주성엔지니어링 분기보고서 (2021.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요 계약보고서 작성기준일 기준 당사의 경영상 주요 계약은 다음과 같습니다.

계약상대방	계약 종류	계약체결시기	계약기간	계약의 목적

한국타이어앤테크놀로지(주)	부동산 임대차 계약	2020-01-28	2020.01.28 ~ 2040.01.27	장기임대계약 체결(임차인 : 한국타이어앤테크놀로지)

(주)스킨렉스	부동산 매매계약	2021-02-18	2021.02.18 ~ 2021.07.15	광주 본사 일부 건물 매각

SGC이테크건설(주)	공사 도급 계약	2021-05-25	2021.06.21 ~ 2022.05.31	생산 Capa 확대 및 생산 효율성 증대를 위한 광주 본사 신규시설투자

(주)무한	포괄 영업양수도 계약	2021-06-01	2021.06.01 ~ 2021.12.31	개발활동의 효율성 및 생산성 향상을 위한 양수

엠텍에스티에스(주)	부동산 임대차 계약	2021-07-01	2022.01.01 ~ 2022.01.31	단기임대계약 체결(임차인 : 엠텍에스티에스(주))

- 영업양수도에 대한 자세한 사항은 Ⅲ. 재무에 관한 사항의 8. 기타 재무에 관한 사항의 (3) 최근 3사업연도 중 합병, 분할, 자산양수도 또는 영업양수도 사항을 확인하시기 바랍니다. 나. 연구개발활동(1) 연구개발 담당조직 당사 연구개발 조직은 반도체, 디스플레이, 태양전지 차세대 공정 장비를 중점적으로개발하고 있으며, 2020년 2월 완공한 용인R 중심으로 자체적인 연구개발 및 산학연, 국내외 고객사 등과 활발한 공동연구개발을 수행하고 있습니다. 이러한 활발한 연구개발은 향후 당사의 중장기적인 매출증가에 기여할 것으로 예상됩니다. 보고서작성일 기준 전체 임직원 424명 중 약 65%에 해당하는 275명의 연구개발인력을 보유하고 있습니다.

(2) 연구개발비용(단위: 백만원)

과 목	제27기 3분기	제26기	제25기	비 고

원 재 료 비	13,492	30,297	24,232	-

인 건 비	11,524	12,639	12,499	-

감 가 상 각 비	7,246	7,837	4,274	-

위 탁 용 역 비	152	25	25	-

기 타	5,177	8,243	13,404	-

국 고 보 조 금	(1,917)	(6,925)	(836)	-

연구개발비용 계	35,674	52,116	53,598	-

회계처리	판매비와 관리비	35,674	52,116	53,598	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	15.12%	43.96%	21.05%	-

(3) 연구개발 실적

연구과제	연구기관	주요내용

매엽식 LP CVD 장비 개발	주성 연구소	소자의 Thermal Budget 감소 요구에 따라 보다 낮은 온도에서도 양산성을 유지하면서 질화막 및 산화막을 형성할 수 있는 매엽식 LP CVD 장비 개발

Selective-HSG 장비 개발	주성 연구소, 삼성전자	Cold Wall Type 매엽식 Selective-HSG 형성 장비를 삼성전자와 공동으로 개발하여 세계 최초로 양산화에 성공하였고, 2001년에는 세계일류상품(산업자원부)으로 선정되었음

Ta2O5 MO CVD 장비 개발	주성 연구소	차세대 메모리 커페시터에 적용되는 탄탈륨산화막(Ta2O5) 증착용 MO CVD 장비개발 및 양산성 검증 완료하였고, 그 핵심 기술은 양산성 있는 '액체운반시스템(Liquid Delivery System)'과 액체원료기화장비(Liquid Vaporizer)'임

BST-MO CVD 장비 개발	주성 연구소서울대 신소재공동연구소	준양산 수준의 200mm BST-MO CVD 장비 개발 완료 및 일본의 소자업체에도 수출하였음. 기술적으로는 Single Type 및 2-Way LDS를 개발하여 필요에 따라 BST 박막 내 각 성분을 임의로 조절 가능하도록 하였음.

