DB하이텍 분기보고서 (2020.09)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 산업의 특성 반도체는 모든 IT 제품에 들어가는 핵심 부품입니다. 따라서 컴퓨터를 비롯해 통신기기, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계, 컨트롤 시스템 등 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 반도체는 정보를 저장하고 기억하는 메모리 반도체와 연산과 추론 등 논리적인 정보처리 기능을 하는 시스템 반도체로 구분 할 수 있습니다. 2020년도 세계 반도체 시장규모는 약 4,492억불(이하 '미 달러 기준') 규모 이며 이 중 당사가 영위하고 있는 시스템 반도체는 전체 반도체 시장의 약 70%를 차지하고 있습니다. 시스템 반도체는 고기술, 고성장, 고부가가치의 유망산업으로 사물인터넷, 웨어러블, 스마트폰, 고해상도 TV, 자동차, 보안장비 등 다양한 분야에 활용되고 있습니다. 나. 업계의 현황 2019년 세계 반도체시장은 2018년 대비 12% 하락하였으나 2020년은 전방산업의 꾸준한 성장과 다양한 신규시장의 출현으로 2019년 대비 5% 성장이 예상됩니다. 당사는 빅데이터, 인공지능 등의 신기술과 사물인터넷, 스마트폰, 웨어러블 등의 시장분야에 계속해서 집중할 계획입니다. 2020년 제품별 반도체 시장은 전년대비 메모리 20%, 로직 6%, 마이크로콤포넌트 -2%, 아날로그 -3%, 옵티컬 반도체 -4%의 성장률을 보일 것으로 전망되며, 어플리케이션별로는 데이터 프로세싱 12%, 커뮤니케이션 9%, 컨슈머 -1%, 산업용 -3%, 자동차용 -20% 수준이 예상됩니다.

또한 반도체 시장은 4차 산업혁명 시대를 맞이해서, 전자산업을 비롯해, 자동차, 항공 의료 등 여러 산업분야에서 수요가 증가할 것으로 예상이 됩니다. 이러한 4차 산업혁명 시대에서는 시스템 반도체의 성장, 통신과 센서 분야의 성장이 예상되어 당사에서는 기존의 포트폴리오를 정비하고 지속 성장 할 수 있는 기술을 개발할 계획입니다.

다 . 회사의 현황 회사는 부천에 본사를 두고 있으며, 부천(FAB1)과 상우(FAB2) 두 곳에 공장을 두고 있습니다. 또한 해외 영업을 위해 미국법인 및 대만, 일본, 중국 지사를 운영하고 있습니다.회사의 주요 사업부문은 웨이퍼 수탁 생산 및 판매를 담당하는 Foundry 사업과 디스플레이 구동 및 Sensor IC 등 자사 제품을 설계, 판매하는 Brand 사업을 운영하고 있습니다.

라. 영업개황 (1) 지배회사 및 종속회사 [지배회사] DB하이텍 회사는 부가가치가 높고 시장이 큰 Analog 파운드리를 강화하고 있으며, 이와 병행하여 자사 제품 사업 영역을 확장해 가고 있습니다.

파운드리 사업은 공정 Shrink를 통한 효율 향상, Product Life Cycle 연장, 특화 공정 확대를 통한 수익률 제고 등을 추진하고 있습니다. 또한 Mixed Signal 제품 및 고객 확대, Analog 공정 특성 강화 및 신규공정 개발에도 주력하고 있습니다.

CIS(CMOS Image Sensor) 공정은 Mobile 용 Mega 제품에 대한 수주 확대 및 Non-Mobile 용 제품인 Security, Automotive, Medical, 조도센서, 지문인식 제품에 대한 개발 및 신규 고객 발굴로 매출이 점차 증가하고 있습니다. Flash 공정은 기존 Standalone Flash 외 미래 성장을 위한 고부가 공정기반의 Embedded Flash(eFlash) 공정개발을 완료하여 양산 중이며, 사업확대를 위해 MCU, Touch Sensor 시장 등을 목표로 전략 고객 프로모션을 강화하고 있습니다.

최근 회사의 Analog Power 공정에 대한 수요 증가로 국내 및 해외 전략고객에 대한 제품 생산을 확대하고 있습니다. 특히 최근 급성장하고 있는 중국 팹리스 시장과 생산시설을 줄이는 팹라이트(Fab-Lite) 경향이 커지고 있는 일본 시장에서 Analog 반도체 파운드리로서 자리를 확고히 하며 대형고객을 중심으로 수주를 늘려가고 있습니다. 또한 경쟁사 대비 용도별 최적화된 공정기술과 핵심기술을 확보하여 Analog반도체 전문기업으로서의 위상을 높여 나가고 있습니다. 브랜드 Display 구동 IC 사업은 TV, IT 및 Mobile 용 등 디스플레이와 관련된 제품 포트폴리오를 다양하게 구축하고 있으며 특히 UHD TV, OLED 관련 제품 등 고성장분야에서의 경쟁우위를 점하기 위해 역량을 확대하고 있습니다. 또한 국내 뿐만 아니라 중국 등 해외 고객을 중심으로 프로모션을 강화하고 있습니다. 회사는 지속적인 신규고객 발굴, 사물인터넷, 웨어러블, VR/ AR, 자동차 등 새로운 성장 분야에서의 제품 포트폴리오 확대, Mobile / UHD TV / OLED TV 등 고성장 분야에서의 경쟁력 강화 등을 통해 지속 가능한 미래성장을 도모하고 있습니다.

