DB하이텍 사업보고서 (2015.12)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 산업의 특성 반도체는 모든 IT 제품에 들어가는 핵심 부품입니다. 따라서 컴퓨터를 비롯해 통신기기, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계, 컨트롤 시스템 등 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 반도체는 정보를 저장하고 기억하는 메모리 반도체와 암산과 추론 등 논리적인 정보처리 기능을 하는 시스템 반도체로 크게 구분됩니다. 2015년도 세계 반도체 시장규모는 약 3,525 억불(이하 “미 달러 기준”) 에 이를 것으로 전망되며 이 중 당사가 영위하고 있는 시스템 반도체는 전체 반도체 시장의 약 76%를 차지하고 있습니다. 시스템반도체는 고기술, 고성장, 고부가가치의 유망산업으로 사물인터넷, 웨어러블, 스마트폰, 고해상도 TV, 자동차, 보안장비 등다양한 분야에 활용되고 있습니다. 나. 업계의 현황

2015년 세계 반도체시장은 전년 대비 1% 하락하였으나, 2016년은 사물인터넷 시대의 도래, 스마트폰, 웨어러블 등 시장의 지속 성장 영향으로 전년대비 2% 수준의 성장률을 보일 것으로 예상되며 파운드리 시장은 이보다 높은 7%의 성장이 예상됩니다.

2016년 제품별 반도체 시장은 전년대비 옵티컬 반도체 5%, 아날로그 4%, 마이크로콤포넌트 3%, 로직2%, 메모리 -4%의 성장률을 보일 것으로 전망되며, 어플리케이션별로는 산업용 10%, 자동차용 7%, 커뮤니케이션 1%, 컨슈머 1%, 데이터 프로세싱 -2% 수준의 성장이 예상됩니다.

다 . 회사의 현황 회사는 서울에 본사를 두고 있으며, 부천 (FAB1)과 상우 (FAB2) 두 곳에 공장을 운영하고 있습니다. 또한 해외 영업을 위해 미국법인 및 대만, 일본, 유럽, 중국 지사를 운영해 오고 있습니다. 회사의 주요 사업부문은 웨이퍼 수탁 생산 및 판매를 담당하는 Foundry 사업과 디스플레이 구동 및 Sensor IC 등 자사 제품을 설계, 판매하는 Brand 사업을 운영하고 있습니다.

라. 영업개황 (1) 지배회사 및 종속회사 [지배회사] 동부하이텍

회사는 부가가치가 높고 시장이 큰 Analog 파운드리를 강화하고 있으며, 이와 병행하여 자사 제품 사업 영역을 확장해 가고 있습니다.

파운드리 사업은 공정 Shrink를 통한 효율 향상, Product Life Cycle 연장, 특화 공정 확대를 통한 수익률 제고 등을 추진하고 있습니다. 또한 Mixed Signal 제품 및 고객 확대, Analog 공정 특성 강화 및 신규공정 개발에도 주력하고 있습니다.

CIS (CMOS Image Sensor) 공정은 Mobile 용 Mega 제품에 대한 수주 확대 및Security, Automotive, Medical, 조도센서, 지문인식 등Non-Mobile 용 제품에 대한 개발/신규 고객 발굴로 매출이 점차 증가하고 있습니다.

Flash 공정의 경우 기존 Standalone Flash 외 미래 성장을 위한 고부가 공정기반의 Embedded Flash(eFlash) 공정개발을 완료하여 양산 중이며, 사업확대를 위해 MCU,Touch Sensor 시장 등을 목표로 전략 고객 프로모션을 강화하고 있습니다.

최근 회사의 Analog Power 공정에 대한 수요 증가로 국내 및 해외 전략고객에 대한 제품 생산을 확대하고 있습니다. 특히 최근 급성장하고 있는 중국 팹리스 시장과 생산시설을 줄이는 팹라이트(Fab-Lite) 경향이 커지고 있는 일본 시장에서 아날로그반도체 파운드리로서 자리를 확고히 하며 대형고객을 중심으로 수주를 늘려가고 있습니다. 또한 경쟁사 대비 용도별 최적화된 공정기술과 핵심기술을 확보하여 Analog 반도체 전문기업으로서의 위상을 높여 나가고 있습니다.

브랜드 Display 구동IC 사업은 TV, IT 및 Mobile 용 등 디스플레이와 관련된 제품 포트폴리오를 다양하게 구축하고 있으며 특히 TV의 경우 고성장 분야인 UHD/ OLED시장에서의 경쟁우위를 점하기 위해 역량을 확대하고 있습니다. 또한 고객은 국내외에 중국 등 해외 프로모션을 강화하고 있습니다. 회사의 매출은 지속적인 신규고객 발굴, 사물인터넷, 웨어러블 등 새로운 성장분야에서의 제품 포트폴리오 확대, Mobile/ UHD/ OLED 등 고성장 분야에서의 경쟁력 강화 등에 힘입어 2016년도에도 견고한 성장세를 이어갈 것으로 전망됩니다.

[종속회사] Dongbu HiTek USA

2003년 2월 미주 지역의 Foundry 및 신사업 촉진을 위한 영업ㆍ마케팅 활동과 선진기술 도입을 목적으로 미국 캘리포니아주 산타클라라에 설립되었습니다.

미국 지역의 Foundry 고객에 대한 밀착 지원 및 신규 고객에 대한 Promotion과 자사제품에 대한 설계 및 개발을 주요 사업으로 하고 있습니다. (2) 공시대상 사업부문의 구분 회사는 단일사업인 반도체사업만을 영위하고 있습니다.

(3) 시장점유율 등

최근 3년간 각 부문별 시장점유율 및 경쟁사의 점유율은 다음과 같습니다.

구 분	동부하이텍	TSMC	GlobalFoundries	UMC	SMIC

Foundry	2015년	2%	53%	10%	9%	4%

2014년	2%	54%	9%	9%	4%

2013년	2%	49%	11%	10%	5%

(*) 시장조사기관 자료 기준마. 신규사업 등의 내용 및 전망

회사는 Fab 특성에 맞게 Analog 응용분야에 주력함으로써 Specialty Foundry 분야의 선도기업 지위를 유지하기 위해 역량을 집중하고 있습니다.

