피델릭스 분기보고서 (2018.09)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요당사가 영위하는 주요사업은 Memory반도체의 개발 및 판매이며 Mobile DRAM,초고속메모리,NOR Flash Memory,MCP 등의 사업을 영위하고 있습니다.

가. 시장여건 및 영업의 개황반도체 시장은 크게 Memory분야와 System IC분야로 구분할 수 있습니다. 이중 Memory 시장은 크게 3가지 분야인 SRAM, DRAM, Flash memory로 구별됩니다. 휴대폰은 지난 10여년 간 단말기가 단순 음성을 전달하는 기능에서 사진, 동영상, 음악 등의 Multimedia 기능이 추가 됨은 물론 최근 음성인식을 비롯한 AI 비서 역할까지 확대되었고, TV, PC를 비롯한 모든 전자기기 또한 무선으로 결합되는 M2M(Machine to Machine)/IoT(internet of things) 시장으로 확대되고 있으며, 일상생활에 사용되는 microwave, laundry machine에 이르기까지 모든 전자기기들이 Ubiquitous를 향해 진보하고 있습니다.

당사가 주력으로 개발 및 판매하는 Memory는 이러한 connected 시장에 부합되는 저전력, 다양한 종류와 용량을 가진 제품으로 대표적으로는 Memory 반도체 중 저전력을 요구하는 Buffer Memory인 Mobile DRAM과 PSRAM, 전자기기의 기억장치(Code Memory)인 Nor Flash와 NAND Flash, 그리고 가전 및 산업용 big data를 전송하는 Commodity DRAM과 Network Memory가 있습니다.

당사는2002년부터 DRAM의 설계기술을 이용 Cell의 내부구조는 DRAM과 유사하나 외부 동작은 SRAM과 같이 작동하는 특징을 가진 PSRAM을 본격적으로 시장에 출시한 이래, Mobile Phone에서 요구하는 저전력 Buffer Memory인 Mobile DDR의 판매를 증가시킨 한편, 저전력 특성을 가지고 더 많은 data를 처리할 수 있는 Mobile DDR2/DDR3까지 개발을 멈추지 않고 시장의 요구에 맞춰 꾸준히 출시, 판매를 하고 있으며, 전자제품의 기억장치인 Flash Memory 사업 또한 저용량 Serial Nor Flash에서 NAND Flash에 이르기까지 사업 영역을 확대해 오고 있습니다. 피델릭스는 과거Mobile Phone에 위주한 사업 영역에서 탈피하여 새로이 시장의 요구에 맞춰 Mobile DDR2/DDR3, Commodity DDR3, NAND Flash 등을 개발하였고, Consumer Electronics, M2M/IoT 사업에 기여하고 있으며, 최근Car Automotive 시장까지 진출 영역을 넓히고 있습니다. 반면에 시장은 다양한 application이 출시되면서도 과거의 Mobile DDR, Nor Flash가 필요한Feature Phone과 같은 제품들이 여전히 명맥을 유지하고 있고, 3G를 넘어서4G, 5G통신에 필요한 더 많은 data를 빠르게 처리할 수 있는Mobile DDR2/DDR3 및 NAND Flash를 적용할 제품들이 새로 창출되고 있어 향후에도 이러한 무선통신 시장이 당사의 성장과 함께 할 것으로 예상됩니다.

나. 회사의 현황당사 제품의 최대 수요처는 휴대폰 시장과 M2M/IoT 시장입니다. 휴대폰 시장은 최근 전통적인 multimedia 기능을 가진 Feature Phone이 서서히 감소하면서 보급형 Smart Feature Phone이 급격히 증가하고 있으며, 이 수요는 전통적인 Feature Phone과 Low Entry Smart Phone을 초과하는 수준의 급격한 성장이 예상됩니다. 아울러 M2M/IoT 시장은 각종 장비와 스마트 가전에 전반적으로 적용되는 추세이며

이러한 시장에 당사의 제품이 주요한 바, 높은 품질과 경쟁력 있는 가격을 통해 시장 점유율을 최대한 높이기 위해 노력하고 있습니다.

