SK하이닉스 사업보고서 (2020.12)
II. 사업의 내용

1. 사업의 개요 가. 업계의 현황

(1) 산업의 특성반도체는 모든 IT제품의 필수불가결한 핵심 부품으로서, 컴퓨터를 비롯해 통신장비 및 통신시스템, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계 그리고 컨트롤 시스템 등 그 적용 분야가 매우 광범위 합니다. 시장 조사기관인 가트너(Gartner, 2021년 1월 금액기준)에 따르면, 지난 2020년도 세계 반도체 시장규모는 US$4,498억에 이르렀으며, 이 중 메모리 제품은 US$1,230억의 시장규모로 전체 반도체 시장의 약 27% 수준에 달하였습니다. 메모리 제품 중 DRAM은 전체 메모리 반도체 시장의 53%를 차지하는 US$653억을 기록하였으며, 그 뒤를 이어 낸드플래시가 US$528억으로 43%, 기타 메모리가 US$49억으로 4%의 비중을 차지하였습니다.아래 표에 나타낸 바와 같이 반도체 산업은 우리나라 수출에 있어서 19.4%의 비중을차지하는 매우 중요한 기간 산업 중 하나입니다. 2020년 반도체 수출은 COVID-19 팬데믹으로 인한 언택트 시대 도래, 5G 시장 확장 등의 요인이 겹쳐 세계 경제가 침체 되었음에도 5.6% 상승하였습니다.

※ 전체 수출 중 반도체 비중 (단위: 백만 USD, %)

구분	2020	2019	2018	2017	2016	2015

총수출	512,498	542,233	604,860	573,694	495,426	526,757

반도체	99,177	93,930	126,706	97,937	62,228	62,917

전년비 증감률	5.6%	-25.9%	29.4%	57.4%	-1.1%	0.4%

비중	19.4%	17.3%	20.9%	17.1%	12.6%	11.9%

* 출처 : 한국무역협회, 2021년 1월

이러한 반도체는 메모리 반도체와 비메모리 반도체로 구분됩니다.

(가) 메모리 반도체정보를 저장하고 기억하는 기능을 하는 메모리 반도체는 일반적으로 '휘발성(Volatile)' 과 '비휘발성(Non-volatile)'으로 분류됩니다. 휘발성 메모리 제품은 전원이 끊어지면 정보가 지워지는 반면, 비휘발성 제품은 휴대전화에 전화번호가 저장되는 것처럼 전원이 끊겨도 저장된 정보가 계속 남아 있습니다. 당사는 휘발성 메모리인 DRAM과 비휘발성 메모리인 플래시메모리를 생산하고 있습니다.

메모리 반도체 산업은 제품 설계 기술, 공정 미세화 및 투자효율성 제고에 의한 원가 경쟁력 확보가 매우 중요한 산업으로서 기술력 및 원가경쟁력을 갖춘 소수의 IDM(Integrated Device Manufacturer)업체 중심으로 점차 과점화되고 있는 추세입니다.

[DRAM(Dynamic Random Access Memory)]DRAM은 전원이 켜져 있는 동안에만 정보가 저장되는 휘발성(Volatile) 메모리로 주로 컴퓨터의 메인 메모리(Main Memory), 동영상 및 3D 게임 구현을 위한 그래픽 메모리(Graphics Memory)로 사용되고 있으며, 가전제품의 디지털화에 따라 스마트 TV, 스마트 냉장고 그리고 프린터 등에도 사용이 확대되고 있습니다. 또한, 각종 이동통신 기기의 폭발적 성장에 따라 스마트폰 및 태블릿 PC 등에도 모바일용 DRAM의 채용량이 급증하고 있습니다.[플래시메모리(Flash Memory)]플래시메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 노어(NOR)형(Code저장형)과 낸드(NAND)형(Data저장형)으로 나눌 수 있습니다. 이 중 당사가 생산하는 낸드플래시는 순차적(Sequential) 정보 접근이 가능한 비휘발성 메모리 칩으로서, 디지털 비디오나 디지털 사진과 같은 대용량 정보를 저장하는데 매우 적합합니다. 낸드플래시 제품이 적용되는 분야는 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 내비게이션, SSD(Solid State Drive), Flash Array 그리고 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 모바일 기기 등 입니다. 한편, 최근 플래시 메모리는 일반적인 범용 메모리 보다는 고객지향적인 제품의 수요가 늘어나고 있어 이런 추세에 부합하는 적극적인 응용 제품개발 및 철저한 고객 대응의 중요성이 커지고 있습니다.

(나) 비메모리 반도체

비메모리 반도체는 정보 처리를 목적으로 제작되는 반도체로 특성에 따라, 아날로그, 로직, 마이크로, 디스크리트, 센서로 분리가 되며, 자사는 이중 CIS를 생산하고 있습니다.

[CIS(CMOS Image Sensor)]계산, 추론, 증폭, 센싱 등 다양한 기능을 수행하는 System IC 반도체 중에서 이미지센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해 주는 반도체 소자로서 디지털 촬영기기에서 필름 역할을 하고 있습니다. 이미지센서는 제조 과정과 신호를 읽는 방법에 따라 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두 가지 타입으로 나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의 기술이 크게 향상되고 디지털 촬영 기기가 소형화됨에 따라, 크기가 작고 전력 소모가 적은 CMOS 이미지센서의 활용 범위가 점차 확대되고 있으며, 특히 CIS의 사용 분야 중 자사의 사업영역인 스마트폰과 노트북, 태블릿 향의 출하량이 90%를 육박하며 고성장하고 있습니다.

(2) 산업의 성장성반도체 산업을 둘러싼 환경은 디지털 기기가 모바일化, 스마트化되고 자동차, 의료기기, 산업기기 등이 인터넷을 기반으로 발전함에 따라 우호적인 시장 여건이 지속되었으며, Big Data, AI, 5G 산업의 확장은 반도체 산업의 성장에 긍정적인 영향을 줄 것으로 예상 됩니다. 2017년부터 전체 반도체 시장이 21.6%의 높은 성장을 기록하였으며, 메모리 반도체 분야 역시 61.8%의 높은 성장을 달성하였습니다. 2018년에도 전체 반도체 시장은 12.5% 성장했고 메모리 반도체도 24.9%의 성장을 이루었습니다. 2019년은 메모리 반도체 시장은 글로벌 경기 침체, 스마트폰 판매량 감소, CPU 부족으로 인한 PC수요 감소, 공급 과잉 등의 영향으로 다운턴(Downturn)에 돌입한 이후 한동안 재고증가/가격하락 등 악재의 영향으로 전체 반도체 시장의 성장률은 -15.4%, 메모리 반도체는 -32.7%로 하락세를 보였습니다 (Gartner, 2021년 1월, 금액기준). 2020년은 COVID-19 사태에 따른 글로벌 팬데믹과 미-중 무역 갈등의 격화로 인해 글로벌 금융위기 이후 처음으로 세계 경제 성장률이 마이너스로 전환되며 메모리 시장 환경도 당초 기대 대비 부진했습니다. 고객의 보수적인 재고 운영이 지속되며 예상 대비 수요 증가율이 둔화되었으며 가격도 약세 전환되었으나, 공급업체들이 보수적인 투자 및 생산 기조를 유지함에 따라 연말로 갈수록 업계 재고가 정상화되고 수급도 안정을 찾아가기 시작했습니다. 2020년 반도체 시장은 +7.3%, 메모리 시장은 +12.3%의 상승을 기록했습니다.

[DRAM]시장 조사기관인 가트너(Gartner, 2021년 1월 금액기준)에 따르면, DRAM 시장은 세계 경제의 점진적 회복 및 모바일 시장 확대, 수급 안정 등의 요인으로 2014년 $461억(+32%), 2015년 $446억(-3.3%)의 매출을 기록하였습니다. 이어서 2016년에는 과잉공급으로 인한 평균 판매 가격(ASP: Average Selling Price) 하락으로, $414억(-7.1%)의 매출을 기록 후 DRAM 평균 판매 가격 상승으로 인해 2017년 매출은 큰 폭으로 성장하여 $721억(+74.1%)을, 2018년에는 $999억(+38.6%)을 기록했습니다. 그러나 2019년 글로벌 경기 침체, CPU공급 부족으로 인한 수요감소와 가격하락, 중국과 미국 스마트폰 판매량 감소로 인한 모바일向 일시적 공급 과잉 등의 영향으로 $622억(-37.8%)을 기록하며 큰 폭으로 떨어졌습니다. 2020년에는 COVID-19의 확산에 따른 시장의 혼란과 붕괴, 국가별 봉쇄 조치 등의 영향으로 많은 산업들이 타격을 입었고 반도체 산업 또한 영향을 받았습니다. 중국 내수 부진, 글로벌 시장 불확실성 증대에 따른 신제품 출시 시기 조정 등으로 Mobile 수요가 약화 되었으나, 비대면 경제 활성화, Cloud Service 이용 증가로 PC 및 서버 수요가 Mobile 부진을 상쇄하여 $653억(+5.1%)를 기록했습니다. 2021년은 COVID-19회복 및 5G 전환 확대, 데이터센터 업체의 투자 재개가 예상되어 Mobile과 Server의 수요가 다시 회복 될 것으로 기대됩니다.[낸드플래시(NAND Flash)]

낸드플래시는 디지털 미디어의 성장과 더불어 스마트폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, MP3플레이어 그리고 기타 멀티미디어 가전에 사용되는 플래시카드와 USB드라이브, SSD와 같은 정보저장장치(Storage Devices)등에 널리 사용되고 있습니다.

