광전자 사업보고서 (2018.12)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황 (1) 반도체 산업의 특성

반도체는 모든 IT 제품에 들어가는 핵심 부품으로 통신기기, 정보기기, 자동차, 군사,항공 등 다양한 분야에 사용되고 있으며, 스마트 폰, 태블릿 PC, 디지털TV, 스마트가전 등 기존 멀티미디어 관련 제품을 넘어 자율주행, 의료기기, 로봇 등 컴퓨팅 및 정보저장에 대한 새로운 수요가 확산되면서 시장규모가 지속적으로 확대되고 있습니다.

향후 기존 분야를 넘어 에너지, 바이오 분야로 발전되어 지속적인 부가가치를 창출할 것으로 전망되며, 그에 따라 반도체 산업의 성장 또한 확대 될 것으로 예상됩니다.

(2) 글로벌 반도체 시장의 현황과 전망

세계 반도체 시장은 스마트 폰, 태블릿PC, 스마트가전, 자동차 및 항공, 우주산업의 특수 부품 등 수요처가 다변화, 고도화 되고 있습니다.

WSTS의 반도체 시장 전망 보고서에 따르면, 2019년 비 메모리 반도체 시장은 지속적으로 상승세가 확대될 전망으로, 아날로그반도체 3.8%, MEMS 반도체 3%, Logic 반도체 3.8%, Discrete반도체 3.9%, 광전자 6.8%, 센서 류 5.2% 등으로 분석 되었습니다. 이는 여러 환경변화에 따라 반도체 시장의 규모는 지속적으로 확대되어, 꾸준한 성장을 할 것으로 예측 됩니다.

나. 회사의 현황(1) 영업개황

광전자는 전자부품 제조 업체로써 Discrete반도체, 광 센서, LED 등 폭넓은 전자부품 시장을 주도하며 한국, 중국, 일본의 탄탄한 네트워크 기반의 글로벌 기업으로 성장해가고 있습니다.

광전자의 핵심 판매시장은 Discrete반도체, 광 센서, LED시장이며, 고성능, 저전력 및 경박단소를 기반으로 모바일 기기, 자동차, 디지털가전 등 전반적인 IT제품의 개별 소자로 사용 되고 있습니다. 또한 이러한 환경변화에 맞는 반도체의 개발 및 제조뿐만 아니라 고객이 원하는 제품에 대한 솔루션 제시를 통하여 지속적인 영업활동을 전개하고 있습니다.

광전자는 효율적인 경영활동과 지속적인 VE 활동을 통하여 원가경쟁력과 시장경쟁력을 확보하였고, 품질경영 시스템을 구축하여 꾸준한 품질 향상에 노력하고 있습니다. 또한, Discrete반도체는 한국과 중국에 대량생산 체제를 구축하여 시장에 맞는 제품을 지속적으로 출시하고 있으며, 광 센서는 고객에 원하는 제품을 개발, 제조하여 다품종 소량 생산하는 방식으로 시장에 접근해 나가고 있습니다.

미래산업에 적용 가능하고 성장 가능한 신 성장 동력 제품을 개발하기 위해 한국, 중국, 일본이 함께 협력 체제를 구축하여 개발,제조,영업의 협력을 통하여 점진적으로 시장을 넓혀가고 있습니다.

(2) 시장 점유율 및 산업 전망

가트너(Gartner, Inc.)에서 발표한 자료에 따르면 2018년 하반기 잠시 주춤하던 전체 반도체 시장 또한 AI, 5G의 환경변화에 따른 데이터센터(SERVER)시장의 확대에 따라 다시금 전체 반도체 시장이 성장 할 것이다라는 예측도 존재하고 있습니다. 또한 당사의 주력 산업분야인 비 메모리반도체 시장 규모는 2018년을 기준으로 2019년에는 6%의 성장을 예상하고 있습니다.

그에따라 당사는 Discrete, 광전자, 센서 류 등에서 2019년 성장을 모색하고 있습니다.

5G와 사물인터넷(IoT) 기술은 기존의 제품이 연결되며, 음성비서나 AR, VR과 같은 기존에 없던 새로운 제품이 등장 할 수 있는 기반을 마련하고 있습니다. 이를 기반으로 다양한 환경을 인지, 감지, 관리 할 수 있는 방안으로써 모든 사물의 연결에서 광전자 및 센서 류 제품은 필수적으로 필요한 기본 소자로써 다양한 센서기술이 지속적으로 개발 진행 중이며, 이에 더해 감성기반의 서비스를 지원해 센서기술을 구현하고, 복지와 안전 등을 제공할 수 있는 센서기술 등에 대한 수요가 시대적, 환경적 요구사항으로 증가하고 있습니다.

당사의 주력사업분야인 Discrete반도체, 광 센서, LED는 고유기능 및 발전을 통해 5G, 사물인터넷(IoT) 반도체 센서의 공급처로 세계무대에서 활약 할 수 있을 것으로 기대 합니다.

(3) 조직도

2. 주요 제품 등 가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	제35기(2018년)

매출액	비율

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	전자기기 부품	AUK 등	63,157	35.70%

PHOTO SENSOR	전자기기 부품	AUK 등	76,970	43.50%

LED 등	전자기기 부품	AUK 등	32,329	18.27%

기타	전자기기 부품	AUK 등	4,474	2.53%

합 계	-	176,930	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	제 35 기	제 34 기	제 33 기

TRANSISTOR	22	22	21

PHOTO SENSOR	151	150	155

LED 등	6	7	6

(1) 산출기준

- 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매출액 / 총판매수량) - 외화매출은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매출액 대비 판매수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매출수량의 변화에 의해 영향을 받음.

3. 주요 원재료의 현황

가. 주요 원재료의 매입현황 및 매입처에 관한 사항

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	제35기(2018년)	주요매입처

매입액	비율

전자부품제조	원재료	CHIP	제품제조	24,536	45.86%	SHIN-ETSU CHEMICAL

전자부품제조	원재료	LEAD FRAME	제품제조	6,844	12.79%	(주)피에스엠씨, (주)신원기술

전자부품제조	원재료	기타	제품제조	22,123	41.35%	희성금속㈜

합 계	53,503	100.00%

나. 주요 원재료의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	단위	제 35 기	제 34 기	제 33 기

CHIP	PCS	19.57	19.09	20.55

(1) 산출기준 - 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매입액 / 총매입수량) - 외화매입은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매입액 대비 매입수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매입수량의 변화에 의해 영향을 받음.

다. 공급시장의 독과점 정도 및 안정성 당사의 주요 원재료인 WAFER는 모두 국내 및 해외 업체를 통해 생산되고 있으며, 경쟁이 치열한 시장으로 공급시장 자체에 경쟁이 존재하여, 한 업체에 의해서 독과점이 이루어지고 있지 않습니다. 따라서 당사는 원재료 매입과 관련하여 안정성을 유지하고 있다고 판단됩니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 가동률 당사는 국내 및 해외(중국) 생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 20 18년 품목별작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있습니다. 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22시간을 1일 작업시간으로 적용 하였습니다. 이러한 기준으로 집계한 결과 당사의 2 0 18년 평균가동율은 70% 로 집계 되었습 니다.

나. 생산설비의 현황 등 당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사와 국내 공장(전북 익산, 진안), 해외공장(중국대련)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산, 진안)등의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다.

