SK하이닉스 반기보고서 (2025.06)
2. 회사의 연혁

가. 회사의 본점소재지 및 그 변경

일자	주소	비고

-	경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091	공시대상 기간내 변경 없음

나. 경영진의 중요한 변동

(1) 공시대상기간 중 등기임원 변동 내역

변동일자	주총종류	선임	임기만료또는 해임

신규	재선임

2021년 03월 30일	정기주총	사내이사 박정호	사외이사 송호근사외이사 조현재사외이사 윤태화	-

2022년 03월 30일	정기주총	사내이사 곽노정사내이사 노종원	사외이사 하영구	[사임]사내이사 이석희[임기만료]사내이사 오종훈

2023년 03월 29일	정기주총	사외이사 김정원사외이사 정덕균기타비상무이사 박성하	사외이사 한애라	[임기만료]사외이사 신창환

2024년 03월 27일	정기주총	사내이사 안현사외이사 손현철사외이사 양동훈기타비상무이사 장용호	-	[임기만료]사내이사 박정호사외이사 송호근사외이사 조현재

2025년 03월 27일	정기주총	기타비상무이사 한명진	사내이사 곽노정	[임기만료]사외이사 하영구

※ 노종원 사내이사는 2023년 3월 28일자로, 윤태화 사외이사는 2024년 3월 22일자로, 박성하 기타비상무이사는 2025년 3월 26일자로 사임하였습니다.

(2) 공시대상기간 중 대표이사 변동 내역

변동일자	회의종류	선임ㆍ중임	임기만료ㆍ해임ㆍ사임

2021.03.30	이사회	대표이사 박정호	-

2022.03.30	이사회	대표이사 곽노정	[사임] 대표이사 이석희

2024.03.27	-	-	[임기만료] 대표이사 박정호

※ 보고서 제출일 현재 당사 대표이사는 곽노정 이사입니다. (박정호, 곽노정(각자 대표이사) → 곽노정 단독 대표이사)

다. 최대주주의 변동

변동일자	최대주주의 변동

2021.11.02	최대주주의 인적분할에 의한 최대주주 변경 : 에스케이텔레콤㈜ → 에스케이스퀘어㈜

공시대상기간 동안 당사의 최대주주인 SK텔레콤㈜의 회사 인적분할에 따라 설립된 분할신설법인인 SK스퀘어㈜가 기존 SK텔레콤㈜가 보유하던 당사의 지분 전량을 승계함에 따라, 당사의 최대주주는 2021년 11월 2일 SK스퀘어㈜로 변경되었습니다.보고서 작성기준일(2025년 6월 30일) 기준, 당사의 최대주주는 SK스퀘어㈜ (영문명 : SK Square Co., Ltd.)이며, 그 소유주식수는 146,100,000주(20.07%)로서 특수관계인을 포함하여 146,115,103주(지분율 20.07%)입니다. 최대주주 관련 자세한 내용은 'VII. 주주에 관한 사항' 항목을 참조하시기 바랍니다.

라. 상호의 변경

일자	내용

1983. 02	현대전자산업주식회사로 상호 변경

2001. 03	주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경

2012. 03	에스케이하이닉스 주식회사로 상호 변경

마. 회사가 합병 등을 한 경우

일자	내용

2021. 10	주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정

2021. 12	인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료

2022. 08	주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료

2025. 03	인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 인수 최종 완료

바. 회사의 업종 또는 주된 사업의 변화 현재 당사의 주력 생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반도체 제품이며, 2007년부터는 시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에 재진출하였으며 Foundry 서비스 사업도 추진 중입니다. 2007년 출범한 CIS 사업부문은 2025년 3월 AI 메모리 분야로 전환하였습니다.사업부문별 보다 자세한 사항은 Ⅱ. 사업의 내용을 참조하시기 바랍니다.

사. 그 밖에 경영활동과 관련된 중요한 사항의 발생내용

(1) 회사의 주된 변동내용

2021. 03 이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원 선임: 윤태화
2021. 11 최대주주 변경(에스케이텔레콤㈜ → 에스케이스퀘어㈜)
2021. 12 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
2022. 03 이사 3인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 곽노정, 노종원-. 사외이사 선임: 하영구-. 감사위원회 위원 선임: 하영구
2023. 03 이사 4인(감사위원회 위원 2인 포함) 선임-. 사외이사 선임: 한애라, 김정원, 정덕균-. 감사위원회 위원 선임: 한애라, 김정원-. 기타비상무이사 선임: 박성하
2024. 03 이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 사내이사 선임: 안현-. 사외이사 선임: 손현철, 양동훈-. 감사위원회 위원 선임: 양동훈-. 기타비상무이사 선임: 장용호
2025. 03 이사 2인 선임-. 사내이사 선임: 곽노정-. 기타비상무이사 선임: 한명진
2025. 03 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 인수 최종 완료

