한솔홀딩스 분기보고서 (2023.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

1. 경영상의 주요계약공시서류제출일 현재 경영상의 주요계약은 없습니다.

2. 연구개발활동-한솔제지가. 연구개발활동의 개요한솔제지는 생산공정 및 기술적 문제점을 파악하여 해결하고 미래 지향적 기술개발을 하여 관련 기술의 진보와, 기술적 비교우위를 지속적으로 확보하기 위해 중앙연구소를 운영하고 있습니다.나. 연구개발 내역(1) 연구개발 담당조직

연구소명	위치	조직	비고

한솔제지 중앙연구소	대전 대덕구 신일동	55명	-

(2) 연구개발비용(단위 : 백만원)

과 목	2023년 1분기	2022년	2021년	비 고

원 재 료 비	-	-	-	-

인 건 비	1,293	5,149	3,455	-

감 가 상 각 비	240	829	736	-

위 탁 용 역 비	60	164	230	-

기 타	706	2,627	1,900	-

연구개발비용 계	2,299	8,769	6,321	-

회계처리	판매비와 관리비	-	-	-	-

제조경비	2,299	8,769	6,321	-

개발비(무형자산)	-	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액]×100	0.44%	0.36%	0.48%	-

(3) 연구개발 실적

연 도	연구 과제	연구개발효과

2023	○ 친환경 감열지 신제품 개발 : Phenol Free 등 유해성 저감○ 원가절감 신기술 발굴 및 개발 - 신규 원부재료 발굴 및 적용, 공정개선 연구 등	- 감열지분야 친환경 구색 강화 - 감열/제지기술 분야 원가경쟁력 강화로 수익성 개선

○ 나노셀룰로스 신소재 응용 : 점증제, 우레탄, 고무복합재 등 : 점증제, 매트리스폼 개발, 전동벨트 개발 ※ 신소재 관련 국책과제 1) 리그노셀룰로오스계 바이오매스의 상압 탈리그닌을 통한 리그닌 기반 폼 및 고성능 판상제조기술 개발 (22.04.01~24.12.31)	- 제지 외 분야 신규테마 발굴/개발로 신성장동력 확보 - 산학연 컨소시엄 구성으로 신제품 개발 경쟁력 강화

○ 친환경 패키징 신제품 개발 - Protego, Terravas 구색 다양화 및 제품 : 연포장 적용처 다양화, 종이빨대, 사각/원형용기 개발	- 친환경 신제품 사업확대, 포트폴리오 강화로 신규수익 창출

○ 사업장 기술지원 : 이슈품질 해결, 기기정밀분석 지원 등○ 원가절감 신기술 : 신규원부재료, 신공정기술 등	- 고객 클레임 감소 및 분석인프라를 기반으로 한 분석기술지원 - 제품 경쟁력 강화를 통한 영업경쟁력 확보에 기여

2022	○ 감열지 신제품 개발 (친환경, 특감) - 점증제, 복합재 적용 신기술○ POS 감열지 원가경쟁력 강화	○ 나노셀룰러스 표준제품 개발 : Duralce○ 친환경 화장품 원료 및 기타 나노셀룰로스 적용분야 발굴/확대○ 제지 외 신규사업, 고부가가치 신소재 개발 등 성장기반 확보

○ 플라스틱 대체 친환경 신제품 개발 및 경쟁력 강화 - 연포장재 친환경 종이컵, 종이빨대, 기타 종이용기류 - 신제품 개발 및 제품구색 다양화 (고객맞춤형 신제품) - 원가/품질우위 기술개발 - 산자부 주관 소재부품기술개발사업 참여 등	○ 친환경 연포장 및 종이컵 표준제품 개발 : Protego / Terravas○ 종이 물티슈 개발/런칭 : 고래를 구하는 물티슈○ 친환경 신제품/사업확대, 포트폴리오 강화로 신규수익 창출○ 친환경 신제품/신소재 기술네트워크 강화

○ 감열지 친환경 기술개발 컨셉 연구○ 감열지 및 제지 원가절감 칼라배합 설계○ 친환경 제품 개발 관련 분석기술 확보 및 기술지원	○ 친환경 감열지 신제품 구색 확보로 수익 창출○ 제지사업 원가/품질 경쟁력 강화○ 분석기술역량 강화로 신제품 개발 기여

