코스텍시스 — 주주총회소집공고 (20250307)
제출인: 코스텍시스

주주총회소집공고
6.0
주식회사 코스텍시스

주주총회소집공고

2025년 3월 7일

회 사 명 :
주식회사 코스텍시스

대 표 이 사 :
한규진

본 점 소 재 지 :
인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동)

(전 화)032-821-0162

(홈페이지)http://www.kostec.net

작 성 책 임 자 :
(직 책) 상무
(성 명) 이승주

(전 화) 032-821-0162

주주총회 소집공고

(제5기 정기)

주주님의 건승과 댁내의 평안을 기원합니다.

당사는 상법 제363조 및 정관 제20조에 의거하여 제5기 정기주주총회를 아래와 같이 개최 하오니 참석하여 주시기 바랍니다.

- 아 래 -

1. 일 시 : 2025년 3월 26일(수) 오전 9시 00분

2. 장 소 : 인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동) 본점 대회의실

3. 회의 목적 사항 제 1호 의안 : 제5기 재무제표, 이익잉여금(결손금)처분계산서(안) 승인의 건

제 2호 의안 : 이사 선인의 건 2-1호 의안 : 사내이사 한태성 선임의 건 제 3호 의안 : 이사 보수한도액 승인의 건 제 4호 의안 : 감사 보수한도액 승인의 건

4. 경영참고사항 비치

상법 제542조의 4의 3항에 의한 경영참고사항은 당사의 본점과 명의개서대행회사(국민은행 증권대행부)에 비치하였고, 금융위원회 및 한국거래소에 전자 공시하여 조회가 가능하오니 참고하시기 바랍니다.

5. 실질주주의 의결권 행사에 관한 사항

관련 법규에 의거하여 한국예탁결제원은 주주의 의결권을 행사할 수 없으므로 주주님께서는 주주총회에 직접 참석하여 의결권을 행사하시거나, 위임장을 통해 간접 행사하실 수 있습니다.

6. 서면에 의한 의결권 행사

상법 제368조의 3 및 당사 정관 제27조에 의거 주주총회에 출석하지 아니하고 서면에 의하여 의결권을 행사하실 수 있습니다. 서면에 의하여 의결권을 행사하고자 하시는 분께서는 별첨의 ‘서면투표에 의한 의결권 행사서’의 안내사항을 참조하시어 투표용지에 의사를 표시하여 주주총회일 전일까지 제출하여 주시기 바랍니다.

7. 주주총회 참석 시 준비물

가. 직접행사 : 신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

나. 대리행사 : 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증

8. 기타사항

- 참석주주님들을 위한 주주답례품은 지급하지 않습니다.- 행사장의 주차가 불가하오니, 반드시 대중교통을 이용하시기 바랍니다.※ 의결권있는 발행주식총수의 100분의 1 이하의 주식을 소유한 주주에 대한 소집통지 및 공고를 상법 제542조의4 및 동법 시행령 제31조, 당사 정관 제20조에 의거하여 본 공고로 갈음하오니 양지하여 주시기 바랍니다. 2025년 3월 7일

인천광역시 남동구 남동서로 261 (논현동) (☏032-821-0162)

주식회사 코스텍시스

대표이사 한 규 진 (직인생략)

[별첨] 서면투표에 의한 의결권행사서

주식회사 코스텍시스 귀중

본인은 2025년 3월 26일 개최되는 주식회사 코스텍시스 제5기 정기주주총회의 의안에 대하여 아래와 같이 의결권을 행사합니다. 또한 속회 및 연회로 된 경우에도 아래와 같이 의결권을 행사합니다.

부 의 안 건

찬성

반대

제 1호 의안 : 제5기 재무제표, 이익잉여금(결손금)처분계산서(안) 승인의 건

제 2호 의안 : 이사 선임의 건 2-1호 의안 : 사내이사 한태성 선임의 건

제 3호 의안 : 이사 보수한도액 승인의 건

제 4호 의안 : 감사 보수한도액 승인의 건

<안내사항>

1. 상법 제368조의 3 및 당사 정관 제27조에 의거 주주총회에 출석하지 아니하고 서면에 의하여 의결권을 행사하실 수 있습니다. 서면에 의하여 의결권을 행사하고자 하시는 분께서는 본 투표용지에 의사를 표시하여 정기주주총회일 전일까지 제출하여 주시기 바랍니다.

(당사주소: 우)21634 인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동) 경영본부

2. 상기의 투표용지에 찬성 또는 반대의 표시란에 “○”표를 하여 주셔야 됩니다. 지시된 표시가 없거나 지시한 방법이외로 기표하신 경우 또는 백지로 제출하신 경우에는 기권으로 처리되오니 정확하게 기표하여 주시기 바랍니다.

3. 제출된 의안의 수정 동의시 서면투표의 내용은 기권으로 처리되오니 가급적 총회에 직접 참석하시어 의결권을 행사하시기 바랍니다.

2025년 3월 일

주주번호

소유주식수

주주명

주민번호(사업자번호)

주소

전화번호

※ 주주명에는 반드시 기명날인 또는 서명하여 주시기 바라며, 주소와 전화번호도 꼭 기입하여 주시기 바랍니다.

※ 금번 정기주주총회 안건에 대한 세부사항은 금융감독원전자공시시스템에 공시되어 있습니다.

