피델릭스 반기보고서 (2024.06)
7. 기타 참고사항

가. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등당사는 영위하는 사업과 관련하여 다음의 특허권을 취득하여 보유하고 있습니다.

순번	지적재산권 종류	보유 개수

1	특허권	59건

- 각 특허권등의 내용은 다음과 같습니다.

순번	발명의 명칭	종류	등록일	등록번호	등록국가

1	NOR-TYPE FLASH MEMORY DEVICE CONFIGURED TO REDUCE PROGRAM MALFUNCTION	특허권	2017-11-17	201310683893.X	P.R.China

2	Flash memory device reducing layout area	특허권	2017-09-19	201410051128.0	P.R.China

3	Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof	특허권	2017-10-24	201410346353.7	P.R.China

4	HIGH-VOLTAGE SWITCHING CIRCUIT FOR FLASH MEMORY DEVICE	특허권	2019-01-08	201510333987.3	P.R.China

5	DC-TO-DC VOLTAGE CONVERTER USING SWITCHING FREQUENCY DETECTION	특허권	2016-08-09	9413340	U.S.A

6	DC-DC converter using a power driving signal with fixed on-time	특허권	2017-06-13	9680379	U.S.A

7	SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR REDUCING DATA READ TIME DIFFERENCE BETWEEN MEMORY BANKS	특허권	2024-05-22	US11983413	U.S.A

8	전류소모를 감소시키는 출력 드라이버	특허권	2007-01-30	10-0679077	Korea

9	논 파워다운 모드에서 전류 소모 감소를 위한 반도체 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 이용한 메모리 시스템	특허권	2006-05-19	10-0583834	Korea

10	어드레스 입력에 따른 억세스 동작시의 데이터 충돌을 방지하는 반도체 메모리 장치 및 그의 구동방법	특허권	2006-12-13	10-0659554	Korea

11	어드레스 천이에 응답하여 리프레쉬가 수행되는 디램셀에스램	특허권	2006-05-19	10-0583833	Korea

12	로우 바운더리 구간에서 리프레쉬가 수행되는 디램셀에스램	특허권	2006-09-26	10-0630976	Korea

13	리프레쉬 수행에서 노말 억세스로의 복귀지연시간이제어되는 동기식 디램셀 에스램 및 이의 구동방법	특허권	2006-09-26	10-0630975	Korea

14	휴대형 장치 및 공유 메모리의 저전력 모드 제어 방법	특허권	2007-12-18	10-0788980	Korea

15	휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법	특허권	2008-03-20	10-0817316	Korea

16	하나의 오실레이터를 구비한 메모리 장치 및 리프레쉬 제어방법	특허권	2008-03-20	10-0817317	Korea

17	복수개의 포트를 가진 메모리 장치와 그 테스트 방법	특허권	2007-03-14	10-0697832	Korea

18	독립적인 입출력 파워와 클럭을 가지는 다중 포트 메모리장치	특허권	2007-04-30	10-0715525	Korea

19	복수의 공유 블록을 포함하는 다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754359	Korea

20	접근 권한 레지스터 로직을 갖는 다중 포트 메모리 장치 및그 제어 방법	특허권	2008-06-27	10-0843580	Korea

21	공유 저장영역의 리프레쉬 방법 및 그 방법을 수행하는다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754358	Korea

22	공유 저장영역의 안정적인 리프레쉬를 수행하는 다중 포트메모리 장치 및 그 리프레쉬 방법	특허권	2007-08-27	10-0754360	Korea

23	데이터 입출력 파워 공유가 가능한 다중 포트 메모리 장치	특허권	2007-08-27	10-0754361	Korea

24	다중 포트 메모리 장치 및 그 데이터의 출력 방법	특허권	2007-11-26	10-0781129	Korea

25	다중 포트 메모리 장치 및 그 접근 권한의 제어 방법	특허권	2008-05-27	10-0834373	Korea

26	전압레벨 감지회로	특허권	2008-02-21	10-0807991	Korea

27	파워업 시에 오동작을 방지하는 딥 파워다운 발생회로	특허권	2008-10-24	10-0866052	Korea

28	외부 배선의 수를 저감하는 멀티 칩 패키지 및 그의 구동방법	특허권	2013-10-01	10-1315864	Korea

29	필라형 수직 채널 트랜지스터 및 그의 제조방법	특허권	2014-01-09	10-1351794	Korea

30	필라형 수직 디램셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-04-14	10-1386911	Korea

31	수직 다중 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-17	10-1377068	Korea

32	실린더형 멀티 레벨 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법	특허권	2014-03-04	10-1372307	Korea

33	스위칭 주파수 감지 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2016-11-04	10-1674927	Korea

34	전압 제어 발진기를 이용한 고정 온 타임 주파수 가변 방식의 직류-직류 전압 변환기	특허권	2017-03-27	10-1721974	Korea

