코스텍시스 — 주주총회소집공고 (20260303)
제출인: 코스텍시스

주주총회소집공고
6.0
주식회사 코스텍시스

주주총회소집공고

2026년 3월 3일

회 사 명 :
주식회사 코스텍시스

대 표 이 사 :
한규진

본 점 소 재 지 :
인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동)

(전 화)032-821-0162

(홈페이지)http://www.kostec.net

작 성 책 임 자 :
(직 책) 상무
(성 명) 이승주

(전 화) 032-821-0162

주주총회 소집공고

(제6기 정기)

주주님의 건승과 댁내의 평안을 기원합니다.

당사는 상법 제363조 및 정관 제20조에 의거하여 제6기 정기주주총회를 아래와 같이 개최 하오니 참석하여 주시기 바랍니다.

- 아 래 -

1. 일 시: 2026년 3월 26일(목) 오전 9시 00분

2. 장 소: 인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동) 본점 대회의실

3. 회의 목적 사항가. 보고사항: 감사보고, 영업보고, 외부감사인 선임결과 보고, 내부회계관리제도 운영실태보고나. 부의 안건 제1호 의안: 제6기 재무제표 승인의 건

제2호 의안: 정관 일부 변경의 건 제3호 의안: 이사 선임의 건 3-1호 의안: 사내이사 한규진 선임의 건 3-2호 의안: 사내이사 이승주 선임의 건 3-3호 의안: 사외이사 장경규 선임의 건

제4호 의안: 감사 심재호 선임의 건 제5호 의안: 이사 보수한도액 승인의 건 제6호 의안: 감사 보수한도액 승인의 건

4. 경영참고사항 비치

상법 제542조의 4에 의한 경영참고사항은 당사의 본점과 명의개서대행회사(국민은행 증권대행부)에 비치하였고, 금융위원회 및 한국거래소에 전자 공시하여 조회가 가능하오니 참고하시기 바랍니다.

5. 실질주주의 의결권 행사에 관한 사항

관련 법규에 의거하여 한국예탁결제원은 주주의 의결권을 행사할 수 없으므로 주주님께서는 주주총회에 직접 참석하여 의결권을 행사하시거나, 위임장을 통해 간접 행사하실 수 있습니다.

6. 전자투표 및 전자위임장권유에 관한 사항

우리 회사는 「상법」 제368조의4에 따른 전자투표제도와 「자본시장과금융투자업에 관한 법률 시행령」 제160조 제5호에 따른 전자위임장권유제도를 이번 주주총회에서 활용하기로 결의하였고, 이 두 제도의 관리업무를 한국예탁결제원에 위탁하였습니다. 주주님들께서는 아래에서 정한 방법에 따라 주주총회에 참석하지 아니하고 전자투표방식으로 의결권을 행사하시거나, 전자위임장을 수여하실 수 있습니다.

가. 전자투표ㆍ전자위임장권유시스템 인터넷 주소

- 인터넷 주소: https://evote.ksd.or.kr- 모바일 주소: https://evote.ksd.or.kr/m

나. 전자투표 행사ㆍ전자위임장 수여기간: 2026년 3월 14일 9시 ~ 2026년 3월 25일 17시(기간 중 24시간 이용가능)

다. 인증서를 이용하여 전자투표ㆍ전자위임장 권유관리시스템에서 주주 본인 확인 후 의결권을 행사할 수 있습니다.- 주주확인용 인증서의 종류: 공동인증서 및 민간인증서 (K-VOTE에서 사용 가능한 인증서 한정)

라. 수정동의안 처리: 주주총회에서 상정된 의안에 관하여 수정동의가 제출되는 경우 전자투표는 기권으로 처리됩니다.

7. 주주총회 참석 시 준비물

가. 직접행사: 신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

나. 대리행사: 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증

8. 기타사항

- 행사장의 주차가 불가하오니, 반드시 대중교통을 이용하시기 바랍니다.※ 의결권있는 발행주식총수의 100분의 1 이하의 주식을 소유한 주주에 대한 소집통지 및 공고를 상법 제542조의4 및 동법 시행령 제31조, 당사 정관 제20조에 의거하여 본 공고로 갈음하오니 양지하여 주시기 바랍니다. 2026년 3월 3일

인천광역시 남동구 남동서로 261 (논현동) (☏032-821-0162)

주식회사 코스텍시스

대표이사 한 규 진 (직인생략)

I. 사외이사 등의 활동내역과 보수에 관한 사항

1. 사외이사 등의 활동내역

가. 이사회 출석률 및 이사회 의안에 대한 찬반여부

회차
개최일자
의안내용
가결여부
사외이사 등의 성명

김한민(출석률:100%)
류형수(출석률:100%)

찬 반 여 부

1
2025. 2. 4.
제1호 의안: 제5기(구,28기) 재무제표 및 영업보고서 승인의 건
가결
찬성
찬성

2
2025. 2. 10.
제1호 의안: 자기주식보고서 승인의 건
가결
찬성
찬성

3
2025. 2. 26.
제1호 의안: 제5기 정기주주총회 소집 및 회의 목적 사항 결의 건
가결
찬성
찬성

4
2025. 2. 26.
제1호 의안: 제5기 재무제표 및 영업보고서 승인의 건 제2호 의안: 제5기(2024회계연도) 내부회계관리제도 운영실태 및 결과보고의 건
가결
찬성
찬성

5
2025. 6. 27.
제1호 의안: 내부회계관리규정 개정의 건
가결
찬성
찬성

6
2025. 7. 18.
제1호 의안: 유형자산 양수 결정의 건
가결
찬성
찬성

7
2025. 7. 22.
제1호 의안: 제2회 무기명식 이권부 무보증 사모 교환사채 발행의 건 제2호 의안: 자기주식 처분 승인의 건
가결
찬성
찬성

8
2025. 7. 30.
제1호 의안: 중소기업은행 시설자금 차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

9
2025. 9. 30.
제1호 의안: 중소기업은행 시설자금 차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

10
2025. 11. 10.
제1호 의안: 운영자금 차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

11
2025. 11. 26.
제1호 의안: 운영자금 차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

12
2025. 12. 19.
제1호 의안: 신기술사업투자조합 출자의 건
가결
찬성
찬성

나. 이사회내 위원회에서의 사외이사 등의 활동내역

위원회명
구성원
활 동 내 역

개최일자
의안내용
가결여부

-
-
-
-
-

2. 사외이사 등의 보수현황

(단위 : 천원)

구 분
인원수
주총승인금액
지급총액
1인당 평균 지급액
비 고

사외이사
2
1,000,000
24,000
12,000

- 상기 인원수는 2025년 12월 31일 현재 재직중인 사외이사의 수입니다.- 상기 주총승인금액은 사외이사 2명을 포함한 등기이사 총 7명의 이사 보수한도액입니다.- 1인당 평균지급액은 2025년 1월부터 12월까지 지급된 보수총액을 인원수로 단순평균하여 계산하였습니다.

II. 최대주주등과의 거래내역에 관한 사항

1. 단일 거래규모가 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래종류
거래상대방(회사와의 관계)
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-

2. 해당 사업연도중에 특정인과 해당 거래를 포함한 거래총액이 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래상대방(회사와의 관계)
거래종류
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-
-

III. 경영참고사항

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

1) 반도체 산업 개요

반도체 산업은 지난 수십 년간 소형화와 효율성 증대를 목표로 지속적으로 발전해 왔습니다. 최근, 더 높은 전력 효율과 성능을 요구하는 시장 경쟁이 심화됨에 따라, 반도체 업계는 기존 실리콘(Si) 반도체가 높은 전압, 온도, 스위칭 주파수에서 한계를 보인다는 점을 인식하고 있습니다.

