SFA반도체 분기보고서 (2016.09)
II. 사업의 내용

1. 사업의 내용 가. 사업의 개요 ( 1) 산업의 특성

반도체 산업은 인간의 편리한 삶을 위한 다양한 외부환경 신호를 변환ㆍ처리하며 기억기능 제품을 창조하며 인류기술 발전을 선도하는 산업으로 정보통신산업, 전기ㆍ전자산업, 자동차산업, 항공우주산업, 바이오산업 등 첨단 산업에 없어서는 안되는핵심 산업 입니다. 반도체 산업의 첨단성, 기능성으로 인해 미래 첨단 산업분야의 기술 향상을 이끄는 중요한 동력원이 되고 있으며, 전후방 산업의 연계 효과가 매우 커서 주요 산업의 생산구조 고도화를 위한 기간산업이라 불리고 있습니다.

특히 우리나라 주요 수출품인 각종 디지털 제품의 핵심 부품으로 국가 경쟁력 향상에큰 영향을 주는 부가가치가 높은 산업으로 최근 지속적인 디지털 컨버전스와 네트워킹의 진화로 인하여 기술발전과 수요 창출이 동시에 이루어지고 있는 국가 핵심 전략산업 입니다. 반도체 산업을 둘러 싼 환경이 급격히 변화되고 있으며, 각 기업들은 새로운 성장 패러다임의 변화에 대응하여 사업구조 재편, 핵심역량 강화, 연구개발, 주변 산업의 재구축 등 자신의 강점을 재정비하고 있습니다.

반도체 생산업체는 제조공정에 따라 크게 종합반도체업체(IDM : Integrated Device Manufacturer), 설계전문업체(Fabless), 수탁제조업체(Foundry), IP 개발업체(Chipless) 등의 전공정(Front-end Process) 업체와 후공정(Back-end Process)의 패키징(packaging) 및 테스트(test) 전문업체가 있습니다. 특히 반도체는 복잡해지는 구조를 더욱 작은 크기의 칩(chip)에 구현하기 위해 팹리스, 파운드리, 후공정업체로 더욱 빠르게 전문화가 이루어지고 있습니다.

80년대 이전까지 반도체 산업은 IDM 위주로 성장하였으나 90년대 들어 설비투자 규모가 커지고 산업의 경기 변동이 확대됨에 따라 IDM 사업은 점차 높은 위험을 내포하게 되었고 이 과정에서 반도체 업체들의 구조조정, 선두권 업체의 시장 지배력 강화와 더불어 새로운 외주 비즈니스 기회가 만들어 졌습니다. 2000년대 들어서 IT 산업의 급속한 발전으로 반도체 활용분야가 다양해짐에 따라서 팹리스 분야가 더욱 활발하게 전개되었으며 이로 인해 파운드리의 거대화와 후공정의 성장으로 이어졌습니다.

[ 반도체 제조공정별 특성과 주요 기업 ]

구 분	공정별	사업특성	주요업체

일괄공정	종합반도체업체(IDM)	ㆍ기획/R/설계에서 제조 및 테스트까지
일관공정체계를 구축하여 직접 수행
ㆍ기술력과 규모의 경제를 통한 경쟁확보
ㆍ거대투자의 고위험 고수익 형태	삼성전자, 하이닉스,
Intel, TI, Toshiba,
Micron, Fujitsu

전공정
(Front-end)	설계전문
(Fabless)	ㆍ칩 설계만 전문으로 하는 업체
ㆍ높은 기술력과 인력 인프라 요구
ㆍ고도의 시장예측과 주문생산의 최소
물량수준 예측 필요	Qualcomm, Mediatek,
Broadcom, Xilinx,실리콘웍스

수탁제조
(Foundry)	ㆍ주문 방식에 의해 Wafer 생산만 전문
ㆍ직접 칩 설계하지 않고, 설계업체로부터
위탁 제조	TSMC, Globalfoundries ,
동부하이텍, 매그나칩

후공정
(Back-end)	패키징/
테스트	ㆍ가공된 Wafer의 패키징 및 테스트를
전문적으로 수행
ㆍ축적된 경험과 거래선 확보 필요	ASE, Amkor, SPIL,
SFA반도체,PSTS, PSPC

설계/장비	IP전문
(Chipless)	ㆍ설계기술 R 전문
ㆍIDM이나 Fabless에 IP 제공	ARM, Rambus

공정장비	ㆍ반도체 제조 장비 개발 및 생산	Applied Materials,
TEL, Advantest

반도체 후공정 업체는 패키징과 테스트를 전문으로 하는 업체(OSAT : Outsourced Semiconductor Assembly and Test)로 IDM 또는 팹리스, 파운드리 등의 외주(outsourcing) 조립, 테스트 및 패키징 업체를 일컫습니다.

패키징(테스트 포함)은 반도체 제조 과정 중 후공정에 속하는 산업으로 칩에 전기적인 연결을 해주고, 외부의 충격에 견디도록 성형하여 물리적 기능과 형상을 갖게 해주는 공정을 말합니다. 전자제품의 경박단소화, 다기능화 추세에 맞춰 반도체 패키징도 소형화 및 고집적화 추세로 기술 개발이 이루어지고 있으며 이런 추세가 계속됨에 따라 반도체 패키징 기술이 더욱 중요해지고 있습니다.

과거 전통적인 패키지는 반도체 칩의 단일 기능 만을 중시하여 DIP(Dual In-line Package)와 같은 삽입 실장형 패키징과 실장 면적의 축소 요구에 의해 SOP(Small Out-line Package)와 QFP(Quad Flat Package), TSOP(Thin Small Outline Package) 등의 표면 실장형태의 패키징을 거쳐 반도체 칩과 유사한 크기의 패키징인 CSP(Chip Scale Package), 신호와 전기 특성의 전달 속도를 빠르게 하는 Flip Chip과 WLP(Wafer Level Package)와 칩을 하나의 패키지로 구성하여 집적화하는 MCP(Multi Chip Package), 여러 개의 능동 소자와 수동 소자를 하나의 패키지 안에 집적화하는 SiP(System in Package)와 같은 경ㆍ박ㆍ소형화, 다기능 고집적화로 발전하고 있습니다.

패키징산업은 최근 모바일기기 및 정보기기 시장의 다양화로 패키징 형태는 더욱 더 소형화, 복합화, 다양화되면서 현재는 CSP 및 MCP, SiP 형태로 진전되어 과거 노동집약적 산업에서 벗어나 복합기능을 부여하여 부가가치를 높이는 산업으로서 역할을하고 있습니다. 이처럼 패키징산업은 고부가가치 제품 위주로 기술과 시장이 변화되고 있으며 기술적인 어려움이 있는 반도체 분야 중심으로 패키징 업체들에 대한 의존도가 증가하여 향후 반도체 패키징시장의 트렌드가 될 것으로 예상 됩니다.

(2) 산업의 성장성

반도체 산업은 글로벌 금융위기에 따른 경기침체와 IT 수요 위축으로 주문량이 급감하여 성장률이 대폭 감소하였으나, 2009년을 기점으로 지속적인 성장을 하고 있습니다. 전방산업인 Set 시장 및 소비가전 시장의 확대와 모바일 인터넷 확산에 따른 스마트폰, 태블릿PC 등 인터넷 가능기기의 고성장 및 노트북을 포함한 PC 시장의 지속 성장으로 반도체 시장규모는 더욱 확대될 전망 입니다.특히 스마트폰 산업의 경쟁이 심화되면서 신제품 차별성이 두드러질 것이며, 향후에는 기존의 스마트 디바이스에 '스스로 이동할 수 있는 능력'이 더해진 기기들의 출현이 점점 본격화될 것으로 보입니다.무인비행체인 드론이나 휴머노이드 로봇, 무인주행차량 등 스마트 Vehicle은 스마트폰 이후 성장동력이 둔화되고 있는 업체들에게 새로운 성장동력으로 작용할 전망이고, 국내 하드웨어 업체들은 기존 스마트폰 산업에서의 경쟁력을 기반으로 새로운 성장사이클을 맞이하게 될 전망입니다.2016년 반도체 시장규모는 3,361억불로 전년 대비 0.3% 증가가 예상되며, 2017년은 전년 대비 3.3% 성장한 3,465억불이 예상됩니다.

