피델릭스 반기보고서 (2021.06)
7. 기타 참고사항

가. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등당사는 영위하는 사업과 관련하여 45건의 특허권을 취득하여 보유하고 있습니다. 각 특허권등의 내용은 다음과 같습니다.

순번	지적재산권 종류	보유 개수

1	특허권	45건

※상세 현황은 '상세표-4. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등' 참조

나. 산업분석 1) 시장여건 및 영업의 개황 반도체 시장은 크게 Memory분야와 System IC분야로 구분할 수 있습니다. 이중 Memory 시장은 크게 3가지 분야인 SRAM, DRAM, Flash memory로 구별됩니다. 휴대폰은 지난 10여년 간 단말기가 단순 음성을 전달하는 기능에서 사진, 동영상, 음악 등의 Multimedia 기능이 추가됨은 물론 최근 음성인식을 비롯한 AI 비서 역할까지 확대되었고, TV, PC를 비롯한 모든 전자기기 또한 무선으로 결합되는 M2M(Machine to Machine)/IoT(internet of things) 시장으로 확대되고 있으며, 일상생활에 사용되는 microwave, laundry machine에 이르기까지 모든 전자기기들이 Ubiquitous를 향해 진보하고 있습니다.

당사가 주력으로 개발 및 판매하는 Memory는 이러한 connected 시장에 부합되는 저전력, 다양한 종류와 용량을 가진 제품으로 대표적으로는 Memory 반도체 중 저전력을 요구하는 Buffer Memory인 Mobile DRAM과 PSRAM, 전자기기의 기억장치(Code Memory)인 Nor Flash와 NAND Flash, 그리고 가전 및 산업용 big data를 전송하는 Commodity DRAM과 Network Memory가 있습니다.

당사는2002년부터 DRAM의 설계기술을 이용 Cell의 내부구조는 DRAM과 유사하나 외부 동작은 SRAM과 같이 작동하는 특징을 가진 PSRAM을 본격적으로 시장에 출시한 이래, Mobile Phone에서 요구하는 저전력 Buffer Memory인 Mobile DDR의 판매를 증가시킨 한편, 저전력 특성을 가지고 더 많은 data를 처리할 수 있는 Mobile DDR2/DDR3까지 개발을 멈추지 않고 시장의 요구에 맞춰 꾸준히 출시, 판매를 하고 있으며, 전자제품의 기억장치인 Flash Memory 사업 또한 저용량 Serial Nor Flash에서 NAND Flash에 이르기까지 사업 영역을 확대해 오고 있습니다. 피델릭스는 과거Mobile Phone에 위주로 한 사업 영역에서 탈피하여 새로이 시장의 요구에 맞춰 Mobile DDR, Commodity DDR, NAND Flash 등을 개발하였고, Consumer Electronics, M2M/IoT 사업에 기여하고 있으며, 최근Car Automotive 시장까지 진출 영역을 넓히고 있습니다. 반면에 시장은 다양한 Application이 출시되면서도 과거의 Mobile DDR, Nor Flash가 필요한 Feature Phone과 같은 제품들이 여전히 명맥을 유지하고 있고, 3G를 넘어서4G, 5G통신에 필요한 더 많은 data를 빠르게 처리할 수 있는Mobile DDR 및 NAND Flash를 적용할 제품들이 새로 창출되고 있어 향후에도 이러한 무선통신 시장이 당사의 성장과 함께 할 것으로 예상됩니다.

2) 회사의 현황 당사 제품의 최대 수요처는 휴대폰 시장과 M2M/IoT 시장입니다. 휴대폰 시장은 최근 전통적인 multimedia 기능을 가진 Feature Phone이 서서히 감소하면서 보급형 Smart Feature Phone이 급격히 증가하고 있으며, 이 수요는 전통적인 Feature Phone과 Low Entry Smart Phone을 초과하는 수준의 급격한 성장이 예상됩니다. 아울러 M2M/IoT 시장은 각종 장비와 스마트 가전에 전반적으로 적용되는 추세이며 이러한 시장에 당사의 제품이 주요한 바, 높은 품질과 경쟁력 있는 가격을 통해 시장 점유율을 최대한 높이기 위해 노력하고 있습니다.