또한 자사 Brand 사업은 Display Solution, Sensor Solution 및 TDDI(Touch+LDI)TED(T-con+LDI)등 융복합 제품 확대로 미래 성장을 준비하고 있습니다.

바. 조직도2. 주요 제품, 서비스 등

가. 주요 제품 등의 현황(단위 : 백만원)

매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	매출액

제품(Wafer/ Chip)	Fab System-LSIWafer 외	신호처리용 Chip제조용 Wafer 외	Samsung, Mediatek,Texas Instruments 등	666,595

나. 주요 제품 등의 가격변동추이(단위 : $)

구 분	제63기	제62기	제61기

Fabricated System-LSI Wafer(반도체)	~0.13㎛	400~1,500	380~2,344	394 ~ 2,442

~0.18㎛	320~2,220	374~2,986	374 ~ 2,912

~0.25㎛	399~665	399~1,050	413 ~ 1,050

0.35㎛~	240~1,690	240~3,148	240 ~ 2,795

3. 주요 원재료에 관한 사항가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원, %)

매입유형	품 목	구체적용도	매입액	비 율	비 고

원재료	Wafer	공정용 Wafer	양산공정용	41,955	43%	Siltron / Shin-Etsu 外

Chemical	공정용 Chemical	양산공정용	29,163	30%	동우화인켐 外

Gas	공정용 Gas	양산공정용	8,157	8%	OCI머티리얼즈 外

Target	공정용 Target	양산공정용	2,038	2%	Nippon Mining 外

Reticle	Photo Mask	양산 및 개발용	12,915	13%	PKL / TPK 外

부재료	기타	공정용부자재	Line 소모품	3,641	4%	한국닛또덴코 外

합 계	97,870	100

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이(단위 : $)

구분	품목	제63기(Unit Price)	제62기(Unit Price)	제61기(Unit Price)	비고

Wafer	국내/수입	공정용 Wafer	$40.70	$38.70	$42.80	평균단가산출

Chemical	국내/수입	Slurry Chemical 류	$7.94	$8.10	$7.05

국내/수입	Wet Process Chemical	$1.07	$1.10	$1.20

Gas	국내/수입	공정용 Gas	$1,050.82	$857.40	$889.86

(1) 산출기준

- 산출대상 : 반도체 FAB Process용 원ㆍ부재료 중 매입액 상위 선정품목

- 산출단위 : Wafer(Piece), Chemical(Liter, Gallon, Kg), Gas(Cyl)

- 산출방법 : 평균단가

(2) 주요 가격변동 원인 - 반도체 Wafer/Gas 단가인상, Slurry/Wet Chemical의 단가 인하

- 국내외 시장의 수급상황에 따른 가격 변동 (3) 가격변동 세부내역 - Wafer : 웨이퍼 타입별 사용 편차 및 대외적인 영향으로 단가가 변동되었으며, 旣 인상된 Polished Wafer와 단가가 높은 Epi의 사용량이 증가 하였습니다. 또한 원/달러 환율의 영향이 단가 인상의 요인을 작용하였습니다. 공급사와의 전략적 파트너 관계를 유지하며 가격 안정 및 대내외 시황과 업계 변화에 예의주시하고 있습니다. - Chemical : 1) IPA 구내 단가 Trend 전세계 경기둔화로 인한 국제유가 시세 반영되어 평균적으로는 하락하는 추세입니다. * IPA연동단가 = 전전월 ICIS평균시세(U$/kg)*원단위(1.04)+부대비용/월평균TTM * 월 단위 IPA단가

15년 7월	15년 8월	15년 9월	15년 10월	15년 11월	15년 12월

\1,476	\1,480	\1,483	\1,469	\1,337	\1,241

2) Ceria slurry 원재료(Ce-Carbonate 45~50%) 국제가 Trend Ceria Slurry 단가의 주요 원재료인 Ce-Carbonate 45~50% 국제가는 전세계 불경기 반영하여 하락하는 추세입니다.

15년 7월	15년 8월	15년 9월	15년 10월	15년 11월	15년 12월

$1,882	$1,834	$1,734	$1,661	$1,655	$1,654

- Gas : NF3, WF6 와 같은 주요 Process 가스들의 공급이 감소된 상황에서 최근 국내 반도체 팹 증설, 신규공정 도입에 따른 수요확대로 상반기 단가상승에 이어 하반기 상승추세가 지속 되었습니다. 레이저 가스는 15년 초 기준 5배 이상 가격에 형성되어 구매가격 또한 급등하였으나 되어 4분기 말 하락이 시작되어 현재는 15년 초 대비 2~3배 수준에서 거래되고 있습니다. 2016년 가스 가격은 업체 증설에 따른 수급 안정화로 추가 인상없이 안정화 될 것으로 예상됩니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

(1) 생산능력(단위 : Wafer , 백만원)

품 목	사업소	제63기	제62기	제61기

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Fabricated-LSI Wafer	부천 Fab	53,100	-	53,100	-	53,100	-

상우 Fab	42,730	-	42,730	-	42,730	-

소계	95,830	-	95,830	-	95,830	-

(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함.

(2) 생산능력의 산출근거(가) 산출기준 및 방법 등

① 산출기준 - 반도체 표준생산능력 : 부천 FAB 53,100 / (월), 상우 FAB 42,730 / (월)

② 산출방법

부문 (품목)	산 출 방 법	평균가동시간

반도체	Loading Capacity	24 Hr(일) X 31Day(월) X 목표가동율(%)

(나) 평균가동시간

- 상기 (가) 산출방법 등의 ② 산출방법 도표 참조하시기 바랍니다.

나. 생산실적 및 가동률(1) 생산실적

(단위 : Wafer, 백만원 )

품 목	사업소	제63기 연간	제62기 연간	제61기 연간

수량	금액	수량	금액	수량	금액

Fabricated-LSI Wafer	부천 Fab	540,956	-	485,196	-	373,006	-

상우 Fab	408,543	-	316,801	-	293,143	-

합 계	949,499	-	801,997	-	666,149	-

(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함.