[세계 반도체 시장전망] (단위: 십억불)

구 분	2015	2016	2017	2018

시스템 IC(성장률)	196.7(1.1%)	196.2(-0.3%)	200.3(2.1%)	204.7(2.2%)

광/개별소자(성장률)	61.3(-1.3%)	61.6(0.5%)	62.3(1.1%)	63.3(1.6%)

메 모 리(성장률)	77.2(-2.5%)	69.3(-10.2%)	71.1(2.6%)	72.9(2.5%)

합 계(성장률)	335.2(-0.2%)	327.2(-2.4%)	333.7(2.0%)	340.9(2.2%)

자료 : WSTS (May, 2016)

(3) 경기변동의 특성

패키징산업은 전방 산업인 반도체 산업의 경기변동과 유사한 흐름을 보이고 있습니다. 반도체 산업은 실물경제 지수인 GDP와 밀접한 관련이 있으며, 특히 실리콘 사이클(Silicon Cycle)이라고 하는 산업적 특징이 있습니다. 이는 주기적인 시장 변동이 4년을 주기로 반복되고 있으며, 특히 메모리제품에서 주기적 현상이 현저히 나타나며 D램에서 가장 심하게 나타납니다.

세계 반도체 시장은 지금까지 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며 제품 수명주기가 매우 짧은 특징을 가지고 있습니다. 또한 주요 수요처인 미국의 거시경제 순환 사이클과의 연관성이 비교적 크나, 최근에는 모바일기기 시장의 급성장과 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되면서 반도체 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄어들고 있습니다.

( 4) 경쟁요소

반도체 패키징산업은 IDM 업체, 팹리스 및 파운드리로부터 수주를 받아 납품하는사업구조 형태로 각 패키징별 제조설비 및 공정 보유여부, 공정 및 설비기술 대응능력, 주문에 따른 최단 납기 대응능력, 엄격한 품질관리 능력 및 원가 수준 등이 패키징업체의 경쟁력을 결정짓는 주요 요소로 작용하고 있습니다. 또한 패키징 조립과정은 고가의 시설과 기술, 그리고 각 공정마다 엄격한 품질관리를 필요로 하며 패키징의 문제가 발생시에는 세트제품까지 발생되는 중요한 산업으로 최고의 품질이요구됩니다.

패키징산업은 산업의 특성상 초정밀 작업을 수행할 수 있는 설비를 보유하고 있어야 하며, 양산체제를 통한 규모의 경제를 실현하기 위해서 대규모의 설비투자가 필수적이며, 전방산업인 반도체 제조(전공정)와 최종 응용제품의 급속한 기술발전으로 인해지속적인 설비투자가 요구 됩니다. 또한 제품의 특성상 초정밀(50㎛)까지 관리하는 기술이 소요되는 산업으로 우수한 기술인력에 의한 소재기술, 장비운용 기술, 다양한 경험에 의한 품질관리 기술 등 수많은 기술을 필요로 합니다.

IDM의 대규모 설비투자에 대한 위험 등으로 외주 패키징 비중은 지속적으로 높아지 고 있으며, 특히 시스템반도체 제품에 대한 패키징 비중이 높은 편으로 팹리스와 파운드리로 반도체 산업구조가 분업화되어 패키징 시장이 독립적으로 형성되어 대규모 IDM 업체, 팹리스업체, 파운드리 업체와의 협력관계가 필수 조건인 산업 입니다. (5) 자원조달상의 특성국내 반도체 산업에 사용되는 원ㆍ부재료는 Lead Frame(HDS), Gold Wire(헤라우스, 희성금속), EMC(SDI, KCC고려화학), EPOXY(프로타빅), PCB(삼성전기, HDS) 등이며 주요 원재료는 이미 국산화가 이루어져 수급상에 큰 어려움은 발생되지 않습니다.

[반도체 Package의 주요 원재료 및 조달원]

원재료의 종류	공급업체	제품종류

국내	해외

Lead Frame	HDS, 매직마이크론	니치덴, 신코	TSOP, QFP

PCB Substrate	삼성전기, HDS, 심텍,대덕전자, LG이노텍, 코리아써키트	히타치, KINSUS	FBGA, BOC, SiP

Die Adhesive	프로타빅, 인성화학, HENKEL	스미토모	패키징 공통

Gold Wire	헤라우스, 엠케이전자,희성금속	-	패키징 공통

EMC	SDI, KCC고려화학,네패스신소재	스미토모	패키징 공통

나. 회사의 현황 (1) 영업개황 및 사업부문의 구분SFA반도체는 반도체 조립 및 테스트, 메모리카드, 기타 디지털 응용제품을 생산하는 반도체 전문회사로서, 최고의 기술력을 바탕으로 삼성전자, Micron, 하이닉스 등 세계 유수의 반도체 업체들에게 최첨단 반도체 패키징 솔루션을 제공하고 있습니다.당사는 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test Services, 외주 조립ㆍ테스트 반도체회사) 업체로서 고객의 Fab라인 증대, 반도체 기술 및 제품의 진화 가속화, IDM(Integrated Device Manufacturer, 종합반도체회사)의 생산외주화 증가등으로 높은 매출 성장률을 기록하고 있으며, 또한 반도체 산업은 PC수요의 증가, 신규디지털제품 및 각종 Application의 등장으로 DRAM, Nand Flash 등 반도체의 지속적 수요에 대응하여 높은 기술력과 양산능력을 고객사에게 제공하고 있습니다.당사는 과거 Low level 비메모리 반도체 생산에서 점차 경박단소, 적층, 고용량의 High-end 제품생산 및 SiP(System-in-Package), 등 차세대 제품을 생산하고 있습니다. 이는 반도체 패키징 기술이 고도화, 경박단소화 추세에 따라 DIP(Dual Inline Package) 형식의 삽입실장형 반도체 패키징에서 SOP(Small Outline Package)와 QFP(Quad Flat Package), TSOP(Thin SOP) 등의 표면실장형 패키징을 걸쳐 MCP(Multi Chip Package), QDP(Quad Die Package), DDP(Dual Die Package) 및 BGA(Ball Grid Array), MSP(Multi Stack Package) 등의 Substrate 패키징으로 발전하고 있습니다.메모리카드(Flash Memory Card)분야의 포트폴리오를 다양화하여 SD카드(Secure Digital card), 마이크로SD카드(Micro Secure Digital card) 등을 생산하여 높은 매출신장을 기록하고 있으며, 중국공장인 PSTS의 본격적인 가동을 통하여 기존제품의 이전으로 인한 제품의 수익성 제고 및 높은 고객가치 제공을 통하여 기업가치의 향상과 경쟁력을 확보해 나가고 있습니다.또한 2011년 필리핀 법인인 PSPC 준공으로 더 확장된 Capa 경쟁력을 확보하여 고객의 요구에 더욱 빠르게 대응할 수 있게 되었습니다.R 강화와 해외마케팅 강화를 통하여 거래선 다변화를 추구하는 등 안정적인성장기반을 구축해 나가고 있습니다. 또한 좀더 높은 기업가치 향상을 위하여 Memory 반도체 위주의 사업전략에서 반도체 시장의 80%를 차지하고 있는 S-LSI 분야에 성공적으로 진입하여 안정적인 성장과 수익성을 창출하고자 그 비중을 확대해 나가고 있습니다.