HfO2-ALD 장비 개발	주성 연구소	소자의 고집적화가 진행됨에 따라 보다 큰 유전상수를 갖는 유전막이 필요하게 되었고, 차세대 DRAM 커페시터, Flash 메모리 Floating 게이트 산화막 및 트랜지스터 게이트산화막으로 적용이 유력하게 검토되고 있는 HfO2 박막 증착 장비를 개발하였고 현재 양산성 검증 진행 중

HDPCVD 장비 개발	주성 연구소	반도체 소자의 고집적화 되면서 소자간 및 층간 절연막 형성에 기존 기술로는 한계에 부딪힘에 따라 고밀도 플라즈마 방식을 사용하면 매우 작고 깊은 구멍을 빈틈없이 절연막을 매립하는 것이 가능하며 이 기술은 미세형상을 포함하는 미래의 모든 반도체 제조공정에 모두 적용 가능함.

TiN-ALD 장비 개발	주성 연구소	소자의 미세화가 진전되면서 기존 CVD-TiN 대신 ALD-TiN을 채택하면서 고단차비(High Aspect Ratio)를 갖는 구조에서도 피복성(Step Coverage)과 막질이 우수한 박막 확보 가능함. 2003년 하반기에는 유럽의 소자업체에 납품하여 현재 양산 검증 진행 중.

300mm Ta2O5-MO CVD 장비 개발	주성 연구소	300mm wafer 공정을 수행할 수 있는 탄탈륨 산화막 증착 장비를 주성 고유의 기술로 개발, 상품화에 성공함으로써 차세대 생산 설비인 300mm 장비에서도 지속적인 기술력을 확보하였음.

Poly-SiGe 증착장비 개발	연세대학교,하이닉스주성 연구소	Logic제품과 DRAM제품의 Poly SiGe Dual Gate 공정에 적용되며 Gate Oxide 와 Poly 계면에 Carrier 농도가 증가되어 활성화도를 높여주는 차세대제품에 적용할 수 있는 공정임.

SiGe_Epi 장비 개발	연세대학교,주성 연구소	반도체소자의 최소선폭 감소에 따라 트랜지스터의 크기도 감소하면서 기존의 열산화막/폴리실리콘 게이트 구조로는 게이트 누설전류, 전자의 이동도 등 집적화에 대한 기술적 한계에 부딪힘. 그러한 문제를 해결하기 위하여 반도체소자에서 채널 및 소스/드레인 물질을 Si/SiGe Epi Layer 대체하여 소자의 작동 성능이 향상될 수 있도록 SiGe Epitaxial 성장 장비를 연세대와 산학과제로 공동 개발 중.

Selective Si-Epitaxial Growth 장비 개발	주성 연구소,삼성전자	CMOS반도체의 고집적화에 따른 공정 Margin 확보를 위하여 반도체소자 트랜지스터의 Elevated Source/Drain 공정에 적용함. 양산성에서 경쟁력 확보를 위하여 Epi Precleaning Chamber 개발을 포함한 설비 개선 진행 중.

매엽식 LCD 장비 개발	주성 연구소	LCD 절연막 및 비정질 막을 형성하는 장비로 Muti Chamber System에 적합한 장비개발을 목적으로 4세대용 LCD 장비를 성공적으로 개발 완료하고 이를 바탕으로 보다 대면적 처리 장비인 5세대 장비까지 개발 완료하여 LCD 양산 적용 중.

ALD(원자층 증착) 장비 개발	주성 연구소	Capacitor 유전막 및 금속박막 등 차세대 소자에서 필수적으로 요구되고 있는 극박막 형성을 위한 차세대 화학증착장비로서 자사 고유의 ALD 기술을 바탕으로 Al2O3, TiN, 등의 박막 증착 장비 개발 완료

폴리막 건식식각 장비 개발	주성 연구소	Plasma damage가 작고 공정 균일성이 우수한 차세대 300mm Ploy Dry Etcher를 현재 양산 검증 완료됨

5세대 LCD용 PE CVD 장비 개발	주성 연구소	Glass size 1,100*1,250에 해당하는 5세대 LCD용 PE CVD설비를 개발하여 현재 국내외 LCD 양산라인 적용 중

6세대 LCD용 PE CVD 장비 개발	주성 연구소	Glass Size 1,500*1,850에 해당하는 6세대 LCD용 PE CVD설비를 자사 독자적인 Transfer Module 및 Chamber 기술로 개발하였고, 2004년 초부터 국내외 대형 TFT-LCD 업체 양산라인에 납품

7세대 LCD용 PE CVD 장비 개발	주성 연구소	자사 독자적인 새로운 플라즈마 기술을 이용하여 대면적에서도 증착균일도 및 막질이 개선된 7세대 LCD PECVD(Glass size 1,950*2,250) 장비를 개발 완료하고 양산 적용

