SK하이닉스 분기보고서 (2021.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요 계약

계약 상대방	항목	내용	비고

Rambus Inc.	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약	-

계약 기간	2013년 7월 1일 ~ 2024년 6월 30일

목적 및 내용	라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소

기타 주요내용	특허 및 반독점 소송 등 램버스와 진행중인 모든 소송 취하

Sandisk Corporation	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약 등	-

계약 기간	2015년 8월 ~ 2023년 3월

목적 및 내용	1) 기존 특허 cross license 계약 연장 2) 동 기간 동안 당사의 DRAM 제품을 판매하는 장기 공급계약 체결3) 양사간 진행 중인 영업비밀 소송은 취하하기로 합의함

기타 주요내용	-

에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)	계약 유형	영업 양도	-

계약 기간	2017년 7월 1일 (영업/자산 양도 시점)

목적 및 내용	Foundry 사업의 책임 경영을 통한 수익성 및 사업가치 제고

기타 주요내용	1) Foundry 사업과 관련된 자산 등의 포괄적 양도2) 이사회 의결일 : 2017년 5월 24일

BCPE PangeaIntermediateHoldingsCayman, LP	계약 유형	특수목적법인(SPC)에 대한 출자 (신규 설립)	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital이 General Partner로서 구성한 특수목적법인(SPC)이 도시바의 반도체 사업 지분을 인수하며, 당사는 이에 대한 Limited Partner로서 투자에 참여

기타 주요내용	-

BCPE PangeaCayman2Limited	계약 유형	특수목적법인(SPC)이 발행한 전환사채 취득	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital과의 특수목적법인(SPC)의 전환사채를 취득하고, 향후 적법한 절차를 거쳐 전환 시 최종적으로 도시바 반도체 사업 지분의 15% 확보 가능

기타 주요내용	-

Intel Corporation	계약 유형	영업양수도	-

계약 체결일	2020년 10월 20일 체결

목적 및 내용	Intel의 NAND 사업 영업양수

기타 주요내용	계약금액은 US$90억이며, 2차에 걸쳐 지급될 예정* 관련 공시 : 2020년 10월 22일 주요사항보고서(영업양수결정)

※ 최근 5년간의 주요계약 기준 나. 연구개발활동

1. 연구개발 담당조직 당사는 보고서 제출일 현재, 메모리연구소 및 제품개발연구소, Nand Solution 미래기술 연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.

2 . 연구개발비용(단위:백만원)

과 목	제74기 3분기(누적)	제73기	제72기	비 고

연구개발비용	원 재 료 비	89,593	152,149	156,745	-

인 건 비	997,221	940,501	836,022	-

감 가 상 각 비	409,364	500,144	407,084	-

위 탁 용 역 비	193,423	280,835	268,762	-

기 타	1,316,939	1,608,325	1,519,917	-

연구개발비용 합계	3,006,540	3,481,955	3,188,531	-

회계처리	연구개발비(비용)	2,699,006	3,222,934	2,855,643	-

개발비(무형자산)	307,535	259,020	332,888	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	9.8%	10.9%	11.8%	-

매 출 액	30,621,183	31,900,418	26,990,733	-

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다.

다. 연구개발 실적

구 분	연구과제명	기대효과

제74기	1) 1znm 12Gb LPDDR4	Mobile LPDDR4 제품 개발. Tech Scaling을 통한 LPDDR4 원가 개선 및 수익성 극대화. LPDDR4 Longevity 대응을 통한 지속성 확보 가능

2) 1ynm 4Gb GDDR6 DDP	HKMG 공정 적용 GDDR6 제품 개발. High Speed 경쟁력 확보를 위한 신규 공정 및 설계 Architecture 적용. PC Graphics Main Volume 시장 및 18-20Gbps 8Gb GDDR6 Longevity 대응 예정

3) NAND S128 기반 2/4/8TB E1.S eSSD 개발	PCIe Gen4 지원 PE8110 E1.S 개발로 128단 NAND 기반 world class 수준의 엔터프라이즈 SSD 제품 확보