(1) 생산설비의 현황(당기말) (단위 : 천원)

구 분	토지	건물	구축물	기계장치	공구와기구	기타유형자산	건설중인자산	합 계

취득원가	29,860,697	63,462,284	7,209,607	148,965,844	17,154,065	3,710,082	2,571,559	272,934,138

감가상각누계액	-	(34,870,246)	(2,703,364)	(132,962,596)	(14,945,407)	(3,123,158)	-	(188,604,771)

손상차손누계액	-	(1,245,106)	-	(1,920,185)	(33,137)	(66,424)	-	(3,264,852)

정부보조금	-	(493,557)	-	(53,412)	-	-	-	(546,969)

장부금액	29,860,697	26,853,375	4,506,243	14,029,651	2,175,521	520,500	2,571,559	80,517,546

( 2) 향후 투자계획(단위 : 백만원)

사업부문	계획명칭	투자총액	연도별 예상투자액	투자효과

자산형태	금 액	제 36 기(2019년)	제 37 기(2020년)	제 38 기(2021년)

전자부품제조	증설 및 합리화	기계장치 외	39,067	20,067	9,500	9,500	생산능력증가

※향후 투자에 대한 예상계획이며,사업환경 변화에 따라 투자계획은 변동 될 수 있습니다.

5. 매출에 관한 사항 당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIRECT 수출 및 해외 현지 법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중은 내수판매가 31% , 수출판매가 69% 입 니다. 당사의 판매조직은 별도의 영업부가 있으며 신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, Technical Service의 강화, 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있습니다. 당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를 정확하게 예측하기 어렵기 때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월 단위 확정하고 있습니다.)

[품목별 수출 및 내수 판매 현황]

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제 35 기	제 34 기	제 33 기

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	수 출	46,069	49,833	47,671

내 수	17,088	16,051	16,535

합 계	63,157	65,884	64,206

LED 등	수 출	22,701	18,612	18,736

내 수	9,628	9,244	8,406

합 계	32,329	27,856	27,142

PHOTOSENSOR	수 출	51,952	57,894	57,155

내 수	25,018	21,770	17,571

합 계	76,970	79,665	74,726

기타	수 출	2,209	1,991	2,380

내 수	2,265	1,991	2,474

합 계	4,474	3,981	4,854

합 계	수 출	122,931	128,330	125,942

내 수	53,999	49,056	44,986

합 계	176,930	177,386	170,928

6. 시장위험과 위험관리가. 자본위험관리

연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조의 유지 또는 조정을 위하여 연결실체는 배당을 조정하거나, 주주에 자본금을 반환 하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시할 수 있습니다.

연결실체는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 연결재무제표의 금액을 기준으로 계산합니다. 당기말 및 전기말 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구분	당기말	전기말

부채	37,717,805	32,080,952

자본	224,399,899	206,148,995

부채비율	16.81%	15.56%

나. 금융위험관리 연결실체는 금융상품과 관련하여 시장위험(외환위험, 이자율위험, 가격위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체의 위험관리는 연결실체의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 연결실체가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다.

(1) 외환위험연결실체는 외화로 표시된 거래를 하고 있기 때문에 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당기말 및 전기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채의 장부금액은다음과 같습니다.

(당기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	68,176	76,227,592	7,592	8,134,245

JPY	53,884	545,943	21,266	201,842

합계	76,773,535	8,336,087

(전기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	74,442	79,756,914	7,592	8,134,245

JPY	44,682	424,079	21,266	201,842

EUR	-	-	41	52,321

합계	-	80,180,993	-	8,388,408

연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당기말 및 전기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	6,753,742	(6,753,742)

JPY	47,133	(47,133)

합 계	6,800,875	(6,800,875)

(전기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	7,162,267	(7,162,267)

JPY	22,224	(22,224)

EUR	(5,232)	5,232

합 계	7,179,259	(7,179,259)

2) 이자율위험 당사는 전기말 현재 이자율위험에 노출되어 있지 않으며, 당기말 현재 이자율위험에 노출된 차입금의 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구분	당기말	전기말

차입금	468,396	214,280

연결실체는 내부적으로 이자율 변동으로 인한 이자율위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당기말 및 전기말 현재 각 자산 및 부채에 대한 이자율이 1% 변동시 이자율변동이 당기손익 및 순자산에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당기) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(4,684)	(4,684)	4,684	4,684

(전기) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(2,143)	(2,143)	2,143	2,143

(3) 가격위험 연결실체는 당기말 및 전기말 현재 가격변동위험에 노출되어 있는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 아니합니다.

(4) 신용위험

신용위험은 계약상대방이 계약상의 의무를 불이행하여 연결실체에 재무적 손실을 미칠 위험을 의미합니다.

연결실체의 신용위험은 보유하고 있는 대여금 및 수취채권을 포함한 거래처에 대한 신용위험 뿐 아니라, 매도가능금융자산(채권), 만기보유금융자산, 금융기관예치금 및지급보증한도액으로부터 발생하고 있습니다. 금융기관의 경우, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 일반거래처의 경우 고객의 재무상태, 과거 경험 등 기타 요소들을 고려하여 신용을 평가하게 됩니다. 대여금 및 수취채권, 매도가능금융자산(채권) 및 만기보유금융자산의 신용위험 최대노출액은 장부금액과 유사합니다.

(5) 유동성위험

연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.

당기말 및 전기말 현재 비파생금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과같습니다.

(당기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	20,406,684	3,281,369	23,688,053

변동이자율차입금	300,394	182,586	482,980

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	20,088,612	78,572	20,167,184

변동이자율차입금	221,169	-	221,169

상기 만기분석은 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 연결실체가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되었으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

다. 공정가치의 추정

활성시장에서 거래되는 금융상품(단기매매금융자산과 매도가능금융자산 등)의 공정가치는 보고기간 종료일 현재 고시되는 시장가격에 기초하여 산정됩니다. 연결실체가 보유하고 있는 금융자산의 공시되는 시장가격은 종가입니다.

활성시장에서 거래되지 아니하는 금융상품(예: 장외파생상품)의 공정가치는 평가기법을 사용하여 결정하고 있습니다. 연결실체는 다양한 평가기법을 활용하고 있으며 보고기간 종료일 현재 시장상황에 근거하여 가정을 수립하고 있습니다. 장기부채 등 이용가능한 금융부채에는 고시시장가격 또는 유사상품에 대한 딜러호가를 사용하고 있으며, 그 밖의 금융상품에는 추정현금흐름할인법과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공정가치를 산정하고 있습니다.

한 편 , 연결실체는 합리적으로 가능한 대체적인 가정을 반영하기 위한 관측가능하지 않은 투입변수의 변동이 공정가치 측정치에 유의적인 변동을 가져오지 않을 것으로 판단하고 있습니다.

매출채권 및 기타채권의 경우, 손상차손을 차감한 장부금액을 공정가치 근사치로 보며, 공시목적으로 금융부채 공정가치는 계약상의 미래현금흐름을 유사한 금융상품에 대해 연결실체가 적용하는 현행시장이자율로 할인한 금액으로 추정하고 있습니다. 다만, 상각후원가로 측정되는 금융상품은 장부금액과 공정가치가 거의 유사할 것으로 판단하여 장부금액을 공정가치로 평가하였습니다.

한편, 연결실체는 재무상태표에 공정가치로 측정되는 금융상품에 대하여 공정가치측정에사용된 투입변수에 따라 다음과 같은 공정가치 서열체계로 분류하였습니다.

구분	투입변수의 유의성

수준 1	동일한 자산이나 부채에 대한 활성시장의 (조정되지 않은) 공시가격

수준 2	직접적으로(예: 가격) 또는 간접적으로(예: 가격에서 도출되어) 관측가능한, 자산이나 부채에 대한 투입변수. 단 수준 1에 포함된 공시가격은 제외한다.