가트너(Gartner, 2021년 1월 금액기준)의 전망에 따르면, 낸드플래시 시장은 모바일 및 SSD 등 스토리지 분야 적용 확대를 통해 2015년 3.5%($308억), 2016년 14.9%($354억)의 꾸준한 성장을 이어가고 있습니다. 또한, 평균 가격 상승으로 인하여 2017년은 51.9%($537억)의 높은 성장을, 2018년에도 7.8%($580억)의 성장을 기록했습니다.

허나 2019년에는 DRAM과 마찬가지로 글로벌 경기 침체, 과잉 공급과 스마트폰 판매 부진으로 NAND 가격이 큰 폭으로 하락하며 -26.4%($426억)의 성장률을 보였습니다. 2020년은 DRAM과 마찬가지로 Mobile의 수요는 감소 했으나, Corporate PC 수요, Cloud 도입 확산에 힘입은 SSD 수요의 강세가 이를 상쇄하여 23.9%($528억)의 성장을 기록했습니다. 2021년엔 고용량 스마트폰의 출시로 NAND contents 수요 증가, PC와 게임 콘솔 수요의 증가, 데이터센터 고객들의 투자 확대로 시장의 회복이 기대됩니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]

이미지센서는 1990년대 중반 디지털 카메라에 장착되어 일반 소비자에게 선보인 이후 PC 카메라, 자동차 블랙박스, 휴대폰카메라, 감시카메라뿐 아니라 스마트 TV, AR, VR, 자율주행 자동차 등 4차 산업혁명 기술의 핵심 부품으로도 활용되어 시장 규모도 크게 증가하는 추세입니다. 특히 스마트폰, 태블릿 PC의 카메라 시장의 수요 증가로 시장이 지속 성장할 것으로 보입니다. Gartner 전망에 따르면, 이미지센서 시장은 2020년 US$ 146억에서 2024년 US$ 231억 규모로 연평균 12.2%의 성장이 예상되며, 특히 당사가 생산 중인 CMOS 이미지센서 시장은 다양한 응용기기로 확대 적용되고 수요가 증가하여 전체 이미지센서 시장에서의 비중이 2020년 97%에서 2024년 약 99%까지 확대될 것으로 전망됩니다.

(3) 경기변동의 특성

세계 반도체 시장은 제품 수명 주기가 매우 짧으며, 새로운 제품의 생산을 위해서는 대규모 투자가 필요한 장치 산업의 특성을 가지고 있습니다. 아울러, 과거에는 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며, 이는 주요 수요처인 미구주의 거시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 매우 컸습니다. 그러나 최근에는 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되고 경쟁력이 부족한 업체들이 일부 구조조정 되어 반도체 산업 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄었습니다.

[DRAM]DRAM은 PC 수요에 상당 부분 의존하여 기업의 PC교체 사이클의 영향을 크게 받아왔습니다. 이후 스마트폰 및 태블릿 PC 등 모바일 기기의 폭발적 성장과 AI, 5G 시장의 등장에 따라 DRAM의 주요 수요처가 PC에서 서버와 모바일로 분산되고, 경기 변동성이 과거에 비해 약화되는 모습을 보이고 있습니다.

한편, 수요의 계절성으로서는 미구주 지역의 신학기, 크리스마스 특수 등 하반기 수요 증가가 뚜렷했으나, 최근에는 중국과 인도 등 신흥시장 비중의 확대, 제품 수요처의 다변화, 공급업체들의 통합 등으로 경기 변동 폭이 이전 대비 축소되었습니다.

[낸드플래시(NAND Flash)]낸드플래시는 과거 MP3플레이어, 메모리카드 등의 수요증가에 힘입어 급속한 성장을 해왔습니다. 또한 최근에는 IT 기기가 스마트化되고 고성능化 됨에 따라 낸드플래시의 주 소비형태가 Controller와 Raw NAND가 결합되는 eMMC와 UFS, SSD 등으로 바뀌었으며 보다 높은 부가가치를 가지게 되었습니다. 아울러, 이들 eMMC와 SSD 제품도 DRAM과 같이 스마트폰, 태블릿 PC, 노트북, PC, Server, Storage, Flash Array 등의 다양한 제품에 장착되기 시작하며, 과거에 비해 경기 변동성은 줄어들 것으로 예상됩니다. 2017년까지 모바일이 가장 높은 점유율을 차지하고 있었으나 모바일 대비 대용량을 요구하는 클라우드 서버의 등장으로 SSD가 점유율을 역전하고 NAND 시장의 성장을 견인하는 추세입니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]이미지센서 시장은 스마트폰, DSLR 등 전통적인 수요처의 강세가 지속되는 가운데, 스마트 TV, AR, VR, 자율주행자동차 등 4차 산업혁명 기술의 핵심 부품으로 다양한 산업군과의 Convergence를 통해 시장이 더욱 확대되고 있습니다. 또한 이미지센서 중 자사가 생산 중인 CMOS 이미지센서는 휴대폰, 캠코더, PC 등 멀티미디어 기기 시장의 영향을 크게 받는 제품으로서 소비재의 특성상 경기변동과 기술변화에 민감할 뿐만 아니라 라이프 사이클이 짧은 특징을 가지고 있습니다.

(4) 경쟁요소반도체 사업의 핵심 경쟁력은 1. 기술 및 원가 경쟁력, 2. 시장 대응 능력(고객확보, 제품 포트폴리오), 3. 설비투자 능력 등이 있습니다.

최근 대량생산이 용이한 표준제품 위주에서 응용분야가 점차 다양화, 융복합화 됨에 따라 시설투자와 생산성 향상을 통한 원가경쟁력 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁의 패러다임이 빠르게 전환되고 있습니다.

지금까지는 적극적 투자에 의한 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁 요소였지만, 공정 미세화의 난이도 증가와 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대 등 사업환경이 변화하였습니다. 따라서, 앞으로는 생산기술의 고도화를 통한 투자 절감과 제품의 부가가치 증대를 위해 다양한 선행기술 및 응용기술 개발, 메모리 컨트롤러와 펌웨어가 결합된 응용복합제품의 개발이 중요한 사업 경쟁력이 될 것입니다. 아울러 DRAM 분야에서의 TSV(Through Silicon Via) 및 New Memory의 원활한 초기시장 진입과 eMMC나 SSD 제품의 시장확대를 위해서는 관련 기술업체와의 협업과 더불어 고객 만족도가 중요해짐에 따라 마케팅 및 고객 지원 활동도 핵심 경쟁 요소로 부각되고 있습니다.

이외에도 적기에 시장요구에 부합하는 제품을 출시(Time to Market)할 수 있는 시장 대응력 및 재무 건전성 확보 등이 요구되고 있습니다.

나. 회사의 현황(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황 2020년은 메모리 업황의 회복을 기대하며 출발했지만, 코로나바이러스(COVID-19)에 따른 글로벌 팬데믹과 미-중 무역 갈등의 격화로 인해 글로벌 금융위기 이후 처음으로 세계 경제 성장률이 마이너스로 전환되며 경기가 크게 위축되었습니다. 이에 따라, 고객의 보수적인 재고 운영에 따른 수요 감소와 가격 약세로 메모리 시황도 당초 기대와는 달리 부진한 흐름을 보였습니다.

이러한 미증유의 경영환경 속에서도, SK하이닉스는 신속한 선도 기술 개발과 급변하는 수요 변화에 탄력적으로 대응한 결과, 연결 기준 매출 31.9조원, 영업이익 5.0조원으로 전년 대비 크게 개선된 경영 실적을 달성하였습니다.

더 나아가 DRAM에 대한 의존도가 높은 사업 구조를 극복하고 NAND 사업 성장에 추진력을 더할 인텔 NAND 사업부문의 인수 계약을 체결하였습니다.

(단위 : 백만원)

구 분	제73기 누계(2020.01.01~2020.12.31)	제72기 누계(2019.01.01~2019.12.31)	전기 대비증감

매출액	31,900,418	26,990,733	18%

영업이익	5,012,624	2,719,179	84%

당기순이익	4,758,914	2,009,078	137%

※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성된 연결기준 실적입니다.

