광전자 반기보고서 (2019.06)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요 가. 업계의 현황 (1) 반도체 산업의 특성

반도체는 모든 IT 제품에 들어가는 핵심 부품으로 통신기기, 정보기기, 자동차, 군사,항공 등 다양한 분야에 사용되고 있으며, 스마트 폰, 태블릿 PC, 디지털TV, 스마트가전 등 기존 멀티미디어 관련 제품을 넘어 자율주행, 의료기기, 로봇 등 컴퓨팅 및 정보저장에 대한 새로운 수요가 확산되면서 시장규모가 지속적으로 확대되고 있습니다.

향후 기존 분야를 넘어 에너지, 바이오 분야로 발전되어 지속적인 부가가치를 창출할 것으로 전망되며, 그에 따라 반도체 산업의 성장 또한 확대 될 것으로 예상됩니다.

(2) 글로벌 반도체 시장의 현황과 전망

세계 반도체 시장은 스마트 폰, 태블릿PC, 스마트가전, 자동차 및 항공, 우주산업의 특수 부품 등 수요처가 다변화, 고도화 되고 있습니다.

WSTS의 반도체 시장 전망 보고서에 따르면, 2019년 비 메모리 반도체 시장은 지속적으로 상승세가 확대될 전망으로, 아날로그반도체 3.8%, MEMS 반도체 3%, Logic 반도체 3.8%, Discrete반도체 3.9%, 광전자 6.8%, 센서 류 5.2% 등으로 분석 되었습니다. 이는 여러 환경변화에 따라 반도체 시장의 규모는 지속적으로 확대되어, 꾸준한 성장을 할 것으로 예측 됩니다.

나. 회사의 현황(1) 영업개황

광전자는 전자부품 제조 업체로써 Discrete반도체, 광 센서, LED 등 폭넓은 전자부품 시장을 주도하며 한국, 중국, 일본의 탄탄한 네트워크 기반의 글로벌 기업으로 성장해가고 있습니다.

광전자의 핵심 판매시장은 Discrete반도체, 광 센서, LED시장이며, 고성능, 저전력 및 경박단소를 기반으로 모바일 기기, 자동차, 디지털가전 등 전반적인 IT제품의 개별 소자로 사용 되고 있습니다. 또한 이러한 환경변화에 맞는 반도체의 개발 및 제조뿐만 아니라 고객이 원하는 제품에 대한 솔루션 제시를 통하여 지속적인 영업활동을 전개하고 있습니다.

광전자는 효율적인 경영활동과 지속적인 VE 활동을 통하여 원가경쟁력과 시장경쟁력을 확보하였고, 품질경영 시스템을 구축하여 꾸준한 품질 향상에 노력하고 있습니다. 또한, Discrete반도체는 한국과 중국에 대량생산 체제를 구축하여 시장에 맞는 제품을 지속적으로 출시하고 있으며, 광 센서는 고객에 원하는 제품을 개발, 제조하여 다품종 소량 생산하는 방식으로 시장에 접근해 나가고 있습니다.

미래산업에 적용 가능하고 성장 가능한 신 성장 동력 제품을 개발하기 위해 한국, 중국, 일본이 함께 협력 체제를 구축하여 개발,제조,영업의 협력을 통하여 점진적으로 시장을 넓혀가고 있습니다.

(2) 시장 점유율 및 산업 전망

가트너(Gartner, Inc.)에서 발표한 자료에 따르면 2018년 하반기 잠시 주춤하던 전체 반도체 시장 또한 AI, 5G의 환경변화에 따른 데이터센터(SERVER)시장의 확대에 따라 다시금 전체 반도체 시장이 성장 할 것이다라는 예측도 존재하고 있습니다. 또한 당사의 주력 산업분야인 비 메모리반도체 시장 규모는 2018년을 기준으로 2019년에는 6%의 성장을 예상하고 있습니다.

그에따라 당사는 Discrete, 광전자, 센서 류 등에서 2019년 성장을 모색하고 있습니다.

5G와 사물인터넷(IoT) 기술은 기존의 제품이 연결되며, 음성비서나 AR, VR과 같은 기존에 없던 새로운 제품이 등장 할 수 있는 기반을 마련하고 있습니다. 이를 기반으로 다양한 환경을 인지, 감지, 관리 할 수 있는 방안으로써 모든 사물의 연결에서 광전자 및 센서 류 제품은 필수적으로 필요한 기본 소자로써 다양한 센서기술이 지속적으로 개발 진행 중이며, 이에 더해 감성기반의 서비스를 지원해 센서기술을 구현하고, 복지와 안전 등을 제공할 수 있는 센서기술 등에 대한 수요가 시대적, 환경적 요구사항으로 증가하고 있습니다.

당사의 주력사업분야인 Discrete반도체, 광 센서, LED는 고유기능 및 발전을 통해 5G, 사물인터넷(IoT) 반도체 센서의 공급처로 세계무대에서 활약 할 수 있을 것으로 기대 합니다.

(3) 조직도2. 주요 제품 등

가. 주요 제품 등의 현황 당사의 2019년 6월 30일 연결재무제표 기준에 따른 주요 제품에 대한 매출액 내역은다음과 같습니다.

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	제 36 기 당반기

매출액	비율

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	전자기기 부품	AUK 등	31,180	36.89%

PHOTO SENSOR	전자기기 부품	AUK 등	37,708	44.61%

LED 등	전자기기 부품	AUK 등	13,956	16.51%

기타	전자기기 부품	AUK 등	1,686	1.99%

합 계	-	84,530	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	제 36 기 당반기	제 35 기연간	제 34 기연간

TRANSISTOR	27	22	22

PHOTO SENSOR	153	151	150

LED 등	6	6	7

(1) 산출기준

- 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매출액 / 총판매수량) - 외화매출은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매출액 대비 판매수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매출수량의 변화에 의해 영향을 받음.

