광전자 분기보고서 (2021.03)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요 가. 업계의 현황 (1) 반도체 산업의 특성

반도체는 모든 IT 제품에 들어가는 핵심 부품으로 통신기기, 정보기기, 자동차, 군사, 항공 등 다양한 분야에 사용되고 있으며, 스마트 폰, 디지털TV, 스마트가전 등 기존 멀티미디어 관련 제품을 넘어, 정보 처리량의 확대에 따라 데이터센터(클라우드), 자율주행, 의료기기, 로봇 등 컴퓨팅 및 정보저장에 대한 새로운 수요가 확산되면서 시장규모가 지속적으로 확대되고 있습니다. 또한 산업과 산업의 접목에 따라 기존 전기. 전자 분야를 넘어 에너지, 바이오 분야, 건설, 조선 등 다양한 산업과 융합되어 지속적인 부가가치를 창출할 것으로 전망되고 있습니다.

2021년 반도체 시장은 5G, 자율주행차, 인공지능(AI) 기술의 발달이 반도체 시장을 이끌 것으로 내다보고 있습니다. 자율주행과 관련해 수많은 반도체가 탑재되면서 AI 반도체와 저전력 반도체가 부각되며, 인간의 뇌를 모방한 뉴로모픽 반도체도 주목 받을 것으로 전망됨에 따라, 반도체 산업의 성장 또한 확대 될 것으로 예상됩니다.

(2) 글로벌 반도체 시장의 현황과 전망

세계반도체시장통계기구(WSTS)의 반도체 시장 전망 보고서에 따르면 전 세계 반도체 시장의 성장이 2021년에 가속화될 것이라는 전망이 나왔으며, 코로나19 팬더믹 상황에서도 2020년 전 세계 반도체 시장 규모는 4331억4500만달러(약 479조 5천억원)를 기록 하였으며, WSTS는 2021년 전망을 기존 6.2％에서 8.4％ 성장으로 상향 하며, 금액으로는 4694억300만달러(약 519조 5천억원)로 전망했습니다.

또한 “반도체 시장이 올해 초 예상보다 코로나19 사태에서 그다지 부정적인 영향을 받지 않았다”고 평가하면서, “2021년 글로벌 반도체 시장은 메모리 반도체와 센서 분야가 두 자릿수 성장을 할 것”이라면서 “다른 모든 제품 범주 역시 플러스 성장률을 보일 것으로 예상된다”고 말했습니다.

따라서 2021년은 코로나19 사태 회복에 따른 전세계적의 공격적인 투자에 따라 5세대 이동통신(5G), 인공지능(AI), 빅데이터, 자율주행 자동차등의 산업이 전반적으로 활기를 띠면서 메모리 및 비메모리 수요 증가와 더불어 미국, 유럽, 중국 등 본격적인 5G 서비스 확산 및 5G스마트폰(폴더블), 웨어러블이 개화 됨에 따라 교체수요가 증가 예상되며, 인공지능, 빅데이터, 클라우드, AI등의 전 방위적 확대 적용에 따라 데이터센터의 확충으로 2021년 이후에도 메모리 및 비 메모리 반도체 시장은 지속적으로 상승세가 확대될 것으로 전망 됩니다.

특히 자율 주행 자동차의 태동에 따라 물체를 감지하는 센서 및 전장용 반도체의 수요가 증가할 것으로 예상하며, 스마트 팩토리, 로봇, AI, 의료기기, 사물인터넷(IoT)등 다양한 반도체 수요가 지속 등장하고 있음에 전체 반도체 시장은 지속적인 성장을 할 것으로 예측 됩니다.

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분 (가) 영업개황

광전자는 전자부품 제조 업체로써 Discrete 반도체, 광센서, LED 등 폭넓은 전자부품 시장을 주도하며 한국, 중국, 일본의 탄탄한 네트워크 기반의 글로벌 기업으로 성장해가고 있습니다.

Discrete반도체, 광센서, LED등은 고성능, 저전력 및 경박단소를 기반으로 모바일 기기, 자동차, 디지털가전, 로봇 등 전반적인 IT제품의 개별 소자로 사용 되고 있습니다. 또한 이러한 환경변화에 맞는 반도체의 개발 및 제조뿐만 아니라 고객이 원하는 제품에 대하여 개별 솔루션 제시를 통하여 지속적인 영업활동을 전개하고 있습니다.

광전자는 효율적인 경영활동과 지속적인 VE 활동을 통하여 원가경쟁력과 시장경쟁력을 확보하고 있으며, 품질경영 시스템을 구축하여 꾸준한 품질 향상에 노력하고 있습니다. 광센서는 고객이 원하는 방향에 맞추어 개발, 제조하여 다품종 소량 생산으로 시장에 대응하고 있습니다. 또한, Discrete반도체는 한국과 중국에 대량생산 체제를 구축하여 시장에 맞는 제품을 지속적으로 출시하고 있습니다.

미래산업에 적용 가능하고 성장 가능한 신 성장 동력 제품을 개발하기 위해 한국, 중국, 일본이 함께 협력 체제를 구축하여 개발, 제조, 영업의 협력을 통하여 점진적으로 시장을 넓혀가고 있습니다.

