광전자 사업보고서 (2015.12)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요 가. 업계의 현황 (1) 반도체 산업의 특성

반도체 산업은 일반적으로 정보를 저장할 수 있는 메모리 반도체와 정보저장 없이 연산이나 제어 기능을 하는 시스템반도체(비 메모리반도체)로 구분되며, 현재 통신기기, 정보기기, 자동차, 군사, 항공 등 산업 전반에 널리 사용되고 있습니다. 최근 스마트폰, 태블릿 PC, 스마트가전 등 컴퓨팅 및 정보저장에 대한 새로운 수요가빠르게 확산됨에 따라 반도체 시장은 더욱 빠른 속도로 성장하고 있습니다.

이러한 반도체 산업은 이동전화단말기, 디지털TV등과 함께 우리나라 IT 산업이 강점을 가진 대표적인 품목입니다. 우리나라의 국내 반도체 시장구조가 기존의 강점을 가지고 있던 메모리 분야 뿐만 아니라, 비 메모리 산업에도 경쟁력을 나타내며 메모리와 비 메모리의 양강 체제를 구축하기 위한 노력에 박차를 가하고 있습니다

(2) 글로벌 반도체 시장의 현황과 전망

세계 반도체 시장은 스마트폰을 비롯하여 태블릿PC, SSD, 자동차 등이 반도체 수요를 견인 해 나가고 있습니다. 또한 로봇, 스마트 그리드, 의료기기, 사물인터넷(IoT)등 새로운 반도체 수요가 등장하고 있습니다.시장조사기관 가트너(Gartner)는 2015년 전 세계 반도체 시장이 전년대비 4.0% 증가한 3,540억 달러에 이를 것으로 전망했습니다.

지난 20년간 PC(데스크탑, 노트북)는 반도체 성장을 견인했지만 점차 PC 시장이 축소되고 스마트폰 반도체 시장이 성장을 주도하고 있습니다. 신규 스마트폰 시장에서 지속적으로 高사양 반도체가 탑재되어 저전력, 고성능화가 진행되고 있기 때문에 스마트폰 시장의 반도체 성장 견인력은 당분간 이어질 것으로 예상됩니다.나. 회사의 현황

(1) 영업개황

광전자는 전자부품 제조 업체로써 파워반도체, 광센서, LED 등 폭넓은 전자부품 시장을 주도하며 한국, 중국, 일본의 탄탄한 네트워크 기반의 글로벌 기업 입니다. 광전자의 소비시장은 파워 디스크리트, 광 센서, LED시장이며, 이 시장의 특징은 세트의 경박단소화, 모바일화, 디지털화 등으로 요약해 볼 수 있습니다. 또한, 광전자의 소비 시장의 특징은 고성능, 저전력 및 경박단소를 기반으로 한 모바일 기기, 자동차, 디지털가전 등의 개별 소자로 사용 되고 있습니다. 이러한 트렌드에 맞는 반도체의 개발 및 제조 능력이 효율적인 경영 활동을 실행 하고 있습니다.

광전자는 효율적인 경영활동과 지속적인 VE 활동을 통하여 원가경쟁력과 시장경쟁력을 확보하여 품질경영 시스템을 구축하고 있습니다. 또한, 파워반도체는 소품종 대량생산을 근간으로 시장을 형성하고 광센서는 고객이 원하는 제품을 개발, 제조하여 다품종 소량 생산하는 방식으로 시장에 접근해 나가고 있습니다. 미래산업에 적용 가능하고 성장 가능한 신 성장 동력 제품을 개발하기 위해 한국, 중국, 일본이 함께 협력 체제를 구축하여 개발/제조/영업의 협력을 통하여 점진적으로 시장을 넓혀가고 있습니다.

(2) 시장 점유율 및 산업 전망

가트너(Gartner, Inc.)에서 발표한 자료에 따르면 당사의 주력 산업분야인 반도체 시장 규모는 2015년을 기준으로 2016년에는 0.9%의 성장률을 예상하고 있습니다. 2016년에는 성장률이 미비하지만 새로운 성장 분야가 주목 받으면서 2016년이후의 성장률을 기대 합니다.

반도체 시장은 여전히 PC 및 스마트폰이 최대 어플리케이션이지만 이 시장들이 포화되고 성장세가 둔화되기 시작함에 따라 새로운 성장동력인 IoT시장이 이루어갈 혁신적인 제품, 서비스, 그리고 시스템의 변화를 주목하고 있습니다.

특히, 사물인터넷(IoT) 기술은 기존의 제품이 스마트화되고, 기존에 없던 새로운 제품이 등장 할 수 있는 기반을 마련하고 있고, 자동차, 헬스케어, 교육, 웨어러블 기기 분야를 중심으로 빠르게 시장이 확대되고 있습니다.

많은 시장 조사기관 및 전문가들은 IoT 반도체의 최대 수요처가 스마트카가 될 것으로 예상하고 있는데 대표적인 기능으로 센서부착을 통해 사전 유지보수를 지원하는 '예측정비’와 휴대폰의 기능을 네비게이션으로 연동하여 정보와 엔터테인먼트를 편리하게 이용하는 '인포테이먼트', GPS와 카메라를 연동하여 사고를 미연에 방지하는 '방어운전', 등이 대표적인 기능으로 예상됩니다.

언론에서 주목하는 전자기기, 스마트홈, 스마트자동차 분야 등 리테일 기반의 사물인터넷 시장 뿐만 아니라 제품제조, 병원, 공장, 항만 운영, 물류, 건강관리 등 B2B 시장에 적용되어 혁신을 가져올 사물 인터넷 시장 역시 주목 받고 있습니다.

당사의 주력사업분야인 파워 디스크리트, 광 센서, LED는 고유기능 및 발전을 통해 사물인터넷 반도체 센서의 공급처로 세계무대에서 활약 할 수 있을 것으로 기대 합니다.

(3) 조직도2. 주요 제품 등가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	2015년

매출액	비율

전자제품제조	제품상품	TRANSISTOR	전자기기 부품	AUK 등	67,672	32.81%

PHOTO SENSOR	전자기기 부품	AUK 등	97,778	47.41%

LED/LDM등	전자기기 부품	AUK 등	35,240	17.09%

기타	전자기기 부품	AUK 등	5,538	2.69%

합 계	-	206,229	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	제 32 기	제 31 기	제 30 기

TRANSISTOR	21	22	20

PHOTO SENSOR	170	138	163

LED/LDM등	8	32	15

(1) 산출기준

- 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매출액 / 총판매수량) - 외화매출은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매출액 대비 판매수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매출수량의 변화에 의해 영향을 받음.