3. 주요 원재료의 현황

가. 주요 원재료의 매입현황 및 매입처에 관한 사항

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	제 36기 당반기	주요매입처

매입액	비율

전자부품제조	원재료	CHIP	제품제조	9,775	43.33%	SHIN-ETSU CHEMICAL, SUMITOMO

전자부품제조	원재료	LEAD FRAME	제품제조	2,777	12.31%	(주)피에스엠씨, (주)신원기술

전자부품제조	원재료	기타	제품제조	10,007	44.36%	희성금속㈜

합 계	22,559	100.00%

나. 주요 원재료의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	단위	제 36 기당반기	제 35 기연간	제 34 기연간

CHIP	PCS	17.15	19.57	19.09

(1) 산출기준 - 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매입액 / 총매입수량) - 외화매입은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매입액 대비 매입수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매입수량의 변화에 의해 영향을 받음. 다. 공급시장의 독과점 정도 및 안정성 당사의 주요 원재료인 WAFER는 모두 국내 및 해외 업체를 통해 생산되고 있으며, 경쟁이 치열한 시장으로 공급시장 자체에 경쟁이 존재하여, 한 업체에 의해서 독과점이 이루어지고 있지 않습니다. 따라서 당사는 원재료 매입과 관련하여 안정성을 유지하고 있다고 판단됩니다. 4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 가동률 당사는 국내 및 해외(중국) 생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 2019년 품목별작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있습니다. 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22시간을 1일 작업시간으로 적용 하였습니다. 이러한 기준으로 집계한 결과 당사의 2019년 평균가동율은 70% 로 집계 되었습 니다.

나. 생산설비의 현황 등 당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사와 국내 공장(전북 익산), 해외공장(중국대련)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산)등의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다.

(1) 생산설비의 현황(당반기말) (단위 : 천원)

구 분	토지	건물	구축물	기계장치	공구와기구	기타유형자산	건설중인자산	합 계

취득원가	29,094,977	63,299,179	8,598,293	152,369,515	17,579,642	3,743,978	1,227,589	275,913,173

감가상각누계액	-	(36,087,978)	(2,953,171)	(135,017,955)	(15,299,044)	(3,223,324)	-	(192,581,472)

손상차손누계액	-	(1,245,106)	-	(1,920,185)	(33,137)	(66,424)	-	(3,264,852)

정부보조금	-	(453,226)	-	(53,412)	-	-	-	(506,638)

장부금액	29,094,977	25,512,869	5,645,122	15,377,963	2,247,461	454,230	1,227,589	79,560,211

( 2) 향후 투자계획(단위 : 백만원)

사업부문	계획명칭	자산형태	제 36기 예상투자액	투자효과

전자부품제조	증설 및 합리화	기계장치 외	8,910	생산능력증가

※상기의 투자계획은 2019년 시설/설비투자에 한정한 투자금액으로 향후 시장여건 등에 의해 변경 될수 있음.

5. 매출에 관한 사항 당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIRECT 수출 및 해외 현지 법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중 은 내수판매가 33% , 수출판매가 67% 입 니다. 당사의 판매조직은 별도의 영업부가 있으며 신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, Technical Service의 강화, 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있습니다. 당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를 정확하게 예측하기 어렵기 때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월 단위 확정하고 있습니다.) [당사의 36기 품목별 수출 및 내수 판매 현황 입니다.]

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제 36 기당반기	제 35 기연간	제 34 기연간

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	수 출	24,046	46,069	49,833

내 수	7,134	17,088	16,051

합 계	31,180	63,157	65,884

LED 등	수 출	9,438	22,701	18,612

내 수	4,518	9,628	9,244

합 계	13,956	32,329	27,856

PHOTOSENSOR	수 출	22,902	51,952	57,894

내 수	14,806	25,018	21,770

합 계	37,708	76,970	79,665

기타	수 출	669	2,209	1,991

내 수	1,017	2,265	1,991

합 계	1,686	4,474	3,981

합 계	수 출	57,055	122,931	128,330

내 수	27,475	53,999	49,056

합 계	84,530	176,930	177,386

6. 시장위험과 위험관리가. 자본위험관리

연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조의 유지 또는 조정을 위하여 연결실체는 배당을 조정하거나, 주주에 자본금을 반환 하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시할 수 있습니다.

연결실체는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 연결재무제표의 금액을 기준으로 계산합니다. 당반기말 및 전기말 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구분	당반기말	전기말

부채	38,351,238	37,717,805

자본	225,920,117	224,399,899

부채비율	16.98%	16.81%

나. 금융위험관리 연결실체는 금융상품과 관련하여 시장위험(외환위험, 이자율위험, 가격위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체의 위험관리는 연결실체의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 연결실체가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다.

(1) 외환위험연결실체는 외화로 표시된 거래를 하고 있기 때문에 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당반기말 및 전기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채의 장부금액은다음과 같습니다.

(당반기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	70,189	81,194,110	7,474	8,646,064

JPY	57,144	613,359	11,550	123,975

EUR	-	-	16	21,100

합계	81,807,469	8,791,139

(전기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	68,176	76,227,592	7,772	8,690,174

JPY	53,884	545,943	7,365	74,616

합계	76,773,535	8,764,790

연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말 및 전기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 당반기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당반기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	5,658,748	(5,658,748)

JPY	38,172	(38,172)

EUR	(1,646)	1,646

합 계	5,695,274	(5,695,274)

(전기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	5,267,919	(5,267,919)

JPY	36,764	(36,764)

합 계	5,304,683	(5,304,683)

(2) 이자율위험 당반기말 및 전기말 현재 이자율위험에 노출된 차입금의 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	당반기말	전기말

차입금	223,387	468,396

연결실체는 내부적으로 이자율 변동으로 인한 이자율위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말 및 전기말 현재 각 자산 및 부채에 대한 이자율이 1% 변동시 이자율변동이 당반기손익 및 순자산에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당반기말) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(1,742)	(1,742)	1,742	1,742

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(3,653)	(3,653)	3,653	3,653

(3) 가격위험 연결실체는 당반기말 및 전기말 현재 가격변동위험에 노출되어 있는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 아니합니다.