35	테스트 모드의 수를 확장하는 테스트 모드 셋팅 회로 및 테스트 모드 셋팅 방법	특허권	2020-06-12	10-2124404	Korea

36	오버슈트를 저감하는 반도체 메모리 장치의 승압 전압 발생회로	특허권	2020-10-02	10-2163807	Korea

37	데이터 라인의 전류 소모를 저감하는 멀티 뱅크 구조의 반도체 메모리 장치	특허권	2020-10-08	10-2166123	Korea

38	안티퓨즈샐의 누설전류를 방지하는 안티퓨즈 어레이	특허권	2023-04-05	10-25199773	Korea

39	승압 전압의 전류 소모를 저감하는 반도체메모리 장치의 승압 전원단 구동회로	특허권	2023-05-16	10-2534321	Korea

40	안티퓨즈를 이용한 반도체메모리 장치의 동작 모드 설정 회로	특허권	2023-06-09	10-2543470	Korea

41	소모전류를 최소화하면서도 기준 전압의 레벨의 신속한 복원이 가능한 반도체메모리 장치의 기준 전압 발생 회로	특허권	2023-06-26	10-2549324	Korea

42	기준 전압 레벨 변동을 저감하는 버퍼 회로	특허권	2023-08-23	10-2568596	Korea

43	전원전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리장치의 음 전압 감지회로	특허권	2023-09-13	10-2583549	Korea

44	오버 부스팅 현상을 완화하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 발생회로	특허권	2023-10-16	10-2591303	Korea

45	전류 소모를 저감하는 반도체 시스템의 데이터 송수신 장치	특허권	2023-10-11	10-2589534	Korea

46	인에이블 타이밍에서 기준 전압을 목표 레벨로 신속하게 제어하는 기준 전압 발생 회로	특허권	2023-10-23	10-2594299	Korea

47	신속한 변환이 가능한 아날로그-디지털 변환기	특허권	2023-11-07	10-2601060	Korea

48	내부 생성 전압의 레벨을 용이하게 측정될 수 있는 레벨로 변환하는 반도체 메모리 장치의 레벨 변환 회로	특허권	2023-11-20	10-2605245	Korea

49	안티퓨즈의 프로그램 속도를 향상시키는 OTP 메모리 장치	특허권	2023-12-19	10-2617000	Korea

50	안티퓨즈의 단락 오류를 완화하는 OTP메모리 장치	특허권	2024-01-12	10-2626359	Korea

51	안티퓨즈샐의 누설전류를 저감하는 안티퓨즈 어레이	특허권	2024-01-26	10-2631894	Korea

52	트랜지스터의 문턱 전압의 레벨 변화로 열화를 감시하는 반도체 메모리 장치의 열화 감시 회로	특허권	2024-02-01	10-2634447	Korea

53	신호 전송 시간의 변화로 배선의 열화를 감시하는 열화 감시 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-02-01	10-2634456	Korea

54	테스트 모드의 수를 효율적으로 확장하는 테스트 모드 셋팅 회로 및 테스트 모드 셋팅 방법	특허권	2024-04-15	10-2658551	Korea

55	히스테리시스 기능을 가지는 입력 버퍼 회로	특허권	2024-05-07	10-2665085	Korea

56	저전압 레벨의 입력 신호에 대해 고속 동작이 가능한 입력 버퍼회로	특허권	2024-05-07	10-2665086	Korea

57	메모리 벵크들 간의 데이터 독출 시간차를 저감하는 반도체 메모리 장치	특허권	2024-05-16	10-2667531	Korea

58	반도체 메모리 장치의 오토 리프레쉬 제한 회로	특허권	2024-05-20	10-2668495	Korea

59	입력 클락 신호의 주기를 감지하여 동작 모드를 결정하는 반도체 메모리 장치와 이에 포함되는 주기 감지 회로	특허권	2024-05-20	10-2668499	Korea

나. 산업분석1) 시장여건 및 영업의 개황반도체 시장은 크게 Memory분야와 System IC분야로 구분할 수 있습니다. 이중 Memory 시장은 크게 2가지 분야인 DRAM, Flash memory로 구별됩니다.

Memory의 사용처는 단순 모바일기기에서 Multimedia 기능과 음성인식을 비롯한 AI 비서 역할까지 확대되었고, TV· PC를 비롯한 모든 전자기기 또한 무선으로 결합되는 M2M(Machine to Machine)/IoT(internet of things) 시장으로 확대되고 있으며, 최근 코로나 펜데믹으로 재택근무에 따른 전자기기 수요와 자동차용 반도체의 성장, 5G 통신 기기의 발전으로 메모리 성장은 지속 호조를 보일 것으로 전망하고 있습니다.

당사가 주력으로 개발 및 판매하는 Memory는 이러한 connected 시장에 부합되는 저전력, 다양한 종류와 용량을 가진 제품으로 대표적으로는 Memory 반도체 중 저전력을 요구하는 Buffer Memory인 Mobile DRAM과 PSRAM, 전자기기의 기억장치(Code Memory)인 NOR Flash와 NAND Flash, 그리고 가전 및 산업용 big data를 전송하는 Commodity DRAM과 Network Memory가 있습니다.