3. 주요 원재료의 현황

가. 주요 원재료의 매입현황 및 매입처에 관한 사항

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	2015년	주요매입처

매입액	비율

전자부품제조	원재료	CHIP	제품제조	6,088	11.66%	(주)AUE, 서울바이오시스(주) 등

전자부품제조	원재료	LEAD FRAME	제품제조	8,012	15.34%	(주)신원기술, (주)피에스엠씨 등

전자부품제조	원재료	기타	제품제조	38,119	73.00%	AUK(DALIAN).,LTD, (주)AUE 등

합 계	52,219	100%

나. 주요 원재료의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	단위	제 32 기	제 31 기	제 30 기

CHIP	PCS	21.26	20.21	26.48

(1) 산출기준 - 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매입액 / 총매입량) - 외화매입은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매입액 대비 매입수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매입수량의 변화에 의해 영향을 받음. 다. 공급시장의 독과점 정도 및 안정성 당사의 주요 원재료인 WAFER는 모두 국내 및 해외 업체를 통해 생산되고 있으며, 경쟁이 치열한 시장으로 공급시장 자체에 경쟁이 존재하여, 한 업체에 의해서 독과점이 이루어지고 있지 않습니다. 따라서 당사는 원재료 매입과 관련하여 안정성을 유지하고 있다고 판단됩니다. 4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 가동률 당사는 국내 및 해외(중국) 생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 2015년 품목별작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있습니다. 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22시간을 1일 작업시간으로 적용 하였습니다. 이러한 기준으로 집계한 결과 당사의 2015년 평균가동율은 60% 로 집계되었습 니다.

나. 생산설비의 현황 등 당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사와 국내 공장(전북 익산), 해외공장(중국대련)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산)등의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다.

(1) 생산설비의 현황(당기말) (단위 : 천원)

구 분	토지	건물	구축물	기계장치	공구와기구	기타유형자산	건설중인자산	합 계

취득원가	26,736,641	59,615,892	5,407,434	137,342,337	13,208,550	3,173,571	1,837,103	247,321,528

감가상각누계액	-	(26,744,972)	(1,383,182)	(119,162,672)	(10,737,074)	(2,618,747)	-	(160,646,647)

정부보조금	-	(649,293)	-	-	-	-	-	(649,293)

장부금액	26,736,641	32,221,627	4,024,252	18,179,665	2,471,476	554,824	1,837,103	86,025,588

( 2) 향후 투자계획(단위 : 백만원)

사업부문	계획명칭	투자총액	연도별 예상투자액	투자효과

자산형태	금 액	제 33 기(2016년)	제 34 기(2017년)	제 35 기(2018년)

광전자	증설 및 합리화	기계장치 외	12,311	4,368	3,890	4,053	생산능력증가

※향후 투자에 대한 예상계획이며,사업환경 변화에 따라 투자계획은 변동 될 수 있습니다.

5. 매출에 관한 사항 당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIRECT 수출 및 해외 현지 법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중은 내수판매가 22% , 수출판매가 78% 입니다. 당사의 판매조직은 별도의 영업본부가 있으며 신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, Technical Service의 강화, 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있습니다. 당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를 정확하게 예측하기 어렵기 때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월단위 확정하고 있습니다.) [ 당사의 32기 품목별 수출 및 내수 판매 현황 입니다.]

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제 32 기	제 31 기	제 30 기

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	수 출	57,138	92,807	115,175

내 수	10,534	8,922	19,548

합 계	67,672	101,729	134,723

LED/LDM등	수 출	16,915	2,627	12,578

내 수	18,325	19,256	27,632

합 계	35,240	21,883	40,210

PHOTOSENSOR	수 출	82,242	76,731	101,121

내 수	15,537	21,196	22,069

합 계	97,778	97,927	123,190

기타	수 출	3,808	2,442	131

내 수	1,730	11,641	9,408

합 계	5,538	14,083	9,538

합 계	수 출	160,103	174,607	229,005

내 수	46,126	61,015	78,656

합 계	206,229	235,623	307,662

6. 시장위험과 위험관리가. 자본위험관리

연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조의 유지 또는 조정을 위하여 연결실체는 배당을 조정하거나, 주주에 자본금을 반환 하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시할 수 있습니다.

연결실체는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 연결재무제표의 금액을 기준으로 계산합니다. 당기말 및 전기말 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구분	당기말	전기말

부채	37,059,262	56,581,363

자본	203,212,882	221,666,179

부채비율	18.24%	25.53%

나. 금융위험관리 연결실체는 금융상품과 관련하여 시장위험(외환위험, 이자율위험, 가격위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체의 위험관리는 연결실체의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 연결실체가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다.

(1) 외환위험 연결실체는 외화로 표시된 거래를 하고 있기 때문에 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채의 장부금액은다음과 같습니다.

(당기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	75,530	88,520,852	6,732	7,889,325

JPY	61,806	600,762	4,027	39,145

EUR	3	3,991	20	25,431

합계	89,125,605	7,953,901

(전기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	66,333	72,912,898	8,063	8,863,054

JPY	206,810	1,902,944	21,907	201,579

합계	74,815,842	9,064,633

연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당기말 및 전기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	6,289,259	(6,289,259)

JPY	43,806	(43,806)

EUR	(1,672)	1,672

합 계	6,331,393	(6,331,393)

(전기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	4,995,888	(4,995,888)

JPY	132,706	(132,706)

합 계	5,128,594	(5,128,594)

(2) 이자율위험 연결실체는 전기말 현재 이자율위험에 노출되어 있지 않으며, 당기말 현재 이자율위험에 노출된 차입금의 장부금액은 다음과 같습니다.

(당기말) (단위: 천원)

구 분	장부금액

차입금	234,400

(3) 가격위험 연결실체는 당기말 및 전기말 현재 가격변동위험에 노출되어 있는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 아니합니다.

(4) 신용위험

신용위험은 계약상대방이 계약상의 의무를 불이행하여 연결실체에 재무적 손실을 미칠 위험을 의미합니다.