(나) 공시대상 사업부문의 구분[제73기] (단위: 백만원)

구 분	매출액	매출액 비중 (%)	주 요 제 품

반도체 부문	31,900,418	100.0%	DRAM, NAND Flash, MCP 등

합계	31,900,418	100.0%	-

※ 당사는 한국표준산업분류표상의 소분류에 의한 '반도체 및 기타 전자 부품 제조업' 에 해당하며, 반도체부문의 매출액이 총매출액의 90%를 초과하므로 반도체부문으로 기재함. (2) 시장점유율

구 분	'20년 3분기	'20년 2분기	'20년 1분기	'19년	'18년	'17년	'16년

DRAM	27.7%	29.4%	28.9%	27.4%	28.3%	27.8%	26.0%

NAND Flash	11.7%	12.2%	11.5%	11.0%	12.2%	11.5%	11.8%

※ 출처: IDC 2020년 12월 , 매출액 기준

(3) 시장 경쟁요소 및 회사의 경쟁력

[DRAM]PC 메모리(PC Memory)는 비대면 문화 확산에 따른 수요 증가가 지속될 것으로 전망됩니다. COVID-19로 재택근무와 온라인 수업이 본격적으로 도입되면서 노트북을 중심으로 한 신규 PC 수요가 증가하였으며, 특히 교육용 시장을 중심으로 저렴한 가격 및 다양한 교육용 프로그램을 제공하는 크롬북(Chromebook) 시장이 확대되었습니다. 1인당 1대의 PC 사용이 New normal이 되어가고 있는 상황으로, PC 시장은 수요 강세 기조가 지속될 것으로 전망하고 있습니다. 이외에 평균 메모리 탑재량이 높은 울트라북(Ultrabook)과 고사양 게이밍 PC(Gaming PC)도 확고한 제품 지위를 가지고 영역을 넓혀가고 있어 향후 지속적인 PC 메모리 수요 증대가 예상됩니다. 당사는 이러한 시장 변화에 대해 모바일 및 고용량 제품 확대를 통해 적극 대응하고 있습니다.

서버 메모리(Server Memory)는 클라우드 컴퓨팅(Cloud Computing) 분야의 높은 성장세 유지로 지속적인 수요 증대가 전망됩니다. 기업 데이터의 Public Cloud 전환 가속화 및 클라우드 게이밍과 같은 클라우드 관련 서비스 수요의 증가에 따라 대형 클라우드 사업자 및 인터넷 서비스 사업자들은 데이터센터 확장을 위한 투자에 집중하고 있습니다. 또한, 중국 Public Cloud 및 서버 업체들은 중국 정부 및 기업 주도의 공격적인 IT 투자에 힘입어 높은 성장을 기록하고 있습니다. 또한, 소프트웨어 발전에 따른 단일 서버의 가상화 집적도 상승과 CPU플랫폼 고도화 등의 경향은 단일 서버당 메모리 탑재량 증가에 일조하고 있습니다. 이러한 추세에 더하여, 향후에는 비대면 문화 확산에 따른 디지털화의 가속화에 따라 서버 인프라 규모의 지속적인 증대가 이루어지면서 서버 메모리 시장은 중장기적으로 견조한 수요가 발생할 것입니다.

그리고 5G 본격화 및 실시간/초저지연 데이터 처리 수요에 대비한 Edge Computing Infra 확충이 이루어질 전망입니다. 이에 따라 이와 관련된 서버 메모리의 추가적인 수요 발생이 기대되며, AI(Artificial Intelligence)와 ML(Machine Learning) 등을 기반으로 한 고차원적인 분석 응용분야(Analytics Application)의 성장으로 고대역폭/고용량 메모리 수요 또한 증가할 것으로 예상됩니다. 당사는 이러한 시장의 니즈에 부합하는 고대역폭/고용량 서버 모듈(Module) 제품의 선행 개발과 양산 공급을 통해 이러한 시장 수요에 적극적으로 대응하고 있습니다.

그래픽스 메모리(Graphics Memory) 시장은 고사양/고화질 게임 증가, 4K/8K 미디어 영상 컨텐츠 확산, 3D 그래픽 기술 발전에 따라 상위 스피드를 지원하는 GDDR6로 빠르게 전환 중이며, AI/Deep Learning 분야 Workload 증가로 워크스테이션(Workstation)과 고성능 컴퓨팅(High Performance Computing) 시스템 가속화를 위한 GDDR6/HBM2E 제품이 탑재된 고사양 Accelerator 수요는 지속 증대될 것으로 전망됩니다. COVID-19로 인한 Stay-at-home 수요 증가는 Gaming 문화 확산에 기여하였으며, 신규 출시된 게임 콘솔 기기의 메모리 채용량이 급격히 증가함에 따라 그래픽스 메모리 시장은 견조한 성장세가 지속될 것으로 예상됩니다. 당사는 주요 GPU/PC OEM업체 및 게임 콘솔 업체들과의 전략적 협업과 관계 강화를 통해 PC 그래픽스와 게임 콘솔 시장에 대해 적극적으로 대응하고 있습니다.

컨슈머 메모리(Consumer Memory)는 다양한 응용 분야에서 특히, Stay-at-Home과 고화질 Video entertainment 수요/공급 증가에 따른 디지털 TV, Set-top Box 및 AI Speaker, VR, Game 등 Smart Home 시장 성장과 함께 채용 확대가 지속될 것으로 전망합니다. 아울러 In-vehicle Infotainment, ADAS 등 내연/전기자동차의 전장시스템 탑재 확대와 고사양화 및 가까운 미래에 자율주행자동차 시대의 도래는 중장기 컨슈머 메모리 수요를 견인하는 동력이 될 것입니다.이에 당사는 범용 제품(DDR3/DDR4)과 저전압/고속 제품(LPDDR4/X, LPDDR5)은 물론, Specialty 제품(Industrial Temperature, Automotive grade HBM2E)의 다양한 Portfolio와 Longevity 정책 등 컨슈머에 특화된 운영과 고객의 니즈에 적극 대응함으로써, 시장에서의 입지를 견고히 하고 사업을 확대해 나가고 있습니다.

모바일 메모리(Mobile Memory)는 Low-power 및 High bandwidth를 필요로 하는 Mobile device (Smartphone/Tablet/Watch 등)를 중심으로 채용되고 있으며, IoT, Automotive, Consumer 분야로 채용이 확대되고 있습니다. Mobile application의 대표 기기인 Smartphone 시장은 2019년 한국/미국/중국에서의 5G 도입을 시작으로 2020년 5G 시장의 본격 개화와 제품 확대로 2020년 연간 출하량의 반등을 예상 했었습니다. 하지만, 2020년 상반기 COVID-19 사태 확산에 따른 주요 업체들의 조업 지연, 지역별 Lock-down 확대, 소비시장의 수요/경기 침체의 영향으로, Smartphone set은 전년 대비 약 -11% 수준의 역 성장을 보였습니다. 반면, 각 국가의 감염 사태 안정화/ 공급망 정상화에 따른 수요 회복을 보이고 있으며, 이에 따라 2021년은 5G 시장의 확대와 함께 출하량이 반등하며 약 10%에 가까운 성장을 예상하고 있습니다. Smartphone 기기당 채용되는 Mobile향 DRAM과 NAND 모두 20% 이상의 높은 성장률을 유지할 것으로 보고 있으며, 인도/아프리카/동남아시아 등 신흥시장의 수요 확대 추세로 전체 DRAM 시장의 수요 성장을 견인하고 있습니다. 기기당 DRAM 채용량 측면에서, AI on Device, AR/VR, 중저가 모델의 Multiple Camera 탑재 확대 기조, 5G 통신을 활용한 다양한 Application의 확대, Foldable 및 High Resolution Display 등 Spec.의 상향에 따라 Memory 고용량화 추세는 지속될 것으로 전망됩니다. 2020년 출시된 Android 기반의 Flagship 주요 모델은 최소 6GB에서 최대 16GB의 Mobile DRAM이 채용되었으며, 당사는 전체 Smartphone의 Memory 평균 채용량이 전년 대비 DRAM은 10% 중반, NAND는 20% 이상 증가할 것으로 전망하고 있습니다. 이에 당사는 금년 하반기 LPDDR5를 비롯한 최신 Tech. 기반의 LPDDR4X에 기반한 다양한 PKG 제품(PoP/Discrete/eMCP/uMCP)으로 Line up을 구축하여 고용량/고성능/저전력 구현을 위한 미래 제품 개발을 적극 추진 중에 있습니다.

[낸드플래시(NAND Flash)]최근 낸드플래시 수요는 최첨단 IT 기기 및 다양한 소비자 가전에서의 채용률 및 채용량 확대로 증가하는 추세입니다. 과거에는 플래시카드, USB드라이브, MP3플레이어, PMP 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처였으나, 최근에는 스마트폰의 5G 확대에 따른 채용량 증가 그리고 데이터센터의 SSD 채용 증가로 수요 증가가 지속되고 있습니다. 당사는 이러한 데이터센터 SSD 채용 증가 추세에 발 맞추기 위해 2020년 데이터센터향 SSD 사업의 강자인 인텔社 낸드플래시 사업부 인수를 발표하여 인수작업을 진행 중에 있습니다.

이와 같은, 낸드플래시 시장에서 당사는 저용량부터 고용량까지 다양한 단품 및 응용 복합 제품을 기반으로 고객의 수요에 보다 적극적으로 대응하고 있으며, 응용 분야별 선택과 집중을 통하여 낸드플래시 경쟁력을 확보하고 시장 지배력을 높여 가고 있습니다. 또한, 높은 기술력을 바탕으로 3D 128단 NAND 제품을 개발/양산하여 빠른 NAND 시장 변화에 발 맞추어 대응하고 있으며, 2020년말 3D 176단 NAND 제품을 개발 완료하여 연내 안정적으로 양산 적용함으로써 제품 경쟁력에 있어 한 발 앞서 나갈 준비를 계획하고 있습니다.