(4) 신용위험

신용위험은 계약상대방이 계약상의 의무를 불이행하여 연결실체에 재무적 손실을 미칠 위험을 의미합니다.

연결실체의 신용위험은 보유하고 있는 대여금 및 수취채권을 포함한 거래처에 대한 신용위험 뿐 아니라, 매도가능금융자산(채권), 만기보유금융자산, 금융기관예치금 및지급보증한도액으로부터 발생하고 있습니다. 금융기관의 경우, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 일반거래처의 경우 고객의 재무상태, 과거 경험 등 기타 요소들을 고려하여 신용을 평가하게 됩니다. 대여금 및 수취채권, 매도가능금융자산(채권) 및 만기보유금융자산의 신용위험 최대노출액은 장부금액과 유사합니다.

(5) 유동성위험

연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.

당반기말 및 전기말 현재 비파생금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과같습니다.

(당반기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	19,385,216	4,291,930	23,677,146

변동이자율차입금	46,150	182,586	228,735

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	20,406,684	3,281,369	23,688,053

변동이자율차입금	300,394	182,586	482,980

상기 만기분석은 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 연결실체가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되었으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

다. 공정가치의 추정

활성시장에서 거래되는 금융상품(단기매매금융자산과 매도가능금융자산 등)의 공정가치는 보고기간 종료일 현재 고시되는 시장가격에 기초하여 산정됩니다. 연결실체가 보유하고 있는 금융자산의 공시되는 시장가격은 종가입니다.

활성시장에서 거래되지 아니하는 금융상품(예: 장외파생상품)의 공정가치는 평가기법을 사용하여 결정하고 있습니다. 연결실체는 다양한 평가기법을 활용하고 있으며 보고기간 종료일 현재 시장상황에 근거하여 가정을 수립하고 있습니다. 장기부채 등 이용가능한 금융부채에는 고시시장가격 또는 유사상품에 대한 딜러호가를 사용하고 있으며, 그 밖의 금융상품에는 추정현금흐름할인법과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공정가치를 산정하고 있습니다.

매출채권 및 기타채권의 경우, 손상차손을 차감한 장부금액을 공정가치 근사치로 보며, 공시목적으로 금융부채 공정가치는 계약상의 미래현금흐름을 유사한 금융상품에 대해 연결실체가 적용하는 현행시장이자율로 할인한 금액으로 추정하고 있습니다.

한편, 연결실체는 재무상태표에 공정가치로 측정되는 금융상품에 대하여 공정가치측정에사용된 투입변수에 따라 다음과 같은 공정가치 서열체계로 분류하였습니다.

구분	투입변수의 유의성

수준 1	동일한 자산이나 부채에 대한 활성시장의 (조정되지 않은) 공시가격

수준 2	직접적으로(예: 가격) 또는 간접적으로(예: 가격에서 도출되어) 관측가능한, 자산이나 부채에 대한 투입변수. 단 수준 1에 포함된 공시가격은 제외한다.

수준 3	관측가능한 시장자료에 기초하지 않은, 자산이나 부채에 대한 투입변수(관측가능하지 않은 투입변수)

연결실체의 상기 서열체계에 따른 공정가치측정치는 다음과 같습니다. (1) 당반기말 및 전기말 현재 공정가치로 후속측정되는 금융상품의 수준별 공정가치 측정치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범주	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	소계

당반기말:

기타포괄손익-공정가치측정금융자산	-	-	-	-	-

시장성없는 지분증권	21,687,870	-	-	21,687,870	21,687,870

전기말:

기타포괄손익-공정가치측정금융자산	-	-	-	-	-

시장성없는 지분증권	21,687,870	-	-	21,687,870	21,687,870

당반기말과 전기말 중 수준 1과 수준 2간의 유의적인 이동은 없습니다.(2) 당반기말과 전기말 현재 공정가치로 후 속측정되지 않는 금융상품의 수준별 공정가치 측청치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	당반기말	전기말

장부금액	공정가치	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	합 계	수준1	수준2	수준3	합 계

금융자산

장/단기금융상품	59,047,787	-	-	59,047,787	59,047,787	56,756,867	-	-	56,756,867	56,756,867

매출채권(*)	31,099,385	-	-	31,099,385	31,099,385	29,215,600	-	-	29,215,600	29,215,600

미수금(*)	117,893	-	-	117,893	117,893	237,761	-	-	237,761	237,761

미수수익(*)	500,479	-	-	500,479	500,479	788,657	-	-	788,657	788,657

보증금(*)	2,267,074	-	-	2,267,074	2,267,074	2,264,242	-	-	2,264,242	2,264,242

합 계	93,032,618	-	-	93,032,618	93,032,618	89,263,127	-	-	89,263,127	89,263,127

금융부채

매입채무(*)	12,200,980	-	-	12,200,980	12,200,980	14,010,420	-	-	14,010,420	14,010,420

미지급금(*)	3,759,136	-	-	3,759,136	3,759,136	3,069,092	-	-	3,069,092	3,069,092

미지급비용(*)	2,781,629	-	-	2,781,629	2,781,629	3,145,788	-	-	3,145,788	3,145,788

차입금(*)	223,387	-	-	223,387	223,387	468,396	-	-	468,396	468,396

보증금(*)	3,261,282	-	-	3,261,282	3,261,282	3,274,834	-	-	3,274,834	3,274,834

리스부채	1,583,235	-	-	1,583,235	1,583,235	-	-	-	-	-

예수보증금(*)	90,883	-	-	90,883	90,883	187,919	-	-	187,919	187,919

합 계	23,900,532	-	-	23,900,532	23,900,532	24,156,449	-	-	24,156,449	24,156,449

(*) 수준 3으로 표시된 단기수취채권과 단기지급채무는 할인효과가 중요하지 않아 원본금액으로 측정하였습니다.