연결실체의 신용위험은 보유하고 있는 대여금 및 수취채권을 포함한 거래처에 대한 신용위험 뿐 아니라, 매도가능금융자산(채권), 만기보유금융자산, 금융기관예치금 및지급보증한도액으로부터 발생하고 있습니다. 금융기관의 경우, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 일반거래처의 경우 고객의 재무상태, 과거 경험 등 기타 요소들을 고려하여 신용을 평가하게 됩니다. 대여금 및 수취채권, 매도가능금융자산(채권) 및 만기보유금융자산의 신용위험 최대노출액은 장부금액과 유사합니다.

(5) 유동성위험

연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.

당기말 및 전기말 현재 비파생금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과 같습니다.

(당기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	21,179,261	183,723	21,362,984

변동이자율차입금	237,941	-	237,941

합 계	21,417,202	183,723	21,600,925

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	40,530,882	198,711	40,729,593

고정이자율상품	37,915	-	37,915

합 계	40,568,797	198,711	40,767,508

상기 만기분석은 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 연결실체가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되었으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

다. 공정가치의 추정

활성시장에서 거래되는 금융상품(단기매매금융자산과 매도가능금융자산 등)의 공정가치는 보고기간 종료일 현재 고시되는 시장가격에 기초하여 산정됩니다. 연결실체가 보유하고 있는 금융자산의 공시되는 시장가격은 종가입니다.

활성시장에서 거래되지 아니하는 금융상품(예: 장외파생상품)의 공정가치는 평가기법을 사용하여 결정하고 있습니다. 연결실체는 다양한 평가기법을 활용하고 있으며 보고기간 종료일 현재 시장상황에 근거하여 가정을 수립하고 있습니다. 장기부채 등 이용가능한 금융부채에는 고시시장가격 또는 유사상품에 대한 딜러호가를 사용하고 있으며, 그 밖의 금융상품에는 추정현금흐름할인법과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공정가치를 산정하고 있습니다.

한 편 , 연결실체는 합리적으로 가능한 대체적인 가정을 반영하기 위한 관측가능하지 않은 투입변수의 변동이 공정가치 측정치에 유의적인 변동을 가져오지 않을 것으로 판단하고 있습니다.

(1) 매출채권 및 기타채권의 경우, 손상차손을 차감한 장부금액을 공정가치 근사치로 보며, 공시목적으로 금융부채 공정가치는 계약상의 미래현금흐름을 유사한 금융상품에 대해 연결실체가 적용하는 현행시장이자율로 할인한 금액으로 추정하고 있습니다. 다만, 상각후원가로 측정되는 금융상품은 장부금액과 공정가치가 거의 유사할 것으로 판단하여 장부금액을 공정가치로 평가하였습니다.

(2) 공정가치로 후속측정하는 것이 원칙이나 공정가치를 신뢰성 있게 평가할 수 없어원가로 측정한 금융자산의 내역 및 관련 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범 주	내 역	당기말	전기말

매도가능금융자산	비상장주식(*)	7,852,376	7,852,376

(*) 당해 비상장주식은 공정가치 측정에 필요한 신뢰성 있는 재무정보를 입수하기 어렵거나 입수하였더라도 공정가치측정치의 범위가 유의적이고 다양한 추정치의 발생확률을신뢰성 있게 평가할 수 없기 때문에 원가로 측정하였습니다.

(3) 연결실체는 재무상태표에 공정가치로 측정되는 금융상품에 대하여 공정가치 측정에 사용된 투입변수에 따라 다음과 같은 공정가치 서열체계로 분류하였습니다.

구 분	투입변수의 유의성

수준 1	측정일에 동일한 자산이나 부채에 대한 접근 가능한 활성시장의 (조정되지 않은) 공시가격

수준 2	수준 1의 공시가격 이외에 자산이나 부채에 대해 직접적으로 또는 간접적으로관측가능한 투입변수

수준 3	자산이나 부채에 대한 관측가능하지 않은 투입변수

(4) 당기말과 전기말 현재 재무상태표에서 공정가치로 후속측정되지 않는 금융상품의공정가치를 공정가치 서열체계 수준별로 분류한 내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	2015. 12	2014. 12

장부금액	공정가치	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	합 계	수준1	수준2	수준3	합 계

대여금 및 수취채권

금융기관예치금	69,437,558	-	-	69,437,558	69,437,558	73,564,530	-	-	73,564,530	73,564,530

매출채권 (*)	26,038,308	-	-	26,038,308	26,038,308	47,236,912	-	-	47,236,912	47,236,912

미수금 (*)	370,043	-	-	370,043	370,043	2,760,186	-	-	2,760,186	2,760,186

미수수익 (*)	496,195	-	-	496,195	496,195	956,439	-	-	956,439	956,439

보증금 (*)	2,304,640	-	-	2,304,640	2,304,640	2,359,771	-	-	2,359,771	2,359,771

합 계	98,646,744	-	-	98,646,744	98,646,744	126,877,838	-	-	126,877,838	126,877,838

상각후원가로 측정하는 금융부채

매입채무 (*)	14,016,305	-	-	14,016,305	14,016,305	33,978,428	-	-	33,978,428	33,978,428

미지급금 (*)	5,007,899	-	-	5,007,899	5,007,899	5,006,009	-	-	5,006,009	5,006,009

미지급비용 (*)	2,109,372	-	-	2,109,372	2,109,372	1,546,444	-	-	1,546,444	1,546,444

예수보증금 (*)	229,408	-	-	229,408	229,408	198,711	-	-	198,711	198,711

차입금 (*)	234,400	-	-	234,400	234,400	37,915	-	-	37,915	37,915

합 계	21,597,384	-	-	21,597,384	21,597,384	40,767,507	-	-	40,767,507	40,767,507

(*) 수준 3으로 표시된 단기수취채권과 단기지급채무는 할인효과가 중요하지 않아 원본금액으로 측정하였습니다.

( 5 ) 연결실체는 수준 간의 이동을 가져오는 사건이나 상황의 변동이 발생하는 시점에 수준간의 이동을 인식하고 있습니다.

(6) 연결실체가 보유하고 있는 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 당기 중 발생한 사업환경이나 경제적 환경의 유의적인 변화는 없습니다. 7. 경영상의 주요계약 등 "해당사항 없음" 8. 연구개발활동 당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.

[당사의 2015년 연구개발관련 비용 입니다.]