(http://dart.fss.or.kr)

I. 사외이사 등의 활동내역과 보수에 관한 사항

1. 사외이사 등의 활동내역

가. 이사회 출석률 및 이사회 의안에 대한 찬반여부

회차
개최일자
의안내용
가결여부
사외이사 등의 성명

김한민(출석률:89%)
류형수(출석률:89%)

찬 반 여 부

1
2024-01-31
제1호 의안 : 제4기(구,27기)재무제표 및 영업보고서 승인의 건
가결
찬성
찬성

2
2024-02-13
제1호 의안 : 제4기 정기주주총회 소집에 관한 건
가결
찬성
찬성

3
2024-02-28

제1호 의안 : 제4기 재무제표 및 영업보고서 승인의 건제1호 보고 : 내부회계관리제도 운영실태 및 결과보고의 건

가결
불참
불참

4
2024-03-28
제1호 의안 : 중소기업은행 신규차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

5
2024-04-03
제1호 의안 : 자기주식 취득 결의 건
가결
찬성
찬성

6
2024-05-08
제1호 의안 : 유상증자(보통주) 신주발행의 건
가결
찬성
찬성

7
2024-06.-07
제1호 의안 : 중소기업은행 신규차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

8
2024-11-28
제1호 의안 : 중소기업은행 신규차입 승인의 건
가결
찬성
찬성

9
2024-12-03
제1호 의안 : 자기주식 취득 결의 건
가결
찬성
찬성

나. 이사회내 위원회에서의 사외이사 등의 활동내역

위원회명
구성원
활 동 내 역

개최일자
의안내용
가결여부

-
-
-
-
-

2. 사외이사 등의 보수현황

(단위 : 천원)

구 분
인원수
주총승인금액
지급총액
1인당 평균 지급액
비 고

사외이사
2
1,000,000
24,000
12,000

- 상기 인원수는 2024년 12월 31일 현재 재직중인 사외이사의 수입니다.- 상기 주총승인금액은 사외이사 2명을 포함한 등기이사 총 6명의 이사 보수한도액입니다.- 1인당 평균지급액은 2024년 1월부터 12월까지 지급된 보수총액을 인원수로 단순평균하여 계산하였습니다.

II. 최대주주등과의 거래내역에 관한 사항

1. 단일 거래규모가 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래종류
거래상대방(회사와의 관계)
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-

2. 해당 사업연도중에 특정인과 해당 거래를 포함한 거래총액이 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래상대방(회사와의 관계)
거래종류
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-
-

III. 경영참고사항

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

(1) 반도체 산업 개요

반도체 산업은 지난 수십 년간 소형화와 효율성 증대를 목표로 지속적으로 발전해 왔습니다. 최근, 더 높은 전력 효율과 성능을 요구하는 시장 경쟁이 심화됨에 따라, 반도체 업계는 기존 실리콘(Si) 반도체가 높은 전압, 온도, 스위칭 주파수에서 한계를 보인다는 점을 인식하고 있습니다.

이에 따라, 고온·고전압 환경에서도 안정적으로 작동하며, 전력 손실을 최소화하고 에너지 효율을 극대화할 수 있는 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN) 등 와이드 밴드갭(WBG) 반도체로의 전환이 빠르게 진행되고 있습니다.

(2) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 특성과 시장 동향

와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 극한의 온도, 높은 전력 밀도, 높은 전압, 높은 주파수 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 특성을 지녀, 차세대 반도체 기술로 주목받고 있습니다.

특히, 전기차(EV), 하이브리드 EV, 신재생 에너지, 5G, 데이터 센터, 태양광 인버터, 우주항공 등 다양한 산업 분야에서 활용도가 크게 증가하고 있습니다.

현재, 글로벌 반도체 기업들은 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 8인치 실리콘 카바이드(SiC) 생산 라인에 대규모 투자를 진행하고 있으며, 이러한 생산 시설이 본격적으로 가동되기 시작하고 있습니다.

(3) 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 주요 특징

-. 더 빠른 스위칭 속도

-. 낮은 전력 손실

-. 높은 작동 온도

-. 더 빠른 동작 주파수

-. 우수한 에너지 효율

-. 시스템 크기 및 비용 절감

-. 향상된 신뢰성 및 내구성

와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 소형화가 가능하며, 고온·고전압·고주파 환경에서 작동하는 과정에서 상당한 열이 발생하기 때문에, 반도체와 기판 간 "써멀 매칭(Thermal Matching)" 및 열 관리 기술이 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

(4) 당사의 역할 및 기술 경쟁력

당사는 SiC 및 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 써멀 매칭(Thermal Matching)에 특화된 저열팽창·고방열 소재를 국내 최초로 개발하여 성공적으로 대량 생산하고 있습니다.

이를 기반으로, 파워 반도체가 고온에서도 안정적으로 작동하고 열을 효과적으로 방출할 수 있도록, 써멀 매칭(Thermal Matching) 기술이 적용된 반도체 패키지, 스페이서(Spacer), 방열 부품 및 베이스플레이트(Baseplate, 냉각 장치) 등을 제조·판매하는 사업을 영위하고 있습니다.

앞으로도 당사는 끊임없는 기술 개발과 혁신을 통해 글로벌 반도체 시장에서 경쟁력을 강화하고, 고성능·고효율 반도체 소재 및 부품의 선도 기업으로 자리매김할 것입니다.

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황

당사는 고방열 신소재 기술과 정밀 세라믹 패키지 기술을 바탕으로, 5G 등 통신용 파워 트랜지스터(Power Transistor)의 세라믹 패키지(Ceramic Package), LCP(Liquid Crystal Polymer) 패키지, QFN(Quad Flat No lead) 패키지, 그리고 전력 반도체용 방열 부품인 스페이서(Spacer) 등을 제조·판매하는 사업을 영위하고 있습니다.

