피델릭스 분기보고서 (2025.09)
7. 기타 참고사항

가. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등당사는 영위하는 사업과 관련하여 다음의 특허권을 취득하여 보유하고 있습니다.

순번	지적재산권 종류	보유 개수

1	특허권	76건

- 각 특허권등의 내용은 다음과 같습니다.

순번	발명의 명칭	종류	등록일	등록번호	등록국가

1	NOR-TYPE FLASH MEMORY DEVICE CONFIGURED TO REDUCE PROGRAM MALFUNCTION	특허권	2017-11-17	201310683893.X	P.R.China

2	Flash memory device reducing layout area	특허권	2017-09-19	201410051128.0	P.R.China

3	Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof	특허권	2017-10-24	201410346353.7	P.R.China

4	HIGH-VOLTAGE SWITCHING CIRCUIT FOR FLASH MEMORY DEVICE	특허권	2019-01-08	201510333987.3	P.R.China

5	DC-TO-DC VOLTAGE CONVERTER USING SWITCHING FREQUENCY DETECTION	특허권	2016-08-09	9413340	U.S.A

6	DC-DC converter using a power driving signal with fixed on-time	특허권	2017-06-13	9680379	U.S.A

7	SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR REDUCING DATA READ TIME DIFFERENCE BETWEEN MEMORY BANKS	특허권	2024-05-22	US11983413	U.S.A

8	AUTO REFRESH LIMITING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE	특허권	2024-10-15	US12119038	U.S.A

9	INPUT BUFFER CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING HYSTERESIS FUCTION	특허권	2024-12-24	US12176897	U.S.A

10	ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER CAPABLE OF QUICK CONVERSION	특허권	2024-12-24	US12176913	U.S.A

11	PUMPING VOLTAGE GENERATING CIRCUIT IN WHICH THE TOTAL PUMPING FORCE IS CONTROLLED IN RESPONSE TO THE SELF-REFRESH CHARGE CONSUMPTION	특허권	2025-03-25	US12261706	U.S.A

12	SIGNAL INPUT BUFFER FOR EFFECTIVELY CALIBRATING OFFSET	특허권	2025-03-25	US12260901	U.S.A

13	AGING MONITORING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE	특허권	2025-06-17	US12334165	U.S.A

14	SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR DETERMING OPERATION STATE WITH DETECTING FREQUENCY OF INPUT CLOCK SIGNAL	2025-09-23	US12424252	U.S.A

15	휴대형 장치 및 공유 메모리의 저전력 모드 제어 방법	특허권	2007-12-18	10-0788980	Korea

16	휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법	특허권	2008-03-20	10-0817316	Korea

17	하나의 오실레이터를 구비한 메모리 장치 및 리프레쉬 제어방법	특허권	2008-03-20	10-0817317	Korea

18	복수개의 포트를 가진 메모리 장치와 그 테스트 방법	특허권	2007-03-14	10-0697832	Korea

19	독립적인 입출력 파워와 클럭을 가지는 다중 포트 메모리장치	특허권	2007-04-30	10-0715525	Korea

20	복수의 공유 블록을 포함하는 다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754359	Korea

21	접근 권한 레지스터 로직을 갖는 다중 포트 메모리 장치 및그 제어 방법	특허권	2008-06-27	10-0843580	Korea

22	공유 저장영역의 리프레쉬 방법 및 그 방법을 수행하는다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754358	Korea

23	공유 저장영역의 안정적인 리프레쉬를 수행하는 다중 포트메모리 장치 및 그 리프레쉬 방법	특허권	2007-08-27	10-0754360	Korea

24	데이터 입출력 파워 공유가 가능한 다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754361	Korea