(단위 : 백만원)

과 목	제 32 기	제 31 기	제 30 기	비 고

원 재 료 비	1,184	191	1,159	-

인 건 비	3,398	558	1,615	-

감 가 상 각 비	297	70	67	-

위 탁 용 역 비	9	284	6	-

기 타	709	25	161	-

연구개발비용계	5,597	1,128	3,007	-

회계처리	판매비와관리비 및 제조경비	5,597	1,057	2,940	-

개발비 등	-	71	67	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	2.71%	0.48%	0.98%	-

※ 매출액 기준은 연결기준입니다 . ※연구개발 실적공시대상기간(최근 3개년도)에 대한 연구개발실적 입니다.

(1) SUN0550 (500V/4.5A MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/4.5A MOSFET 제품 개발, Cost down 30% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.01 ~ 2013.04

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용을 통한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(2) SUN0460 (600V/4A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/4A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05 ~ 2013.07

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(3) SUN0760 (600V/7A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/7A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(4) SUN0465 (650V/4A MOSFET) 제품 개발

과제명	650V/4A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(5) SUN0765 (650V/7A MOSFET) 제품 개발

과제명	650V/7A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용을 통한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(6) SFN10A300H (300V/10A UFRD) 제품 개발

과제명	300V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.02 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(7) SFN10A350H (350V/10A UFRD) 제품 개발

과제명	350V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.02 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(8) SFN10A400H (400V/10A UFRD) 제품 개발

과제명	400V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.02 ~ 2013.10

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(9) SUN0260 (600V/2A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/2A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.09 ~ 2013.12

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(10) SUN1060 (600V/10A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/10A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.09 ~ 2013.12

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(11) AST-0620 (80V급 신규 Photo TR) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명	AST-0620 (자사 0.62mm×0.62mm) 80V급 Photo TR 5inch 신규 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05.04 ~ 2013.10.25

연구결과 및 기대효과	신규 80V급 Photo TR 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up 고객의 신규 4PIN Mini-Photo Coupler에 적합한 Photo?TR 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(12) AST-1618R (80V급 신규 16mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명	AST-0620 (자사 0.62mm×0.62mm) 80V급 Photo TR 5inch 신규 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.04.23 ~ 2013.11.25

연구결과 및 기대효과	신규 80V급 Photo TR 개선 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-upAST-1618 Promotion 평가 결과 기 사용중인 제품과 동등한 광 VCE(sat) 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(13) SDP2310D PIN Diode 공정 및 신규 개선개발

과제명	SDP2310D 신규 개선 개발 _Chip명 = 6BD-231

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.09.03 ~ 2013.12.19

연구결과 및 기대효과	개선품 rs 특성 curve는 AM사와 동일 수준 확보 되었고, CT 특성 또한 EPI 비저항 level 500Ω.cm↑재현성 확보되어 AM사와 유사 특성을 보이며, DC 항목은 모두 SPEC을 만족함.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(14) SDP2310D 신규 PIN Diode 공정 재현성 평가 결과

과제명	SDP2310D 신규 개선 개발 _Chip명 = 6BD-2310 , 공정 재현성 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.10.25 ~ 2014.02.21

연구결과 및 기대효과	연계된 ITEM 1종에 대해서 자사 PIN Diode 보유 공정 적용 개선 개발.AM사와 동일한 rs 특성 (저 전류 영역) 구현을 위해 EPI 비저항 Level 및 EPI 두께 설정하여 공정 개선 개발. Intrinsic EPI 두께에 대해 최종 조건 결정 완료금번 재현성 공정 평가 및 EPI 비저항 level 500Ω.cm↑ 구현_I 층 두께별 재 검증 결과 rs 특성 curve는 AM사와 동일 수준 확보되어 AM사와 유사 특성을 보이며, DC 항목은 모두 SPEC을 만족함.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(15) BT-205S (-32V/-2A, PNP TR) 공정 개선 개발 1종

과제명	양산 BT-205S PNP-TR BVCBO 불량 개선으로 수율 향상 및 특성 안정화 _ 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.09.12 ~ 2014.02.28

연구결과 및 기대효과	현 양산중인 BT-205S BVCBO 불량으로 인한 수율 산포 발생 중 양산 수율 분포가 85%~97% 로 LOT to LOT, WF to WF 편차가 발생하고 있음 PNP-TR 공정Review 결과로 부터 DEEPN+ 공정수순 변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선 및 기존 공정 대비 10~15% 수율 개선 확인 CNT 부 단면 FIB 확인시 안정화 확인

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 16) SFN10A400T/10B400T (400V/10A UFRD) 제품 개발

과제명	400V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.11 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(17) SFN20A600T/20B600T (600V/20A UFRD) 제품 개발

과제명	600V/20A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.11 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과	특성 개선 및 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(18) SFN20W200CI (200V/20A Welding Machine용 UFRD) 제품 개발

과제명	200V/20A Welding Machine용 신규UFRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01 ~ 2014.05

연구결과 및 기대효과	신규시장을 Target으로 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(19) ASD-2109 (80V급 신규 16mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 파생 개발

과제명	AM PJT 연계_KV1862 VCD AUK Modify 공정 개발 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.10 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과	자사 보유중인 VARICAP DIODE 공정 조건을 기본으로 하여 AM 이관 Process가 아닌 자사 BF2 Modify 공정 및 제품 개발 _내압 개선 구조 재현성 평가 확보, IMPANT 공정 조건 재 설정

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(20) 6AST-1618 (80V급 16mil Photo TR) _6inch 공정 Conversion 개발 1종

과제명	6AST-1618 (Sb, 100) 80V급 Photo TR_2단 EPI 적용 6inch 공정 개발 평가 보고

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.11 ~ 2014.02

연구결과 및 기대효과	현 5inch 양산중인 AST-1618 6inch Conversion 공정평가 PhotoTR6inch 공정전환 SET-UP평가를 통한 생산Site 이원화 대응준비

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 21) BT-2106S (-60V/-1A, PNP TR) 공정 개선 개발 2종 _ STA104F, STA104Q

과제명	BT-2106S(-60V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01.03 ~ 2014.04.15

연구결과 및 기대효과	PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(22) BT-2108S(-80V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR 공정 개선 개발

과제명	BT-2108S(-80V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01.03 ~ 2014.04.10

연구결과 및 기대효과	PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 23) BT-2112S (-120V/-1A, PNP TR) 공정 개선 개발 2종_ STA3073F, STA3073Q