(2) 당해 가동률(단위 : 시간, %)

사업소(사업부문)	연간가동가능시간	연간실제가동시간	평균가동률

반도체	부천 Fab	3,697,505	3,199,095	86.52%

상우 Fab	2,797,776	2,468,821	88.24%

합 계	6,495,281	5,667,916	87.29%

* 산출기준은 아래와 같습니다.

① 평균 가동률 : Loading rate(%) = 연간 Input 총량 ÷ 연간 Capa 총량

② 연간 가동가능시간 : In-Line MFG 장비 댓수 × 일 24시간 × 연간 생산일수 ③ 연간 실제가동시간 : 2015년 연간 가동 가능시간 × 평균 가동률

다. 생산설비의 현황 등(1) 생산설비의 현황

[자산항목 : 토 지 ] (단위 : 백만원 )

사업소	소유형태	소재지	구분 (㎡)	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고(공시지가)

증가	감소

반도체	자가	부천	93,816	179,478	-	76,178	-	103,300	94,529

반도체	자가	음성	430,706	29,523	-	26	-	29,497	15,203

반도체	자가	여주	6,519	578	-	-	-	578	332

합 계	531,041	209,579	-	76,204	-	133,375	110,064

[자산항목 : 건 물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	55,534	-	809	7,147	47,578	-

반도체	자가	음성	-	127,273	-	682	4,815	121,776	-

반도체	자가	여주	-	692	-	26	666	-

반도체	자가	성남	-	946	-	33	913	-

반도체	자가	용인	-	452	-	442	10	-	-

합 계	-	184,896	-	1,933	12,031	170,933	-

[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	1,589	-	-	437	1,152	-

반도체	자가	음성	-	12,571	-	-	2,056	10,515	-

반도체	자가	여주	-	1,264	-	-	192	1,072	-

합 계	15,424	-	-	2,685	12,739	-

[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	52,148	35,513	325	19,456	67,880	-

반도체	자가	음성	-	84,625	51,979	276	36,501	99,827	-

합 계	-	136,773	87,492	601	55,957	167,707	-

[자산항목 : 차량운반구] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	음성	-	14	-	-	6	8	-

합 계	14	-	-	6	8	-

[자산항목 : 비 품] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	부천	-	2,529	1,611	7	1,093	3,040	-

반도체	자가	음성	-	713	197	301	609	-

종속회사(DBH USA)	자가	미국	-	134	13	120	27	-

합 계	-	3,376	1,821	7	1,514	3,676	-

[자산항목 : 입목] (단위 : 백만원)

사업소	소유형태	소재지	구분	기초장부가액	당기증감	당기상각	기말장부가액	비고

증가	감소

반도체	자가	음성	-	1,040	-	-	-	1,040	-

합 계	-	1,040	-	-	-	1,040	-

(2) 설비의 신설ㆍ매입 계획 등( 가) 진행중인 투자

(단위 : 억원)

사업부문	구 분	투자기간	투자대상 자산	투자효과	연초투자계획금액	당기투자액	차년도투자이월액	비 고

반도체	보완	2015.01.01-
2015.12.31	기계장치외	생산능력보완증설	616	876	-	capacity 보완

합 계	616	876	-	-

(나) 향후 투자계획(단위 : 억원)

사업부문	계획명칭	예상투자총액	연도별 예상투자액	투자효과	비고

자산형태	금 액	제64기	제65기	제66기

반도체	보완	기계장치외	미정	623	미정	미정	capacity 보완	-

합 계	미정	623	미정	미정	-	-

* 당사는 향후 Capacity의 보완을 위한 투자가 있을 것으로 예상되나, 그 금액은 확정되지 않았습니다.

5. 매출 에 관한 사 항가. 매출실적

(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제63기	제62기	제61기

반도체	제품,서비스	Wafer	수 출	264,073	204,846	183,254

내 수	382,417	343,136	291,290

합 계	646,490	547,981	474,544

기타	기타	-	수 출	11,023	10,790	12,156

내 수	9,082	8,947	7,052

합 계	20,105	19,737	19,208

합계	수 출	275,095	215,636	195,410

내 수	391,500	352,082	298,342

합 계	666,595	567,718	493,752

나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직( ( )은 보고서 작성기준일 현재 인원임) - 파운드리 영업본부: 마케팅( 22 ), 국내영업( 6 ), 해외영업( 9 ), 중국/ 대만지사( 9 ), 미국법인( 6 ), 일 본지사( 2 ), 유럽지사( 1 ), 영업관리( 11 ) - 브랜드 사업본부: 영업1 ( 4 ), 영업2 ( 12 ), 마케팅( 9 ), 사업관리( 14 )

(2) 판매경로

- 대리점거래 : 일부 국내 및 중국 고객 - 직 거 래 : 일본, 유럽 고객 및 국내, 대만, 중국 일부 고객 - 해외법인을 통한 거래 : 미주고객

(3) 판매방법 및 조건

- 대리점 거래의 경우 주문서 입수 및 납품, 수금을 모두 대리점을 통해 진행하며 결재조건은 보통 60일이나, 고객과의 계약조건에 따라 다름 - 직거래의 경우 고객으로부터 직접 수주해 납품 및 수금을 진행하며 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름 - 해외법인을 통한 거래는 주문서의 입수 및 납품, 수금을 모두 해외법인을 통해 진행하며, 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름

(4) 판매전략

- Analog 제품 및 Mixed Signal 제품 위주의 Specialty Foundry 매출 확대 - 사업전략에 맞는 제품 Portfolio로의 빠른 전환을 통한 수익성 극대화 - 미국, 일본, 유럽, 중국 등 해외 거래처 확대 및 지역 특색에 맞는 제품 전략 수립, Focusing

- 신제품 조기 개발 및 양산을 통한 적기 시장 진입 / 고객 만족도 향상 - 공정 감축, 원가절감 활동을 통한 수익성 제고 - Market Trend 상시파악 및 선행조치를 통한 고객확보 및 매출 극대화

6. 수주상황(단위 : wafer, K$)

품 목	수주일자	납 기	수주총액	기납품액	수주잔고

수 량	금 액	수 량	금 액	수 량	금 액

Fabricated System -LSI Wafer	1월~12월	제품에 따라 다르나 평균2개월	986,677	620,712	934,725	588,029	51,952	32,683

합 계	986,677	620,712	934,725	588,029	51,952	32,683

7. 시장위험과 관리가. 재무위험관리1 재무위험관리요소

연결회사의 재무위험관리는 주로 시장위험(외환위험, 이자율위험 및 주가변동위험), 신용위험 및 유동성위험에 대해 전사 각 사업주체가 안정적이고 지속적으로 경영성과를 창출할 수 있도록 지원하고, 동시에 재무구조 개선 및 자금운영의 효율성 제고를 통하여 금융비용을 절감함으로써 사업의 원가경쟁력 제고에 기여하는데 그 목적이 있습니다.