[종속회사] DB HiTek USA

2003년 2월 미주 지역의 Foundry 및 신사업 촉진을 위한 영업ㆍ마케팅 활동과 선진기술 도입을 목적으로 미국 캘리포니아주 산타클라라에 설립되었습니다.

미국 지역의 Foundry 고객에 대한 밀착 지원 및 신규 고객에 대한 Promotion과 자사제품에 대한 설계 및 개발을 주요 사업으로 하고 있습니다.

(2) 공시대상 사업부문의 구분 회사는 단일사업인 반도체사업만을 영위하고 있습니다.

(3) 시장점유율 등

최근 3년간 각 부문별 시장점유율 및 경쟁사의 점유율은 다음과 같습니다.

구 분	DB하이텍	TSMC	GlobalFoundries	UMC	SMIC

Foundry	2019년	2%	52%	10%	8%	5%

2018년	2%	50%	10%	8%	5%

2017년	2%	50%	10%	8%	5%

(*) 시장조사기관(HIS) 자료 기준 'Pure play foundry market tracker'

마. 신규사업 등의 내용 및 전망 회사는 Fab 특성에 맞게 Analog 응용분야에 주력함으로써 Specialty Foundry 분야의 선도기업 지위를 유지하는 한편 MEMS(가속도센서, 회전축센서), IGBT(자동차) 등 신규 공정개발을 통한 미래 먹거리 발굴로 지속성장을 도모하고 있습니다.

한편, 자사 Brand 사업은 Display Solution, Sensor Solution 및 TDDI(Touch+LDI), OLED향 Driver IC 등의 고부가가치 제품 확대를 통해 미래 성장을 준비하고 있습니다. 바. 조직도

2. 주요 제품, 서비스 등가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)

매출유형	품 목	구체적용도	주요고객	매출액

제품(Wafer/ Chip)	Fab System-LSIWafer 외	신호처리용 Chip제조용 Wafer 외	Mediatek, Siliconworks, Superpix, SDC 등	708,101

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : $)

구 분	제68기 3분기	제67기	제66기

Fabricated System-LSI Wafer(반도체)	~0.13㎛	315~1,500	315~1,033	300~1,003

~0.18㎛	252~1,679	252~1,647	252~1,685

~0.25㎛	572~660	582~660	582~660

0.35㎛~	250~870	293~803	240~1,180

3. 주요 원재료에 관한 사항 가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원, %)

매입유형	품 목	구체적용도	매입액	비 율	비 고

원재료	Wafer	공정용 Wafer	양산공정용	59,669	51%	Siltron / Shin-Etsu 外

Chemical	공정용 Chemical	양산공정용	29,459	25%	동우화인켐 外

Gas	공정용 Gas	양산공정용	6,942	6%	SK머티리얼즈 外

Target	공정용 Target	양산공정용	1,757	2%	KFMI 外

Reticle	Photo Mask	양산 및 개발용	14,660	13%	DNP / TPK 外

부재료	기타	공정용부자재	Line 소모품	3,559	3%	롬엔드하스 外

합 계	116,047	100%	-

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이(단위 : $)

구분	품목	제68기 3분기(Unit Price)	제67기(Unit Price)	제66기(Unit Price)	비고

Wafer	국내/수입	공정용 Wafer	$46.40	$50.46	$51.66	평균단가산출

Chemical	국내/수입	Slurry Chemical 류	$5.70	$6.73	$5.54

국내/수입	Wet Process Chemical	$1.07	$1.16	$1.13

Gas	국내/수입	공정용 Gas	$854.95	$908.63	$873.54

(1) 산출기준

- 산출대상 : 반도체 FAB Process용 원,부재료 중 매입액 상위 품목 선정

- 산출단위 : Wafer(Piece), Chemical(Liter, Gallon, Kg), Gas(Cyl)

- 산출방법 : 평균단가(2) 주요 가격변동 원인

- 국내외 시장의 수급상황에 따른 가격 변동(3) 가격변동 세부내역 - Wafer : 4차 산업혁명의 영향에 따른 전세계 200mm Wafer Demand 증가세는 완만해졌으며, 당사는 주요 공급사들과 정기적인 협상을 통해 안정적인 운영을 하고 있습니다. - Chemical : Ceria Slurry 단가의 주요 원재료인 Ce-Carbonate 45%~50%의 3분기 국제가는 20년 2분기($1,713) 대비 4.3%하락되었습니다. - Gas : 주요 가스인 NF3의 수급은 안정화 되었으며, 수급상황은 지속 점검하고 있습니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

(1) 생산능력(단위 : Wafer , 백만원)

품 목	사업소	제68기 3분기	제67기	제66기

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Fabricated-LSI Wafer	부천 Fab	74,000	70,000	-	67,000	-

상우 Fab	55,000	52,000	-	50,000	-

소 계	129,000	122,000	-	117,000	-

(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함.