(1) 공시대상 사업부문의 구분

산업분류코드	산업분류명

26110	전자 집적회로 제조업

한국표준산업분류표에 의함(2) 시장점유율 등

피델릭스는 삼성, SK하이닉스와 같은 자사 공장을 가진 업체를 제외하고는 Fabless 업체에서 몇 안 되는 DRAM과 Flash를 모두 겸비한 업체입니다. 국내외에 제주반도체, Winbond, Maxronix 등과 같은 경쟁 업체가 있으며, 상당 부분이 MCP(Multi Chip Package)의 형태로 최종 Customer에 공급되어 각 제품의 시장 점유율을 산정하기는 어려우나, Mobile Application에 사용되는 전세계 Buffer Memory시장의 20%, Commodity 시장의 10%를 목표로 하고 있습니다.

(3) 시장의 특성

Mobile Memory는 안정적인 수요와 꾸준한 가격 인하가 되는 시장이며, Commodity 시장은 수요와 공급에 의해 가격과 공급이 결정되는 시장입니다. 당사는 생산 설비를 보유하고 있지 아니한 Fabless 반도체로 위 두 가지 시장에서 모두 경쟁할 제품을 보유한 바, 안정적이고 Advanced된 Technology를 보유하고 있는 Foundry 확보는 사업 추진에 있어 필수적인 중요한 요소입니다.

Flash Memory는 SMIC 전략적 제휴 계약을 체결하여 현재 65nm, 38nm process에서 양산을 하고 있으며, 2xnm process 공정 개발도 협력하고 있습니다. 또한 DRAM은 Powerchip과의 전력적 협력을 통해 72nm, 45nm 38nm에서 양산을 진행하고 있으며, 이하 25nm 공정에서 신제품을 출시하기 위해 준비 중입니다.

Buffer Memory의 주요 기술 및 가격경쟁력은 작은 Chip Size, 전력소비, 동작속도에 있으며 당사의 제품은 다음과 같은 경쟁 우위를 보이고 있습니다.① Smaller Chip Size

반도체제품의 제조원가는 크게 Wafer Cost와 Test Cost로 구성되며, Wafer Cost는 Wafer당 Die의 수와 관계없이 결정되나 Test Cost는 Die수량에 따라 증가하나 정비례 관계를 가지지는 아니하여 한 Wafer당 Die의 수가 많으면 많을 수록 Die(Chip)당 생산단가는 하락하게 됩니다. 당사의 Wafer당 Die수는 동일 공정을 사용하는 타 경쟁사 대비 많은 것으로 알려져 있습니다.

② 적기 제품 공급 가능동일 Foundry의 공정을 사용하여 Foundry와의 협력관계는 물론 Design Error를 최소화 하고 개발에 소요되는 기간을 최단기화 할 수 있는 바, Customer가 요구하는 제품을 적기에 공급할 수 있는 장점이 있습니다. 이러한 적기의 제품 개발 공급은 시장 선점의 효과를 누릴 수 있는 장점이 있습니다. ③ 제품의 Quality 당사 제품은 Buffer Memory의 특성 중 가장 중요한 요소인 Speed 측면에서 경쟁 우위를 점하고 있습니다. 간결한 내부 Logic으로 구성되어 있어 내부 Logic연산시에 소요되는 시간을 최소화하여 Chip Speed를 빠르게 할 수 있는 장점을 가지고 있습니다. 또한 고객에 따라 요구하는 제품의 특성이 다양한 바, 이에 응하기 위하여 다양한 Option기능을 활용함으로써 Customer에게 최적의 제품을 공급할 수 있게 설계되어 있습니다. 한편 PSRAM 에서 가장 중요한 요소중의 하나는 ISB1(Standby Current)이며, 적은 ISB1,즉 Low Power / Low Voltage 를 구현하는 기술은 Low Power DRAM의 필수적인 요소입니다. 보다 적은 ISB1을 구축하기 위해서 Design상에서 DPD(Deep Power Down), PASR(Partial Array Self Refresh), RMS(Reduced Memory Size), Automatic TCSR(Temperature Controlled Self Refresh) Mode와 같은 다양한 기능들을 지원하고 있습니다.④ Test 기술Package Business와 달리 Wafer Business의 경우 Wafer Level에서 모든 Screen이 이루어져야 하며 최적의 Screen을 위한 Test기술은 오랜 기간의 경험에서 오는 Know-how가 전제되어야 가능한 기술입니다. 이러한 Test 기술은 세계수준의 Flash Memory회사와의 거래를 위해서는 필수적일 뿐만 아니라 동 업체로부터의 Qaul은 당사의 제품 수준에 대한 실증으로서의 효과를 가짐으로써 제품 경쟁력을 확보하게 되고

또한 타사보다 높은 가격 Premium을 가질 수 있게 합니다.