2021	○ 감열지 신제품 개발 (친환경, 특감)○ POS 감열지 원가경쟁력 강화	○ 제품 포트폴리오 확대, 수익 기반 확보○ 원가 및 품질 경쟁력 강화

○ 나노셀룰로스 신소재 응용기술 개발	○ 제지 외 분야 고부가가치 신수종/신소재 개발로 신성장동력 확보

○플라스틱 대체 친환경 신제품 개발 - Protego, Terravas 제품 다양화 및 원가/품질 경쟁력 - 종이빨대 신제품 개발 - 산자부 주관 소재부품기술개발사업 참여 등	○ 친환경 신제품 사업확대, 포트폴리오 강화로 신규수익 창출○ 친환경 신제품./신소재 기술네트워크 강화

○ 사업장 품질이슈 기술지원○ 원가절감 기술개발 : 신규원부재료, 신공정기술 등	○ 고객 클레임 감소 및 신속대응체제 구축으로 경영성과 기여○ 제품 경쟁력 강화를 통한 영업경쟁력 확보에 기여

- 한솔테크닉스 -가. 연구개발활동의 개요1) 연구개발 담당조직

연구개발 담당조직

회로개발	기구개발

140명	15명

2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	2023년 1분기	2022년	2021년	비고

연구개발비용 계	5,977,624	22,275,826	18,937,925	-

(정부보조금)	-	-	-	-

회계처리	판매비와 관리비	5,977,624	22,275,826	18,937,925	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	1.45	1.35	1.27	-

- 상기 연구개발비용은 연결기준으로 표기하였습니다.나. 연구개발 실적1) 전자부품

모 델	개 발 부 문	기 간	비 고(효과등)

Slim TV SMPS(Depth 7.5mm↓)	선행개발모델	22.07 ~ 24.01	-

디지털 파워	선행개발모델	22.05 ~ 24.03	-

L65SA8NA_BHS(BN44-01165A)	TV_4K_QN85 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

L65SA9NA_CHS(BN44-01214A)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

P250XX_XHS(BN44-0XXXXX)	Monitor_55" / SMPS "선행과제" (Topology 변경)	22.09 ~ 23.01	-

Totempole CCM PFC	선행개발모델	22.11 ~ 23.12	-

Totempole ZVS PFC	선행개발모델	22.11 ~ 23.12	-

M30019PW_CHS(BN44-01237A)	LFD_The Wall_IWC IVC Series / SMPS "양산과제"	22.11 ~	-

BN96-32110I	JDM, SKYWORTH 32" 인도네시아향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840B	CU7000 50" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840C	CU7000 50" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840E	CU7000 50" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56840F	CU7000 50" CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551C	CU7000 55" SDC 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551D	CU7000 55" SDC 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551E	CU7000 55" SDC 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-56551F	CU7000 55" SDC CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055D	CU7000 58" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055B	CU7000 58" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055E	CU7000 58" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57055F	CU7000 58" CIS	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056B	CU7000 65" 구주위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056C	CU7000 65" 구주비위성	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056D	CU7000 65" 영국향	22.08 ~ 23.02	-

BN96-57056E	CU7000 65" CIS	22.08 ~ 23.02	-

3in1 JDM SKW 32inch ( TU5000 )	신규 개발 모델	22.12 ~ 23.02	-

L77QA9N_CHS	QD OLED 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.02	-

L55S6H_CHS	병원 , 호텔향 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.04	-

L75S6H_CHS	병원 , 호텔향 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.04	-

F55E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F65E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F65E7W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F75E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

F85E6W_CHS	LFD 신규 개발 모델	22.12 ~ 23.05	-

CD-PE	전장_Wireless Charger_Charger 보드_CD-PE	23.01 ~ 24.01	-

SV1 (1Coil)	전장_Wireless Charger_Charger 보드_SV1 (1Coil)	23.01 ~ 25.04	-

영상보드 튜너 기술 내재화	COB 튜너 개발, 검증	23.01 ~ 23.12	-

로컬디밍 Q80C 보드 이원화	로컬디밍 Q80C 55"	23.01 ~ 23.08	-

CD-PE	전장_Wireless Charger_Charger 보드_CD-PE	23.01 ~ 24.01	-

SV1 (1Coil)	전장_Wireless Charger_Charger 보드_SV1 (1Coil)	23.01 ~ 25.04	-

AY1 6종 (RCL 3종, DP 2종, DPT 1종)	전장_LAMP_ ASS’Y_AY1 6종	23.03 ~ 25.01	-

L55E6(N)_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L75E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E8N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