수준 3	관측가능한 시장자료에 기초하지 않은, 자산이나 부채에 대한 투입변수(관측가능하지 않은 투입변수)

연결실체의 상기 서열체계에 따른 공정가치측정치는 다음과 같습니다. ( 1) 당기말 및 전기말 현재 공정가치로 후속측정되는 금융상품의 수준별 공정가치 측정치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범주	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	소계

당기말:

기타포괄손익-공정가치측정금융자산

시장성없는 지분증권	21,687,870	-	-	21,687,870	21,687,870

전기말:

매도가능금융자산

시장성없는 지분증권	7,852,376	-	-	7,852,376	7,852,376

당기와 전기 중 수준 1과 수준 2간의 유의적인 이동은 없습니다.(2) 당기말과 전기말 현재 공정가치로 후 속측정되지 않는 금융상품의 수준별 공정가치 측청치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	당기말	전기말

장부금액	공정가치	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	합 계	수준1	수준2	수준3	합 계

상각후원가측정 금융자산

금융기관예치금

장/단기금융상품	56,756,867	56,756,867	56,756,867	77,175,728	77,175,728	77,175,728

매출채권(*)	29,215,600	29,215,600	29,215,600	29,339,727	29,339,727	29,339,727

미수금(*)	237,761	237,761	237,761	110,516	110,516	110,516

미수수익(*)	788,657	788,657	788,657	692,998	692,998	692,998

보증금(*)	2,264,242	2,264,242	2,264,242	2,198,205	2,198,205	2,198,205

합 계	89,263,127	89,263,127	89,263,127	109,517,174	109,517,174	109,517,174

상각후원가측정 금융부채

매입채무 (*)	14,010,420	-	-	14,010,420	14,010,420	13,689,669	-	-	13,689,669	13,689,669

미지급금 (*)	3,069,092	-	-	3,069,092	3,069,092	4,076,216	-	-	4,076,216	4,076,216

미지급비용 (*)	3,145,788	-	-	3,145,788	3,145,788	2,113,590	-	-	2,113,590	2,113,590

차입금 (*)	468,396	-	-	468,396	468,396	214,280	-	-	214,280	214,280

보증금 (*)	3,274,834	-	-	3,274,834	3,274,834	235,074	-	-	235,074	235,074

예수보증금 (*)	187,919	-	-	187,919	187,919	52,635	-	-	52,635	52,635

합 계	24,156,449	-	-	24,156,449	24,156,449	20,381,464	-	-	20,381,464	20,381,464

(*) 수준 3으로 표시된 단기수취채권과 단기지급채무는 할인효과가 중요하지 않아 원본금액으로 측정하였습니다.

( 3) 재무상태표에 반복적으로 공정가치로 측정되는 금융상품 중 수준 3에 포함되는 금융상품의 장부가액 변동내역은 다음과 같습니다. 5 ) 연결실체는 수준 간의 이동을 가져오는 사건이나 상황의 변동이 발생하는 시점에 수준간의 이동을 인식하고 있습니다.

(단위: 천원)

범주	기초	매입	매도	기타포괄손익	연결범위변동	소계

당기:

금융자산

시장성없는 지분증권	7,852,376	-	-	13,418,229	417,265	21,687,870

전기:

금융자산

시장성없는 지분증권	7,852,376	-	-	-	-	7,852,376

기타포괄손익으로 인식된 총 차익 및 차손은 당기말 현재 보유하고 있는 지분증권과 관련된 것이며, 기타포괄손익-공정가치측정금 융자산평가손익 (주석8 참고)의 변동 으로 인식됩니다.( 4 ) 다음은 수준 2와 수준 3으로 분류되는 금융상품 공정가치측정 치 에 사용된 가치평가기법과 투입변수에 대한 설명입니다. - 비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권의 공정가치는 현금흐름할인모형을 사용하여 측정하며, 미래현금흐름을 추정하기 위하여 매출액 증가율, 세전 영업이익률, 가중평균자본비용 등에 대한 가정이나 추정과 같이 관측가능한 시장가격이나 비율에 근거하지 않은 가정이 일부 사용됩니다. 미래현금흐름을 할인하기 위하여 사용된 가중평균자본비용은 자본자산가격결정모형(CAPM)을 적용하여 산정하였습니다. 연결실체는 상기에서 언급된 주요 가정과 추정이 비상장주식의 공정가치에 미치는 영향이 유의적인 것으로 판단하여 비상장주식의 공정가치측정치를 공정가치 서열체계상 수준 3으로 분류하였습니다.

(5) 연결실체가 보유하고 있는 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 당기중 발생한 사업환경이나 경제적 환경의 유의적인 변화는 없습니다. 7. 연구개발활동 당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.

[ 연구개발관련 비용]

(단위 : 백만원)

과 목	제 35 기	제 34 기	제 33 기

연구개발비용계	6,661	6,019	5,269

(정부보조금)	(275)	(263)	(143)

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	3.76%	3.39%	3.08%

*) 매출액은 연결기준입니다 . **) 연구개발비용계는 정부보조금(국고보조금)을 차감하기 전의 연구개발비용 지출총액 을 기준으로 산정 하 였습니다.

※연구개발 실적 공시대상기간에 대한 연구개발실적 입니다.

( 1)SRN0460/0465F(600V,650V/4A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V,650V/4A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.03 ~ 2016.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품 대비 EMI 특성을 개선한 R-Ver MOSFET 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 2)SRN0760/0765F(600V,650V/7A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V,650V/7A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.03 ~ 2016.04.01

연구결과 및 기대효과	기존 제품 대비 EMI 특성을 개선한 R-Ver MOSFET 제품 개발 및 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 3)SRN1060/0965F(600V,650V/10A,9A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V,650V/10A,9A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.03 ~ 2016.04.04

연구결과 및 기대효과	기존 제품 대비 EMI 특성을 개선한 R-Ver MOSFET 제품 개발 및 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 4)SRN1260/1265F(600V,650V/12A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V,650V/12A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.03 ~ 2016.04.06

연구결과 및 기대효과	R-Ver MOSFET 제품 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 5)SRN0560/0565F(600V,650V/5A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V,650V/5A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.03 ~ 2016.04.08

연구결과 및 기대효과	4A급 제품보다 효율이 우수한 R-Ver MOSFET 제품 개발 및 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 6)ASZ-1215B-6VL (215um , LED ESD Protection ZENER) _NPN-TYPE(양방향) Chip 개발 … 6inch

과제명	ASZ-1215B-6VL (215um), NPN-type 양방향 LED ZENER _6inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.10~ 2016.02.04

연구결과 및 기대효과	WF Level BIZ 전개를 위해 NPN-TYPE 신규 공정 개발을 통한 LED ZENER Diode 개발로 중국내 시장 진입 및 확판으로 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 7)ASZ-1170B-6VL (170um , LED ESD Protection ZENER) _NPN-TYPE(양방향) Chip 개발 … 6inch

과제명	ASZ-1170B-6VL (170um), NPN-type 양방향 LED ZENER _6inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.10~ 2016.02.04

연구결과 및 기대효과	WF Level BIZ 전개를 위해 NPN-TYPE 신규 공정 개발을 통한 LED ZENER Diode 개발로 중국내 시장 진입 및 확판으로 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 8)ESP Diode _12V급 P-up ZENER Fusing 구조 공정 평가

과제명	TV BLU용 ZENER Diode 발열 및 발화 현상 개선 Fusing 설계 구조 공정 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.06~ 2016.02.15

연구결과 및 기대효과	EOS+CC, CC 가혹 조건 인가시 Zener Diode 발열 및 발화 현상이 없는 소자 구조 공정 평가 (Fusing 기능 내장 Chip 설계)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 9)AST-3620S (신규 30V급 Photo TR) 개발 _5inch 신규

과제명	AST-3620S (자사 0.62mm×0.62mm) 신규 개발 _High Rank

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.07.09~ 2016.03.03

연구결과 및 기대효과	TD1-10 적용품의 광 적중율 향상 및 VE. 경쟁사 24mil PTR 대체 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 10)AST-1818S (18mil_80V급 Photo TR) 광 응답특성 개선 개발 _5inch 신규

