SK하이닉스 사업보고서 (2022.12)
2. 회사의 연혁

가. 회사의 본점소재지 및 그 변경

일 자	주소	비고

-	경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091	공시대상 기간내 변경 없음

나. 경영진의 중요한 변동

(1) 공시대상기간 중 등기임원 변동 내역

변동일자	주총종류	선임	임기만료또는 해임

신규	재선임

2018년 03월 28일	정기주총	사외이사 송호근사외이사 조현재사외이사 윤태화	사내이사 박성욱	[임기만료]사외이사 김두경사외이사 박영준사외이사 김대일사외이사 이창양

2019년 03월 22일	정기주총	사내이사 오종훈사외이사 하영구	-	[사임]사내이사 박성욱

2020년 03월 20일	정기주총	사외이사 한애라	사내이사 이석희기타비상무이사 박정호사외이사 신창환	[임기만료]사외이사 최종원

2021년 03월 30일	정기주총	사내이사 박정호	사외이사 송호근사외이사 조현재사외이사 윤태화	-

2022년 03월 30일	정기주총	사내이사 곽노정사내이사 노종원	사외이사 하영구	[사임]사내이사 이석희[임기만료]사내이사 오종훈

※ 김준호 사내이사는 2018년 3월 27일자로 사임하였습니다.

(2) 공시대상기간 중 대표이사 변동 내역

변동일자	회의종류	선임ㆍ중임	임기만료ㆍ해임ㆍ사임

(*) 2018년 12월 06일	이사회	대표이사 이석희	[사임]대표이사 박성욱

2021년 03월 30일	이사회	대표이사 박정호	-

2022년 03월 30일	이사회	대표이사 곽노정	[사임]대표이사 이석희

(*) 변동일자는 이사회 결의일 기준이며, 실제 효력 발생일은 2018년 12월 10일입니다.※ 보고서 제출일 현재, 당사 대표이사는 박정호 이사, 곽노정 이사입니다.

다. 최대주주의 변동

변동일자	최대주주의 변동

2021.11.02	최대주주의 인적분할에 의한 최대주주 변경 : 에스케이텔레콤(주) → 에스케이스퀘어(주)

공시대상기간 동안 당사의 최대주주인 SK텔레콤㈜의 회사 인적분할에 따라 설립된 분할신설법인인 SK스퀘어㈜가 기존 SK텔레콤㈜가 보유하던 당사의 지분 전량을 승계함에 따라, 당사의 최대주주는 2021년 11월 2일 SK스퀘어㈜로 변경되었습니다. 보고서 기준일(2022년 12월 31일) 기준, 당사의 최대주주는 SK스퀘어㈜ (영문명 : SK Square Co., Ltd.)이며, 그 소유주식수는 146,100,000주(20.07%)로서 특수관계인을 포함하여 146,125,674주(지분율 20.07%)입니다. 최대주주 관련 자세한 내용은 'VII. 주주에 관한 사항' 항목을 참조하시기 바랍니다.

라. 상호의 변경

일자	내용

1983. 02	현대전자산업주식회사로 상호 변경

2001. 03	주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경

2012. 03	에스케이하이닉스 주식회사로 상호 변경

마. 회사가 합병 등을 한 경우

일자	내용

2017. 07	에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)에 Foundry사업과 관련된 자산 등 포괄적 양도

2018. 03	에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)가 (주)실리콘화일을 흡수합병

2018. 05	SK hynix Semiconductor (China) Ltd.가 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.를 흡수합병

2018. 12	행복나래(주) 지분 100%를 에스케이텔레콤(주) 등으로부터 취득

2020. 10	Intel社 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정

2021. 10	주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정

2021. 12	인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료

2022. 08	주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료

바. 회사의 업종 또는 주된 사업의 변화 현재 당사의 주력 생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반도체 제품이며, 2007년부터는 시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에 재진출하였으며, Foundry 서비스 사업도 추진하며 종합반도체 회사로 그 영역을 넓혀가고 있습니다. 사업부문별 보다 자세한 사항은 Ⅱ. 사업의 내용을 참조하시기 바랍니다.