(2) 시장점유율

반도체 패키징 세계시장은 ASE, Amkor 등의 외국계 기업들이 시장을 주도하고 있습니다. 반도체 패키징 국내 시장규모 및 시장점유율은 객관적인 자료가 존재하지 않는 관계로 2013년부터 2015년까지의 주요경쟁사별 연결매출을 기준으로 작성하였습니다. [국내 주요 패키징 업체 매출실적]

(단위: 억원)

업 체	매 출 액

2015년	2014년	2013년

Amkor Korea	13,963	13,465	14,776

ASE Korea	6,477	6,548	6,297

SFA반도체	5,165	5,191	5,408

하나마이크론	2,862	2,945	2,781

시그네틱스	2,091	2,347	2,742

윈팩	433	503	505

6개사 Total	30,991	30,999	32,509

자료: 각사 공시자료 [해외 주요 패키징 업체 매출실적] (단위: 백만불,%)

업 체	2015

Rank	매 출 액	비율(%)

ASE	1	4,769	18.7%

Amkor Technology	2	2,885	11.3%

SPIL	3	2,612	10.2%

JCET	4	1,678	6.6%

SFA반도체	13	456	1.8%

Total Market	-	25,530	100.0%

자료 : Gartner (April. 2016)(3) 시장의 특성

패키징산업은 미래 반도체 패키지 트렌드와 소자업체의 요구에 따라 단순 제작에서 벗어나 최근 지속적인 기술 발전과 치열한 경쟁으로 기술주도형 산업으로 빠르게 전환되고 있습니다.

세계 패키징(테스트 포함) 시장은 Top4 업체(ASE, Amkor, SPIL, JCET)의 매출 비중이 47%를 차지하고 있으며, 이들 업체는 월등한 기술력과 규모의 경제를 바탕으로 패키징 기술의 발전과 함께 산업을 선도하고 있습니다. 세계적으로 패키징시장은 상위 10개 업체(67% 시장 점유)에 의한 과점체제가 구축되어 있으며, 반도체 패키징 수요업체의 전환비용과 Risk 요인으로 인해 신규업체의 진입장벽이 비교적 높은 편입니다.

국내 패키징 시장은 국내 반도체 산업이 메모리 반도체 위주의 편중현상을 보이고 있기 때문에 메모리 중심의 패키징 시장이 형성되어 있으며 국내 패키징 시장의 70%이상을 글로벌 TOP 업체의 국내 법인(Amkor Technology Korea, STATSChipPACKorea, ASE Korea)이 담당하고 있습니다.SFA반도체는 기존 삼성전자, 하이닉스의 메모리 반도체 후공정 외주 물량은 물론 국내 Set 업체 및 해외 고객의 High-end 급 패키징 물량을 수주하여 메모리와 시스템 LSI를 패키징 하고 있으며 국내외 거래선 확대를 토대로 고부가가치 제품의 확대가 전망 됩니다.국내 패키징 시장은 최근 반도체 제조업체가 고정비 부담을 완화하기 위해 패키징 외주화 비중을 높이는 추세에 있고, 자체 기술력과 해외 거래선을 개척하여 국내 패키징 시장의 규모도 지속적으로 성장할 것으로 전망 됩니다. 또한 국내 주요 패키징업체는 반도체 소자업체와의 유기적 관계를 유지하며 새로운 패키징 개발에 노력을 기울이고 있습니다.

최근 반도체 칩이 소요되는 응용 제품군이 확장되고 응용제품 자체가 고도화되면서 설계 및 웨이퍼 생산 단계에서 현재 기술 수준으로 생산할 수 없는 제품을 패키징 방식을 통해 구현하는 등 패키징 자체가 전공정의 기술 한계를 극복할 수 있는 대안으로 부각되고 있으며, 원가경쟁력 확보 및 기술적인 한계를 극복할 수 있는 대안으로서 반도체 산업 성장의 핵심적인 기반 산업으로 부각되고 있습니다.

당사는 패키지 제품군과 차세대제품들의 시장 선점을 위해 첨단패키지 기술인 CSP(Chip Scale Package)와 MCP(Multi Chip Package)를 활용한 High-end 반도체패키지기술 개발 및 생산 역량 강화에 집중하고 있습니다.또한 Flash 메모리를 활용한 응용제품시장의 가격하락 및 저장기능 확대 등으로DSC(Digital Still Camera) 와 Camcoder 등 디지털 가전제품과 MP3에 대한 수요증가, 새로운 수요 견인책으로 등장하고 있는 PSP, X-BOX와 같은 게임기수요 증대, 단말기의 다기능화에 따른 탑재량이 확대 되면서 Nand Flash memory의 고성장이 예상되는 바 반도체패키지 기술과 Digital 기술을 접목한 기술확보 및 사업화에 역량을 집중하고 있습니다. 아울러 중국법인인 PSTS의 본격적인 가동으로신흥시장인 중국시장을 겨냥하고 삼성전자의 반도체 후공정 위탁생산 확대를 통해 중장기 지속 성장기반을 강화하고자 2010년 1월 18일 반도체 패키지 제조 공장인 필리핀법인(PSPC)을 설립하여 Global Network를 구축해 나가고 있습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

최근 반도체 패키지가 고집적화ㆍ경박단소화 됨에 따라 플립칩(Flip Chip)을 기반으로 하는 패키징 시장은 매년 지속적인 성장을 하고 있으며, 이에 따라 플립칩 기술의 핵심 기술인 범핑 프로세스에 대한 시장 요구는 증가하고 있습니다.

따라서, 당사는 이러한 반도체 시장의 변화에 대응하고자 2013년 10월 22일 범핑 신규 사업을 위한 시설 투자를 결정하였고 2014년 4월 29일 범핑사업장이 준공되었습니다.

범핑은 칩을 PCB에 플립칩 방식으로 연결하거나 BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Scale Package) 등으로 PCB에 직접 접속하기 위한 전도성 돌기(Bump)를 형성하여 전기적 신호를 전달하는 반도체 후공정의 일부입니다.범프는 플립칩이 용이하도록 전극 높이를 높이는 역할 및 전극 재료를 외부 전극과 접속이 용이한 재료로 교체하는 역할을 합니다.또한 범프는 사용 재료에 따라 Gold 범프 및 Solder/Cu pillar 범프로 양분됩니다.골드 범프는 LCD Driver IC, CIS 제품 등에 사용되고 Solder/Cu pillar 범프는CPU, D램, 모바일 칩셋 등에 사용되고 있으며 최근 수요처가 많은 Solder/Cu pillar범프 향으로 투자가 증가되는 추세를 보입니다. 향후 고객들의 Turn-Key Solution 요구를 만족시킴으로서 Flip-Chip, WLP 등 첨단 패키지 시장에 적극적 인 대응을 통해 안정적인 성장과 수익성 창출을 기대하고 있습니다.(5) 조직도

2. 주요 제품 및 원재료 등 가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	매출액(비율)

반도체 제조	제품	메모리	컴퓨터관련 주변장치 및 저장장치	삼성전자(주) 외	252,842(84.0%)

비메모리	산업용, PC, VIDEO, AUDIO, 전력용 등	삼성전자(주) 외	46,873(15.6%)

상품	기타	Module 등	PSPC 외	417(0.1%)

기타	기타	잉여물품 매각	삼성전자(주) 외	936(0.3%)