재무위험관리 활동은 자금팀에서 주관하고 있으며, 각 사업주체와 긴밀한 협조 하에 전사 통합적인 관점에서 재무위험 관리정책 수립 및 재무위험 식별, 평가, 헷지 등의 실행활동을 수행하고 있습니다.

또한, 매년 정기적으로 재무위험관리정책의 재정비, 재무위험모니터링 등을 통해 재무위험으로부터 발생할 수 있는 영향을 최소화하는데 주력하고 있습니다.

연결회사의 재무위험관리의 주요 대상인 금융자산은 현금 및 현금성자산, 단기금융자산, 매도가능금융자산, 매출채권 및 기타수취채권 등으로 구성되어 있으며, 금융부채는 매입채무, 차입금 및 기타지급채무 등으로 구성되어 있습니다.

1.1 시장위험(1) 외환위험

연결회사는 전세계적으로 영업활동을 영위하고 있어 다양한 통화로부터의 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 회사가 노출되어 있는 주요 통화는 미국달러이며, 기타의통화로는 유로, 일본 엔 등이 있습니다. 회사의 외환위험 관리의 목표는 환율 변동으로 인한 불확실성과 손익변동을 최소화함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다.

연결회사의 외환위험 관리는 Hedge Policy 에 의해서 이루어지고 있으며, Hegde Policy는 환관리 철학 및 전략, Exposure의 개념, Hedge 기간, Hedge 비율의 산정 등 을 규정하고 있습니다.

연결회사는 Matching을 통한 Exposure 축소 및 Leading Lagging을 우선적으로 실행하여 외환위험을 축소하고, 잔여 Exposure에 대해서는 Hedge Policy에 따라 선물환 등 파생상품을 통해 Hedge를 하고 있습니다. 또한, 투기적 목적의 외환관리는 엄격히금하고 있습니다.

환율변동과 연관성이 높은 요인들(Risk Index, 내재변동성, Market View)을 고려하여 Hedge 비율을 산정하고 있으며, 매월 회사는 환 Exposure 변동사항 및 Hedge결과를 점검하고 있습니다.

보고기간말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 각 외화에 대한 원화의 환율이 10%변동시 환율변동이 법인세비용차감전계속사업순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구분	당기	전기

10% 상승시	10% 하락시	10% 상승시	10% 하락시

미국달러/원	(3,634)	3,634	(6,869)	6,869

유로/원	(365)	365	(250)	250

엔/원	-	-	(345)	345

(*) 상기 민감도 분석은 보고기간말 현재 회사의 기능통화인 원화 이외의 외화로 표시된 화폐성외화자산ㆍ부채를 대상으로 하였습니다.

보고기간말 현재 외화자산 및 외화부채의 내역은 다음과 같습니다.

(단위:백만원, 천USD, 천EUR, 십만JPY))

외화자산	당기말	전기말

외화금액	원화환산금액	외화금액	원화환산금액

현금및현금성자산	USD 6,159	7,219	USD 2,222	2,443

JPY 41	39	EUR 3	5

소계	7,258	소계	2,448

매출채권	USD 51,519	60,381	USD 45,419	49,925

기타수취채권	USD 45	53	USD 2	2

장기금융자산	USD 64	76

외화자산계	USD 57,787	67,729	USD 47,643	52,370

JPY 41	39	EUR 3	5

외화부채	당기말	전기말

외화금액	원화환산금액	외화금액	원화환산금액

매입채무	USD 9,567	11,213	USD 2,296	2,524

JPY 365	355	JPY 691	636

소계	11,568	소계	3,160

단기차입금	USD 2,371	2,779	USD 2,161	2,375

JPY 2,129	2,069	JPY 1,846	1,698

-	-	EUR 2,554	3,413

소계	4,848	소계	7,486

기타지급채무	USD 4,555	5,339	USD 4,031	4,431

JPY 1,301	1,265	JPY 173	159

EUR 3	4	EUR 13	18

소계	6,608	소계	4,608

장기차입금	USD 72,301	84,737	USD 93,281	102,535

장기기타지급채무	-	-	USD 8,368	9,198

외화부채계	USD 88,794	104,068	USD 110,137	121,063

JPY 3,795	3,689	JPY 2,710	2,493

EUR 3	4	EUR 2,567	3,431

(2) 이자율 위험

이자율 위험은 미래 시장이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금 등에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금과 예금에서 발생하고 있습니다.

연결회사의 이자율위험관리 목표는 이자율 변동으로 인한 불확실성과 순이자비용의 최소화를 추구함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다. 이를 위해 근본적으로 내부 자금 공유 확대를 통한 외부차입의 최소화, 고금리 차입금 감축, 장/단기 차입구조개선, 고정 대 변동이자 차입조건의 적정비율 유지, 주간/월간 단위의 국내외 금리동향 모니터링 실시 및 대응방안 수립 등을 통해 선제적으로 이자율 위험을 관리하고 있습니다.

연결회사는 보고기간말 현재 순차입금 상태로 이자율 상승에 따라 순이자 비용이 증가할 위험에 일부 노출되어 있으나, 내부적으로 변동금리부 조건의 단기차입금과 예금을 적절히 운영함으로써 이자율 변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다.