이에 따라, 고온·고전압 환경에서도 안정적으로 작동하며, 전력 손실을 최소화하고 에너지 효율을 극대화할 수 있는 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN) 등 와이드 밴드갭(WBG) 반도체로의 전환이 빠르게 진행되고 있습니다.

2) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 특성과 시장 동향

와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 극한의 온도, 높은 전력 밀도, 높은 전압, 높은 주파수 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 특성을 지녀, 차세대 반도체 기술로 주목받고 있습니다.

특히, 전기차(EV), 하이브리드 EV, 신재생 에너지, 5G, 데이터 센터, 태양광 인버터, 우주항공 등 다양한 산업 분야에서 활용도가 크게 증가하고 있습니다.

현재, 글로벌 반도체 기업들은 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 8인치 실리콘 카바이드(SiC) 생산 라인에 대규모 투자를 진행하고 있으며, 이러한 생산 시설이 본격적으로 가동되기 시작하고 있습니다.

3) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 주요 특징

- 더 빠른 스위칭 속도

- 낮은 전력 손실

- 높은 작동 온도

- 더 빠른 동작 주파수

- 우수한 에너지 효율

- 시스템 크기 및 비용 절감

- 향상된 신뢰성 및 내구성

와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 소형화가 가능하며, 고온, 고전압, 고주파 환경에서 작동하는 과정에서 상당한 열이 발생하기 때문에, 반도체와 기판 간 "써멀 매칭(Thermal Matching)" 및 열 관리 기술이 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

4) 당사의 역할 및 기술 경쟁력

당사는 SiC 및 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 써멀 매칭(Thermal Matching)에 특화된 저열팽창 고방열 소재를 국내 최초로 개발하여 성공적으로 대량 생산하고 있습니다.

이를 기반으로, 파워 반도체가 고온에서도 안정적으로 작동하고 열을 효과적으로 방출할 수 있도록, 써멀 매칭(Thermal Matching) 기술이 적용된 반도체 패키지, 블록 본딩(Block Bonding), 스페이서(Spacer), 방열 부품 및 베이스플레이트(Baseplate, 냉각 장치) 등을 제조·판매하는 사업을 영위하고 있습니다.

앞으로도 당사는 끊임없는 기술 개발과 혁신을 통해 글로벌 반도체 시장에서 경쟁력을 강화하고, 고성능 고효율 반도체 소재 및 부품의 선도 기업으로 자리매김할 것입니다.

나. 회사의 현황

1) 영업개황 및 사업부문의 구분

당사는 고방열 신소재 기술과 정밀 패키지 기술을 핵심 역량으로 하여 다양한 첨단 반도체 부품 사업을 영위하고 있습니다. 주요 사업 분야는 5G 등 통신용 파워 트랜지스터용 세라믹 패키지, LCP(Liquid Crystal Polymer) 패키지, QFN(Quad Flat No-lead) 패키지 등의 반도체 패키지와 전력 반도체용 방열 부품(Spacer), 블록 본딩(Block Bonding) 부품의 제조 및 판매입니다.

① RF 통신용 패키지

제품: RF 트랜지스터 및 RF 전력증폭기에 사용되는 통신용 패키지

용도: 5G 이동통신, 군수용 레이더(Radar) 등

특징: SiC, GaN 대면적 반도체 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하며, 반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수(CTE)를 정밀하게 매칭시켜 고신뢰성을 확보

② 반도체 레이저 다이오드용 패키지

제품: 레이저 다이오드(Laser Diode) 구동용 패키지

용도: 산업용·의료용·군사용 레이저 모듈 등

특징: 고방열 및 고정밀 소재 적용으로 레이저 출력 안정성 및 내구성 향상

③ SiC 전력반도체용 방열 스페이서(Spacer)

제품: 차세대 SiC 전력반도체의 효율적 냉각을 위한 방열 부품(Spacer)

현황: 글로벌 자동차 제조업체에 시제품 납품 중이며, 고객사의 양산 일정에 맞춰 대량 양산 체제 구축 및 투자 확대 진행

기대효과: 전기차(EV) 및 고효율 전력 변환 시스템의 냉각 효율 향상 및 신뢰성 강화

④ 블록 본딩(Block Bonding) 기반 파워 모듈 부품

개요: SiC, GaN 등 차세대 화합물 전력반도체의 전기적·열적 특성을 동시에 개선하는 블록본딩 기반 파워 모듈 부품 기술

특징: 당사의 고방열 신소재 및 정밀 가공 기술을 적용하여, 고성능 반도체의 열 부하를 효과적으로 분산하고 우수한 전기적 특성과 신뢰성을 확보

기대효과: AI, 데이터 센터, 전기차, 5G/6G 통신 인프라, 신재생에너지, 산업용 인버터 등 고효율, 고신뢰성 분야의 핵심 기술로 성장 예상

[주요 용어 설명]

순 번

영 문

국 문

설 명

1

Compound

Semiconductor

화합물 반도체

화합물 반도체는 원소 주기율표의 두 가지 이상 그룹에 속한 화학 원소로 구성됨.(예. III·V 반도체 SiC, GaN) 다이렉트 에너지 밴드갭, 높은 절연 파괴 전기장, 높은 전자 이동도 등 실리콘에 비해 독특한 소재 특성을 지녀 광자, 고속, 고성능 소자 기술 구현이 가능함. 화합물 반도체 내부의 전자는 실리콘 반도체에 비해 100배 이상 빠른 속도로 처리함

2

Heat Spreader

/ Heat Sink

히트 스프레더

히트 스프레더는 더 뜨거운 소스에서 더 차가운 방열판 또는 열교환기로 열을 전달 역할을 함. PKG의 Flange 또는 Base가 그 역할을 함

3

BAG-8

은납

(브레이징 재료)

은납(BAg)은 은을 함유하는 브레이징 재료이며, 구성비는 Ag72%/Cu28합금화 된 소재이며 융점은 780℃, 진공브레이징, 수소브레이징에 주로 쓰임

4

Thermal

Properties

Material

열 특성

소재

열전도, 열팽창 및 열응력 등의 고유 특성을 갖는 소재로, 최적의 고방열 PKG제작에 Kovar, Moly, MoCu, WCu, Cu등의 금속소재와 Al2O3, AlN, BeO 등의 세라믹 소재가 사용됨

5

GaN

(Gallium Nitride)

질화갈륨

질화갈륨은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드의 재료로 사용되는 반도체임. 최근에는 전력반도체나 레이다 등에도 응용되고 있음

6

GaAs

(Gallium Arsenide)

갈륨비소

갈륨비소의 화합물로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

7

InP

(Indium Phosphide)

인화 인듐

인듐 인화물은 인듐과 인으로 구성된 이진 반도체로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

8

LDMOS

(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)

측면 확산 금속 산화물 반도체

마이크로파 전력증폭기, RF 전력증폭기 및 오디오 전력증폭기를 포함한 증폭기에 사용되며, GaAs 또는 GaN에 비해 최대 전력 이득 주파수가 더 낮음

9

SiC

(Silicon Carbide)

탄화규소

규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체 재료로, 열전도도 특성이 우수하여 방열소재로 활용되고 있음

