이앤엘	3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법	대한민국	2009.08.18	KR10-2009-0076071	출원

69	우리이앤엘	3족 질화물 반도체 발광소자	대한민국	2011.08.08	10-1056754	등록

70	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2011.12.14	10-1096751	등록

71	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2009.12.22	KR10-2009-0129218	출원

72	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2012.02.10	10-1117484	등록

73	우리이앤엘	인듐갈륨나이트라이드 양자점을 형성하는 방법	대한민국	2012.07.31	10-1171250	등록

74	우리이앤엘	수직형 반도체 발광소자 및 그 제조방법	대한민국	2012.02.17	10-1120006	등록

75	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2012.03.21	10-1131084	등록

76	우리이앤엘	3족 질화물 반도체 발광소자의 제조방법	대한민국	2012.04.20	10-1140660	등록

77	우리이앤엘	발광다이오드의 코팅 방법	대한민국	2011.07.18	10-1051328	등록

78	우리이앤엘	3족 질화물 반도체 발광소자	대한민국	2011.07.18	10-1051327	등록

79	우리이앤엘	화합물 반도체 발광소자	대한민국	2010.07.20	KR10-2010-0069985	출원

80	우리이앤엘	발광소자의 코팅 방법	대한민국	2012.03.23	10-1131884	등록

81	우리이앤엘	발광다이오드의 코팅 방법	대한민국	2011.10.24	10-1077861	등록

82	우리이앤엘	발광다이오드의 코팅 방법	대한민국	2011.10.24	10-1077862	등록

83	우리이앤엘	반도체 발광소자 검사장치	대한민국	2012.05.30	10-1153339	등록

84	우리이앤엘	반도체 발광소자	대한민국	2011.04.06	KR10-2011-0031494	출원

85	우리이앤엘	SEMICONDUCTOR LASER HIGH OPTICALGAIN QUANTUM WELL	USA	1994.09.06	US5,345,461	등록

86	우리이앤엘	NITRIDE SEMICONDUCTOR LED USING A HYBRIDBUFFER LAYER AND A FABRICATION THEREFOR	USA	2011.11.01	US8,048,701	등록

87	우리이앤엘	LIGHT EMITTING DEVICE USING COMPOUND SEMICONDUCTOR	USA	2012.10.23	US8,294,178	등록

88	우리이앤엘	LIGHT-EMITTING DEVICE USING CLAD LAYERCONSISTING OF ASYMMETRICAL UNITS	USA	2012.10.23	US8,294,164	등록

89	우리이앤엘	LIGHT GENERATING DEVICE INCLUDINGCOMPOUND SEMICONDUCTOR...	USA	2012.5.15	US8,178,375	등록

90	우리이앤엘	SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE	USA	2011.02.11	US13/058,595	등록

91	우리이앤엘	LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHODFOR FABRICATING THE SAME	JAPAN	2009.12.28	JP2010-514606	출원

92	우리이앤엘	COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE	JAPAN	2012.8.31	JP5073819	등록

바이오(식물공장 및 천연소재물사업)

번호	출원등록자	특허/프로그램명	국가명	출원등록일	출원등록번호	비고

1	우리바이오	버섯 균사체를 함유한 건강보조식품의 제조방법 및그 방법에 의한 식품	대한민국	2019.05.17	제10-1908393호	출원