(나) 공시대상 사업부문의 구분현재 당사는 OPTO사업부, PW부문, SFAB부문, CFAB부문으로 나뉘어져 있지만, 수익을 창출하는 재화와 용역의 성격, 이익창출 단위, 제품 및 제조공정의 특징, 시장 및 판매방법의 특징 등을 고려하여 별도의 사업부문의 구분을 하지 않고 있으므로 단일사업부문으로 공시하고 있습니다.

(2) 시장 점유율 및 산업 전망

2021년 IT산업은 좀더 큰 변화의 시작점이 될 것입니다. 5G 서비스가 본격적으로 확대 됨에 따라 다양한 시장이 열릴 수 있는 상황으로 AI, 자율주행 자동차, 빅데이터 등 DATA의 취급량이 기하급수적으로 증가함에 따라 데이터센터(클라우드)시장의 확대를 가져 올 것이며, 이러한 산업적 변화에 따라 많은 부분을 통제 하고 감지하는 비 메모리 시장 또한 큰 성장을 할 것으로 예상됩니다. 또한 자율주행차의 신규 시장 개화에 따라 차량용 반도체 시장의 확대를 통하여 당사의 주력 산업분야인 비 메모리반도체 및 광센서에서 좀 더 큰 시장 확대를 기대하고 있습니다.

2021년 메모리 부문을 제외하면 비 메모리 반도체는 아날로그반도체 4.1%, Logic 반도체 5.5%, Discrete반도체 5.6%, 광 개별소자 4.7% 성장을 전망하고 있으며 당사는 Discrete, 광 개별소자 (광전자, 센서 류) 등에서 2021년 성장을 모색하고 있습니다.

(3) 신규사업 등의 내용 및 전망당사의 주력 사업 분야인 Discrete반도체, 광 센서, LED는 고유기능 및 발전을 통해, 5G와 사물인터넷(IoT), AI, 빅데이터, 자율주행 등과 결합하며 신시장 창출을 위한 기반을 마련하고 있습니다. 새로운 디바이스 생태계에서는 다양한 환경을 인지, 감지, 관리 할 수 있는 방안 모색이 필요하며, 모든 사물의 연결에서 광전자 및 센서 류, Discrete 반도체 제품은 필수적으로 필요한 기본 소자가 될 것 입니다. 이에 광전자는 다양한 환경에서 적용 가능한 Discrete 반도체 및 센서기술의 지속적인 개발을 통하여 시대적 환경적 요구사항으로 변화하여 반도체 센서의 공급처로 세계무대에서 활약 할 수 있을 것으로 기대 합니다.

(4) 조직도2. 주요 제품 등

가. 주요 제품 등의 현황 당사의 당분기 주요 제품에 대한 매출액 내역은 다음과 같습니다.

(단위 : 백만원, %)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	제 38 기 1분기

매출액	비율

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	전자기기 부품	AUK 등	15,464	35.94%

PHOTO SENSOR	전자기기 부품	AUK 등	17,654	41.03%

LED 등	전자기기 부품	AUK 등	9,351	21.73%

기타	전자기기 부품	AUK 등	559	1.30%

합 계	-	43,028	100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	제 38 기 1분기	제 37 기 연간	제 36 기 연간

TRANSISTOR	41	31	28

PHOTO SENSOR	235	196	155

LED 등	6	5	6

(1) 산출기준

- 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매출액 / 총판매수량) - 외화매출은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매출액 대비 판매수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매출수량의 변화에 의해 영향을 받음.

3. 주요 원재료의 현황

가. 주요 원재료의 매입현황 및 매입처에 관한 사항

(단위 : 백만원)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	제 38 기 1분기	주요매입처

매입액	비율

전자부품제조	원재료	CHIP	제품제조	7,417	47.77%	SHIN-ETSU CHEMICAL, SUMITOMO

전자부품제조	원재료	LEAD FRAME	제품제조	1,477	9.52%	(주)피에스엠씨, (주)신원기술

전자부품제조	원재료	기타	제품제조	6,631	42.71%	엘티메탈(주)

합 계	15,525	100.00%

나. 주요 원재료의 가격변동추이(단위 : 원)

품 목	단위	제 38 기1분기	제 37 기연간	제 36 기연간

CHIP	PCS	18.21	15.60	16.87

(1) 산출기준 - 산출기준은 기간별 단순 산술평균가격을 계산하였음. (총매입액 / 총매입수량) - 외화매입은 원화로 환산하여 계산하였음.(2) 주요 가격변동원인 - 품목별 총매입액 대비 매입수량을 나누어 산출한 평균단가이기 때문에 품목내 의 가격대별 매입수량의 변화에 의해 영향을 받음. 다. 공급시장의 독과점 정도 및 안정성 당사의 주요 원재료인 WAFER는 모두 국내 및 해외 업체를 통해 생산되고 있으며, 경쟁이 치열한 시장으로 공급시장 자체에 경쟁이 존재하여, 한 업체에 의해서 독과점이 이루어지고 있지 않습니다. 따라서 당사는 원재료 매입과 관련하여 안정성을 유지하고 있다고 판단됩니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 가동률 당사는 국내 및 해외(중국) 생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 2021년 품목별 작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있습니다. 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22시간을 1일 작업시간으로 적용 하였습니다. 이러한 기준으로 집계한 결과 당사의 2021년 1분기 평균가동 율 은 75% 로 집계 되었 습 니다.

나. 생산설비의 현황 등 당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사와 국내 공장(전북 익산), 해외공장(중국대련)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산)등의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다.

