광전자 사업보고서 (2021.12)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요 계약당사 및 종속회사는 보고서 제출일 현재 특이사항이 없습니다. 나. 연구개발 활동 당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.[당사의 연구개발관련 비용입니다.]

(단위 : 백만원)

과 목	제 38 기연간	제 37 기연간	제 36 기연간

연구개발비용계	6,217	6,530	6,856

(정부보조금)	(351)	(478)	(381)

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	3.58%	4.35%	4.13%

*) 매출액은 연결기준입니다 . **) 연구개발비용계는 정부보조금(국고보조금)을 차감하기 전의 연구개발비용 지출총액 을 기준으로 산정 하 였습니다. ※연구개발 실적 공시대상기간에 대한 연구개발실적 입니다.

( 1)Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

과제명	Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.02

연구결과 및 기대효과	전장용 제품 대비 안정적인 고온 특성 구현

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 2)600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

과제명	600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	Customer 응용 및 용접기 시장 진입을 위한 EAS 개선 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 3)1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

과제명	1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.01 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발 및 파생을 위한 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 4)120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

과제명	120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	120mil PD 와 동등한 광출력 특성 값 가지는 Chip shrink PD 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 5)λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

과제명	λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	Photo Diode 신규 시장 창출 확대 방안으로 Silicon Avalanche PD 공정 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 6)500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2018.3

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 7)250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2018.3

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 8)650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.11 ~ 2018.3

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발 [Wafer Biz]

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 9)6ASD-1152AU(1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD_6inch 공정 set-up 개발

과제명	6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD _6inch 공정 set-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2019.04

연구결과 및 기대효과	자사 개발 완료 된 6inch PD Process 를 기반으로 AUD 공정 Set-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 10)1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.04

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 8A, 15A급 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 11)ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

과제명	ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 파생 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 12)30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

과제명	30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	AST-3620S 제품에 대하여 고객사측 광 VCE(SAT) 개선 요청으로 개선 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 13)500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~ 2019.6

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 14)1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 15)1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 16)800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	800V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 17)1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	1000V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 18)New LTV IC Vout 산포 및 ESD 개선

과제명	New LTV IC Vout 산포 및 ESD 개선

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~2019.08

연구결과 및 기대효과	Photo Diode Trim 기법을 이용하여, Vout 광출력 전압의 산포를 개선ESD Protection Cell 삽입을 통해 ESD 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 19)600V/10A급 UFRD EAS 개선 공정 및 제품 개발

과제명	600V/10A급 UFRD EAS 개선 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~ 2019.08

연구결과 및 기대효과	Customer 응용 및 용접기 시장 진입을 위한 EAS 개선 제품 개발 완료

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 20)PD-1123DQ (□1.23mm, 2-PAD) ToF 센서용 Photo Diode Chip 개발

과제명	PD-1123DQ (□1.23mm, 2-PAD) ToF 센서용 Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06 ~ 2019.9

연구결과 및 기대효과	ToF Module 적용 N-type Photo Diode 기존 대체 및 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 21)900V/4A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	900V/4A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.10

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 900V급 M-Ver. 정격 파생 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 22)ASD-1123DT (□1.23mm, 2-PAD) Auto Door 센서용 Photo Diode Chip 개발

과제명	ASD-1123DT (□1.23mm, 2-PAD) Auto Door 센서용 Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2019.11

연구결과 및 기대효과	Auto Door 센서용 N-type PD 경쟁사 제품 대체 및 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 23)λp=900nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

과제명	λp=900nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	Photo Diode 신규 시장 창출 확대 방안으로 λp=900nm 인 Si-APD 공정 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 24)1200V/30A급 HC-FRD 제품 개발

과제명	1200V/30A급 HC-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	30A급의 신규 MASK 제작 및 1200V급 공정 공유하여 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 25)800V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

과제명	800V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	800V급 HV-FRD 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 IR high issue에 따른 공정 재설정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 26)1000V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

과제명	1000V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	1000V급 HV-FRD 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 IR high issue에 따른 공정 재설정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 27)1200V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1200V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD 공정 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 VF high issue에 따른 Pt 공정 재설정 하여 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 28)30V 급 □24mil 5inch Photo TR 신규 PATTERN 적용 개선 개발

과제명	30V 급 □24mil 5inch Photo TR 신규 PATTERN 적용 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.04 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	AST-3124 제품에 대하여 고객사측 광 VCE(SAT) 개선 요청으로 개선 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 29)200V/18A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