(4) 조직도(주)피델릭스 조직도

2. 주요 제품, 서비스 등 가. 주요 제품, 서비스 등의 현황 (단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	매출액(비율)

제 조	제품매출	반도체	Mobile Application용 Memory	Fidelix	55,355(96.8%)

기타매출	반도체매출 외	기타	-	1,813(3.2%)

합 계	57,168(100%)

나. 주요 제품, 서비스 등의 가격변동추이 (단위 : 원)

품 목	제 29기 분기	제 28기 연간	제 27기 연간

LPSDRAM/DDR/FLASH/MCP	내수	865	1,227	1,776

수출	946	1,011	955

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 주요 원재료 등의 가격변동추이- 당사 영업비밀상 비공개로 함

나. 주요 원재료 등의 주요매입처 현황등 (단위 : 백만원, %)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	매입액(비율)	비 고

제 조	원 재 료	Wafer	반도체 제조	45,528(100%)	Powerchip등

4. 생산 및 설비에 관한 사항

- 당사의 경우 별도의 생산설비를 보유하지 아니한 반도체 설계 전문기업으로서(Fabless 기업) 당사 제품의 생산은 Foundry 전문기업(Powerchip 등)에 위탁가공 생산방식으로 이루어 지고 있습니다.

5. 매출에 관한 사항가. 매출실적 (단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제29기 분기	제28기 전기	제27기 전전기

제조	제품기타	반도체등	수 출	51,170	44,945	53,533

내 수	4,185	14,355	2,932

합 계	33,544	35,764	56,465

기타	수 출	1,813	1,853	-

내 수	-	-	-

합 계	1,813	1,853	-

합 계	수 출	52,983	46,798	53,533

내 수	4,185	14,355	2,932

합 계	57,168	61,153	56,465

나. 판매경로 및 판매방법 등(1) 판매조직

본사영업팀,판매 대리점(국내,일본,대만,중국,유럽,미주 등)

(2) 판매경로

본사영업팀 직접 매출 또는 대리점을 통한 매출

(3) 판매방법 및 조건① 내수판매 : 현금판매 및 외상판매 등

② 수출판매 : 주로 T/T방식 결제(4) 판매전략

① 국내 판매 정책 : 주요 Customer의 향후 신규 Memory 수요 파악

② 해외 판매 방식 : 해외영업을 강화하기 위하여 판매대리점 추가 물색중임

6. 수주잔액(단위 : 개,백만원)

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Memory 반도체	17.05.31 ~ 18.09.30	18.04.15 ~ 19.07.17	26,924,441	19,072,970	7,843,778	5,681,014	19,080,663	13,391,956

합 계	26,924,441	19,072,970	7,843,778	5,681,014	19,080,663	13,391,956

7. 시장위험과 위험관리당사는 외화표시 자산과 부채의 환율변동에 의한 리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 예측 가능 경영을 통한 경영의 안정성 실현을 목표로 환리스크 관리에 만전을 기하고 있습니다.당사의 재무위험 관리는 영업활동에서 파생되는 시장위험, 신용위험 및 유동성위험을 최소화하는데 중점을 두고 있습니다. 당사는 이를 위하여 재무팀이 주관하여 각각의 위험요인에 대해 면밀하게 모니터링후 대응하고 있습니다.

(1) 시장위험1) 환율변동위험당사는 글로벌 영업활동을 수행함에 따라 보고통화와 다른 외화 수입, 지출이 발생하고 있습니다. 이로 인해 환율변동위험에 노출되는 환포지션의 주요 통화로는 USD등이 있습니다.당사는 영업활동에서 발생하는 환위험의 최소화를 위하여 수출입등의 경상거래 및 예금, 차입 등의 자금거래시 입금 및 지출 통화를 일치시키는 것을 원칙으로 함으로써 환포지션 발생을 최대한 억제하고 있습니다.보고기간말 현재 당사가 보유한 화폐성 자산부채의 내역은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구분	2018.09.30	2017.12.31	비고

자 산	부 채	자 산	부 채

USD	25,991,257	16,824,212	17,096,885	7,205,312	-

NTD	19,039	-	14,875	-	-

합 계	26,010,296	16,824,212	17,111,760	7,205,312	-

당사는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당분기말과 전기말 현재 외화에 대한 보고통화의 환율 10%변동시 환율변동이 당분기와 전기 중 세전손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)

