SK하이닉스 분기보고서 (2025.09)
6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요 계약

계약 상대방	항목	내용	비고

Rambus Inc.	계약 유형	특허 크로스 라이선스 계약	-

계약 기간	2013년 7월 1일~2034년 6월 30일

목적 및 내용	라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소

기타 주요내용	-

Intel Corporation	계약 유형	영업양수도	-

계약 체결일	2020년 10월 20일

목적 및 내용	Intel의 NAND 사업 영업양수

기타 주요내용	2차에 걸친 계약 금액 최종 지급에 따라, 2025년 3월 28일 영업양수도 최종 종결* 관련 공시: - 2025.03.28 주요사항보고서(영업양수결정) - 2025.03.28 합병등종료보고서(영업양수도)

※ 최근 5년간의 주요계약 기준나. 연구개발활동

1. 연구개발 담당조직당사는 보고서 제출일 현재 선행기술연구소 및 기반기술연구소, Solution개발연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.

2. 연구개발비용(단위: 백만원)

과목	제78기 3분기	제77기	제76기	비고

연구개발비용	원재료비	81,599	104,687	100,174	-

인건비	1,580,745	1,612,207	877,633	-

감가상각비	347,291	531,223	597,198	-

위탁용역비	321,675	426,303	307,279	-

기타	2,315,960	2,280,027	2,306,121	-

연구개발비용 합계	4,647,270	4,954,447	4,188,404	-

회계처리	연구개발비(비용)	4,468,813	4,536,723	3,837,907	-

개발비(무형자산)	178,457	417,724	350,497	-

연구개발비 / 매출액 비율[연구개발비용계÷당기매출액×100]	7.2%	7.5%	12.8%	-

매출액	64,320,022	66,192,960	32,765,719	-

※ 한국채택국제회계기준에 따라 연결 기준으로 작성되었습니다.

다. 연구개발 실적

2025년 중 당사의 주요 연구개발 실적은 다음과 같습니다.

연구과제 등	연구결과 및 기대효과 등

모바일용 NAND	[Mobile UFS 2.2/3.1] ㆍ321단 1Tb TLC* 적용한 솔루션 모바일 제품(UFS**2.2/3.1)을 개발 [Mobile UFS 4.1] ㆍ321단 1Tb TLC 적용한 솔루션 모바일 제품(UFS**4.1)을 개발- 순차 읽기 최대 성능 4,300MB/s의 데이터 전송 속도를 지원하며, 이전 238단 세대 대비 랜덤 읽기와 쓰기 속도도 각각 15%, 40% 향상됨- 전력 효율 최대 7% 개선, 1TB 제품 두께도 1mm에서 0.85mm로 축소 개발하여 초슬림 스마트폰 기기에 적용 가능 [Mobile ZUFS*** 4.1] ㆍ온디바이스 AI용 모바일 낸드 솔루션 제품 'ZUFS*(Zoned UFS) 4.1'을 개발- 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 메모리로 업계 최고 성능 구현 (*) TLC(Triple Level Cell): 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨(**) UFS(Universal Flash Storage): 디지털카메라, 태블릿, 스마트폰 등 고속 데이터 전송이 필요한 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품(***) ZUFS(Zoned Universal Flash Storage): 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장 장치 간의 데이터 전송을 최적화함. ZUFS는 JEDEC(제덱)에서 2023년 UFS의 확장 규격 형태로 최초 발표하였으며, 2025년 UFS4.1 JEDEC 규격을 기반한 ZUFS 4.1 개발을 완료함

Automotive용 SSD	[PCIe Gen4 SSD] ㆍAutomotive향 PCIe* Gen4 SSD 제품 개발 (*) PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스

서버용 CMM	[CMM-DDR5] ㆍ데이터센터 메모리 BW/용량 확장을 위한 1세대 CXL DRAM Solution 제품(96GB/128GB) 개발 완료- 2024년 11월 CMM-DDR5 96GB(CP 24Gb D5) 제품 인증에 이어, 2025년 3월 CMM-DDR5 128GB(LC 32Gb D5) 제품 인증 완료로 1세대 CXL 2.0+ Spec 대응 CMM All Line-up 개발 완료- 업계 최초로 출시된 H3C Pooling System 에 당사 CMM-DDR5 제품을 탑재하여 고객 On-site Joint Validation CAMP 및 성능 분석 완료

모바일용 DRAM	[1cnm LPDDR5X] ㆍAI향 Performance 지원을 위한 1cnm 24Gb LPDDR5X 제품을 개발 (9.6Gbps)- 10나노급 6세대 기반 LPDDR5 제품으로 최대 10.7Gbps 동작속도 구현 가능- Module 형태의 새로운 Form Factor인 SOCAMM* 및 LPCAMM** 형태로 AI향 Server 및 PC 시장 대응 예정 (*) SOCAMM : Small Outline Compression Attached Memory Module(**) LPCAMM : Low Power Compression Attached Memory Module

서버용 DRAM	[1bnm 32Gb DDR5 3DS] ㆍ당사 최대 DDR5 DIMM을 구현 할 수 있는 1bnm 32Gb DDR5 3DS(2Hi) 제품 개발 완료(128GB→256GB)- 3DS 제품 Tech 전환(1cnm→1bnm) 및 밀도 증대(16Gb→32Gb)를 통한 수익성 강화 실행- Server향 비즈니스의 핵심 전략제품으로서 생산/판매 증대 추진 [1cnm 24Gb DDR5] ㆍDDR5 최대 속도 (9.2Gbps) 구현 및 1bnm → 1cnm으로 Tech 전환한 24Gb DDR5 제품 개발 완료- Client향 제품 진입을 시작으로 Server향으로의 비즈니스 확산 추진 예정

그래픽용 DRAM	[1cnm GDDR7] ㆍ그래픽 전용 고성능 DRAM 인 1cnm 24Gb GDDR7 제품을 개발 완료- 10나노급 6세대 기반 GDDR7 제품으로 최대 40Gbps 동작 속도 구현 가능- 기존 그래픽카드, 게임 콘솔 외 AI Server 가속기향 신규 비즈니스 확장 대응 예정

HBM	[1bnm 24Gb HBM4] ㆍ세계 최초, 초고성능 AI용 메모리 HBM4 고객 제공 및 개발 완료- HBM3E 대비 2배 늘어난 2,048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대- 고객 요청 대응을 위해 11Gbps(초당 11Gb) 이상의 동작 속도를 구현- 당사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF* 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용함 (*) MR-MUF: 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정. 칩을 한개씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가 받음