(1) 생산설비의 현황(당분기말) (단위 : 천원)

구 분	토지	건물	구축물	기계장치	공구와기구	기타유형자산	건설중인자산	합 계

취득원가	29,094,977	63,713,046	9,080,900	149,312,081	17,823,522	4,215,033	453,692	273,693,251

감가상각누계액	-	(40,708,519)	(3,898,343)	(135,482,606)	(16,076,471)	(3,550,630)	-	(199,716,570)

손상차손누계액	-	(1,220,519)	-	(2,916,221)	(186,271)	(76,246)	-	(4,399,258)

정부보조금	-	(294,549)	(67,317)	(125,741)	-	-	-	(487,607)

장부금액	29,094,977	21,489,459	5,115,240	10,787,513	1,560,780	588,157	453,692	69,089,816

( 2) 향후 투자계획(단위 : 백만원)

사업부문	계획명칭	자산형태	제 38기 연간 예상투자액	투자효과

전자부품제조	증설 및 합리화	기계장치 외	14,492	생산능력증가

※상기의 투자계획은 2021년 시설/설비투자에 한정한 투자금액으로 향후 시장여건 등에 의해 변경 될수 있음.

5. 매출에 관한 사항 당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내 대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIREC T 수출 및 해외 현지 법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중 은 내수판매가 34% , 수출판매가 66% 입 니다. 당사의 판매조직은 별도의 영업부가 있으며 신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, Technical Service의 강화, 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있습니다.당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를 정확하게 예측하기 어렵기 때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월 단위 확정하고 있습니다.) [당사의 38기 품목별 수출 및 내수 판매 현황 입니다.]

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제 38 기1분기	제 37 기연간	제 36 기연간

전자부품제조	제품상품	TRANSISTOR	수 출	10,401	43,422	45,974

내 수	5,063	14,580	14,636

합 계	15,464	58,002	60,610

LED 등	수 출	7,101	21,335	19,880

내 수	2,250	5,373	8,791

합 계	9,351	26,708	28,671

PHOTOSENSOR	수 출	10,623	36,430	45,325

내 수	7,031	24,920	28,640

합 계	17,654	61,350	73,965

기타	수 출	245	1,800	1,502

내 수	314	2,313	1,434

합 계	559	4,113	2,936

합 계	수 출	28,370	102,987	112,681

내 수	14,658	47,186	53,501

합 계	43,028	150,173	166,182

6. 시장위험과 위험관리가. 자본위험관리

연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조의 유지 또는 조정을 위하여 연결실체는 배당을 조정하거나, 주주에 자본금을 반환 하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시할 수 있습니다.

연결실체는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 연결재무제표의 금액을 기준으로 계산합니다. 당분기말 및 전기말 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구분	당분기말	전기말

부채	45,257,361	42,098,516

자본	203,792,291	201,271,266

부채비율	22.21%	20.92%

나. 금융위험관리

연결실체는 금융상품과 관련하여 시장위험(외환위험, 이자율위험, 가격위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체의 위험관리는 연결실체의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 연결실체가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다.

1) 시장위험

1-1) 외환위험 연결실체는 외화로 표시된 거래를 하고 있기 때문에 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당분기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채의 장부금액은다음과 같습니다.

(당분기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	51,094	57,897,103	25,404	28,751,193

JPY	65,215	669,972	30,550	313,849

합계	-	58,567,075	-	29,065,042

(전기말) (원화단위: 천원, 외화단위: 천)

구분	자산	부채

외화금액	원화금액	외화금액	원화금액

USD	45,697	49,718,969	23,433	25,500,964

JPY	25,395	267,734	14,668	154,644

합계	-	49,986,703	-	25,655,608

연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당분기말 및 전기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 손익 에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당분기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	2,273,381	(2,273,381)

JPY	27,778	(27,778)

합 계	2,301,159	(2,301,159)

(전기말) (단위: 천원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	1,889,004	(1,889,004)

JPY	8,821	(8,821)

합 계	1,897,825	(1,897,825)

1-2) 이자율위험

당분기말 및 전기말 현재 이자율위험에 노출된 차입금의 장부금액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

구 분	당분기말	전기말

차입금	416,798	121,525

연결실체는 내부적으로 이자율 변동으로 인한 이자율위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당분기말 및 전기말 현재 각 자산 및 부채에 대한 이자율이 1% 변동시 이자율변동이 손익 및 순자산 에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(당분기말) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(3,251)	(3,251)	3,251	3,251

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1% 상승시	1% 하락시

손익	순자산	손익	순자산

차입금	(948)	(948)	948	948

1-3) 가격위험 연결실체는 당분기말 및 전기말 현재 가격변동위험에 노출되어 있는 지분상품을 보유하고 있지 아니합니다.

2) 신용위험

신용위험은 계약상대방이 계약상의 의무를 불이행하여 연결실체에 재무적 손실을 미칠 위험을 의미합니다.

연결실체의 신용위험은 보유하고 있는 대여금 및 수취채권을 포함한 거래처에 대한 신용위험 뿐 아니라, 매도가능금융자산(채권), 만기보유금융자산, 금융기관예치금 및지급보증한도액으로부터 발생하고 있습니다. 금융기관의 경우, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 일반거래처의 경우 고객의 재무상태, 과거 경험 등 기타 요소들을 고려하여 신용을 평가하게 됩니다. 대여금 및 수취채권, 매도가능금융자산(채권) 및 만기보유금융자산의 신용위험 최대노출액은 장부금액과 유사합니다.