- 상기 매출 실적은 연결재무정보 기준으로 작성되었습니다. 나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(단위 : 원)

품 목	제19기 3분기	제18기	제17기

메모리	366	358	329

비메모리	93	70	79

Storage	-	2,485	2,342

(1) 산출기준 [제19기 3분기 산출근거] - 메모리 : 매출액(252,842백만원)/매출수량(690,716Kpcs) - 비메모리 : 매출액(46,873백만원)/매출수량(502,452Kpcs)

[제18기 산출근거] - 메모리 : 매출액(455,599백만원)/매출수량(1,273,122Kpcs)

- 비메모리 : 매출액(56,264백만원)/매출수량(806,744Kpcs)- Storage : 매출액(2,493백만원)/매출수량(1,003Kpcs) [제17기 산출근거] - 메모리 : 매출액(465,406백만원)/매출수량(1,413,372Kpcs)

- 비메모리 : 매출액(62,732백만원)/매출수량(793,345Kpcs)- Storage : 매출액(3,028백만원)/매출수량(1,293Kpcs)

(2) 주요 가격변동원인- 제품 Mix에 따른 제품가격 변동

다. 주요 원재료 등의 현황(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	매입액(비율)	비 고

반도체	원재료	Lead Frame	Chip과 주변회로를 연결하기 위한금속회로기판	2,423(4.2%)	NICHIDEN,SHINKO, HDS 외

PCB	Chip과 주변회로를 연결하기 위한PCB 기판	42,212(73.6%)	엘지이노텍, ASEM,대덕, 심텍 외

EMC	Wire bonding된 반제품을 PKG화하는 성형재료	5,776(10.1%)	네패스, SDIKCC 외

Gold Wire	Chip의 Pad와 L/F의 Lead간을 연결해주는 순도 99.99의 금선	6,973(12.2%)	헤라우스, MK희성전자 외

라. 주요 원재료 등의 가격변동추이(단위: 원)

품 목	제19기 3분기	제18기	제17기

Lead Frame	27	31	32

PCB	100	125	111

E.M.C	27,124	31,750	27,007

Gold Wire	46	53	59

(1) 산출기준

□ 가격산출 기준 : 각 품목별 총 입고금액 / 총입고수량 - Lead Frame : 554 백만원 / 20,445 Kpcs = 27원 - PCB : 7,338 백만원 / 73,607 Kpcs = 100원 - E.M.C : 752 백만원 / 28 Kpcs = 27,124원 - Gold Wire : 1,270 백만원 / 27,556 Kpcs = 46원 (2) 주요 가격변동원인 (2015년 대비) - 저가 PCB 업체 이원화 - 물 량 감소에 따른 고가 PCB 입고 감소 - '16년 단가 인하 3. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거(1) 생산능력

(단위 : 백만개)

사업부문	품 목	사업소	제19기 3분기	제18기	제17기

반도체제조	반도체패키지	SFA반도체	489	843	815

반도체제조	반도체패키지	PSTS	646	1,353	1,370

반도체제조	반도체패키지	PSPC	802	1,053	1,040

합 계	1,937	3,249	3,272

(2) 생산능력의 산출근거① 산출기준

- 1일 생산량 * 가동일수② 산출방법 (제17/18/19기 3분기 생산능력 산출근거) ▶ SFA반도체 - 제19기 3분기 : 1일 생산량 1.81M개 * 30일 * 9개월 = 489M개 - 제18기 : 1일 생산량 2.34M개 * 30일 * 12개월 = 843M개 - 제17기 : 1일 생산량 2.26M개 * 30일 * 12개월 = 815 M개 ▶ PSTS - 제19기 3분기 : 1일 생산량 2.39M개 * 30일 * 9개월 = 646 M개 - 제18기 : 1일 생산량 3.76M개 * 30일 * 12개월 = 1,353 M개 - 제17기 : 1일 생산량 3.81M개 * 30일 * 12개월 = 1,370 M개 ▶ PSPC - 제19기 3분기 : 1일 생산량 2.97M개 * 30일 * 9개월 = 802M개 - 제18기 : 1일 생산량 2.93M개 * 30일 * 12개월 = 1,053M개 - 제17기 : 1일 생산량 2.89M개 * 30일 * 12개월 = 1,040M개 ※ 제품 Mix 및 다층 PKG 비중에 따라 생산 능력은 수시로 변동됨

나. 생산실적 및 가동률(1) 생산실적

(단위 : 백만개)

사업부문	품 목	사업소	제19기 3분기	제18기	제17기

반도체제조	반도체패키지	SFA반도체	335	506	595

반도체제조	반도체패키지	PSTS	460	785	781

반도체제조	반도체패키지	PSPC	398	790	832

합 계	1,193	2,081	2,207

(2) 당해 사업연도의 가동률(단위 : 백만개, %)

사업소(사업부문)	당기생산가능수량	당기실제생산수량	평균가동률

SFA반도체	489	335	69%

PSTS	646	460	71%

PSPC	802	398	50%

합 계	1,937	1,193	63%

- Wire Bond 기준 가동률임 다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황

[자산항목 : 토지] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	23,445	-	-	-	23,445	-

PSTS	중국	-	-	-	-	-	-

PSPC	필리핀	-	-	-	-	-	-

합 계	23,445	-	-	-	23,445	-

[자산항목 : 건물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	환율효과	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	84,436	328	-	1,840	-	82,924	-

PSTS	중국	11,756	-	939	247	-	10,570	-

PSPC	필리핀	46,778	97	2,971	991	-	42,913	-

합 계	142,970	425	3,910	3,078	-	136,407	-

[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	환율효과	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	583	-	-	13	-	570	-

PSTS	중국	-	-	-	-	-	-	-

PSPC	필리핀	7,288	-	462	155	-	6,671	-

합 계	7,871	0	462	168	-	7,241	-

[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	환율효과	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	153,053	6,863	4,901	12,434	-	142,581	-

PSTS	중국	22,462	444	2,131	3,371	-	17,404	-

PSPC	필리핀	56,072	1,595	2,982	12,961	-	41,724	-

합 계	231,587	8,902	10,014	28,766	-	201,709	-

[자산항목 : 계측기 외] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	환율효과	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	11,982	2,552	717	2,907	-	10,910	-

PSTS	중국	1,735	610	159	343	-	1,843	-

PSPC	필리핀	3,861	1,522	254	1,495	-	3,634	-

합 계	17,578	4,684	1,130	4,745	-	16,387	-

[자산항목 : 금융리스자산] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	기초장부가액	당기증감	당기상각	환율효과	당기장부가액	비고

증가	감소

SFA반도체	자가	한국	-	-	-	-	-	-	-

PSTS	중국	-	-	-	-	-	-	-

PSPC	필리핀	-	-	-	-	-	-	-

합 계	-	-	-	-	-	-	-

(2) 설비의 신설ㆍ매입 계획 등 ① 투자 현황 및 계획

(단위 : 백만원)

사업부문	구 분	투자기간	투자대상 자산	투자효과	총투자액	기투자액(당기분)	향후투자액	비 고

SFA반도체	신설/증설	16.01.01~16.09.30	건물/설비	생산능력증가	23,268	10,339	12,929	-

PSTS	신설/증설	16.01.01~16.09.30	건물/설비	생산능력증가	1,597	1,089	508	-

PSPC	신설/증설	16.01.01~16.09.30	건물/설비	생산능력증가	7,355	3,214	4,141	-

합 계	32,220	14,642	17,578	-

라. 생산설비의 변동 (1) 취득현황(단위 : 백만원)