과제명	BT-2112S(-120V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01.03 ~ 2014.04.30

연구결과 및 기대효과	PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(24)SDZ3V3D 개선 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규 구조 전환 개선

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_3.3V 구조 변경 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.03.11~ 2014.06.12

연구결과 및 기대효과	구조 변경을 통한 공정 안정 확보 : 기존 MESA 구조 --> P+ Poly Planr+Barrier Metal 구조 변경 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 98% 이상 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(25)SDZ3V0D 신규 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_3.0V 구조 변경 적용 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.03.11~ 2014.06.18

연구결과 및 기대효과	P+ POLY 적용 구조 변경후 EPI 적용으로 열 공정에 의한 Vz 변화 최소화 하여 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 99% 이상 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(26)AST-1818R (80V급 신규 18mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명	AST-1818R (자사 0.46mm×0.46mm) 80V급 Photo TR_EM 면적 확대 설계, 5inch 신규 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01.10~ 2014.06.27

연구결과 및 기대효과	고객 초기 대응한 AST-1818 Promotion 평가 결과 기 사용중인 제품과 동등한 광 CTR 특성 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(27)6AST-1618 (111) _(80V급 16mil Photo TR) _6inch 공정 Conversion 개발 1종

과제명	6AST-1618 (Sb, 111) 80V급 Photo TR_2단 EPI 적용 6inch 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.12.12 ~ 2014.06.23

연구결과 및 기대효과	PhotoTR 6inch 공정전환 SET-UP평가를 통한 생산Site 이원화대응준비

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 28)SDP22215WM 신규 PIN Diode 공정 개발 1종

과제명	SDP2215WM 신규 공정 개발 _Chip명 = 6BD-2215

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01.17 ~ 2014.08.21

연구결과 및 기대효과	금번 6inch DW 원자재 및 자사 공정 평가 결과 기본 DC 및 AC 항목 모두 규격 조건을 만족

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 29) SDZ3V6D 신규 개선 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_3.6V 구조 변경 적용 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.04.09~ 2014.08.26

연구결과 및 기대효과	3.3V급 선 공정 평가 결과 확보로 LV-ZENER Diode Line-up 개발 진행하며, LV-ZENER Full Line-up 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 30) ASD-2123 (1.23mm, P-type 신규 Photo Diode)5inch 신규 Chip 공정 단축 개발

과제명	ASD-2123 (자사 1.23mm×1.23mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.05.13~ 2014.09.16

연구결과 및 기대효과	5inch P-type 기존 공정 단축 개선 및 기 양산 ASD-2130 Chip Shrink 개발을 통한 원가 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(31) EMI 특성 개선 MOSFET 제품 개발 (13종)

과제명	EMI 특성 개선 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.04 ~ 2013.09

연구결과 및 기대효과	Chip Design 개선을 통해서EMI 특성을 개선한 제품 출시

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(32) SFN10C/20C600H (600V/10A/20C UFRD) 제품 개발

과제명	600V/10A/20A UFRD 제품 개발, Low VF 특성 구현

연구기관	당사 연구실

연구기간	2013.05 ~ 2013.08

연구결과 및 기대효과	Low VF 특성을 구현함으로써 다양한 제품Line-up 구비

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(33) SFN30W400CI (400V/30A Welding Machine용 UFRD) 제품 개발

과제명	400V/30A Welding Machine용 신규UFRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.05 ~ 2014.09

연구결과 및 기대효과	신규시장을Target으로 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 34) Small PKG UFRD 제품 개발 (6종)

과제명	Small PKG용 신규UFRD 제품 개발 (SFN1A200/400/600K, SFN3A200/400/600K)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.01 ~ 2014.12

연구결과 및 기대효과	신규시장을Target으로 SOD-106 PKG용 제품 개발을 통하여 매출 향상

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 35)SDTB24D (24V급 양방향 TVS Diode) _6inch 신규 개발 평가 보고

과제명	SDTB24D _24V급 양방향 TVS Diode 개발 … SOD-323 PKG (2-Chip 적용)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.05 ~ 2014.10

연구결과 및 기대효과	LED조명 및BLU적용확대에 따른 원가절감으로 기존 ZENER Diode 대신 LED Bar용 TVS Diode 적용 확대 추세_ 내부 신규 개발 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(36) SDZ2V7D 신규 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_2.7V급 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.05 ~ 2014.10.2

연구결과 및 기대효과	3.3V급 선 SEED 공정 평가 결과 확보로 LV-ZENER Diode Line-up 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 37) 500mW급 SDZ3V3G/3V6G/3V9G Low Voltage Zener Diode 3종 개선 개발 _6inch 신규

과제명	500mW급 Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_개선 개발 3종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.08 ~ 2014.11

연구결과 및 기대효과	3.3V급 선 SEED 공정 평가 결과 확보로 LV-ZENER Diode Line-up 개발 진행 _500mW급추가 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 38) ASD-2101 (1.016mm, P-type 신규 40mil Photo Diode) _6inch 신규 Chip 공정 단축 개발

과제명	ASD-2101 (자사 1.016mm×1.016mm) Photo Diode _6inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.06 ~ 2014.11

연구결과 및 기대효과	6inch P-type 신규 공정 단축 공정 적용 SET-up 및 원가 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 39) SDZ2V4D 신규 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_2.4V급 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.08 ~ 2014.12

연구결과 및 기대효과	POLY 적용 구조 변경후 EPI 적용으로 열 공정에 의한 Vz 변화 최소화

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(40) AST-3508 (30V급 신규 20mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명	AST-3508 (자사 0.508mm×0.508mm) 30V급 Photo TR_EPI 변경 적용, 5inch 신규 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.03 ~ 2014.12

연구결과 및 기대효과	신규 30V급 Photo TR 개선 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

(41) ASD-1200 (2.0mm, 신규 개선 Photo Diode) _5inch 신규 Chip

과제명	ASD-1200 (자사 2.0mm×2.0mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.08 ~ 2014.12

연구결과 및 기대효과	광 출력 감소 개선 측면검토 _ 적용 원자재 비저항 변경 및 반사방지막 조건 설정 평가 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 42)AST-4622 (350V급 신규 46mil Photo TR) _5inch 신규 Chip 개발 평가 보고

과제명	AST-4622 (자사 1.16mm×1.16mm) 350V급 Photo TR , 5inch 신규 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.05 ~ 2014.12

