한솔테크닉스 분기보고서 (2023.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요계약 등- 해당사항 없음

나. 연구개발활동(1) 연구개발활동의 개요

1) 연구개발 담당조직

연구개발 담당조직

회로개발	기구개발

(140명)	(15명)

- 반도체 사업부문 (종속회사: 한솔아이원스 주식회사)

(단위 : 명)

팀명	인원 (주1)	수행업무

총괄	1	개발총괄

신소재 사업	6	쿼츠 대체/반도체/디스플레이 공정장비 부품용 소재 개발

선행 개발	3	특수 코팅 기술개발

연구관리	3	분석센터/국책과제

합계	13	-

(주1) 보고서 작성기준일(2023. 3. 31) 현재 기준

2) 연구개발비용 (단위 : 천원)

과 목	제58기 1분기	제57기	제56기	비고

연구개발비용 계	5,977,624	22,275,826	18,937,925	-

(정부보조금)	-	-	-	-

회계처리	판매비와 관리비	5,977,624	22,275,826	18,937,925	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	1.45	1.35	1.27	-

- 상기 연구개발비용은 연결기준으로 작성되었습니다.

(2) 연구개발 실적1) 전자부품

모 델	개 발 부 문	기 간	비 고(효과등)

Slim TV SMPS(Depth 7.5mm↓)	선행개발모델	22.07 ~ 24.01	-

디지털 파워	선행개발모델	22.05 ~ 24.03	-

L65SA8NA_BHS(BN44-01165A)	TV_4K_QN85 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

L65SA9NA_CHS(BN44-01214A)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

P250XX_XHS(BN44-0XXXXX)	Monitor_55" / SMPS "선행과제" (Topology 변경)	22.09 ~ 23.01	-

Totempole CCM PFC	선행개발모델	22.11 ~ 23.12	-

Totempole ZVS PFC	선행개발모델	22.11 ~ 23.12	-

M30019PW_CHS(BN44-01237A)	LFD_The Wall_IWC IVC Series / SMPS "양산과제"	22.11 ~	-

BN96-32110I	JDM, SKYWORTH 32" 인도네시아향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840B	CU7000 50" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840C	CU7000 50" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840E	CU7000 50" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840F	CU7000 50" CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551C	CU7000 55" SDC 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551D	CU7000 55" SDC 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551E	CU7000 55" SDC 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551F	CU7000 55" SDC CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055D	CU7000 58" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055B	CU7000 58" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055E	CU7000 58" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055F	CU7000 58" CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056B	CU7000 65" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056C	CU7000 65" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056D	CU7000 65" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056E	CU7000 65" CIS	22.08 ~ 23.02	-

3in1 JDM SKW 32inch ( TU5000 )	신규 개발 모델	22.12 ~ 23.02	-

L77QA9N_CHS	QD OLED 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.02	-

L55S6H_CHS	병원 , 호텔향 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.04	-

L75S6H_CHS	병원 , 호텔향 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.04	-

F55E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F65E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F65E7W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F75E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F85E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

CD-PE	전장_Wireless Charger_Charger 보드_CD-PE	23.01 ~ 24.01	-

SV1 (1Coil)	전장_Wireless Charger_Charger 보드_SV1 (1Coil)	23.01 ~ 25.04	-

영상보드 튜너 기술 내재화	COB 튜너 개발, 검증	23.01 ~ 23.12	-

로컬디밍 Q80C 보드 이원화	로컬디밍 Q80C 55"	23.01 ~ 23.08	-

CD-PE	전장_Wireless Charger_Charger 보드_CD-PE	23.01 ~ 24.01	-

SV1 (1Coil)	전장_Wireless Charger_Charger 보드_SV1 (1Coil)	23.01 ~ 25.04	-

AY1 6종 (RCL 3종, DP 2종, DPT 1종)	전장_LAMP_ ASS’Y_AY1 6종	23.03 ~ 25.01	-

L55E6(N)_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L75E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E8N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

AY1 6종 (RCL 3종, DP 2종, DPT 1종)	전장_LAMP_ ASS’Y_AY1 6종	23.03 ~ 25.01	-

L55E6(N)_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L75E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E8N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

3in1 JDM TPV 43inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

3in1 JDM TPV 50inch / 55inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

3in1 JDM TPV 65inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

P98SB9N_CHS	8K OC BOX 신규 개발 모델	23.02 ~ 23.05	-

L77CA8N_BHS	QD OLED 신규 개발 모델	23.03 ~ 23.05	-

L83CA9N_BHS	QD OLED 신규 개발 모델	23.03 ~ 23.06	-

L50SA9NA_BHS(BN44-01162C)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

L55SA8NA_CHS(BN44-01236A)	TV_4K_QN85 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 완료)	22.12 ~ 23.03	-

L55SA9NA_CHS(BN44-01235A)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 완료)	22.12 ~ 23.03	-

M22013PI_CHS(BN44-01238A)	LFD_The Wall_IWC IVC Series / SMPS "양산과제" (정식승인 진행 중)	22.11 ~	-