과제명	200V/18A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위하여 ESD에 취약한 FET특성 개선을 위하여 ZENER 내장형 제품 개발진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 30)250V/16A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

과제명	250V/16A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위하여 ESD에 취약한 FET특성 개선을 위하여 ZENER 내장형 제품 개발진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 31)250V/82A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	250V/82A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 32)FT-8225U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

과제명	250V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.01

연구결과 및 기대효과	High current에 따른 Active cell 영역 배치 및 Gate Bus line 신규 구성

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 33)SD10235 (235V/10A급 HV-SBD) 신규 제품 개발

과제명	235V/10A급 HV-SBD 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	Chip Size 및 Pattern 변화가 없어야함에 따라 기존 200V급 양산 MASK 적용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 34)SUN05A50ZF (500V/5A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

과제명	SUN05A50ZF (500V/5A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	ESD 확보를 위해 GATE PAD 부 POLY ZENER 내장_Back to Back ZENER 삽입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 35)600/650V급 R2-ver. FET 신뢰성 개선 개발

과제명	600/650V급 R2-ver. FET 신뢰성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	600/650V급 R2-ver. FET의 확판을 위해 신뢰성 개발 필요로 CNT layer revision 및 Pass'N막 조성비 변경으로 신뢰성 1000H PASS

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 36)600V/20A TRENCH IGBT 제품 개발

과제명	600V/20A TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.06 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	IGBT 시장 공략을 위한 정격별 제품 확보를 위한 Line-Up추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 37)600V/40A TRENCH IGBT 제품 개발

과제명	600V/40A TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	IGBT 시장 공략을 위한 정격별 제품 확보를 위한 Line-Up추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 38)BI-C7101(누전 검출 IC) 신규 제품 개발

과제명	누전 검출 IC 신규 제품 개발_Custom IC ( Wafer Biz用 )

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.04

연구결과 및 기대효과	고객 요청으로 신규 제품군 IC 개발. 고객이 요구한 전기적 특성 만족하며, 신뢰성 1000hr 완료.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 39)PD-N15-6 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N15-6 (□1x1.5mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.05

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1x1.5mm (Set 6) N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 40)PD-N26-6 (□1x2.6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N26-6 (□1x2.6mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1x2.6mm (Set 6) N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 41)PD-N60 (□1.6x6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N60 (□1.6x6mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1.6x6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 42)ASD-1115U (□115mil 6inch N-type Photo Diode) 공정 개선 개발 _BVR 저감 현상 개선

과제명	115mil 6inch N-Type PD 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	ASD-1115U 의 고비저항 원자재 적용시 WAFER 가장자리 BVR 저감 현상 및 신뢰성 Fail Issue에 대한 공정 수순 변경 및 개선 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 43) 650V급 SiC SBD 신기술(신공정) 개발

과제명	650V급 SiC SBD 신기술(신공정) 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	핵심 단위공정 Set-up 및 신기술(신공정) 개발을 통한 650V급 SiC SBD 제품 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 44) APD-2123-8 (□1.23mm P-Type) 800nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-8 (□1.23mm P-Type) 800nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 와 같은 신규 Sensor 시장 진출을 위한 APD 제품군 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 45) APD-2123-9 (□1.23mm P-Type) 900nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-9 (□1.23mm P-Type) 900nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 와 같은 신규 Sensor 시장 진출을 위한 APD 제품군 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 46) 600V/20A TIGBT 제품 개발 _ 특성 산포 개선 개발

과제명	600V/20A TIGBT 제품 개발 _ 특성 산포 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.02 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	자사 600V급 TIGBT 공정 안정화를 통한 수율 확보 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 47) 1200V/15A TIGBT 제품 개발 _특성 산포 개선 개발

과제명	1200V/15A TIGBT 제품 개발 _특성 산포 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.02.05~ 2020.09.30

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 안정화를 통한 수율 확보 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 48) 600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경을 통한 신뢰성 개선 개발 2종

과제명	600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경을 통한 신뢰성 개선 개발 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	신뢰성 개선품의 재현성 평가 LOT의 신뢰성 PCT 다량 불량 발생으로 설계 변경 및 Pass'N막 신규 설정으로 추가 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 49) 650V급 SiC SBD 신규 제품 개발 _Line-up 6종

