디아이 반기보고서 (2024.06)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 경영상의 주요계약 등공시서류 작성기준일 현재 연결회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인중요계약은 없습니다.

나. 연구개발활동(1) 연구개발 담당조직

(2) 연구개발비용(단위 : 원)

과 목	2024년 반기	2023년 반기	2022년

원재료비	356,421,293	359,049,874	1,214,002,396

인건비	2,449,879,031	2,827,493,414	5,827,376,452

감가상각비	263,342,062	248,698,735	355,303,193

위탁용역비	-	-	40,000,000

기타	382,561,712	302,943,480	1,344,819,551

연구개발비용 소계	3,452,204,098	3,738,185,503	8,781,501,592

회계처리	판매비와 관리비	3,432,210,510	3,704,475,424	8,750,184,623

제조경비	19,993,588	33,710,079	31,316,969

개발비(무형자산)	-	-	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	4.3%	3.6%	3.8%

※ 연결 기준

(3) 연구개발 실적【 반도체 검사장비 사업부문 】

연구과제	연구기관	연구결과 및 기대효과	연구결과의 반영내용

1. Burn-In Tester 국산화개발	내부연구소	Dynamic 및 Monitoring Burn-In Tester의 개발에 성공하여 장비의 국산화에 따른 수입원가 절감에 기여하였고 이를 토대로 차세대 Burn-In 검사장비개발	MBT1500 및 1700 시리즈양산 및 납품

2. 차세대 MBT Tester용 Software개발	호서대와 내부연구소 공동개발	새롭고 다양한 Burn-In Test용 Software를 산.학 협동으로 개발하여 차세대 장비의 국산화 및 양산화개발 수행.	차세대TBT 장비에 운용 될Software 개발

3. LCD 관련 Aging Tester용 Module Tester개발	내부연구소	제2의 반도체로 불리는 LCD 후공정의 필수검사 장비인 LCD Aging Tester와 LCD ModuleTester를 국산화	국내업체에 시험용 및 양산용 장비를 납품.

4. LCD Tester용 Software 개발	호서대 위탁연구개발	LCD Tester용 Software를 국내 기술력으로 개발하여장비의 양산 성공, 장비생산 기술력을 높이는데 기여.	양산용 장비에서 운용될다양한 Testing Program 개발

5. Wafer Prober 양산화 개발	내부연구소	반도체 전공정의 필수 장비인 Wafer Prober를 국산화 및 양산 성공	국내 반도체 제조업체에 납품 및 해외수출

6. A.F.M 국산화 개발	서울대와내부 연구소공동 개발	수입에 의존하던 첨단 현미경인 AFM을 서울대와 공동으로 개발에 성공하여 수입대체 효과를 높였으며국내의 기초 및 응용 과학 연구개발에 기여	국내의 대학교, 기업체, 정부 출연 연구소 등에 연구용으로판매

7. Wafer Test Board 양산화 개발	내부연구소	일본 안도전기(현 요코가와 전기)와 공동개발한 Wafer EDS Tester(웨이퍼 레벨 메모리 테스터)에 장착되는 전용 Test Board로써 메모리칩 생산공정에수율 및 원가절감에 기여	Wafer Test Board 양산 개시

8. Test Burn-In Tester 개발 (1)	내부연구소	기존 MBT 대비 다양한 검사항목을 가진 장비로써 국산화를 통하여 수입원가 절감 및 신규 수익원 창출	TBT 양산 개시

9. Wafer Burn-In Tester 개발	내부연구소	Wafer 상태에서 Burn-In 검사공정을 수행하는 장비로써 생산공정 수율 및 원가절감에 기여	WBT 양산 개시

10. Row Cost RDU 개발	내부연구소	저가의 Microprocessor를 사용하여 메모리의 불량해석 및 구제를 수행하는 시스템을 개발하여 향후테스터 개발 시 기반기술을 확보함	개발 완료 및 WBI System에 탑재 완료

11. RA Library 개발	내부연구소	RDU 시스템에서 사용되는 Redundancy Analysis 기능을 Library로 구성하였고 자체 RA Algorithm개발 시 기반 기술 확보	개발 완료 및 WBI System에적용 완료

12. Test Burn-In Tester 개발 (2) (차세대 검사장비)	내부연구소	기존 TBT에 비해 대용량 Device를 검사할 수 있으며차세대 메모리 디바이스인 DDR-3 검사 기능을 보유함으로써 지속적 수익 창출 기대	기존 시장 유지, 신규시장개척 효과 유지

13. 대전류 MBT 개발	내부연구소	대 전류구동이 가능한 MBT를 개발하여 360 Density를 초과하는 480 ~ 512 Density까지 Test 가능한 Tester를 개발하였으며 Power Supply를 5개까지 구현 가능하여 다전원 Device의 Test를 가능하게 함	개발완료

14. Test Burn-In Tester 개발 (3)	내부연구소	현재 양산 중인 48 Slot의 TBT장비를 60 Slot까지Test 가능하게 개발하여 한번에 많은 양의 Device를Test 가능하게 장비를 구현함	개발완료