과제명	기존 AST-1818R (자사 0.46mm×0.46mm) Photo TR 광 응답 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.08.25~ 2016.03.20

연구결과 및 기대효과	5inch AST-1818R E사 고객 Photo Coupler 적용평가 결과로 부터, 광 응답 특성개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 11)AST-0535S (신규_80V급 장방향 Photo TR) 개발 _5inch 신규

과제명	AST-0535S (자사 0.43mm×0.66mm) 신규 장방향 Photo TR 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.08.25~ 2016.03.25

연구결과 및 기대효과	초기 5inch AST-0535 E사 고객 Photo Coupler 적용평가 결과로 부터, 광 응답 특성 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 12)IR-PASS FILTER Photo Diode 공정 개발 _6inch WF Level 광학필터 증착 및 구조 구현

과제명	λ=850nm Cut , IR-PASS Photo Diode 공정 개발 _6inch 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.10.12~ 2016.03.31

연구결과 및 기대효과	850nm Cut IR-PASS Photo Diode WF Level 구현 공정 개발 및 850nm Cut 구현 위해 광학 필터 [MLC FILTER] WF Level 증착 구현 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 13)SI431(Low Ikmin Shunt Regulator) 제품 개발

과제명	Low Ikmin Shunt Regulator 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.08.10 ~ 2016.04.19

연구결과 및 기대효과	기존 SN431 대비 Low Ikmin(50uA) 특성 확보 및 SET 대기 전력 소모 감소 효과

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 14)SRN127(600V/21mA/500Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/21mA/500Ω급 Logic Level용 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.12.21 ~ 2016.05.12

연구결과 및 기대효과	Vth=2.0V인 Logic Level용 R-Ver MOSFET 제품 개발 및 Line-up

사업화 여부(상품화)	개발 완료, 상품화 진행 중

( 15)SDB340(40V/3A SBD) 제품 개발

과제명	40V/3A급 Low VF Schottky Barrier Diode 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.02.04 ~ 2016.06.16

연구결과 및 기대효과	Display TV Panel에 사용되는 Low VF SBD 제품을 대체하기 위해 개발되었고, 시장 진입 및 매출 확대의 효과가 예상됨.

사업화 여부(상품화)	개발 완료, 상품화 진행 중

( 16)ASD-2138A (1.38mm, P-type Photo Diode) _6inch 신규 Chip Shrink 및 공정 단축 개발

과제명	ASD-2138A (자사 1.38mm×1.38mm) Photo Diode _6inch 신규 Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.12.21~ 2016.04.01

연구결과 및 기대효과	5inch P-type SD-208 (1.40mm) → 6inch Chip Shrink 및 공정 단축 개발을 통한 원가 경쟁력 확보 및 중국내 시장 확대 진입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 17)ASD-1300A (3.0mm, N-type Photo Diode) _6inch 신규 Conversion 및 공정 단축 개발

과제명	ASD-1300A (자사 3.0mm×3.0mm) Photo Diode _6inch 신규 Conversion 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.12.21~ 2016.04.01

연구결과 및 기대효과	5inch N-type DS3-30 (3.0mm) --> 6inch Convertion 및 공정 단축 개발을 통한 원가 경쟁력 확보 및 중국내 시장 확대 진입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 18)1200V/25A TRENCH IGBT SEED 제품 개발 … 6inch 신규 TIGBT

과제명	1200V/25A TIGBT SEED 제품 개발 _신규 공정 재현성 확보 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.09.25~ 2016.04.13

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 19)UV Enhanced Si Photo Diode 개발 2종 _6inch [ ASD-1101UV/1300UV ]

과제명	400~500nm UV 파장에서 감도가 상향된 UV-Enhanced Photo Diode 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.12.16~ 2016.05.31

연구결과 및 기대효과	UV 파장 (400nm)에사 약 15~18% 이상 감도 상향 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 20)ASZ-1170C-14V/16V … 6inch LED ESD Protection ZENER , P-up_단방향 Chip 개발 2종

과제명	170um P-up 단방향 14V/16V LED ZENER Line-up 개발 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.02~ 2016.06.20

연구결과 및 기대효과	170um P-up LED ZENER Line-up 개발을 통한 WF Level 판매 BIZ 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 21)AST-1418S (14mil_80V급 신규 Chip Shrink) Photo TR 개발 _5inch 신규 개발

과제명	AST-1418S (자사 0.356mm×0.356mm) 14mil Photo TR_Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.03.12~ 2015.06.04

연구결과 및 기대효과	고객사 양산 대응중인 5inch AST-1618 (16mil) Next version Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 22)Fusing ZENER Diode 개발 (SDFZ12VQ) ... ESP Diode _P-up

과제명	TV BLU SET 발화 방지용 Fusing ZENER Diode 설계 구조 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.01~ 2016.06.23

연구결과 및 기대효과	고객사 12V급 일반 ZENER Diode 적용중으로 신규 Fusing Zener Diode로 전환 및 24V/36V/48V Fusing Zener 신규 Line-up 개발로 시장 점유율 확대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 23)SN78xxB(Standard Series Regulator) 제품 개발

과제명	1.0A급 Standard Series Regulator 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.01.28 ~ 2016.07.29

연구결과 및 기대효과	기존 SN78xx 제품에 비해 약 30% Chip Shrink하여 가격 경쟁력 강화함.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 24)SDB10200C/R(200V/10A SBD) 제품 개발

과제명	200V/10A급 Schottky Barrier Diode 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.14 ~ 2016.08.23

연구결과 및 기대효과	ESD Level 기준(HBM 8KV, MM 2KV)을 만족하기 위해 자사 SBD 재품 개선, 시장 진입및 매출 확대의 효과가 예상됨.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 25)SDB20200C/R(200V/20A SBD) 제품 개발

과제명	200V/20A급 Schottky Barrier Diode 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.14 ~ 2016.08.23

연구결과 및 기대효과	ESD Level 기준(HBM 8KV, MM 2KV)을 만족하기 위해 자사 SBD 재품 개선, 시장 진입 및 매출 확대의 효과가 예상됨.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 26)SDB30J100PI(100V/30A SBD) 제품 개발

과제명	100V/30A급 Low VF Schottky Barrier Diode 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.23 ~ 2016.09.22

연구결과 및 기대효과	PD Board 진입 및 Low VF SBD 시장 진출을 위한 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 27)SDB40J100PI(100V/40A SBD) 제품 개발

과제명	100V/40A급 Low VF Schottky Barrier Diode 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.23 ~ 2016.09.22

연구결과 및 기대효과	PD Board 진입 및 Low VF SBD 시장 진출을 위한 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 28)ASZ-1170C-12V … 6inch LED ESD Protection ZENER , P-up_단방향 개발 1종

과제명	170um P-up 단방향 12V LED ZENER Line-up 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.05.10~ 2016.07.26

연구결과 및 기대효과	S반도체向 170um P-up LED ZENER Line-up 개발을 통한 WF Level 판매 BIZ 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 29)6BD-331PY _양방향 TVS Diode (SDTB6D8Q) … 6inch Conversion 공정 및 제품 개발

과제명	양방향 TVS Diode 6inch Conversion 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.20~ 2016.08.18

연구결과 및 기대효과	6inch Conversion 공정 및 제품 개발로 내부 공정 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 30)12V ZENER Diode (SDZ12VQL) 6inch Conversion Shrink 개발

과제명	12V ZENER Diode 6inch Conversion Shrink 개발 _6BD-12VPY

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.20~ 2016.08.29

연구결과 및 기대효과	12V ZENER Diode 5inch 양산품의 Chip 원가 경쟁율 향상을 위한 6inch Conversion 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 31)IR-UV Cut Filter 증착 Si Photo Diode 공정 개발 _6inch [ ASD-1300ALS ]