10

MoCu

(Molybdenum Copper)

몰리카파

구리의 높은 열 전도와 몰리브덴의 낮은 열 팽창 특성을 갖도록 합성한 것으로, 가장 일반적인 몰리브덴 구리 복합 재료 비율은 70/30 및 80/20임

11

WCu

(Tungsten·Copper)

텅스텐카파

텅스텐과 구리의 합성물로 내열성, 내마모성, 고강도, 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

12

Cu-MoCu-Cu

(CPC)

(Copper-Molybdenum

Copper-Copper)

씨피씨

Mo70Cu 합금 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

13

Cu-Mo-Cu

(CMC)

(Copper-Molybdenum-Copper)

씨엠씨

몰리 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

14

Kovar

코바

낮은 열팽창 특징 갖는 니켈-코발트 철 합금으로 세라믹과 금속, 유리와 금속간 접합용으로 사용됨

15

Alumina Ceramic

산화 알루미늄

세라믹

Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, PKG 제조시 절연용 소재 또는 인쇄회로 기판으로 사용됨

16

Package

패키지

외부 환경으로부터 내부 소자를 보호, 외부와 전기적 연결, 그리고 소자에서 발생하는 열을 스프레드 시키는 구조품

17

Transistor(TR)

트랜지스터

전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 3극 반도체 소자임

18

Impedance

임피던스

전기 회로에 교류를 흘렸을 경우에 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 값임

19

Brazing

브레이징

금속재료나 비금속재료의 접합방법의 하나로서 450℃ 이상 모재(Base metal)의 용융점 이하의 온도에서 접합부를 가열하여 모재는 녹이지 않고 브레이징합금(Brazing alloy)만 녹여 모재를 접합하는 기술

20

Hermeticity

밀폐

공기나 가스 등의 기체가 통하지 않는 성질을 의미하며, 패키지의 밀폐 구조는 내부로 공기/수분 등이 들어올 수 없도록 환경 내구성을 강화한 것임

21

Leak Rate

누설량

누설은 내부와 외부 사이에 압력차가 생겨 기체의 흐름이 발생하는데 단위 시간당 흐르는 기체의 양을 의미함

22

Coefficient of

Thermal

Expansion(CTE)

열팽창 계수

열에 의한 변형을 일으키는 재료가 갖는 고유한 성질로 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 늘어난 길이로 척도를 계수로 표시한 것 정의됨

23

Thermal Conductivity

열전도율

열전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 고유한 성질로, 열전도율의 SI 단위는 W/ mㆍK

24

Wettability

젖음성

용융된 솔더가 고체 금속의 표면에 물리, 화학적으로 퍼지는 정도를 말하는 것으로 젖음성이 크면 부착이나 흡착이 증가함

25

He Leak Test

헬륨 누설시험

He(헬륨) Gas를 이용하여 제품의 기밀 성능을 검증하는 것으로, 제품의 누설 여부를 검증하기 위한 비파괴 시험방법

26

Thermal Cycle

Test

정속온도 변화시험

온도변화 혹은 온도변화의 반복이 제품에 주는 영향을 확인하기 위하여 실시하는 시험방법으로, 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험함

27

Thermal Shock Test

열충격 시험

급격한 온도변화에 대한 부품의 저항성을 평가하는 것으로, 극저온(또는 극고온)에 노출된 다음에 중간 온도 없이 짧은 시간 내에 극고온(또는 극저온)에 노출되는 과정을 반복함으로써 급격한 온도변화를 받는다. 이 경우에 제품의 피로고장은 가속됨

28

Baking Test

베이킹 테스트

430ºC 온도에서 금속 표면의 금도금 상태를 확인하는 시험으로 블리스터, 변색, 밀착 등의 불량 현상이 있는지 확인하는 시험

29

RF Communication

알에프 통신

통신 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

30

Thermal Matching

써멀매칭

열평창계수가 다른 소재의 접합시 발생되는 열응력에 따른 변형을 최소화 것임.

31

QFN

(Quad Flat No-lead)

큐에프엔

연결 패드가 4면은 돌출된 집적회로 패키지

32

MMIC

(Monolithic

Microwave Integrated Circuits)

집적회로

하나의 반도체 기판 위에 일괄 공정으로 제작하는 초소형 초고주파 집적회로

33

Die Bonding

/ Die Attach

다이 본딩

반도체 칩을 패키지에 고정시키고 칩과 패키지 간의 전기적 접속이 이루어지게 하기 위한 것

34

Lid

덮개

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자 및 연결선들을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 덮개

35

Lead Frame

리드프레임

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자의 전기적 특성을 외부 연결선에 전달해주는 것

36

LCP

(Liquid Crystal Polymer)

액정폴리머

액정의 성질과 플라스틱의 성질을 함께 겸비한 소재로서 사출성형재료로 이용되고 있으며, 용융 시에 액정성을 나타냄

37

Ka-Band

카 대역

26.5-40기가헤르츠의 주파수 대역

38

5G

5G

5세대 무선 네트워크 기술이다. 증강현실, 가상현실, 혼합현실 애플리케이션(AR, VR, MR), 화상회의, 산업 자동화, 자율주행차, 커넥티드 의료기기 등의 분야에 적용

39

Al-Diamond

알루미늄-다이아

알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저팽창, 초고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재

40

LiDAR

(Light Detection and Ranging)

라이다

레이저를 목표물에 비춤으로써 사물까지의 거리, 방향, 속도, 온도, 물질 분포 및 농도 특성 등을 감지할 수 있는 기술

41

EV/HEV

Electric Vehicle

/ Hybrid Electric Vehicle)

전기/하이브리드자동차

전기에너지를 동력원으로 활용하는 자동차

42

mmWave

(Millimeter Wave)

밀리미터파

30~300 기가헤르츠의 전자기 스펙트럼의 무선 주파수 대역

43

Coaxial

동축

중심에 초의 심지와 같이 도체가 있고, 그 주변을 둘러싸는 높은 유전상수를 갖는 유전체와 이를 감싸는 도체로 구성

44

Metal Guide

금속 가이드

동축과 유사한 형상의 구조

45

DBC

(Direct Bonded Copper)

구리직접접합

전력반도체 소자를 접합하는 기판 종류에 대한 접합방식으로 구리(Cu) 층에 산화막을 형성시킨 후, 세라믹에 직접 접합

46

IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor)

절연 게이트 양극성 트랜지스터

고전압용 스위칭 소자로써 인버터, 컨버터, 전원공급 장치와 같은 전력전자 쪽에 주로 사용

47

Spacer

스페이서

두 개 사이를 일정하게 유지시키는 역할을 하며, 파워모듈에서는 반도체 소자(chip) 위에 접합하여 chip이 구동 중 발생하는 열을 방출하여 열로 인한 chip 소산을 막아 디바이스를 보호하는 역할을 하며, 열방출이 좋고 Chip과 열팽창 계수가 비슷한 CMC, CPC, CuMo등 소재를 주로 사용함

48

Stamping

스탬핑

판재 성형 가공 방법의 하나로 프레싱(Pressing) 이라고도 함

49

Wire Cutting

와이어 컷팅

두 전극 사이에 방전을 일으킬 때 생기는 에너지를 이용해서 가공하는 방법

50

Delamination

딜라미네이션(박리)

제조 공정과 보관에서 습도 환경에 노출되었을 경우 습기가 Mold 패키지에 흡수되는 현상

51

Wire Bonding

와이어 본딩

집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정

52

Soldering

솔더링

450°C 이하의 녹는점을 지닌 보충물(일반적으로 땜납)을 사용하여 끊어진 두 개 이상의 물질을 결합하는 과정

53
Block Bonding
블록 본딩

반도체 칩과 패키지 기판을 연결하는 데 사용되는 금속 블록을 이용하는 접합 방식

54
Clip Bonding
클립 본딩
반도체 칩과 패키지 기판을 연결하는 데 사용되는 금속 클립을 이용하는 접합 방식

2) 주요 사업 부문당사는 저열팽창·고방열 소재 기술을 기반으로, 반도체·전력전자·통신·레이저·AI 데이터센터·전기자동차(EV) 등 다양한 산업 분야에서 고온 환경의 열 관리 효율을 극대화하는 솔루션을 제공합니다.