구분	2018.09.30	2017.12.31	비고

10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시

USD	4,281,547	(4,281,547)	2,430,220	(2,430,220)	-

NTD	1,904	(1,904)	1,488	(1,488)	-

합 계	4,283,451	(4,283,451)	2,431,708	(2,431,708)	-

상기 민감도 분석은 당분기말과 전기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채를 대상으로 한 것입니다. 환율의 미래변화는 판매가격과 매출이익율의 변화에 영향을 줄 수 있습니다.2) 현금흐름 및 공정가치 이자율 위험사의 이자율 위험은 장기차입금에서 비롯됩니다. 변동이자율로 발행된 차입금으로인하여 회사는 현금흐름 이자율 위험에 노출되어 있으며 동 이자율위험의 일부는 변동이자부 현금성자산으로부터의 이자율 위험과 상쇄됩니다. 또한 고정이자율로 발행된 차입금으로 인하여 회사는 공정가액 이자율 위험에 노출되어 있습니다. 회사는 이자율에 대한 노출에 대해 다각적인 분석을 실시하고 있습니다. 재융자, 기존 차입금의 갱신, 대체적인 융자 및 위험회피 등을 고려한 다양한 시나리오를 시뮬레이션 하고 있습니다. 이러한 시나리오를 바탕으로 회사는 정의된 이자율 변동에 따른 손익 효과를 계산하고 있습니다. 이러한 시나리오들은 주요 이자부 포지션을 나타내는 부채에 대해서만 적용됩니다.실행된 시뮬레이션에 근거할 때, 1% 이자율 변동이 세전손익에 미치는 영향은 아래와 같습니다.

(단위 : 천원)

구분	2018.09.30	2017.12.31	비고

1% 상승시	1% 하락시	1% 상승시	1% 하락시

법인세차감전손익	(130,875)	130,875	(169,063)	169,063	-

(2) 신용위험신용위험은 보유하고 있는 수취채권 및 확정계약을 포함한 거래처에 대한 신용위험뿐 아니라 현금및현금성자산 및 장단기금융자산으로부터 발생하고 있습니다. 회사는신용위험을 관리하기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있으며 주기적으로 거래처의 신용도를 재평가하여 신용거래한도를 재검토하고 있습니다. 당분기 중 신용한도를 초과한 건은 없었으며 경영진은 거래처로부터 의무불이행으로인한 손실을 예상하고 있지 아니합니다.(3) 유동성위험현금흐름의 예측은 회사의 금융부서에서 수행하고 있습니다. 회사의 금융부서는 미사용 차입금한도를 적정수준으로 유지하고 영업 자금 수요를 충족시킬 수 있도록 유동성에 대한 예측을 항시 모니터링하여 차입금 한도나 약정을 위반하는 일이 없도록 하고 있습니다. 유동성에 대한 예측시에는 회사의 자금조달 계획, 약정 준수, 회사 내부의 목표재무비율 및 통화에 대한 제한과 같은 외부 법규나 법률 요구사항이 있는 경우 그러한 요구사항을 고려하고 있습니다.회사의 금융부서는 상기에서 언급한 예측을 통해 결정된 대로 여유있는 유동성이 확보될 수 있도록 적절한 만기나 충분한 유동성을 제공해주는 이자부 당좌예금, 정기예금, 수시입출금식 예금, 시장성 유가증권 등의 금융상품을 선택하여 잉여자금을 투자하고 있습니다. 당기말과 전기말 현재 회사는 유동성위험을 관리할 수 있도록 즉시 출금이 가능한 현금및현금성자산에 762,379천원( 전기말 : 2,409,877천원)을 투자하고 있습니다.

회사의 비파생금융부채를 당분기말과 전기말로부터 계약 만기일까지의 잔여기간에 따라 만기별로 구분한 표는 다음과 같습니다. 아래 표에 표시된 현금흐름은 현재가치할인을 하지 않은 금액입니다(단위:천원).