과제명	ALS- Photo Diode 개발을 위한 WF Level Filter 증착 구조 구현 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.12.16~ 2016.08.25

연구결과 및 기대효과	Ambient Light Sensor 개발을 목표로 IR-UV Cut Filter 증착 설계 재현성 및 opimize 설계를 통해 Peak 파장 570nm Si Photo Diode 감도 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 32)SDFZT12VQ (ESP Diode) _N-up TVS Fusing 공정 및 제품 개발

과제명	TV BLU용 N-up Fusing Diode 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.04.01~ 2016.09.06

연구결과 및 기대효과	Fusing Diode 개선 TEG 설계 적용으로 ESD/EOS 특성 문제 없는 구조 및 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 33)600V TRENCH GATE 공정 개발 … 6inch 600V-NPT TIGBT 공정

과제명	600V급 NPT-TIGBT 공정 개발 _신규 공정 재현성 확보 및 TEG 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.11.10~ 2016.09.20

연구결과 및 기대효과	자사 600V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 설계 대한 기반 공정 확보/1200V RING-TEG 설계 공유 BV 내압 마진 확인 및 Ring 설계 갯수 최적화

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 34)ASD-1140M 신규 ToF(Time of Flight)용 Photo Diode 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1140M (자사 신규 개발 _High Rank

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.08~ 2016.10.18

연구결과 및 기대효과	OPTO개발팀 연계 광 출력 향상 및 Electro Noise 개선 대체 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 35)SJNY062J(25V/60mA , JFET) _ 자사 신규 JFET 공정 및 제품 개발

과제명	N-Ch 25V/60mA JFET 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.28~ 2016.10.13

연구결과 및 기대효과	자동차 안테나(폭스바겐 등 기타 자동차 업체)사용되고 있는 PMBFJ620 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 36)SDFZT24VD/36VD (ESP Diode_24V/36V P-up Fusing ZENER) EOS 개선 공정 평가

과제명	TV BLU용 Fusing ZENER EOS 개선 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.06.17~ 2016.11.23

연구결과 및 기대효과	Fusing Metal 두께 optimize로 EOS 개선 확보 및 12V외 추가 24V/36V급에서 공정 평가Line-up 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 37)SDFZ12VQ (ESP Diode _12V급 P-up Fusing ZENER) 신규 제품 개발

과제명	TV BLU용 Fuing ZENER 신규 설계 적용 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.07.19~ 2016.12.09

연구결과 및 기대효과	Fusing Metal 구조 및 설계에 따른 ESD, EOS Level 평가 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 38)SJMN60R850(600V/5A/850mΩ MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/5A/850mΩ급 SJMOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.02 ~ 2016.12.06

연구결과 및 기대효과	기존 Outsourcing 제품에 비해 우수한 품질특성과 가격경쟁력 있는 SJ MOSFET 제품 개발 및 Line-up.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 39)SJMN60R570(600V/7A/570mΩ MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/7A/570mΩ급 SJMOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.02 ~ 2016.12.06

연구결과 및 기대효과	기존 Outsourcing 제품에 비해 우수한 품질특성과 가격경쟁력 있는 SJ MOSFET 제품 개발 및 Line-up.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 40)SJMN60R380(600V/11A/380mΩ MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/11A/380mΩ급 SJMOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.02 ~ 2016.12.06

연구결과 및 기대효과	기존 Outsourcing 제품에 비해 우수한 품질특성과 가격경쟁력 있는 SJ MOSFET 제품 개발 및 Line-up.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 41)SJMN60R150(600V/20A/150mΩ MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/20A/150mΩ급 SJMOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.02 ~ 2016.12.06

연구결과 및 기대효과	기존 Outsourcing 제품에 비해 우수한 품질특성과 가격경쟁력 있는 SJ MOSFET 제품 개발 및 Line-up.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 42)SUN16A50(500V/16A/0.38Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/16A/0.38Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.09 ~ 2017.02.14

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 43)SUN18A50(500V/18A/0.32Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/18A/0.32Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.09 ~ 2017.02.14

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 44)SUN24A50(500V/24A/0.20Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/24A/0.20Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.13 ~ 2017.03.28

연구결과 및 기대효과	U2-Ver MOSFET 제품의 출력 전류별 Line-up을 통해 신규 시장 진입 및 매출 확대. W'f Biz용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 45)12V ZENER Diode (6BD-S12VY) 6inch Chip Shrink 개발

과제명	SDZ12QSL (6BD-S12VY) 12V급 ZENER Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.14~2017.02.24

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU SET에 적용되고 있는 현 양산 12V급 ZENER Diode에 대해 chip shrink를 통해 원가절감으로 가격 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 46)ASD-1152AU (1.520mm, N-type Photo Diode) 개발 _5inch 공정 단축 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) Photo Diode _5inch 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.07~ 2017.02.28

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 VOC Chip 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 47)6PD-5050-TR-AU , 6PD-6520-AU …SP-TYPE Single Photo Diode 2종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion 개발

과제명	6PD-5050-TR-AU (5.0mm) , 6PD-6520-AU (6.5mm×20.0mm) Photo Diode

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.20~ 2017.03.20

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련하여 6inch PBF 전환 개발 : 일본 고객 산업용 센서 적용 PD로 안정적인 공급 및 내부 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 48)SDFZ24VD (ESP Diode _24V급 P-up Fusing ZENER) 신규 제품 개발

과제명	TV BLU용 24V급 Fusing ZENER 신규 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.06.17~ 2017.03.31

연구결과 및 기대효과	TV BLU SET의 가혹 시험에서 열적으로 안정적인 24V급 Fusing ZENER 추가 Line-up : 가혹 시험에서의 발열 및 발화에 대한 안정성 확보로 조명용 시장으로의 확대 가능

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 49)SDFZ36VD (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 신규 제품 개발

과제명	TV BLU용 36V급 Fusing ZENER 신규 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.06.17~ 2017.03.31

연구결과 및 기대효과	TV BLU SET의 가혹 시험에서 열적으로 안정적인 36V급 Fusing ZENER 추가 Line-up : 가혹 시험에서의 발열 및 발화에 대한 안정성 확보로 조명용 시장으로의 확대 가능

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 50)SDZ150VG (6BD-150V _150V급 POWER ZENER) 신규 공정 개발

과제명	150V급 POWER ZENER 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.15 ~ 2017.04.04

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 150V급 POWER ZENER 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 51) 6inch 6ASD-2068A (0.68mm, P-type Photo Diode) Chip Shrink 개발

과제명	6inch 6ASD-20068A Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.02.08~ 2017.04.20

연구결과 및 기대효과	양산 중인 6ASD-2071A Chip 의 가격 경쟁력 확보를 위한 Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 52) 6PD-3013-AU …SP-TYPE Single Photo Diode 1종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion 개발

과제명	6PD-3013-AU (3.0mm×13.0mm) Photo Diode

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.09.20~ 2017.04.27

연구결과 및 기대효과	일본 고객 산업용 센서 적용 PD 개발로 안정적인 공급 및 내부 매출 기여

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 53) ASD-1120AU (120mil Visible Enhanced N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1120AU (3.0mm×3.0mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.12~ 2017.04.28

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 54) SDT68G (6BD-68V _68V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	68V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.15 ~ 2017.05.16

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 68V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 55) 6inch 6ASD-2093A (0.935mm, P-type Photo Diode) Chip Shrink 개발

과제명	6inch 6ASD-2093A Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.02.06~ 2017.05.23