3) 유동성위험

연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.

당분기말 및 전기말 현재 비파생금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과 같습니다.

(당분기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	26,766,233	3,862,911	30,629,144

변동이자율차입금	404,375	24,173	428,549

(전기말) (단위: 천원)

구 분	1년 이내	1년 초과~5년 이내	합 계

무이자	23,662,346	3,793,500	27,455,846

변동이자율차입금	82,112	42,180	124,293

상기 만기분석은 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 연결실체가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되었으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

다. 공정가치의 추정

활성시장에서 거래되는 금융상품 (단기매매금융자산과 매도가능금융자산 등)의 공정가치는 보고기간종료일 현재 고시되는 시장가격에 기초하여 산정됩니다. 연결실체가보유하고 있는 금융자산의 공시되는 시장가격은 보고기간종료일의 종가입니다.활성시장에서 거래되지 아니하는 금융상품 (예: 장외파생상품)의 공정가치는 평가기법을 사용하여 결정하고 있습니다. 연결실체는 다양한 평가기법을 활용하고 있으며 보고기간종료일에 현재 시장 상황에 근거하여 가정을 수립하고 있습니다. 장기부채 등 이용가능한 금융부채에는 고시시장가격 또는 유사 상품에 대한 딜러호가를 사용하고 있으며, 그 밖의 금융상품에는 추정현금흐름할인법과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공정가치를 산정하고 있습니다.매출채권 및 기타채권의 경우, 손상차손을 차감한 장부금액을 공정가치 근사치로 보며, 공시목적으로 금융부채 공정가치는 계약상의 미래현금흐름을 유사한 금융상품에대해 연결실체가 적용하는 현행시장이자율로 할인한 금액으로 추정하고 있습니다.

한편, 연결실체는 재무상태표에 공정가치로 측정되는 금융상품에 대하여 공정가치측정에사용된 투입변수에 따라 다음과 같은 공정가치 서열체계로 분류하였습니다.

구분	투입변수의 유의성

수준 1	동일한 자산이나 부채에 대한 활성시장의 (조정되지 않은) 공시가격

수준 2	직접적으로(예: 가격) 또는 간접적으로(예: 가격에서 도출되어) 관측가능한, 자산이나 부채에 대한 투입변수. 단 수준 1에 포함된 공시가격은 제외한다.

수준 3	관측가능한 시장자료에 기초하지 않은, 자산이나 부채에 대한 투입변수(관측가능하지 않은 투입변수)

연결실체의 상기 서열체계에 따른 공정가치측정치는 다음과 같습니다. 1) 당분기말 및 전기말 현재 공정가치로 후속측정되는 금융상품의 수준별 공정가치 측정치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범주	장부금액	공정가치

수준1	수준2	수준3	소계

당분기말:

기타포괄손익-공정가치측정금융자산	-	-	-	-	-

시장성없는 지분증권	22,299,847	-	-	22,299,847	22,299,847

전기말:

기타포괄손익-공정가치측정금융자산	-	-	-	-	-

시장성없는 지분증권	22,299,847	-	-	22,299,847	22,299,847

당기와 전기 중 수준 1과 수준 2간의 유의적인 이동은 없습니다.

2) 연결재무상태표에 반복적으로 공정가치로 측정되는 금융상품 중 수준 3에 포함되는 금융상품의 장부가액 변동내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)

범주	기초	매입	매도	기타포괄손익	연결범위변동	소계

당분기:

금융자산

시장성없는 지분증권	22,299,847	-	-	-	-	22,299,847

전기:

금융자산

시장성없는 지분증권	21,732,428	-	-	567,418	-	22,299,847

기타포괄손익으로 인식된 총 차익 및 차손은 당분기말 및 전기말 현재 보유하고 있는 지분증권과 관련된 것이며, 기타포괄손익-공정가치측정금 융자산평가손익 의 변동 으로 인식됩니다. 3 ) 다음은 수준 2와 수준 3으로 분류되는 금융상품 공정가치측정 치 에 사용된 가치평가기법과 투입변수에 대한 설명입니다. - 비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권비상장주식 및 비상장주식 연계 전환증권의 공정가치는 현금흐름할인모형을 사용하여 측정하며, 미래현금흐름을 추정하기 위하여 매출액 증가율, 세전 영업이익률, 가중평균자본비용 등에 대한 가정이나 추정과 같이 관측가능한 시장가격이나 비율에 근거하지 않은 가정이 일부 사용됩니다. 미래현금흐름을 할인하기 위하여 사용된 가중평균자본비용은 자본자산가격결정모형(CAPM)을 적용하여 산정하였습니다. 연결실체는 상기에서 언급된 주요 가정과 추정이 비상장주식의 공정가치에 미치는 영향이 유의적인 것으로 판단하여 비상장주식의 공정가치측정치를 공정가치 서열체계상 수준 3으로 분류하였습니다. 4 ) 연결실체가 보유하고 있는 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 당기중 발생한 사업환경이나 경제적 환경의 유의적인 변화는 없습니다.

7. 연구개발활동 당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.[당사의 2021년 당기 연구개발관련 비용 입니다.]