연구결과 및 기대효과	신규 350V급 Photo TR 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 43)ND152 (30V/100mA Low VF SBD) 제품 개발

과제명	ND152 Low VF SBD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.07 ~ 2015.2

연구결과 및 기대효과	Low VF를 원하는 고객의 요구에 맞춘 제품 출시

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 44)ASD-2089 (0.89mm, P-type 신규 35mil Photo Diode) _6inch 신규 공정 단축 개발

과제명	ASD-2089 (자사 0.89mm×0.89mm) Photo Diode _6inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.10~ 2015.01

연구결과 및 기대효과	6inch P-type 신규 공정 단축 및 35mil Chip Shrink 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 45)ASD-1123 (1.23mm, N-type 신규 Photo Diode) _5inch 신규 Chip 공정 단축 개발

과제명	ASD-1123 (자사 1.23mm×1.23mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.10~ 2015.01

연구결과 및 기대효과	5inch N-type 기존 공정 단축 개선 개발 및 신규 ASD-2123 Pair 개발 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 46) ASD-1140 (1.40mm, N-type 신규 Photo Diode) _ 5inch 신규 개발

과제명	ASD-1140 (자사 1.40mm×1.40mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.10~ 2015.02

연구결과 및 기대효과	경쟁사 60mil (1.52mm) 대체 및 Chip Shrink 개발을 통한 원가 경쟁력 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 47) SDZ3V9D, SDZ4V3D 신규 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 2종 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch _3.9V, 4.3V 구조 변경 적용 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11~ 2015.03

연구결과 및 기대효과	P+ POLY 적용 구조 변경후 EPI 적용으로 열 공정에 의한 Vz 변화 최소화 하여 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 99% 이상 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 48)ASD-2245 (신규 장방향 _3.0mm×2.0mm, P-type) 신규 Photo Diode _ 5inch 신규 개발

과제명	신규 장방향 Photo Diode _P-type 5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01~ 2015.03

연구결과 및 기대효과	Custom Device 개발 요청품으로 양산중인 Remocon Receiver Module의 지향각 개선 위해 신규 장방향 Photo Diode 개발로 , 측각 수광 효율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 49)ASD-2152 (1.52mm, P-type 신규 60mil Photo Diode) _5inch 신규 공정 단축 개발

과제명	ASD-2152 (자사 1.52mm×1.52mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11~ 2015.03

연구결과 및 기대효과	5inch N-type 신규 공정 단축 적용 개발을 통한 원가 경쟁력 확보 경쟁사 60mil 대비 자사 공정 설계품 광 출력 평가 결과 우세함 기 양산 DP2-16 (1.60mm) 대체 전환 Shrink 적용 평가 결과 동등 특성 확보함 WF Level BIZ 외 내부 신규 제품 채용 확대로 매출 기여 예상

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 50)SUN01Z45 (450V/0.5A Built in Zener MOSFET) 제품 개발

과제명	450V/0.5A Built in Zener MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11 ~ 2015.05

연구결과 및 기대효과	ESD 내성을 높이기 위하여 Zener Diode를 내장한 제품 출시

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 51)SFN60W600CI/W (600V/60A 산업용 UFRD) 제품 개발

과제명	600V/60A 산업용 신규UFRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.12 ~ 2015.06

연구결과 및 기대효과	신규시장을Target으로 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 52)UV-PD 공정 개발 _6inch 공정 평가

과제명	UV-Enhanced PD 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.03.16~ 2015.05.28

연구결과 및 기대효과	6inch Shallow Junction 및 반사방지막 설정 평가 진행으로 UV-PD 공정 구현※400~500nm 에서의 절대 분광감도 20% 이상 확보※기 보유 양산 Mask 공유 (ASD-1101UV) 적용 평가 결과 목표 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 53)ASD-1152 (1.52mm, N-type 신규 60mil Photo Diode) _5inch 신규 공정 단축 개발

과제명	ASD-1152 (자사 1.52mm×1.52mm) Photo Diode _5inch 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11.25~ 2015.06.04

연구결과 및 기대효과	5inch N-type 신규 공정 단축 적용 개발을 통한 원가 경쟁력 확보 ※ 추가적인 원가 경쟁력 확보를 위해 6inch 공정 단축 전환 개발 준비 하여 WF Level BIZ 외 내부 신규 제품 채용 확대 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 54)BT-2116S (-160V/-1A) Power TR _ STA1016L , 5inch 신규 개발

과제명	신규 PNP PWTR 개발 _자사 NPN STC2073L(160V/1A) Pair 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01.06~ 2015.06.22

연구결과 및 기대효과	SS전기 및 한솔테크닉스 PD 보드 SET 적용중인 K사 제품 대체 개발 및 신규 Line-up ※ 기 보유 Mask 공유 및 PNP_개선 공정 적용 평가 결과 기본 특성 규격 조건 모두 만족하고 , 경쟁사 대비 Low VCE(sat) 특성값을 가지며 상대적으로 우세함

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 55)LED ESD Protection ZENER _NPN-TYPE(양방향) 공정 개발 6inch 공정 평가

과제명	NPN TYPE 양방향 LED ZENER 소자 구현을 위한 공정 개발 _PLANAR 구조 전환

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01.16~ 2015.06.24

연구결과 및 기대효과	KKR WF Level BIZ 전개를 위해 NPN-TYPE 신규 공정 개발을 통한 LED ZENER Diode 개발로 중국내 시장 진입 및 확판으로 매출 기여 ※ 230um 기준 설계에서 시장이 요구하는 215um, 170um의 Samll Chip 추가 설계 및 제품 개발 Line-up 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 56)6BD-24V/36VY ZENER Diode FAB3 이관 평가 보고 _ Zener Diode 2종 6inch 공정 SET-UP

과제명	6inch FAB3 이관 공정 SET-UP 평가 _2P+ 구조 적용 및 공정 재 평가 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.05.20~ 2015.07.16

연구결과 및 기대효과	LGIT TV BLU 적용 검토를 위한 24V/36V급 Zener Diode 긴급 Sample 및 FAB3 공정 이관 SET-UP 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 57)AST-1818R (18mil_80V급 Photo TR) 광 출력 특성 개선 개발 _5inch

과제명	신규 AST-1818R (자사 0.46mm×0.46mm) Photo TR 광 출력 특성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01.10~ 2015.07.20