연구결과 및 기대효과	양산 중인 6ASD-2101A Chip 의 가격 경쟁력 확보를 위한 Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 56) 6PD-1010-AU, 6PD-2676-AU, 6PD-2760-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 3종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-1010-AU (10.1mm), 6PD-2676-AU (2.6mm×7.6mm), 6PD-2760-AU (2.7mm×6.0mm) Photo Diode … PBF 전환 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.26~ 2017.06.27

연구결과 및 기대효과	1동 3inch BCL3 공정 EOL 관련하여 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 57) ASD-1300ALS (3.0mm Ambient Light Sensor 용 N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1300ALS (3.0mm) ALS 용 Photo Diode _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.01.15~ 2017.06.30

연구결과 및 기대효과	내부 고객 OPTO개발팀 연계 Ambient Light Sensor 용 Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 58) SGTN25E120W (1200V/25A TRENCH IGBT) 제품 개발 … 6inch 신규 TIGBT 단품

과제명	SGN25E120W (1200V/25A) TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.05.12~2017.07.05

연구결과 및 기대효과	Trench gate 구조를 이용한 1200V/25A NPT-TRENCH IGBT 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 59) SGTN40E120W (1200V/40A TRENCH IGBT) 제품 개발 … 6inch 신규 TIGBT 단품

과제명	SGN40E120W (1200V/40A) TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.07.29~2017.07.05

연구결과 및 기대효과	Trench gate 구조를 이용한 1200V/40A NPT-TRENCH IGBT 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 60) SDFZ36VQ (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

과제명	SDFZ36VQ (ESP Diode _36V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.05.17~ 2017.07.20

연구결과 및 기대효과	36V급에 적합한 Fusing metal 조건 확보 (별도 ESD 및 EOS level 가 완료)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 61) SDFZ24VQ (ESP Diode _24V급 P-up Fusing ZENER) 제품 개발

과제명	TV BLU용 SOD-523 PKG 24V급 Fusing ZENER 제품 개발_추가 Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.05.17~ 2017.07.21

연구결과 및 기대효과	24V급에 적합한 Fusing metal 조건 확보 (별도 ESD 및 EOS level 가 완료)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 62) SDT150G (6BD-150V _150V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	91V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.29 ~ 2017.07.27

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 91V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 63) SDT91G (6BD-91V _91V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	91V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.14 ~ 2017.07.29

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 91V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 64) 6PD-XXXX-AU, 6PDA-PN-206-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 7종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-XXXX-AU, 6PDA-PN-206-AU …SP-TYPE Single/Array Photo Diode 7종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.26~ 2017.08.25

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 65) 6PD-5050H-TR-AU …HP-TYPE Single Photo Diode 1종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PD-5050H-TR-AU (□5.0mm) Photo Diode … PBF 전환 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.12.19~ 2017.08.25

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 관련 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 66) ASD-1052AU (□21mil Visible Enhanced N-type Photo Diode) 개발 _6inch 신규 Chip 개발

과제명	ASD-1052AU (0.525mm×0.525mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.01.11~ 2017.09.20

연구결과 및 기대효과	신규 Chip 개발 진행 _N-type, Chip Size 21mil, Visible 파장 영역에서 분광 감도 up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 67) AST-4622S (신규_350V급 장방향 Photo TR) 개발 _5inch 신규 Chip 개발

과제명	AST-4622S (350V급) 신규 Photo TR 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.01.24~ 2017.09.15

연구결과 및 기대효과	5inch AST-4622S Photo Coupler 광 응답 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 68) SRN04A60, SRN04A65 (600V/4A/2.5Ω, 650V/4A/3.0Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/4A/2.5Ω급, 650V/4A/3.0Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 69) SRN07A60, SRN07A65 (600V/7A/1.2Ω, 650V/7A/1.4Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/7A/1.2Ω급, 650V/7A/1.4Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 70) SRN10A60, SRN09A65 (600V/10A/0.75Ω, 650V/9A/0.85Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/10A/0.75Ω급, 650V/9A/0.85Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 71) SRN12A60, SRN12A65 (600V/12A/0.65Ω, 650V/12A/0.80Ω MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/12A/0.65Ω급, 650V/12A/0.80Ω급 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.21 ~ 2017.09.29

연구결과 및 기대효과	기존 R-Ver과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 신뢰성을 강화한 제품을 개발함. 신규 시장 진입 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 72)KBV-1001PT(조도 센서 IC) 제품 개발

과제명	KBV-1001PT(KBV-1001 수율 개선) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.11.28 ~ 2017.11.24

연구결과 및 기대효과	양산 KBV-1001 광특성 전압 불량에 따른 저수율 문제를 Photo Diode Trimming을 삽입하여 개선한 제품임.저수율에 문제로 공급량 부족에 따른 납기 지연 및 단가 상승 문제 해결함.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 73)SFN10A600 (600V/10A급 UFRD) 제품 개발

과제명	600V/10A UFRD 제품 개발, HBM 특성 개선품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.01 ~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 HBM 특성이 고객의 요구에 만족하는 2KV 이상의 제품을 개발함. 기존 시장 대체 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 74)SFN05A600 (600V/5A급 UFRD) 제품 개발

과제명	600V/5A UFRD 제품 개발, HBM 특성 개선품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.05 ~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 HBM 특성이 고객의 요구에 만족하는 2KV 이상의 제품을 개발함. 기존 시장 대체 및 매출 확대.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 75)SDT100G (6BD-100V _100V급 POWER ZENER) 신규 제품 개발

과제명	100V급 POWER ZENER 신제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.14 ~ 2017.11.10

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU ESD Protection을 위한 100V급 POWER ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 76)PD-1049Q (□1.23mm, Sun 센서용 N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	PD-1049Q (1.23mm×1.23mm) Sun 센서용 Photo Diode 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.03.30~ 2017.11.22

연구결과 및 기대효과	Sun sensor 용 Photo diode VOC Chip 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 77)SDT150D (6BD-S150PY _150V급 HV ZENER) SOD-323 신규 제품 개발

과제명	150V급 HV ZENER 신제품 개발 (SOD-323 PKG)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.07.05 ~ 2017.12.05

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU Chip VF값 변동 (기존 3V → 6V)로 적용 Protection Zener 접압 변경 검토 및 SOD-323 PKG 기준 신규 개발 _150V급 HV ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 78)6PDA-XXXXH-AU … HP-TYPE Array Photo Diode 3종 _3inch BCL3 → 6inch PBF Conversion

과제명	6PDA-655YSK-H-AU (6.0mm×5.5mm)_ 6-CH Array 6PDA-SPD-502H-AU (□5.0mm) _ 10-CH Array 6PDA-SPD-902H-AU (□5.0mm) _ 10-CH Array

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.18~ 2017.12.08

연구결과 및 기대효과	3inch BCL3 공정 EOL 자사 6inch PBF 전환 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 79)단색 _Single (RGB) PASS FILTER Photo Diode 공정 개발

과제명	단색_Single (R.G.B) Color PD 공정 및 제품 개발 _6inch 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.07.29~ 2017.12.15

연구결과 및 기대효과	R(620nm)/G(550nm)/B(470nm) Pass FILTER WF Level 구현 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 80)SDT75D (6BD-S75PY _75V급 HV ZENER) SOD-323 신규 제품 개발

과제명	75V급 HV ZENER 신제품 개발 (SOD-323 PKG)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.07.05 ~ 2017.12.18

연구결과 및 기대효과	SOD-323 PKG 기준 신규 개발 / 75V급 HV ZENER 신제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 81)SDB1040/2040/3040 (40V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	40V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 40% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 82)SDB1060/2060/3060 (60V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	60V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 40% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 83)SDB1080/2080/3080 (80V/10A,20A,30A급 SBD) 제품 개발

과제명	80V/10A,20A,30A급 SBD 제품 개발, Chip Shrink 제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	기존 제품과 동일한 전기적 특성을 갖으면서 25% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된 제품을 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 84)SDT150SG (6BD-150VP _150V급 Chip Shrink POWER ZENER) 제품 개발