보고기간말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 변동시 변동금리부 차입금 및 예금으로부터 1년간 발생하는 이자비용과 이자수익의 영향은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구분	당기	전기

100bp 상승시	100bp 하락시	100bp 상승시	100bp 하락시

이자비용	5,520	(5,520)	6,195	(6,195)

이자수익	970	(970)	359	(359)

(3) 주가변동 위험

연결회사는 전략적 목적 등으로 상장 및 비상장주식에 투자하고 있습니다. 이를 위하여 직접적 또는 간접적 투자수단을 이용하고 있으며 보고기간말 현재 회사의 출자지분은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구분	당기말	전기말

비상장주식	11,919	1,524

보고기간말 현재 다른 변수가 일정하고 출자지분의 주가가 30%변동시 주가변동이 자본에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구분	당기말	전기말

30% 상승시	30% 하락시	30% 상승시	30% 하락시

비상장주식	3,576	(3,576)	400	(400)

1.2 신용위험

연결회사는 신용위험을 관리하기 위하여 일관된 전사신용정책을 운영하고 있습니다.

전사신용정책은 신속한 의사결정 지원 및 채권 안전장치 마련을 통한 손실 최소화를 목적으로 운영되고 있으며, 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 주기적으로 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에대한 신용한도를 설정, 관리하고 있습니다.

이러한 신용정책 상의 평가기준에 의거하여 신용여신의 적정 한도가 산출되며 기 설정된 내부의 재량권 및 절차에 따라 엄격하게 집행됩니다.

신용위험은 금융기관과의 거래에서도 발생할 수 있으며 해당거래는 현금성자산, 각종 예금 그리고 파생금융상품 등의 금융상품 거래를 포함합니다. 이러한 위험을 줄이기 위해, 회사는 국제 신용등급이 높은 은행들(S A등급 이상)에 대해서만 거래를 하는 것을 원칙으로 하고 있습니다.

보고기간말 현재 신용위험에 노출될 수 있는 금융자산 금액은 다음과 같습니다(주석4참조).

(단위:백만원)

연결재무상태표상 자산	당기말	전기말

현금및현금성자산	108,133	40,364

단기금융자산	4,616	3,686

매출채권	92,048	81,730

기타수취채권	42,781	44,163

장기금융자산	84	79

장기기타수취채권	8,440	10,349

매도가능금융자산-채무증권	-	274

합계	256,102	180,645

매출채권, 기타수취채권 및 장기기타수취채권의 경우 담보의 존재유무에 따라서 연체 및 손상되지 않은 금융자산의 신용건전성을 측정하였습니다.

(단위:백만원)

구분	당기말	전기말

담보거래처	무담보거래처	담보거래처	무담보거래처

매출채권	1,998	85,763	2,452	77,056

기타수취채권	-	42,781	-	44,163

장기기타수취채권	-	8,440	-	10,328

1.3 유동성위험

유동성위험은 회사의 경영환경 또는 금융시장의 악화로 인해 회사가 부담하고 있는 단기 채무를 적기에 이행하지 못할 위험으로 정의합니다.

회사는 유동성위험을 선제적으로 관리하기 위해 현금흐름 및 유동성 계획 등에 대해주기적으로 예측하고 이에 따른 대응방안을 수립하고 있습니다.

또한, 적정규모의 예금을 보유함으로써 향후 발생 가능한 자금경색에 따른 유동성 위험에 대처하고 있습니다. 보고기간종료일 현재 유동자산 중 현금및현금성자산과 금융기관예치금의 보유규모와 1년 이내에 만기 도래하는 유동성 차입금 총액은 아래와같습니다.

(단위:백만원)

구분	당기말	전기말

현금성자산 및 유동성 금융기관 예치금	112,749	42,978

1년 이내 만기도래하는 차입금(*1)	58,252	58,362

(*1) 상기 1년 이내 만기도래하는 차입금에는 단기차입금 중 신디케이트론 자구이행에 따른 추정 자산 매각대금을 포함하지 아니하였습니다.

한편, 보고기간말 현재 차입금등의 연도별 상환계획은 다음과 같습니다.

(단위:백만원)

구분	장기차입금	일반차입금	장기미지급금	금융보증계약	총합계

~3개월	-	3,767	-	-	3,767

~12개월	53,034	1,451	-	-	54,485

~24개월	193,092	-	-	-	193,092

24개월 초과	303,015	-	-	-	303,039

합계	549,141	5,218	-	-	554,359

(*) 상기 금액은 채무의 원금만을 표시하였으며 이와 관련하여, Syndicate 대출 자구이행 약정에 의해 유동성으로 분류된 차입금에 대해서도 원래의 상환스케줄에 따라 상환계획을 표시하였습니다.

나. 자본위험관리

연결회사의 자본위험관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 순차입금비율 등의 재무비율을 매월 모니터링하여 필요한 경우 적절한 재무구조 개선방안을 실행하고 있습니다.

8. 연구개발활동가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

조직명	담당조직	주요업무

기술개발실	공정개발 5개팀
TE(Technology Enabling) 1개팀	Analog Power Technology 개발 CMOS Image sensor Technology 개발 Mixed Signal Technology 개발 eFlash Technology 개발 LDI Technology 개발 RF, MEMS, SJ MOSFET Technology 개발, IP/ Library/ EDA Tool 개발

Brand 사업본부	Display제품개발1개팀(7개파트)신기술개발1개파트	LCD Driver IC (Large/ Medium/ Small) 개발CMOS Image Sensor 개발 Touch + LDI(TDDI) 개발T-Con + LDI(TED) 개발
고객지원(응용기술)

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제63기	제62기	제61기	비 고

원 재 료 비	7,502,764	3,819,003	4,481,242	-

인 건 비	24,067,510	25,246,187	25,662,643	-

감 가 상 각 비	2,784,060	3,691,491	6,531,637	-

위 탁 용 역 비	13,730,453	11,825,512	12,934,890	-

기 타	8,289,297	7,298,488	8,136,468	-

연구개발비용 계	56,374,083	51,880,681	57,746,880	-

회계처리	판매비와 관리비	49,406,179	41,994,560	47,428,782	-

제조경비	0	0	0	-

개발비(무형자산)	6,967,904	9,886,121	10,318,098	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	8.46%	9.14%	11.70%	-

나. 연구개발 실적

회사의 최근 5년간 연구개발 실적은 아래와 같습니다.

