SK하이닉스 사업보고서 (2022.12)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요 계약

계약 상대방	항목	내용	비고

Rambus Inc.	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약	-

계약 기간	2013년 7월 1일 ~ 2024년 6월 30일

목적 및 내용	라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소

기타 주요내용	특허 및 반독점 소송 등 램버스와 진행중인 모든 소송 취하

Sandisk Corporation	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약 등	-

계약 기간	2015년 8월 ~ 2023년 3월

목적 및 내용	1) 기존 특허 cross license 계약 연장 2) 동 기간 동안 당사의 DRAM 제품을 판매하는 장기 공급계약 체결3) 양사간 진행 중인 영업비밀 소송은 취하하기로 합의함

기타 주요내용	-

에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)	계약 유형	영업 양도	-

계약 기간	2017년 7월 1일 (영업/자산 양도 시점)

목적 및 내용	Foundry 사업의 책임 경영을 통한 수익성 및 사업가치 제고

기타 주요내용	1) Foundry 사업과 관련된 자산 등의 포괄적 양도2) 이사회 의결일 : 2017년 5월 24일

BCPE PangeaIntermediateHoldingsCayman, LP	계약 유형	특수목적법인(SPC)에 대한 출자 (신규 설립)	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital이 General Partner로서 구성한 특수목적법인(SPC)이 도시바의 반도체 사업 지분을 인수하며, 당사는 이에 대한 Limited Partner로서 투자에 참여

기타 주요내용	-

BCPE PangeaCayman2Limited	계약 유형	특수목적법인(SPC)이 발행한 전환사채 취득	-

계약 기간	2017년 9월 28일 이후

목적 및 내용	Bain Capital과의 특수목적법인(SPC)의 전환사채를 취득하고, 향후 적법한 절차를 거쳐 전환 시 최종적으로 도시바 반도체 사업 지분의 15% 확보 가능

기타 주요내용	-

Intel Corporation	계약 유형	영업양수도	-

계약 체결일	2020년 10월 20일 체결

목적 및 내용	Intel의 NAND 사업 영업양수

기타 주요내용	계약금액은 US$90억이며, 2차에 걸쳐 지급될 예정* 관련 공시 : 2020년 10월 22일 주요사항보고서(영업양수결정)

※ 최근 5년간의 주요계약 기준나. 연구개발활동

1. 연구개발 담당조직당사는 보고서 제출일 현재, 메모리연구소 및 제품개발연구소, Nand Solution 미래기술 연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.

2. 연구개발비용(단위:백만원)

과 목	제75기	제74기	제73기	비 고

연구개발비용	원 재 료 비	123,839	117,411	152,149	-

인 건 비	1,332,187	1,330,569	940,501	-

감 가 상 각 비	572,380	546,128	500,144	-

위 탁 용 역 비	341,454	266,452	280,835	-

기 타	2,535,473	1,784,235	1,608,325	-

연구개발비용 합계	4,905,334	4,044,796	3,481,955	-

회계처리	연구개발비(비용)	4,576,383	3,681,932	3,222,934	-

개발비(무형자산)	328,951	362,863	259,020	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	11.0%	9.4%	10.9%	-

매 출 액	44,621,568	42,997,792	31,900,418	-

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결기준으로 작성되었습니다.

다. 연구개발 실적

구 분	연구과제명	기대효과

제75기	1) Client SSD	·176단 DRAMless* cSSD(Client SSD) 제품 개발- 자사 첫 176단 DRAMless cSSD PCIe 4세대 제품 개발에 성공- Solidigm의 3rd Party 관리 경험·역량과 SK하이닉스 Solution의 검증·역량을 기반으로 개발 성공한 첫 사례임 (*) DRAMless: DRAM을 미탑재한 SSD 제품

2) 238단 4D NAND	·238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 샘플 출시- 2020년 12월, 176단 낸드플래시 개발 이후 차세대 기술 개발에 성공- 초당2.4Gb의 데이터 전송 속도로 이전 세대인 176단 대비 50% 향상 및 에너지 사용량 21% 감소로 전력소모 절감 효과 (*) TLC(Triple Level Cell): 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨

3) 차세대 지능형 메모리반도체 PIM	·연산 기능을 갖춘 차세대 지능형 메모리반도체인 PIM*(Processing-In-Memory) 적용 제품 개발- PIM 적용된 첫 제품인 GDDR6-AiM(Accelerator** in Memory) 샘플 개발- 초당 16기가비트(Gbps) 속도로 데이터를 처리하는 GDDR6 메모리에 연산 기능이 더해진 차세대 메모리 제품- 기존 동작 전압인 1.35V보다 낮은 1.25V에서 구동되어, 데이터 이동을 줄여 CPU/GPU에서 발생하는 소모 전력을 감소시키는 효과 (*) PIM: 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술(**) Accelerator(가속기): 각종 정보 처리와 연산에 특화 설계한 칩(Chip)을 사용해 만든 특수 목적의 하드웨어(Hardware) 장치를 통칭