P20020_AHS(BN44-01144A)	Monitor_49" / SMPS "양산과제" (효율개선 변경승인 진행 중)	23.02 ~	-

L50SA9NA_BHS(BN44-01162C) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L55SA8NA_CHS(BN44-01236A) VE	TV_4K_QN85 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경)	23.03 ~	-

L55SA9NA_CHS(BN44-01235A) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경)	23.03 ~	-

L65SA8NA_BHS(BN44-01165A) VE	TV_4K_QN85 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L65SA9NA_CHS(BN44-01214A) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L55S8NA_CHS(BN44-01217A) VE	TV_4K_QN80 Series / SMPS "VE" (Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L65S8NA_CHS(BN44-01215A) VE	TV_4K_QN80 Series / SMPS "VE" (Silicon 삭제, Option Eyelet 삭제)	23.03 ~	-

L55SA9NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "신규" (PCB 재질 변경 CEM1 → FR1)	23.03 ~	-

L65SA9NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "신규" (PCB 재질 변경 CEM1 → FR1)	23.03 ~	-

L55S8NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN80 Series / SMPS "신규" (Depth 변경 18.1mm → 13.1mm)	23.03 ~	-

L65S8NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN80 Series / SMPS "신규" (Depth 변경 18.1mm → 13.1mm)	23.03 ~	-

P25020_CHS(BN44-01243A)	Monitor_55" / SMPS "양산과제" (승인 진행 중)	23.01 ~	-

L85PU_CHS(BN44-01253A)	TV_85인치_Terrace Series / SMPS "양산과제"	23.02 ~	-

L43F7_BHS(BN44-01117B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L50F7_BHS(BN44-01118B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L55F8_BHS(BN44-01119B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L65F8_BHS(BN44-01120B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L75F8_BHS(BN44-01121B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L85F8_BHS(BN44-01151B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 43"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 50"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 55"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 65"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 43"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 50"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 55"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 65"	23.04 ~	-

2) 솔라모듈

모 델	개 발 부 문	기 간	비고(효과등)

IK-BIPV-RTxxx	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 일강, BIPV	22.08~23.01	-

HSxxxWE-XHD20	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 고내구성 친환경,KS	22.04~23.01	-

HSxxxWE-GHD20	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드,KS	22.09~23.02	-

HSxxxWE-GHD30	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드,KS	22.09~23.02	-

HAxxxXE-GDE10	156CELL, 11BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, G2G,KS, 외주	22.09~23.03	-

HSxxxWE-GHD40	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 융복합,KS	22.11~23.04	-

3) 반도체 (종속회사: 한솔아이원스 주식회사)

No	연구 과제	연구내용 및 기대효과	연구결과 및상품화 여부	개발 연도

1	플라즈마 주1) 코팅용 세라믹 파우더 과립화	현재 상용으로 사용되는 플라즈마 코팅용 과립분말은 모두 외산 분말이며, 반도체 공정에 적합한 소재는 희토류 주2) 계열의 희귀금속으로 자체 생산을 통한 원료 수급능력 강화 및 제조원가 절감	실용화 완료자사 세정코팅 사업부에서 코팅 원료로 사용함	2007∼2008

2	높은 경도의 Al 용사 주3) 공정개발	Al 용사 코팅 된 Al 소재는 코팅 과정에서 급랭, 응축에 인한 표면 취성 단점을, 경도가 우수한 Al 용사공정개발 하여, 파티클 주4) 소스를 개선함	실용화 완료	2009∼2010

3	세라믹 합성분말 파우더 개발	세라믹합성분말 파우더 개발, 합성분말 코팅 後 저 Crack 성으로 파티클 미 발생 성능 매우 우수.	개발완료	2010∼2011

4	분말증착장치(INC)	상온에서 Binder와 첨가제를 사용하지 않고 소재의 본연의 특성을 구현할 수 있는 나노 구조체를 가지는 코팅 공정 기술로서, 초정밀 반도체 제조공정에서 오염물과 나노크기의 파티클의 제어가 우수하다	실용화 완료	2011~

5	공정장비의 코팅방법 및 이를 이용한 코팅 구조(DLC)	종래기술인 APS 코팅층 위에 반도체 공정특성을 고려한 제2코팅층(INC,SPS,…etc)을 형성하여 Particle제어 및 공정수율 우수 효과	실용화 완료	2014~2015

6	반도체장비부품 내플라즈마 코팅	고밀도의 플라즈마 식각 공정 중 발생하는 파티클 문제 보완 장비 부품 수명 향상을 위한 고밀도 세라믹 코팅	실용화 완료	2013~2015

7	고열전도 플라즈마 내식성 코팅	디스플레이 공정중 발생하는 플라즈마에 의한 부품 손상을 방지하기 위한 고 열전도, 플라즈마 내식성 코팅 제품	기술개발완료
실용화 완료	2019~현재

8	고출력 반도체 장비 부품 내플라즈마 코팅	반도체 식각 공정의 조건 가혹화에 따라 플라즈마 내식성이 향상된 초고밀도 세라믹 코팅	기술개발 중	2021~현재