연구과제	연구결과 및 기대효과

VGA급 CMOS Image Sensor IC 개발	VGA급 CMOS Image Sensor IC 제품 개발

0.16um 1.8/18V Half Vdd 공정 개발	0.16um급 Display 제품 공정 개발

0.11um 1.2/30V LDI 공정 개발	0.11um급 LCD Driver IC 제품 공정 개발

0.18um 30V BCD 공정 개발	0.18um급 전력반도체 공정 개발

0.16um 1.8/13V LDI 공정개발	0.16um급 Display 제품 공정 개발

0.18um HP CMOS 개발	0.18um급 High Performance CMOS 공정기술

0.18um 40V~60V BCD 개발	0.18um급 BCD 공정기술 확대

700V 조명용 Non-EPI	0.35um급 BCD 공정기술 확대

0.16um 1.8/20V LDI 공정개발	0.16um급 Display 제품 공정 개발

0.11um Mixed Signal Noise 개선 공정	0.11um급 Mixed Signal 공정기술 확대

0.11um DDI sDTRAM 공정개발	0.11um급 LCD Driver 제품 sDTRAM 공정 개발

0.35um Low Vgs LDMOS 공정 개발	0.35um급 전력반도체 공정 개발

1.4um Pixel CIS 공정 개발	110nm CMOS Image Sensor Upgrade 공정개발

0.11um Light Guide CIS 공정개발	0.11um급 Smartphone CIS 공정개발

0.13um Embedded Flash 공정 개발	0.13um Embedded Flash 공정 개발

0.16um 1.8/9V Half Vdd 공정 개발	0.16um급 Display 제품 공정 개발

0.11um 1.8/9V 공정개발	0.11um급 Smart LDI 공정개발

0.11um급 Tablet향 LDI 공정개발	0.11um급 Smart LDI 공정기술 확대

0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발	0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발

0.15um급 LDI 공정개발	LDI 공정 개발(FHD/ UHD TV향)

스마트폰향 Driver IC용 0.16um급 HVCMOS공정개발	중국향 저가 스마트폰의 고해상도화에 따른 LDI공정개발

0.13um eFlash High Voltage 소자개발	TSC향 감도향상 eFlash 공정개발

0.15um PMIC 공정개발	고전력 소자용 Logic 공정개발

0.13um BCDMOS Low Voltage 공정개발	0.13um Bipolar CMOS DMOS (Mobile향)

0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발	0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발

90nm CIS 기술개발	90nm Mobile 고화소 CIS 기술개발

TV/ Tablet향 Display향 0.18um BCDMOS 공정개발	0.18um급 BCDMOS Panel power bias IC 공정개발

9. 그 밖의 투자의사결정에 필요한 사항

가. 상표 또는 고객관리에 관한 중요한 정책

회사는 모바일향 전력반도체, 센서 등 시장이 크고 부가가치가 높은 특화제품을 중심으로 공급물량을 늘려가고 고객을 다변화하는 등 파운드리 사업 비중을 지속적으로 확대해 가고 있습니다. 특히 급성장하고 있는 중국 팹리스 시장에 시스템 반도체 공급을 지속적으로 늘려나가며 시장점유율을 높이고 있으며, 반도체 생산시설을 줄이는 등의 팹라이트(Fab-Lite) 경향이 커지고 있는 일본 시장에서 대형고객을 중심으로 전력관리칩 등 다양한 아날로그 반도체를 공급하고 있습니다.

최근에는 시장이 급격히 성장하고 있는 스마트폰 무선충전칩과 핀테크칩 양산을 본격적으로 시작했으며, 자동차용 반도체, 웨어러블 및 사물인터넷(IoT)용 초저전력 반도체와 센서 등 고부가가치 제품확대에 기술역량을 집중하고 있습니다. 특히, 최근 시장이 확대되고 있는 지문인식센서, AMOLED 등의 신규분야 진출에도 속도를 높이고 있습니다.

브랜드 제품 비즈니스는 국내 대형 고객과의 긴밀한 협력을 통해 디스플레이 구동칩 공급물량을 확대하며 안정적으로 성장하고 있습니다. 최근 스마트폰 디스플레이 분야로 제품 비중을 늘려가고 있으며, UHD TV, OLED TV 등 고해상도 디스플레이 칩과 같이 시장 성장성이 크고 부가가치가 높은 제품물량을 꾸준히 확대해 나가고 있습니다. 또한, 해외 대형 고객을 발굴함으로써 지속적인 매출 성장과 함께 수익성 개선을 이뤄나갈 것입니다.

회사는 칩 크기를 최소화하는 동시에 저전력 기술 등 다양한 부가기능을 추가해 경쟁력을 높이고 있으며, 디스플레이 칩과 터치칩을 융합한 원칩(One Chip) 등의 융복합 솔루션 등 고효율 제품을 개발, 공급함으로써 안정적으로 미래 성장을 준비하고 있습니다. 향후에도 차별화된 고부가가치 공정기술과 제품개발에 역량을 집중하여 견고한 성장발판을 만들어 나갈 예정입니다.

한편 회사는 세계적인 반도체 설계자산 회사들과 전략적 제휴를 맺고 PDK, IP, Library등 세계 최고 수준의 설계자원을 적극 지원하고 MPW서비스를 제공하는 등 고객의 다양한 요구 사항을 완벽하게 처리할 수 있는 최상의 설계 환경을 갖추고 있습니다.

또한 고객의 니즈에 따라 웨이퍼 가공뿐만 아니라 설계 지원, 테스트, 패키지, 모듈 제작 등 모든 서비스를 한번에 지원하는 원스톱 턴키(Turnkey) 서비스를 제공하고 있으며, 'Your Fab' 시스템을 운영하여 고객이 언제, 어디에서든지 반도체의 가공 공정 진행 상황을 실시간으로 점검할 수 있도록 지원하고 있습니다.

나. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권) 등 회사가 보고기간(2015.1.1~2015.12.31) 중 취득한 중요한 특허권의 내역은 다음과 같습니다.

출원번호	등록번호	등록일	발명의 명칭	발명의 요약

10-2013-0024320	10-1483356	2015.01.09	이미지 센서	본 발명의 이미지 센서는, 이미지 센서의 단위 픽셀 각각은, 수광 소자인 광전 변환부와, 상기 광전 변환부의 전하를 플로팅 디퓨전 영역으로 전달하는 전송 스위칭부와, 상기 플로팅 디퓨전 영역이 제 1 센싱라인과 선택적으로 연결되도록 하는 제 1 스위칭부와, 상기 플로팅 디퓨전 영역이 제 2 센싱라인과 선택적으로 연결되도록 하는 제 2 스위칭부를 포함하고, 상기 이미지 센서는, 상기 제 1 센싱라인과 연결되고, 상기 플로팅 디퓨전 영역에 저장된 광전 변환된 아날로그 신호를 오프셋 값을 기준으로 디지털 신호로 변환시키는 제 1 센서부; 및 상기 제 2 센싱라인과 연결되고, 상기 플로팅 디퓨전 영역에 저장된 광전 변환된 아날로그 신호를 오프셋 값을 기준으로 디지털 신호로 변환시키는 제 2 센서부;를 더 포함하고, 상기 제 1 센서부와 제 2 센서부는 소정 타이밍에 서로 다른 행의 픽셀로부터 획득한 서로 다른 노출시간을 갖는 전하 정보들에 대한 데이터 처리를 수행한다.

10-2013-0100225	10-1522532	2015.05.18	터치 패널을 구동하는 방법	본 발명은 드라이빙 라인들, 센싱 라인들, 및 이웃하는 드라이빙 라인과 센싱 라인 사이에 형성되는 노드 커패시터를 포함하는 터치 패널에 있어서, 상기 드라이빙 라인들 중 이웃하는 2개씩을 선택하여 구동 순서에 따라서 순차적으로 배열되는 복수의 페어들을 형성하고, 상기 복수의 페어들 각각은 한 구간 동안 서로 반대 위상의 드라이빙 신호로 구동하도록 설정되는 페어링 단계, 적어도 하나의 이웃하는 2개의 페어들이 서로 다른 드라이빙 라인들을 포함하도록 상기 복수의 페어들의 위치를 셔플링하는 단계, 서로 다른 드라이빙 라인들을 포함하는 2개의 셔플링된 페어들을 선택하여 하나의 그룹으로 묶음으로써 복수의 그룹들을 생성하고, 상기 복수의 그룹들 각각에 속하는 2개의 페어들에 기초하여 아다마르 코드들을 생성하는 단계, 및 상기 생성된 아다마르 코드들 각각에 포함되는 드라이빙 라인들을 동시에 구동하는 단계를 포함한다.

10-2008-0138215	10-1531883	2015.06.22	수평형 디모스 트랜지스터	본 발명은 균일한 문턱전압을 얻을 수 있는 수평형 디모스(LDMOS; Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 수평형 디모스 트랜지스터의 제조방법은 소자분리막에 의해 액티브 영역과 소자분리영역이 정의된 반도체 기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판 전면에 하드마스크용 폴리실리콘을 형성하고 임플란트가 될 영역을 식각하는 단계와, 상기 하드마스크용 폴리실리콘을 마스크로 이용한 이온주입 공정을 통해 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하여 제 1 도전형 바디 영역을 형성하는 단계와, 상기 하드마스크용 폴리실리콘을 마스크로 이용한 이온주입 공정을 통해 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하여 상기 제 1 도전형 바디 영역 내에 제 2 도전형 채널 영역을 형성하는 단계와, 상기 하드마스크용 폴리실리콘을 제거하고 그 위치에 게이트 전극용 폴리실리콘을 형성하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 및 소자분리막을 이온 주입 마스크로 이용하여 노출된 상기 제 1 도전형 바디 영역 및 반도체 기판 상에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

10-2014-0025225	10-1537535	2015.07.13	터치 센서	본 발명은 드라이빙 라인들, 및 센싱 라인들을 포함하고, 이웃하는 드라이빙 라인과 센싱 라인 사이에 노드 커패시터가 형성되는 터치 패널, 상기 드라이빙 라인들 각각에 드라이빙 신호를 제공하는 드라이빙부, 상기 센싱 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 드라이빙 신호가 인가되는 드라이빙 라인과 이에 대응하는 센싱 라인 간의 노드 커패시터의 커패시턴스를 감지하는 센싱부를 포함하며, 상기 센싱부는 제1 입력 단자, 제2 입력 단자, 및 출력 단자를 포함하고, 상기 제1 입력 단자는 상기 대응하는 센싱 라인에 연결되는 제1 증폭기, 상기 제1 증폭기의 제1 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 피드백 커패시터, 및 상기 제1 증폭기의 출력 단자의 출력 신호를 반전 증폭하고, 반전 증폭된 출력 신호를 상기 제1 증폭기의 제2 입력 단자에 제공하는 반전 증폭부를 포함한다

10-2008-0137848	10-1576675	2015.12.04	반도체소자 및 그 제조방법	반도체 소자는, 씨모스 영역 및 바이폴라 영역이 정의된 반도체 기판; 상기 씨모스 영역에 형성된 제1 소자분리막에 의해 분리된 제1 엔웰 및 제1 피웰; 상기 제1 엔웰에 형성된 피모스 소자 및 제1 피웰에 형성된 엔모스 소자; 상기 바이폴라 영역에 형성된 딥 피웰; 상기 딥 피웰의 일부가 노출되도록 상기 딥 피웰에 형성된 제2 엔웰; 상기 딥 피웰과 상기 제2 엔웰 사이에 형성되어 이미터 예정영역을 정의하는 제2 소자분리막; 상기 딥 피웰에 제2형 불순물로 형성된 이미터; 상기 제2 엔웰에 베이스 예정영역 및 컬렉터 예정영역을 정의하는 제3 소자분리막; 상기 제2 및 제3 소자분리막 사이의 상기 제2 엔웰에 제2형 불순물로 형성된 컬렉터; 및 상기 제3 소자분리막 일측의 상기 제2 엔웰과 상기 제3 소자분리막 타측의 상기 제2 엔웰에 걸쳐 형성되고 그 바닥면이 상기 이미터와 접하도록 제1형 불순물로 형성된 베이스를 포함한다.