25	다중 포트 메모리 장치 및 그 데이터의 출력 방법	특허권	2007-11-26	10-0781129	Korea

26	다중 포트 메모리 장치 및 그 접근 권한의 제어 방법	특허권	2008-05-27	10-0834373	Korea

27	전압레벨 감지회로	특허권	2008-02-21	10-0807991	Korea

28	파워업 시에 오동작을 방지하는 딥 파워다운 발생회로	특허권	2008-10-24	10-0866052	Korea

29	외부 배선의 수를 저감하는 멀티 칩 패키지 및 그의 구동방법	특허권	2013-10-01	10-1315864	Korea

30	필라형 수직 채널 트랜지스터 및 그의 제조방법	특허권	2014-01-09	10-1351794	Korea

31	필라형 수직 디램셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-04-14	10-1386911	Korea

32	수직 다중 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-17	10-1377068	Korea

33	실린더형 멀티 레벨 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-04	10-1372307	Korea

34	스위칭 주파수 감지 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2016-11-04	10-1674927	Korea

35	전압 제어 발진기를 이용한 고정 온 타임 주파수 가변 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2017-03-27	10-1721974	Korea

36	테스트 모드의 수를 확장하는 테스트 모드 셋팅 회로 및 테스트 모드 셋팅 방법	특허권	2020-06-12	10-2124404	Korea

37	오버슈트를 저감하는 반도체 메모리 장치의 승압 전압 발생회로	특허권	2020-10-02	10-2163807	Korea

38	데이터 라인의 전류 소모를 저감하는 멀티 뱅크 구조의 반도체 메모리 장치	특허권	2020-10-08	10-2166123	Korea

39	안티퓨즈샐의 누설전류를 방지하는 안티퓨즈 어레이	특허권	2023-04-05	10-25199773	Korea

40	승압 전압의 전류 소모를 저감하는 반도체메모리 장치의 승압 전원단 구동회로	특허권	2023-05-16	10-2534321	Korea

41	안티퓨즈를 이용한 반도체메모리 장치의 동작 모드 설정 회로	특허권	2023-06-09	10-2543470	Korea

42	소모전류를 최소화하면서도 기준 전압의 레벨의 신속한 복원이 가능한 반도체메모리 장치의 기준 전압 발생 회로	특허권	2023-06-26	10-2549324	Korea

43	기준 전압 레벨 변동을 저감하는 버퍼 회로	특허권	2023-08-23	10-2568596	Korea

44	전원전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리장치의 음 전압 감지회로	특허권	2023-09-13	10-2583549	Korea

45	오버 부스팅 현상을 완화하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 발생회로	특허권	2023-10-16	10-2591303	Korea

46	전류 소모를 저감하는 반도체 시스템의 데이터 송수신 장치	특허권	2023-10-11	10-2589534	Korea

47	인에이블 타이밍에서 기준 전압을 목표 레벨로 신속하게 제어하는 기준 전압 발생 회로	특허권	2023-10-23	10-2594299	Korea

48	신속한 변환이 가능한 아날로그-디지털 변환기	특허권	2023-11-07	10-2601060	Korea

49	내부 생성 전압의 레벨을 용이하게 측정될 수 있는 레벨로 변환하는 반도체 메모리 장치의 레벨 변환 회로	특허권	2023-11-20	10-2605245	Korea

50	안티퓨즈의 프로그램 속도를 향상시키는 OTP 메모리 장치	특허권	2023-12-19	10-2617000	Korea

51	안티퓨즈의 단락 오류를 완화하는 OTP메모리 장치	특허권	2024-01-12	10-2626359	Korea

52	안티퓨즈샐의 누설전류를 저감하는 안티퓨즈 어레이	특허권	2024-01-26	10-2631894	Korea

53	트랜지스터의 문턱 전압의 레벨 변화로 열화를 감시하는 반도체 메모리 장치의 열화 감시 회로	특허권	2024-02-01	10-2634447	Korea

54	신호 전송 시간의 변화로 배선의 열화를 감시하는 열화 감시 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-02-01	10-2634456	Korea

55	테스트 모드의 수를 효율적으로 확장하는 테스트 모드 셋팅 회로 및 테스트 모드 셋팅 방법	특허권	2024-04-15	10-2658551	Korea