4) DRAM 1anm 8Gb LPDDR4	1anm Tech Core 제품 개발. EUV 기술 양산 전면 적용 첫 제품

5) DRAM 1ynm 8Gb GDDR6 DDP	당사 최고 Speed (20Gbps) GDDR6 제품 개발. High Speed 경쟁력 확보위한 신규 공정 및 설계 Architecture 적용

6) Hi-4821	당사 최초 0.8um Pixel 제품 개발. Pixel 미세화를 바탕으로 48M Pixel의 고화소 Rear camera solution 제공

구 분	연구과제명	기대효과

제73기	1) 1ynm 12Gb LPDDR4E	플래그쉽 제품 대응 목적으로 Mobile向 Smartphone, Tablet PC, Computing/Consumer向 영역 Coverage 를 가져감

2) NAND 128단 기반 cSSD	기존 96단 512Gb TLC 기반 제품 대비 원가/성능 경쟁력 강화

3) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS2.2/3.1 128/256GB 제품 개발, '20년 주요 고객 인증 진행으로 매출 기여

4) NAND 96단 기반 eSSD	기존 72단 기반 제품 대비 원가 경쟁력 강화로 '20년 enterpriseSSD 실적에 기여

5) 1ynm 16Gb HBM2E	당사 DRAM 제품 최초 16Gb ODP 제품. HBM 시장 Market Share 확대 기여 예상

6) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS3.1 512GB 제품 개발에 성공함에 따라 128GB, 256GB에 이어 512GB까지 풀 라인업 확보

7) NAND 128단 기반 cSSD	128단 512Gb TLC 채용 cSSD mainstream PC711 개발 성공. 기존 제품 대비 원가 및 성능 경쟁력 강화

8) Hi-2021Q	중저가 모델 Front Cam으로 채용되어 매출 기여

9) Hi-1337	원가 경쟁력 강화된 CIS 제품

10) 1ynm 16Gb DDR5	세계 최초 16Gb DDR5 Server 제품 개발. DDR4 대비 속도 최대 1.8배 향상 (~6400Mbps)

11) 1znm 12Gb LPDDR5	Mobile LPDDR5 제품 개발. Mobile High Speed Low Power 제품 수요 확대에 대응

12) Hi-847	3배 광학줌 구현 가능한 Multi Camera Tele향 최적화 제품 개발

13) Hi-1634	세계 최초의 Non-stack 16M 제품 개발로 원가 경쟁력 제고

14) 1ynm 2Gb LPDDR4X	차기 Consumer/Automotive향 Solution 제품 개발

15) NAND 128단 기반 16TB eSSD	NAND 128단 기반 초고용량 16TB 제품 개발에 성공 함에 따라 eSSD 라인업 확보

16) NAND 176단 512Gb TLC	업계 최고 적층인 176단 512Gb TLC 4D NAND 개발

구 분	연구과제명	기대효과

제72기	1) 1xnm 4Gb GDDR6 DDP	12~16Gbps 그래픽카드와 게임콘솔 시장 대응 등을 위해 개발

2) NAND 128단 1Tb TLC	업계 최고 적층인 NAND 128단 1Tb TLC 4D NAND 개발. 생산성 40%, 투자 효율 60% 향상

3) 1xnm 16Gb DDR4 Prime	기존 제품(1xnm 16Gb DDR4) 대비 Net Die와 Power 10% 개선

4) Hi-1336	CIS 300mm, 40nm 적용 첫 제품. 기존 양산중인 Hi-1333제품 대비 power 소모 25% 이상 개선

5) Hi-1A1	CIS 200mm, 1.12um pixel 적용한 1/11" HD(1M) 화소 제품. 1/11" optical size 적용으로 slim module size 가능

6) 1ynm 8Gb LPDDR4E	플래그쉽 모바일, 테블릿 PC, Computing/Consumer 및 Automotive 향 고사양 제품

7) 1znm 16Gb DDR4	1znm Tech Core 제품으로 Tech 기술경쟁력 확보 및 16Gb 전개 확산으로 Computing Volume Market 대응 추진

8) Hi-1631Q	Mobile phone 시장 내 고화소 제품 및 Mid-tier 제품군용 1.0um/16Mega pixel 제품 확보

9) NAND 128단 512Gb TLC	SSD/Mobile향 Major 솔루션 제품 제공 기반 마련