과제명	650V급 SiC SBD 신규 제품 개발 _Line-up 6종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.06 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	650V/20A 대표 제품 外 5종(4A, 6A, 8A, 10A,15A) SiC SBD 제품 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 50) 1200V급 SiC SBD 신규 공정 및 SEED 제품 개발

과제명	1200V급 SiC SBD 신규 공정 및 SEED 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.06 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	1200V/10A 대표 제품 外 2종(5A, 20A) SiC SBD 제품 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 51) FT-1145U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

과제명	FT-1145U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Target Rds(on) 기준 신규 설계 및 신규 EPI 설정으로 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 52) PD-N15-9 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N15-9 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Chip Size (1x1.5mm), 고객사 요구 SPEC (Set 9) 기준 target 설정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 53) PD-1047QA (□1.2mm N-Type ALS Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-1047QA (□1.2mm N-Type ALS Photo Diode) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Filter 증착 구조 □1.2mm N-Type ALS PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 54) 1200V급 FRD 공정 개선 개발

과제명	1200V급 FRD 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07 ~ 2020.12.

연구결과 및 기대효과	1200V,10/30A급 BV drop 및 IR 불량 개선을 위해 공정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 55) ASD-1080 (□0.8mm N-Type) Custom Photo Diode Chip 개발

과제명	ASD-1080 (□0.8mm N-Type) Custom Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Custom □0.8mm N-Type PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 56) AST-4018 (□1.0mm NPN) Custom Photo TR Chip 개발

과제명	AST-4018 (□1.0mm NPN) Custom Photo TR Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.03 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Custom □1.0mm NPN PTR 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 57) 200V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

과제명	200V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	200V/82A급 High current용 U2-ver.FET 제품 Line-up 추가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 58) 300V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

과제명	300V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	300V/82A급 High current용 U2-ver.FET 제품 Line-up 추가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 59) SNV358 CMOS Rail to Rail Dual OP Amp IC 신규 제품 개발

과제명	SNV358 CMOS Rail to Rail Dual OP Amp IC 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 08 ~ 2021. 04

연구결과 및 기대효과	MPW(외주 FAB)을 이용한 제품 특성 확보 및 Series 파생 가능 (Single, Quad)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 60) BI-1024(A) FA Sensor IC 신규 제품 개발

과제명	BI-1024(A) FA Sensor IC 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 05 ~ 2021. 06

연구결과 및 기대효과	Factory Automation Interrupter용으로 W'f Biz.를 통해 중국 시장 확대 판매 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 61) 650V/16A급 R2-ver. FET 설계 변경 신뢰성 개선 추가 line-up 개발

과제명	650V/16A급 R2-ver. FET 설계 변경 신뢰성 개선 추가 line-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 03 ~ 2021. 06

연구결과 및 기대효과	16A급 R2-ver. 신뢰성 개선 개발 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 62) 200V/82A급 HC-FET 신규 제품 추가 Line-up 개발

과제명	200V/82A급 HC-FET 신규 제품 추가 Line-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 01 ~ 2021. 06

연구결과 및 기대효과	200V/82A급 HC-FET 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대 _차량용 밧데리 Inverter

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 63) PD-N26-8 (□1x2.6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N26-8 (□1x2.6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 10 ~ 2021. 04

연구결과 및 기대효과	N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 Line-up 개발 및 해외 산업용 센서 시장 확대 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 64) Automotive Sensor 용 PD Chip 6inch 전환 개발 (□1.23㎜ N-Type) 2종

과제명	Automotive Sensor 용 PD Chip 6inch 전환 개발 (□1.23㎜ N-Type) 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 12 ~ 2021. 06

연구결과 및 기대효과	Automotive Sun Sensor 용 Si-PD 6inch 전환 개발 및 안정된 양산 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 65) APD-2123-8T, 800nm 파장 급 SMD PKG Type 용 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-8T, 800nm 파장 급 SMD PKG Type 용 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 08 ~ 2021. 07

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 용 Si-APD 신규 Line-up 개발 및 국산화 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 66) APD-2123-9T, 900nm 파장 급 SMD PKG Type 용 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-9T, 900nm 파장 급 SMD PKG Type 용 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 08 ~ 2021. 07

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 용 Si-APD 신규 Line-up 개발 및 국산화 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 67) ASD-1080 (Custom PD_□0.8mm N-Type Photo Diode) 신규 개발

과제명	ASD-1080 (Custom PD_□0.8mm N-Type Photo Diode) 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 09 ~ 2021. 06