구 분	장부금액	계약상 현금흐름	당분기말

1년 미만	1년에서 2년미만	2년 이후

차입금	16,957,193	14,935,583	6,717,684	731,815	7,486,084

매입채무	19,899,900	19,899,900	19,899,900	-	-

기타지급채무	395,612	395,612	395,612	-	-

합 계	37,252,705	35,231,095	27,013,196	731,815	7,486,084

구 분	장부금액	계약상 현금흐름	전기말

1년 미만	1년에서 2년미만	2년 이후

차입금	15,795,728	17,846,749	10,149,221	720,344	6,977,185

매입채무	9,727,821	9,727,821	9,727,821	-	-

기타지급채무	370,244	370,244	370,244	-	-

합 계	25,893,793	27,944,814	20,247,286	720,344	6,977,185

(4) 자본위험관리회사의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다.자본구조를 유지 또는 조정하기 위하여 회사는 주주에게 지급되는 배당을 조정하고, 주주에 자본을 반환하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시하고 있습니다.산업내의 타사와 마찬가지로 회사는 자본조달비율에 기초하여 자본을 관리하고 있습니다. 자본조달비율은 순부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있습니다. 순부채는 총 차입금에서 현금및현금성자산을 차감한 금액이며 총자본은 재무상태표의 "자본"에 순부채를 가산한 금액입니다.당분기말과 전기말 현재 자본조달비율은 다음과 같습니다(단위:천원).

구 분	당분기말	전기말

총차입금	16,957,193	15,795,728

차감:현금및현금성자산	(762,380)	(2,409,877)

순부채(A)	16,194,813	13,385,851

자본총계(B)	28,222,096	24,348,264

총자본(C=A+B)	44,416,909	37,734,115

자본조달비율(D=A/C)	36.46%	35.47%

8. 파생상품거래 현황 가. 파생상품 및 계약에 관한 내용

(1) 선물환- 해당사항 없습니다.(2) 파생상품- 해당사항 없습니다. 9. 연구개발활동 가. 연구개발활동의 개요 (1) 연구개발 담당조직회사는 연구개발 업무를 전담으로 하는 기업부설 연구소를 별도로 설립하여 운영하고 있습니다.- 연구소 조직도

(2) 연구개발비용회사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다.

(단위 :천원 )

과 목	제29기 분기	제28기	제27기	비 고

원 재 료 비	437,921	663,974	1,755,831	-

인 건 비	1,947,369	2,662,962	3,840,007	-

감 가 상 각 비	-	-	18,614	-

위 탁 용 역 비	-	-	-	-

기 타	486,294	2,431,267	1,682,095	-

연구개발비용 계	2,871,584	5,758,203	7,277,932	-

회계처리	판매비와 관리비	2,416,827	3,473,738	5,078,065	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	454,757	2,284,465	2,199,867	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	4.2%	9.4%	12.9%	-

나. 연구개발 실적회사의 최근 5년간 연구개발 실적은 다음과 같습니다.

구분	날짜	내용	비고

1	2012.01	3216 MCP 개발완료	-

2	2012.01	6432 MCP 개발완료	-

3	2012.02	32M QPI Flash 개발 완료	-

4	2012.02	64M QPI Flash 개발 완료	-

5	2012.05	5th 16M PSRAM 개발 완료	-

6	2012.07	288M LLDRAM 개발 완료	-

7	2012.09	16M QPI Flash 개발 완료	-

8	2012.09	2nd 16M SPI Flash 개발 완료	-

9	2013.01	1st 4M QPI Flash 개발 완료	-

10	2013.02	512M LPDDR 개발 완료	-

11	2013.12	3rd 256M LPDDR 개발 완료	-

12	2014.01	2nd 8M QPI Flash 개발 완료	-

13	2014.03	1st 1G LPDDR 개발 완료	-

14	2014.08	1st 128M QPI Flash 개발 완료	-

15	2015.02	1st 1G Nand Flash 개발 완료(니모스텍 공동개발)	-

16	2015.05	1st 1G DDR2 개발 완료	-

17	2015.06	3rd 64M QPI Flash 개발 완료	-

18	2015.09	1st 2G DDR2 개발 완료	-

19	2016.01	1st 2G Nand Flash 개발 완료(니모스텍 공동개발)	-

20	2016.07	2nd 32M QPI 개발완료	-

21	2016.07	1st 64M SPI 개발완료	-

22	2017.11	1st 1G LPDDR3 개발완료	-

10. 기타 투자의사결정에 필요한 사항 가. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등당사는 영위하는 사업과 관련하여 70건의 특허권을 취득하여 보유하고 있습니다. 각 특허권등의 내용은 다음과 같습니다.