(단위 : 백만원)

과 목	제 38 기1분기	제 37 기연간	제 36 기연간

연구개발비용계	1,533	6,530	6,856

(정부보조금)	(33)	(478)	(381)

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	3.56%	4.35%	4.13%

*) 매출액은 연결기준입니다 . **) 연구개발비용계는 정부보조금(국고보조금)을 차감하기 전의 연구개발비용 지출총액 을 기준으로 산정 하 였습니다. ※연구개발 실적 공시대상기간에 대한 연구개발실적 입니다.

( 1)Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

과제명	Rain Sensor 모듈內 Sun Sensor용 28mil N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.02

연구결과 및 기대효과	전장용 제품 대비 안정적인 고온 특성 구현

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 2)600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

과제명	600V/10A급 UFRD EAS 개선 신규 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	Customer 응용 및 용접기 시장 진입을 위한 EAS 개선 공정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 3)1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

과제명	1200V급 HV-FRD EAS 성능 개선 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 01 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발 및 파생을 위한 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 4)120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

과제명	120mil Chip Shrink 6inch N-Type PD 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.03

연구결과 및 기대효과	120mil PD 와 동등한 광출력 특성 값 가지는 Chip shrink PD 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 5)λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

과제명	λp=800nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.03 ~ 2019.03.

연구결과 및 기대효과	Photo Diode 신규 시장 창출 확대 방안으로 Silicon Avalanche PD 공정 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 6)500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	500V/5.5A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2018.3

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 7)250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

과제명	250V/4.4A POWER MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2018.3.

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 8)650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	650V/18A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.11 ~ 2018.3

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발 [Wafer Biz]

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 9)6ASD-1152AU(1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD_6inch 공정 set-up 개발

과제명	6ASD-1152AU (1.52mm×1.52mm), AUD N-Type PD _6inch 공정 set-up 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2019.04

연구결과 및 기대효과	자사 개발 완료 된 6inch PD Process 를 기반으로 AUD 공정 Set-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 10)1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1200V/8A, 15A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.04

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 8A, 15A급 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 11)ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

과제명	ASD-1052AUT (0.525mm×0.525mm×0.2mm) Visible Enhanced PD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.10 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	최종 고객사 Need에 맞는 신규 Chip 파생 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 12)30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

과제명	30V 급 □24mil 5inch Photo TR 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.08 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	AST-3620S 제품에 대하여 고객사측 광 VCE(SAT) 개선 요청으로 개선 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 13)500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	500V/6.5A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~ 2019.6

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 14)1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/15A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 15)1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

과제명	1200V/30A TIGBT 제품 개발 _정격별 Line-Up진행

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.05 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 개발을 통한 신규 1세대 기반 공정 확보 완료에 따른 정격 파생 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 16)800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	800V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	800V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 17)1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1000V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.02 ~ 2019.06

연구결과 및 기대효과	1000V급 HV-FRD EAS 공정 개발에 따른 양산 MASK 적용 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 18)New LTV IC Vout 산포 및 ESD 개선

과제명	New LTV IC Vout 산포 및 ESD 개선

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~2019.08

연구결과 및 기대효과	Photo Diode Trim 기법을 이용하여, Vout 광출력 전압의 산포를 개선ESD Protection Cell 삽입을 통해 ESD 개선

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 19)600V/10A급 UFRD EAS 개선 공정 및 제품 개발

과제명	600V/10A급 UFRD EAS 개선 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03 ~ 2019.08

연구결과 및 기대효과	Customer 응용 및 용접기 시장 진입을 위한 EAS 개선 제품 개발 완료

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 20)PD-1123DQ (□1.23mm, 2-PAD) ToF 센서용 Photo Diode Chip 개발

과제명	PD-1123DQ (□1.23mm, 2-PAD) ToF 센서용 Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.06 ~ 2019.9

연구결과 및 기대효과	ToF Module 적용 N-type Photo Diode 기존 대체 및 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 21)900V/4A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	900V/4A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.10

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 900V급 M-Ver. 정격 파생 신규 Line-up 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 22)ASD-1123DT (□1.23mm, 2-PAD) Auto Door 센서용 Photo Diode Chip 개발

과제명	ASD-1123DT (□1.23mm, 2-PAD) Auto Door 센서용 Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2018.12 ~ 2019.11

연구결과 및 기대효과	Auto Door 센서용 N-type PD 경쟁사 제품 대체 및 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 23)λp=900nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

과제명	λp=900nm, Φ500um Si Avalanche Photo Diode 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	Photo Diode 신규 시장 창출 확대 방안으로 λp=900nm 인 Si-APD 공정 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 24)1200V/30A급 HC-FRD 제품 개발

과제명	1200V/30A급 HC-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	30A급의 신규 MASK 제작 및 1200V급 공정 공유하여 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 25)800V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

과제명	800V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	800V급 HV-FRD 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 IR high issue에 따른 공정 재설정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 26)1000V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

과제명	1000V/10A급 HV-FRD 제품 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	1000V급 HV-FRD 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 IR high issue에 따른 공정 재설정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 27)1200V/10A급 HV-FRD 제품 개발

과제명	1200V/10A급 HV-FRD 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	1200V급 HV-FRD 공정 개발 완료 후 재현성 평가 진행 중 VF high issue에 따른 Pt 공정 재설정 하여 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 28)30V 급 □24mil 5inch Photo TR 신규 PATTERN 적용 개선 개발

