SK하이닉스 반기보고서 (2018.06)
2. 회사의 연혁

가. 설립 이후의 중요한 변동상황 (1) 회사의 주된 변동내용

1949. 10 국도건설 주식회사 설립
1983. 02 현대전자산업주식회사로 상호 변경
1996. 12 기업공개 및 상장
1997. 03 대표이사 김영환 외 이사 5인 변경 선임
이사 5인, 감사 1인 변경 선임
1999. 05 LG그룹과 LG반도체 주식 양수도 계약 체결
1999. 07 LG반도체 대주주 지분 인수
1999. 10 현대반도체㈜(구, ㈜LG반도체) 흡수합병
2000. 03 박종섭 대표이사 외 이사 1인, 감사위원 2인 변경 선임
2000. 05 전장사업부문 (주)현대오토넷으로 분사
2000. 08 모니터사업부문 "현대이미지퀘스트(주)"로 분사
2001. 03 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경
박상호 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임
2001. 05 통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사
통신 ADSL 사업부문 "현대네트웍스"로 분사
2001. 07 통신 네트워크 사업부문 "현대시스콤"으로 분사
2001. 08 현대그룹으로부터 계열분리
2001. 10 채권금융기관 공동관리 시작
2001. 12 현대큐리텔, '팬텍 컨소시엄'에 지분 매각
2002. 01 현대시스콤, '쓰리알'에 지분 매각
2002. 05 시러스 로직社와 파운드리 전략적 장기공급 계약체결
박종섭 대표이사 사임
2002. 06 최대주주 변경(현대상선(주) → (주)한국외환은행)
2002. 07 우의제 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임
2002. 12 현대네트웍스, '엠비엔'에 지분 매각
2003. 02 박상호 대표이사 사임
2003. 04 STMicro社와 낸드플래시 메모리 공동 개발 및 파운드리 공급 계약 체결
2003. 06 환경/안전/보건 기술연구소 설립
2004. 06 매그나칩반도체 유한회사와 비메모리 사업부문 영업양도계약 체결
2004. 08 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 중국 현지공장설립 협력계약 체결
2004. 10 비메모리 사업부문 영업양도
2004. 11 STMicro社와 중국 현지 합작공장설립을 위한 협력계약 체결
2005. 03 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호 사외이사 선임
박시룡, 장윤종 사외이사 임기만료 퇴임
2005. 07 채권금융기관 공동관리 조기종료
현대이미지퀘스트(주), (주)빅터스캐피탈코리아에 지분 매각
2005. 10 (주)현대오토넷 지분매각 완료
출자전환주식 공동관리협의회 1차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일)
2006. 03 권오철 이사, 손방길 사외이사 선임, 정형량 이사 임기만료 퇴임
2006. 04 중국 현지생산법인(HSMC) 설립
2006. 06 출자전환주식 공동관리협의회 2차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일)
2006. 09 300mm 연구소(R3 R Fab) 개소
2007. 03 김종갑 대표이사 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 4인 포함) 선임
-. 이사 선임: 김종갑, 최진석-. 사외이사 선임: 박종선, 김경한, 조동성, 김형준-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호
우의제 대표이사 임기만료 퇴임
이사 1인(오춘식), 사외이사 4인(김범만, 김수창, 이선, 이준호) 임기만료 퇴임
2007. 04 청주 신규 M11(300mm) 공장 착공
2007. 07 공정거래 자율준수프로그램 도입
2007. 10 환경운동연합과 '환경경영검증위원회' 협약 체결
2007. 11 '일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
2008. 02 김경한 사외이사 중도 퇴임
2008. 03 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
-. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈
사외이사 3인(황학중, 민형욱, 손방길) 임기만료 퇴임
2008. 06 정홍원 사외이사 중도 퇴임
2009. 03 권오철 이사 재선임 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
-. 이사 선임: 권오철, 박성욱-. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈
2009. 11 중국 후공정 합작사 HITECH 설립
2010. 03 최대주주 변경((주)한국외환은행 → 한국정책금융공사)
최대주주 변경(한국정책금융공사 → 미래에셋자산운용투자자문(주))
권오철 대표이사외 이사 1인 신규 선임, 김종갑 이사 재선임사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
-. 이사 선임: 김종갑, 권오철, 김민철-. 사외이사 선임: 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 김창호
2010. 06 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
2010. 08 최대주주 변경(미래에셋자산운용투자자문(주) → 한국정책금융공사)
2010. 10 최대주주 변경(한국정책금융공사 → 국민연금공단)
2011. 03 사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
-. 사외이사 선임: 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 조현명
2011. 09 정상환 사외이사 중도 퇴임
2012. 02 최대주주 변경(국민연금공단 → 에스케이텔레콤(주))
사외이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
-. 이사 선임: 최태원, 하성민, 박성욱-. 사외이사 선임: 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 김두경, 김대일, 이창양
2012. 06 미 컨트롤러 업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수 본계약 체결
2012. 09 플래시 솔루션 디자인 센터 설립
2013. 03 김준호 사내이사 1인 신규 선임
2014. 03 이사 2인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임
-. 이사 선임: 임형규-. 사외이사 선임: 최종원-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 최종원
2014. 09 중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
2015. 03 이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임: 김두경, 박영준, 김대일, 이창양-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 김두경, 김대일, 이창양
2016.03 이사 2인(사내이사) 선임-. 이사 선임: 김준호, 박정호
2017.03 이사 4인(감사위원회 위원 2인 포함) 선임-. 이사 선임: 이석희-. 기타비상무이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임 : 최종원, 신창환-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 최종원, 신창환
2017.07 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주) 공식 출범
2018.03 이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임 : 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 윤태화