(1) 공시대상 사업부문의 구분

산업분류코드	산업분류명

26110	전자 집적회로 제조업

※ 한국표준산업분류표에 의함(2) 시장점유율 등

피델릭스는 삼성, SK하이닉스와 같은 자사 공장을 가진 업체를 제외하고는 Fabless 업체에서 몇 안 되는 DRAM과 Flash를 모두 겸비한 업체입니다. 국내외에 제주반도체, Winbond, Maxronix 등과 같은 경쟁 업체가 있으며, 상당 부분이 MCP(Multi Chip Package)의 형태로 최종 Customer에 공급되어 각 제품의 시장 점유율을 산정하기는 어려우나, Mobile Application에 사용되는 전세계 Buffer Memory시장의 20%, Commodity 시장의 10%를 목표로 하고 있습니다.

(3) 시장의 특성

Mobile Memory는 안정적인 수요와 꾸준한 가격 인하가 되는 시장이며, Commodity 시장은 수요와 공급에 의해 가격과 공급이 결정되는 시장입니다. 당사는 생산 설비를 보유하고 있지 아니한 Fabless 반도체로 위 두 가지 시장에서 모두 경쟁할 제품을 보유한 바, 안정적이고 Advanced된 Technology를 보유하고 있는 Foundry 확보는 사업 추진에 있어 필수적인 중요한 요소입니다. Buffer Memory의 주요 기술 및 가격경쟁력은 작은 Chip Size, 전력소비, 동작속도에 있으며 당사의 제품은 다음과 같은 경쟁 우위를 보이고 있습니다. ① Smaller Chip Size

반도체제품의 제조원가는 크게 Wafer Cost와 Test Cost로 구성되며, Wafer Cost는 Wafer당 Die의 수와 관계없이 결정되나 Test Cost는 Die수량에 따라 증가하나 정비례 관계를 가지지는 아니하여 한 Wafer당 Die의 수가 많으면 많을 수록 Die(Chip)당 생산단가는 하락하게 됩니다. 당사의 Wafer당 Die수는 동일 공정을 사용하는 타 경쟁사 대비 많은 것으로 알려져 있습니다.

② 적기 제품 공급 가능 동일 Foundry의 공정을 사용하여 Foundry와의 협력관계는 물론 Design Error를 최소화하고 개발에 소요되는 기간을 최단기화 할 수 있는 바, Customer가 요구하는 제품을 적기에 공급할 수 있는 장점이 있습니다. 이러한 적기의 제품 개발 공급은 시장 선점의 효과를 누릴 수 있는 장점이 있습니다. ③ 제품의 Quality 당사 제품은 Buffer Memory의 특성 중 가장 중요한 요소인 Speed 측면에서 경쟁 우위를 점하고 있습니다. 간결한 내부 Logic으로 구성되어 있어 내부 Logic연산시에 소요되는 시간을 최소화하여 Chip Speed를 빠르게 할 수 있는 장점을 가지고 있습니다. 또한 고객에 따라 요구하는 제품의 특성이 다양한 바, 이에 응하기 위하여 다양한 Option기능을 활용함으로써 Customer에게 최적의 제품을 공급할 수 있게 설계되어 있습니다. 한편 PSRAM 에서 가장 중요한 요소중의 하나는 ISB1(Standby Current)이며, 적은 ISB1,즉 Low Power / Low Voltage 를 구현하는 기술은 Low Power DRAM의 필수적인 요소입니다. 보다 적은 ISB1을 구축하기 위해서 Design상에서 DPD(Deep Power Down), PASR(Partial Array Self Refresh), RMS(Reduced Memory Size), Automatic TCSR(Temperature Controlled Self Refresh) Mode와 같은 다양한 기능들을 지원하고 있습니다. ④ Test 기술 Package Business와 달리 Wafer Business의 경우 Wafer Level에서 모든 Screen이 이루어져야 하며 최적의 Screen을 위한 Test기술은 오랜 기간의 경험에서 오는 Know-how가 전제되어야 가능한 기술입니다. 이러한 Test 기술은 세계수준의 Flash Memory회사와의 거래를 위해서는 필수적일 뿐만 아니라 동 업체로부터의 Qaul은 당사의 제품 수준에 대한 실증으로서의 효과를 가짐으로써 제품 경쟁력을 확보하게 되고

또한 타사보다 높은 가격 Premium을 가질 수 있게 합니다.