( 3) 재무상태표에 반복적으로 공정가치로 측정되는 금융상품 중 수준 3에 포함되는 금융상품의 장부가액 변동내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범주	기초	매입	매도	기타포괄손익	연결범위변동	소계

당반기말:

금융자산

시장성없는 지분증권	21,687,870	-	-	-	-	21,687,870

전기말:

금융자산

시장성없는 지분증권	7,852,376	-	-	13,418,229	417,265	21,687,870

기타포괄손익으로 인식된 총 차익 및 차손은 당반기말 현재 보유하고 있는 지분증권과 관련된 것이며, 기타포괄손익-공정가치측정금융자산평가손익의변동으로 인식됩니다. ( 4 ) 다음은 수준 2와 수준 3으로 분류되는 금융상품 공정가치측정 치 에 사용된 가치평가기법과 투입변수에 대한 설명입니다. - 비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권의 공정가치는 현금흐름할인모형을 사용하여 측정하며, 미래현금흐름을 추정하기 위하여 매출액 증가율, 세전 영업이익률, 가중평균자본비용 등에 대한 가정이나 추정과 같이 관측가능한 시장가격이나 비율에 근거하지 않은 가정이 일부 사용됩니다. 미래현금흐름을 할인하기 위하여 사용된 가중평균자본비용은 자본자산가격결정모형(CAPM)을 적용하여 산정하였습니다. 연결실체는 상기에서 언급된 주요 가정과 추정이 비상장주식의 공정가치에 미치는 영향이 유의적인 것으로 판단하여 비상장주식의 공정가치측정치를 공정가치 서열체계상 수준 3으로 분류하였습니다. (5) 연결실체가 보유하고 있는 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 당반기중 발생한 사업환경이나 경제적 환경의 유의적인 변화는 없습니다.

7. 연구개발활동 당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.[당사의 2019년 당반기 연구개발관련 비용 입니다.]

(단위 : 백만원)

과 목	제 36 기당반기	제 35 기연간	제 34 기연간

연구개발비용계	3,281	6,661	6,019

(정부보조금)	(214)	(275)	(263)

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	3.88%	3.76%	3.39%

*) 매출액은 연결기준입니다 . **) 연구개발비용계는 정부보조금(국고보조금)을 차감하기 전의 연구개발비용 지출총액 을 기준으로 산정 하 였습니다. ※연구개발 실적 공시대상기간에 대한 연구개발실적 입니다.

( 1)SUN16A50(500V/16A/0.38Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/16A/0.38Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.09 ~ 2017.02.14

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 2)SUN18A50(500V/18A/0.32Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/18A/0.32Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.09 ~ 2017.02.14

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 3)SUN24A50(500V/24A/0.20Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/24A/0.20Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.13 ~ 2017.03.28

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 4)12V ZENER Diode (6BD-S12VY) 6inch Chip Shrink 개발

과제명	SDZ12QSL (6BD-S12VY) 12V급 ZENER Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.14~2017.02.24

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU SET에 적용되고 있는 현 양산 12V급 ZENER Diode에 대해 chip shrink를 통해 원가절감으로 가격 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 5)ASD-1152AU (1.520mm, N-type Photo Diode) 개발 _5inch 공정 단축 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) Photo Diode _5inch 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.07~ 2017.02.28

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 VOC Chip 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 6)6PD-5050-TR-AU , 6PD-6520-AU …SP-TYPE Single Photo Diode 2종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion 개발

과제명	6PD-5050-TR-AU (5.0mm) , 6PD-6520-AU (6.5mm×20.0mm) Photo Diode

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.20~ 2017.03.20

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련하여 6inch PBF 전환 개발 : 일본 고객 산업용 센서 적용 PD로 안정적인 공급 및 내부 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 7)SDFZ24VD (ESP Diode _24V급 P-up Fusing ZENER) 신규 제품 개발

과제명	TV BLU용 24V급 Fusing ZENER 신규 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.06.17~ 2017.03.31

연구결과 및 기대효과	TV BLU SET의 가혹 시험에서 열적으로 안정적인 24V급 Fusing ZENER 추가 Line-up : 가혹 시험에서의 발열 및 발화에 대한 안정성 확보로 조명용 시장으로의 확대 가능

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 8)SDFZ36VD (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 신규 제품 개발

과제명	TV BLU용 36V급 Fusing ZENER 신규 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.06.17~ 2017.03.31

연구결과 및 기대효과	TV BLU SET의 가혹 시험에서 열적으로 안정적인 36V급 Fusing ZENER 추가 Line-up : 가혹 시험에서의 발열 및 발화에 대한 안정성 확보로 조명용 시장으로의 확대 가능

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 9)SDZ150VG (6BD-150V _150V급 POWER ZENER) 신규 공정 개발

과제명	150V급 POWER ZENER 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.15 ~ 2017.04.04

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 150V급 POWER ZENER 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 10) 6inch 6ASD-2068A (0.68mm, P-type Photo Diode) Chip Shrink 개발

과제명	6inch 6ASD-20068A Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.02.08~ 2017.04.20

연구결과 및 기대효과	양산 중인 6ASD-2071A Chip 의 가격 경쟁력 확보를 위한 Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 11) 6PD-3013-AU …SP-TYPE Single Photo Diode 1종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion 개발

과제명	6PD-3013-AU (3.0mm×13.0mm) Photo Diode

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.20~ 2017.04.27

연구결과 및 기대효과	일본 고객 산업용 센서 적용 PD 개발로 안정적인 공급 및 내부 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 12) ASD-1120AU (120mil Visible Enhanced N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1120AU (3.0mm×3.0mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.12~ 2017.04.28