주요 사업 부문은 다음과 같습니다.

(1) 저열팽창·고방열 소재

고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있는 저열팽창·고방열 소재를 자체 개발하여, 반도체 및 전력 모듈의 효율성과 신뢰성을 향상시키고 있습니다.

(2) 써멀 매칭(Thermal Matching) 반도체 패키지

반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수(CTE)를 정밀하게 매칭(Matching)함으로써, 고온 및 고출력 환경에서도 안정적인 반도체 구동이 가능하도록 지원합니다.

(3) 방열 Spacer 등 전력반도체용 부품

전력 반도체 및 SiC 전력반도체에 적용되는 저열팽창·고방열 Spacer를 생산하여, 고온 환경에서의 열 확산 성능과 냉각 효율을 극대화하고 있습니다.

(4) Baseplate 등 냉각 시스템

전력 반도체의 집적 냉각 구조(Integrated Cooling System)를 실현하기 위한 Base plate 및 수냉식 냉각 장치를 설계, 제조하여, 고효율 열 관리 솔루션을 제공합니다.

(5) Block Bonding 부품 기술

자체 개발한 초정밀 Multi-Wire Cut EDM(다중 동시 방전가공) 설비를 통해

약 0.5mm×0.5mm×1mm 크기의 극소형 구리 부품을 비롯한 고정밀·소형 금속 부품을 대량·경제적으로 생산할 수 있는 기술 경쟁력을 확보하였습니다.

이를 기반으로 AI 데이터센터, 전기자동차(EV) 등 첨단 반도체 산업에서

와이어 본딩(Wire Bonding)을 대체하여 반도체의 발열 저감 및 전기적 특성 개선을 실현하는 차세대 Block Bonding용 부품(방열 스페이서, Heat Slug, Copper Block 등)의 수요 증가에 대응하고 있습니다.

당사는 이러한 신기술 수요 확대에 대응하기 위해 대규모 양산 설비 증설을 추진하고 있으며, 글로벌 시장 진출 및 고객 다변화 전략을 강화하고 있습니다.

3) 주요 제품 및 서비스 현황

대분류
주요 제품
매출유형
사용용도와 기능 및 특징
비고

통신용패키지
세라믹 패키지, GaN 디바이스용 패키지
제품

- 4G, 5G,6G 통신

- 레이더,위성통신,국방

- 고신뢰성 패키징등

Flange, Carrier

Thermal Matched Lead frame

레이저용패키지
C/F-Mount 패키지

- 산업용,의료용

- 군사용 레이저

- 레이저용 패키징등

마이크로채널 패키지

레이저 모듈 패키지

전력반도체용

패키지

방열 스페이서 (Spacer)

- SiC 전력반도체용,

- 저열팽창·고방열 특성

DC 컨넥터시그널 컨넥터

- 저저항 패키징,

- 고온 환경 대응

Base Plate, 수냉식 냉각 기판

- SiC 전력반도체

- 냉각 최적화

Block Bonding 부품(신규)
Spacer, Heat Slug, Copper Block, Copper Clip

- 첨단 반도체·

- AI 데이터 센터·

- 전기차 전력 모듈

- 다중 동시 EDM 가공

(1) 반도체 패키지

반도체 '패키지(Package)'는 반도체를 기계적으로 보호하고, 전기적 기계적 연결을 제공하며, 열을 분산시키는 등 핵심적인 역할을 수행하는 후공정(Back-End Process) 기술입니다.

반도체 패키지의 역할

출처: 한올출판사반도체를 생산하기 위해서는 다양한 제조 공정과 반도체 재료가 필요합니다. 반도체 생산업체는 제조 공정에 따라 크게 전공정(Front-End Process) 업체와 후공정(Back-End Process) 업체로 구분됩니다. 또한, 공정 구분에 따라 '웨이퍼 재료'와 '패키징 재료'로 나뉘며, 반도체 구성 단계에 따라 기능 재료, 공정 재료, 구조 재료로 세분화할 수 있습니다. 당사는 반도체 패키징에 필요한 구조 재료인 반도체 패키지를 생산하는 후공정 업체입니다. [반도체 재료의 종류에 따른 구분]

공정구분
대분류
중분류
재료의 종류
용도

전공정 (Front-End Process)
웨이퍼 재료
기능재료
웨이퍼
칩의 기판

공정재료
포토마스크
석영유리에 회로를 묘화한 회로도의 원판

펠리클
마스크의 입자로 인한 오염 방지를 위한 보호막

포토리지스트
웨이퍼에 회로를 인쇄하기 위한 감광제

공정가스
성막, 에칭, 도핑 등에 사용

화학약품
세정, 에칭 등의 공정에 사용

배선재료
웨이퍼 상에 주입되어 회로로 사용

후공정 (Back-End Process)
패키징 재료
구조재료
반도체 패키지(Substrate)
칩과 외부회로와의 접속을 위한 지지대

본딩와이어
칩과 리드프레임을 연결

봉지재
칩을 밀봉하기 위한 Epoxy수지

기타
언더필 재료, 숄더 볼 등

출처: 반도체산업협회 「반도체 재료산업」 자료 당사 재구성

(2) 통신용 패키지당사의 주력 제품인 통신용 패키지는 주로 무선통신 시장에서 사용되는 RF 통신용 패키지로, GaN, GaAs, InP 등 화합물 반도체가 실장될 수 있습니다. 또한, 화합물 반도체가 안정적으로 작동할 수 있도록 밀폐성(Hermeticity), 방열성(Heat Dissipation), 열팽창 계수 매칭(CTE Matching) 등을 고려하여 제작해야 합니다.

당사는 이러한 통신용 패키지를 제조하여 NXP(말레이시아 공장), MACOM(미국), Dynax(중국), Inn(중국), Huatai(중국), Transcom(대만) 등 주요 업체에 안정적으로 공급하고 있으며, 경쟁업체로는 국내 R사와 일본의 K사 및 N사가 있습니다.

화합물 반도체가 실장되는 통신용 패키지는 아래와 같은 요구 조건을 충족해야 하며, 이를 준수하지 않을 경우 화합물 반도체 칩의 출력 저하 및 기능 상실이 발생할 수 있습니다. 이는 RF 무선통신 성능에 심각한 영향을 미칠 수 있으므로 반드시 고려해야 하는 필수적인 요소입니다.

기밀성(Hermeticity)
반도체 패키지 실링 후 헬륨(He) Leak 테스트를 실시하여 헬륨(가스)가 투과되는지 여부를 확인하여 밀폐 여부를 판단하는 작업으로 패키지 내부의 칩을 보호하고 외부와의 접촉이 차단되는 상태를 말합니다.