과제명	150V급 POWER ZENER Chip Shrink 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.05 ~ 2018.02.05

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 150V급 POWER ZENER 원가 절감을 위한 Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 85)Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 공정 개발

과제명	Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2016.10.21~ 2018.01.09

연구결과 및 기대효과	신규 Custom 업체 통합형 Rain Sensor 용 ALS-Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 86)ASD-1300ALS (Ambient Light Sensor 용 N-type Photo Diode) 개발

과제명	ASD-1300ALS (□3.0mm) ALS 용 Photo Diode _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.13~ 2018.03.29

연구결과 및 기대효과	Ambient Light Sensor 용 Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 87)ASD-1101A (□1.016mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1101A (1.016mm×1.016mm) N-Type Photo Diode 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.03.30

연구결과 및 기대효과	중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 88)SN78XXC(1A Std. Regulator / SN78XXB Vdrop 개선품) 제품 개발

과제명	SN78XXC(1A Std. Regulator / SN78XXB Vdrop 개선품) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.09.26 ~ 2018.04.27

연구결과 및 기대효과	SN78XX 대비 약 32% Chip Shrink이면서 SN78XXB의 Worst 특성 Vdrop을 2.3V→2.0V로 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 89)SDB5A40/15A40(40V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A40/15A40(40V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 45% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 90)SDB5A60/15A60(60V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A60/15A60(60V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 15% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 91)SDB5A80/15A80(80V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

과제명	SDB5A80/15A80(80V/5A,15A급 SBD) 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.11.30 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	신규 Mask를 사용하고, VF 규격을 상향 조정, 25% Chip Shrink하여 가격경쟁력 강화된제품을 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 92)200V급 POWER ZENER Chip Shrink ESD 개선 개발

과제명	200V급 POWER ZENER Chip Shrink ESD 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.07 ~ 2018.04.23

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 200V급 POWER ZENER 3P 구조 적용으로 ESD 개선을 위한 공정 및 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 93)SDT220SG (6BD-220VP _220V급 Chip Shrink POWER ZENER) 신규 개발

과제명	SDT220SG (6BD-220VP _220V급 Chip Shrink POWER ZENER) 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.24 ~ 2018.06.05

연구결과 및 기대효과	TV BLU ESD Protection을 위한 220V POWER ZENER 추가 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 94)PD-1120Q (□3.0mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	PD-1120Q (□3.0mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.05~ 2018.06.18

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 VOC 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 95)SDT150D (6BD-S150PY _150V급 High Voltage ZENER) SOD-323 PKG 적용 개발

과제명	SDT150D (6BD-S150PY _150V급 High Voltage ZENER) SOD-323 PKG 적용 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.03 ~ 2018.06.20

연구결과 및 기대효과	LED TV BLU Chip VF값 변동 (기존 3V → 6V)로 적용 Protection Zener 전압 변경으로 SOD-323 PKG 적용 제품 추가 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 96)ASD-1123DQ (□1.23mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1123DQ (□1.23mm, Sun sensor 용 N-Type PD) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.04.27~ 2018.06.29

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 Custom 업체 통합형 Rain-sensor module 적용의 Sun sensor 용 N-Type PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 97)ASD-1071A (□0.71mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1071A (□0.71mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.06.30

연구결과 및 기대효과	양산중인 6inch P-Type Pair PD ASD-2071A(□0.71㎜)에 대해 향후 중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 98)ASD-1089A (□0.89mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

과제명	ASD-1089A (□0.89mm, N-type Photo Diode) 개발 _신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.12.06~ 2018.06.30

연구결과 및 기대효과	양산중인 6inch P-Type Pair PD ASD-2089A(□0.89㎜)에 대해 향후 중국 내 신규 고객 공략을 위해 Pair Type 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 99)전장용 Sun sensor N-Type PD, 고온 Leak 특성 개선 개발

과제명	전장용 Sun sensor N-Type PD, 고온 Leak 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.03.26~ 2018.07.31

연구결과 및 기대효과	N-type, Sun sensor 용 고온 Leak 특성 개선 PD 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 100)75V급 15-CH Array HV ZENER VOC 신규 개발

과제명	75V급 15-CH Array HV ZENER VOC 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.04 ~ 2018.09.10

연구결과 및 기대효과	LG Display 向 Mini LED 적용 HDR급 신규 BLU 적용을 위한 75V 15-CH Array ZENER 고객사 요청으로 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 101)ASD-1022AU(0.280mm×0.178mm)Visible Enhanced Photo Diode Chip개발

과제명	ASD-1022AU (0.280mm×0.178mm) Visible Enhanced Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03.07~ 2018.09.20

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 102)600V/30A UFRD trr 개선 개발

과제명	600V/30A UFRD trr 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06.18 ~ 2018.09.20

연구결과 및 기대효과	Huntkey 社 전기차 충전기 모델 진입을 위해 경쟁사 수준의 trr 특성 개선 요청으로 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 103)Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 신규 Chip 개발

과제명	Rain sensor 용 Filter-less ALS PD 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2017.06.02~ 2018.09.30

연구결과 및 기대효과	전장용 Sensor 업체 관련 OPTO개발팀 연계 신규 Custom 업체 통합형 Rain Sensor 용 Filter-less ALS-Photo Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 104)6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) N-Type Photo Diode _6inch 전환 Chip 개발

과제명	6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm) N-Type Photo Diode _6inch 전환 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03.05~ 2018.09.30

연구결과 및 기대효과	E/L사향 자사 5inch ASD-1152AU 6inch Conversion 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 105)800V/10A UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

과제명	800V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06.18 ~ 2018.11.16

연구결과 및 기대효과	기존 양산 Ring 구조의 EAS 특성 열세에 따른 신규 JTE 구조로의 전환 및 신규 공정 Set-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 106)SL5019(FM IF IC) ESD 특성 개선 개발

과제명	SL5019(FM IF IC) ESD 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05.01~ 2018.11.30

연구결과 및 기대효과	기존 HBM 2kV 미만의 PIN 모두 6KV 수준으로 ESD 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 107)250V급 신규 POWER MOSFET 공정 개발

과제명	250V급 신규 POWER MOSFET 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30 ~ 2018.12.11

연구결과 및 기대효과	250V/4.4A 신규 제품 개발 진행 및 기존 250V POWER MOSFET제품 CHIP SHRINK 제품 개발 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 108)TOF Sensor 용 N-Type PD, Peak Sensitivity shift 개발

과제명	TOF Sensor 용 N-Type PD, Peak Sensitivity shift 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.01.17~ 2018.12.17

연구결과 및 기대효과	내부 특성 평가 완료 및 고객사 TS 대응

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 109)1000V급 High Voltage FRD 신규 공정 개발

과제명	1000V급 High Voltage FRD 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.09.26 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	VF 특성 우세하며, 150℃ 고온 특성에서 자사품 우세로 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 110)SFN10A800S (800V/10A) UFRD 신규 제품 개발

과제명	SFN10A800S (800V/10A) UFRD 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.09.26 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	Chip size 작아 가격 경쟁력 있으며, DC 및 AC 특성 신규 개발품이 경쟁사 대비 우세

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 111)82/91/100/120V급 HV ZENER 4종 제품 개발_Line-up

과제명	82/91/100/120V급 HV ZENER 4종 제품 개발_Line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10.30 ~ 2018.12.27

연구결과 및 기대효과	기 75V급 HV ZENER 공정 공유 적용하며 EPI optimize하여 각 Vz target 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 112)600V/7A, 650V/7A POWER MOSFET 신뢰성 개선 개발

과제명	600V/7A, 650V/7A POWER MOSFET 신뢰성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30~ 2018.12.31

연구결과 및 기대효과	FET 원가 개선을 위한 CHIP SHRINK및 신뢰성 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 113)SUN06A40D/F (400V/6A POWER MOSFET) 개발 신규 제품 개발

과제명	SUN06A40D/F (400V/6A POWER MOSFET) 개발 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.07.30 ~ 2018.12.31

연구결과 및 기대효과	FET확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

8. 기타 투자의사 결정에 필요한 사항 가. 보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권 등의 현황입니다.