순번	발명의 명칭	종류	등록일	등록번호	등록국가

1	반도체 메모리 소자의 어드레스 입력장치 및 방법	특허권	2003-07-08	6590828	미국

2	스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 및 그 라이트데이타 입력방법	특허권	2006-07-04	6643205	미국

3	스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 의 리프레쉬장치 및 그 방법	특허권	2004-09-10	10-0449638	대한민국

4	온도센서를 구비한 리프레쉬 동작용 클럭발생기	특허권	2005-07-13	10-0502971	대한민국

5	리프레쉬 동작용 클럭발생기	특허권	2005-07-13	10-0502972	대한민국

6	온도센서를 구비한 리프레쉬 동작용 클럭발생기	특허권	2005-07-13	6956397	미국

7	논 파워모드에서 전류소모 감소를 위한 메모리 시스템	특허권	2006-05-19	10-0583834	대한민국

8	어드레스 천이에 응답하여 리프레쉬가 수행되는 디램셀 에스램	특허권	2006-05-19	10-0583833	대한민국

9	스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 및 그 라이트데이타 입력방법	특허권	2006-07-04	10-0599411	대한민국

10	로우 바운더리 구간에서 리프레쉬가 수행되는 디램셀 에스램	특허권	2006-09-26	10-0630976	대한민국

11	리프레쉬 수행에서 노말 억세스로의 복귀지연시간이제어되는 동기식 디램셀 에스램 및 이의 구동방법	특허권	2006-09-26	10-0630975	대한민국

12	충돌 방지를 위한 반도체 메모리 장치	특허권	2006-12-13	10-0659554	대한민국

13	전류소모를 감소시키는 출력 드라이버	특허권	2007-01-30	10-0679077	대한민국

14	복수개의 포트를 가진 메모리 장치와 그 테스트 방법	특허권	2007-03-14	10-0697832	대한민국

15	독립적인 입출력 파워와 클럭을 가지는 다중포트 메모리 장치	특허권	2007-04-30	10-0715525	대한민국

16	공유 저장영역의 리프레쉬방법 및 그 방법을 수행하는 다중포트 메모리장치	특허권	2007-08-27	10-0754358	대한민국

17	복수의 공유블록을 포함하는 다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754359	대한민국

18	공유저장영역의 안정적인 리프레쉬를 수행하는 다중포트 메모리장치 및 그 리프레쉬 방법	특허권	2007-08-27	10-0754360	대한민국

19	데이터 입출력 파워 공유가 가능한 다중포트 메모리장치	특허권	2007-08-27	10-0754361	대한민국

20	다중포트 메모리 장치 및 그 데이터의 출력방법	특허권	2007-11-26	10-0781129	대한민국

21	휴대형 장치 및 공유 메모리의 저전력 모드제어 방법	특허권	2007-12-18	10-0788980	대한민국

22	전압레벨 감지회로	특허권	2008-02-21	10-0807991	대한민국

23	휴대형 장치 및 공유메모리의 리프레쉬 제어방법	특허권	2008-03-20	10-0817316	대한민국

24	하나의 오실레이터를 구비한 메모리 장치 및 리프레쉬 제어방법	특허권	2008-03-20	10-0817317	대한민국

25	다중포트 메모리 장치 및 그 접근권한의 제어방법	특허권	2008-05-27	10-0834373	대한민국

26	접근권한 레지스터 로직을 갖는 다중 포트 메모리 장치 및 그 제어 방법	특허권	2008-06-27	10-0843580	대한민국

27	파워업 시에 오동작을 방지하는 딥 파워다운 발생회로	특허권	2008-10-24	10-0866052	대한민국

28	비휘발성메모리를프로그램하는방법	특허권	1998-10-26	10-0172831	대한민국

29	플래쉬 메모리 장치	특허권	1998-10-01	10-0193898	대한민국

30	플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법	특허권	1999-04-15	10-0208433	대한민국

31	비휘발성 메모리장치	특허권	1999-09-03	10-0232190	대한민국

32	플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법	특허권	1999-10-05	10-0237019	대한민국

33	플래쉬 메모리의 소거 방법	특허권	2000-03-06	10-0257854	대한민국

34	플래쉬 메모리 장치의 파워 리셋 회로	특허권	2001-05-08	10-0296323	대한민국

35	비휘발성 메모리 센싱장치 및 방법	특허권	2001-06-18	10-0300549	대한민국

36	레퍼런스 메모리셀의 초기화 회로 및 그를 이용한 초기화 방법	특허권	2001-06-28	10-0301817	대한민국

37	플래시메모리의레이아웃및그형성방법	특허권	2001-11-15	10-0316060	대한민국

38	레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로 및 그를 이용한 문턱전압 설정방법	특허권	2002-03-26	10-0331847	대한민국