방열(Heat Dissipation)
반도체 칩이 작동하면 많은 열이 발생하게 되는데 Base material이 이러한 열을 빼주는 역할을 하며 이는 칩의 고장 또는 에러를 예방하는 역할을 하게 됩니다.

열팽창 계수 매칭(CTE-Matching)
화합물 반도체 및 패키지에 사용되는 재료는 열팽창 계수를 갖기 때문에 온도대에 따라 팽창과 수축하는 정도가 다릅니다. 열팽창 계수에 의한 반도체 칩의 딜라미네이션(Delamination)을 방지하기 위해 패키지에 사용되는 소재의 열팽창 계수를 맞추는 것이 중요합니다.

전기적 연결(Electrical Connection)
반도체 칩을 패턴 및 리드프레임 단자로 외부와 연결 구조를 갖게 합니다.

금도금(Soft Gold(Au))
반도체 칩을 실장하여 전기적 연결 구조를 갖기 위한 Die attach 공정, Wire bonding 공정 및 하면의 숄더링(Soldering)이 가능하도록 표면을 금(Au) 도금 처리를 실시합니다.

내열성(Heat Resistance)
고객사에서 보통 칩의 Die attach, Wire bonding 공정이 약 300도에서 이루어 지는데 이를 견딜 수 있는 특성을 가져야 합니다.

내구성(Durability)
미국방성 신뢰성 테스트(MIL Standard)를 만족하는 신뢰성 및 내구성을 갖는 구조를 가져야 합니다.

RF(Radio Frequency)는 주로 무선 통신에 사용되는 3kHz~300GHz 범위의 주파수를 갖는 전자기파로, 방송 전파 및 각종 무선 통신 신호를 송수신하는 교류 전류 진동수를 활용하여 정보를 교환하는 통신 방식입니다. 이는 디지털 위성방송, 무선 이동통신, 무선 LAN, 군사용·기상용 레이더, 위성통신 등 다양한 분야에서 활용되는 핵심 기술입니다.

RF 통신용 패키지는 반도체 소자로부터 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위해 높은 열전도도를 갖는 방열 소재, 특정 유전율을 갖는 세라믹 윈도우, 그리고 Gate·Drain 등의 전극과 전기적 연결을 위한 단자(Lead Frame)로 구성됩니다. 이러한 재료들은 반도체 소자와 열팽창 계수(CTE)를 맞춰야 하므로, 열팽창 계수가 낮은 특수 소재로 제작됩니다. 또한, Die Attach 공정 및 Wire Bonding 공정 등 반도체 패키징 과정에서 높은 신뢰성을 확보하기 위해 고순도 니켈(Ni), 금(Au) 또는 은(Ag)으로 표면 처리됩니다. 반도체가 다양한 환경에서 장시간 안정적으로 작동할 수 있도록 수분 침투 방지, 칩 보호 등을 위한 기밀성(Hermeticity)도 유지됩니다.

당사는 RF 분야에서도 다양한 주파수 대역에서 신호 증폭을 위해 사용되는 RF 트랜지스터 패키지에 집중하고 있으며, LDMOS RF 트랜지스터부터 GaN(Gallium Nitride) 기반 RF 트랜지스터까지 폭넓은 제품군을 생산하고 있습니다. 이를 통해 글로벌 기업인 NXP사를 비롯한 국내외 주요 고객사에 제품을 공급하고 있으며, 전체 매출의 약 90%가 수출에서 발생하는 등 미국, 중국, 대만, 유럽 등 글로벌 시장에서 기술력을 인정받고 있습니다.

[㈜코스텍시스의 통신용 패키지 종류]

통신용 패키지 종류
제품 사진
특징

RF 세라믹 패키지

RF 세라믹 패키지

- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 세라믹 패키지

- 세라믹-금속 복합패키지

MMiC 세라믹 패키지

MMiC 세라믹 패키지

- 고집적화된 고주파용 패키지

- 고주파 특성 최적화

- 5G, 위성통신 등

Intergrated

세라믹 패키지

Intergrated 세라믹 패키지

- 고방열 소재와 Thick film 인쇄기술을 응용하여 임피던스(Impedance) 매칭 회로 설계

- 다양한 회로 패턴의 고주파·고성능의 소형화 패키지를 제공

플렌지(Flange),

캐리어(Carrier)

플렌지 캐리어

- 저 열 팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 기판(Substrate)

- 평탄 정밀도 매우 높음

- 고 신뢰성의 금도금 기술 적용 제조

Thermal Matched Lead frame

thermal matched leadframe.jpg
thermal matched leadframe

- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 플라스틱 패키지

- 플라스틱-금속 복합패키지

(3) 레이저용 패키지

산업용 및 의료용 레이저 기기 등에서 사용되는 레이저 모듈용 반도체 패키지는 IC 칩과 전자제품 보드 간의 전기적 신호 연결, 밀폐 구조, 방열 구조, 그리고 다양한 사용 환경에서 장시간 안정적으로 작동할 수 있는 신뢰성 확보 등의 기능을 요구합니다. 또한, GaAs, InP, GaN과 같은 화합물 반도체가 실장됩니다.

이러한 고출력 레이저용 패키지는 Focus light(중국), QSI(한국) 등 주요 업체에 납품되고 있으며, 대표적인 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), S사(일본) 등이 있습니다

[㈜코스텍시스의 레이저 패키지 종류]

레이저 패키지 종류
(주)코스텍시스 제품 사진
특징

C/F-Mount 패키지

C/F-Mount 패키지

- 우수한 방열 특성의 패키지

- 용도: 고출력 레이저 등

마이크로채널 패키지

마이크로채널 패키지

- 내부 구조가 마이크로 채널로 냉각 성능이 뛰어난 고출력 레이저용 패키지

- 용도: 고체 레이저, 화이버 레이저 등

레이저 모듈 패키지

laser pkg.jpg
laser pkg

- 고출력 레이저용 패키지

- 용도: 산업용 레이저, 의료용 레이저,군사용 레이저 등

(4) 전력반도체용 패키지최근 전 세계적으로 전기차(EV) 및 하이브리드 차량(PHV, PHEV) 시장이 빠르게 성장하고 있습니다. 이러한 배터리와 모터를 탑재한 전기자동차에는 전력 제어나 전력 변환을 위한 전력반도체가 필수적으로 사용됩니다. 이에 따라 전기자동차와 신재생에너지의 전력 변환을 위한 고효율 인버터 기술의 필요성 및 역할이 급증하고 있으며, 현재 대부분의 인버터 시스템에서 Si(실리콘) 전력반도체 소자가 핵심 전력 변환 부품으로 사용되고 있습니다. 그러나 Si 전력반도체의 고속화, 경량화, 고효율화 및 고출력화에는 한계가 있어, 새로운 대체 기술의 필요성이 커지고 있습니다.

반면, SiC(실리콘 카바이드), GaN(갈륨 나이트라이드) 등 고성능 전력반도체 소자는 기존 실리콘 전력반도체에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복 전압 특성, 우수한 열전도도 등 여러 장점을 가지고 있습니다. 또한, 고온 및 고전압에서의 소자 안정성이 뛰어나고, 높은 주파수에서도 안정적으로 동작할 수 있어 전력반도체의 신뢰성을 향상시키고 전력 변환 효율을 높이며 시스템을 경량화할 수 있습니다. 이러한 특성들은 전기자동차뿐만 아니라 산업, 철도, 풍력, 데이터 센터, 로봇 등 다양한 분야에서 상용화되고 있으며, 이에 대한 연구개발은 국내외 관련 기관에서 활발히 진행되고 있습니다. 대만의 시장조사업체 TrendForce에 따르면, 차량용 SiC 전력반도체 시장은 2022년 10억 7천만 달러에서 2026년 39억 4천만 달러로 확대될 것으로 예상되고 있습니다.