당사의 첫 번째 주력 제품은 5G 이동통신, 군수용 레이더(Radar) 등에서 사용되는 RF 트랜지스터 및 RF 전력증폭기에 주로 쓰이는 RF 통신용 패키지입니다. 이 제품은 대면적 반도체 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하고, 반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수를 매칭(Matching)하여 안정성을 제공합니다.

두 번째 주력 제품은 반도체 레이저 다이오드용 패키지로, 산업용, 의료용, 군사용 레이저 모듈에 사용되는 패키지입니다.

세 번째는 신제품으로, 전기차 등에서 널리 사용되는 차세대 반도체 SiC 전력반도체용 방열 Spacer입니다. 이 제품은 현재 글로벌 자동차 제조업체에 시제품을 납품 중이며, 고객사의 대량 생산 시기에 맞춰 글로벌 시장을 선도할 수 있는 양산 시설 투자가 진행되고 있습니다.

반도체 패키지 산업은 제품의 성능이 반도체 전체의 성능과 신뢰성에 중요한 영향을 미치기 때문에 신규 진입 장벽이 매우 높습니다. 당사는 고방열 소재 기술을 바탕으로 통신용 RF 패키지, 레이저 다이오드용 패키지, 전기차용 방열 Spacer 등 주력 제품을 통해 NXP 등 글로벌 시장을 활발히 확장하고 있습니다. 또한, 생산 활동, 영업 활동, 연구 활동 각 분야에서 진취적이고 적극적인 경영 전략을 실천하고 있습니다. 이와 함께, 전력 반도체의 집적 냉각을 위한 KCMC Base Plate와 양자 통신을 위한 실리콘 포토닉스 패키징 기술 개발 등 연구 개발을 확대하고 있습니다.

당사의 주요 거래처는 대부분 해외 업체로, 매출의 대부분이 수출에서 발생하고 있습니다. 이에 따라 글로벌 영업 활동을 이어가면서 발생할 수 있는 환리스크를 최소화하기 위해, 당사는 수출입 거래 및 자금 거래 시 현지 통화로 거래하거나 입금 및 지출 통화를 일치시키고, 외화 채권의 Nego 등의 노력을 기울이고 있습니다. 또한, 효율적인 외환 리스크 관리를 위해 외환 리스크 관리 규정과 별도의 전담 인원을 배치하고 있습니다.

당사는 원소재 시세 변동 리스크를 최소화하기 위해, 제품 판매 가격에 원소재 시세를 연동하는 방법 등의 탄력적인 경영 전략을 운용하고 있습니다.

(나) 사
업개요

[주요 용어 설명]

순 번

영 문

국 문

설 명

1

Compound

Semiconductor

화합물 반도체

화합물 반도체는 원소 주기율표의 두 가지 이상 그룹에 속한 화학 원소로 구성됨.(예. III·V 반도체 SiC, GaN) 다이렉트 에너지 밴드갭, 높은 절연 파괴 전기장, 높은 전자 이동도 등 실리콘에 비해 독특한 소재 특성을 지녀 광자, 고속, 고성능 소자 기술 구현이 가능함. 화합물 반도체 내부의 전자는 실리콘 반도체에 비해 100배 이상 빠른 속도로 처리함

2

Heat Spreader

/ Heat Sink

히트 스프레더

히트 스프레더는 더 뜨거운 소스에서 더 차가운 방열판 또는 열교환기로 열을 전달 역할을 함. PKG의 Flange 또는 Base가 그 역할을 함

3

BAG-8

은납

(브레이징 재료)

은납(BAg)은 은을 함유하는 브레이징 재료이며, 구성비는 Ag72%/Cu28합금화 된 소재이며 융점은 780℃ , 진공브레이징, 수소브레이징에 주로 쓰임

4

Thermal

Properties

Material

열 특성

소재

열전도, 열팽창 및 열응력 등의 고유 특성을 갖는 소재로, 최적의 고방열 PKG제작에 Kovar, Moly, MoCu, WCu, Cu등의 금속소재와 Al2O3, AlN, BeO등의 세라믹 소재가 사용됨

5

GaN

(Gallium Nitride)

질화갈륨

질화갈륨은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드의 재료로 사용되는 반도체임. 최근에는 전력반도체나 레이다 등에도 응용되고 있음

6

GaAs

(Gallium Arsenide)

갈륨비소

갈륨비소의 화합물로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

7

InP

(Indium Phosphide)

인화 인듐

인듐 인화물은 인듐과 인으로 구성된 이진 반도체로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

8

LDMOS

(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)

측면 확산 금속 산화물 반도체

마이크로파 전력증폭기, RF 전력증폭기 및 오디오 전력증폭기를 포함한 증폭기에 사용되며, GaAs 또는 GaN에 비해 최대 전력 이득 주파수가 더 낮음

9

SiC

(Silicon Carbide)

탄화규소

규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체 재료로, 열전도도 특성이 우수하여 방열소재로 활용되고 있음

10

MoCu

(Molybdenum Copper)

몰리카파

구리의 높은 열 전도와 몰리브덴의 낮은 열 팽창 특성을 갖도록 합성한 것으로, 가장 일반적인 몰리브덴 구리 복합 재료 비율은 70/30 및 80/20임

11

WCu

(Tungsten·Copper)

텅스텐카파

텅스텐과 구리의 합성물로 내열성, 내마모성, 고강도, 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

12

Cu-MoCu-Cu

(CPC)

(Copper-Molybdenum

Copper-Copper)

씨피씨

Mo70Cu 합금 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

13

Cu-Mo-Cu

(CMC)

(Copper-Molybdenum-Copper)