15. Multi Flexibility Tester 개발	내부연구소	High speed와 폭넓은 I/O 사양으로 기존 Memory test 공정을 대체할 차세대 설비임	MFT 양산 개시

16. 고속 패키지 번인테스터 개발	내부연구소	MEMORY DEVICE 의 PACKAGIING 상태에서 BURN-IN TEST 하는 시스템으로 기존 시스템(10MHz) 보다 빠른 200MHz 까지 TEST 가능하고, 많은 MEMORY를 동시에 HIGH SPEED로 TEST 가능한 고속 번인테스터임.	DF-2200 양산 개시

17. 고속 웨이퍼 테스터 개발(NAND)	내부연구소	WAFER MEMORY TEST 시스템으로서 WAFER 상태에서 DEVICE를 테스트하며, FAIL MEMORY 기능과 REDUNCY ANALISYS 기능이 있음. 100MHz의 TEST SPEED와 많은 I/O PIN과 DEVICE POWER, HIGH-VOLTAGE DEVICE POWER 기술이 적용되었음.	DF-8600 양산 개시

18. DDR5 DRAM 웨이퍼 테스터 개발	내부연구소	DRAM 웨 이퍼 테스터를 국내 최초 개발 및 양산 적용하였으며 FM 의 구동방식을 기존의 AFM 방식이 아닌 서버 방식을 국내 최초 적용하여 개발. HBM3E 웨이퍼 대응을 위한 장비의 성능개선 연구개발을 완료하여 HBM 웨이퍼 양산에도 적용이 가능함.	DF-5200 양산 개시

【 전자부품 사업부문 】

연구과제	연구기관	연구결과 및 기대효과	연구결과의 반영내용

전파흡수체	내부연구소	1. 코팅공정 및 기존공정과 복합 연계하여, 생산공정기술을 확보하고 유기적인 아이템 개발 2. 자체 기술 개발을 이용한 안정적인 생산력 확보 및 품질 안정화 3. 다양한 특성의 제품군확보로 고객 Needs에 맞는 제품 소개 및 적용 4. IDA-RM : 다양한 형상을 구현할 수 있는 형상가공 공정 개발 5. 설비 내재화를 통하여 단가 절감 6. 제품상/공정상 문제점 또는 SPEC 변경에 빠른 대처 가능 7. 고주파대역(20GHz이상) Noise 차폐용 흡수체 개발 8. 5G 대역 Noise 타겟 흡수체 개발	- 양산품 적용

복합흡수체	내부연구소	1. 흡수 열전 성능을 가진 복합제품 2. Noise를 흡수 및 수직 열확산 효과로 다양하게 적용 가능 3. 제품 Line-up 다양화를 통한 적용처 확대 4. 내열도 상승 제품 개발 진행 5. 고 방열성능 제품 개발 진행	- 양산품 적용

SMT Gasket	내부연구소	1. Wrapping Type → TF활동으로 공정 개선 : 불량률 저하, 생산성 증대 → 당사 기존 양산품 대비 소형제품 개발 완료 → PI Film 금도금 제품 개발 중 : 금도금 Line Set-up 완료 → Foam Gasket 대체용 측면 접지형 SMT Gasket 개발 완료 2. Coating Type → 공정개선 및 수율 향상 관리 : 불량율 저하 및 생산성 증대 → 도전성 Paste를 실리콘 코어에 코팅하여 도전성 부여 → IDSMT-W Series 대비 단가 저렴하고 불량율이 낮음 → 원가절감 및 특성 증대 위한 파우더 TEST 지속적으로 진행 중 3. CF Type → Shield Can Wall용 개선 제품 개발 완료 → Black IDCF 개발 중 4. None Conductive → SMT-N Type Gap Supporter 개발 완료 → 외부 충격 및 진동 시 PCB에 부착되어 있는 전기 부품 및 Module 등을 보호 → 탁월한 쿠션성 및 복원력, 전기절연성 특성 보유	- 소형제품 8종 개발 및 양산품 적용 완료

열전	내부연구소	1. 2액형 Gap Filler 개발 (Silicone) → 전자기기 및 전기 자동차 적용을 위한 2액형 Gap Filler 개발 → 2W 급 → 3W 급 2. 2액형 Gap Filler 개발 (Urethane) → 전자기기 및 전기 자동차 적용을 위한 2액형 Gap Filler 개발 3. 고방열 (10W↑) 제품 개발 4. 박형 제품 개발(0.5T↓) 5. 저오일 Type 열전패드 개발	1. 2액형 Gap filler 개발(Silicone type) - 2W 3W 개발 완료 - 원자재 저가화 TEST 진행 - 저장안정성 증대 TEST 진행 2. 저오일 열전 패드 개발 진행 - 원자재 수급 및 샘플 제작완료 3. 고방열 열전 패드 개발 - 10W, 12W, 15W 4. 박막 열전패드 개발 - 0.5T ↓

배터리 소재	내부연구소	1. 실리콘 폼 개발 → 전기차 배터리용 실리콘 폼 개발 → 발포제를 이용한 자연발포 → CFD특성에 따른 외부충격 및 진동 방지 2. TPP(열폭주방지) 시트 → 전기차 배터리용 열확산 방지 시트 개발 → 화재시 배터리 모듈내의 배터리팩끼리의 연쇄 폭발 방지	1. 실리콘 폼 Promotion용 sample test 중 2. TPP특성을 갖는 실리콘폼 개발 중 3. 실리콘 폼 Pilot 양산성 확보 Test 진행 中