SiC 전력반도체 시장규모

출처: TrendForce, Jul. 2022

전력반도체는 작동 시 대량의 열을 발생시키며, 이 열은 전력반도체의 성능 저하와 수명 단축을 초래하는 주요 원인입니다. 이를 효과적으로 냉각시키기 위해 특수 Heat sink 소재로 제작된 방열 Spacer가 사용됩니다. 고효율 및 고신뢰성의 전력반도체 모듈을 제조하기 위해서는 파워 모듈의 작동 온도가 증가함에 따라 방열 소재와 반도체 소자의 열팽창 계수(CTE)를 맞추는 것이 신뢰성을 결정짓는 핵심 기술입니다.

당사에서는 고방열 신소재 KCMC를 연구 개발하여, 타사 대비 낮은 열팽창 계수와 가격 경쟁력을 갖춘 방열 Spacer를 개발하였습니다. 이를 통해 전력반도체 패키지 시장에서도 당사의 Heat sink 소재와 방열 Spacer가 글로벌 경쟁력을 확보하고 있습니다.

[㈜코스텍시스의 전력반도체용 패키지]

구분
공정 사진
특징

소재 개발

소재개발 공정

- 펄스 통전 소결법으로 압력을 가함과 동시에 고전류의 펄스를 흐르게 함으로써 전류에 의한 방전 에너지로 급속 승온시켜 치밀한 소결체를 저온에서 고속으로 제조함

- 국내 최초로 고방열 소재 기술을 개발하여 KCMC등 다양한 소재를 양산 중임

소재 특성

소재 특성 공정

- 열전도율이 높으면서 열팽창 계수가 낮은 CPC, KCMC 등 고방열 소재를 독자 개발 양산 중임

Spacer

spacer

- 전력반도체 소자에서 발생 되는 열(Heat)을 효율적으로 방출하는 방열부품- Low parasitic inductance packaging - 고전압 저 저항 패키징

용도 : DSC 전력반도체 모듈등

DC 컨넥터시그널 컨넥터

dc connector.jpg
dc connector

- Low parasitic inductance packaging - 고전압 저 저항 패키징

용도 : SiC 전력반도체 모듈등

Base Plate

base plate.jpg
base plate

수냉용 냉각기판

용도 : SiC 전력반도체 모듈등

4) 조직도

코스텍시스 조직도.jpg
코스텍시스 조직도

2. 주주총회 목적사항별 기재사항

□ 재무제표의 승인

가. 해당 사업연도의 영업상황의 개요

영업환경등 전반적인 경영상황은 상기 경영참고사항〔Ⅲ.경영참고사항 1. 사업의 개요 나.회사의 현황 (1)영업개황 〕등을 참조하시기 바랍니다.

나. 해당 사업연도의 대차대조표(재무상태표)ㆍ손익계산서(포괄손익계산서)ㆍ이익잉여금처분계산서(안) 또는 결손금처리계산서(안)

※개별재무제표는 외부감사인의 감사가 완료되지 않았으며, 외부감사인의 회계감사 및 정기주주총회 승인과정에서 변경될 수 있습니다. 또한, 상세한 내용은 향후 공시예정인 감사보고서 및 사업보고서 등을 참조하시길 바랍니다.

- 대차대조표(재무상태표)

<대 차 대 조 표(재 무 상 태 표)>

재 무 상 태 표

제 6(당) 기 2025년 12월 31일 현재

제 5(전) 기 2024년 12월 31일 현재

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
주 석
제 6(당) 기말
제 5(전) 기말

자산

Ⅰ. 유동자산

16,821,705,438
16,319,547,098

현금및현금성자산
3,4,5,29,32
1,489,770,205
1,118,930,948

매출채권
3,4,6,32
3,876,744,590
2,895,607,061

기타유동수취채권
3,4,6,32
6,609,819
195,145,746

기타유동자산
9,22
298,408,546
667,457,091

재고자산
8
11,149,933,598
11,441,965,992

당기법인세자산
27
238,680
440,260

Ⅱ. 비유동자산

39,183,604,081
23,635,539,317

당기손익-공정가치측정금융자산
3,4,7,32
83,393,715
10,150,439

기타포괄손익-공정가치측정금융자산
3,4,7
25,000,000
-

유형자산
10,12,17
38,988,428,724
23,493,827,673

무형자산
11,12
29,743,235
41,357,373

기타비유동수취채권
3,4,6,32
33,070,805
14,931,654

이연법인세자산
27
23,967,602
75,272,178

자산총계

56,005,309,519
39,955,086,415

부채

Ⅰ. 유동부채

16,733,195,254
7,520,713,322

매입채무
3,4,13,32
953,909,479
861,970,345

기타지급채무
3,4,13,32
407,714,753
559,072,138

기타유동부채
14,22
496,872,100
441,162,559

단기차입금
3,4,15,29,32
7,470,000,000
5,470,000,000

유동성장기차입금
3,4,15,29,32
1,549,973,332
166,640,000

교환사채
3,4,16,29
3,848,404,517
-

파생상품부채
3,4,16
1,968,202,398
-

유동성리스부채
3,4,17,29,32
38,118,675
21,868,280

Ⅱ. 비유동부채

16,968,385,657
9,866,690,167

장기차입금
3,4,15,29,32
15,416,666,668
8,466,640,000

순확정급여부채
18
1,465,681,257
1,366,567,381

리스부채
3,4,17,29,32
86,037,732
33,482,786

부채총계

33,701,580,911
17,387,403,489

자본

Ⅰ.자본금
19
3,898,675,000
3,898,675,000

Ⅱ.자본잉여금
19
14,897,407,879
14,224,766,551

Ⅲ.자본조정
20
(3,277,196,893)
(2,984,343,943)

Ⅳ.기타포괄손익누계액
20
4,261,008,498
4,321,099,644

Ⅴ.이익잉여금
21
2,523,834,124
3,107,485,674

자본총계

22,303,728,608
22,567,682,926

부채와자본총계

56,005,309,519
39,955,086,415

- 손익계산서(포괄손익계산서)

포 괄 손 익 계 산 서

제 6(당) 기 2025년 1월 1일부터 2025년 12월 31일까지

제 5(전) 기 2024년 1월 1일부터 2024년 12월 31일까지

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
주 석
제 6(당) 기
제 5(전) 기

Ⅰ. 매출액
22
15,220,234,978
14,213,293,474

Ⅱ. 매출원가
24
12,952,256,589
13,955,247,960

Ⅲ. 매출총이익

2,267,978,389
258,045,514

판매비와관리비
23,24
2,083,600,614
2,152,916,170

대손상각비(환입)
3,6,23
34,158
(30,746)

Ⅳ. 영업이익(손실)

184,343,617
(1,894,839,910)

금융수익
3,25
197,286,129
447,079,743

금융비용
3,25
1,046,903,445
435,760,318

기타수익
26
72,692,006
106,632,682

기타비용
26
40,420,858
37,726,480

Ⅴ. 법인세비용차감전순손실

(633,002,551)
(1,814,614,283)