과제명	30V 급 □24mil 5inch Photo TR 신규 PATTERN 적용 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.04 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	AST-3124 제품에 대하여 고객사측 광 VCE(SAT) 개선 요청으로 개선 개발 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 29)200V/18A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

과제명	200V/18A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019. 09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위하여 ESD에 취약한 FET특성 개선을 위하여 ZENER 내장형 제품 개발진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 30)250V/16A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

과제명	250V/16A ESD PROTECHTION ZENER 내장형 FET 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위하여 ESD에 취약한 FET특성 개선을 위하여 ZENER 내장형 제품 개발진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 31)250V/82A POWER MOSFET 신규 개발

과제명	250V/82A POWER MOSFET 신규 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2019.12

연구결과 및 기대효과	FET 확판을 위한 정격 파생품 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 32)FT-8225U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

과제명	250V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.01

연구결과 및 기대효과	High current에 따른 Active cell 영역 배치 및 Gate Bus line 신규 구성

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 33)SD10235 (235V/10A급 HV-SBD) 신규 제품 개발

과제명	235V/10A급 HV-SBD 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	Chip Size 및 Pattern 변화가 없어야함에 따라 기존 200V급 양산 MASK 적용

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 34)SUN05A50ZF (500V/5A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

과제명	SUN05A50ZF (500V/5A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.11 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	ESD 확보를 위해 GATE PAD 부 POLY ZENER 내장_Back to Back ZENER 삽입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 35)600/650V급 R2-ver. FET 신뢰성 개선 개발

과제명	600/650V급 R2-ver. FET 신뢰성 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.07 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	600/650V급 R2-ver. FET의 확판을 위해 신뢰성 개발 필요로 CNT layer revision 및 Pass'N막 조성비 변경으로 신뢰성 1000H PASS

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 36)600V/20A TRENCH IGBT 제품 개발

과제명	600V/20A TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.06 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	IGBT 시장 공략을 위한 정격별 제품 확보를 위한 Line-Up추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 37)600V/40A TRENCH IGBT 제품 개발

과제명	600V/40A TIGBT 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.03

연구결과 및 기대효과	IGBT 시장 공략을 위한 정격별 제품 확보를 위한 Line-Up추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 38)BI-C7101(누전 검출 IC) 신규 제품 개발

과제명	누전 검출 IC 신규 제품 개발_Custom IC ( Wafer Biz用 )

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.04

연구결과 및 기대효과	고객 요청으로 신규 제품군 IC 개발. 고객이 요구한 전기적 특성 만족하며, 신뢰성 1000hr 완료.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 39)PD-N15-6 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N15-6 (□1x1.5mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.05

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1x1.5mm (Set 6) N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 40)PD-N26-6 (□1x2.6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N26-6 (□1x2.6mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1x2.6mm (Set 6) N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 41)PD-N60 (□1.6x6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N60 (□1.6x6mm N-Type) Encoder 용 고속 PIN Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	Heidenhain 향 1.6x6mm N-Type 고속 PIN Photo Diode 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 42)ASD-1115U (□115mil 6inch N-type Photo Diode) 공정 개선 개발 _BVR 저감 현상 개선

과제명	115mil 6inch N-Type PD 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	ASD-1115U 의 고비저항 원자재 적용시 WAFER 가장자리 BVR 저감 현상 및 신뢰성 Fail Issue에 대한 공정 수순 변경 및 개선 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 43) 650V급 SiC SBD 신기술(신공정) 개발

과제명	650V급 SiC SBD 신기술(신공정) 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.09 ~ 2020.06

연구결과 및 기대효과	핵심 단위공정 Set-up 및 신기술(신공정) 개발을 통한 650V급 SiC SBD 제품 개발.

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 44) APD-2123-8 (□1.23mm P-Type) 800nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-8 (□1.23mm P-Type) 800nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 와 같은 신규 Sensor 시장 진출을 위한 APD 제품군 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 45) APD-2123-9 (□1.23mm P-Type) 900nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

과제명	APD-2123-9 (□1.23mm P-Type) 900nm 파장 급 Si-APD Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.08 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	Li-DAR 와 같은 신규 Sensor 시장 진출을 위한 APD 제품군 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 46) 600V/20A TIGBT 제품 개발 _ 특성 산포 개선 개발

과제명	600V/20A TIGBT 제품 개발 _ 특성 산포 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.02 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	자사 600V급 TIGBT 공정 안정화를 통한 수율 확보 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 47) 1200V/15A TIGBT 제품 개발 _특성 산포 개선 개발

과제명	1200V/15A TIGBT 제품 개발 _특성 산포 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.02 ~ 2020.09

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 TIGBT 공정 안정화를 통한 수율 확보 진행

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 48) 600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경을 통한 신뢰성 개선 개발 2종

과제명	600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경을 통한 신뢰성 개선 개발 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	신뢰성 개선품의 재현성 평가 LOT의 신뢰성 PCT 다량 불량 발생으로 설계 변경 및 Pass'N막 신규 설정으로 추가 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 49) 650V급 SiC SBD 신규 제품 개발 _Line-up 6종

과제명	650V급 SiC SBD 신규 제품 개발 _Line-up 6종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.06 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	650V/20A 대표 제품 外 5종(4A, 6A, 8A, 10A,15A) SiC SBD 제품 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 50) 1200V급 SiC SBD 신규 공정 및 SEED 제품 개발