설비자산명	취득가액	취득일	취득사유	비고

토 지	-	-	-	-

건 물	426	2016.09.30	■생산 자본적 지출	-

구축물	-	-	-	-

기계장치	8,902	2016.09.30	■생산 자본적 지출	-

계측기 외	4,684	2016.09.30	■생산 자본적 지출	-

금융리스자산	-	-	-	-

합 계	14,012	-	-	-

(2) 처분현황(단위 : 백만원)

설비자산명	처분가액	처분일	처분사유	비고

토 지	-	-	-	-

건 물	-	-	-	-

구축물	-	-	-	-

기계장치	5,448	2016.09.30	■매각 및 자산대체	-

계측기 외	717	2016.09.30	■매각 및 자산대체	-

금융리스자산	-	-	-	-

합 계	6,165	-	-	-

4. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위 : 백만원/천$)

사업부문	매출유형	품 목	제19기 3분기	제18기	제17기

반도체	제품	메모리	수 출	251,611(216,598)	455,905(402,915)	463,966(440,522)

내 수	1,231	2,187	4,468

합 계	252,842	458,092	468,434

비메모리	수 출	36,711(31,603)	51,001(45,074)	49,723(47,211)

내 수	10,162	5,263	13,008

합 계	46,873	56,264	62,732

상품	기타	수 출	-(-)	89(79)	145(137)

내 수	417	783	16,871

합 계	417	873	17,015

기타	기타	수 출	194(167)	-(-)	6(0)

내 수	742	1,248	2,744

합 계	936	1,248	2,750

합 계	수 출	288,516(248,368)	506,996(448,078)	513,840(487,870)

내 수	12,552	9,482	37,091

합 계	301,068	516,477	550,931

- 상기 매출 실적은 연결재무정보 기준으로 작성되었음- 제18기, 제17기 Storage 매출은 메모리 매출에 합산하였음

주1) ( )표시는 미국USD 표시임 - 제17기(2014년) 평균환율(적용) 1$= 1,053.22원 - 제18기(2015년) 평균환율(적용) 1$= 1,131.49원 - 제19기 3분기(2016년) 평균환율(적용) 1$= 1,161.65원 나. 판매경로 및 판매방법 등 (1) 판매조직

(2) 판매경로(연결)

(단위: 백만원,%)

매출유형	품목	구 분	판 매 경 로	판매경로별매출액(비중)

제 품	메모리	수출	주문생산에 의한 직접판매(삼성전자(주) 외)	251,611(83.6%)

내수	주문생산에 의한 직접판매(넷솔 외)	1,231(0.4%)

비메모리	수출	주문생산에 의한 직접판매(IDT 외)	36,711(12.2%)

내수	주문생산에 의한 직접판매((주)텔레칩스 외)	10,162(3.4%)

상 품	기타	수출	주문에 의한 직접판매(-)	-(-)

내수	주문에 의한 직접판매(삼성전자(주) 외)	417(0.1%)

기 타	기타	수출	주문에 의한 직접판매(-)	194(0.1)

내수	성일금속 외	742(0.2%)

(3) 판매방법 및 조건① 판매방법

대 상	판매유형	내 용	비 고

생 산	외주임가공	반도체 생산	-

② 판매조건

대 상	내 용	결재조건	비 고

생 산	구매승인서 접수	납품후	현금

(4) 판매전략

당사는 반도체 전문제조회사로서, 반도체의 주요 수요원인인 PC 및 각종 주변기기,

기타 디지털 가전제품 성장, 특히 최근에 휴대형 디지털 기기의 확산으로 용량 및 속도에 이어 또 하나의 핵심기술분야로 주목받고 있는 반도체 패키지 전문기술을 확보하고 있습니다.특히 시장환경은 휴대형 디지털 기기의 성능향상과 경박단소화가 빠르게 진행되고 있습니다.이에 시장 변화와 소비자의 요구에 대응하기 위해 지속적 연구 개발과 품질 향상, 신속한 대응시스템을 구축하고 있습니다.또한 중장기 사업 전략에 의거 World Wide 경쟁력 확보와 중국시장 교두보 확보 및 유통 확보를 위한 전략적 시스템을 구축하고 있습니다.

5. 수주상황(단위 : 천개/백만원)

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

메모리	2016.01.01	2016.09.30	794,829	288,521	690,716	252,842	104,112	35,679

비메모리	2016.01.01	2016.09.30	559,333	51,293	502,452	46,873	56,881	4,420

합 계	1,354,161	339,814	1,193,168	299,715	160,993	40,099

※ 상품매출, 기타매출은 제외하였음6. 시장위험 및 위험관리

2016년 분기 중 연결회사의 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 사업환경 및 경제적인 환경의 유의적인 변동은 없습니다. 가. 금융상품 종류별 공정가치 연결회사의 금융상품 중 대여금 및 수취채권과 상각후원가로 측정하는 금융부채는 장부금액과 공정가치의 차이가 유의적이지 않으며, 기타금융자산은 장부금액과 공정가치가 일치합니다.

나. 공정가치 서열체계

공정가치로 측정되거나 공정가치가 공시되는 금융상품을 공정가치 서열체계에 따라 구분하며 정의된 수준들은 다음과 같습니다.

- 동일한 자산이나 부채에 대한 활성시장의(조정되지 않은) 공시가격(수준 1)

- 직접적으로(예: 가격) 또는 간접적으로(예: 가격에서 도출되어) 관측가능한, 자산이나 부채에 대한 투입변수. 단 수준 1에 포함된 공시가격은 제외함(수준 2)- 관측가능한 시장자료에 기초하지 않은, 자산이나 부채에 대한 투입변수 (관측가능하지 않은 투입변수)(수준 3)

공정가치로 측정되는 금융상품의 공정가치 서열체계 구분은 다음과 같습니다. (1) 2016 년 9월 30일 현 재 공정가치로 측정된 금융자산과 금융부채 현황

(단위: 천원)

구 분	2016.9.30

수준 1	수준 2	수준 3	합계

반복적인 공정가치 측정치

자산

당기손익인식금융자산

파생금융상품(유동)	-	-	6,914	6,914

파생금융상품(비유동)	-	-	-	-

매도가능금융자산

지분증권	-	-	1,480,136	1,480,136

(2) 2015년 12월 31일 현재 공정가치로 측정된 금융자산과 금융부채 현황

(단위: 천원)

구 분	2015.12.31

수준 1	수준 2	수준 3	합계

반복적인 공정가치 측정치

자산

당기손익인식금융자산

파생금융상품(유동)	-	-	69,179	69,179

파생금융상품(비유동)	-	-	34,590	34,590

매도가능금융자산

지분증권	-	-	1,559,665	1,559,665

다. 반복적인 공정가치 측정치의 서열체계 수준 간 이동

(1) 반복적인 측정치의 수준 1과 수 준 2간의 이동 내역 은 없습니다.

(2) 당분기 중 반복적인 측정치의 수준 3의 변동 내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	매도가능금융자산	파생상품

기초자산(부채)	1,559,665	103,769

취 득	-	-

총 손익	-	-

당기손익 인식액	-	(95,526)

기타포괄손익 인식액	(79,529)	-

환율변동효과	-	(1,329)

기말자산(부채)	1,480,136	6,914

라. 가치평가기법 및 투입변수연 결 회사는 공정가치 서열체계에서 수준 2와 수준 3으로 분류되는 반복적인 공정가치 측정치, 비반복적인 공정가치 측정치에 대해 다음의 가치평가기법과 투입변수를 사용하고 있습니다.