씨엠씨

몰리 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

14

Kovar

코바

낮은 열팽창 특징 갖는 니켈-코발트 철 합금으로 세라믹과 금속, 유리와 금속간 접합용으로 사용됨

15

Alumina Ceramic

산화 알루미늄

세라믹

Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, PKG 제조시 절연용 소재 또는 인쇄회로 기판으로 사용됨

16

Package

패키지

외부 환경으로부터 내부 소자를 보호, 외부와 전기적 연결, 그리고 소자에서 발생하는 열을 스프레드 시키는 구조품

17

Transistor(TR)

트랜지스터

전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 3극 반도체 소자임

18

Impedance

임피던스

전기 회로에 교류를 흘렸을 경우에 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 값임

19

Brazing

브레이징

금속재료나 비금속재료의 접합방법의 하나로서 450℃ 이상 모재(Base metal)의 용융점 이하의 온도에서 접합부를 가열하여 모재는 녹이지 않고 브레이징합금(Brazing alloy)만 녹여 모재를 접합하는 기술

20

Hermeticity

밀폐

공기나 가스 등의 기체가 통하지 않는 성질을 의미하며, 패키지의 밀폐 구조는 내부로 공기/수분 등이 들어올 수 없도록 환경 내구성을 강화한 것임

21

Leak Rate

누설량

누설은 내부와 외부 사이에 압력차가 생겨 기체의 흐름이 발생하는데 단위 시간당 흐르는 기체의 양을 의미함

22

Coefficient of

Thermal

Expansion(CTE)

열팽창 계수

열에 의한 변형을 일으키는 재료가 갖는 고유한 성질로 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 늘어난 길이로 척도를 계수로 표시한 것 정의됨

23

Thermal Conductivity

열전도율

열전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 고유한 성질로, 열전도율의 SI 단위는 W/ mㆍK

24

Wettability

젖음성

용융된 솔더가 고체 금속의 표면에 물리, 화학적으로 퍼지는 정도를 말하는 것으로 젖음성이 크면 부착이나 흡착이 증가함

25

He Leak Test

헬륨 누설시험

He(헬륨) Gas를 이용하여 제품의 기밀 성능을 검증하는 것으로, 제품의 누설 여부를 검증하기 위한 비파괴 시험방법

26

Thermal Cycle

Test

정속온도 변화시험

온도변화 혹은 온도변화의 반복이 제품에 주는 영향을 확인하기 위하여 실시하는 시험방법으로, 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험함

27

Thermal Shock Test

열충격 시험

급격한 온도변화에 대한 부품의 저항성을 평가하는 것으로, 극저온(또는 극고온)에 노출된 다음에 중간 온도 없이 짧은 시간 내에 극고온(또는 극저온)에 노출되는 과정을 반복함으로써 급격한 온도변화를 받는다. 이 경우에 제품의 피로고장은 가속됨

28

Baking Test

베이킹 테스트

430ºC 온도에서 금속 표면의 금도금 상태를 확인하는 시험으로 블리스터, 변색, 밀착 등의 불량 현상이 있는지 확인하는 시험

29

RF Communication

알에프 통신

통신 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

30

Thermal Matching

써멀매칭

열평창계수가 다른 소재의 접합시 발생되는 열응력에 따른 변형을 최소화 것임.

31

QFN

(Quad Flat No-lead)

큐에프엔

연결 패드가 4면은 돌출된 집적회로 패키지

32

MMIC

(Monolithic

Microwave Integrated Circuits)

집적회로

하나의 반도체 기판 위에 일괄 공정으로 제작하는 초소형 초고주파 집적회로

33

Die Bonding

/ Die Attach

다이 본딩

반도체 칩을 패키지에 고정시키고 칩과 패키지 간의 전기적 접속이 이루어지게 하기 위한 것

34

Lid

덮개

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자 및 연결선들을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 덮개

35

Lead Frame

리드프레임

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자의 전기적 특성을 외부 연결선에 전달해주는 것

36

LCP

(Liquid Crystal Polymer)

액정폴리머

액정의 성질과 플라스틱의 성질을 함께 겸비한 소재로서 사출성형재료로 이용되고 있으며, 용융 시에 액정성을 나타냄

37

Ka-Band

카 대역

26.5-40기가헤르츠의 주파수 대역

38

5G

5G

5세대 무선 네트워크 기술이다. 증강현실, 가상현실, 혼합현실 애플리케이션(AR, VR, MR), 화상회의, 산업 자동화, 자율주행차, 커넥티드 의료기기 등의 분야에 적용

39

Al-Diamond

알루미늄-다이아

알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저팽창, 초고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재

40

LiDAR

(Light Detection and Ranging)

라이다

레이저를 목표물에 비춤으로써 사물까지의 거리, 방향, 속도, 온도, 물질 분포 및 농도 특성 등을 감지할 수 있는 기술

41

EV/HEV

Electric Vehicle

/ Hybrid Electric Vehicle)

전기/하이브리드자동차

전기에너지를 동력원으로 활용하는 자동차

42

mmWave

(Millimeter Wave)

밀리미터파

30~300 기가헤르츠의 전자기 스펙트럼의 무선 주파수 대역

43

Coaxial

동축

중심에 초의 심지와 같이 도체가 있고, 그 주변을 둘러싸는 높은 유전상수를 갖는 유전체와 이를 감싸는 도체로 구성

44

Metal Guide

금속 가이드

동축과 유사한 형상의 구조

45

DBC

(Direct Bonded Copper)

구리직접접합

전력반도체 소자를 접합하는 기판 종류에 대한 접합방식으로 구리(Cu) 층에 산화막을 형성시킨 후, 세라믹에 직접 접합

46

IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor)