10-2009-0039126	10-1580323	2015.12.18	이미지 센서	이미지 센서는 반도체 기판의 상부에 형성된 소자분리막; 상기 소자분리막 일측의 상기 반도체 기판 상부에 형성된 포토 다이오드; 상기 소자분리막 타측의 상기 반도체 기판 상부에 형성된 제1 도전형 웰; 상기 제1 도전형 웰 위에 형성된 제1 게이트 및 제2 게이트; 상기 소자분리막과 상기 제1 게이트 사이, 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트 사이의 일측, 상기 제2 게이트의 나머지 옆부분의 상기 제1 도전형 웰 상측 일부에 형성된 제2 도전형 플로팅 영역; 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트 사이의 타측의 상기 제1 도전형 웰 상측 일부에 형성된 제1 도전형 영역; 및 상기 제1 게이트 및 상기 제2 게이트 사이의 상기 제1 도전형 웰 위에 형성되고, 상기 제2 도전형 플로팅 영역 및 상기 제1 도전형 영역을 연결시키는 금속층을 포함한다. 실시예에 의하면, 이미지 센서의 소스 팔로워 구조를 개선함으로써 바디 이펙트 현상을 제거할 수 있고, 높은 전달 전압에서도 소스 팔로워의 높은 이득을 유지할 수 있다.

다. 법규, 정부규제에 관한 사항 "라." 항의 환경관련 사항을 참조하시기 바랍니다. 라. 환경 관련 사항

1) 녹색경영

당사는 녹색성장 기본법 발효(2010)에 따라 관리기업으로 지정되었으며 저탄소 녹색 성장 기본 법에 따라 3자 검증을 매년 수행하고 있습니다.

(1) 법인 총 배출 현황

구분	2015년	2014년	2013년	2012년	2011년

온실가스 배출량	(tCO2)	293,169	276,481	263,303	294,837	315,684

에너지 사용량	(TJ)	3,235	3,380	3,375	3,464	3,376

(*) 2014년까지의 온실가스 배출량 및 에너지 사용량은3자 검증된 명세서 기준 자료이며, 2015년 자료는3자 검증 전 자료입니다

(2) 부천 사업장 배출현황

구분	2015년	2014년	2013년	2012년	2011년

온실가스 배출량	(tCO2)	146,484	135,166	122,145	143,647	139,385

에너지 사용량	(TJ)	1,688	1,759	1,720	1,837	1,738

(*) 2014년까지의 온실가스 배출량 및 에너지 사용량은3자 검증된 명세서 기준 자료이며, 2015년 자료는 3자 검증 전 자료입니다.

(3) 상우 사업장 배출현황

구분	2015년	2014년	2013년	2012년	2011년

온실가스 배출량	(tCO2)	146,453	141,094	140,942	150,720	175,755

에너지 사용량	(TJ)	1,542	1,617	1,651	1,619	1,629

(*) 2014년까지의 온실가스 배출량 및 에너지 사용량은3자 검증된 명세서 기준 자료이며, 2015년 자료는 3자 검증 전 자료입니다.

(4) 기타 사업장 배출현황(동산빌딩/천안사업장/구미사업장)

구분	2015년	2014년	2013년	2012년	2011년

온실가스 배출량	(tCO2)	232	221	216	470	544

에너지 사용량	(TJ)	5	4	4	8	9

(*) 2014년까지의 온실가스 배출량 및 에너지 사용량은3자 검증된 명세서 기준 자료이며, 2015년 자료는 3자 검증 전 자료입니다.

(5) 녹색경영 인증 및 수상현황

구분	ISO 14001	OHSAS18001

인증 사업장	부천	부천

상우	상우

2) 오염물질 배출 저감 활동

① 공정 변경, 원부자재 대체 등을 통해 오염물질 발생원에서부터 배출 저감

② 발생된 오염물질은 방지시설을 통해 법적 배출 허용기준보다 엄격한 사내 관리 기준으로 배출

③ 방지시설의 설비별 점검 목록에 따라 주기적으로 점검함으로써 최적 상태로 운영하고 있으며, 처리 효율을 검토하여 단계적으로 고효율 방지시설로 교체

3) 자원의 재활용

① 폐기물 발생량 감소 및 감량을 위해 제조 공정에서부터 폐기물 발생 최소화를 위한 활동 및 재활용 품목 지속적 발굴

② 발생되는 폐기물 재활용율 고도화 추진

4) 유해화학물질 관리

① 취급하는 유해화학물질의 입고에서부터 사용, 폐기 등 전 과정의 관리 및 모니 터링 실시

② 누출 사고 예방을 위해 저장 시설의 감지기 및 차단 장치, 방지턱, 비상시 사용 할 수 있는 보호구 등을 비치 운영

③ 유출사고 대비 주기적인 비상대응훈련 실시

5) 제품환경 규제 대응

① 전세계적인 제품에 대한 환경기준 및 규제 강화 정책에 따라 R 및 구매 단계에서부터 제품 내에 규제 물질이 기준농도 이상 함유되지 않도록 자재 구성 성분 조사 및 완제품 시험 분석 등을 실시

② 또한 오염 물질 배출 및 천연자원의 사용을 최소화하기 위한 친환경제품 제조 관리 시스템과 녹색 구매 시스템을 운영하고 있으며, Sony Green Partner 인증 취득 운영

6) 기타 환경보호 및 사회공헌 활동

- 회사는 기증, 기부, 무료 급식 봉사, 교육장학제도 등의 운영을 통해 지역사회에 기여하고 있으며, '1사 1하천 가꾸기' 및 '1사 1산 가꾸기' 등을 통해 지역 환경 정화 활동을 실천하고 있습니다.