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 13) SDT68G (6BD-68V _68V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	68V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.15 ~ 2017.05.16

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 68V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 14) 6inch 6ASD-2093A (0.935mm, P-type Photo Diode) Chip Shrink 개발

과제명	6inch 6ASD-2093A Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.02.06~ 2017.05.23

연구결과 및 기대효과	양산 중인 6ASD-2101A Chip 의 가격 경쟁력 확보를 위한 Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 15) 6PD-1010-AU, 6PD-2676-AU, 6PD-2760-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 3종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-1010-AU (10.1mm), 6PD-2676-AU (2.6mm×7.6mm), 6PD-2760-AU (2.7mm×6.0mm) Photo Diode … PBF 전환 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.26~ 2017.06.27

연구결과 및 기대효과	1동 3inch BCL3 공정 EOL 관련하여 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 16) ASD-1300ALS (3.0mm Ambient Light Sensor 용 N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1300ALS (3.0mm) ALS 용 Photo Diode _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.01.15~ 2017.06.30

연구결과 및 기대효과	내부 고객 OPTO개발팀 연계 Ambient Light Sensor 용 Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 17) SGTN25E120W (1200V/25A TRENCH IGBT) 제품 개발 … 6inch 신규 TIGBT 단품

과제명	SGN25E120W (1200V/25A) TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.05.12~2017.07.05

연구결과 및 기대효과	Trench gate 구조를 이용한 1200V/25A NPT-TRENCH IGBT 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 18) SGTN40E120W (1200V/40A TRENCH IGBT) 제품 개발 … 6inch 신규 TIGBT 단품

과제명	SGN40E120W (1200V/40A) TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.07.29~2017.07.05

연구결과 및 기대효과	Trench gate 구조를 이용한 1200V/40A NPT-TRENCH IGBT 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 19) SDFZ36VQ (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

과제명	SDFZ36VQ (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.05.17~ 2017.07.20

연구결과 및 기대효과	36V급에 적합한 Fusing metal 조건 확보 (별도 ESD 및 EOS level 가 완료)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 20) SDFZ24VQ (ESP Diode _24V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

과제명	TV BLU용 SOD-523 PKG 24V급 Fusing ZENER 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.05.17~ 2017.07.21

연구결과 및 기대효과	24V급에 적합한 Fusing metal 조건 확보 (별도 ESD 및 EOS level 가 완료)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 21) SDT150G (6BD-150V _150V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	91V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.29 ~ 2017.07.27

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 91V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 22) SDT91G (6BD-91V _91V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	91V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.14 ~ 2017.07.29

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 91V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 23) 6PD-XXXX-AU, 6PDA-PN-206-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 7종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-XXXX-AU, 6PDA-PN-206-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 7종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.26~ 2017.08.25

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 24) 6PD-5050H-TR-AU …HP-TYPE Single Photo Diode 1종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-5050H-TR-AU (□5.0mm) Photo Diode … PBF 전환 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.12.19~ 2017.08.25

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 25) ASD-1052AU (□21mil Visible Enhanced N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1052AU (0.525mm×0.525mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.01.11~ 2017.09.20

연구결과 및 기대효과	신규 Chip 개발 진행 _N-type, Chip Size 21mil, Visible 파장 영역에서 분광 감도 up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 26) AST-4622S (신규_350V급 장방향 Photo TR) 개발 _5inch 신규 Chip 개발

과제명	AST-4622S (350V급) 신규 Photo TR 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.01.24~ 2017.09.15

연구결과 및 기대효과	5inch AST-4622S Photo Coupler 광 응답 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 27) SRN04A60, SRN04A65 (600V/4A/2.5Ω, 650V/4A/3.0Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/4A/2.5Ω급, 650V/4A/3.0Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 28) SRN07A60, SRN07A65 (600V/7A/1.2Ω, 650V/7A/1.4Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/7A/1.2Ω급, 650V/7A/1.4Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 29) SRN10A60, SRN09A65 (600V/10A/0.75Ω, 650V/9A/0.85Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/10A/0.75Ω급, 650V/9A/0.85Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 30) SRN12A60, SRN12A65 (600V/12A/0.65Ω, 650V/12A/0.80Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/12A/0.65Ω급, 650V/12A/0.80Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 31)KBV-1001PT(조도 센서 IC) 제품 개발

과제명	KBV-1001PT(KBV-1001 수율 개선) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.28 ~ 2017.11.24

연구결과 및 기대효과	양산 KBV-1001 광특성 전압 불량에 따른 저수율 문제를 Photo Diode Trimming을 삽입하여 개선한 제품임.저수율에 문제로 공급량 부족에 따른 납기 지연 및 단가 상승 문제 해결함.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 32)SFN10A600 (600V/10A급 UFRD) 제품 개발

과제명	600V/10A UFRD 제품 개발, HBM 특성 개선품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.01 ~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 HBM 특성이 고객의 요구에 만족하는 2KV 이상의 제품을 개발함. 기존 시장 대체 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 33)SFN05A600 (600V/5A급 UFRD) 제품 개발

과제명	600V/5A UFRD 제품 개발, HBM 특성 개선품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.05 ~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 HBM 특성이 고객의 요구에 만족하는 2KV 이상의 제품을 개발함. 기존 시장 대체 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 34)SDT100G (6BD-100V _100V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	100V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.14 ~ 2017.11.10

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 100V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 35)PD-1049Q (□1.23mm, Sun 센서용 N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	PD-1049Q (1.23mm×1.23mm) Sun 센서용 Photo Diode 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.30~ 2017.11.22

연구결과 및 기대효과	Sun sensor 용 Photo diode VOC Chip 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 36)SDT150D (6BD-S150PY _150V급 HV ZENER) SOD-323 신규 제품 개발

과제명	150V급 HV ZENER 신제품 개발 (SOD-323 PKG)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.07.05 ~ 2017.12.05