AY1 6종 (RCL 3종, DP 2종, DPT 1종)	전장_LAMP_ ASS’Y_AY1 6종	23.03 ~ 25.01	-

L55E6(N)_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L75E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E6N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L65E8N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

L85E7N_BHS	원가절감 VE 변경점	23.02 ~ 23.05	-

3in1 JDM TPV 43inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

3in1 JDM TPV 50inch / 55inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

3in1 JDM TPV 65inch ( AU7000 )	VE 변경점 검토 ( 반도체 3원화 )	23.02 ~ 23.03	-

P98SB9N_CHS	8K OC BOX 신규 개발 모델	23.02 ~ 23.05	-

L77CA8N_BHS	QD OLED 신규 개발 모델	23.03 ~ 23.05	-

L83CA9N_BHS	QD OLED 신규 개발 모델	23.03 ~ 23.06	-

L50SA9NA_BHS(BN44-01162C)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 변경승인 완료)	22.09 ~ 23.01	-

L55SA8NA_CHS(BN44-01236A)	TV_4K_QN85 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 완료)	22.12 ~ 23.03	-

L55SA9NA_CHS(BN44-01235A)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "양산과제" (정식승인 완료)	22.12 ~ 23.03	-

M22013PI_CHS(BN44-01238A)	LFD_The Wall_IWC IVC Series / SMPS "양산과제" (정식승인 진행 중)	22.11 ~	-

P20020_AHS(BN44-01144A)	Monitor_49" / SMPS "양산과제" (효율개선 변경승인 진행 중)	23.02 ~	-

L50SA9NA_BHS(BN44-01162C) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L55SA8NA_CHS(BN44-01236A) VE	TV_4K_QN85 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경)	23.03 ~	-

L55SA9NA_CHS(BN44-01235A) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경)	23.03 ~	-

L65SA8NA_BHS(BN44-01165A) VE	TV_4K_QN85 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L65SA9NA_CHS(BN44-01214A) VE	TV_4K_QN90 Series / SMPS "VE" (Relay PCB T 변경, Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L55S8NA_CHS(BN44-01217A) VE	TV_4K_QN80 Series / SMPS "VE" (Silicon 삭제)	23.03 ~	-

L65S8NA_CHS(BN44-01215A) VE	TV_4K_QN80 Series / SMPS "VE" (Silicon 삭제, Option Eyelet 삭제)	23.03 ~	-

L55SA9NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "신규" (PCB 재질 변경 CEM1 → FR1)	23.03 ~	-

L65SA9NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN90 Series / SMPS "신규" (PCB 재질 변경 CEM1 → FR1)	23.03 ~	-

L55S8NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN80 Series / SMPS "신규" (Depth 변경 18.1mm → 13.1mm)	23.03 ~	-

L65S8NA_DHS(BN44-0XXXXX)	TV_4K_QN80 Series / SMPS "신규" (Depth 변경 18.1mm → 13.1mm)	23.03 ~	-

P25020_CHS(BN44-01243A)	Monitor_55" / SMPS "양산과제" (승인 진행 중)	23.01 ~	-

L85PU_CHS(BN44-01253A)	TV_85인치_Terrace Series / SMPS "양산과제"	23.02 ~	-

L43F7_BHS(BN44-01117B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L50F7_BHS(BN44-01118B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L55F8_BHS(BN44-01119B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L65F8_BHS(BN44-01120B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L75F8_BHS(BN44-01121B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

L85F8_BHS(BN44-01151B) VE	TV_Frame Series / SMPS "VE" (PCB T 변경)	23.01 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 43"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 50"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 55"	23.04 ~	-

JDM TPV CU7000 비위성	JDM TPV CU7000 65"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 43"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 50"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 55"	23.04 ~	-

JDM MOKA CU7000 위성	JDM MOKA CU7000 65"	23.04 ~	-

2) 솔라모듈

모 델	개 발 부 문	기 간	비고(효과등)

IK-BIPV-RTxxx	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 일강, BIPV	22.08~23.01	-

HSxxxWE-XHD20	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 고내구성 친환경,KS	22.04~23.01	-

HSxxxWE-GHD20	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드,KS	22.09~23.02	-

HSxxxWE-GHD30	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드,KS	22.09~23.02	-

HAxxxXE-GDE10	156CELL, 11BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, G2G,KS, 외주	22.09~23.03	-