절연 게이트 양극성 트랜지스터

고전압용 스위칭 소자로써 인버터, 컨버터, 전원공급 장치와 같은 전력전자 쪽에 주로 사용

47

Spacer

스페이서

두 개 사이를 일정하게 유지시키는 역할을 하며, 파워모듈에서는 반도체 소자(chip) 위에 접합하여 chip이 구동 중 발생하는 열을 방출하여 열로 인한 chip 소산을 막아 디바이스를 보호하는 역할을 하며, 열방출이 좋고 Chip과 열팽창 계수가 비슷한 CMC, CPC, CuMo등 소재를 주로 사용함

48

Stamping

스탬핑

판재 성형 가공 방법의 하나로 프레싱(Pressing) 이라고도 함

49

Wire Cutting

와이어 컷팅

두 전극 사이에 방전을 일으킬 때 생기는 에너지를 이용해서 가공하는 방법

50

Delamination

딜라미네이션(박리)

제조 공정과 보관에서 습도 환경에 노출되었을 경우 습기가 Mold 패키지에 흡수되는 현상

51

Wire Bonding

와이어 본딩

집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정

52

Soldering

솔더링

450°C 이하의 녹는점을 지닌 보충물(일반적으로 땜납)을 사용하여 끊어진 두 개 이상의 물질을 결합하는 과정

(다) 당사의 주요 사업 부문은 다음과 같이 요약할 수 있습니다:-. 저열팽창 고방열 소재

고온 환경에서 안정적인 성능을 발휘하는 저열팽창 고방열 소재를 개발하여 반도체의 효율성을 극대화합니다.

-. 써멀 매칭(Thermal Matching)된 반도체 패키지

반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수를 매칭(Matching)하여, 반도체가 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 지원합니다.

-. Spacer 등 방열 부품

전력 반도체 및 SiC 전력반도체에 사용되는 방열 Spacer를 개발하여, 고온 환경에서의 열 관리를 최적화합니다.

-. Baseplate 등 냉각 시스템

전력 반도체의 집적 냉각을 위한 Baseplate 및 냉각 장치를 설계하고 제조하여, 고효율의 열 관리 시스템을 제공합니다.

이와 같은 제품들을 통해 당사는 다양한 산업 분야에서 고온 환경을 효과적으로 관리하고, 전력 효율성을 높이는 데 기여하고 있습니다.

대분류

주요 제품

매출유형

사용용도와 기능 및 특징

비고

통신용패키지
세라믹 패키지
제품

GaN 디바이스용 패키지

용도 : 4G, 5G 통신 등

Flange,Carrier

Thermal Matched Lead frame

레이저용 패키지

C/F-Mount 패키지

레이저 용 패키지

용도 : 산업용 레이저,의료용 레이저, 군사용 레이저 등

마이크로채널 패키지

레이저 모듈 패키지

전력반도체용

패키지

방열 스페이서
(Spacer)

저열팽창 고방열 스페이서

용도 : SiC 전력반도체 등

DC 컨넥터시그널 컨넥터

저저항 패키징

용도 : SiC 전력반도체 등

Base Plate

수냉식 냉각기판

용도 : SiC 전력반도체 등

① 반도체 패키지

반도체 패키징 사업에서 패키지(Package)의 사전적 의미는 '포장된 물품'이며, 반도체 패키징이란 반도체를 기계적 보호, 전기적 연결, 기계적 연결, 열 분산 등 4가지 주요한 역할을 하기 위해 후공정(Back-End Process)하는 기술을 의미합니다

반도체 패키지의 역할

출처 : 한올출판사반도체를 생산하기 위해서는 여러가지 제조공정과 반도체 재료를 필요로 하는데, 반도체 생산업체 제조공정에 따라 구분하면 크게 전공정(Front-End Process) 업체와 후공정(Back-End Process)업체 등으로 구분할 수 있습니다. 또한 이를 공정구분에 따라 '웨이퍼 재료'와 '패키징 재료'로도 구분하며, 반도체 구성단계에 따라서는 기능재료, 공정재료, 구조재료로 세분화하여 구분할 수 있습니다. 이에 당사는 반도체 패키징에 필요한 구조재료인 반도체 패키지를 생산하는 반도체 후공정 업체라고 할 수 있습니다. [반도체 재료의 종류에 따른 구분]

공정구분

대분류

중분류

재료의 종류

용도

전공정 (Front-End Process)

웨이퍼 재료

기능재료

웨이퍼

칩의 기판

공정재료

포토마스크

석영유리에 회로를 묘화한 회로도의 원판

펠리클

마스크의 입자로 인한 오염 방지를 위한 보호막

포토리지스트

웨이퍼에 회로를 인쇄하기 위한 감광제

공정가스

성막, 에칭, 도핑 등에 사용

화학약품

세정, 에칭 등의 공정에 사용

배선재료

웨이퍼 상에 주입되어 회로로 사용

후공정 (Back-End Process)

패키징 재료

구조재료

반도체 패키지(Substrate)

칩과 외부회로와의 접속을 위한 지지대

본딩와이어

칩과 리드프레임을 연결

봉지재

칩을 밀봉하기 위한 Epoxy수지

기타

언더필 재료, 숄더 볼 등

출처 : 반도체산업협회 「반도체 재료산업」 자료 당사 재구성

② 통신용 패키지

당사의 주력 제품인 통신용 패키지는 주로 무선통신 시장에 사용되는 RF 통신용 패키지로써, GaN, GaAs, InP 등 화합물 반도체가 실장될 수 있습니다. 또한 화합물 반도체가 안정적으로 작동할 수 있도록 밀폐성(Hermeticity), 방열성(Heat Dissipation), 열팽창 계수의 매칭(CTE Matching) 등이 고려되어 제작되어야 합니다.

