DB하이텍 분기보고서 (2025.03)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

회사명	조직명	담당조직	주요업무

DB하이텍	기술개발실	개발 5개팀
TE(Technology Enabling)센터 3개팀	Analog Power 기술개발Embedded NVM 개발SJ MOSFET, IGBT, GaN, SiC 고전력소자 기술개발
CMOS Image sensor Technology 개발 (FSI/BSI), Silicon Trench Capacitor 공정개발RF, Mixed Signal 기술개발PDK 개발, eNVM IP 및 Library 개발,
EDA Software 도입 기술 검토 및 License 관리,
Engineering 서버 도입 기술 검토 및 유지 관리
ESD 소자 개발 및 제품 ESD Solution 제공
TCAD 분석을 통한 공정/소자 개발 지원
Device Characterization, SPICE Modeling

DB글로벌칩	제품개발담당	설계 2개팀PMIC팀ESD팀Layout 팀Test팀	OLED TV, Notebook PC, Tablet, Mobile용 DDI 개발LCD TV, Monitor용 DDI 개발High Speed Serial Interface 개발(Intra Panel Interface)Mipi D-Phy, Mipi CD-Phy Combo 개발UVM 기반 Design Verification화질개선 및 Panel 보상 IP 개발Power Management IC 개발ESD Device ESD Network GuideDRC SPICE 기반 ESD Simulation 검증IC/System-level ESD Latch-up 불량 분석 및 고객 대응Layout Drawing VerificationTest Engineering Product Engineering

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제73기 1분기	제72기	제71기	비 고

원 재 료 비	2,284,287	10,226,226	8,689,980	-

인 건 비	11,119,354	37,791,221	34,618,141	-

감 가 상 각 비	2,100,550	8,556,375	7,838,949	-

위 탁 용 역 비	4,797,183	21,768,117	20,793,125	-

기 타	5,031,448	15,522,304	16,440,174	-

연구개발비용 계	25,332,822	93,888,944	88,380,369	-

회계처리	판매비와 관리비	23,747,420	88,081,985	84,040,313	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	1,585,402	5,806,959	4,340,056	-

정부보조금	(1,303)	(74,957)	(123,248)	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	8.52%	8.30%	7.66%	-

※ 상기 기재된 금액은 연결기준입니다.

나. 연구개발 실적(최근 5년간)

연구과제	연구결과 및 기대효과

0.11um 1.2V/13.5V DDI 공정개발	0.11um급 Logic 1.2V/ HV 13.5V DDI 공정개발

0.13um BCDMOS 자동차용 공정개발	0.13um급 고전압(60V/80V/100V/120V) 영역 BCDMOS 공정개발

0.18um BCDMOS 고전압 공정개발	0.18um급 전압영역 확대(100V) BCDMOS 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 전자선 조사 개발	Super Junction MOSFET 기반 Fast Recovery 특화 제품개발

Super Junction MOSFET Gen.2 800V 파생 공정개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(800V) 공정개발

0.18um 1.8V/7V Analog CMOS 공정개발	공정 Step 감소를 통한 원가경쟁력 향상 공정개발

0.11um LDI Mirror Metal 공정개발	고휘도 특성 구현을 통한 AR/VR 시장 대응

Super Junction MOSFET Gen.2 500V 파생 공정개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(500V) 공정개발

SJ MOSFET Gen3 (w/FRD) 공정개발	SJ Gen3 650V 공정 Backborn 공정 Design 플랫폼 구축

BD180XA공정개발	고수익/안정적 성장 시장(Automotive, Industrial) 확대

0.13um BCDMOS 2세대 저전압 공정개발 (BD130LVA)	0.13um Mobile향 BCD 공정의 No.1 브랜드 유지 매출 및 이익률 극대화

UHV700 G2 ESD Self Protection 개발	2세대 700V 급 LED Driver 및 AC/DC 제품향 공정개발

SJ Gen3 600V 공정개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (600V) 공정개발 구축 완료

SJ Gen3 700V 공정개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (700V) 공정개발 구축 완료

Fab2 BD180XA 공정 이관 셋업	Fab2 0.18um HV BCD 공정 확보로 A 물량 및 매출 확대

0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발	0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발

90nm CIS 기술개발	90nm급Mobile향 고화소CIS 기술개발

모바일향 Switch용 RF 공정개발	모바일의 Wide Band 지원 고성능 RF 공정개발

0.11um 1.5/3.3V CMOS 공정개발	0.11um급 저전력 Mobile향 공정개발(Audio Codec, 센서 등)

90nm Mixed Signal 공정개발	90nm급 공정개발을 통한Sony/AKM향Audio 제품시장 유지 및 확대

지문인식센서향 Mixed Signal 공정개발	0.18um급 지문인식센서 공정개발

모바일향 RF HRS Gen2 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 및 0.11um 저잡음 증폭기 공정개발

모바일향 RF SOI Gen2 공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 공정개발

모바일향 RF HRS Gen3 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드

모바일향 RF SOI Gen3공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드 및 95nm 저잡음 증폭기 공정개발

0.11um 90nm CIS BSI 공정개발	보안용 고화소 카메라 시장대응 공정개발

Global Shutter Pixel 및 제품개발	고속 동작 피사체에 대한 왜곡 없는 촬상을 위한 Global Shutter pixel 공정개발 및 이를 통한 제품개발(7Tr/PD GS Pixel 개발)

SPAD(Single Photon Avalanche Diode) Pixel 개발	자동차 LiDAR, 의료 진단, 및 3D Imaging Sensor 개발을 위한 SPAD Pixel 공정개발 및 이를 통한 제품개발

모바일향 RF SOI Gen4 공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드

SJ MOSFET Gen3 upgrade(Low Ron)	Gen3 Low Ron(50mohm) 확장 및 고객 응용 제품의 Infineon사 호환 가능한 제품으로 성능 개선

UHV900V개발	2세대 900V급 Gate Driver IC 제품향 공정개발

Small Pitch Global shutter Pixel 개발	7Tr/PD GS Pixel 이 가지는 단점 (복잡성, Memory Tr. 제어 난이)을 극복하고, 고객의 선택의 폭을 넓히기 위한 6Tr/PD GS Pixel 개발 진행. 또한 Pixel Pitch를 5.6~ 2.8um 까지 소형화하는 결과를 달성

FAB1 BD180XA_Upgrade	BD180XA 고객 대응을 위한 신규소자 추가 개발
High Voltage 공정 platform의 지속적인 경쟁력 강화

SJ MOSFET Gen2 900V/950V	Gen2 900V/950V General FRD (4종) 개발완료 NDI 및 Risk 양산 26종 진행 중
Gen2 800V 기존 공정 대비, 900V/950V 공정 구축에 따른 Higher voltage 영역 응용 시장 진입을 위한 공정 개발