(1) 수준 3(단위: 천원)

구 분	공정가치	수준	가치평가기법	수준3투입변수

매도가능금융자산

지분증권	1,480,136	3	순자산가치평가법	해당사항없음

파생상품

파생금융자산	6,914	3	이항옵션모형	이자율

마. 수준 3으로 분류된 공정가치 측정치의 가치평가과정 연 결회사의 재무부서는 재무보고 목적의 공정가치 측정을 담당하고 있으며 이러한 공정가치 측정치는 수준 3으로 분류되는 공정가치 측정치를 포함하고 있습니다. 연결회사의 재무부서는 공정가치 측정내역에 대하여 연결회사의 경영진에게 보고하며 매 분기 보고일정에 맞추어 공정가치 평가과정 및 그 결과에 대해 경영진과 협의합니다.

바. 수준 3으로 분류된 반복적인 공정가치 측정치의 민감도 분석 금융상품의 민감도 분석은 통계적 기법을 이용한 관측 불가능한 투입변수의 변동에따른 금융상품의 가치 변동에 기초하여 유리한 변동과 불리한 변동으로 구분하여 이루어집니다. 그리고 공정가치가 두 개 이상의 투입변수에 영향을 받는 경우에는 가장 유리하거나 또는 가장 불리한 금액을 바탕으로 산출됩니다. 민감도 분석대상으로 수준 3으로 분류되는 금융상품은 공정가치 변동이 기타포괄손익으로 인식되는 지분증권이 있습니다.

7. 경영상의 주요계약 등1) 삼성전자(주)

- 계약시기 : 1999년 1월 - 계약목적 및 내용 : 계약제품(BOC, MMC, SSD, TSOP, FBGA, SD, M2, Ms Duo, UFD)에 대한 안정적인 생산 공급 - 계약기간 : 1년간, 계약만기 만료 3개월 전까지 종료 또는 해지통지가 없을시 동일조건으로 1년씩 자동 갱신 2) (주)하이닉스반도체 - 계약시기 : 2001년 9월 - 계약목적 및 내용 : 계약제품(48TSOP)에 대한 안정적인 생산공급 - 계약기간 : 1년간, 계약기간 만료 1개월 전까지 일방당사자가 타방당사자에 대해 계약해지의 서면 통지를 하지 않는 한, 본계약은 1년씩 자동 연장되는 것으로 한다.

3) 삼성전자(주)

- 계약시기 : 2001년 9월 - 계약목적 및 내용 A. 계약제품 : Memory stick, Compack Flash Card, UFD(USB Flash Drive) B. 조립/검사공정 : PCB Loading부터 SMT, Housing, 검사, Packing - 계약기간 : 1년간, 계약만기 3개월 전까지 종료 또는 해지통지가 없을시 동일 조건으로 1년씩 자동 갱신

4) 삼성전자(주) - 계약시기 : 2004년 9월

- 계약목적 및 내용 A. 목적 : 삼성전자(주), 에스티에스반도체통신(주), 에스티에스반도체통신 중국공장인 봉황반도체통신(소주)유한공사간에 계약을 체결

B. 계약제품 : S-LSI(SOP, DIP, SDIP, QFP, TQFP)등의 조립 및 검사 - 계약기간 : 1년간, 계약만기 3개월 전까지 종료 또는 해지 통지가 없을시 동일 조건으로 1년씩 자동 갱신 5) MXIC(매크로닉스 인터내셔널) - 계약시기 : 2005년 6월 - 계약목적 및 내용 : 계약제품 (48TSOP) - 계약기간 : 계약 체결한 날로부터 2년 만료 한달 전 서면 통지 없을 시 자동연장 6) Fujitsu - 계약시기 : 2010년 2월 - 계약목적 및 내용 : 계약제품(FBGA)에 대한 안정적인 생산 공급 - 계약기간 : 1년간, 계약만기 만료 6개월 전까지 종료 또는 해지통지가 없을시 동일조건으로 1년씩 자동 갱신 7) 삼성전자 - 계약시기 : 2016년 2월 - 계약목적 및 내용 : 반도체 제품의 BUMP, EDS 서비스 업무 - 계약기간 : 1년간, 계약만기 만료 30일 전까지 종료 또는 해지통지가 없을시 동일조건으로 1년씩 자동 갱신

8. 연구개발활동가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직① 연구개발 인력 현황

직위	기초	증가	감소	현재

이사	1	-	-	1

수석	1	-	1	0

책임	5	-	2	3

선임	6	1	3	4

주임	4	1	1	4

연구원	6	-	3	3

계	23	2	10	15

② 연구개발 실적 현황

연구기관	책임자	주요연구실적

SFA반도체	연구소장	선행기술 및 신규 PKG 개발,Bumping 및 Flip Chip 개발

SFA반도체	개발1팀장	선행기술 개발 및 Flip Chip 개발, Bump 개발,W/B 기반(Front ~ B/E) 개발

SFA반도체	개발2팀장	Design 및 Simulation

(2) 연구개발비용(단위 : 백만원)

과 목	제19기 3분기	제18기	제17기	비 고

원 재 료 비	-	726	559	-

인 건 비	634	3,588	3,224	-

감 가 상 각 비	167	1,312	2,005	-

위 탁 용 역 비	-	-	-	-

기 타	441	2,532	2,035	-

연구개발비용 계	1,242	8,158	7,823	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	0.7%	1.6%	1.4%	-

- 상기 자료는 연결재무정보 기준으로 작성되었음

나. 연구개발 실적

① 연구개발 실적
1. 연구과제 - Flip Chip New PKG 개발 ㆍfcBGA / LFC, BFC / fcCSP - Wire Bonding New PKG 개발 ㆍ78BOC / 178FBGA - 원가절감 소재 개발 ㆍEMC / Underfill - Hybrid FC PKG 개발 ㆍDesign rule / BOM / Process 확립 및 양산 기술 구축 ㆍHigh I/O count PKG 기술 - Finger Print PKG 개발 - SiP PKG 개발 ㆍPCB Design / BOM / Process 확립 및 양산 기술 구축 - 8" 12" WLCSP 양산 기술 개발 (Bumping) ㆍ12" Dynamite 3 4 Layer WLCSP ㆍ8" 6×6mmm 350um Pitch WLCSP ㆍ12" WLCSP 933 wafer (PI / PBO / Thick Cu UBM) - 8" 12" Cu Pillar / Solder Au Plating Bump 양산 기술 개발 ㆍ CoC / CoW Bumping Technology Development ㆍHigh speed plating chemical development (SnAg) - VCM Coil device bumping 양산 기술 개발 ㆍ8" VCM Coil - S-LSI Design 개발 ㆍFBGA / FCCSP / FCBGA / SIP Module - Memory Design 개발 - Bumping Design 개발
2. 연구기관 - ㈜에스에프에이반도체 3. 연구결과 및 기대효과 - Finger Print PKG 공정 양산성 확보 방안 마련 - Fine Pitch Cu Pillar FlipChip 공정 기술 정립 - SiP 기술 개발 - RF, Module, IoT 기술향 개발
- WLCSP PBO Type 물량 확보 - WLCSP LCP Type 물량 확보 - Mobile application WLCSP target LCP 개발품 적용 - CoC / CoW Bumping Technology Development - High speed plating chemical : Internal Qual Pass - 권선 type coil : Fine pitch Coil, bumping type 세계 최초 개발 성공 Wireless Charge application 추가 적용 가능 - Low cost EMC material development 4. 연구결과가 상품화된 경우 그 내용 - 추후 양산 진행 예정