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU Chip VF값 변동 (기존 3V → 6V)로 적용 Protection Zener 접압 변경 검토 및 SOD-323 PKG 기준 신규 개발 _150V급 HV ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 37)6PDA-XXXXH-AU … HP-TYPE Array Photo Diode 3종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PDA-655YSK-H-AU (6.0mm×5.5mm)_ 6-CH Array 6PDA-SPD-502H-AU (□5.0mm) _ 10-CH Array 6PDA-SPD-902H-AU (□5.0mm) _ 10-CH Array

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.18~ 2017.12.08

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 자사 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 38)단색 _Single (RGB) PASS FILTER Photo Diode 공정 개발

과제명	단색_Single (R.G.B) Color PD 공정 및 제품 개발 _6inch 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.07.29~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	R(620nm)/G(550nm)/B(470nm) Pass FILTER WF Level 구현 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 39)SDT75D (6BD-S75PY _75V급 HV ZENER) SOD-323 신규 제품 개발

과제명	75V급 HV ZENER 신제품 개발 (SOD-323 PKG)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.07.05 ~ 2017.12.18

연구결과 및 기대효과	SOD-323 PKG 기준 신규 개발 / 75V급 HV ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 40)SDB1040/2040/3040 (40V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	40V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 40% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 41)SDB1060/2060/3060 (60V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	60V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 40% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 42)SDB1080/2080/3080 (80V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	80V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 25% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 43)SDT150SG (6BD-150VP _150V급 Chip Shrink POWER ZENER) 제품 개발

과제명	150V급 POWER ZENER Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.05 ~ 2018.02.05

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 150V급 POWER ZENER 원가 절감을 위한 Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 44)Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 공정 개발

과제명	Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.21~ 2018.01.09

연구결과 및 기대효과	신규 Custom 업체 통합형 Rain Sensor 용 ALS-Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 45)ASD-1300ALS (Ambient Light Sensor 용 N-type Photo Diode) 개발

과제명	ASD-1300ALS (□3.0mm) ALS 용 Photo Diode _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.13~ 2018.03.29

연구결과 및 기대효과	Ambient Light Sensor 용 Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 46)ASD-1101A (□1.016mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1101A (1.016mm×1.016mm) N-Type Photo Diode 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 47)SN78XXC(1A Std. Regulator / SN78XXB Vdrop 개선품) 제품 개발

과제명	SN78XXC(1A Std. Regulator / SN78XXB Vdrop 개선품) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.26 ~ 2018.04.27

연구결과 및 기대효과	SN78XX 대비 약 32% Chip Shrink이면서 SN78XXB의 Worst 특성 Vdrop을 2.3V→2.0V로 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 48)SDB5A40/15A40(40V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A40/15A40(40V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 45% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 49)SDB5A60/15A60(60V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A60/15A60(60V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 15% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 50)SDB5A80/15A80(80V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A80/15A80(80V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 25% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 51)200V급 POWER ZENER Chip Shrink ESD 개선 개발

과제명	200V급 POWER ZENER Chip Shrink ESD 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.07 ~ 2018.04.23

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 200V급 POWER ZENER 3P 구조 적용으로 ESD 개선을 위한 공정 및 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 52)SDT220SG (6BD-220VP _220V급 Chip Shrink POWER ZENER) 신규 개발

과제명	SDT220SG (6BD-220VP _220V급 Chip Shrink POWER ZENER) 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.24 ~ 2018.06.05

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 220V POWER ZENER 추가 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 53)PD-1120Q (□3.0mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	PD-1120Q (□3.0mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.05~ 2018.06.18

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 VOC 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 54)SDT150D (6BD-S150PY _150V급 High Voltage ZENER) SOD-323 PKG 적용 개발

과제명	SDT150D (6BD-S150PY _150V급 High Voltage ZENER) SOD-323 PKG 적용 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.03 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU Chip VF값 변동 (기존 3V → 6V)로 적용 Protection Zener 전압 변경으로 SOD-323 PKG 적용 제품 추가 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 55)ASD-1123DQ (□1.23mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1123DQ (□1.23mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.04.27~ 2018.06.29

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 Custom 업체 통합형 Rain-sensor module 적용의 Sun sensor 용 N-Type PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 56)ASD-1071A (□0.71mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1071A (□0.71mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.06.30

연구결과 및 기대효과	양산중인 6inch P-Type Pair PD ASD-2071A(□0.71㎜)에 대해 향후 중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 57)ASD-1089A (□0.89mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1089A (□0.89mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.06.30

연구결과 및 기대효과	양산중인 6inch P-Type Pair PD ASD-2089A(□0.89㎜)에 대해 향후 중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 58)전장용 Sun sensor N-Type PD, 고온 Leak 특성 개선 개발

과제명	전장용 Sun sensor N-Type PD, 고온 Leak 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.26~ 2018.07.31

연구결과 및 기대효과	N-type, Sun sensor 용 고온 Leak 특성 개선 PD 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 59)75V급 15-CH Array HV ZENER VOC 신규 개발

과제명	75V급 15-CH Array HV ZENER VOC 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.04 ~ 2018.09.10

연구결과 및 기대효과	LG Display 向 Mini LED 적용 HDR급 신규 BLU 적용을 위한 75V 15-CH Array ZENER 고객사 요청으로 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 60)ASD-1022AU(0.280mm×0.178mm)Visible Enhanced Photo Diode Chip개발

과제명	ASD-1022AU (0.280mm×0.178mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03.07~ 2018.09.20

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 61)600V/30A UFRD trr 개선 개발

과제명	600V/30A UFRD trr 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06.18 ~ 2018.09.20

연구결과 및 기대효과	Huntkey 社 전기차 충전기 모델 진입을 위해 경쟁사 수준의 trr 특성 개선 요청으로 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 62)Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 신규 Chip 개발