(2) 생산능력의 산출근거(가) 산출기준 및 방법 등

① 산출기준 - 반도체 표준생산능력 : 부천 FAB 74,000 / (월), 상우 FAB 55,000 / (월)

- 월 : 31일 기준 ② 산출방법

-표준생산능력 : Loading Capacity

나. 생산실적 및 가동률(1) 생산실적

(단위 : Wafer, 백만원 )

품 목	사업소	제68기 3분기	제67기	제66기

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Fabricated-LSI Wafer	부천 Fab	628,698	692,208	-	686,068	-

상우 Fab	455,891	544,731	-	507,677	-

합 계	1,084,589	1,236,939	-	1,193,745	-

(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함.

(2) 당해 가동률(단위 : 시간, %)

사업소(사업부문)	분기간가동가능시간	분기간실제가동시간	평균가동률

반도체	부천 Fab	973,601	967,972	99.42%

상우 Fab	795,456	766,007	96.30%

합 계	1,769,057	1,733,979	98.02%

* 산출기준은 아래와 같습니다.

① 평균 가동률 : Loading rate(%) = 연간 Input 총량÷연간 Capa 총량

② 연간 가동가능시간 : In-Line MFG 장비대수×일 24시간 × 연간 생산일수 ③ 연간 실제가동시간 : 2019년 가동 가능시간 × 평균 가동률

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황

[자산항목 : 토 지 ] (단위 : 백만원 )

사업소	소유형태	소재지	구분(㎡)	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고(공시지가)

증가	감소

반도체	자가	부천	54,543	102,924	-	-	-	102,924	124,715

반도체	자가	음성	515,512	29,551	102	1,277	-	28,376	20,202

반도체	자가	여주	7,299	578	-	-	-	578	350

합 계	577,354	133,053	102	1,277	0	131,878	145,267

[자산항목 : 건 물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	24,077	-	-	5,462	18,615	-

반도체	자가	음성	-	101,836	-	3,648	98,188	-

반도체	자가	여주	-	562	-	-	19	543	-

합 계	-	126,475	0	0	9,129	117,346	-

[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	2,376	235	54	124	2,433	-

반도체	자가	음성	-	3,405	66	-	1,587	1,884	-

반도체	자가	여주	-	304	-	-	144	160	-

합 계	6,085	301	54	1,855	4,477	-

[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	102,903	34,968	80	20,357	117,434	-

반도체	자가	음성	-	177,555	23,028	28	26,774	173,781	-

합 계	-	280,458	57,996	108	47,131	291,215	-

[자산항목 : 차량운반구] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	음성	-	-	79	-	4	75	-

합 계	0	79	0	4	75	-

[자산항목 : 공구와 기구] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	-	-	-	-	-	-

반도체	자가	음성	-	2	-	-	2	-	-

합 계	2	0	0	2	0	-

[자산항목 : 비 품] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	4,194	2,457	-	1,350	5,301	-

반도체	자가	음성	-	1,969	1,666	-	636	2,999	-

종속회사(DBH USA)	자가	미국	-	11	12	-	15	8	-

합 계	-	6,174	4,135	0	2,001	8,308	-

[자산항목 : 입 목] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	음성	-	1,040	-	-	-	1,040	-

합 계	-	1,040	0	0	0	1,040	-

(2) 설비의 신설ㆍ매입 계획 등( 가) 진행중인 투자

(단위 : 억원)

사업부문	구 분	투자기간	투자대상 자산	투자효과	연초투자계획금액	당기투자액	차년도투자이월액	비 고

반도체	보완	2020.01.01-
2020.09.30	기계장치외	생산능력보완증설	701	687	-	capacity 보완

합 계	701	687	-	-

(나) 향후 투자계획(단위 : 억원)

사업부문	계획명칭	예상투자총액	연도별 (예상)투자액	투자효과	비고

자산형태	금 액	제68기	제69기	제70기

반도체	보완	기계장치외	미정	701	미정	미정	capacity 보완	-

합 계	미정	701	미정	미정	-	-

* 당사는 향후 Capacity의 보완을 위한 투자가 있을 것으로 예상되나, 그 금액은 확정되지 않았습니다.