연구결과 및 기대효과	5inch AST-1818R E사향 개선 대응을 위해 As_Single EPI 조건으로 Promotion 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 58)2-Ch ULC-TVS 상품 개발 _SDT0510E2(5V/1.0pF)

과제명	5V/1.0pF _2-Ch Ultra Low Cap TVS 상품 개발 _외주 Chip 소싱 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01.16~ 2015.07.20

연구결과 및 기대효과	자사 ULC-TVS 제품 Line-up을 외주 Chip 소싱 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 59)AST-4622R (신규 350V급 Photo TR) 개선 개발 _5inch

과제명	신규 AST-4622R (350V급) Photo TR 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11.11~ 2015.08.18

연구결과 및 기대효과	350V급 신규 Photo TR BV 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 60)1200V PLANAR GATE 공정 개발 … 6inch PIGBT 공정

과제명	1200V급 PIGBT 공정 개발 _신규 공정 재현성 확보 및 TEG 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01.16~ 2015.07.20

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 PIGBT 공정 개발을 통한 신규 설계에 대한 기반 공정 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 61)1200V TRENCH GATE 공정 개발 … 6inch TIGBT 공정

과제명	1200V급 TIGBT 공정 개발 _신규 공정 재현성 확보 및 TEG 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.09.21~ 2015.09.15

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 설계에 대한 기반 공정 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 62)SUN09A40, SUN08A50(400V/9.0A, 500V/8.0A MOSFET) 제품 개발

과제명	400V/9.0A, 500V/8.0A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.10 ~ 2015.08

연구결과 및 기대효과	신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 63)SUN04A70(700V/4.0A MOSFET) 제품 개발

과제명	700V/4.0A LED 조명용 MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11 ~ 2015.12

연구결과 및 기대효과	LED 조명시장 Target으로 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 이익율 증대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 64)SUN13A50(500V/13A MOSFET) 제품 개발

과제명	500V/13A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2014.11 ~ 2015.12

연구결과 및 기대효과	신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 경쟁력 있는 제품 출시

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 65)SUN16A60, SUN18A60(600V/16A, 600V/18A MOSFET) 제품 개발

과제명	600V/16A, 600V/18A MOSFET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.01 ~ 2015.12

연구결과 및 기대효과	고 전류 MOSFET 개발을 통하여 매출 향상 및 다양한 제품군 Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 66)ASZ-1170C-7V/8V … 6inch LED ESD Protection ZENER , P-up_단방향 개발 2종

과제명	170um P-up 단방향 7V/8V LED ZENER Line-up 개발 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.04.16~ 2015.10.26

연구결과 및 기대효과	190um 기준 설계에서 시장이 요구하는 170um의 Samll Chip 추가 설계 및 제품 개발 Line-up 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 67)ASZ-2170C-7V … 6inch LED ESD Protection ZENER , N-up_단방향 개발 1종

과제명	170um N-up 단방향 7V LED ZENER Line-up 개발 1종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.04.16~ 2015.10.26

연구결과 및 기대효과	190um 기준 설계에서 시장이 요구하는 170um의 Samll Chip 추가 설계 및 제품 개발 Line-up 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 68)ASD-2071 (0.71mm, P-type 신규 28mil Photo Diode) _6inch 신규 Chip Shrink 개발

과제명	ASD-2071 (자사 0.71mm×0.71mm) Photo Diode _6inch 신규 Chip Shrink

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.09.03~ 2015.11.03

연구결과 및 기대효과	6inch P-type 신규 공정 단축 및 28mil Chip Shrink 개발을 통한 원가 경쟁력 확보 . 경쟁사 30mil 대비 Chip Shrink 설계품 광 출력 평가 결과 동등수준 확보 . 최종 고객 평가 결과 PASS * WF Level BIZ 확대 적용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 69)SDZ4V7D, SDZ4V7G 신규 개발_ 200mW급/500mW급 Low Voltage Zener Diode 2종 6inch 신규

과제명	Low Voltage Zener Diode 자사 6inch _ 4.7V 신규 Line-up 개발 2제품

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.04.01~ 2015.11.02

연구결과 및 기대효과	P+ POLY 적용 구조 변경 및 EPI 적용으로 열 공정에 의한 Vz 변화 최소화 하여 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 99% 이상 확보 **200mW/500mW급 LV-ZENER Line-up

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 70)ASZ-1215B-6VL LED ESD Protection ZENER _NPN-TYPE(양방향) Chip 개선 개발 … 6inch

과제명	8.5mil (215um) NPN TYPE 양방향 6급 LED ZENER 신규 Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.04.16~ 2015.11.13

연구결과 및 기대효과	※PLANAR 구조 전환 및 순방향 Leak 개선 공정 SET-UP 평가 결과 개선 확보 ※215um Samll Chip 추가 설계 및 제품 개발 Line-up 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 71)6BD-48VY ZENER Diode 6inch 신규 공정 SET-UP 및 제품 개발 2종

과제명	48V급 신규 Zener Diode 공정 및 제품 개발 (SDZ48VQL , SDZ48VDL)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.08.01~ 2015.12.22

연구결과 및 기대효과	S반도체 및 LGIT TV BLU Zet 적용 위한 48V급 Zener Diode 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 72)ESP Diode _N-up TVS Fusing 구조 공정 평가 보고

과제명	TV BLU용 ZENER Diode 발열 및 발화 현상 개선 위한 Fusing 설계 구조 공정 평가

연구기관	당사 연구실

연구기간	2015.08.01~ 2015.12.23

연구결과 및 기대효과	TV BLE SET 고객 사용조건의 EOS+CC, CC 가혹 조건 인가시 Zener Diode 발열 및 발화현상이 없는 소자 구조 공정 평가 (Fusing 기능 내장 Chip 설계)

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

9. 기타 투자의사 결정에 필요한 사항 보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권 등의 현황입니다.

