SK하이닉스 분기보고서 (2024.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요 계약

계약 상대방	항목	내용	비고

Rambus Inc.	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약	-

계약 기간	2013년 7월 1일 ~ 2034년 6월 30일

목적 및 내용	라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소

기타 주요내용	-

Intel Corporation	계약 유형	영업양수도	-

계약 체결일	2020년 10월 20일 체결

목적 및 내용	Intel의 NAND 사업 영업양수

기타 주요내용	계약금액은 US$90억이며, 2차에 걸쳐 지급될 예정* 관련 공시 : 2020년 10월 22일 주요사항보고서(영업양수결정)

※ 최근 5년간의 주요계약 기준나. 연구개발활동

1. 연구개발 담당조직당사는 보고서 제출일 현재, 메모리연구소 및 제품개발연구소, Nand Solution 미래기술 연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.

2. 연구개발비용(단위 : 백만원)

과목	제77기 3분기	제76기	제75기	비고

연구개발비용	원재료비	76,600	100,174	123,839	-

인건비	1,145,189	877,633	1,332,187	-

감가상각비	402,822	597,198	572,380	-

위탁용역비	310,807	307,279	341,454	-

기타	1,622,972	2,306,121	2,535,473	-

연구개발비용 합계	3,558,390	4,188,404	4,905,334	-

회계처리	연구개발비(비용)	3,247,205	3,837,907	4,576,383	-

개발비(무형자산)	311,185	350,497	328,951	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	7.7%	12.8%	11.0%	-

매출액	46,425,925	32,765,719	44,621,568	-

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성됨

다. 연구개발 실적

2024년 중 당사의 주요 연구개발 실적은 다음과 같습니다.

연구과제 등	연구결과 및 기대효과 등

1) 서버용 DRAM	[1cnm DDR5]·세계 최초 10나노급 6세대* DRAM (1cnm) 16Gb DDR5 개발 완료- EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상- 동작 속도는 8Gbps로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌고 전력효율은 9% 이상 개선됨. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 당사 제품을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대 (*) 6세대: 10나노급 Tech Node 부터 세대를 구분하고 있으며, 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)에 이어 1c는 6세대로 명명하고 있음

2) 모바일용 DRAM	[GDDR7]·현존하는 최고 성능의 GDDR7 개발 완료한 후 공개 연내 양산 시작- 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작 속도가 구현됐고, 사용환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아짐. 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리- 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해 주는 신규 패키징(Packaging) 기술 도입, 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상 (*) GDDR(Graphics DDR): 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 DRAM의 표준 규격 명칭. 그래픽을 빠르게 처리하는 데 특화한 규격으로 3-5-5X-6-7로 세대가 바뀌고 있음. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며 최근 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목받고 있음

3) 모바일용 NAND	[ZUFS 4.0]·온디바이스(On-Device) AI용 모바일 낸드 솔루션 제품 'ZUFS*(Zoned UFS) 4.0' 개발, 낸드에서도 AI 메모리 시장 선도 예상- 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 (On-Device) AI를 구현하는 데 최적화된 메모리로 업계 최고 성능 구현- ZUFS 4.0 제품 양산에 들어갈 계획이며, 양산 제품은 향후 글로벌 기업들이 내놓을 온디바이스 (On-Device) AI 스마트폰들에 탑재될 예정 (*) ZUFS(Zoned Universal Flash Storage): 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품. 이 제품은 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장 장치 간의 데이터 전송을 최적화함

4) HBM DRAM	[HBM3E]·HBM3의 확장버전인 초고성능 AI 메모리로, 세계 최초로 본격 양산하여 고객 납품 시작- 초당 최대 1.18TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초만에 처리하는 수준임- 어드밴스드(Advanced) MR-MUF** 공정을 적용해 제품의 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상
(*) HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 DRAM을 수직으로 연결해 기존 DRAM보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품
(**) MR-MUF: 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정임. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가 받음

5) PC용 SSD	[PCB01]·온디바이스(On-Device) AI* PC에 탑재되는 PCIe** 5세대 SSD(Solid State Drive) 제품- 업계 최고 속도가 구현된 제품으로, 연속 읽기 속도는 초당 14GB(기가바이트), 연속 쓰기 속도는 초당 12GB로 이전 세대 대비 2배 향상- 이전 세대 대비 전력 효율이 30% 개선되어 대규모 AI 연산 작업 시 효율성을 높이는데 기여- SLC*** 캐싱 기술을 적용하여 낸드의 저장 영역인 셀 일부를 처리 속도가 빠른 SLC로 동작하게 해 필요한 데이터만 신속하게 읽고 쓸 수 있게 하여 AI 서비스 외 일반 PC 작업 속도 개선에도 도움을 줌 (*) 온디바이스(On-Device) AI: 클라우드 기반 AI 서비스와는 달리, 스마트폰이나 PC와 같은 단말 내에서 바로 AI 연산과 추론을 수행하는 개념(**) PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스(***) 낸드는 한 개의 셀(Cell)에 몇 bit(비트)의 데이터를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1bit)-MLC(Multi Level Cell, 2bit)-TLC(Triple Level Cell, 3bit) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있지만 속도와 안정성은 떨어지며, SLC는 필요한 데이터에 한해 처리 속도를 높여주는 기능을 함