HSxxxWE-GHD40	156CELL, 9BB, 단결정, M6,하프셀,양면 그리드, 융복합,KS	22.11~23.04	-

3) 반도체

No	연구 과제	연구내용 및 기대효과	연구결과 및상품화 여부	개발 연도

1	플라즈마 주1) 코팅용 세라믹 파우더 과립화	현재 상용으로 사용되는 플라즈마 코팅용 과립분말은 모두 외산 분말이며, 반도체 공정에 적합한 소재는 희토류 주2) 계열의 희귀금속으로 자체 생산을 통한 원료 수급능력 강화 및 제조원가 절감	실용화 완료자사 세정코팅 사업부에서 코팅 원료로 사용함	2007∼2008

2	높은 경도의 Al 용사 주3) 공정개발	Al 용사 코팅 된 Al 소재는 코팅 과정에서 급랭, 응축에 인한 표면 취성 단점을, 경도가 우수한 Al 용사공정개발 하여, 파티클 주4) 소스를 개선함	실용화 완료	2009∼2010

3	세라믹 합성분말 파우더 개발	세라믹합성분말 파우더 개발, 합성분말 코팅 後 저 Crack 성으로 파티클 미 발생 성능 매우 우수.	개발완료	2010∼2011

4	분말증착장치(INC)	상온에서 Binder와 첨가제를 사용하지 않고 소재의 본연의 특성을 구현할 수 있는 나노 구조체를 가지는 코팅 공정 기술로서, 초정밀 반도체 제조공정에서 오염물과 나노크기의 파티클의 제어가 우수하다	실용화 완료	2011~

5	공정장비의 코팅방법 및 이를 이용한 코팅 구조(DLC)	종래기술인 APS 코팅층 위에 반도체 공정특성을 고려한 제2코팅층(INC,SPS,…etc)을 형성하여 Particle제어 및 공정수율 우수 효과	실용화 완료	2014~2015

6	반도체장비부품 내플라즈마 코팅	고밀도의 플라즈마 식각 공정 중 발생하는 파티클 문제 보완 장비 부품 수명 향상을 위한 고밀도 세라믹 코팅	실용화 완료	2013~2015

7	고열전도 플라즈마 내식성 코팅	디스플레이 공정중 발생하는 플라즈마에 의한 부품 손상을 방지하기 위한 고 열전도, 플라즈마 내식성 코팅 제품	기술개발완료
실용화 완료	2019~현재

8	고출력 반도체 장비 부품 내플라즈마 코팅	반도체 식각 공정의 조건 가혹화에 따라 플라즈마 내식성이 향상된 초고밀도 세라믹 코팅	기술개발 중	2021~현재

9	고출력 반도체 장비 부품 내플라즈마 코팅	다양한 반도체 식각 공정에 따라 표면 형상이 향상된 Pit-less 초고밀도 세라믹 코팅 (INC+) 개발	기술개발 중	2021~현재

주1) 플라즈마 : 원자핵과 전자가 분리된 가스 상태를 말하며, 고밀도의 양이온과 전자를 같은 수로 가진 이온화 기체를 말합니다. 종래에 우리주위의 물질은 액체, 고체, 기체 3가지 상태로 구분해왔지만, 근래에는 플라즈마가 추가되어, 물질은 고체, 액체, 기체, 플라즈마 상태로 존재한다고 말해야 합니다.
주2) 희토류 : 멘델레예프 원소주기율표의 제 3족에 해당되는 란타넘족원소 및 21번 스칸듐과 39번 이트륨을 포함한 총 17개의 원소를 의미하며, 희토류는 현재 최첨단 IT기기에 들어가는 원재료이며, 이 희토류가 없으면 최첨단 기기도 없어지게 됩니다. 이렇게 중요한 희토류이기에 최근에는 희토류의 무기화라는 말이 거론될 정도입니다. 전 세계 희토류 생산량의 약 97%가 중국에서 생산됩니다.
주3) Al 용사: 두 개의 알루미늄 선재를 전극으로 하고, 전극 끝 부분에 아크를 발생시켜 재료를 용융시킴과 동시에 압축공기 제트로 분사시켜 코팅 피막을 형성하는 기술입니다.
주4) 파티클 : 반도체 소자의 식각 공정 중, 챔버 내부 부품의 손상으로부터 발생하는 입자로 이를 통하여 반도체 소자의 불량이 발생하며 반도체 양산 성능을 저하시키는 주요 원인이 됩니다.