No	종류	명칭	등록일

1	특허	광결합소자 및 그 제조방법	2000-08-16

2	특허	광결합소자및그제조방법	2001-06-05

3	특허	질화갈륨계발광소자의전극제작방법	2001-08-29

4	특허	미세구조물 패키징방법	2002-02-02

5	특허	반도체 실리콘 가속도센서	2002-02-23

6	특허	질화물 반도체 백색 발광소자	2002-05-23

7	디자인	광전수신소자	2002-08-22

8	특허	핸들러의 디바이스 감지 제어 장치	2003-06-27

9	특허	핸들러의 반도체소자 분리 감지장치	2003-08-19

10	특허	포토 인터럽터	2003-08-20

11	특허	칼라센서	2003-11-17

12	특허	인덱스워크홀더	2003-12-16

13	특허	리모콘 수신모듈 및 그 제조방법	2004-05-22

14	특허	포토 인터럽트의 제작공법	2005-02-22

15	특허	리모콘 수신모듈의 차폐구조	2005-12-19

16	특허	지향각 특성을 향상시킨 리모콘 수신모듈	2005-12-19

17	특허	칩온 보드 패키지의 몰딩장치	2006-01-19

18	특허	고방열 구조를 갖는 반도체 패키지	2006-02-13

19	특허	리모콘 수신모듈의 렌즈	2006-02-27

20	특허	자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의구조 및 제조방법	2006-08-21

21	특허	형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법	2006-08-29

22	디자인	광수신 모듈용 차폐케이스	2006-08-29

23	디자인	광수신 모듈	2006-08-29

24	디자인	광수신 모듈	2006-08-29

25	디자인	광수신 모듈용 차폐케이스	2006-08-29

26	실용	지폐 식별 장치	2006-12-15

27	특허	발광 다이오드 어레이 모듈의 구동장치 및 구동방법	2007-01-29

28	특허	지향성 발광다이오드의 구조	2007-04-02

29	특허	수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드	2007-04-13

30	특허	포터인터럽터의 광소자 삽입방법 및 장치	2007-05-07

31	특허	반도체패키지용 레이져마킹장치	2007-05-17

32	특허	광소자	2007-06-22

33	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2007-08-31

34	특허	레일을 이용한 성형틀 교환방식의 성형 프레스	2007-08-31

35	특허	이젝트핀 분리형 성형 프레스	2007-08-31

36	특허	포토 트라이악의 구조	2007-09-28

37	특허	포토 인터럽터	2007-10-30

38	특허	금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법	2007-10-30

39	특허	경사 감지 방법 및 이를 이용한 경사 감지장치	2007-11-27

40	특허	적층형 수동소자를 이용한 광소자 패키지	2007-11-27

41	특허	광소자 패키지	2007-12-28

42	특허	씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법	2008-01-29

43	특허	적외광 수신모듈	2008-01-29

44	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법	2008-01-29

45	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	2008-01-29

46	특허	반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법	2008-04-02

47	특허	자외선 엘이디	2008-04-02

48	특허	평행광을 향상시킨 엘이디	2008-06-05

49	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	2008-07-11

50	특허	광원 위치인식센서용 모듈, 이를 이용한 자기위치 인식장치 및 자기위치 인식방법	2008-09-26

51	특허	적외선 수신기	2008-10-28

52	특허	아날로그-디지털 신호 변환장치 및 변환방법	2008-10-28

53	특허	센서 검사용 스트립 및 이를 이용한 센서 검사 장치	2009-01-20

54	실용	일체형 발광 다이오드 모듈	2009-05-19

55	특허	위조지폐 감별유니트	2010-02-24

56	특허	광변환소자의 표면처리방법	2010-05-12

57	실용	광소자 패키지 및 그 실장구조	2010-06-23

58	특허	고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법	2010-08-16

59	특허	광학식 액체 레벨 센서	2010-08-17

60	특허	주·야간 촬영이 가능한 카메라 모듈	2010-08-17

61	특허	포토 인터럽터 및 그 제조방법	2010-11-16

62	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2010-11-16

63	실용	리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지	2010-11-16

64	특허	반도체 소자, 이의 결합구조 및 제조방법	2011-02-07

65	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 제조방법	2011-02-07

66	특허	오염 방지막이 형성된 엘이디 칩 및 그 제조 방법	2011-03-11

67	특허	광커넥터	2011-04-27

68	특허	수광소자 패키지	2011-04-29

69	특허	카메라 오토 포커스용 엘이디 모듈 및 그 제조 방법	2011-04-29

70	실용	이너 실드를 포함하는 리모콘 수신 모듈	2011-07-04

71	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조	2011-08-19

72	디자인	발광다이오드 기판	2011-10-06

73	특허	연성 광보드 상의 광소자 집적 구조 및 이의 제조 방법	2011-11-07

74	특허	리모콘 수신 모듈	2011-11-07

75	특허	정전기 보호용 반도체 소자 및 그 제조방법	2011-11-07

76	실용	내부 실드가 형성된 에스엠디 형 리모콘 수신모듈	2011-11-07

77	실용	반도체소자 검사장치	2011-11-30

78	특허	웨이퍼 가공 기법을 이용한 엘이디모듈 제조 방법	2011-12-05

79	특허	발광부 및 수광부를 구비한 센서 모듈 제조 방법	2011-12-05

80	실용	광도파관 및 광소자의 집적 구조	2011-12-05

81	특허	주변광을 이용한 엘이디 식물 생장 시스템	2011-12-28

82	실용	씨오비 타입 수신모듈 패키지	2011-12-28

83	특허	광소자 패키지 및 그 제조방법	2011-12-30

84	특허	발광다이오드 패키지	2012-01-30

85	특허	발광칩 및 그 제조방법, 발광칩을 구비하는 광소자 패키지 및 그 제조방법	2012-01-30

86	특허	이중몰드를 이용한 수광모듈제조방법	2012-03-30

87	특허	조도,근접센서 패키지 및 그 제조방법	2012-08-20

88	디자인	엘이디(LED) 투광기	2013-05-03

89	특허	밝기가 변하는 광원의 광량 증감을 감지하는 광량 비교 센서	2013-08-05

90	특허	n 형 AlAs 하부 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2013-11-29

91	특허	파워모듈용 알루미늄 베이스 플레이트	2014-02-19

92	특허	분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법	2014-05-02

93	특허	요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법	2014-05-02

94	디자인	엘이디(LED) 조명등	2014-05-21

95	특허	비도핑 알루미늄인듐인 정공 방지층을 가지는 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드	2014-05-29

96	특허	n 형 GaN 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2014-06-19

97	특허	텍스처된 n형 AlAs 전류 확산층을 가진 웨이퍼 본딩형 AlGaInP 발광다이오드 및 제조 방법	2014-07-22

98	특허	광결정 발광 소자	2014-12-22

99	특허	투명기판위에 직접 성장된 고효율 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	2015-04-14