당사는 이러한 통신용 패키지를 제조하여 NXP(네덜란드-말레이시아공장), WolfSpeed(미국), 중국 Dynax, Innogration, Huatai사 등과 대만 Transcom 등의 주요 업체에 안정적으로 공급하고 있으며, 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), N사(일본) 등이 있습니다.

화합물 반도체가 실장되는 통신용 패키지는 아래와 같은 요구 조건들을 만족시켜야 화합물 반도체 칩이 출력 저하 및 기능을 상실하지 않고 제 역할을 하게 됩니다. 이는RF 무선통신 상에서 심각한 영향을 초래할 수 있으므로 반드시 지켜져야 하는 특성들입니다.

기밀성(Hermeticity)
반도체 패키지 실링 후 헬륨(He) Leak 테스트를 실시하여 헬륨(가스)가 투과되는지 여부를 확인하여 밀폐 여부를 판단하는 작업으로 패키지 내부의 칩을 보호하고 외부와의 접촉이 차단되는 상태를 말합니다.

방열(Heat Dissipation)
반도체 칩이 작동하면 많은 열이 발생하게 되는데 Base material이 이러한 열을 빼주는 역할을 하며 이는 칩의 고장 또는 에러를 예방하는 역할을 하게 됩니다.

열팽창 계수 매칭(CTE-Matching)
화합물 반도체 및 패키지에 사용되는 재료는 열팽창 계수를 갖기 때문에 온도대에 따라 팽창과 수축하는 정도가 다릅니다. 열팽창 계수에 의한 반도체 칩의 딜라미네이션(Delamination)을 방지하기 위해 패키지에 사용되는 소재의 열팽창 계수를 맞추는 것이 중요합니다.

전기적 연결(Electrical Connection)
반도체 칩을 패턴 및 리드프레임 단자로 외부와 연결 구조를 갖게 합니다.

금도금(Soft Gold(Au))
반도체 칩을 실장하여 전기적 연결 구조를 갖기 위한 Die attach 공정, Wire bonding 공정 및 하면의 숄더링(Soldering)이 가능하도록 표면을 금(Au) 도금 처리를 실시합니다.

내열성(Heat Resistance)
고객사에서 보통 칩의 Die attach, Wire bonding 공정이 약 300도에서 이루어 지는데 이를 견딜 수 있는 특성을 가져야 합니다.

내구성(Durability)
미국방성 신뢰성 테스트(MIL Standard)를 만족하는 신뢰성 및 내구성을 갖는 구조를 가져야 합니다.

RF(Radio Frequency)는 주로 무선 통신에 쓰는 3KHz~300GHz의 주파수를 갖는 전자기파로 방송에 사용되는 전파와 각종 무선 통신의 신호를 송수신하는 교류 전류 진동수로 활용하여 정보를 교환하는 통신 방법으로 디지털 위성방송, 무선 이동통신, 무선 LAN, 군사용·기상용 레이더, 위성통신 등 다양한 분야에서 활용되고 있는 기술입니다. RF 통신용 패키지는 반도체 소자로부터 발생하는 열을 방출하기 위해 높은 열전도도를 갖는 방열 소재(Base)와, 특정 유전율을 갖는 세라믹 링 그리고 Gate·Drain 등의전극과 전기적 연결을 위한 단자(Lead Frame)로 구성되며, 이들 재료는 반도체 소자와 열팽창 계수(CTE)를 매칭을 시켜야하기 때문에 열팽창 계수가 낮은 특수한 소재들이며, 또한 Die Attach 공정 및 Wire Bonding 공정 등 반도체 패키징시의 높은 신뢰성 충족을 위해 고순도 니켈(Ni)과 금(Au)으로 표면 처리되어 있으며, 반도체의 다양한 사용 환경에서 장시간 안정적인 작동을 위해 수분침투 방지, 칩 보호 등을 위한 기밀성(Hermeticity)이 유지되고 있습니다.당사는 RF 분야에서도 다양한 주파수 대역의 신호 증폭을 위해사용되고 있는 RF 트랜지스터 패키지에 집중하고 있으며, LDMOS RF 트랜지스터부터 GaN(Gallium Nitride)을 사용한 RF 트랜지스터까지 RF 트랜지스터 관련 모든 패키지를 생산하여 글로벌 기업인 NXP사등 국내외 많은 고객사에 공급하고 있으며 수출비중이 90%정도로 미국, 중국, 대만, 유럽 등 해외 영업이 활발하게 확장되고 있습니다.

[㈜코스텍시스의 통신용 패키지 종류]

통신용 패키지 종류

제품 사진

특징

RF 세라믹 패키지

RF 세라믹 패키지

- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 세라믹 패키지

- 세라믹-금속 복합패키지

MMiC 세라믹 패키지

MMiC 세라믹 패키지

- 고집적화된 고주파용 패키지

- 고주파 특성 최적화

- 5G, 위성통신 등

Intergrated

세라믹 패키지

Intergrated 세라믹 패키지

- 고방열 소재와 Thick film 인쇄기술을 응용하여 임피던스(Impedance) 매칭 회로 설계

- 다양한 회로 패턴의 고주파·고성능의 소형화 패키지를 제공

플렌지(Flange),

캐리어(Carrier)

플렌지 캐리어

- 저 열 팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 기판(Substrate)

- 평탄 정밀도 매우 높음

- 고 신뢰성의 금도금 기술 적용 제조

Thermal Matched Lead frame

thermal matched leadframe.jpg
thermal matched leadframe

- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 플라스틱 패키지

- 플라스틱-금속 복합패키지

③ 레이저용 패키지

산업용, 의료용 레이저 기기 등의 레이저 모듈에 사용되는 반도체 패키지로서 IC칩과전자제품 보드까지 전기적인 신호 연결, 밀폐 구조, 방열 구조, 다양한 사용 환경에서장시간 사용할 수 있는 신뢰성 확보 등 기능이 요구되고 있으며 GaAs, InP와 같은 화합물 반도체가 실장됩니다.