5. 매출 에 관한 사 항가. 매출실적

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제68기 3분기	제67기	제66기

반도체	제품,서비스	Wafer	수 출	585,701	632,234	519,060

내 수	100,678	145,916	128,473

합 계	686,380	778,150	647,533

기타	기타	-	수 출	16,980	22,640	15,366

내 수	4,741	6,626	6,380

합 계	21,721	29,267	21,746

합계	수 출	602,681	654,874	534,426

내 수	105,420	152,542	134,853

합 계	708,101	807,416	669,279

나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직( ( )은 보고서 작성기준일 현재 인원임) - Foundry 영업본부: 마케팅(17), 영업(16), 미국법인 (5), 중국지사(7), 대만지사(4), 일본지사 (3), 영업관리 (12) - Brand 사업본부: 영업(16)

(2) 판매경로

- 대리점거래 : 일부 국내 및 중국 고객 - 직 거 래 : 대만, 일본, 유럽 고객 및 국내, 중국 일부 고객 - 해외법인을 통한 거래 : 미주 고객(3) 판매방법 및 조건

- 대리점 거래의 경우 주문서 입수 및 납품, 수금을 모두 대리점을 통해 진행하며 결제조건은 보통 60일이나, 고객과의 계약조건에 따라 다름 - 직거래의 경우 고객으로부터 직접 수주해 납품 및 수금을 진행하며 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름 - 해외법인을 통한 거래는 주문서의 입수 및 납품, 수금을 모두 해외법인을 통해 진행하며, 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름(4) 판매전략

- Analog 제품 및 Mixed Signal 제품 위주의 Specialty Foundry 매출 확대 - 사업전략에 맞는 제품 Portfolio로의 빠른 전환을 통한 수익성 극대화 - 미국, 일본, 유럽, 중국 등 해외 거래처 확대 및 지역 특색에 맞는 제품 전략 수립, Focusing

- 신제품 조기 개발 및 양산을 통한 적기 시장 진입, 고객 만족도 향상 - 공정 감축, 원가절감 활동을 통한 수익성 제고 - Market Trend 상시파악 및 선행조치를 통한 고객확보 및 매출 극대화 6. 수주상황

(단위 : wafer, K$)

품목	수주일자	납기	수주총액	기납품액	수주잔고

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Fabricated System -LSI Wafer	1월~9월	제품에 따라 다르나평균2개월	1,165,282	646,307	1,080,843	599,474	84,439	46,833

합 계	1,165,282	646,307	1,080,843	599,474	84,439	46,833

7. 시장위험과 관리 가. 재무위험관리

1. 재무위험 관리요소

연결실체의 재무위험관리는 주로 시장위험(외환위험, 이자율위험 및 주가변동위험), 신용위험 및 유동성위험에 대해 전사 각 사업주체가 안정적이고 지속적으로 경영성과를 창출할 수 있도록 지원하고, 동시에 재무구조 개선 및 자금운영의 효율성 제고를 통하여 금융비용을 절감함으로써 사업의 원가경쟁력 제고에 기여하는데 그 목적이 있습니다.재무위험관리 활동은 재무팀에서 주관하고 있으며, 각 사업주체와 긴밀한 협조 하에 전사 통합적인 관점에서 재무위험 관리정책 수립 및 재무위험 식별, 평가, 헷지 등의 실행활동을 수행하고 있습니다.또한, 매년 정기적으로 재무위험관리정책의 재정비, 재무위험모니터링 등을 통해 재무위험으로부터 발생할 수 있는 영향을 최소화하는데 주력하고 있습니다.연결실체의 재무위험관리의 주요 대상인 금융자산은 현금 및 현금성자산, 단기금융자산, 매도가능금융자산, 매출채권 및 기타수취채권 등으로 구성되어 있으며, 금융부채는 매입채무, 차입금 및 기타지급채무 등으로 구성되어 있습니다.

1.1 시장위험(1) 외환위험연결실체는 전세계적으로 영업활동을 영위하고 있어 다양한 통화로부터의 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 연결실체가 노출되어 있는 주요 통화는 미국달러이며, 기타의통화로는 유로, 일본 엔 등이 있습니다. 연결실체의 외환위험 관리의 목표는 환율 변동으로 인한 불확실성과 손익변동을 최소화함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다.

연결실체의 외환위험 관리는 Hedge Policy에 의해서 이루어지고 있으며, Hegde Policy는 환관리 철학 및 전략, Exposure의 개념, Hedge 기간, Hedge 비율의 산정 등을 규정하고 있습니다.연결실체는 Matching을 통한 Exposure 축소 및 Leading Lagging을 우선적으로 실행하여 외환위험을 축소하고, 잔여 Exposure에 대해서는 Hedge Policy에 따라 선물환 등 파생상품을 통하여 Hedge를 하고 있습니다. 또한, 투기적 목적의 외환관리는엄격히 금하고 있습니다.환율변동과 연관성이 높은 요인들(Risk Index, 내재변동성, Market View)을 고려하여 Hedge 비율을 산정하고 있으며, 매월 연결실체는 환 Exposure 변동사항 및 Hedge결과를 점검하고 있습니다.

