주성엔지니어링 분기보고서 (2026.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요 계약 보고서 작성기준일 기준 당사의 경영상 주요 계약은 다음과 같습니다.

계약상대방	계약 종류	계약체결시기	계약기간	계약의 목적

한국타이어앤테크놀로지(주)	부동산 임대차 계약	2020-01-28	2020.01.28 ~ 2040.01.27	장기임대계약 체결(임차인 : 한국타이어앤테크놀로지)(2021.12.20 임대차계약 변경)

나. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직(2) 연구개발비용

(단위 : 백만원)

과목	제32기 1분기	제31기	제30기	비고

원재료비	10,662	56,512	45,289	-

인 건 비	6,528	21,282	26,270	-

감 가 상 각 비	3,195	11,158	10,513	-

위 탁 용 역 비	320	172	75	-

기 타	5,507	22,939	18,535	-

국 고 보 조 금	(814)	(5,191)	(6,510)	-

연구개발비용 계	25,398	106,872	94,172

회계처리	판매비와 관리비	25,398	106,872	94,172	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	46.28%	34.40%	23.00%	-

(3) 주요 연구개발 실적

연구과제	연구기관	주요내용

매엽식 LP CVD장비 개발	주성 연구소	소자의 Thermal Budget 감소 요구에 따라 보다 낮은 온도에서도 양산성을 유지하면서질화막 및 산화막을 형성할 수 있는 매엽식 LP CVD 장비 개발

Selective-HSG장비 개발	주성 연구소, 삼성전자	Cold Wall Type 매엽식 Selective-HSG 형성 장비를 삼성전자와 공동으로 개발하여 세계 최초로 양산화에 성공하였고, 2001년에는 세계일류상품(산업자원부)으로 선정되었음

Ta2O5 MO CVD장비 개발	주성 연구소	차세대 메모리 커페시터에 적용되는 탄탈륨산화막(Ta2O5) 증착용 MO CVD 장비개발 및 양산성 검증 완료하였고, 그 핵심 기술은 양산성 있는 '액체운반시스템(Liquid Delivery System)'과 '액체원료기화장비(Liquid Vaporizer)'임

BST-MO CVD 장비 개발	주성 연구소서울대 신소재공동연구소	준양산 수준의 200mm BST-MO CVD 장비 개발 완료 및 일본의 소자업체에도수출하였음. 기술적으로는 Single Type 및 2-Way LDS를 개발하여 필요에 따라 BST 박막 내 각 성분을 임의로 조절 가능하도록 하였음.

HfO2-ALD 장비 개발	주성 연구소	소자의 고집적화가 진행됨에 따라 보다 큰 유전상수를 갖는 유전막이 필요하게되었고, 차세대 DRAM 커페시터, Flash 메모리 Floating 게이트 산화막 및 트랜지스터 게이트산화막으로 적용이 유력하게 검토되고 있는 HfO2 박막 증착 장비를 개발하였고 현재 양산성 검증 진행 중

HDPCVD 장비 개발	주성 연구소	반도체 소자의 고집적화 되면서 소자간 및 층간 절연막 형성에 기존 기술로는한계에 부딪힘에 따라 고밀도 플라즈마 방식을 사용하면 매우 작고 깊은 구멍을빈틈없이 절연막을 매립하는 것이 가능하며 이 기술은 미세형상을 포함하는 미래의 모든 반도체 제조공정에 모두 적용 가능함.

TiN-ALD 장비 개발	주성 연구소	소자의 미세화가 진전되면서 기존 CVD-TiN 대신 ALD-TiN을 채택하면서 고단차비(High Aspect Ratio)를 갖는 구조에서도 피복성(Step Coverage)과 막질이우수한 박막 확보 가능함. 2003년 하반기에는 유럽의 소자업체에 납품하여 현재 양산 검증 진행 중.

300mm Ta2O5-MOCVD장비 개발	주성 연구소	300mm wafer 공정을 수행할 수 있는 탄탈륨 산화막 증착 장비를 주성 고유의 기술로 개발, 상품화에 성공함으로써 차세대 생산 설비인 300mm 장비에서도 지속적인 기술력을 확보하였음.

Poly-SiGe증착장비 개발	연세대학교,하이닉스주성 연구소	Logic제품과 DRAM제품의 Poly SiGe Dual Gate 공정에 적용되며 Gate Oxide와 Poly 계면에 Carrier 농도가 증가되어 활성화도를 높여주는 차세대제품에 적용할 수 있는 공정임.

SiGe_Epi 장비 개발	연세대학교,주성 연구소	반도체소자의 최소선폭 감소에 따라 트랜지스터의 크기도 감소하면서 기존의열산화막/폴리실리콘 게이트 구조로는 게이트 누설전류, 전자의 이동도 등 집적화에 대한 기술적 한계에 부딪힘. 그러한 문제를 해결하기 위하여 반도체소자에서 채널 및 소스/드레인 물질을 Si/SiGe Epi Layer 대체하여 소자의 작동 성능이 향상될 수 있도록 SiGe Epitaxial 성장 장비를 연세대와 산학과제로 공동 개발 중.

Selective Si-EpitaxialGrowth 장비 개발	주성 연구소,삼성전자	CMOS반도체의 고집적화에 따른 공정 Margin 확보를 위하여 반도체소자 트랜지스터의 Elevated Source/Drain 공정에 적용함. 양산성에서 경쟁력 확보를 위하여 Epi Precleaning Chamber 개발을 포함한 설비 개선 진행 중.

매엽식 LCD 장비 개발	주성 연구소	LCD 절연막 및 비정질 막을 형성하는 장비로 Muti Chamber System에 적합한장비개발을 목적으로 4세대용 LCD 장비를 성공적으로 개발 완료하고 이를 바탕으로 보다 대면적 처리 장비인 5세대 장비까지 개발 완료하여 LCD 양산 적용 중.

ALD(원자층 증착)장비 개발	주성 연구소	Capacitor 유전막 및 금속박막 등 차세대 소자에서 필수적으로 요구되고 있는극박막 형성을 위한 차세대 화학증착장비로서 자사 고유의 ALD 기술을 바탕으로 Al2O3, TiN, 등의 박막 증착 장비 개발 완료

폴리막 건식식각장비 개발	주성 연구소	Plasma damage가 작고 공정 균일성이 우수한 차세대 300mm Ploy DryEtcher를 현재 양산 검증 완료됨

5세대 LCD용PE CVD 장비 개발	주성 연구소	Glass size 1,100*1,250에 해당하는 5세대 LCD용 PE CVD설비를 개발하여 현재 국내외 LCD 양산라인 적용 중

6세대 LCD용PE CVD 장비 개발	주성 연구소	Glass Size 1,500*1,850에 해당하는 6세대 LCD용 PE CVD설비를 자사 독자적인 Transfer Module 및 Chamber 기술로 개발하였고, 2004년 초부터 국내외 대형 TFT-LCD 업체 양산라인에 납품