8세대 LCD용 PE CVD 장비 개발	주성 연구소	Glass Size 2,300*2,500에 해당하는 차세대 8세대용 PE CVD 장비의 Proto type장비를 제작하여 증착 특성 확인 완료하여 양산라인에 납품

TaN-ALD 장비 개발	전남대학교,주성 연구소	저전력, 고속 동작용 SoC(System On Chip) 소자 및 다층 구리(Cu) 배선기술 확보가 요구되면서 기존의 PVD 방식보다 Cu 확산방지효과 및 균일도 측면에서 우수한 TaN 박막을 얻기 위하여 TaN-ALD 장비를 전남대와 공동으로 개발 중

Low-k Dielectrics 장비 개발	서울대학교,주성 연구소	다층 배선 고집적소자에서 인접 배선간 간섭현상(Cross-Talk)으로 인한 소자 성능저하 억제를 위해 저유전율 특성의 층간절연막 증착장비를 서울대과 공동으로 개발 중.

고양산성 Semi_Batch SD CVD 장비 개발	주성 연구소	경쟁사 Furnace type ALD보다 양산성에서 확실한 경쟁력을 확보하여 경쟁력있는 장비를 개발 완료함

GaN MO CVD 장비 개발	주성 연구소	주성이 기 보유하고 있는 고온 램프 히팅 및 가스분사 기술을 활용하여 MO CVD와 ALE(Atomic Layer Epitaxy) 개념을 동일 챔버에서 구현하며 우수한 계면, 막균일도, 재현성 및 생산성을 확보할 수 있는 장비를 개발중

태양전지 장비 개발	주성 연구소	태양전지 생산공정의 Key process인 PE CVD, RIE 장비를 개발 완료함. Wafer를 원료로 하는 결정질 태양전지와 Glass를 기본으로 하는 박막형 태양전지용 장비개발을 완료하였으며, LCD의 in-fra를 기반으로 고효율, 고 생산성의 장비를 개발 하는데 주력하고 있음

Bevel Etcher 장비 개발	주성 연구소	반도체 공정 진행 중 wafer edge에 증착된 잉여 막질들을 제거 함으로서 반도체 칩의 성능과 수율을 높혀 주는 장비로, 주성의 bevel Etcher는 현재 세계에서 유일하게 Low Pressure High Density Inductively Coupled Plasma (ICP) 방식을 적용하여 wafer edge를 cleaning 하는 장비 개발 중

SEG 장비 개발	주성 연구소	반도체 소자의 초소 선폭 감소에 따라 트랜지스터의 크기도 감소하면서 기존 Si MOS소자의 성능 향상을 위해 Source/Drain에 Si/SiGe/SiC Selective Growth 한 장비를 개발 중

Semi-Batch LP CVD 개발	주성 연구소	기존 Furnace를 대체 할 수 있는 Semi-batch LP CVD

Semi-Batch SEG LP CVD 개발	주성 연구소	기존의 싱글.클러스터 SEG를 대체할 수 있는 Semi-batch LP CVD SEG 장비 개발

태양전지 제조장비 공동평가	주성 연구소,CEA(프랑스원자력위원회)	실리콘 기반의 고효율 이종접합 태양전지 제조장비 공동평가

플라즈마 요소기술 개발	주성 연구소, 한국과학기술원	플라즈마 요소기술의 원천기술 및 사업화

High-K 박막공정 개발	주성 연구소, 나노종합팹센터	DRAM과 Flash Memory를 위한 High-K 박막공정개발

장수명 박막 태양전지 접이식 모듈 개발	주성 연구소, SKCKOLONPI, 우일하이테크	민군겸용기술사업 장수명 박막 태양전지 접이식 모듈 개발

고품위 백색 LED 양산용고생산성 MO CVD 장비 개발	주성 연구소,에피밸리 등 10개사	신성장동력 스마트 포로젝트 사업 고품위 백색 LED 양산용 고생산성 MO CVD 장비 개발

MOCVD IGZOOxide TFT 장비개발	주성연구소	차세대 평판 OLED 및 LCD에 적용가능한 세계 최초 Oxide IGZO 화학증착기술 개발완료. 8세대 이상 대면적 OLED 적용 가능

미세화 공정대응 차세대Semi-batch SDP CVD 장비개발	주성연구소	미세화 공정의 양산적용이 가능한 기술로 플라즈마 손상과 열화현상을 동시에 해소 가능한 세계 최초의 장비 개발 완료