[CIS(CMOS Image Sensor)]CIS는 모바일 폰, 노트북, 태블릿, 디지털 카메라 등 다양한 디지털 기기에서 필름 역할을 하는 반도체 소자이며, 2020년부터 2024년까지 연평균 약 9%의 높은 성장률을 보일 것으로 예상하고 있습니다. (출처: Techno-Systems Research 2H. 2020, 출하량 기준)

현재 CIS 화질이 크게 향상되면서 의료 기기, 자동차, VR/AR 등으로 응용 범위가 점차 확대되고 있습니다. 수량 및 매출 비중이 가장 큰 모바일의 경우, 전후면에 이미지센서가 장착되고 있으며, 2016년부터는 광학줌 및 포커싱(보케) 등의 카메라 기능 확대를 위해 후면에는 듀얼 카메라가 채용되기 시작했습니다. 2018년 이후에는 초광각, LLS(Low-Light Shooting) 등 카메라 기능이 더욱 확장되면서 트리플, 쿼드러플 카메라가 상용화되기 시작했으며 이로 인해 기기당 탑재량이 지속 증가하는 추세입니다. 최근 스마트폰 카메라 시장은 멀티 카메라 및 40Mp 이상 고화소 채용 증가로 카메라 성능이 어느 때보다도 중요한 마케팅 요소가 되고 있습니다.

당사는 이미지센서 시장 중 가장 많은 비중을 점유하고 있는 모바일 시장과 이와 유사한 성능을 요구하고 있는 노트북 시장에 집중하고 있으며, 2017년부터는 고화소 시장으로 진입하기 위해 300mm 공정을 구축하고 1.0um pixel을 우수한 성능으로 개발하였습니다. 2019년 하반기에는 1.0um pixel로 만든 20Mp 제품을 주요 고객에 인증 받아 고화소 시장 확대를 위한 발판을 마련하였고, 2020년에는 0.8um pixel 48Mp 제품을 개발하여 글로벌 스마트폰 기업의 신규 프로젝트에 진입하는 등 경쟁력을 인증받고 있습니다. 현재는 여기서 또 한 단계 기술을 도약한 0.7um pixel 64Mp 제품을 2021년 출시 목표로 개발 중입니다.

향후 점유율 확대를 위하여 시장의 니즈에 맞추어 제품을 개발하는 것 이외에도, 보안 카메라 및 바이오 등과 같이 새로운 시장 진입을 통한 애플리케이션 다양화로 CIS시장에서의 입지를 더욱 강화해 나갈 계획입니다.

다. 사업부문별 재무정보 당사는 반도체 제조업부문의 매출액과 자산총액이 전체부문의 90%를 초과하는 지배적 단일사업부문으로서 부문별 기재를 생략합니다.

2. 주요 제품, 서비스 등가. 주요 제품 등의 현황

[제73기] (단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	구체적용도	주요상표등	매출액(비율)

반도체 부문	제품 외	DRAM, NAND Flash, MCP 등	산업용 전자기기	SK하이닉스	31,900,418(100%)

합계	31,900,418(100%)

나. 주요 제품 등의 가격변동추이 2020년은 코로나바이러스(COVID-19)에 따른 글로벌 팬데믹과 미-중 무역 갈등의 격화로 인해 글로벌 금융위기 이후 처음으로 세계 경제 성장률이 마이너스로 전환되며 세계경제가 크게 위축되었습니다. 이에 따라, 메모리 업계도 고객의 보수적인 재고 운영에 따른 수요 감소와 가격 약세로 메모리 시황도 부진한 흐름을 보였습니다. 3. 주요 원재료에 관한 사항 당사의 메모리반도체 부문 생산공정에 투입되는 원재료는 크게 웨이퍼(Wafer), Substrate, PCB(Printed Circuit Board) 그리고 기타 재료 등으로 구성됩니다. 웨이퍼는 집적회로(Integrated Circuit, IC)를 제작하기 위해 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 규소(Ingot)를 얇게 절단하여 원판모양으로 만든 것으로서 반도체 소자를 만드는 데 사용되는 핵심 재료입니다. Substrate는 Package를 만들기 위한 원재료 중 하나로 전기 신호를 연결하면서 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하고 지지해주는 골격 역할을 하는 부품입니다. PCB는 그 위에 저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모 집적회로(Large-Scale Integration), 스위치 등의 부품을 고정 및 연결하여 회로기능을 완성시키는 인쇄회로기판 입니다.

그 외 가스 및 화학약품, 소자류 등이 반도체 제조 공정에 투입되는 원재료로 소요됩니다.

가. 주요 원재료 등의 현황(단위 : 백만원, %)

사업부문	매입유형	품 목	구체적용도	투입액	비율	비고

반도체 부문	원재료	WAFER	Fab	946,477	12%	-

Lead Frame Substrate	Package	335,935	4%	-

PCB	Module	321,773	4%	-

기타	-	3,742,728	46%	-

소계	5,346,912	65%	-

저장품	S/P , 부재료	2,864,019	35%	-

합 계	8,210,931	100%	-

나. 주요 원재료의 매입처 및 원재료 공급시장과 공급의 안정성

당사는 일본, 한국, 독일, 미국 등에 생산시설을 보유한 5개사로 부터 반도체 공정의

주요 원자재인 300mm 웨이퍼 완제품을 공급받고 있습니다. 당사가 거래하고 있는 상기 5개사는 전체 300mm 웨이퍼 시장의 90% 이상 점유율을 차지하고 있습니다.

과거 몇 년간 인공지능(AI), 클라우드, 사물인터넷(IoT) 등의 시장 확대에 따른 반도체 산업의 호황으로 웨이퍼 수요 및 가격은 지속적으로 증가하는 추세였으나, 향후 가격 동향은 공급처의 보완 투자 규모 및 반도체 산업의 업황 변동에 따라 영향을 받을 것으로 예상됩니다.

최근 글로벌 경기 성장 둔화 예상에 기반한 반도체 공급사 Capa. 투자 지연 및 Wafer 수급률 개선에 따라 단가 상승세 둔화가 예상되고 있으며, 향후 시장은 중장기 반도체 시장 상황에 연동한 수요자(Chipmakers)/공급자(Wafer제조사) 투자 규모 결정에 따라 가격 유지/하락 추세가 결정될 것으로 보입니다.

당사는 웨이퍼를 포함한 원자재/원소재 시장 수급 동향을 지속적으로 모니터링하고 있으며, 주요 매입처와 협력 관계를 통해 안정적 생산 지원 및 원가경쟁력을 강화해 나갈 것입니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

당사는 4조3교대로 운영되고 있으며, 휴일(공휴일 포함)을 포함하여 2020년 총 가동일은 366일 로, 각 지역별 FAB의 가동인원 및 가동율을 고려하여 계산한 당사의 평균가동시간은 월 16,639,092 시간입니다.

생산능력은 "해당 연간 최대생산 일의 생산량ⅹ누적일수ⅹ평균원가"의 방법으로

산출하고 있으며, 2020년 생산능력은 24,404,484백만원 입니다.

(단위 : 백만원)

사업부문	제 73기	제 72기	제 71기

반도체	24,404,484	22,544,450	18,130,264

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다.

나. 생산실적 및 가동률

당사의 2020년 생산실적은 24,404,484 백만원으로 집계되었으며, 동 기간의 생산설비의 평균가동률은 100%를 유지하였습니다.

(1) 생산실적(단위 : 백만원)

사업부문	제73기	제72기	제71기

반도체	24,404,484	22,544,450	18,130,264

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다.

(2) 가동률(단위 :시간, %)

사업부문	가동가능시간	실제가동시간	평균가동률

반도체	199,669,104	199,669,104	100%

※ 가동율은 각 지역별 FAB별 가동인원 및 수율을 고려하여 계산함

다. 생산설비의 현황 당사의 시설 및 설비의 장부가액은 작성기준일 현 재 41,230,562 백 만원 이 며 , 상세 내역은 다음 과 같 습니다 .