Ⅵ. 법인세비용(수익)
27
(70,483,750)
(19,799,422)

Ⅶ. 당기순손실

(562,518,801)
(1,794,814,861)

Ⅷ. 기타포괄손익

(81,223,895)
(97,699,465)

후속적으로 당기손익으로 재분류되지 않는 항목

(81,223,895)
(97,699,465)

- 확정급여채무의 재측정요소
27
(21,132,749)
(97,699,465)

- 유형자산재평가이익
27
(60,091,146)
-

Ⅸ. 총포괄손익

(643,742,696)
(1,892,514,326)

Ⅹ.주당이익(손실)

기본주당순손실
28
(76)
(238)

희석주당순손실
28
(76)
(238)

- 자 본 변 동 표

자 본 변 동 표

제 6(당) 기 2025년 1월 1일부터 2025년 12월 31일까지

제 5(전) 기 2024년 1월 1일부터 2024년 12월 31일까지

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
자 본 금
자본잉여금
자본조정
기타포괄손익누계액
이익잉여금
총 계

2024년 1월 1일(전기초)
3,760,385,000
30,094,249,994
(171,128)
4,321,099,644
(12,316,852,524)
25,858,710,986

전환권 청구
93,000,000
742,656,681
-
-
-
835,656,681

자본준비금의 이익잉여금 전입
-
(17,316,852,524)
-
-
17,316,852,524
-

유상증자
45,290,000
704,712,400
-
-
-
750,002,400

총포괄손익:

당기순손실
-
-
-
-
(1,794,814,861)
(1,794,814,861)

확정급여채무의 재측정요소
-
-
-
-
(97,699,465)
(97,699,465)

자기주식의 취득
-
-
(2,984,172,815)
-
-
(2,984,172,815)

2024년 12월 31일(전기말)
3,898,675,000
14,224,766,551
(2,984,343,943)
4,321,099,644
3,107,485,674
22,567,682,926

2025년 1월 1일(당기초)
3,898,675,000
14,224,766,551
(2,984,343,943)
4,321,099,644
3,107,485,674
22,567,682,926

총포괄손익:

당기순손실
-
-
-
-
(562,518,801)
(562,518,801)

확정급여채무의 재측정요소
-
-
-
-
(21,132,749)
(21,132,749)

유형자산의 재평가이익
-
-
-
(60,091,146)
-
(60,091,146)

자기주식의 취득
-
-
(292,852,950)
-
-
(292,852,950)

교환권대가
-
672,641,328
-
-
-
672,641,328

2025년 12월 31일(당기말)
3,898,675,000
14,897,407,879
(3,277,196,893)
4,261,008,498
2,523,834,124
22,303,728,608

- 이익잉여금처분계산서(안)

제 6 기 (2025.01.01 부터 2025.12.31 까지)

제 5 기 (2024.01.01 부터 2024.12.31 까지)

(단위 : 원)

구 분
당 기
전 기

I. 미처분이익잉여금

2,523,834,123

3,107,485,674

1. 전기이월이익잉여금
3,107,485,674

5,000,000,000

2. 순확정급여채무의 재측정요소
(21,132,749)

(97,699,465)

3. 당기순손실
(562,518,802)

(1,794,814,861)

II. 결손금처리액

-

-

1. 자본잉여금 전입
-

-

III. 차기이월미처분이익잉여금

2,523,834,123

3,107,485,674

□ 정관의 변경

가. 집중투표 배제를 위한 정관의 변경 또는 그 배제된 정관의 변경

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

-
-
-

나. 그 외의 정관변경에 관한 건

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

제 27조 (의결권의 대리행사)

1. 주주는 대리인으로 하여금 그 의결권을 행사하게 할 수 있다.

2. 제1항의 대리인은 주주총회 개시전에 그 대리권을 증명하는 서면(위임장)을 회사에 제출하여야 한다.

제 27조 (의결권의 대리행사)

(현행과 같음)

2. 제1항의 대리인은 주주총회 개시전에 그 대리권을 증명하는
서면 또는 전자문서를
회사에 제출하여야 한다.

[본문개정] 상법 제368조의 개정사항 및 코스닥협회 표준정관 반영

제 30조(이사의 원수)
당 회사의 이사는 3명 이상으로 한다.

제 30조(이사의 수)
당 회사의 이사는 3명 이상 7명 이내로 하고,
독립이사
는 이사 총수의
3분의 1 이상
으로 하되, 관련 법령에서 달리 정하는 경우에는 그러하지 아니하다.

[본문개정] 상법 제542조의 8 개정사항 및 코스닥협회 표준정관 반영

제 36조(이사의 의무)

1. 이사는 법령과 정관의 규정에 따라회사 및 주주를 위하여 그 직무를 충실하게 수행하여야 한다.

2. 이사는 그 직무를 수행함에 있어 총주주의 이익을 보호하여야 하고, 전체 주주의 이익을 공평하게 대우하여야 한다.

3. 이사는 선량한 관리자의 주의로서회사를 위하여 그 직무를 수행하여야 한다.

4. 이사는 재임중뿐만 아니라 퇴임후에도 직무상 지득한 회사의 영업상 비밀을 누설하여서는 아니된다.

[본문제정] 상법 제382조3 반영

제정 및 코스닥협회 표준정관 반영

이후 각 조항 번호 변경함

제42조의2(이사의 책임감경)

상법 제399조에 따른 이사의 책임을이사가 그 행위를 한 날 이전 최근1년간의 보수액(상여금과 주식매수선택권의 행사로 인한 이익 등을 포함한다)의 6배(독립이사는 3배)를 초과하는 금액에 대하여 면제한다. 다만, 이사가 고의 또는 중대한 과실로 손해를 발생시킨 경우와 상법 제397조, 제397조의2 및 제398조에 해당하는경우에는 그러하지 아니하다.

[본문제정] 상법 제400조2 반영 및 코스닥협회 표준정관 반영

부 칙

이 정관은 제4기 정기 주주총회일인 2024년 3월 26일부터 시행한다.

부 칙

제1조(시행일)

이 정관은 제6기 정기 주주총회에서 승인한 2026년 3월 26일부터 시행한다.

제2조(독립이사에 관한 적용례)

① 제36조, 제42조의2의 개정규정은 2026년 7월 23일부터 시행한다.

② 독립이사를 선임하는 경우 <법률 제20991호, 2025. 7. 22.> 부칙 제2조 단서에 따라 2027년 7월 22일 이내에 독립이사를 이사 총수의 3분의 1 이상이 되도록 하여야 한다.