이러한 고출력 레이저용 패키지는 Focuslight(중국), QSI(한국) 등 주요 업체에 납품하고 있으며, 대표적인 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), S사(일본) 등이 있습니다. [㈜코스텍시스의 레이저 패키지 종류]

레이저 패키지 종류

(주)코스텍시스 제품 사진

특징

C/F-Mount 패키지

C/F-Mount 패키지

- 우수한 방열 특성의 패키지

- 용도 : 고출력 레이저 등

마이크로채널 패키지

마이크로채널 패키지

- 내부 구조가 마이크로 채널로 냉각 성능이 뛰어난 고출력 레이저용 패키지

- 용도 : 고체 레이저, 화이버 레이저 등

레이저 모듈 패키지

laser pkg.jpg
laser pkg

- 고출력 레이저용 패키지

- 용도 : 산업용 레이저, 의료용 레이저,군사용 레이저 등

④ 전력반도체용 패키지 (방열 Spacer)

최근 이산화탄소(CO2) 등 배기 물질 규제와 같은 환경문제가 대두되고 있으며, 이와 더불어 친환경 차량에 관한 관심이 증가하고 있습니다. 친환경 차량을 구동시키기 위한 전력 변환 시스템(PCU : Power Control Unit)중 핵심부품인 파워모듈은 친환경 자동차산업에서 급성장하는 분야 중 하나입니다.

파워모듈은 주로 DBC(Direct Bonded Copper)위에 반도체 소자가 접합되고, 이를 봉지재를 통해 감싸 절연하는 구조로 되어 있습니다. 기존의 파워모듈은 방열판에 한쪽 면을 부착하고 방열판에 수냉 냉각기를 부착한 단면냉각방식이 주를 이루고 있었으나, 단면냉각방식은 알루미늄 와이어의 열화로 칩과 접착부분에서 쉽게 파괴가 일어나는 문제를 내재하고 있습니다. 이를 해결하기 위해 양면냉각방식의 파워모듈이 개발되었습니다.

(다) 공시대상 사업부문의 구분

당사는 단일 사업부문으로 구성되어 있으며, 다이오드, 트랜지스터 및 유사 반도체소자 제조업 (C26120) 에 속해있습니다. 제품별 매출비중은 다음과 같습니다.

(단위 : 백만원)

매출유형

품 목

2022연도

(제3기)

2023연도(제4기)

2024연도(제5기)

제품

RF통신용패키지

25,164
11,326
13,798

전력반도체Spacer
187
223
415

합 계

25,351
11,549
14,213

(2) 시장점유율RF PKG 분야는 개별부품의 시장규모에 대한 객관적인 정보가 없는 관계로 신빙성있는 시장점유율을 집계하기 어렵습니다.

(3) 시장의 특성

1세대 이동통신 서비스가 시작된 1984년 이래 이동통신 서비스는 10년 주기로 서비스 환경이 바뀌어 1990년대에는 2세대 이동통신이, 2000년대에는 3세대 이동통신이, 2010년대에는 4세대 이동통신 서비스가 시행되었고, 최근 2020년대에는 5세대 이동통신의 서비스가 상용화되었습니다. 이동통신의 서비스 관점에서 보면 1세대 이동통신은 음성이 주를 이루었으며, 2세대 이동통신은 음성과 문자, 3세대 이동통신에서는 데이터를 활용한 인터넷 서비스가 가능하였으며 4세대 이동통신 시대에는 스마트폰이 보급되면서 인터넷, 동영상 등의 데이터 서비스가 활성화되어 우리 생활을 급격하게 변화시켰습니다.

이동통신 30년 일지

출처 : SK텔레콤이 이끈 이동통신 대한민국 휴대전화 서비스 ‘30돌’ 맞았다

이동통신 서비스는 현재까지 핸드폰이나 스마트폰을 사용하는 가입자를 대상으로 서비스가 진행되어 왔으며, 이러한 흐름은 최근 5G통신이 대두되며 핸드폰이나 스마트폰 이외에도 자동차, 장비, 전자 제품 등 다양한 형태의 디바이스에 인터넷을 연결하여 사용하는 서비스가 실시되고 있습니다.

특히 자율주행 자동차와 같이 자동 항속 등 실시간으로 데이터를 주고받는 서비스는 처리 속도와 고용량 데이터 처리가 중요합니다. 그 외에도 스마트카, 가상현실, 증강현실, 자율주행, 사물인터넷(IoT) 등 모든 전자 통신장비들을 연결하며 서비스 할 수 있도록 하기 위해서는 빠른 속도의 5G통신의 중요성이 더 커지고 있습니다.

이와 같은 5G 이동통신이 요구하는 주파수 규격 및 고출력, 고효율, 소형화 성능을 만족시키기 위해서 SiC, GaN 등 화합물 반도체가 필수적이므로 스마트카, 가상현실, 증강현실, 자율주행, 사물인터넷 등 4차 산업혁명 관련 산업이 성장함에 따라 RF 디바이스 및 반도체 패키지의 수요가 급격하게 늘어날 것으로 예상됩니다.