과제명	Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.02~ 2018.09.30

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 Custom 업체 통합형 Rain Sensor 용 Filter-less ALS-Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 63)6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) N-Type Photo Diode _6inch 전환 Chip 개발

과제명	6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) N-Type Photo Diode _6inch 전환 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03.05~ 2018.09.30

연구결과 및 기대효과	E/L사향 자사 5inch ASD-1152AU 6inch Conversion 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 64)800V/10A UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

과제명	800V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06.18 ~ 2018.11.16

연구결과 및 기대효과	기존 양산 Ring 구조의 EAS 특성 열세에 따른 신규 JTE 구조로의 전환 및 신규 공정 Set-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 65)SL5019(FM IF IC) ESD 특성 개선 개발

과제명	SL5019(FM IF IC) ESD 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.01~ 2018.11.30

연구결과 및 기대효과	기존 HBM 2kV 미만의 PIN 모두 6KV 수준으로 ESD 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 66)250V급 신규 POWER MOSFET 공정 개발

과제명	250V급 신규 POWER MOSFET 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30 ~ 2018.12.11

연구결과 및 기대효과	250V/4.4A 신규 제품 개발 진행 및 기존 250V POWER MOSFET제품 CHIP SHRINK 제품 개발 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 67)TOF Sensor 용 N-Type PD, Peak Sensitivity shift 개발

과제명	TOF Sensor 용 N-Type PD, Peak Sensitivity shift 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.17~ 2018.12.17

연구결과 및 기대효과	내부 특성 평가 완료 및 고객사 TS 대응

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 68)1000V급 High Voltage FRD 신규 공정 개발

과제명	1000V급 High Voltage FRD 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.09.26 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	VF 특성 우세하며, 150℃ 고온 특성에서 자사품 우세로 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 69)SFN10A800S (800V/10A) UFRD 신규 제품 개발

과제명	SFN10A800S (800V/10A) UFRD 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.09.26 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	Chip size 작아 가격 경쟁력 있으며, DC 및 AC 특성 신규 개발품이 경쟁사 대비 우세

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 70)82/91/100/120V급 HV ZENER 4종 제품 개발_Line-up

과제명	82/91/100/120V급 HV ZENER 4종 제품 개발_Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10.30 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	기 75V급 HV ZENER 공정 공유 적용하며 EPI optimize하여 각 Vz target 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 71)600V/7A, 650V/7A POWER MOSFET 신뢰성 개선 개발

과제명	600V/7A, 650V/7A POWER MOSFET 신뢰성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30~ 2018.12.31

연구결과 및 기대효과	FET 원가 개선을 위한 CHIP SHRINK및 신뢰성 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 72)SUN06A40D/F (400V/6A POWER MOSFET) 개발 신규 제품 개발

과제명	SUN06A40D/F (400V/6A POWER MOSFET) 개발 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30 ~ 2018.12.31

연구결과 및 기대효과	FET확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 73)Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

과제명	Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08.16~ 2019.02.21

연구결과 및 기대효과	전장용 제품 대비 안정적인 고온 특성 구현

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 74)600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

과제명	600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10.18~ 2019.03.05

연구결과 및 기대효과	Customer 응용 및 용접기 시장 진입을 위한 EAS 개선 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 75)1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

과제명	1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.01.20~ 2019.03.08

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발 및 파생을 위한 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 76)120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

과제명	120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08.13~ 2019.03.20

연구결과 및 기대효과	120mil PD 와 동등한 광출력 특성 값 가지는 Chip shrink PD 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 77)λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

과제명	λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03.15~ 2019.03.31

연구결과 및 기대효과	Photo Diode 신규 시장 창출 확대 방안으로 Silicon Avalanche PD 공정 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 78)500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10.30 ~ 2018.3.31

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 79)250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12.11 ~ 2018.3.31

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 80)650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.11.11 ~ 2018.3.31

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발 [Wafer Biz]

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 81)6ASD-1152AU(1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD_6inch 공정 set-up 개발

과제명	6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD _6inch 공정 set-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12.14~ 2019.04.01

연구결과 및 기대효과	자사 개발 완료 된 6inch PD Process 를 기반으로 AUD 공정 Set-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 82)1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02.26~ 2019.04.15

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 8A, 15A급 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 83)ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

과제명	ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10.12~ 2019.06.12

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 파생 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 84)30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

과제명	30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08.14~ 2019.06.21

연구결과 및 기대효과	AST-3620S 제품에 대하여 고객사측 광 VCE(SAT) 개선 요청으로 개선 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 85)500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03.11 ~ 2019.6.20

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 86)1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.04~ 2019.06.30

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 87)1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.04~ 2019.06.30

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 88)800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02.26~ 2019.06.28

연구결과 및 기대효과	800V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 89)1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02.26~ 2019.06.28

연구결과 및 기대효과	1000V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

8. 기타 투자의사 결정에 필요한 사항 가. 보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권 등의 현황입니다.

No	종류	명칭	등록일

1	특허	핸들러의 디바이스 감지 제어 장치	10-0390850

2	특허	핸들러의 반도체소자 분리 감지장치	10-0394800

3	특허	포토 인터럽터	10-0396398

4	특허	칼라센서	10-0407407

5	특허	인덱스워크홀더	10-0413204

6	특허	리모콘 수신모듈 및 그 제조방법	10-0432212

7	특허	포토 인터럽트의 제작공법	10-0474389

8	특허	리모콘 수신모듈의 차폐구조	10-0538763

9	특허	지향각 특성을 향상시킨 리모콘 수신모듈	10-0538766

10	특허	칩온 보드 패키지의 몰딩장치	10-0546737

11	특허	고방열 구조를 갖는 반도체 패키지	10-0553717

12	특허	리모콘 수신모듈의 렌즈	10-0557822

13	특허	자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의구조 및 제조방법	10-0616462