56	히스테리시스 기능을 가지는 입력 버퍼 회로	특허권	2024-05-07	10-2665085	Korea

57	저전압 레벨의 입력 신호에 대해 고속 동작이 가능한 입력 버퍼회로	특허권	2024-05-07	10-2665086	Korea

58	메모리 벵크들 간의 데이터 독출 시간차를 저감하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-05-16	10-2667531	Korea

59	반도체 메모리 장치의 오토 리프레쉬 제한 회로	특허권	2024-05-20	10-2668495	Korea

60	입력 클락 신호의 주기를 감지하여 동작 모드를 결정하는 반도체 메모리 장치와 이에 포함되는 주기 감지 회로	특허권	2024-05-20	10-2668499	Korea

61	크랙 발생범위를 효과적으로 모니터링 할 수 있는 반도체 장치	특허권	2024-07-02	10-2681064	Korea

62	입력 클락 주파수에 따라 동작 상태가 변경되는 반도체 메모리 장치 메모리 장치와 이에 포함되는 주기 감지 회로	특허권	2024-07-12	10-2685828	Korea

63	반도체 메모리 장치의 단위 인버터 전파 지연 측정 회로	특허권	2024-07-18	10-2687631	Korea

64	동작 주파수 밴드의 조절이 용이한 입력 버퍼회로	특허권	2024-08-02	10-2692791	Korea

65	전송 데이터 신호의 스윙폭을 감소하여 전류 소모를 저감하는 반도체 메모리 장치의 데이터 전송 시스템	특허권	2024-08-08	10-2694729	Korea

66	데이터 기입-독출 동작시의 피크 전류를 저감하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-08-09	10-2695141	Korea

67	집적도를 향상시키는 오픈 비트라인 타입의 반도체 메모리 장치	특허권	2024-08-22	10-2699285	Korea

68	출력 신호의 스윙폭 조절이 용이한 출력 버퍼 회로	특허권	2024-08-30	10-2702558	Korea

69	전원 배선의 수를 저감하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-09-06	10-2705704	Korea

70	효율적인 타켓 로우 리프레쉬 동작이 수행되는 디램	특허권	2024-09-19	10-2709037	Korea

71	효과적으로 오프셋을 보정하는 신호 입력 버퍼	특허권	2024-10-02	10-2714405	Korea

72	글로벌 데이터 라인의 부하를 저감하여 전류 소모를 감소하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-10-31	10-2726040	Korea

73	효과적으로 오프셋을 보정하는 데이터 입력 버퍼	특허권	2025-01-09	10-2754773	Korea

74	최소화된 레이아웃 면적과 최적화된 펌핑 구동력을 가지는 펌핑 전압 발생 회로를 포함하는 반도체 메모리 장치	특허권	2025-01-20	10-2759047	Korea

75	데이터 듀티 스큐를 완화하는 데이터 직렬화기	특허권	2025-04-21	10-2800001	Korea

76	셀프 리프레쉬 소비 전하량에 대응하여 전체 펌핑 구동력이 조절되는 펌핑 전압 발생회로	특허권	2025-08-07	10-2840935	Korea

나. 산업분석 1) 시장여건 및 업계의 현황반도체 시장은 크게 Memory분야와 System IC분야로 구분할 수 있습니다. 이중 Memory 시장은 크게 2가지 분야인 DRAM, Flash memory로 구별됩니다.

Memory의 사용처는 단순 컴퓨팅이나 모바일기기에서 모든 전자기기 또한 무선으로 결합되는 M2M(Machine to Machine)/IoT(Tnternet of Things) 시장으로 확대되고 있으며, 자동차용 통신모듈의 성장, 5G 통신 기기의 발전으로 메모리 성장은 지속 호조를 보일 것으로 전망하고 있습니다. 기존의 Legacy 제품을 사용해야 하는 전통 시장의 꾸준한 수요 외에도 최근 AI boom에 따른 HBM, eSSD가 높은 성장세를 보여주고 있으며 소비자 주도 메모리(Custom memory)의 수요도 향후 급증할 것으로 예견됩니다.