9	고출력 반도체 장비 부품 내플라즈마 코팅	다양한 반도체 식각 공정에 따라 표면 형상이 향상된 Pit-less 초고밀도 세라믹 코팅 (INC+) 개발	기술개발 중	2021~현재

주1) 플라즈마 : 원자핵과 전자가 분리된 가스 상태를 말하며, 고밀도의 양이온과 전자를 같은 수로 가진 이온화 기체를 말합니다. 종래에 우리주위의 물질은 액체, 고체, 기체 3가지 상태로 구분해왔지만, 근래에는 플라즈마가 추가되어, 물질은 고체, 액체, 기체, 플라즈마 상태로 존재한다고 말해야 합니다.
주2) 희토류 : 멘델레예프 원소주기율표의 제 3족에 해당되는 란타넘족원소 및 21번 스칸듐과 39번 이트륨을 포함한 총 17개의 원소를 의미하며, 희토류는 현재 최첨단 IT기기에 들어가는 원재료이며, 이 희토류가 없으면 최첨단 기기도 없어지게 됩니다. 이렇게 중요한 희토류이기에 최근에는 희토류의 무기화라는 말이 거론될 정도입니다. 전 세계 희토류 생산량의 약 97%가 중국에서 생산됩니다.
주3) Al 용사: 두 개의 알루미늄 선재를 전극으로 하고, 전극 끝 부분에 아크를 발생시켜 재료를 용융시킴과 동시에 압축공기 제트로 분사시켜 코팅 피막을 형성하는 기술입니다.
주4) 파티클 : 반도체 소자의 식각 공정 중, 챔버 내부 부품의 손상으로부터 발생하는 입자로 이를 통하여 반도체 소자의 불량이 발생하며 반도체 양산 성능을 저하시키는 주요 원인이 됩니다.

- 국책과제를 신청하여 외부기관의 협력하여 진행한 연구 개발 실적

사업명(시행부처/기관)	연구 과제	연구내용 및 기대효과	연구결과 및상품화 여부	정부출연금 (백만원)	총 개발기간(시작∼종료일)

중소기업청	플라즈마 용사용세라믹과립및 열처리 기술	- 외산 분말제조의 국산화의 핵심 기술인 과립화 및 열처리 기술을 획득하여, 외산분말의 수입대체를 통한 원가 절감 및 원료 수급능력 강화	- 개발 성공- 당사 세정 코팅사업 부문 의 코팅 원료 국산화 완료	70	2007.07.01∼2008.6.30

한국부품소재산업진흥원	반도체 공정장비부품소재 세라믹용사코팅 기술지원	- 세라믹 원료의 특성에 따른 용사코팅변화 - 용사코팅 최적성능을 갖는 세라믹원료 원료의 특성을 획득	- 개발 성공- 연구된 성과를 당사 코팅공정에 적용함	140	2008.08.01∼2009.07.31

중소기업청	초극한 공정 환경용반도체 장비부품 세라믹 코팅 막 제조기술 개발	- 용사조건 변화에 따른 세라믹 코팅막변화 분석 -최적의 세라믹 코팅막 제조 공법의 획득	- 개발 성공- 연구된 성과를 당사 코팅공정에 적용함	72	2009.07.01∼2010.06.30

산업통상자원부	난용해성 세라믹스(티탄산바륨계 화합물 및 질화알루미늄)의 화학분석방법 국가표준 및 국제표준 개발	- 반도체 및 기타 산업용 세라믹 소재의 화학분석방법 제정
- 국가표준 및 국제 표준 개발	- 개발 완료	760	2014.10.01
~
2018.09.30

삼성전자
(협업과제)	반도체 공정장비 부품용 내플라즈마성 코팅 막 제조 공정 기술 개발	- 제1 코팅 층인 열 플라즈마 용사 코팅 층에 New 분말을 사용하여 상온 분사 코팅 방식으로 제2의 치밀한 코팅 층을 형성하는 기술
- Y2O3 분말 vs YF3 분말의 최적 혼합비 확립 및 혼합 분말의 코팅 기술 확보	- 개발완료- 연구된 성과를 당사 코팅공정에 적용중	107	2015.11.13
~
2016.8.30

중소기업청	WC300 R 기술개발과제	- 반도체/디스플레이 제조 장비용600phi 이상의 입체형상 부품 및6세대 이상의 초대면적 부품에 대한 플라즈마 내식성 코팅기술 확보	- 국책연구과제 진행 중	4,403	2017.06.01~2021.12.31

산업자원부	소재부품산업미래성장동력	- 저진공 플라즈마Jet을 이용한 내플라즈마성이 향상된 차세대 세라믹코팅	- 국책연구과제 진행 중	2,673	2019.04.01~2021.12.31

경기도 테크노 파크	부품국산화지원사업	-Quartz 유리 소재 대체를 위한 Alumino-silicate계 세라믹 소재를 이용한 Focus ring 제조기술개발	-개발완료
-연구된 제품의 고객사 공정 평가 중	100	2021.03.12
~2022.03.11

산업자원부	소재부품기술개발	-고출력 챔버의 플라즈마 내식성 향상 코팅 기술개발	-국책연구 과제 진행중	240	2021.07.01
~2024.12.31