(2) 이자율 위험

이자율 위험은 미래 시장이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금 등에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금과 예금에서 발생하고 있습니다. 연결실체의 이자율위험관리 목표는 이자율 변동으로 인한 불확실성과 순이자비용의 최소화를 추구함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다. 이를 위해 근본적으로 내부 자금 공유 확대를 통한 외부차입의 최소화, 고금리 차입금 감축, 장/단기 차입구조개선, 고정 대 변동이자 차입조건의 적정비율 유지, 주간/월간 단위의 국내외 금리동향 모니터링 실시 및 대응방안 수립 등을 통해 선제적으로 이자율 위험을 관리하고 있습니다.연결실체는 보고기간말 현재 순차입금 상태로 이자율 상승에 따라 순이자 비용이 증가할 위험에 일부 노출되어 있으나, 내부적으로 변동금리부 조건의 단기차입금과 예금을 적절히 운영함으로써 이자율 변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다.

1.2 신용위험

연결실체는 신용위험을 관리하기 위하여 일관된 전사신용정책을 운영하고 있습니다. 전사신용정책은 신속한 의사결정 지원 및 채권 안전장치 마련을 통한 손실 최소화를 목적으로 운영되고 있으며, 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 주기적으로 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에 대한 신용한도를 설정, 관리하고 있습니다. 이러한 신용정책 상의 평가기준에 의거하여 신용여신의 적정 한도가 산출되며 기 설정된 내부의 재량권 및 절차에 따라 엄격하게 집행됩니다.신용위험은 금융기관과의 거래에서도 발생할 수 있으며 해당거래는 현금성자산, 각종 예금 그리고 파생금융상품 등의 금융상품 거래를 포함합니다. 이러한 위험을 줄이기 위해, 연결실체는 국제 신용등급이 높은 은행들(S A등급 이상)에 대해서만 거래를 하는 것을 원칙으로 하고 있습니다.

1.3 유동성위험

유동성위험은 연결실체의 경영환경 또는 금융시장의 악화로 인해 연결실체가 부담하고 있는 단기 채무를 적기에 이행하지 못할 위험으로 정의합니다.연결실체는 유동성위험을 선제적으로 관리하기 위해 현금흐름 및 유동성 계획 등에 대해 주기적으로 예측하고 이에 따른 대응방안을 수립하고 있습니다.또한, 적정규모의 예금을 보유함으로써 향후 발생 가능한 자금경색에 따른 유동성 위험에 대처하고 있습니다. 보고기간말 현재 유동자산 중 현금및현금성자산과 금융기관예치금의 보유규모와 1년 이내에 만기 도래하는 유동성 차입금 총액은 아래와 같습니다.

(단위:백만원)

구분	제 68(당) 3분기 말	제 67(전) 기 말

현금성자산 및 유동성 금융기관 예치금	79,263	122,387

1년 이내 만기도래하는 차입금	70,662	60,295

한편, 보고기간말 현재 차입금등의 연도별 상환계획은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

(단위:백만원)

구 분	장기차입금(*)	일반차입금(*)	총합계

~3개월	9,434	11,820	21,254

~12개월	28,301	21,107	49,408

~24개월	37,284	-	37,284

24개월 초과	30,083	-	30,083

합 계	105,102	32,927	138,029

(*) 상기 금액은 채무의 원금만을 표시하였습니다.

나. 자본위험관리

연결회사의 자본위험관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 순차입금비율 등의 재무비율을 매월 모니터링하여 필요한 경우 적절한 재무구조 개선방안을 실행하고 있습니다. 보고기간말 현재의 부채비율, 순차입금비율은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구 분	제68기 3분기	제67기

부채 (A)	375,840	444,239

자본 (B)	781,592	644,651

현금및현금성자산 및 유동성 금융기관예치금 (C)	79,263	122,387

차입금 (D)	138,211	240,035

부채비율 (A/B)	48%	69%

순차입금비율 (D-C)/B	8%	18%

8. 파생상품 및 옵션계약현황 가. 파생상품 회사는 공정가치와 현금흐름 변동에 대한 위험회피목적 및 매매목적으로 파생상품거래를 하고 있습니다. 회사가 보유하고 있는 외화채권 및 차입금에 대한 환율 및 이자율 변동 등에 따른 공정가치와 현금흐름 변동위험을 회피할 목적과 매매목적으로, 그 수단으로는 통화선도 및 통화스왑, 그리고 이자율스왑을 이용하고 있습니다. 당기말 현재 기타금융자산 및 기타금융부채로 인식하고 있는 파생상품 거래현황 및 누적 거래손익은 다음과 같습니다.

(단위:천미불,백만원)

상품종류	계약상대방	계약금액	계약일	종료일	계약환율/금리(%)	평가익(평가손)	거래이익(손실)(누적)