14	특허	형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법	10-0620556

15	실용	광수신 모듈용 차폐케이스	30-0423996

16	디자인	광수신 모듈	30-0423997

17	디자인	광수신 모듈	30-0423998

18	디자인	광수신 모듈용 차폐케이스	30-0423999

19	특허	발광 다이오드 어레이 모듈의 구동장치 및 구동방법	10-0678774

20	특허	지향성 발광다이오드의 구조	10-0704899

21	특허	수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드	10-0709787

22	특허	포터인터럽터의 광소자 삽입방법 및 장치	10-0717537

23	특허	반도체패키지용 레이져마킹장치	10-0721351

24	특허	광소자	10-0733431

25	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	10-0756233

26	특허	이젝트핀 분리형 성형 프레스	10-0756239

27	특허	레일을 이용한 성형틀 교환방식의 성형 프레스	10-0756241

28	특허	포토 트라이악의 구조	10-0763863

29	특허	포토 인터럽터	10-0773471

30	특허	금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법	10-0773473

31	특허	경사 감지 방법 및 이를 이용한 경사 감지장치	10-0781576

32	특허	적층형 수동소자를 이용한 광소자 패키지	10-0781578

33	특허	광소자 패키지	10-0791932

34	특허	씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법	10-0801008

35	특허	적외광 수신모듈	10-0801009

36	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법	10-0801010

37	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	10-0801022

38	특허	반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법	10-0820627

39	특허	자외선 엘이디	10-0820634

40	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	10-0847070

41	특허	광원 위치인식센서용 모듈, 이를 이용한 자기위치 인식장치 및 자기위치 인식방법	10-0861469

42	특허	적외선 수신기	10-0866507

43	특허	아날로그-디지털 신호 변환장치 및 변환방법	10-0866509

44	특허	센서 검사용 스트립 및 이를 이용한 센서 검사 장치	10-0880677

45	특허	위조지폐 감별유니트	10-0945268

46	특허	고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법	10-0977260

47	특허	광학식 액체 레벨 센서	10-0977515

48	특허	주·야간 촬영이 가능한 카메라 모듈	10-0977516

49	특허	포토 인터럽터 및 그 제조방법	10-0995913

50	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	10-0995916

51	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 제조방법	10-1014214

52	특허	오염 방지막이 형성된 엘이디 칩 및 그 제조 방법	10-1023480

53	특허	광커넥터	10-1032960

54	특허	수광소자 패키지	10-1033623

55	특허	카메라 오토 포커스용 엘이디 모듈 및 그 제조 방법	10-1033624

56	실용	이너 실드를 포함하는 리모콘 수신 모듈	20-0454520

57	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조	10-1059541

58	디자인	발광다이오드 기판	30-0616398

59	특허	연성 광보드 상의 광소자 집적 구조 및 이의 제조 방법	10-1082988

60	특허	리모콘 수신 모듈	10-1082997

61	특허	정전기 보호용 반도체 소자 및 그 제조방법	10-1083001

62	특허	내부 실드가 형성된 에스엠디 형 리모콘 수신모듈	20-0456694

63	특허	웨이퍼 가공 기법을 이용한 엘이디모듈 제조 방법	10-1092262

64	특허	발광부 및 수광부를 구비한 센서 모듈 제조 방법	10-1092282

65	특허	주변광을 이용한 엘이디 식물 생장 시스템	10-1102279

66	특허	광소자 패키지 및 그 제조방법	10-1103336

67	특허	발광다이오드 패키지	10-1119660

68	특허	발광칩 및 그 제조방법, 발광칩을 구비하는 광소자 패키지 및 그 제조방법	10-1112430

69	특허	이중몰드를 이용한 수광모듈제조방법	10-1134071

70	특허	조도,근접센서 패키지 및 그 제조방법	10-1176819

71	디자인	엘이디(LED) 투광기	30-0692684

72	특허	밝기가 변하는 광원의 광량 증감을 감지하는 광량 비교 센서	10-1295795

73	특허	n 형 AlAs 하부 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	10-1337379

74	특허	파워모듈용 알루미늄 베이스 플레이트	10-1367211

75	특허	분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1393606

76	특허	요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법	10-1393605

77	디자인	엘이디(LED) 조명등	30-0745085

78	특허	비도핑 알루미늄인듐인 정공 방지층을 가지는 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드	10-1403918

79	특허	n 형 GaN 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	10-1412142

80	특허	텍스처된 n형 AlAs 전류 확산층을 가진 웨이퍼 본딩형 AlGaInP 발광다이오드 및 제조 방법	10-1423908

81	특허	광결정 발광 소자	10-1477048

82	특허	투명기판위에 직접 성장된 고효율 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	10-1513803

83	실용	확장이 용이한 멀티구조의 엘이디 조명장치	20-0479469

84	특허	다이아몬드 상 카본 보호필림을 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1610440

85	특허	개선된 광효율을 가지는 투명 기판형 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1660629

86	특허	다채널 광센서	10-1651320

87	특허	발화 방지용 제너다이오드 및 그 제조 방법	10-1688776

88	특허	PCB를 이용한 다채널 광센서 및 제조 방법	10-1701010

89	특허	발광 효율이 개선된 발광 다이오드 칩 어레이	10-1802638

90	특허	온저항 특성이 우수한 p필러형 슈퍼정션 파워 모스펫 및 그 제조 방법	10-1803156

91	특허	변형 보정 층을 가지는 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1916587

92	특허	플라스틱 사출물(Lens 일체형)을 적용한 방수 기능의 광센서 모듈	10-1929622

93	특허	알루미늄갈륨인듐포스파이드 엘로우 광 보상부를 가지는 플립형 백색 갈륨나이트라이드 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1929678

94	특허	반도체를 이용한 Nox 센서 및 그 제조 방법	10-1967420

나.수주상황(단위 : 천원)

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

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합 계	-	-	-	-	-	-

※해당사항 없음.