(2) 종속회사의 주된 변동내용

1983. 03 미국 현지법인(HSA) 설립
1989. 03 독일 현지법인(HSD) 설립
1991. 08 싱가폴 현지법인(HSS) 설립
1995. 04 홍콩 현지법인(HSH) 설립
1995. 07 영국 현지법인(HSE) 설립
영국 현지판매법인(HSU) 설립
1995. 08 미국 생산법인(HSMA) 설립
1996. 07 대만 현지법인(HST) 설립
1996. 09 일본 현지법인(HSJ) 설립
2001. 05 사업지원 서비스부문 "(주)현대아스텍" 분사
2001. 07 LCD 사업부문 "(주)현대디스플레이테크놀로지"로 분사
2001. 08 중국 현지판매법인(HSCS) 설립
2001. 12 "에스알씨(주)" 분사
2002. 11 "(주)현대디스플레이테크놀로지" TFT-LCD 사업부문 매각
2005. 04 중국 합작법인(HSSL) 설립
에스알씨(주)→(주)큐알티반도체 사명 변경
(주)현대아스텍→(주)아스텍 사명 변경
2006. 04 중국 현지생산법인(HSMC) 설립
2006. 10 중국 현지생산법인(HSMC) 준공
2007. 01 인도 현지법인(HSIS) 설립
2008. 03 (주)아스텍에서 (주)하이닉스인재개발원 분할
(주)아스텍에서 (주)하이스텍으로 분할
(주)아스텍에서 (주)하이로지텍으로 분할
(주)아스텍에서 (주)하이닉스엔지니어링으로 분할
2010. 01 (주)하이닉스엔지니어링에서 (주)아미파워로 분할
2010. 08 중국 현지판매법인(HSCW) 설립
2011. 09 "(주)현대디스플레이테크놀로지" 청산, 주요종속회사 제외
"프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁" 청산, 주요종속회사 제외
2012. 06 낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아 기술센터(SK Hynix Italy S.r.l.) 전환 설립
2012. 10 (주)하이닉스엔지니어링, (주)큐알티반도체 흡수합병
(주)하이스텍, (주)하이로지텍/(주)하이닉스인재개발원 흡수합병
2012. 10 (주)하이닉스엔지니어링→에스케이하이이엔지(주) 사명 변경
(주)하이스텍→에스케이하이스텍(주) 사명 변경
2013. 09 아미파워(주) 청산, 주요종속회사 제외중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 설립
2014. 04 에스케이하이이엔지(주) 에서 큐알티(주) 분할 설립주식교환으로 실리콘화일(주) 인수
2014. 06 벨라루스 소재 연구개발법인 Softeq Flash Solutions LLC. 인수
2014. 07 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산, 종속기업 제외
2014. 09 큐알티(주) 지분 전량 매각
2016. 03 SK hynix Ventures Hong Kong Ltd. 설립
Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. (HSMA) 청산, 종속기업 제외
2016. 10 행복모아(주) 설립
2017. 05 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주) 설립
2018. 03 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)가 (주)실리콘화일을 흡수합병
2018. 05 SK hynix Semiconductor (China) Ltd.가 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.를 흡수합병

나. 상호의 변경

1983. 02 현대전자산업주식회사로 상호 변경
2001. 03 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경
2012. 03 에스케이하이닉스 주식회사로 상호 변경

다. 합병, 분할(합병), 포괄적 주식교환·이전, 중요한 영업의 양수·양도 등

1999. 10 현대반도체㈜(구, ㈜LG반도체) 흡수합병
2004. 10 비메모리 사업부문 영업양도
2011. 11 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체 지분인수계약
2014. 01 ㈜실리콘화일과 포괄적 주식교환계약
2016. 10 ㈜실리콘화일과 CIS영업부문에 대한 영업양수
2017. 07 에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)에 Foundry사업과 관련된 자산 등 포괄적 양도