(단위:백만원)

구 분	토지	건물	구축물	기계장치	차량운반구	기타의유형자산	건설중인자산	합계

2020.01.01	-	-	-	-	-	-	-	-

취득원가	1,041,771	6,794,239	2,193,816	67,650,975	48,061	1,882,254	3,959,952	83,571,068

감가상각누계액	-	(1,207,184)	(555,649)	(40,510,568)	(4,949)	(1,118,187)	-	(43,396,537)

손상차손누계액	-	(23,699)	(19,103)	(163,271)	-	(24)	-	(206,097)

정부보조금	-	(15,612)	-	(2,866)	(16)	-	-	(18,494)

기초순장부금액	1,041,771	5,547,744	1,619,064	26,974,270	43,096	764,043	3,959,952	39,949,940

기중변동액	-	-	-	-	-	-	-	-

취득	38,075	476,831	284,113	6,044,813	55	192,353	3,012,558	10,048,798

처분	(9,231)	(327)	(73)	(17,095)	-	(884)	(37,850)	(65,460)

손상차손	-	-	-	-	-	-	-	-

감가상각	-	(233,909)	(114,307)	(7,888,654)	(3,351)	(274,913)	-	(8,515,134)

대체	(96,096)	1,222,639	21,076	1,367,213	753	45,476	(2,767,284)	(206,223)

환율변동 등	(2,913)	5,271	2,234	10,495	4	(1,250)	4,800	18,641

기말순장부금액	971,606	7,018,249	1,812,107	26,491,042	40,557	724,825	4,172,176	41,230,562

2020.12.31	-	-	-	-	-	-	-	-

취득원가	971,606	8,459,016	2,494,982	74,141,182	48,860	2,045,915	4,172,176	92,333,737

감가상각누계액	-	(1,401,792)	(663,771)	(47,485,857)	(8,292)	(1,321,067)	-	(50,880,779)

손상차손누계액	-	(23,699)	(19,104)	(162,276)	-	(23)	-	(205,102)

정부보조금	-	(15,276)	-	(2,007)	(11)	-	-	(17,294)

순장부금액	971,606	7,018,249	1,812,107	26,491,042	40,557	724,825	4,172,176	41,230,562

라. 투자계획(현황) 2020년 당사의 투자집행 현황은 다음과 같습니다.

[입고기준] (단위 : 십억원)

구 분	투자대상자산	투자효과	투자 기간	기투자액(누적)	비 고

보완투자 등	기계장치 외	생산능력증가	2020.01.01~2020.12.31	9,890	-

합 계	9,890	-

5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적(단위 : 백만원)

사업부문	매출유형	품 목	제73기	제72기	제71기

반도체 부문	제품 외	DRAM, NAND Flash, MCP 등	31,900,418	26,990,733	40,445,066

합 계	31,900,418	26,990,733	40,445,066

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다. 나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직

국내에서는 GSM 내 영업 관할 하에 대리점 5개사를 운영하고 있습니다. 해외 판매법인은 미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국 등 총 8개 국가에 10개 법인이 소재하고 있으며 산하에 16개의 대리점을 두고 있습니다.

(2) 판매 경로

당사의 판매 경로는 크게 직판 거래와 대리점 거래로 나눌 수 있습니다. 직판 거래는 당사에서 일반 기업체 등 실 수요자에게 직접 판매를 하는 것이고, 대리점 거래는 당사가 대리점을 통해서 일반 기업체 등의 실 수요자에게 판매하는 것입니다.

(3) 판매 방법 및 조건

내수 판매는 국내 대리점등의 수주 현황에 의거하여 현금 또는 어음 결제조건으로 납품하고 있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C에 의거하여 신용장 또는 D/A, D/P 거래 등으로 납품하고 있습니다.

(4) 판매 전략

당사 판매 전략은 '비즈니스 포트폴리오 최적화', '수익 구조 개선', '고객 관계 유지', '지역별 포지셔닝' 등 4가지를 근간으로 하고 있습니다.

비즈니스 안정성을 위해서 포트폴리오의 최적화를 추진하고 있으며 매출 확대를 위해 제품 구성을 다양화 하고 있습니다.

수익 구조 개선을 위해서 고부가가치 제품 판매를 확대하고 시장 통찰 능력을 강화하여 미래 시장 발굴을 추진하고 있습니다.

고객 관계 유지를 위해서 고객 가치 제안 활동을 강화하고 특화된 제품을 제공하여 고객 만족 제고를 추진하고 있습니다.

지역별 특성을 고려하여 차별화된 제품 전략으로 지역별 전략 고객 매출 확대를 추진하고 있습니다.

(5) 주요 매출처

DRAM의 경우, 세계 유수의 모바일 및 Computing 관련 전자 업체에 제품을 공급하고 있습니다. 낸드플래시는 IT 컨슈머 제품 전체에 걸쳐 그 수요처가 다양하기 때문에 세계적인 모바일 디바이스 및 IT 제품 제조업체, 그리고 SSD와 같은 대용량 저장장치와 메모리 카드 생산 업체 등을 고객으로 확보하고 있습니다.

6. 수주상황 당사는 주요 고객사들과 월별/분기별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있으며, 장기공급 계약에 따른 수주 현황은 없습니다.

7. 시장위험과 위험관리 가. 시장위험

(1) 환율변동위험 연결회사는 국제적으로 영업활동을 영위하고 있어 외환위험, 특히 주로 달러화, 유로화, 위안화 및 엔화 와 관련된 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 외환위험은 미래예상거래, 인식된 자산과 부채 및 해외사업장에 대한 순투자가 기능통화 외의 통화로 표시될 때 발생합니다.

당기말 현재 연결회사의 화폐성 외화자산 및 외화부채의 내역은 다음과 같습니다 .

(원화단위: 백만원, 외화단위: 외화 백만단위)

구 분	자 산	부 채

현지통화	원화환산	현지통화	원화환산

USD	10,370	11,283,027	10,913	11,873,394

JPY	385	4,062	140,716	1,483,515

CNY	1,779	297,021	27	4,525

EUR	10	12,791	34	45,167

또한, 연결회사는 외화사채 및 차입금의 환위험을 회피하기 위하여 첨부된 연결감사보고서의 주석 23에서 설명하는 바와 같이 통화스왑계약 및 통화이자율스왑계약을 체결하고 있습니다.

당기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율이 10% 변동시, 동 환율변동이 법인세비용차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위: 백만원)

구 분	10% 상승시	10% 하락시

USD	49,200	(49,200)

JPY	(147,945)	147,945

CNY	29,250	(29,250)

EUR	(3,238)	3,238

(2) 이자율위험

연결회사의 이자율위험은 미래의 시장이자율 변동에 따라 차입금에서 발생하는 이자비용이 변동될 위험으로서, 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금에서 발생하고 있습니다. 변동이자율로 발행된 차입금으로 인하여 연결회사는 이자율위험에 노출되어 있으며 동 이자율위험의 일부는 변동이자부 현금성자산으로부터의 이자율위험과 상쇄됩니다. 연결회사는 현금흐름 이자율위험을 변동이자수취/고정이자지급 스왑을 이용하여 관리하고 있습니다. 이러한 이자율 스왑은 변동이자부 차입금을 고정이자부 차입금으로 바꾸는 경제적 효과가 있습니다. 일반적으로, 연결회사는 변동이자율로 차입금을 발생시킨 후 고정이자율로 스왑을 하게 됩니다. 스왑계약에 따라 연결회사는 거래상대방과 특정기간(주로 분기)마다, 합의된 원금에 따라 계산된 고정이자와 변동이자의차이를 결제하게 됩니다.연결회사는 당기말 현재 이자율 변동에 따라 순이자비용이 변동할 위험에 일부 노출되어 있습니다. 연결회사는 변동금리부차입금 544,000백만원에 대해 통화이자율스왑 계약을 체결하고 있으며, 변동금리부차입금 108,800백만원에 대해 이자율스왑 계약을 체결하고 있습니다. 따라서, 이자율 변동에 따른 해당 차입금에 대한 이자비용 변동으로 인한 당기 법인세비용차감전순이익은 변동하지 않습니다. 한편, 당기말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 하락 또는 상승시 향후 1년간 연결회사의 변동금리부 차입금 및 금융자산으로부터의 이자비용과 이자수익으로 인한 법인세비용차감전순이익은 50,270백만원(전기: 55,093백만원) 만큼 증가 또는 감소할 것입니다.

(3) 가격위험연결회사는 유동성관리 및 영업상의 필요 등으로 지분증권 및 채무증권에 투자하고 있습니다. 당기말 현재 해당 지분증권 및 채무증권은 가격위험에 노출되어 있습니다.

연결회사의 지분투자는 비상장 투자지분이고 동 투자가 당기손익 및 기타포괄손익에미치는 영향은 첨부된 연결감사보고서의 주석 12에서 설명하고 있습니다.

나. 회사의 위험관리 정책 (1) 위험관리의 일반적 전략 [주요 시장위험요소]당사는 외화표시 자산 및 부채에 대해 환율변동에 의한 리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 경영 안정성 제고를 목표로 환 리스크 관리에 만전을 기하고 있습니다. 또한 당사는 영업 측면에서 매출의 90% 이상이 USD로 발생되어 USD 수입이 지출보다 많은 구조를 가지고 있으므로 수입에서 지출을 차감한 잔존 외화 현금흐름을 환리스크 관리의 주 대상으로 하고 있습니다.

[위험관리규정]당사는 보다 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 환위험 관리규정 제정, 외환관리위원회 구성 및 환리스크 관리를 위한 별도의 전담 인원을 배정하여 운영하고 있습니다. 그 주요 내용은 ①외환거래는 환 리스크를 회피하고 안정적 경영 수익을 확보하기 위해 실행되어야 하며, ②실수요와 공급에 의한 거래를 원칙으로 하고, ③환위험 관리의 정책은 자연적 헤지(Natural Hedge)를 기본으로 하되 필요시 선물환 등 외부적 관리기법을 일부 시행하고, ④회사의 환위험 관리는 주관부서에서 집중하여 관리하며, 주관부서는 환포지션을 파악하여 외환관리위원회가 설정한 지침에 따라 관리하고 있습니다.

