DB하이텍 반기보고서 (2023.06)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

회사명	조직명	담당조직	주요업무

DB하이텍	기술개발실	개발 2개팀
TE(Technology Enabling) 2개팀	CMOS Image sensor Technology 개발 (FSI/BSI) Silicon Trench Capacitor 공정 개발 RF, Mixed Signal Technology 개발 MEMS Technology 개발
PDK 개발, eNVM IP 및 Library 개발,
EDA Software 도입 기술 검토 및 License 관리,
Engineering 서버 도입 기술 검토 및 유지 관리
ESD 소자 개발 및 제품 ESD Solution 제공
TCAD 분석을 통한 공정/소자 개발 지원
Device Characterization, SPICE Modeling

공정개발실	개발 3개팀	Analog Power Technology 개발 Embedded NVM 개발 SJ MOSFET, IGBT, GaN, SiC, 고전력소자 Technology 개발

DB글로벌칩	제품개발담당	설계 2개팀Layout 팀	OLED TV, Notebook PC, Tablet, Mobile용 DDI 개발
LCD TV, Monitor용 DDI 개발
High Speed Serial Interface 개발(Intra Panel Interface)
Mipi D-Phy, Mipi CD-Phy Combo 개발
UVM 기반 Design Verification
화질개선 및 Panel 보상 IP 개발
Layout Drawing Verification

(2) 연구개발비용(단위 : 천원)

과 목	제71기 반기	제70기	제69기	비 고

원 재 료 비	4,265,454	8,604,070	7,085,029	-

인 건 비	17,514,549	33,972,611	26,948,484	-

감 가 상 각 비	3,760,484	5,630,771	6,282,204	-

위 탁 용 역 비	9,411,252	18,950,166	18,067,788	-

기 타	8,216,919	12,808,083	9,330,766	-

연구개발비용 계	43,168,658	79,965,701	67,714,271	-

회계처리	판매비와 관리비	41,079,746	76,450,358	64,222,034	-

제조경비	-	-	-	-

개발비(무형자산)	2,088,912	3,515,343	3,492,237	-

정부보조금	(57,821)	(124,655)	3,313

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	7.11%	4.77%	5.57%	-

※ 연결 누계기준입니다.

나. 연구개발 실적(최근 5년간)

- 기술개발실

연구과제	연구결과 및 기대효과

0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발	0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발

90nm CIS 기술개발	90nm급Mobile향 고화소CIS 기술개발

모바일향 Switch용 RF 공정개발	모바일의 Wide Band 지원 고성능 RF공정개발

Mirror Metal 공정 개발	VR 향 Micro Display 공정개발

0.11um 1.5/3.3V CMOS 공정개발	0.11um급 저전력 Mobile향 공정개발(Audio Codec, 센서 등)

90nm Mixed Signal 공정개발	90nm급 공정개발을 통한Sony/AKM향Audio 제품시장 유지 및 확대

Low end MEMS Microphone 개발	SNR 58dB급 센서 구조체 및 제품 개발

지문인식센서향 Mixed Signal 공정개발	0.18um급 지문인식센서 공정개발

모바일향 RF HRS Gen2 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 및 0.11um 저잡음 증폭기 공정개발

모바일향 RF SOI Gen2 공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 공정개발

Middle end MEMS Microphone 개발	SNR 63dB급 센서 구조체 및 제품 개발

모바일향 RF HRS Gen3 공정개발	저사양 (Low-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드

모바일향 RF SOI Gen3공정개발	고사양 (High-End) 모바일향 RF 스위치 성능 업그레이드 및 95nm 저잡음 증폭기 공정개발

0.11um 90nm CIS BSI 공정개발	보안용 고화소 카메라 시장대응 공정개발

Global Shutter Pixel 및 제품 개발	고속 동작 피사체에 대한 왜곡 없는 촬상을 위한 Global Shutter pixel 공정개발

SPAD(Single Photon Avalanche Diode) Pixel 개발	자동차 LiDAR, 의료 진단, 및 3D Imaging Sensor 개발을 위한 SPAD Pixel 공정개발

- 공정개발실

연구과제	연구결과 및 기대효과

Fab1 0.15um 스마트폰 PMIC 공정개발	0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발

0.15um LDI 공정개발	FHD/UHD TV향 LDI 공정개발

0.15um PMIC 공정개발	고전력 소자용 Logic 공정개발

0.13um BCDMOS 저전압 공정개발	0.13um 모바일향 Bipolar CMOS DMOS 공정개발

0.18um BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발	0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발

TV/Tablet용 Display향 0.18um BCDMOS 공정개발	0.18um급 BCDMOS Panel Power Bias IC 공정개발

Super Junction MOSFET 600V 공정개발	전력반도체 기반기술 개발

0.13um 터치스크린향 eFlash Macro IP 확보 공정개발	고기능/고속도 터치스크린향 eFlash 공정개발

0.18um BCDMOS 업그레이드 공정개발	모바일/TV향 BCDMOS 성능강화 공정개발

Fab2 0.15um PMIC Gen.2 공정개발	0.15um급 MTK향 스마트폰 PMIC 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 공정개발	고전압 영역(600V/650V/700V) 전력반도체 공정개발

Fab1 0.15um PMIC Gen.2 공정개발	0.15um급 MTK향 스마트폰 PMIC 공정개발

0.11um 1.2V/13.5V DDI 공정개발	0.11um급 Logic 1.2V/ HV 13.5V DDI 공정개발

0.13um BCDMOS 자동차용 공정개발	0.13um급 고전압(60V/80V/100V) 영역 BCDMOS 공정개발

0.18um BCDMOS 고전압 공정 개발	0.18um급 전압영역 확대(100V) BCDMOS 공정개발

Super Junction MOSFET Gen.2 전자선 조사 개발	Super Junction MOSFET 기반 Fast Recovery 특화제품 개발

Super Junction MOSFET Gen.2 800V 파생공정 개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(800V) 공정개발

0.18um 1.8V/7V Analog CMOS 공정개발	공정 Step 감소를 통한 원가경쟁력 향상 공정개발

0.11um LDI Mirror Metal 공정개발	고휘도 특성 구현을 통한 AR/VR 시장 대응

Super Junction MOSFET Gen.2 500V 파생 공정 개발	Super Junction MOSFET 제품 전압영역 확대(500V) 공정개발

SJ MOSFET Gen3 (w/FRD)	SJ Gen3 650V 공정 Back-born 공정 Design Platform 구축

BD180XA 개발	고수익/안정적 성장 시장(Automotive, Industrial) 확대 방향

0.13um BCDMOS 2세대 저전압 공정 개발 (BD130LVA)	0.13um Mobile향 BCD 공정의 No.1 브랜드 유지 매출 및 이익률 극대화

UHV700 G2 ESD Self protection	2세대 700V 급 LED Driver 및 AC/DC 제품 향 공정 개발

SJ Gen3 600V 공정 개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (600V) 공정 개발 구축 완료

SJ Gen3 700V 공정 개발 (w/FRD)	Gen3 공정 전압 영역 확대 (700V) 공정 개발 구축 완료