통화선도	산업은행 외	USD 5,000	2020-02-20	2020-04-29	1,195.80	0	-147

산업은행 외	USD 5,000	2020-02-26	2020-04-29	1,215.50	0	-49

통화스왑	국민은행	USD 30,000	2018-08-22	2020-04-29	1,119.60/3.38%	0	1,164

씨티은행	USD 8,000	2019-09-26	2020-09-26	1,198.60/ 2.30%	0	109

이자율스왑	우리은행	KRW 20,000	2019-06-28	2021-06-28	2.97%	-29	-107

국민은행	USD 17,500	2020-05-26	2022-02-23	2.30%	-172	-51

합 계	USD 65,500	-	-	-	-201	920

KRW 20,000

나. 옵션계약현황

항목	내용	비고

계약의 명칭	(주)DB월드 주식 옵션계약	-

계약당사자	큐리어스레인보우기업재무안정사모투자 합작회사 (주)DB하이텍, (주)DB Inc 및 DBI(주)	-

계약체결 목적	(주)DB월드 경영권유지	-

계약일자	2019년 4월 1일	-

계약만기일	2021년 10월 11일	-

계약대상 주식	(주)DB월드 보통주식 3,739,401주	-

계약내용(Call Option)	행사자: DB하이텍, DB Inc 및 DBI -계약내용 ①주식매매계약후 주식취득일로부터 1년 11개월까지 조기 Call 행사
②주식매매계약종결일부터 2년 5개월이 경과한 날까지 DB하이텍과 DB Inc가 Call 행사
③주식매매계약 종결일부터 2년 6개월이 되는 날까지 DBI가 Call 행사
④행사가격 : 주당 매매 기준가액에 연 복리 7.8%를 가산한 금액	-

계약내용(Put Option)	행사자:큐리어스레인보우기업재무안정사모투자 합작회사 -계약내용 ①주식매매계약 종결일로부터 2년8개월 되는 날의 20일전까지 해당주식 잔여분에 대해 DB하이텍과 DB Inc 50:50비율로 배정하여 PEF가 Put 행사
②잔여분이 있을 경우 2년 9개월 되는 날의 20일전까지 DBI에 Put 행사 ③미인수시 계약 당사자의 투자한도가 없는 경우 1억원, 당사자의 투자한도가 있는 경 우 5억원을 위약금으로 지급
④행사가격 : 주당 매매기준가액에 연 복리 8.2%를 가산한 금액	-

9. 연구개발활동 가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

조직명	담당조직	주요업무

기술개발실	개발 1개팀 / 2개파트
TE(Technology Enabling) 2개팀	CMOS Image sensor Technology 개발 (FSI/BSI) RF, Mixed Signal Technology 개발 MEMS Technology 개발 IP/ Library/ EDA Tool 개발, TCAD 분석, PDK 제공 SPICE Modeling, Characterization

공정개발실	개발 2개팀	Analog Power Technology 개발 Embedded NVM 개발 SJ MOSFET, IGBT, 고전력소자 Technology 개발

Brand 사업본부	설계 1개팀	OLED Driver IC (TV / IT/ Mobile) 개발 LCD Driver IC (TV / IT) 개발

Brand 사업본부	제품기술 1개팀	제품 특성 검증 및 고객지원

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제68기 3분기	제67기	제66기	비 고

원 재 료 비	5,051,343	7,904,192	7,444,054	-

인 건 비	18,394,343	23,377,536	23,865,065	-

감 가 상 각 비	3,003,246	3,656,981	3,004,710	-

위 탁 용 역 비	12,533,739	15,855,117	15,832,740	-

기 타	6,083,814	9,294,105	10,105,735	-

연구개발비용 계	45,066,485	60,087,931	60,252,304	-

회계처리	판매비와 관리비	42,484,201	55,296,009	52,810,317	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	2,582,284	4,791,922	7,441,987	-

정부보조금	(76,791)	(85,581)	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	6.36%	7.44%	9.00%	-

나. 연구개발 실적(최근 5년간)

- 기술개발실

연구과제	연구결과 및 기대효과

0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발	0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발

90nm CIS 기술개발	90nm급Mobile향 고화소CIS 기술개발

모바일향 Switch용 RF 공정개발	모바일의 Wide Band 지원 고성능 RF공정개발

Mirror Metal 공정 개발	VR 향 Micro Display 공정개발

0.11um 1.5/3.3V CMOS 공정개발	0.11um급 저전력 Mobile향 공정개발(Audio Codec, 센서 등)

90nm Mixed Signal 공정개발	M/S 경쟁력 강화Sony AKM향 Audio 제품시장 유지 및 확대

Low end MEMS Microphone 개발	Low end 급MEMS Microphone 센서 구조체 및 제품 개발

FPS향 0.18um Mixed Signal 공정개발	0.18um급Fingerprint Sensor 공정개발

90nm BSI Pixel 및 제품 개발	90nm급BSI Pixel 및 제품 개발

MEMS Microphone	MEMS Microphone 센서 구조체 및 제품 개발

0.11um RF HRS CMOS Process	0.11um급 RF HRS CMOS 공정 기술 개발

0.11um RF HRS CMOS GEN2 Process	HRS 공정, Ron.Coff 200fs Switch소자 개발

1225RF11SF 공정 개발	HRS 공정, Switch 소자, DTI 공정, D-UTM 공정 추가 개발

0.13um RF SOI 공정개발 Gen2	Mobile향 RF switch, Ron.Coff 100fs 소자 개발

- 공정개발실

연구과제	연구결과 및 기대효과

0.11um급 Tablet향 LDI 공정개발	0.11um급 Smart LDI 공정기술 확대

0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

0.15um급 LDI 공정개발	LDI 공정 개발(FHD/ UHD TV향)