② 향후 연구개발 계획1. 연구과제 - Flip Chip BGA New PKG 개발 ㆍ15/ 19 /21 / 25 / 27 / 29 fcBGA 제품 개발 ㆍ13 / 17BD fcCSP 제품 개발 ㆍ19BD Hybrid FC 제품 개발 ㆍSiP Flip Chip PKG 개발 - 고단 Stack (32단↑) uSD 및 FBGA Package 적용 기술 개발 ㆍExtremely thin(3um) DAF Thin die, Ultra Low loop(Max 40um height, Thin die overhang Wire Bonding, Die accuracy improvement, New Stacking Method, Warpage Improvement) - 핵심 소재 기술 개발 ㆍNo gas Ag wire, Film over Die, PKG 기술 개발, Thermal EMC, TSOP EMC 개발 ㆍLow Cost material 개발 및 STD BOM 정립 - BVS(Bond Via Socket) / Flexble 기술 개발 ㆍ고객사와 전략적 Partnership 으로 개발 - 범핑 연계 신제품 / 신기술 개발 ㆍFO WLCSP, FO EWLCSP ㆍCoC, CoW - Bumping 양산 기술 개발 ㆍLow cure polymer ㆍThick / Thin PR development - Bumping 차별화 양산 기술 개발(Cu Coil Bump 기술 개발) ㆍTSV Plating Chemical 적용 및 Wet etch에 의한 Wafer warpage 개선 / DPS 공정 최적화
- Fan-Out WLCSP 및 TSV(Through Silicon Via) TEV(Through Encapsulation Via) 차별화 기술 개발 - CoC(Chip On Chip) Interconnection 기술 및 CoW(Chip On Wafer) Bump Flip Chip 기술 개발 - MEMS Wafer Level Package 기술 개발2. 연구기관 - ㈜에스에프에이반도체3. 기대효과 - New PKG 개발 제품 경쟁력 강화 및 매출 증대 기여 - 선도 기술개발을 통한 초일류 경쟁력 확보 및 고성능 제품 개발 - 소재 기술 경쟁력 → 원가 절감, 생산성 증대, 고객요구 실현 - 확보된 BOM 활용을 통한 Test Socket / Flexible PKG 확대 및 PKG Line up 강화 - 다양한 Bumping Portfolio 확보 통한 고부가가치 제품 개발 및 TSV 선진기술 및 자사 특화 기술(TEV) 를 위한 조립 기술 확보
- 다양한 Interconnection 기반 확보 및 고성능 제품 개발을 위한 조립 기술 확보 - 차세대 Package 성장 동력 기반 구축 - Bumping Solution 확보 및 제품 기반 기술 확보 - MEMS 선진기술 및 자사 특화 기술확보 - FCCSP / FCBGA PKG 디자인에 대한 Auto Routing 기능 → TAT 감소 예상 - Thin Substrate 개발을 위한 Coreless / ETS(EPS) 기술 개발 - Strip Level 에서의 Warpage 정합성 향상
4. 소요자금 - 개발 비용 5. 재원조달 방법 - 자체 자금 조달

9. 기타 투자의사결정에 필요한 사항가. 외부자금조달 요약표

[국내조달] (단위 : 백만원)

조 달 원 천	기초잔액	신규조달	상환등감소	기말잔액	비고

은 행	301,218	-	59,994	241,224	-

보 험 회 사	-	-	-	-	-

종합금융회사	-	-	-	-	-

여신전문금융회사	-	-	-	-	-

상호저축은행	-	-	-	-	-

기타금융기관	-	-	-	-	-

금융기관 합계	301,218	-	59,994	241,224	-

회사채 (공모)	-	-	-	-	-

회사채 (사모)	71,708	-	9,643	62,065	-

유 상 증 자 (공모)	-	-	-	-	-

유 상 증 자 (사모)	-	-	-	-	-

자산유동화 (공모)	-	-	-	-	-

자산유동화 (사모)	-	-	-	-	-

기 타	-	-	-	-	-

자본시장 합계	71,708	-	9,643	62,065	-

주주ㆍ임원ㆍ계열회사차입금	-	-	-	-	-

기 타	-	-	-	-	-

총 계	372,926	-	69,637	303,289	-

(참 고) 당기 중 회사채 총발행액 공모 : - 백만원
사모 : - 백만원

[해외조달] (단위 : 원)

조 달 원 천	기초잔액	신규조달	상환등감소	기말잔액	비고

금 융 기 관	-	-	-	-	-

해외증권(회사채)	-	-	-	-	-

해외증권(주식등)	-	-	-	-	-

자 산 유 동 화	-	-	-	-	-

기 타	-	-	-	-	-

총 계	-	-	-	-	-

- 해당사항 없음나. 기타 중요한 사항

- 해당사항 없음다. 지적재산권 보유현황(특허권등)

구 분	일 자	현 황

상 표	2001~2008	STS반도체통신(주) 상표 등록 외 2건

디자인	2008~2009	휴대용 메모리 드라이브 외 1건

실용신안	2003~2011	멀티 플러그를 구비한 USB 저장장치 외 2건

등록	2001	양방향단자 USB 플러그를 구비한 USB 저장장치

2002	다이본더 장비의 웨이퍼링 세트 이송장치 외 4건

2003	반도체 패키징의 트림잉 공정의 에폭시 펀치 및 트림잉 방법 외 4건

2004	프리몰드형 반도체 패키지 및 그 제조방법 외 1건

2005	접착테이프를 이용한 이중칩 반도체 패키지 조립방법

2006	반도체 패키지 몰딩시 금선의 오버랩 방지장치 외 1건

2007	SIM 카드 및 그 제조방법 외 2건

2008	인터포저를 이용한 칩 크기 패키지 및 그 제조방법 외 5건

2009	고주파 특성을 개선하는 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법 외 7건

2010	광폭 리드 프레임을 위한 반도체 패키지 제조 장치 및 이를 이용한 반도체패키지 제조 방법 외 8건

2011.01.19	다이 본딩 장치

2011.03.02	다이 부착 설비의 기판 운송 장치

2011.04.18	휴대 저장 장치

2011.05.02	순차적 진공흡착 방식에 의한 다이 접착 장비 및 픽업 방법

USB 저장장치, 상기 USB 저장장치가 삽입되는 USB소켓 및 상기 USB 저장장치를 형성하기 위한 인쇄회로 기판

솔더 범프 형성용 템플릿 및 이를 이용한 솔더 범프 형성 방법

2011.05.27	웨이퍼 관통홀 형성방법 및 이를 위한 장비

2011.06.02	반도체 패키지 및 그 형성 방법

2011.06.15	광섬유 어셈블리를 갖는 레이저 다이싱 장치

2011.08.10	반도체 패키지 제조용 인쇄회로기판 고정 및 운반용 지그

2011.08.24	적층형 USB 메모리 장치 및 그 제조 방법

2011.08.26	적층형 USB 메모리 장치 및 그 제조 방법

2011.09.30	스크린 프린팅 마스크 및 이를 이용한 플라즈마 다이싱 방법

2011.10.20	다중열 QFN 패키지용 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법

2011.10.25	다이부착 필름의 전사장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 형성방법