4) 기업용 SSD	·SK하이닉스가 인텔 NAND사업부를 인수한 이후 3개월 만에 공개한 양사 기술력을 결합한 SSD 신제품인 P5530 출시- SK하이닉스의 주력제품인 128단 NAND와 Solidigm의 컨트롤러를 결합한 고성능 SSD- PCIe 4세대(Gen4) 인터페이스를 지원하며, 용량은 1TB, 2TB, 4TB 총 3가지

5) 서버용 D램 MCR DIMM	·세계 최고속 서버용D램 제품인 'DDR5 MCR DIMM*' 샘플 개발- 동작 속도가 초당8Gb(기가비트) 이상으로, 초당4.8Gb인 서버용 DDR5보다 80% 이상 향상- 데이터 버퍼(Buffer**)를 사용하여 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계 (*) DDR(Double Data Rate): 서버와 PC에 주로 들어가는 D램 규격으로, 현재 5세대인 DDR5까지 개발됨. MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품 (**) 버퍼(Buffer): D램 모듈 위에 같이 탑재되어 D램과 CPU 사이의 신호 전달 성능을 최적화하는 부품. 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재

구 분	연구과제명	기대효과

제74기	1) 1znm 12Gb LPDDR4	Mobile LPDDR4 제품 개발. Tech Scaling을 통한 LPDDR4 원가 개선 및 수익성 극대화. LPDDR4 Longevity 대응을 통한 지속성 확보 가능

2) 1ynm 4Gb GDDR6 DDP	HKMG 공정 적용 GDDR6 제품 개발. High Speed 경쟁력 확보를 위한 신규 공정 및 설계 Architecture 적용. PC Graphics Main Volume 시장 및 18-20Gbps 8Gb GDDR6 Longevity 대응 예정

3) NAND S128 기반 2/4/8TB E1.S eSSD	PCIe Gen4 지원 PE8110 E1.S 개발로 128단 NAND 기반 world class 수준의 엔터프라이즈 SSD 제품 확보

4) 1anm 8Gb LPDDR4	1anm Tech Core 제품 개발. EUV 기술 양산 전면 적용 첫 제품

5) 1ynm 8Gb GDDR6 DDP	당사 최고 Speed (20Gbps) GDDR6 제품 개발. High Speed 경쟁력 확보위한 신규 공정 및 설계 Architecture 적용

6) Hi-4821	당사 최초 0.8um Pixel 제품 개발. Pixel 미세화를 바탕으로 48M Pixel의 고화소 Rear camera solution 제공

7) 1znm 16Gb LPDDR5	Mobile LPDDR5 8Gb에서 16Gb으로의 Tech 전환을 통한 고용량 대응 및 수익성 개선 제품 개발

8) 1znm 8Gb DDR4	1znm Tech 8G DDR4 All Line Up 구축을 통한 Biz. 대응력 제고와 Longevity 경쟁력 확보 가능한 제품 개발

구 분	연구과제명	기대효과

제73기	1) 1ynm 12Gb LPDDR4E	플래그쉽 제품 대응 목적으로 Mobile向 Smartphone, Tablet PC, Computing/Consumer向 영역 Coverage 를 가져감

2) NAND 128단 기반 cSSD	기존 96단 512Gb TLC 기반 제품 대비 원가/성능 경쟁력 강화

3) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS2.2/3.1 128/256GB 제품 개발, '20년 주요 고객 인증 진행으로 매출 기여

4) NAND 96단 기반 eSSD	기존 72단 기반 제품 대비 원가 경쟁력 강화로 '20년 enterpriseSSD 실적에 기여

5) 1ynm 16Gb HBM2E	당사 DRAM 제품 최초 16Gb ODP 제품. HBM 시장 Market Share 확대 기여 예상

6) NAND 128단 기반 Mobile 제품	High-end Mobile 스토리지향 UFS3.1 512GB 제품 개발에 성공함에 따라 128GB, 256GB에 이어 512GB까지 풀 라인업 확보

7) NAND 128단 기반 cSSD	128단 512Gb TLC 채용 cSSD mainstream PC711 개발 성공. 기존 제품 대비 원가 및 성능 경쟁력 강화

8) Hi-2021Q	중저가 모델 Front Cam으로 채용되어 매출 기여

9) Hi-1337	원가 경쟁력 강화된 CIS 제품

10) 1ynm 16Gb DDR5	세계 최초 16Gb DDR5 Server 제품 개발. DDR4 대비 속도 최대 1.8배 향상 (~6400Mbps)

11) 1znm 12Gb LPDDR5	Mobile LPDDR5 제품 개발. Mobile High Speed Low Power 제품 수요 확대에 대응

12) Hi-847	3배 광학줌 구현 가능한 Multi Camera Tele향 최적화 제품 개발

13) Hi-1634	세계 최초의 Non-stack 16M 제품 개발로 원가 경쟁력 제고

14) 1ynm 2Gb LPDDR4X	차기 Consumer/Automotive향 Solution 제품 개발

15) NAND 128단 기반 16TB eSSD	NAND 128단 기반 초고용량 16TB 제품 개발에 성공 함에 따라 eSSD 라인업 확보

16) NAND 176단 512Gb TLC	업계 최고 적층인 176단 512Gb TLC 4D NAND 개발