스마트폰향 Driver IC용 0.16um급 HVCMOS공정개발	중국향 저가 스마트폰의 고해상도화에 따른 LDI공정개발

0.13um eFlash High Voltage 소자개발	TSC향 감도향상 eFlash 공정개발

0.15um PMIC 공정개발	고전력 소자용 Logic 공정개발

0.13um BCDMOS Low Voltage 공정개발	0.13um Bipolar CMOS DMOS (Mobile향)

0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발	0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발

TV/ Tablet향 Display향 0.18um BCDMOS 공정개발	0.18um급 BCDMOS Panel power bias IC 공정개발

600V급 Super Junction MOSFET 개발	Super Junction MOSFET 기반기술 개발

0.13um TSC향 eFlash Macro IP 확보 공정개발	고기능/ 고속도 TSC eFlash 공정개발

Advanced 0.18um BCD 개발	Mobile/TV향 0.18um BCD 성능 강화 공정개발

MTK향 Fab.2 0.15um PMIC Gen.2	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 개발	Super Junction MOSFET 기반기술 개발

MTK향 0.15um PMIC Gen.2	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

1.8V/18V 0.11um DDI 공정개발	0.11um 급 TV향 DDI 공정개발

1.2V/13.5V 0.11um DDI 공정개발	0.11um 급 Logic 1.2V/ HV 13.5V DDI 공정개발

0.13um 자동차용 공정개발	0.13um 급 60V 80/100V HS LDMOS Performance World Best 구현

0.18um 급 High Voltage 공정 개발	60V급 시장 유지확대 및 100V급 시장 신규 진출을 통한 HV platform 중장기 Roadmap 확보

Super Junction MOSFET Gen.2 전자선 조사 개발	Super Junction MOSFET 기반 Fast Recovery 특화 제품 개발

10. 그 밖의 투자의사결정에 필요한 사항

가. 고객관리에 관한 중요한 정책

회사는 스마트폰 및 TV향 전력반도체와 센서 등 시장이 크고 부가가치가 높은 특화제품을 중심으로 공급물량을 늘려가고 고객을 다변화하는 등 매출을 지속적으로 확대해가고 있습니다.

특히 급성장하고 있는 중국 팹리스 시장에 전력반도체, 이미지센서, MEMS 센서 등 시스템반도체 공급을 지속적으로 늘려나가며 시장점유율을 높이고 있습니다. 또한 시스템반도체 강국인 미국, 일본 시장에서 대형고객을 중심으로 전력관리칩, 오디오칩, 센서 등 다양한 아날로그반도체를 공급하고 있습니다.

브랜드 제품은 국내외 패널업체와의 긴밀한 협력을 통해 디스플레이 구동칩 공급을 확대하며 안정적으로 비즈니스를 운영하고 있습니다. 최근에는 모바일 OLED 등 고해상도 디스플레이 칩과 같이 시장 성장성이 크고 부가가치가 높은 제품을 집중공략해 나가고 있습니다. 또한 해외 대형고객 공급물량을 확대함으로써 지속적인 매출 성장과 함께 수익성 개선을 이뤄나갈 예정입니다.

회사는 최근 빠르게 성장하고 있는 MEMS센서와 지문인식센서, RF, 마이크로디스플레이 등 고성장 분야 기술개발에 집중하면서, IoT(사물인터넷), AR(증강현실), VR(가상현실), 웨어러블, 드론 등 신규응용분야 선점에도 속도를 높이고 있습니다.

한편 회사는 세계적인 반도체 설계자산 회사들과 전략적 제휴를 맺고 EDA Tool, IP, Library 등의 설계자원을 적극 지원하고 셔틀칩 서비스를 제공하는 등 고객의 다양한 요구사항을 완벽하게 처리할 수 있는 최상의 설계 환경을 갖추고 있습니다. 또한 'Your Fab' 시스템을 운영하여 고객이 언제, 어디에서든지 반도체의 가공 공정 진행 상황을 실시간으로 점검할 수 있도록 지원하고 있습니다.

나. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권) 등

출원번호	등록번호	등록일	발명의 명칭	발명의 요약

10-2014-0125967	10-2140250	2020-07-27	출력 버퍼, 이를 포함하는 소스 드라이버 및 디스플레이 장치	실시 예는 입력 신호를 증폭하고. 증폭한 결과에 따라 제1 내지 제4 증폭 신호들을 출력하는 제1 증폭부, 제1 드레인, 상기 제1 증폭 신호가 제공되는 제1 게이트, 제1 소스를 포함하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 드레인과 접속되는 제2 드레인, 상기 제2 증폭 신호가 제공되는 제2 게이트, 및 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터, 제3 드레인, 상기 제3 증폭 신호가 제공되는 제3 게이트, 상기 제2 소스와 접속되는 제3 소스를 포함하는 제3 트랜지스터, 상기 제3 드레인과 접속되는 제4 드레인, 상기 제4 증폭 신호가 제공되는 제4 게이트, 및 제4 소스를 포함하는 제4 트랜지스터, 상기 제1 드레인과 상기 제2 드레인이 접속하는 제1 노드, 상기 제3 드레인과 상기 제4 드레인이 접속하는 제2 노드, 상기 제1 및 제2 노드들과 연결되는 출력 노드, 및 제어 신호에 응답하여 상기 제1 내지 제4 게이트들에 선택적으로 제어 전압을 제공하는 제1 제어부를 포함한다.