당사는2002년부터 DRAM의 설계기술을 이용 Cell의 내부구조는 DRAM과 유사하나 외부 동작은 SRAM과 같이 작동하는 특징을 가진 PSRAM을 본격적으로 시장에 출시한 이래, Mobile Phone에서 요구하는 저전력 Buffer Memory인 Mobile DDR의 판매를 증가시킨 한편, 저전력 특성을 가지고 더 많은 data를 처리할 수 있는 Mobile DDR2/DDR3까지 개발을 멈추지 않고 시장의 요구에 맞춰 꾸준히 출시, 판매를 하고 있으며, 전자제품의 기억장치인 Flash Memory 사업 또한 저용량 Serial NOR Flash에서 NAND Flash에 이르기까지 사업 영역을 확대해 오고 있습니다.당사는 과거 Mobile Phone 위주로 한 사업 영역에서 탈피하여 새로운 시장의 요구에 맞춰 Mobile DDR, Commodity DDR, NAND Flash 등을 개발하였고, Consumer Electronics, M2M/IoT 사업에 기여하고 있으며, 최근 Automotive 시장까지 진출 영역을 넓히고 있습니다. 반면에 시장은 다양한 Application이 출시되면서도 과거의 Mobile DDR, NOR Flash가 필요한 Feature Phone과 같은 제품들이 여전히 명맥을 유지하고 있고, 3G를 넘어서 4G, 5G통신에 필요한 더 많은 data를 빠르게 처리할 수 있는 Mobile DDR 및 NAND Flash를 적용할 제품들이 새로 창출되고 있어 향후에도 이러한 무선통신 시장이 당사의 성장을 견인할 것으로 예상됩니다.

2) 회사의 현황당사 제품의 최대 수요처는 M2M/IoT 시장으로, 각종 장비와 스마트 가전에 전반적으로 적용되는 추세이며 이러한 시장에 당사의 제품이 주요한 바, 높은 품질과 경쟁력 있는 가격을 통해 시장 점유율을 최대한 높이기 위해 노력하고 있습니다.

Buffer Memory의 주요 기술 및 가격경쟁력은 작은 Chip Size, 전력소비, 동작속도에 있으며 당사의 제품은 다음과 같은 경쟁 우위를 보이고 있습니다.① Smaller Chip Size

반도체 제품의 제조원가는 크게 Wafer Cost와 Test Cost로 구성됩니다. Wafer Cost는 Wafer당 Die의 수와 관계없이 고정적이고 Test Cost는 Die수량에 따라 증가하기는 하나 정비례 관계를 가지지는 아니하여 한 Wafer당 Die의 수가 많으면 많을 수록 Die(Chip)당 생산단가는 하락하게 됩니다. 당사의 Wafer당 Die수는 동일 공정을 사용하는 타 경쟁사 대비 많은 것으로 알려져 있습니다.

② 적기 제품 공급 가능동일 Foundry의 공정을 사용하여 Foundry와의 협력관계는 물론 Design Error를 최소화하고 개발에 소요되는 기간을 최단기화 할 수 있는 바, Customer가 요구하는 제품을 적기에 공급할 수 있는 장점이 있습니다. 이러한 적기의 제품 개발 공급은 시장 선점의 효과를 누릴 수 있습니다.③ 제품의 Quality당사 제품은 Buffer Memory의 특성 중 가장 중요한 요소인 Speed 측면에서 경쟁 우위를 점하고 있습니다. 간결한 내부 Logic으로 구성되어 있어 내부 Logic연산시에 소요되는 시간을 최소화하여 Chip Speed를 빠르게 할 수 있는 장점을 가지고 있습니다. 또한 고객에 따라 요구하는 제품의 특성이 다양한 바, 이에 응하기 위하여 다양한 Option기능을 활용함으로써 Customer에게 최적의 제품을 공급할 수 있게 설계되어 있습니다.④ Test 기술Package Business와 달리 Wafer Business의 경우 Wafer Level에서 모든 Screen이 이루어져야 하며 최적의 Screen을 위한 Test기술은 오랜 기간의 경험에서 오는 Know-how가 전제되어야 가능한 기술입니다. 이러한 Test 기술은 세계수준의 Memory회사와의 거래를 위해서는 필수적일 뿐만 아니라 동 업체로부터의 Qual은 당사의 제품 수준에 대한 실증으로서의 효과를 가짐으로써 제품 경쟁력을 확보하게 되고 또한 타사보다 높은 가격 Premium을 가질 수 있게 합니다.

- 공시대상 사업부문의 구분

산업분류코드	산업분류명

26110	전자 집적회로 제조업

※ 한국표준산업분류표에 의함- 시장점유율 등

당사는 삼성, SK하이닉스와 같은 자사 공장을 가진 업체를 제외하고는 Fabless 기업 중 몇 안 되는 DRAM과 Flash를 모두 겸비한 업체입니다. 상당 부분이 MCP(Multi Chip Package)의 형태로 최종 Customer에 공급되어 각 제품의 시장 점유율을 산정하기는 어려우나, Mobile Application에 사용되는 전세계 Buffer Memory시장의 20%, Commodity 시장의 10%를 목표로 하고 있습니다.