(2) 위험관리조직 및 운영 현황당사는 외환관리에 관한 주요 의사결정이 필요한 경우 외환관리위원회를 개최하며, 외환관리위원회의 주요 업무는 다음과 같습니다.① 외환 관리 정책, 전략 심의 및 의결② 외환 관리 규정의 제정 및 개정③ 외환관리 목표와 허용 손실한도의 설정④ 외환위험 헤지 범위 및 헤지 비율, 관리수단 등의 조정⑤ 외환포지션, 환율 변동 영향, 환율 전망 등 환관련 정보의 공유

8. 파생상품 거래현황

(1) 당기말 현재 현금흐름위험회피회계를 적용한 통화스왑 및 이자율스왑 거래내역은 다음과 같습니다.

(외화단위: 외화 천단위)

위험회피대상	위험회피수단

차입일	대상항목	대상위험	계약종류	체결기관	계약기간

2019.09.17	고정금리외화사채 (액면금액 USD 500,000)	환율변동위험	통화스왑계약	국민은행 등	2019.09.17 ~ 2024.09.17

2019.10.02	변동금리외화시설대출 (액면금액 USD 500,000)	환율변동위험 및 이자율위험	통화이자율스왑계약	산업은행	2019.10.02 ~ 2026.10.02

2020.02.03	변동금리 일반대출(액면가액 USD 50,000)	이자율변동위험	이자율스왑계약	우리은행	2020.02.03 ~ 2023.02.03

2020.03.18	변동금리 일반대출(액면가액 USD 50,000)	이자율변동위험	이자율스왑계약	우리은행	2020.03.18 ~ 2023.02.03

(2) 연결회사가 보유하고 있는 파생금융상품은 연결재무상태표의 비유동부채에 표시되어 있으며, 그 내역은 다음과 같습니다.

(원화단위: 백만원, 외화단위: 외화 천단위)

구분	위험회피대상항목	현금흐름위험회피회계적용	공정가치

통화스왑	고정금리외화사채 (액면금액 USD 500,000)	23,018	23,018

통화이자율스왑	변동금리시설대출 (액면금액 USD 500,000)	59,478	59,478

이자율스왑	변동금리 일반대출(액면가액 USD 50,000)	1,539	1,539

이자율스왑	변동금리 일반대출(액면가액 USD 50,000)	672	672

파생금융부채 합계	84,707

당기말 현재 위험회피수단으로 지정된 파생상품의 공정가치 변동은 모두 위험회피에효과적이므로 전액 기타포괄손익으로 인식하였습니다.

9. 경영상의 주요계약 등

계약 상대방	항목	내용	비고

Rambus Inc.	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약	-

계약 기간	2013년 7월 1일 ~ 2024년 6월 30일

목적 및 내용	라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소

기타 주요내용	특허 및 반독점 소송 등 램버스와 진행중인 모든 소송 취하

Sandisk Corporation	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약 등	-

계약 기간	2015년 8월 ~ 2023년 3월

목적 및 내용	1) 기존 특허 cross license 계약 연장 2) 동 기간 동안 당사의 DRAM 제품을 판매하는 장기 공급계약 체결3) 양사간 진행 중인 영업비밀 소송은 취하하기로 합의함

기타 주요내용	-

에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)	계약 유형	영업 양도	-

계약 기간	2017년 7월 1일 (영업/자산 양도 시점)

목적 및 내용	Foundry 사업의 책임 경영을 통한 수익성 및 사업가치 제고

기타 주요내용	1) Foundry 사업과 관련된 자산 등의 포괄적 양도2) 이사회 의결일 : 2017년 5월 24일

BCPE PangeaIntermediateHoldingsCayman, LP	계약 유형	특수목적법인(SPC)에 대한 출자 (신규 설립)	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital이 General Partner로서 구성한 특수목적법인(SPC)이 도시바의 반도체 사업 지분을 인수하며, 당사는 이에 대한 Limited Partner로서 투자에 참여

기타 주요내용	-

BCPE PangeaCayman2Limited	계약 유형	특수목적법인(SPC)이 발행한 전환사채 취득	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital과의 특수목적법인(SPC)의 전환사채를 취득하고, 향후 적법한 절차를 거쳐 전환 시 최종적으로 도시바 반도체 사업 지분의 15% 확보 가능

기타 주요내용	-

Intel Corporation	계약 유형	영업양수도	-

계약 체결일	2020년 10월 20일 체결

목적 및 내용	Intel의 NAND 사업 영업양수

기타 주요내용	계약금액은 US$90억이며, 2차에 걸쳐 지급될 예정* 관련 공시 : 2020년 10월 22일 주요사항보고서(영업양수결정)

※ 최근 5년간의 주요계약 기준 10. 연구개발활동 가. 연구개발 담당조직 당사는 보고서 제출일 현재, 메모리연구소 및 제품개발연구소, Nand Solution 미래기술 연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.

나. 연구개발비용(단위:백만원)

과 목	제73기	제72기	제71기	비 고

연구개발비용	원 재 료 비	152,149	156,745	113,064	-

인 건 비	940,501	836,022	1,018,555	-

감 가 상 각 비	500,144	407,084	349,710	-

위 탁 용 역 비	280,835	268,762	227,286	-

기 타	1,608,325	1,519,917	1,186,339	-

연구개발비용 합계	3,481,955	3,188,531	2,894,954	-

회계처리	연구개발비(비용)	3,222,934	2,855,643	2,284,000	-

개발비(무형자산)	259,020	332,888	610,954	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	10.9%	11.8%	7.2%	-

매 출 액	31,900,418	26,990,733	40,445,066	-

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다.

다. 연구개발 실적

구 분	연구과제명	기대효과

제73기	1) 1ynm 12Gb LPDDR4E	플래그쉽 제품 대응 목적으로 Mobile向 Smartphone, Tablet PC, Computing/Consumer向 영역 Coverage 를 가져감

2) NAND 128단 기반 cSSD	기존 96단 512Gb TLC 기반 제품 대비 원가/성능 경쟁력 강화

3) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS2.2/3.1 128/256GB 제품 개발, '20년 주요 고객 인증 진행으로 매출 기여

4) NAND 96단 기반 eSSD	기존 72단 기반 제품 대비 원가 경쟁력 강화로 '20년 enterpriseSSD 실적에 기여

5) 1ynm 16Gb HBM2E	자사 DRAM 제품 최초 16Gb ODP 제품. HBM 시장 Market Share 확대 기여 예상

6) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS3.1 512GB 제품 개발에 성공함에 따라 128GB, 256GB에 이어 512GB까지 풀 라인업 확보

7) NAND 128단 기반 cSSD	128단 512Gb TLC 채용 cSSD mainstream PC711 개발 성공. 기존 제품 대비 원가 및 성능 경쟁력 강화

8) Hi-2021Q	중저가 모델 Front Cam으로 채용되어 매출 기여

9) Hi-1337	원가 경쟁력 강화된 CIS 제품

10) 1ynm 16Gb DDR5	세계 최초 16Gb DDR5 Server 제품 개발. DDR4 대비 속도 최대 1.8배 향상 (~6400Mbps)

11) 1znm 12Gb LPDDR5	Mobile LPDDR5 제품 개발. Mobile High Speed Low Power 제품 수요 확대에 대응

12) Hi-847	3배 광학줌 구현 가능한 Multi Camera Tele향 최적화 제품 개발

13) Hi-1634	세계 최초의 Non-stack 16M 제품 개발로 원가 경쟁력 제고

14) 1ynm 2Gb LPDDR4X	차기 Consumer/Automotive향 Solution 제품 개발

15) NAND 128단 기반 16TB eSSD	NAND 128단 기반 초고용량 16TB 제품 개발에 성공 함에 따라 eSSD 라인업 확보

16) NAND 176단 512Gb TLC	업계 최고 적층인 176단 512Gb TLC 4D NAND 개발

구 분	연구과제명	기대효과

제72기	1) 1xnm 4Gb GDDR6 DDP	12~16Gbps 그래픽카드와 게임콘솔 시장 대응 등을 위해 개발

2) NAND 128단 1Tb TLC	업계 최고 적층인 NAND 128단 1Tb TLC 4D NAND 개발. 생산성 40%, 투자 효율 60% 향상

3) 1xnm 16Gb DDR4 Prime	기존 제품(1xnm 16Gb DDR4) 대비 Net Die와 Power 10% 개선

4) Hi-1336	CIS 300mm, 40nm 적용 첫 제품. 기존 양산중인 Hi-1333제품 대비 power 소모 25% 이상 개선

5) Hi-1A1	CIS 200mm, 1.12um pixel 적용한 1/11" HD(1M) 화소 제품. 1/11" optical size 적용으로 slim module size 가능