10-2015-0175814	10-2153147	2020-09-01	이미지 센서 및 그 제조 방법	이미지 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 이미지 센서는, 기판 내에 배치되며 제1 도전형을 갖는 제1 전하저장영역과, 상기 제1 전하저장영역의 일측에 배치되며 제2 도전형을 갖는 제2 전하저장영역과, 상기 제1 전하저장영역으로부터 소정 간격 이격된 제1 플로팅 확산 영역과, 상기 제2 전하저장영역으로부터 소정 간격 이격된 제2 플로팅 확산 영역과, 상기 제1 전하저장영역과 상기 제1 플로팅 확산 영역 사이에서 상기 기판 상에 배치되는 제1 전송 게이트와, 상기 제2 전하저장영역과 상기 제2 플로팅 확산 영역 사이에서 상기 기판 상에 배치되는 제2 전송 게이트를 포함한다.

10-2016-0085308	10-2159418	2020-09-17	슈퍼 정션 MOSFET 및 그 제조 방법	슈퍼 정션 MOSFET은 제1 도전형의 기판과, 상기 기판 상에 위치하는 제1 도전형의 에피텍셜층과, 상기 에피텍셜층에 상하 방향으로 연장하며 서로 일정한 간격만큼 이격되는 제2 도전형의 필러들과, 상기 에피텍셜층에서 상기 필러들의 상단과 각각 연결되며 상기 에피텍셜층의 상면까지 연장하는 제2 도전형의 제1 웰과, 상기 제1 웰의 내에 위치하는 제1 도전형의 제2 웰들 및 상기 에피텍셜층 상에 위치하며, 일방향으로 연장하는 스트라이프 형태를 가지며 서로 이격되는 다수의 게이트 구조물들을 포함한다. 따라서, 상기 게이트 구조물들의 면적이 상대적으로 좁아 상기 슈퍼 정션 MOSFET의 입력 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.

다. 법규, 정부규제에 관한 사항 "라." 항의 환경관련 사항을 참조하시기 바랍니다. 라. 환경 관련 사항

1) 녹색경영

당사는 녹색성장 기본법 발효(2010)에 따라 관리기업으로 지정되었으며 저탄소 녹색성장 기본 법에 따라 3자 검증을 매년 수행하고 있습니다.

녹색기술 인증관련 내용은 XI. 그 밖에 투자자 보호를 위하여 필요한 사항의 9. 녹색경영 부분을 참고하시기 바랍니다.

2) 오염물질 배출 저감 활동

① 공정 변경, 원부자재 대체 등을 통해 오염물질 발생원에서부터 배출 저감

② 발생된 오염물질은 방지시설을 통해 법적 배출 허용기준보다 엄격한 사내 관리 기준으로 배출

③ 방지시설의 설비별 점검 목록에 따라 주기적으로 점검함으로써 최적 상태로 운영하고 있으며, 처리 효율을 검토하여 단계적으로 고효율 방지시설로 교체

3) 자원의 재활용

① 폐기물 발생량 감소 및 감량을 위해 제조 공정에서부터 폐기물 발생 최소화를 위한 활동 및 재활용 품목 지속적 발굴

② 발생되는 폐기물 재활용율 고도화 추진

4) 유해화학물질 관리

① 취급하는 유해화학물질의 입고에서부터 사용, 폐기 등 전 과정의 관리 및 모니 터링 실시

② 누출사고 예방을 위해 저장 시설의 감지기 및 차단 장치, 방지턱, 비상시 사용 할 수 있는 보호구 등을 비치 운영

③ 유출사고 대비 주기적인 비상대응훈련 실시

5) 제품환경 규제 대응

① 전세계적인 제품에 대한 환경기준 및 규제 강화 정책에 따라 R 및 구매 단계에서부터 제품 내에 규제 물질이 기준농도 이상 함유되지 않도록 자재 구성 성분 조사 및 완제품 시험 분석 등을 실시

② 또한 오염 물질 배출 및 천연자원의 사용을 최소화하기 위한 친환경제품 제조 관리 시스템과 녹색 구매 시스템을 운영하고 있으며, Sony Green Partner 인증 취득 운영

6) 기타 환경보호 및 사회공헌 활동

- 회사는 기증, 기부, 무료 급식 봉사, 교육장학제도 등의 운영을 통해 지역사회에 기여하고 있으며, '1사 1하천 가꾸기' 및 '1사 1산 가꾸기' 등을 통해 지역 환경 정화 활동을 실천하고 있습니다.