한국전자홀딩스 분기보고서 (2021.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

6-1. 경영상의 주요계약 2016.04.27>※ ㈜케이이씨 주주배정후 실권주 일반공모 발행결정 및 인수계약 체결 - 예정 발행주식수 : 30,000,000주 - 대표주관회사: 이베스트투자증권 주식회사 인수회사: 동부증권 주식회사 - 잔여주식 인수비율

구분	인수비율

대표주관회사	이베스트투자증권	70%

인수회사	동부증권	30%

2017.12.04>※ 케이이씨 제4회 무보증 사모 전환사채 전환청구 - 청구금액 : 5,000,000,000원 - 1주당 전환가액 : 940원 - 전환주식수 : 5,319,148주2017.12.31>※ 한국전자판매㈜ 지분인수 - 취득주식수: 20,000주 - 취득금액 : 200,000,000원 - 취득후 지분율 : 100%2018.03.30> ※ ㈜케이이씨암코가 ㈜케이이씨디바이스를 흡수합병 - 존속회사 : ㈜케이이씨암코 - 소멸회사 : ㈜케이이씨디바이스 ㈜한국전자홀딩스가 100% 주주인 자회사간의 합병으로 신주발행이 없는 무증자합병 ※ ㈜케이이씨암코 사명변경 - 변경전 사명 : ㈜케이이씨암코 - 변경후 사명 : ㈜케이이씨디바이스2019.06.10>※ 케이이씨 제4회 무보증 사모 전환사채 전환청구 - 청구금액 : 4,000,000,000원 - 1주당 전환가액 : 940원 - 전환주식수 : 4,255,319주 2020.10.15> ※ 주식회사 케이이씨 제5회 무보증 사모 전환사채의 발행 결정 - 사채의 명칭 : 주식회사 케이이씨 제5회 무보증 사모 전환사채 - 사채의 종류: 무기명식 무보증 사모 전환사채 - 사채의 권면총액 : 금 이백 육십억원(\40,000,000,000) - 사채의 발행가액 : 각 사채권금액의 100%(할인율 0.00%)로 한다. - 사채의 이율 : 표면이율 0.00%, 만기보장수익률 0.00% - 사채의 만기 : 발행일로부터 5년(2년 후부터 매 3개월 put option 행사가능) - 전환가액: 1,428원 - 전환청구기간: 2021년 10월 27일부터 2025년 09월 27일까지 - 자금의 사용목적 : 운영자금 및 시설자금 2020.10.05>※ ㈜케이이씨 제5회 무보증 사모 전환사채 100억원 인수 결정 (전환가능주식수 7,002,801주, 전환가액 1,428원) - 전환행사기간: 2021년 10월 27일 ~ 2025년 09월 27일 2021.10.27>※ 케이이씨 제5회 무보증 사모 전환사채 전환청구 - 청구금액 : 19,000,000,000원 - 1주당 전환가액 : 1,428원 - 전환주식수 : 13,305,320주 6-2. 연구개발활동 가. 반도체 사업부문의 연구개발활동의 개요 (1) 연구개발 담당조직

조직명	위치	연구내용

반도체기술연구소	서울	휴대용 기기

전자부품용 반도체 소자개발

공정개선 등

PKG개발

(2) 연구개발비용(단위 : 백만원)

과 목	제54기 3분기	제53기	제52기	비 고

원 재 료 비	1,205	1,911	2,450	-

인 건 비	2,223	2,640	2,313	-

감 가 상 각 비	61	120	38	-

위 탁 용 역 비	648	464	254	-

기 타	361	491	672	-

연구개발비용 계	4,498	5,626	5,727	-

회계처리	판매비와 관리비	4,498	5,618	5,723	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	-	8	4	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	2.3%	2.8%	2.8%	-

나. 반도체 사업부문의 연구개발 실적

부문	주요개발 ITEM	응용분야	파급효과 / 기술

DIODE	600V BootStrap Diode	가전	국산화, Line up 확대

Audio Power TR	AV	국산화, Line up 확대

MOSFET	KU079N06RS1-EL/H	DC-DC converter, Power Tools	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