6) 1ynm 8Gb LPDDR4E	플래그쉽 모바일, 테블릿 PC, Computing/Consumer 및 Automotive 향 고사양 제품

7) 1znm 16Gb DDR4	1znm Tech Core 제품으로 Tech 기술경쟁력 확보 및 16Gb 전개 확산으로 Computing Volume Market 대응 추진

8) Hi-1631Q	Mobile phone 시장 내 고화소 제품 및 Mid-tier 제품군용 1.0um/16Mega pixel 제품 확보

9) NAND 128단 512Gb TLC	SSD/Mobile향 Major 솔루션 제품 제공 기반 마련

구 분	연구과제명	기대효과

제71기	1) 2znm 8Gb HBM2 Gen2	HBM2 Gen1의 Speed 개선 Ver. 제품으로, Speed 2.4Gpbs 8Hi 제품 CS Qual. 완료주요 고객 CS 적기 대응을 통하여 '18년 다양한 고객 인증 진행, '18년 하반기 Biz 확보를 통하여 HBM2 판매 확대 및 안정적 수익성 확보 기여

2) NAND 72단 SATA enterprise SSD	자체 개발 controller/FW 탑재한 72단 512Gb 3D NAND 기반 최대 4TByte 용량을 지원하는 SATA 규격의 기업용 SSD 개발하여, 기업용 SSD 사업 본격 진출

3) NAND 72단 PCIe enterprise SSD	자체 개발 FW 탑재한 72단 512Gb 3D NAND 기반 1TByte 이상 고용량을 지원하는 차세대 PCIe 규격의 기업용 SSD 개발하여, 기업용 SSD 사업 본격 진출

4) 2znm 8Gb DDR4 Prime	Server 시장의 수요 확대에 따라 기존 2znm 8Gb DDR4 대비 특성 측면 개선을 도모한 극복제품으로 Server Portion 증대를 추진

5) 1xnm 16Gb DDR4	자사 최고 16Gb Density Computing 제품으로, 16Gb Base 의 64GB Server 시장 적기 대응 및 Performance 개선High Density 제품의 적기 개발을 통한 고용량/Premium 시장에서의 Solution을 확보하여 수익성에 기여

6) 1ynm 8Gb DDR4	ICX Server Market 32GB이하, PC Client Market 8GB이하 제품 및 High Speed(3200Mbps) 대응 중심제품으로 수익성 극대화 기여, Core Device로서 1Y Tech의 안정성 확보를 통한 파생제품의 빠른 전개 확보 교두보 마련

7) NAND 96단 512Gb TLC	업계 최고 적층인 96단 512Gb TLC 4D NAND 개발. 기존 72단 3D NAND 대비 Wafer 당 bit 생산 1.5배로 원가 측면에서 유리하며 설계/공정 기술 혁신으로 읽기 및 쓰기 성능 약 30% 향상. 향후 96단 기반 고용량/고성능 솔루션 라인업 강화로 시장 대응력 향상 기대

11. 기타 투자의사결정에 필요한 사항

가. 최근 3년간 신용등급[국내]

평가일	평가대상 유가증권 등	신용등급	평가회사	신용평가 등급범위	평가구분

18.04.26	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	정기평가

18.05.16	회사채	AA	한신평	AAA ~ D	정기평가

18.05.31	회사채	AA	한기평	AAA ~ D	정기평가

18.08.09	회사채	AA	한기평	AAA ~ D	본평가

18.08.10	회사채	AA	한신평	AAA ~ D	본평가

18.08.13	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	본평가

19.04.23	회사채	AA	한기평	AAA ~ D	본평가

19.04.23	회사채	AA	한신평	AAA ~ D	본평가

19.04.24	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	본평가

19.04.23	기업어음	A1	한기평	A1~D	본평가

19.04.23	기업어음	A1	한신평	A1~D	본평가

19.04.24	기업어음	A1	NICE신평	A1~D	본평가

19.12.13	기업어음	A1	한기평	A1~D	정기평가

19.12.12	기업어음	A1	한신평	A1~D	정기평가

19.12.17	기업어음	A1	NICE신평	A1~D	정기평가

20.02.03	회사채	AA	한기평	AAA ~ D	본평가

20.02.03	회사채	AA	한신평	AAA ~ D	본평가

20.02.03	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	본평가

20.06.18	회사채	AA	한신평	AAA ~ D	정기평가

20.06.18	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	정기평가

20.06.24	회사채	AA	한기평	AAA ~ D	정기평가

20.06.18	기업어음	A1	한신평	A1~D	본평가

20.06.18	기업어음	A1	NICE신평	A1~D	본평가

20.06.24	기업어음	A1	한기평	A1~D	본평가

20.11.05	기업어음	A1	NICE신평	A1~D	정기평가

20.11.06	기업어음	A1	한신평	A1~D	정기평가

20.11.05	회사채	AA	NICE신평	AAA ~ D	수시평가

20.12.11	기업어음	A1	한기평	A1~D	정기평가

[해외]

평가일	평가대상 유가증권 등	평가대상 유가증권의 신용등급	평가회사	신용평가 등급범위	평가 구분

18.10.23	발행회사	Baa2	Moody's	Aaa ~ C	수시평가

18.11.15	발행회사	BBB-	S P	AAA ~ D	수시평가

19.06.27	발행회사	BBB-	S P	AAA ~ D	수시평가

19.07.30	발행회사	Baa2	Moody's	Aaa ~ C	수시평가

19.08.30	해외사채	BBB-	S P	AAA ~ D	수시평가

19.08.30	해외사채	Baa2	Moody's	Aaa ~ C	수시평가

20.10.21	발행회사	Baa2	Moody's	Aaa ~ C	수시평가

20.11.19	발행회사	BBB-	S P	AAA ~ D	수시평가

21.01.06	해외사채	Baa2	Moody's	Aaa ~ C	수시평가

21.01.06	해외사채	BBB-	S P	AAA ~ D	수시평가

[참고] 국내 신용평가사 (NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 등급정의

신용등급	등급의 정의

AAA	원리금 지급확실성이 최고 수준임

AA	원리금 지급확실성이 매우 높지만, AAA등급에 비하여 다소 낮은 요소가 있음

A	원리금 지급확실성이 높지만, 장래의 환경변화에 따라 다소 영향을 받을 가능성이 있음

BBB	원리금 지급확실성이 있지만, 장래의 환경변화에 따라 저하될 가능성이 내포되어 있음

BB	원리금 지급능력에 당면문제는 없으나, 장래의 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포되어 있음

B	원리금 지급능력이 부족하여 투기적임

CCC	원리금의 채무불이행이 발생할 위험요소가 내포되어 있음

CC	원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 높음

C	원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 지극히 높음

D	현재 채무불이행 상태에 있음

※ AA ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함.

[참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 기업어음의 등급정의

신용등급	등급의 정의

A1	적기상환능력이 최상이며, 상환능력의 안정성 또한 최상임

A2	적기상환능력이 우수하나, 그 안정성은 A1에 비해 다소 열위임

A3	적기상환능력이 양호하며, 그 안정성도 양호하나 A2에 비해 열위임

B	적기상환능력이 적정시되나, 단기적 여건변화에 따라 그 안정성에 투기적인 요소가 내포되어 있음

C	적기상환능력 및 안정성에 투기적인 요소가 큼

D	상환 불능상태임

※ A2 ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함.

[참고] 해외 신용평가사 Moody's 등급 정의

신용등급	등급의 정의

Aaa	최소한의 신용 리스크를 보이며, 최고의 신용상태를 가진 것으로 판단됨

Aa	신용상태가 우수한 것으로 판단되며 신용리스크가 매우 낮음.

A	중상위 등급으로 간주되며 신용 리스크가 낮음.

Baa	신용 리스크가 보통 수준임. 이들은 중위 등급으로 간주되며 그에 따라 일부 투기적 특징을 가질 수 있음.

Ba	투기적 요소가 있는 것으로 판단되며 신용 리스크가 상당한 수준임.

B	투기적인 것으로 간주되며 신용 리스크가 높음.

Caa	신용상태가 불량한 것으로 판단되며 신용 리스크가 매우 높음.

Ca	투기성이 매우 높고 부도상태이거나 부도에 매우 근접해 있을 가능성이 높으며 원리금 회수 가능성이 어느 정도 있음.

C	채권의 최하 등급. 일반적으로 부도상태이고 원리금 회수 가능성이 거의 없음.

※ Aa부터 Caa까지 각 일반 등급 분류에 1,2,3의 숫자를 부여함. 숫자 1은 해당 등급 분류 내에서 상위에 있음을, 숫자 2는 중위에, 숫자 3은 하위에 있음을 나타냄.

[참고] 해외 신용평가사 S 등급 정의

신용등급	등급의 정의

AAA	채무상환능력이 극히 높음. 최상 등급임

AA	채무상환능력이 매우 높음, 상위 등급과 크게 차이는 없으나 최고 수준은 아님.

A	채무상환능력이 높음, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.

BBB	채무상환능력은 충분하나, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.

BB	가까운 장래에 채무불이행이 발생할 가능성은 비교적 적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 충분히 고려됨

B	현재로서는 채무상환능력이 있으나, 상위 등급의 기업에 비해 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 높음.