라. 생산설비의 변동

2006. 10 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시에 C2(300mm), C1(200mm)공장 준공
2008. 07 미국 유진 공장 E1(200mm) 가동 중단
2008. 08 청주 신규 NAND Flash 전용 M11공장(300mm) 준공
2008. 09 이천 M7(200mm) 및 청주 M9(200mm) 공장 가동 중단
2008. 12 중국 C1(200mm) 공장 가동 중단
2010. 06 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
2012. 06 청주 신규 NAND Flash 전용 M12공장(300mm) 준공
2014. 09 중국 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
2015. 08 이천 M14(300mm) 준공

마. 경영활동과 관련된 중요한 사실의 발생

2005. 01 전력 소모 30% 줄인 서버용 메모리 모듈 개발
2005. 01 대만 프로모스社와 전략적 제휴를 위한 본계약 체결
2005. 07 2GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔社 인증 획득
2005. 07 당사 출자전환 주식 공동관리 협의회와 '특별 약정' 체결
2005. 11 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발
2005. 12 512Mb GDDR4 DRAM 개발
2006. 03 80나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社 인증 획득
2006. 12 200Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발
60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈 개발
2007. 03 ECC회로 적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발
2007. 04 퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산
2007. 05 80나노 DDR3 1Gb DRAM 단품 및 모듈 인텔社 인증 획득
초박형(25㎛) 20단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
2007. 08 200Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발
이노베이티브 실리콘社와 신개념 메모리 'ZRAM' 라이선스계약 체결
2007. 09 초박형(25㎛) 24단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package)개발
2007. 10 오보닉스社와 차세대 메모리 'PRAM' 기술 라이선스 계약 체결
2007. 11 1Gb GDDR5 개발
50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社 인증 획득
실리콘화일社와 CMOS 이미지 센서(CIS) 사업 추진을 위한 협력 계약 체결
2008. 01 50나노급 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔社 인증 획득
2008. 03 피델릭스社와 전략적 제휴를 위한 협력계약 체결
2008. 04 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스 및 공동개발계약 체결
2008. 05 프로모스社와 포괄적 제휴 협력 계약 체결
2008. 06 파이슨社와 낸드플래시 응용제품 기술에 대한 사업협력계약 체결
실리콘화일社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대
3중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드플래시 개발
2008. 07 씨엔에스테크놀로지社와 시스템반도체 공동개발 및 파운드리 협력계약 체결
2008. 08 뉴모닉스社와 낸드플래시 기술 및 제품 공동 개발 협력계약 체결
16GB 서버용 모듈 개발
2008. 12 8단 적층 낸드플래시 개발
50나노급 2Gb 고용량 모바일 DRAM 개발
2009. 01 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔社 인증 획득
2009. 02 40나노급 DDR3 DRAM 개발
2009. 05 뉴모닉스社 및 파이슨社와 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결
중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시에 무석산업발전집단유한공사와 합작 반도체 후공정 전문회사 설립을 위한 본계약 체결
2009. 06 4GB 1333Mbps 노트북용 모듈 외 10건 인텔社 DDR3 전용 플래폼 인증획득
2009. 07 대만 프로모스社와 전략적 제휴 협력계약 종결
2009. 08 50나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔社 인증 획득
2009. 10 2세대 1Gb DDR3 개발
2009. 12 40나노급 2Gb GDDR5 개발
2010. 01 40나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발
2010. 02 20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
2010. 09 휴렛팩커드(HP)社와 Re램 공동개발 계약 체결
2010. 12 30나노급 4Gb DDR3 개발
2011. 03 30나노급 2Gb DDR4 개발
2011. 07 도시바社와 STT-MRAM 공동개발 및 합작사 설립을 위한 공동생산 계약 체결
2012. 03 30나노급 2Gb DDR3 저탄소제품 인증 획득
2012. 04 스팬션社와 특허사용 크로스라이선스 및 SLC낸드플래시 공급계약 체결
2012. 06 IBM社와 PC램 공동개발 및 기술 라이선스 계약 체결
2012. 08 20나노급 64Gb 낸드플래시 저탄소제품 인증 획득
2012. 09 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발
2013. 06 20나노급 8Gb LPDDR3 개발
램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
2013.07 삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결
2013.10 20나노급 6Gb LPDDR3 개발
2013.12 20나노급 8Gb LPDDR4 개발
2014.04 20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발
2014.05 20나노급 모바일 DRAM 저탄소 제품 인증 획득
2014.09 차세대 와이드 IO2 모바일 DRAM 개발
2014.10 최대용량 비휘발성 하이브리드 DRAM 모듈 개발
2015. 02 도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결
2015. 02 사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득
2015. 08 샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
2017. 01 16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
2017. 04 72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
2017. 04 20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
2017. 07 20나노급 8Gb HBM2 Gen 1 개발
2017. 09 도시바 반도체 사업 지분 인수를 위한 타법인 지분 출자 결의
2018. 01 20나노급 8Gb HBM2 Gen 2 개발
2018. 02 72단 3D 낸드 기반 4TB Enterprise SATA SSD 및 1TB Enterprise PCIe SSD 개발
2018. 04 10나노급 16Gb DDR4 개발