KU125N10RS1-EL/H	DC-DC converter, Power Tools	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

KU100N12CS1-EL/H	DC/DC Converter, Synchronous Rectification in SMPS	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

KU028N06DS1-RTF/H	DC-DC converter, Power Tools	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

KU020N04BS1-RTH/H	DC/DC Converter, Synchronous Rectification in SMPS	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

KU050N15BS1-RTH/H	DC/DC Converter, Synchronous Rectification in SMPS	Hard Switching and High Speed Circuit 부품의 국산화 및 수출확대

IGBT	KGF40N120KDA	전장용 PTC	Seed 소자

KGF05N65DDE	삼성 DA 냉장고용 inverter	내부 ESD diode 탑재를 통한 ESD=2kV 보증

High Voltage Gate Driver IC(650V) for 3-phase Motor	가전	Seed IC로 Active-low 제품 등 파생 가능

KGF20N120LRH	Induction heating	전공정 외주 업체 적용 (china, CSMC_Foundry)

KGF20N135LRH	Induction heating	전공정 외주 업체 적용 (china, CSMC_Foundry)

KGF15N65FDA	산업용 재봉? 인버터용	전공정 외주 업체 적용 (china, CSMC_Foundry)

KGF30N110NDH	Induction heating	일본 히타치향 set 적용

IC	Gate Driver IC(40V) for 3-phase Motor 민생용 LDO(3.3V)/ 민생용 LDO(5V)	EOP/EWP/Battery-operated power tools	시장확대를 위한 파생제품

※ 이외의 연구개발실적은 당사 또는 그 종속회사의 영업기밀에 해당되어 관련 내용을 공시할 경우 영업에 현저한 손실을 초래할 수 있다고 판단되어 기재를 생략하였습니다. 다. 반도체 사업부문의 지적재산권 보유현황

- 현재 보유 중 지식재산권 : 총 179건 (특허 178건, Design 1건)

종류	취득일	제목 및 내용	근거법령 및 보호받는 내용	취득에 투입된 기간,인력	상용화 여부

특허	2001-08-01	가변용량 다이오드 및 제조방법: 실리콘 기판 표면에서의 격자 결함 유발로 인해 야기되던 누설전류 발생을 막을 수 있도록 한 가변용량 다이오드 및 그 제조방법	특허법, 20년간 배타적 사용권	2년 6개월, 6명	상용화

특허	2002-11-07	쇼트키 베리어 다이오드 및 그 제조 방법: 쇼트키정션부 내의 누설전류원을 줄인 쇼트키베리어다이오드	특허법, 20년간 배타적 사용권	1년 6개월, 5명	상용화

특허	2003-05-06	LDO 레규레이터 및 그 제조방법: 파워 트랜지스터와 컨트롤 집적회로를 결합시켜 원 칩화하되, 파워 트랜지스터를 버티컬 구조로하여, 기존 대비 칩 사이즈를 줄이고, 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있도록 한 LDO 레귤레이터	특허법, 20년간 배타적 사용권	2년, 5명	상용화

특허	2005-12-15	레귤레이터의 누설전류를 감소하기 위한 출력전원 단속회로 : 집적회로(Intergrated Circuit)로 구성된 레귤레이터의 전원 차단 및 공급 시 누설전류로 인해 낮은 전원전압에서도 출력전압이 정상전압을 유지하도록 누설전류를 차단하는 출력전원 단속회로	특허법, 20년간 배타적 사용권	2년, 4명	상용화

특허	2017-09-12	트렌치 공정을 적용하여 다수의 격리층을 형성함과 동시에, 매립층의 더블 매칩층을 형성하여 커패시턴스를 감고시키고 최대 허용 서지전류(Ipp)를 향상시키며 제한 전압(Clamping Voltage)을 낮출 수 있는 과도전압 억제 소자 및 그 제조 방법	특허법, 20년간 배타적 사용권	1년 10개월, 2명	상용화