2011.10.31	태양 충전형 USB 메모리 장치

2011.11.03	엘.오.씨(LOC) 다이접착 장비를 이용한 플리칩 패키지 제조방법 및 이에 의한 플립칩 패키지

2011.11.24	반도체 패키지의 솔더볼 형성 방법

2011.12.08	플라즈마를 이용한 다이싱 방법

2011.12.12	싱귤레이션 장비의 스트립 이송방법

2012.03.07	비용절감이 가능한 반도체 패키지 제조방법

2012.04.24	가변형 와이어 본더의 윈도우 클램프 및 이를 이용한 와이어본딩 방법

2012.05.31	리드프레임 및 반도체 패키지와 이들의 제조방법

2012.11.12	반도체 패키지 및 이의 제조방법

2012.12.11	다층 PCB 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지

2012.12.14	반도체 패키지의 제조방법

2013.02.22	반도체 패키지의 제조방법

2013.03.08	반도체 패키지의 제조방법

2013.03.18	반도체 칩 몰딩 장치

2013.03.19	패키지 온 패키지 제조방법

전자파 차폐 수단을 갖는 반도체 패키지 제조방법

반도체 패키지 및 이를 구비하는 반도체 모듈

2013.03.20	비아 형성방법

전자파 차단형 반도체 패키지 장치 및 이의 제조방법

반도체 패키지 장치 및 이의 제조방법

반도체 패키지의 싱귤레이션 시스템 및 싱귤레이션 방법

2013.03.28	QFN 패키지 및 그 제조방법

2013.04.08	반도체 패키지 장치 및 이의 제조방법

2013.04.17	패키지 온 패키지 및 이의 제조 방법

2013.04.25	적층 칩 반도체 패키지 및 그 제조방법

2013.05.08	반도체 패키지 및 그의 제조 방법

반도체 패키지

2013.05.15	반도체 패키지

반도체 패키지 및 그 제조방법

2013.05.20	고주파 스위치 잡음을 줄일 수 있는 반도체 소자

2013.06.04	전기적 검사를 위한 공용 소켓

2013.08.12	반도체 패키지

2013.12.12	반도체 패키지

집적회로 패키지 몰딩 장치

2014.01.16	절단에 의해 인너리드가 분리된 반도체 패키지

반도체 패키지 제조방법

2014.01.22	상부면에 도전성 단자가 형성되는 반도체 패키지 및 그 제조방법

2014.01.28	두께를 얇게 할 수 있는 반도체 패키지 제조방법

2014.02.07	다층구조 인쇄회로기판

2014.04.04	디스플레이부를 포함하는 USB 메모리 장치

무선 전력과 무선 주파수 신호를 이용하는 스크린 프린팅 장치

반도체 패키지

칩 패드가 없는 반도체 패키지 제조방법

적층형 멀티칩 반도체 패키지 제조방법

2014.04.17	고용량 적층형 반도체 패키지 제조방법

2014.04.24	반도체 칩 패키지용 인쇄회로 기판 및 이를 이용한 반도체

다층 구조 인쇄회로기판 및 이를 이용한 반도체 패키지

반도체 패키지 및 그 제조방법

플립칩 반도체 패키지 및 그 제조방법

2014.04.30	광 신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼 및 그의전기적 검사방법

디스플레이부를 포함하는 SSD 장치

SSD 장치

반도체 패키지 및 그 제조 방법

2014.05.08	반도체 다이 픽업용 콜렛 모듈

2014.05.19	무선 신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼 및 그의 전기적 검사방법

웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법

2014.06.09	무선 신호 전달 및/또는 무선 전원 구동 기능을 갖는 웨이퍼 이면 연마 장치

광신호를 이용하는 싱글레이션 장비 및 싱글레이션 방법

열전소자를 갖는 디게이팅 블록 및 디게이팅 장치

광 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 반도체 패키지

2014.07.01	주파수 신호를 이용하는 싱글레이션 장비 및 싱글레이션 방법

2014.07.02	반도체 패키지 및 그 제조방법

2014.07.04	필름 타입으로 패키징되는 반도체 패키지 및 그 제조방법

반도체 패키지 및 그 제조방법

방열 기능을 가지는 기판

고체 상태 디스크

2014.07.09	SSD 장치

2014.07.18	반도체 패키지

무선 신호 전달 및 무선 전원 구동 기능을 갖는 반도체 패키지

2014.07.24	고체 상태 디스크

무선 신호 전달 및 방열 기능들을 가지는 기판

2014.08.11	솔리드 스테이트 드라이브

2014.08.14	적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법

2014.10.01	무선 신호 검사 기능을 가지는 비아 홀 가공용 레이저 장치 및 그 가공방법

2014.10.06	USB 메모리 장치 및 이를 포함하는 USB 시스템

무선 전력과 무선 광신호를 이용하는 스크린 프린팅 장치

광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 및 그 운용방법

2014.10.07	반도체 패키지, 적층형 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법

2014.10.31	히트 스프레더를 구비한 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법

2014.11.06	무선 전력과 무선 광신호를 이용하는 솔더 볼 부착 장치

2014.12.10	히트 슬러그의 방열구조, 반도체 패키지 및 히트 슬러그의 접지방법

2014.12.11	반도체 패키지

2015.01.21	휨 방지층을 구비하는 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법

2015.02.02	리드프레임, 반도체 패키지 및 리드프레임의 제조방법

2015.02.04	무선 신호 전달, 무선 전원 구동 및 방열 기능들을 가지는 USB 메모리 장치

2015.02.04	광 신호 전달 및 또는 무선 전원 구동 기능을 갖는 웨이퍼 이면 연마 장치

2015.04.29	지지봉을 이용한 박형 칩의 적층 방법

2015.05.15	반도체 패키지 및 그 제조 방법

2015.05.20	반도체 패키지 및 그 제조 방법

2015.06.05	지지대를 이용한 박형칩 적층 방법

2015.06.05	웨이퍼 레벨의 팬 아웃 패키지 제조 방법

2015.06.05	팬-아웃 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법

2015.06.09	이형필름을 포함하는 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

2015.06.09	보이스 코일 제조 방법

2015.06.09	반도체 패키지 및 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법

2015.06.10	매거진 고정 블록

2015.06.12	반도체 패키지 제조 방법

2015.07.02	반도체 패키지 제조 방법

2015.07.08	웨이퍼 레벨의 팬 아웃 패키지 제조방법

2015.07.15	적층형 반도체 패키지 및 이의 제조방법

2015.07.22	지배선층의 산화막 제거 방법

2015.08.05	절연물질과 플러스를 도포하는 장치 그 방법

2015.08.07	저항 측정용 재배선층을 갖는 웨이퍼 레벨 패키지

2015.08.10	보이스 코일 제조방법

2015.08.17	적층형 반도체 패키지 제조방법

2015.08.24	팬-아웃형 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법

2015.09.16	웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지의 제조방법

2015.09.24	히트스프레더가 부착된 웨이퍼 레벨의 팬 아웃 패키지

2015.09.24	웨이퍼 레벨의 적층형 팬 아웃 패키지 및 그 제조방법

2015.10.16	반도체 패키지 및 적층형 반도체 패키지

와이어 본더의 윈도우 클램프 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법

2015.11.23	반도체 다이 분리 장치 및 분리 방법

2015.11.25	반도체 다이 본딩 장치 및 이의 본딩 스테이지 정렬 방법

2015.12.01	적층형 패키지 및 그 제조방법

2015.12.03	리드프레임 다운셋 장치

2015.12.30	Flux coating Solder ball을 이용한 PKG 제조 방법

2016.01.14	반도체 패키지 및 그 제조방법

2016.01.18	에칭홀 가공방법 및 적층형 반도체 패키지 제조방법

2016.04.25	적층형 패키지 제조방법

2016.06.02	반도체 패키지 및 그 제조방법

2016.06.13	라우터블 QFN 패키지 및 그 제조방법

2016.06.15	반도체 연결패드 상의 범프 구조물 및 이의 형성방법

2016.07.01	관통 실리콘 비아 웨이퍼의 집적회로 분단 방법

2016.07.01	반도체 패키지 제조방법

2016.07.11	반도체 패키지 및 그 제조방법

2016.08.08	적층형 반도체 패키지 제조방법

2016.10.04	웨이퍼 레벨의 팬 아웃 패키지 제조 방법