No	종류	명칭	등록일

1	특허	질화물 반도체 백색 발광소자	2002-05-23

2	특허	핸들러의 디바이스 감지 제어 장치	2003-06-27

3	특허	핸들러의 반도체소자 분리 감지장치	2003-08-19

4	특허	포토 인터럽터	2003-08-20

5	특허	칼라센서	2003-11-17

6	특허	인덱스워크홀더	2003-12-16

7	특허	리모콘 수신모듈 및 그 제조방법	2004-05-22

8	특허	포토 인터럽트의 제작공법	2005-02-22

9	특허	리모콘 수신모듈의 차폐구조	2005-12-19

10	특허	지향각 특성을 향상시킨 리모콘 수신모듈	2005-12-19

11	특허	칩온 보드 패키지의 몰딩장치	2006-01-19

12	특허	고방열 구조를 갖는 반도체 패키지	2006-02-13

13	특허	리모콘 수신모듈의 렌즈	2006-02-27

14	특허	자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의구조 및 제조방법	2006-08-21

15	특허	형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법	2006-08-29

16	디자인	광수신 모듈용 차폐케이스	2006-08-29

17	디자인	광수신 모듈	2006-08-29

18	디자인	광수신 모듈	2006-08-29

19	디자인	광수신 모듈용 차폐케이스	2006-08-29

20	특허	발광 다이오드 어레이 모듈의 구동장치 및 구동방법	2007-01-29

21	특허	지향성 발광다이오드의 구조	2007-04-02

22	특허	수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드	2007-04-13

23	특허	포터인터럽터의 광소자 삽입방법 및 장치	2007-05-07

24	특허	반도체패키지용 레이져마킹장치	2007-05-17

25	특허	광소자	2007-06-22

26	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2007-08-31

27	특허	이젝트핀 분리형 성형 프레스	2007-08-31

28	특허	레일을 이용한 성형틀 교환방식의 성형 프레스	2007-08-31

29	특허	포토 트라이악의 구조	2007-09-28

30	특허	포토 인터럽터	2007-10-30

31	특허	금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법	2007-10-30

32	특허	경사 감지 방법 및 이를 이용한 경사 감지장치	2007-11-27

33	특허	적층형 수동소자를 이용한 광소자 패키지	2007-11-27

34	특허	광소자 패키지	2007-12-28

35	특허	씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법	2008-01-29

36	특허	적외광 수신모듈	2008-01-29

37	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법	2008-01-29

38	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	2008-01-29

39	특허	반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법	2008-04-02

40	특허	자외선 엘이디	2008-04-02

41	특허	평행광을 향상시킨 엘이디	2008-06-05

42	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	2008-07-11

43	특허	광원 위치인식센서용 모듈, 이를 이용한 자기위치 인식장치 및 자기위치 인식방법	2008-09-26

44	특허	적외선 수신기	2008-10-28

45	특허	아날로그-디지털 신호 변환장치 및 변환방법	2008-10-28

46	특허	센서 검사용 스트립 및 이를 이용한 센서 검사 장치	2009-01-20

47	실용신안	일체형 발광 다이오드 모듈	2009-05-19

48	특허	위조지폐 감별유니트	2010-02-24

49	실용신안	광소자 패키지 및 그 실장구조	2010-06-23

50	특허	고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법	2010-08-16

51	특허	광학식 액체 레벨 센서	2010-08-17

52	특허	주·야간 촬영이 가능한 카메라 모듈	2010-08-17

53	특허	포토 인터럽터 및 그 제조방법	2010-11-16

54	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2010-11-16

55	실용신안	리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지	2010-11-16

56	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 제조방법	2011-02-07

57	특허	오염 방지막이 형성된 엘이디 칩 및 그 제조 방법	2011-03-11

58	특허	광커넥터	2011-04-27

59	특허	수광소자 패키지	2011-04-29

60	특허	카메라 오토 포커스용 엘이디 모듈 및 그 제조 방법	2011-04-29

61	실용신안	이너 실드를 포함하는 리모콘 수신 모듈	2011-07-04

62	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조	2011-08-19

63	디자인	발광다이오드 기판	2011-10-06

64	특허	연성 광보드 상의 광소자 집적 구조 및 이의 제조 방법	2011-11-07

65	특허	리모콘 수신 모듈	2011-11-07

66	특허	정전기 보호용 반도체 소자 및 그 제조방법	2011-11-07

67	실용신안	내부 실드가 형성된 에스엠디 형 리모콘 수신모듈	2011-11-07

68	특허	웨이퍼 가공 기법을 이용한 엘이디모듈 제조 방법	2011-12-05

69	특허	발광부 및 수광부를 구비한 센서 모듈 제조 방법	2011-12-05

70	실용신안	광도파관 및 광소자의 집적 구조	2011-12-05

71	특허	주변광을 이용한 엘이디 식물 생장 시스템	2011-12-28

72	실용신안	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2011-12-28

73	특허	광소자 패키지 및 그 제조방법	2011-12-30

74	특허	발광다이오드 패키지	2012-01-30

75	특허	발광칩 및 그 제조방법, 발광칩을 구비하는 광소자 패키지 및 그 제조방법	2012-01-30

76	특허	이중몰드를 이용한 수광모듈제조방법	2012-03-30

77	특허	조도,근접센서 패키지 및 그 제조방법	2012-08-20

78	디자인	엘이디(LED) 투광기	2013-05-03

79	특허	밝기가 변하는 광원의 광량 증감을 감지하는 광량 비교 센서	2013-08-05

80	특허	n 형 AlAs 하부 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2013-11-29

81	특허	파워모듈용 알루미늄 베이스 플레이트	2014-02-19

82	특허	분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법	2014-05-02

83	특허	요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제 조 방법	2014-05-02

84	디자인	엘이디(LED) 조명등	2014-05-21

85	특허	비도핑 알루미늄인듐인 정공 방지층을 가지는 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드	2014-05-29

86	특허	n 형 GaN 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2014-06-19

87	특허	텍스처된 n형 AlAs 전류 확산층을 가진 웨이퍼 본딩형 AlGaInP 발광다이오드 및 제조 방법	2014-07-22

88	특허	광결정 발광 소자	2014-12-22

89	특허	투명기판위에 직접 성장된 고효율 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2015-04-14

90	실용신안	확장이 용이한 멀티구조의 엘이디 조명장치	2016-01-25

91	특허	다이아몬드 상 카본 보호필림을 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법	2016-04-01

92	특허	개선된 광효율을 가지는 투명 기판형 발광 다이오드 및 그 제조 방법	2016-07-08

93	특허	다채널 광센서	2016-08-19

94	특허	발화 방지용 제너다이오드 및 그 제조 방법	2016-12-15

95	특허	PCB를 이용한 다채널 광센서 및 그 제조방법	2017-01-23

96	특허	발광 효율이 개선된 발광 다이오드 칩 어레이	2017-11-22

97	특허	온저항 특성이 우수한 p필러형 슈퍼정션 파워 모스펫 및 그 제조 방법	2017-11-23

98	특허	변형 보정 층을 가지는 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법	2018-11-01

99	특허	비구면 렌즈를 포함하는 레인센서	2018-11-01

나.수주상황(단위 : 원)

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

-	-	-	-	-	-	-	-	-

합 계	-	-	-	-	-	-

※해당사항 없음.