2) 회사의 현황(1) 영업개황

메모리 반도체 시장은 오랫동안 모바일을 필두로 한 컴퓨터, 서버, 전통 가전에 의존한 시대를 지나 최근 모든 전자기기들이 다방향으로 소통하는 유비쿼터스 시대로 나아가고 있습니다. 이러한 변화 속에서 서버 시장과 M2M/IoT 시장이 급격히 발전하였고, 사물간의 소통은 전자기기를 넘어 자동차 시장까지 확대되어 그 수요가 매년 증가하고 있습니다.변화하는 시장 속에서 피델릭스는 차량용 칩셋 업체들과 협업하여 인증을 확보하고 차량용 모듈 업체들을 통해 생산을 확대하여 어느덧 당사 매출의 견실한 근간을 마련하는 수준에 이르렀으며, 향후 5G로의 시장 전환으로 한 단계 더 나아갈 수 있는 분기점을 목전에 두고 있습니다.최근 AI boom에 따른 소비자 주도 메모리(Custom memory) 수요가 향후 2~3년 내 급증할 것으로 예견되면서도 여전히 기존의 Legacy 제품을 사용해야 하는 전통 시장의 꾸준한 수요와 차량용 통신 모듈의 수요 증가는 현재 대기업이 고용량 HBM, eSSD 등과 같은 고사양 제품 개발에 집중되어 있는 지금, 피델릭스와 같은 중견 기업의 역할이 더욱 중요하게 활약할 수 있는 시장일 것입니다.

(2) 시장점유율

당사는 삼성, SK하이닉스, 마이크론과 같이 생산 설비를 겸비하고 있는 업체를 제외하고는 Fabless 업체 가운데 DRAM과 FLASH 메모리를 모두 개발할 수 있는 역량을 가진 업체입니다. 상당 부분 DRAM과 FLASH 메모리로 조합된 MCP(Multi Chip Package)로 최종 고객에 공급을 하고 있어 각 제품의 시장 점유율을 산정하기는 어려우나, 최근 유수의 전장 모듈 업체들과의 사업 확대로 인해 당사 제품의 시장 점유율을 지속적으로 높일 수 있는 기대요소로 평가하고 있습니다.

(3) 시장의 특성

자동차 시장은 안정적인 품질을 바탕으로 꾸준한 공급과 안정된 수요를 요구하는 시장으로 주요 칩셋의 인증을 기본으로 업계의 경험치까지 요구되는 시장이며, 전통 시장은 반복되는 수요와 공급 변동에 유연함을 갖추어야 하는 시장입니다. 당사는 자체 설비를 보유하고 있지 않은 Fabless으로서 Foundry를 통한 자사 제품의 개발과 유수의 대기업들을 통한 Outsourcing을 병행하여 두 시장을 모두 경쟁할 수 있는 입지를 마련하고 있습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

피델릭스는 전통적인 메모리 시장의 요구를 넘어 대기업에서 공급하기 어려운 Legacy DRAM과 FLASH 제품을 꾸준히 개발 양산하여 연산에 필요한 기본 제품부터 5G 무선 통신시장에 이르기까지 모든 사업 영역에 걸쳐 공급을 확대하고 있으며, 동시에 다가올 AI 시대에 맞춰 고객 맞춤형 제품(Customize memory)을 적기에 개발할 수 있도록 내부 연구를 꾸준히 진행하고 있습니다. 이에 기존 시장의 확대와 다가올 AI 시장의 개화는 당사의 사업 영역을 한층 성장시켜 줄 것으로 기대합니다.

- 공시대상 사업부문의 구분

산업분류코드	산업분류명

26110	전자 집적회로 제조업

※ 한국표준산업분류표에 의함