과제명	1200V급 SiC SBD 신규 공정 및 SEED 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.06 ~ 2020.11

연구결과 및 기대효과	1200V/10A 대표 제품 外 2종(5A, 20A) SiC SBD 제품 개발 평가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 51) FT-1145U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

과제명	FT-1145U2P (250V/82A HC-FET) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Target Rds(on) 기준 신규 설계 및 신규 EPI 설정으로 특성 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 52) PD-N15-9 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-N15-9 (□1x1.5mm N-Type 고속 PIN Photo Diode) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Chip Size (1x1.5mm), 고객사 요구 SPEC (Set 9) 기준 target 설정 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 53) PD-1047QA (□1.2mm N-Type ALS Photo Diode) 신규 제품 개발

과제명	PD-1047QA (□1.2mm N-Type ALS Photo Diode) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.10 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Filter 증착 구조 □1.2mm N-Type ALS PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 54) 1200V급 FRD 공정 개선 개발

과제명	1200V급 FRD 공정 개선 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	1200V,10/30A급 BV drop 및 IR 불량 개선을 위해 공정 개선 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 55) ASD-1080 (□0.8mm N-Type) Custom Photo Diode Chip 개발

과제명	ASD-1080 (□0.8mm N-Type) Custom Photo Diode Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Custom □0.8mm N-Type PD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 56) AST-4018 (□1.0mm NPN) Custom Photo TR Chip 개발

과제명	AST-4018 (□1.0mm NPN) Custom Photo TR Chip 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.03 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	Custom □1.0mm NPN PTR 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 57) 200V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

과제명	200V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	200V/82A급 High current용 U2-ver.FET 제품 Line-up 추가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 58) 300V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

과제명	300V/82A급 High Current용 MOSFET 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.05 ~ 2020.12

연구결과 및 기대효과	300V/82A급 High current용 U2-ver.FET 제품 Line-up 추가

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 59) SUN07A50ZF (500V/7A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

과제명	SUN07A50ZF (500V/7A급 ZENER 내장형 FET) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.08 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	ESD 확보를 위해 GATE PAD 부 POLY ZENER 내장_Back to Back ZENER 삽입

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 60) 600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경 신뢰성 개선 개발 6종 추가 line-up

과제명	600/650V급 R2-ver. FET 설계 변경 신뢰성 개선 개발 6종 추가 line-up

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.11 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	4/9/12A급 신뢰성 개선을 위해 추가 MASK Revsion 적용 line-up 개발 추진

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 61) 1200V/40A급, 60A급 HC-FRD 신규 공정 및 제품 개발 2종

과제명	1200V/40A급, 60A급 HC-FRD 신규 공정 및 제품 개발 2종

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.09 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	1200V/40A급 HC-FRD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 62) 4) 1200V FS TRENCH IGBT 공정 개발

과제명	4) 1200V FS TRENCH IGBT 공정 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.08 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	자사 1200V급 Field Stop구조를 채용한 신규 2세대 기반 공정 확보

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 63) 600V/75급 HC-FRD 신규 공정 및 제품 개발

과제명	600V/75급 HC-FRD 신규 공정 및 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.09 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	600V/75A급 HC-FRD 신규 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 64) 300V/3A급 UFRD 신규 제품 개발_SFN6A300C

과제명	300V/3A급 UFRD 신규 제품 개발 (PKG 제품은 2-Chip 적용)

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.12 ~ 2021.03

연구결과 및 기대효과	300V/3A급 UFRD 신규 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 65) KAPD-800-001 (800nm, TO-CAN APD) 신규 제품 개발

과제명	KAPD-800-001 (800nm, TO-CAN APD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03.~ 2021.01

연구결과 및 기대효과	LiDAR용 Si-APD 신규 Line-up 개발 및 국산화 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 66) KDPD-900-001F (900nm with Filter, TO-CAN APD) 신규 제품 개발

과제명	KDPD-900-001F (900nm with Filter, TO-CAN APD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2019.03~2021.01

연구결과 및 기대효과	LiDAR용 Band pass filter 내장 Si-APD 신규 Line-up 개발 및 국산화 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 67) SG-105F7(T)-FD-Y (반사형 Interrupter) 신규 제품 개발

과제명	SG-105F7(T)-FD-Y (반사형 Interrupter) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.04~2021.02

연구결과 및 기대효과	Thermal Printer용 Mini Interrupter로 일본 시장 확대 기대

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 68) KST-1MLB (ML type PD) 신규 제품 개발

과제명	KST-1MLB (ML type PD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07~2021.02

연구결과 및 기대효과	Security용 수광소자 Line-up 확충 및 가격 경쟁력 강화된 제품

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 69) KST-1MLBR2 (ML type PD) 신규 제품 개발

과제명	KST-1MLBR2 (ML type PD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.07~2021.02

연구결과 및 기대효과	Security용 가시광 차단 수광소자 Line-up 확충 및 가격 경쟁력 강화된 제품 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 70) KMED108C-85(Ax)_ToF Sensor Module 신규 제품 개발

과제명	KMED108C-85(Ax)_ToF Sensor Module 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.06~2021.03

연구결과 및 기대효과	거리 측정용 ToF Sensor로 Calibation 정보 내장을 통한 사용자 편리와 Line-up 확충

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

( 71) KDP6220B (COB type PD) 신규 제품 개발

과제명	KDP6220B (COB type PD) 신규 제품 개발

연구기관	당사 연구실

연구기간	2020.12~2021.03

연구결과 및 기대효과	산업용 센서용 가시광 차단 수광소자 Linup 확충을 위한 개발

사업화 여부(상품화)	상품화 완료

8. 기타 투자의사 결정에 필요한 사항 가. 보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권 등의 현황입니다.

