DB하이텍 사업보고서 (2023.12)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

회사명	조직명	담당조직	주요업무

DB하이텍	기술개발실	개발 5개팀
TE(Technology Enabling)센터 3개팀	Analog Power 기술개발 Embedded NVM 개발 SJ MOSFET, IGBT, GaN, SiC 고전력소자 기술개발
CMOS Image sensor Technology 개발 (FSI/BSI), Silicon Trench Capacitor 공정개발 RF, Mixed Signal 기술개발 PDK 개발, eNVM IP 및 Library 개발,
EDA Software 도입 기술 검토 및 License 관리,
Engineering 서버 도입 기술 검토 및 유지 관리
ESD 소자 개발 및 제품 ESD Solution 제공
TCAD 분석을 통한 공정/소자 개발 지원
Device Characterization, SPICE Modeling

DB글로벌칩	제품개발담당	설계 2개팀Layout 팀선행개발팀상품기획파트	OLED TV, Notebook PC, Tablet, Mobile용 DDI 개발
LCD TV, Monitor용 DDI 개발
High Speed Serial Interface 개발(Intra Panel Interface)
Mipi D-Phy, Mipi CD-Phy Combo 개발
UVM 기반 Design Verification
화질개선 및 Panel 보상 IP 개발
Layout Drawing Verification DDI용 PMIC 개발 (DCDC Converter, LDO, Level Shifter 등) 신규제품 개발 발의 및 Roadmap 수립

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제71기	제70기	제69기	비 고

원 재 료 비	8,689,980	8,604,070	7,085,029	-

인 건 비	34,618,141	34,696,694	28,485,321	-

감 가 상 각 비	7,838,949	5,630,772	6,282,204	-

위 탁 용 역 비	20,793,125	18,950,166	18,067,788	-

기 타	16,440,174	12,808,083	9,330,766	-

연구개발비용 계	88,380,369	80,689,785	69,251,108	-

회계처리	판매비와 관리비	84,040,313	77,174,442	65,758,871	-

제조경비	-	-	-

개발비(무형자산)	4,340,056	3,515,343	3,492,237	-

정부보조금	(123,248)	(124,655)	3,313

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	7.66%	4.83%	5.70%	-

※ 상기 기재된 금액은 연결기준입니다.

나. 연구개발 실적(최근 5년간)

연구과제	연구결과 및 기대효과

Fab1 0.15um 스마트폰 PMIC 공정개발	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

0.15um LDI 공정개발	FHD/UHD TV향 LDI 공정개발

0.15um PMIC 공정개발	고전력 소자용 Logic 공정개발

0.13um BCDMOS 저전압 공정개발	0.13um 모바일향 Bipolar CMOS DMOS 공정개발

0.18um BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발	0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발

TV/Tablet용 Display향 0.18um BCDMOS 공정개발	0.18um급 BCDMOS Panel Power Bias IC 공정개발

Super Junction MOSFET 600V 공정개발	전력반도체 기반기술 개발

0.13um 터치스크린향 eFlash Macro IP 확보 공정개발	고기능/고속도 터치스크린향 eFlash 공정개발

0.18um BCDMOS 업그레이드 공정개발	모바일/TV향 BCDMOS 성능강화 공정개발

Fab2 0.15um PMIC Gen.2 공정개발	0.15um급 MTK향 스마트폰 PMIC 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 공정개발	고전압 영역(600V/650V/700V) 전력반도체 공정개발

Fab1 0.15um PMIC Gen.2 공정개발	0.15um급 MTK향 스마트폰 PMIC 공정개발

0.11um 1.2V/13.5V DDI 공정개발	0.11um급 Logic 1.2V/ HV 13.5V DDI 공정개발

0.13um BCDMOS 자동차용 공정개발	0.13um급 고전압(60V/80V/100V/120V) 영역 BCDMOS 공정개발

0.18um BCDMOS 고전압 공정개발	0.18um급 전압영역 확대(100V) BCDMOS 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 전자선 조사 개발	Super Junction MOSFET 기반 Fast Recovery 특화 제품개발

Super Junction MOSFET Gen.2 800V 파생 공정개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(800V) 공정개발

0.18um 1.8V/7V Analog CMOS 공정개발	공정 Step 감소를 통한 원가경쟁력 향상 공정개발

0.11um LDI Mirror Metal 공정개발	고휘도 특성 구현을 통한 AR/VR 시장 대응

Super Junction MOSFET Gen.2 500V 파생 공정개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(500V) 공정개발

SJ MOSFET Gen3 (w/FRD) 공정개발	SJ Gen3 650V 공정 Backborn 공정 Design 플랫폼 구축

BD180XA공정개발	고수익/안정적 성장 시장(Automotive, Industrial) 확대

0.13um BCDMOS 2세대 저전압 공정개발 (BD130LVA)	0.13um Mobile향 BCD 공정의 No.1 브랜드 유지 매출 및 이익률 극대화

UHV700 G2 ESD Self Protection 개발	2세대 700V 급 LED Driver 및 AC/DC 제품향 공정개발

SJ Gen3 600V 공정개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (600V) 공정개발 구축 완료

SJ Gen3 700V 공정개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (700V) 공정개발 구축 완료

Fab2 BD180XA 공정 이관 셋업	Fab2 0.18um HV BCD 공정 확보로 A 물량 및 매출 확대

0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발	0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발

90nm CIS 기술개발	90nm급Mobile향 고화소CIS 기술개발

모바일향 Switch용 RF 공정개발	모바일의 Wide Band 지원 고성능 RF 공정개발

0.11um 1.5/3.3V CMOS 공정개발	0.11um급 저전력 Mobile향 공정개발(Audio Codec, 센서 등)

90nm Mixed Signal 공정개발	90nm급 공정개발을 통한Sony/AKM향Audio 제품시장 유지 및 확대

지문인식센서향 Mixed Signal 공정개발	0.18um급 지문인식센서 공정개발

모바일향 RF HRS Gen2 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 및 0.11um 저잡음 증폭기 공정개발

모바일향 RF SOI Gen2 공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 공정개발

모바일향 RF HRS Gen3 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드

모바일향 RF SOI Gen3공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드 및 95nm 저잡음 증폭기 공정개발

0.11um 90nm CIS BSI 공정개발	보안용 고화소 카메라 시장대응 공정개발

Global Shutter Pixel 및 제품개발	고속 동작 피사체에 대한 왜곡 없는 촬상을 위한 Global Shutter pixel 공정개발 및 이를 통한 제품개발

SPAD(Single Photon Avalanche Diode) Pixel 개발	자동차 LiDAR, 의료 진단, 및 3D Imaging Sensor 개발을 위한 SPAD Pixel 공정개발 및 이를 통한 제품개발