39	플래시 메모리의 어드레스 버퍼	특허권	2003-01-03	10-0368315	대한민국

40	플래쉬 메모리 셀의 어레이 및 이를 이용한 데이터프로그램방법 및 소거방법	특허권	2003-03-27	10-0379553	대한민국

41	멀티레벨 플래시 메모리를 프로그램/리드하기 위한 센싱회로	특허권	2000-12-18	10-0284295	대한민국

42	플래쉬 메모리 장치	특허권	2000-01-06	NI-106578	대만

43	플래쉬 메모리의 소거 방법	특허권	1999-11-23	5991206	미국

44	비휘발성 메모리장치	특허권	1998-09-01	5801993	미국

45	비휘발성메모리를프로그램하는방법	특허권	1996-10-15	5566111	미국

46	비휘발성메모리를프로그램하는방법	특허권	1996-09-01	NI-80877	대만

47	플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법	특허권	1998-06-23	NI-93089	대만

48	플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법	특허권	1998-07-21	5784317	미국

49	외부 배선의 수를 저감하는 멀티 칩 패키지 및 그의 구동방법	특허권	2013-10-01	10-1315864	대한민국

50	필라형 수직 채널 트랜지스터 및 그의 제조방법	특허권	2014-01-09	10-1351794	대한민국

51	수직 다중 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-04	10-1377068	대한민국

52	실린더형 멀티 레벨 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-04	10-1372307	대한민국

53	더블 패터닝 기술을 기반한 모스 메탈 병합 커패시터 소자	특허권	2014-04-02	10-1383106	대한민국

54	필라형 수직 디램셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-04-14	10-1386911	대한민국

55	천이슬로프 기반 에러 확인 회로 및 이를 포함하는 플래시 메모리 장치	특허권	2014-05-08	10-1394950	대한민국

56	레이아웃 면적을 저감하는 플래시 메모리 장치	특허권	2014-10-06	10-1449932	대한민국

57	노이즈피크를 줄이면서 프로그램 소요시간을 저감하는 플래시 메모리장치 및 그의 프로그램	특허권	2014-10-06	10-1449933	대한민국

58	입력 테스트 비트 수를 감소하는 반도체 메모리 장치 및 이에 대한 테스트 데이터 기입 방법	특허권	2014-12-23	10-1477603	대한민국

59	플래시 메모리 장치의 고전압 스위칭 회로의 레이아웃	특허권	2015-04-23	10-1516306	대한민국

60	플래시 메모리 장치의 고전압 스위칭 회로 및 이에 포함되는 펌핑 모스 트랜지스터의 레이아웃	특허권	2015-04-23	10-1516316	대한민국

61	동작모드에 대응하여 구동 능력이 조절되는 내부전압 발생회로	특허권	2015-06-03	10-1527519	대한민국

62	레이아웃 면적을 저감하는 플래시 메모리 장치	특허권	2015-07-21	US9087589	미국

63	노이즈피크를 줄이면서 프로그램 소요시간을 저감하는 플래시 메모리장치 및 그의 프로그램	특허권	2015-08-25	US9117539	미국

64	사용중에 발생되는 결함을 효율적으로 리페어할 수 있는 플래시 메모리 장치 및 그의 리페어 방법	특허권	2016-02-29	10-1600280	대한민국

65	플래쉬 메모리 장치를 위한 High-voltage 스위칭 회로부	특허권	2016-04-26	US9324445	미국

66	스위칭 주파수 감지 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2016-11-04	10-2015-0063797	미국

67	테스트 효율이 향상되는 반도체 메모리 장치	특허권	2016-10-10	10-2015-0045374	대한민국

68	전압 제어 발진기를 이용한 고정 온 타임 주파수 가변 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2017-03-27	10-1721974-0000	미국

69	고정 된 시간에 전원 구동 신호를 사용하는 DC-DC 전압 컨버터	특허권	2017-06-13	US9,680,379	미국

70	프로그램 격막을 줄이기 위해 구성된 NOR 형 플래시 메모리 소자	특허권	2017-09-22	201310683893.X	중국