No	종류	명칭	등록번호

1	특허	리모콘 수신모듈의 렌즈	10-0557822

2	특허	자기정렬을 통한 전력용 수직 더블 게이트 모스페트의구조 및 제조방법	10-0616462

3	특허	형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법	10-0620556

4	특허	지향성 발광다이오드의 구조	10-0704899

5	특허	광소자	10-0733431

6	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	10-0756233

7	특허	이젝트핀 분리형 성형 프레스	10-0756239

8	특허	레일을 이용한 성형틀 교환방식의 성형 프레스	10-0756241

9	특허	포토 트라이악의 구조	10-0763863

10	특허	포토 인터럽터	10-0773471

11	특허	금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법	10-0773473

12	특허	경사 감지 방법 및 이를 이용한 경사 감지장치	10-0781576

13	특허	광소자 패키지	10-0791932

14	특허	씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법	10-0801008

15	특허	적외광 수신모듈	10-0801009

16	특허	반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법	10-0820627

17	특허	자외선 엘이디	10-0820634

18	특허	리모콘 수신 모듈 및 그 제조방법	10-0847070

19	특허	광원 위치인식센서용 모듈, 이를 이용한 자기위치 인식장치 및 자기위치 인식방법	10-0861469

20	특허	적외선 수신기	10-0866507

21	특허	위조지폐 감별유니트	10-0945268

22	특허	고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법	10-0977260

23	특허	광학식 액체 레벨 센서	10-0977515

24	특허	주·야간 촬영이 가능한 카메라 모듈	10-0977516

25	특허	포토 인터럽터 및 그 제조방법	10-0995913

26	특허	씨오비 타입 수신모듈 패키지	10-0995916

27	특허	광커넥터	10-1032960

28	특허	수광소자 패키지	10-1033623

29	특허	카메라 오토 포커스용 엘이디 모듈 및 그 제조 방법	10-1033624

30	특허	리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조	10-1059541

31	디자인	발광다이오드 기판	30-0616398

32	특허	연성 광보드 상의 광소자 집적 구조 및 이의 제조 방법	10-1082988

33	특허	리모콘 수신 모듈	10-1082997

34	특허	발광부 및 수광부를 구비한 센서 모듈 제조 방법	10-1092282

35	특허	광소자 패키지 및 그 제조방법	10-1103336

36	특허	발광칩 및 그 제조방법, 발광칩을 구비하는 광소자 패키지 및 그 제조방법	10-1112430

37	특허	발광다이오드 패키지	10-1119660

38	특허	조도,근접센서 패키지 및 그 제조방법	10-1176819

39	특허	밝기가 변하는 광원의 광량 증감을 감지하는 광량 비교 센서	10-1295795

40	특허	n 형 AlAs 하부 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법	10-1337379

41	특허	요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법	10-1393605

42	특허	분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1393606

43	특허	비도핑 알루미늄인듐인 정공 방지층을 가지는 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드	10-1403918

44	특허	텍스처된 n형 AlAs 전류 확산층을 가진 웨이퍼 본딩형 AlGaInP 발광다이오드 및 제조 방법	10-1423908

45	특허	개선된 광효율을 가지는 투명 기판형 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1660629

46	특허	다채널 광센서	10-1651320

47	특허	발화 방지용 제너다이오드 및 그 제조 방법	10-1688776

48	특허	PCB를 이용한 다채널 광센서 및 제조 방법	10-1701010

49	특허	온저항 특성이 우수한 p필러형 슈퍼정션 파워 모스펫 및 그 제조 방법	10-1803156

50	특허	변형 보정 층을 가지는 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1916587

51	특허	플라스틱 사출물(Lens 일체형)을 적용한 방수 기능의 광센서 모듈	10-1929622

52	특허	알루미늄갈륨인듐포스파이드 엘로우 광 보상부를 가지는 플립형 백색 갈륨나이트라이드 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1929678

53	특허	반도체를 이용한 Nox 센서 및 그 제조 방법	10-1967420

54	특허	고효율 1000nm 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-1988932

55	특허	변형 보상 양자 장벽층 및 버퍼층을 포함하는 활성층을 가지는 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법	10-2018688

56	특허	정전기 보호용 고내압 제너 다이오드 및 그 제조방법	10-2037157

57	특허	경사진 수광칩을 가지는 표면실장형 수광 소자	10-2084746

58	특허	소형 낙하물 감지용 센서 및 그 제조 방법	10-2093974

59	특허	고효율 산화형 VCSEL 및 그 제조 방법	10-2117081

60	특허	광추출성이 향상된 VCSEL 및 그 제조 방법	10-2117084

61	특허	이미지 센서를 가지는 로봇 청소기용 바닥 감지 센서	10-2140838

62	특허	반사 방지층을 가지는 고효율 산화형 VCSEL 및 그 제조 방법	10-2183019

63	특허	다 감지 영역을 가지는 레인 센서	10-2207069

나.수주상황(단위 : )

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

-	-	-	-	-	-	-	-	-

합 계	-	-	-	-	-	-

※해당사항 없음.