연구결과 및 기대효과	산업용 센서 적용 N-Type PD 개발 및 고객사 요구 수준의 광출력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 68) CL-209 (ML type IRED) 신규 제품 개발

과제명	CL-209 (ML type IRED) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 02 ~ 2021. 04

연구결과 및 기대효과	Scanner용 발광소자 Line-up 확충 및 단종 대체 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 69) 600V/60급 HC-FRD 추가 Line-up 신규 제품 개발

과제명	600V/60A급 HC-FRD 신규 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 04 ~ 2021. 08

연구결과 및 기대효과	신규 JTE 구조 적용, 경쟁력 있는 CHIP SIZE 구현및 특성 우세로 IGBT ModuleCo-pack diode 시장 진입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 70) AST-4018 (Custom PTR_□1.0mm NPN Photo Transistor) 개선 개발

과제명	AST-4018 Custom PTR Chip 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 09 ~ 2021. 09

연구결과 및 기대효과	산업용 센서 적용 Photo TR 개발 및 고객사 요구 수준의 광출력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 71) PD-N26-8 (□1x2.6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 개선 개발

과제명	D-N26-8 Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 03 ~ 2021. 09

연구결과 및 기대효과	Encoder 용 고속 PIN PD 감도 산포개선 개발 및 해외 산업용 센서 시장 확대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 72) KAPD9001C 신규 제품 개발

과제명	KAPD9001C (COB APD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 10 ~ 2021. 07

연구결과 및 기대효과	LiDAR용 900mm APD SMD Line-up 확충

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 73) 200V/50A급 HC-FET 제품 추가 Line-up 개발

과제명	200V/50A급 HC-FET 제품 추가 Line-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021.07~2021.10

연구결과 및 기대효과	200V/50A급 HC-FET 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 74) 200V/50A급 HC-FET 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대

과제명	200V/50A급 HC-FET 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 5~ 2021. 10

연구결과 및 기대효과	1200V급 FS-IGBT SEED 제품 개발을 통한 소자 구조 설계 능력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 75) PDA-1030 소형 장거리 Photo sensor 용 2분할 Photo Diode Chip 신규 개발

과제명	PDA-1030 소형 장거리 Photo sensor 용 2분할 Photo Diode Chip 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 4 ~ 2021. 12

연구결과 및 기대효과	소형 장거리 Photo 센서 용 2분할 PD 개발 및 고객사 요구 수준의 광출력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 76) 300V/82A급 HC-FET 신규 제품 추가 Line-up 개발

과제명	300V/82A급 HC-FET 신규 제품 추가 Line-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2021. 6 ~ 2021. 12

연구결과 및 기대효과	300V/82A급 HC-FET 추가 Line-up 개발을 통한 매출 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 77) KIR0105T2-A 신규 제품개발

과제명	KIR0105T2-A 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 7~2021. 10

연구결과 및 기대효과	혈당측정기의 스트립 코드 분석

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 78) KAPD9001C-F (COB type APD, with BPF) 신규 제품개발

과제명	KAPD9001C-F (COB type APD, with BPF) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 10~2021. 11

연구결과 및 기대효과	Range Finder용 APD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 79) KAPD-8001PL (PLCC type APD) 신규 제품개발

과제명	KAPD-8001PL (PLCC type APD) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 10~2021. 11

연구결과 및 기대효과	Range Finder용 APD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 80) KDP5009C-AB02 제품개발

과제명	KDP5009C-AB02 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 10~2021. 12

연구결과 및 기대효과	산소포화도 센서

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 81) KEL2410C (mini CAN PKG) 신규 제품개발

과제명	KEL2410C (mini CAN PKG) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 9~2021. 12

연구결과 및 기대효과	선박통신용 발광소자

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 82) KDT2420C (mini CAN PKG) 신규 제품개발

과제명	KDT2420C (mini CAN PKG) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 9~2021. 12

연구결과 및 기대효과	선박통신용 수광소자

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 83) KDP8023A (ML type PD) 신규 제품개발

과제명	KDP8023A (ML type PD) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 8~2021. 12

연구결과 및 기대효과	Industrial용 수광소자 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 84) KOD3122A (Casting type Ambient Light Sensor) 신규 제품개발

과제명	KOD3122A (Casting type Ambient Light Sensor) 신규 제품개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020. 6~2021. 12

연구결과 및 기대효과	Industrial용 ALS 소자 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료