[정기주주총회 예정일로 시행일 설정]

개정상법 조항별 시행일자 반영

□ 이사의 선임

가. 후보자의 성명ㆍ생년월일ㆍ추천인ㆍ최대주주와의 관계ㆍ사외이사후보자 등 여부

후보자성명
생년월일
사외이사후보자여부

감사위원회 위원인

이사 분리선출 여부

최대주주와의 관계
추천인

한규진
1959. 9. 4.
미해당
미해당
부
이사회

이승주
1966. 7. 26.
미해당
미해당
-
이사회

장경규
1968. 8. 9.
해당
미해당
-
이사회

총 ( 3 ) 명

나. 후보자의 주된직업ㆍ세부경력ㆍ해당법인과의 최근3년간 거래내역

후보자성명
주된직업
세부경력
당해법인과의최근3년간 거래내역

기간
내용

한규진
(주)코스텍시스대표이사
1982. 2.
국민대학교 기계공학 학사
-

2004. 2.
호서대 대학원 첨단산업기술석사

1984. 6. ~ 1991. 5.
기아자동차㈜ 연구소

1991. 6. ~ 1995. 5.
한국산업안전공단 검사부

1997. 1. ~ 현재
㈜코스텍시스 대표이사

이승주
(주)코스텍시스사내이사
1989. 2.
조선대학교 회계학 학사
-

1989. 4. ~ 2006. 10.
㈜BYC

2006. 11. ~ 현재
㈜코스텍시스 경영본부장

장경규
투케이솔루션부사장
1991. 2.
부산대학교 금속공학 학사
-

1993. 2. ~ 2000. 6.
삼성테크윈 연구소

2002. 7. ~ 2012. 7.
LNC POWER 대표

2017. 1. ~ 현재
투케이솔루션 부사장

다. 후보자의 체납사실 여부ㆍ부실기업 경영진 여부ㆍ법령상 결격 사유 유무

후보자성명
체납사실 여부
부실기업 경영진 여부
법령상 결격 사유 유무

한규진
해당사항없음
해당사항없음
해당사항없음

이승주
해당사항없음
해당사항없음
해당사항없음

장경규
해당사항없음
해당사항없음
해당사항없음

라. 후보자의 직무수행계획(사외이사 선임의 경우에 한함)

1. 사외이사로서의 전문성 및 독립성을 기초로 기업 및 주주, 이해관계자 모두의 가치 제고를 위한 의사결정 기준과 투명한 의사개진을 통해 직무를 수행할 계획2. 충실 의무, 보고 의무, 감시 의무, 상호 업무집행 감시 의무, 경업금지 의무, 자기거래 금지 의무, 기업비밀 준수의무 등 상법상 사외이사의 의무를 인지하고 있으며 이를 엄수할 것임

마. 후보자에 대한 이사회의 추천 사유

[한규진 후보자] 방열소재 기술 분야에서 30년간 독보적인 연구 업적과 현장 경험을 쌓은 전문가입니다. 당사가 글로벌 시장에서 초격차 기술 경쟁력을 확보해야 하는 중대한 시점에, 후보자의 기술적 통찰력은 신제품 개발 주기를 단축하고 기술 진입장벽을 구축하였으며 회사의 질적 양적 성장에 크게 기여를 할 것으로 판단됩니다.[이승주 후보자] 당사의 재경본부장으로서 다년간 축적된 재무 행정 경험과 회계 및 세무 분야의 깊은 전문성을 바탕으로 투명한 내부 통제 시스템을 구축하는 데 기여해 왔습니다.향후 자본 시장과의 적극적인 소통(IR)을 통해 기업 가치를 제대로 평가받고, 신뢰받는 지배구조를 확립하는 데 중추적인 역할을 수행할 것으로 기대되어 후보자로 추천합니다.[장경규 후보자]반도체 도금 및 표면처리 분야와 유리기판 분야에서 30년간 실무와 연구를 병행해 온 최고 수준의 엔지니어입니다. 미세 회로 구현을 위한 고난도의 전해/무전해 도금 공정의 높은 이해도를 바탕으로, 당사가 차세대 시장으로 외연을 확장하는 과정에서 발생할 수 있는 기술적 난제를 해결하고 최적의 설비 투자를 결정하는 데 핵심적인 가이드를 제공할 적임자입니다.

확인서

후보자 확인서_한규진.jpg
후보자 확인서_한규진

후보자 확인서_이승주.jpg
후보자 확인서_이승주

후보자 확인서_장경규.jpg
후보자 확인서_장경규

□ 감사의 선임

가. 후보자의 성명ㆍ생년월일ㆍ추천인ㆍ최대주주와의 관계

후보자성명
생년월일
최대주주와의 관계
추천인

심재호
1965. 3. 27.
-
이사회

총 ( 1 ) 명

나. 후보자의 주된직업ㆍ세부경력ㆍ해당법인과의 최근3년간 거래내역

후보자성명
주된직업
세부경력
당해법인과의최근3년간 거래내역

기간
내용

심재호
㈜덱스터파트너스이사
1989. 2.
연세대학교 경제학과 학사
-

1988. 3. ~ 2000. 11.
코오롱상사㈜ 신사업팀과장

2000. 12. ~ 2014. 12.
㈜코오롱인베스트먼트 전무

2015. 1. ~ 2018. 12.
코오롱그룹 해외사업본부 전략사업팀 상무

2019. 1. ~ 현재
㈜덱스터파트너스 이사

2022. 3. ~ 현재
㈜코스텍시스 감사

다. 후보자의 체납사실 여부ㆍ부실기업 경영진 여부ㆍ법령상 결격 사유 유무

후보자성명
체납사실 여부
부실기업 경영진 여부
법령상 결격 사유 유무

심재호
해당사항없음
해당사항없음
해당사항없음

라. 후보자에 대한 이사회의 추천 사유

회사의 사업 특성에 대한 이해도가 높고, 회사와의 거래/겸직 등에 따른 이해관계가 없는 독립성과 전문성을 갖춘 전문가로서 ㈜코스텍시스의 감사직무도 성실히 이행하여 조직 내부 통제 및 경영투명성 확보에 기여하여 추천함

확인서

후보자 확인서_심재호.jpg
후보자 확인서_심재호

□ 이사의 보수한도 승인

가. 이사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

이사의 수 (사외이사수)
3( 1)

보수총액 또는 최고한도액
1,000,000,000

(전 기)

이사의 수 (사외이사수)
5( 2)

실제 지급된 보수총액
580,731,000

최고한도액
1.000.000.000

□ 감사의 보수한도 승인

가. 감사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

감사의 수
1

보수총액 또는 최고한도액
100,000,000

(전 기)

감사의 수
1

실제 지급된 보수총액
12,000,000

최고한도액
100,000,000

IV. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

가. 제출 개요

제출(예정)일
사업보고서 등 통지 등 방식

2026년 03월 18일
1주전 회사 홈페이지 게재

나. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

- 사업보고서 및 감사보고서는 주주총회일 1주전까지 금융감독원 전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)에 공시하고, 회사 홈페이지(https://www.kostec.net에 게재할 예정입니다.

※ 참고사항

■ 전자투표에 관한 사항- 당사는 「상법」제368조의4에 따른 전자투표제도를 활용하기로 결의하였습니다. 이에, 주주님들께서는 아래에서 정한 방법에 따라 주주총회에 직접 참여하지 아니하고 전자투표방식으로 의결권을 행사하실 수 있습니다.- 전자투표 인터넷 및 모바일 주소 인터넷 주소: https://evote.ksd.or.kr 모바일 주소: https://evote.ksd.or.kr/m- 전자투표 행사ㆍ전자위임장 수여기간: 2026년 3월 14일 9시 ~ 2026년 3월 25일 17시( 기간 중 24시간 이용가능)- 인증서를 이용하여 전자투표ㆍ전자위임장 권유관리시스템에서 주주 본인 확인 후 의결권 행사 주주확인용 인증서의 종류: 공동인증서 및 민간인증서 (K-VOTE에서 사용 가능한 인증서 한정)

■ 해당 주주총회장은 주차공간이 협소하오니 대중교통 이용을 부탁드립니다.■ 주주총회 참석시 준비물

1) 직접행사: 신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

2) 간접행사: 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증