CCC	현재 채무불이행 가능성이 있으며, 채무이행 능력은 경영, 재무, 경제 상황이 호의적일 경우에만 있다고 보여짐.

CC	채무불이행 가능성이 현재로서 상당히 높음.

D	채무만기시 1건 이상의 채무를 상환하지 못한 기업을 의미함.

※ AA등급에서 CCC등급까지는 해당 등급에서의 상대적인 위치에 따라 '+', '-'를 추가로 부여할 수 있음.

나. 회사의 고객관리 정책

당사는 IT 산업을 대표하는 글로벌 기업으로서 당사 매출기여도가 높고, 당사 판매 전략과 부합하는 각 응용분아별 전략 고객의 관리를 통하여 안정적인 매출 기반을 확보함은 물론, 제품 구성을 다양화하여 수익성을 극대화하고 있습니다.

다. 지식재산권 보유현황

2020년 12월 31일 현재 당사는 반도체 등과 관련하여 총 15,277건의 지식재산권을 보유하고 있습니다. 통상적으로 등록 권리는 해마다 증가하나, 기 등록된 권리를 평가하여 등록 유지 또는 포기 여부를 결정하고 있어 포기된 권리로 인해 그 수치가 다소 변동할 수 있습니다.

당사 지식재산권은 전문인력으로 구성된 전담 조직에 의해 관리되고 있으며, 당해 전문인력은 지식재산권 개발, 출원/등록, 사후관리 및 관련 분쟁대응 등을 담당하고 있습니다.

특허권 및 상표권은 각국 특허법 및 상표법에 근거하여 보호되고 있습니다. 특허권의존속기간은 출원일로부터 20년이고, 상표권은 등록일로부터 10년이며 상표권은 갱신등록절차를 통해 존속기한을 연장할 수 있습니다.

라. 정부나 지방자치단체의 법률 규정 등에 의한 규제사항 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 제11조에 의하여 국가핵심기술로 지정된 반도체 제조기술을 해외로 이전하는 경우, 수출자는 산업통상자원부에 신고할 의무를 지니고 있습니다. 이에 당사는 제품개발 경쟁력 강화를 위한 해외 생산공장 및 기술센터에 반도체 기술 이전 시 관련법 및 절차를 준수 이행하고 있습니다.

마. 환경보호 정책 및 현황

(1) SHE(Safety, Health, Environment) 경영시스템 인증

당사는 국제 인증규격인 ISO45001(안전보건경영시스템), ISO14001(환경경영시스템)과 국내 인증규격인 KOSHA18001(안전보건경영시스템)을 취득하여 유지관리 하고 있으며, 이를 위해 SHE 경영활동의 객관성 확보 및 효과를 극대화하기 위한 활동들을 수행하고 있습니다. SHE 담당 조직에서는 내부심사원을 양성하여 기업활동으로 인해 발생하는 안전보건환경 영향요인을 모니터링하고, 국내외 인증규격에 따라 선행적/체계적인 SHE 경영 관리를 실시하고 있습니다. 당사는 안전보건 및 환경 분야의 지속적인개선을 추구하며, 환경영향을 최소화하고 건강하고 안전한 사업장을 구축하기 위한 노력을 지속적으로 수행해 나갈 것입니다.

(2) 기후변화 협약 대응

당사는 기후변화와 관련된 유무형의 위험과 기회 관리를 위해 기후변화 관련 규제를 준수하며 적극적으로 대응하고 있습니다. 또한, 기후변화로 인해 발생할 수 있는 비용 및 제품 품질 관리를 위한 전략을 마련하고 고객/정부의 신뢰도를 지속적으로 확보하여 환경에 대한 새로운 가치를 창출할 수 있도록 전사적 수준의 대응을 하고 있습니다.

[온실가스 배출권거래제 대응]

온실가스 배출권거래제는 정부가 각 기업에게 온실가스를 배출할 수 있는 배출권을 부여하고 기업들은 시장원리에 의해 형성된 배출권 가격을 토대로 각 기업별 한계저감비용에 따라 배출권을 매입하거나 매도하는 제도입니다.

당사는 '저탄소 녹색성장 기본법('10.4.14 시행)' 및 '온실가스 배출권의 할당 및 거래에 관한 법률(환경부 고시 제2014-162호)에 따라 2014년 9월 12일 배출권 할당대상업체로 지정되어 2015년부터 온실가스 배출권거래제 참여기업으로 할당된 온실가스 배출량을 달성하기 위해 온실가스 저감장치(스크러버) 측정 기술을 개발/운영하여 배출량 저감을 유도하고, 배출권 거래를 포함한 배출권 관리/감축 등의 전사 TF 활동을 추진하고 있습니다

「저탄소 녹색성장 기본법」 제44조에 따라 정부에 보고하는 명세서 기재 내용을 기준으로 2020년 온실가스 배출량은 최종 4,688,308톤 CO2e (tCO2e) 입니다.

[C DP(탄소정보 공개 프로젝트) 탄소경영 최우수기업 명예의 전당 8년차 유지 ]

당사는 탄소정보 공개 프로젝트(CDP: Carbon Disclosure Project) 한국위원회가 선정하는 탄소경영최우수 그룹 인 '탄소경영 글로벌 리더스 클럽'에 5년 연속 편입되어 국내 최초로 명예의 전당에 입성, 2020년 명예의 전당 8년 차 를 유지하였습니다.

(3) 친환경 제품 및 사업장 구축을 위한 노력

[전과정 평가(Life Cycle Assessment, LCA)/물발자국/탄소성적/ZWTL(Zero Waste To Landfill)인증/순환자원인정]

당사는 매년 DRAM 및 NAND Flash 메모리의 주요 제품에 대하여 전과정평가를 수행하고 있습니다. 회사는 2013년 환경부로부터 20나노급 4G DDR3 제품에 대하여 업계 최초 환경성적표지 인증을 획득하였으며, 2014년에는 20나노급 64Gb NAND Flash 제품까지 인증을 확대 하는 등 지속적으로 LCA 평가결과에 대한 제3자 인증을 확대하고 있습니다. 특히 2016년에는 국내 최초로 20나노급 4Gb DDR3 제품에 대하여 미국 UL社로부터 물 발자국 인증을 획득하였습니다. 2017년에는 환경부로부터 당사가 생산하는 10나노급 8Gb LPDDR3 제품에 대하여 업계 최초 물 발자국 인증을 획득하였으며, 2019년에는 10나노급 8Gb LPDDR4 DRAM 제품까지 물 발자국, 탄소발자국 인증을 확대하였습니다. 이번 인증 제품은 기존 20나노급 제품 대비 온실가스 배출량이 약 26% 감소한 친환경 제품 입니다.

2018년 '폐기물제로화(ZWTL)' 인증을 국내 최초로 획득하고 2019년에 중국 우시, 충칭 사업장을 포함한 국내외 모든 생산거점에서 '폐기물제로화(ZWTL)' 인증을 획득하여 국제적 규격에 맞는 폐기물 관리능력을 보유하고 있음을 인정 받았습니다.

또한 2019년 6월부터 정부의 폐기물 정책 패러다임 변화에 맞춰 '순환자원인정제도'를 대기업 최초로 적용하여 폐기되는 IC-Tray를 자원화하는 선순환 체계를 구축하여 '순환자원 인증'을 획득하였습니다. 2019년에는 폐 IC-Tray를 원료로 재이용하여 폐기물 약 1,440톤을 감소하는 효과를 창출하였습니다.

회사는 향후에도 지속적으로 친환경 인증을 확대하고, 이해관계자들에게 친환경 정보를 제공할 계획입니다.

(4) 기타 환경보호 정책

2009년 5월 환경경영에 대한 투명성 및 진정성을 확보하기 위해 국내 대표적 NGO인 환경운동연합 및 환경경영 전문가로 환경경영검증위원회를 구성하여, 당사 환경경영 성과에 대한 검증을 진행 후 환경경영검증위원회 보고서를 발행하였습니다. 2010년도부터는 검증위원회를 자문위원회로 변경, 환경경영자문위원회를 개최하고 있으며, 당사의 전반적인 환경경영 및 환경전략 관련 의견을 수렴하여 경영활동에 반영하고 있습니다.

또한, 2015년도에는 외부 전문가로 구성된 산업보건검증위원회를 발족하여 당사의 작업환경 및 복지제도 등 보건분야 진단을 통해 127개 개선과제를 도출 및 개선 활동을 진행하였습니다. 2017년 11월부터 산업보건검증위원회 주관 하에 각 개선과제에 대한 이행수준을 평가하였고 검증결과보고서를 2018년 8월에 최종 수취 완료하였습니다.

또한, 당사는 선도적이고 지속 가능한 산업보건 선진화를 달성하기 위하여 2017년 6월 'SK하이닉스 산업보건 선진화지속위원회'를 발족하였습니다. 현재 선진화의 핵심가치인 '구성원의 건강, 안전한 환경, 정의로운 사회를 조화롭고 지속적으로 추구'의 취지에 맞게 건강-환경-정의 분과별 세부 과제를 추진 중에 있습니다.