사. 그 밖에 경영활동과 관련된 중요한 사항의 발생내용

(1) 회사의 주된 변동내용

2017. 03 이사 4인(감사위원회 위원 2인 포함) 선임-. 이사 선임: 이석희-. 기타비상무이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 최종원, 신창환-. 감사위원회 위원 선임: 최종원, 신창환
2017. 07 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주) 공식 출범
2018. 03 이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임: 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원 선임: 윤태화
2019. 03 이사 2인 선임-. 이사 선임: 오종훈-. 사외이사 선임: 하영구
2020. 03 이사 4인 선임(감사위원회 위원 2인 포함)-. 이사 선임: 이석희-. 기타비상무이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 신창환, 한애라-. 감사위원회 위원 선임: 하영구, 신창환, 한애라
2020. 10 Intel社 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정
2021. 03 이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원 선임: 윤태화
2021. 11 최대주주 변경(에스케이텔레콤(주) → 에스케이스퀘어(주))
2021. 12 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
2022. 03 이사 3인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 곽노정, 노종원-. 사외이사 선임: 하영구-. 감사위원회 위원 선임: 하영구

(2) 종속회사의 주된 변동내용

2017. 05 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주) 설립
2018. 03 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)가 (주)실리콘화일을 흡수합병
2018. 05 SK hynix Semiconductor (China) Ltd.가 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.를 흡수합병
2018. 05 SK hynix (Wuxi) Investment Ltd. 설립
2018. 07 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)가 중국 합작법인 설립
2018. 07 SK hynix (Wuxi) Industry Development Ltd. 설립
2018. 08 SK hynix system ic (Wuxi) Co., Ltd. 설립
2018. 12 행복나래㈜ 지분 100%를 에스케이텔레콤㈜ 등으로부터 취득
2018. 12 SkyHigh Memory Limited 설립
2020. 08 Gauss Labs Inc. 설립
2021. 02 SK hynix NAND Product Solutions Corp. 설립
2021. 05 SK hynix Semiconductor (Dalian) Co., Ltd. 설립
2022. 08 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료

(3) 생산설비의 변동

2018. 10 청주 M15(300mm) 준공
2019. 04 중국 우시 확장팹(C2F) 준공
2021. 02 이천 신규 공장 M16 준공
2021. 12 중국 Dalian Fab 인수

(4) 경영활동과 관련된 중요한 사실의 발생

2017. 01 16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
2017. 04 72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
2017. 04 20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
2017. 07 20나노급 8Gb HBM2 Gen 1 개발
2017. 09 도시바 반도체 사업 지분 인수를 위한 타법인 지분 출자 결의
2018. 01 20나노급 8Gb HBM2 Gen 2 개발
2018. 02 72단 3D 낸드 기반 4TB Enterprise SATA SSD 및 1TB Enterprise PCIe SSD 개발
2018. 04 10나노급 16Gb DDR4 개발
2018. 11 96단 512Gb TLC 4D 낸드플래시 개발
2018. 11 2세대 10나노급 8Gb DDR4 개발
2019. 05 96단 4D 낸드 기반 고성능 1Tb QLC 샘플 출하
2019. 06 세계 최초 128단 4D 낸드 양산
2019. 08 업계 최고속 HBM2E 개발
2019. 10 3세대 10나노급 16Gb DDR4 개발
2019. 12 10나노급 LPDDR4 환경성적표지 인증 획득
2020. 04 CDP(Carbon Disclosure Project) 코리아 어워드 물 경영 부분 대상
2020. 07 업계 최고속 HBM2E 양산
2020. 10 세계 최초 2세대 10나노급 DDR5 DRAM 출시
2020. 10 인텔社 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정
2020. 11 RE(Renewable Energy)100 가입
2021. 03 업계 최대 용량 18Gb LPDDR5 모바일 DRAM 양산
2021. 04 128단 4D 낸드 기반 PCIe Gen 4 기업용 SSD 신제품 양산
2021. 07 EUV 활용 4세대 10나노급 8Gb LPDDR4 모바일 DRAM 양산
2021. 10 업계 최초 HBM3 DRAM 개발
2021. 10 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정
2021. 12 업계 최초 24Gb DDR5 DRAM 샘플 출하
2021. 12 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
2022. 02 차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
2022. 04 SK하이닉스의 128단 NAND와 솔리다임의 컨트롤러를 결합한 고성능 SSD 신제품인 P5530 출시
2022. 06 현존 최고 사양 DRAM인 HBM3 양산
2022. 08 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료
2022. 08 세계 최고층 238단 4D NAND 개발
2022. 12 세계 최고속 서버용 D램 MCR DIMM 개발
2023. 01 세계 최고속 모바일용 D램 LPDDR5T 출시