(2) 종속회사의 주된 변동내용

2021. 02 SK hynix NAND Product Solutions Corp. 설립
2021. 05 SK hynix Semiconductor (Dalian) Co., Ltd. 설립
2022. 08 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득
2023. 10 SK hynix America Inc. 가 SK hynix Ventures America LLC를 흡수합병
2023. 10 SK hynix America Investment Corporation 설립
2024. 03 SK hynix memory solutions Eastern Europe, LLC. 청산
2024. 05 KEY FOUNDRY LTD. 청산
2024. 08 SK hynix Semiconductor West Lafayette LLC 설립
2024. 08 SK hynix system ic Wuxi solutions Inc. 설립
2024. 09 SK hynix memory solutions Poland sp. z o.o. 설립
2024. 09 SK hynix America Inc. 가 SK hynix America Investment Corporation을 흡수합병
2024. 10 SK hynix Italy S.r.l. 청산
2024. 11 SK hynix system ic (Wuxi) Co., Ltd. 지분매각으로 SK hynix system ic (Wuxi) Co., Ltd. 및 SK hynix system ic Wuxi solutions Inc. 연결대상 종속회사 제외
2024. 12 SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd. 청산
2025. 04 SK hynix NAND Product Solutions Japan G.K. 청산
2025. 05 에스케이파워텍(주) 지분 인수로 연결 편입

(3) 생산설비의 변동

2021. 02 이천 신규 공장 M16 준공
2021. 12 중국 Dalian Fab 인수

(4) 경영활동과 관련된 중요한 사실의 발생

2021. 03 업계 최대 용량 18Gb LPDDR5 모바일 DRAM 양산
2021. 04 128단 4D 낸드 기반 PCIe Gen 4 기업용 SSD 신제품 양산
2021. 07 EUV 활용 4세대 10나노급 8Gb LPDDR4 모바일 DRAM 양산
2021. 10 업계 최초 HBM3 DRAM 개발
2021. 10 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정
2021. 12 업계 최초 24Gb DDR5 DRAM 샘플 출하
2021. 12 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
2022. 02 차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
2022. 04 SK하이닉스의 128단 NAND와 솔리다임의 컨트롤러를 결합한 고성능 SSD 신제품인 P5530 출시
2022. 06 현존 최고 사양 DRAM인 HBM3 양산
2022. 08 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료
2022. 08 세계 최고층 238단 4D NAND 개발
2022. 12 세계 최고속 서버용 D램 MCR DIMM 개발
2023. 01 업계 최초 지속가능연계채권 발행
2023. 01 10나노급4세대(1a) DDR5 서버용D램 세계 최초 인텔 인증 획득
2023. 01 세계 최고속 모바일용 D램 LPDDR5T 출시
2023. 04 세계 최초12단 적층HBM3 개발
2023. 05 10나노급 5세대(1b) 서버용 DDR5 세계 최초 데이터센터 호환성 검증 돌입
2023. 06 세계 최고층 238단 4D 낸드 양산
2023. 06 차량용 메모리 솔루션 ASPICE 레벨2 인증 획득
2023. 08 세계 최고 용량 LPDDR5X 24GB 패키지D램 양산
2023. 08 세계 최고 사양 HBM3E 개발
2023. 11 LPDDR5T 16GB 패키지 제품 상용화
2024. 03 초고성능 AI 메모리 HBM3E 세계 최초로 양산
2024. 04 청주 신규 Fab(M15X) D램 생산 기지 결정
2024. 05 차세대 모바일 낸드 솔루션 ZUFS 4.0 개발
2024. 06 AI PC용 고성능 SSD PCB01 개발
2024. 07 세계 최고 사양 GDDR7 D램 공개
2024. 08 세계 최초 10나노급 6세대(1c) 서버용 D램 DDR5 개발
2024. 09 데이터센터용 고성능 SSD PEB110 E1.S 개발
2024. 09 세계 최초 12단 적층 HBM3E 양산
2024. 11 세계 최고층 321단 4D NAND 양산
2024. 12 AI 데이터센터용 고용량 SSD PS1012 U.2 개발
2025. 02 메모리 업계 최초 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증 TISAX 획득
2025. 03 세계 최초 AI용 초고성능 D램 신제품 HBM4 12단 샘플 출하
2025. 03 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 인수 최종 완료
2025. 05 321단 1Tb TLC 4D 낸드 UFS 4.1 개발