① 수요변동요인

5G 이동통신은 기존의 4G 이동통신인 LTE(Long-Term Evolution)에 비해 방대한 데이터를 아주 빠르게 전송하고 실시간으로 모든 것을 연결(초고속 · 초저지연 · 초연결)하는 특징을 가지고 있으며, 4차 산업혁명의 핵심 기반시설로 세계 각국의 통신사업자들은 5G 통신망 구축을 위한 투자를 경쟁적으로 진행하고 있습니다. 주로 5G Sub-6GHz 대역의 장비를 활용해 속도 향상에 주력하며, 28/38GHz mmWave 통신망은 시범 설치가 진행되고 있습니다. 북미, 유럽, 아시아, 중동 등 세계 각국의 5G 통신망 구축 수요에 따라 5G 이동통신에서 사용되는 통신용 반도체 및 반도체 패키지 수요가 직접적인 영향을 받으며, 글로벌 5G 이동통신 시장의 성장에 따라 당사의 주요 제품인 통신용 반도체 패키지 시장도 꾸준히 성장할 것으로 예상됩니다.

지역별 5G 이동통신 글로벌 시장전망

출처 : Polaris Market Research Analysis

② 주요 목표 시장

통신용 패키지는 5G 이동통신 GaN(Gallium Nitride) 트랜지스터, Si 기반 LDMOS 트랜지스터 등에 적용되어 통신, 전력, 전기 자동차 등 다양한 분야에서 응용되고 있습니다. GaN 기반의 RF 트랜지스터는 5G 이외에도 군수용, 우주 항공 및 일부 가전 제품 등의 고출력, 고효율이 요구되는 기기 등에도 신규 적용 수요가 증가할 것으로 예상됩니다. 5G 이동통신이 단순한 ICT(Information & Communication Technology) 이동통신 영역에서 벗어나 4차 산업혁명의 인프라로 신산업과 융합되어 전방위적으로 확대ㆍ활용될 것으로 전망되고 있습니다.

③ 규제 환경

2006년부터 유럽연합(EU)의 전기전자제품에 대한 납, 수은, 카드뮴, 6가 크롬, 브롬계 난연제(PBBs, PBDEs) 등의 6개 유해물질 제한지침(RoHS)이 발효되었습니다. 국내에서는 「자원순환법」으로 유사한 제도를 운영하고 있으며, 중국에서도 「China RoHS」를 시행하는 등 세계 각국에서도 유사한 환경기준을 발효 또는 준비하고 있는 상황입니다. 당사는 반도체 제조공정에서 필수적으로 사용되던 납 사용을 배제하고 국제 인증규격인 ISO 14001:2015(Environment Management System), ISO 45001:2018 취득으로 환경과 에너지에 미치는 영향이 최소화되도록 생산공정과 제품을 관리하고 지속적인 개선 활동을 수행하고 있습니다.

그 외에 원재료를 사용함에 있어서 분쟁광물 규제도 기본적으로 따라야 하는 규제에 해당합니다. 당사는 관련 지침과 기준에 따라 제품을 생산하여 판매하고 있습니다.

④ 시장 규모 및 전망

화합물 반도체 관련 글로벌 시장조사 전문기관인 Yole Developpement에 의하면 GaN RF 디바이스의 전체 글로벌 시장 규모는 2020년 8억 9천백만 달러(약 9,694억원)에서 지속적으로 성장하여 2026년 24억 달러(약 2조 8,452억원)로 확대(CAGR 17.96%) 될 것으로 예상됩니다. 이 중 당사의 주요 목표시장인 ‘Telecom Infrastructure’의 글로벌 시장은 2020년 426백만 달러(약 4,635억원)에서 2026년 992백만 달러(약 1조 1,760억원)로 급격히 성장(CAGR 15.13%)할 것으로 전망되며, 이는 5G 이동통신 상용화에 따라 글로벌 이동통신 기지국 및 중계기 설비투자 수요 증가가 예상되며, 이에 따른 GaN RF 반도체 기반 RF 트랜지스터의 수요 증가로 이어질 것으로 예상되기 때문입니다.

GaN RF 디바이스 글로벌 시장전망

출처 : Yole Developpement, RF GaN Device Market(2021)

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

전력반도체용 패키지

최근 전세계적으로 EV나 HV(PHV, PHEV)의 전기자동차 시장이 확대되고 있는 추세에 있습니다. 이러한 배터리와 모터를 탑재한 전기자동차에는 전력 제어나 전력 변환을 위한 전력반도체가 필수로 사용되고 있습니다. 이에 전기자동차 및 신재생에너지의 전력 변환을 위한 고효율 인버터 기술의 필요성 및 역할이 급증하고 있으며, 현재 대부분 Si(실리콘) 전력반도체 소자가 인버터시스템의 핵심 전력 변환 부품으로 사용되고 있습니다. 그러나 Si 전력반도체의 고속화, 경량화와 동시에 고효율화, 고출력화를 달성하는 것은 점차 한계상황에 이르고 있습니다.

반면에, SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 소자는 기존 실리콘 전력반도체 소자에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복 전압 특성, 우수한 열전도도 등의 특징을 지니고 있습니다. 또한, 고온·고전압에서의 소자 안정성이 우수하고 높은 주파수에서의 동작이 가능하여 기존의 전기·전자 시스템의 신뢰성을 향상시키고, 전력변환효율을 높이며 시스템을 경량화시킬 수 있습니다. 이와 같은 특성을 전기자동차에 적용하고자 국내외 자동차업계 및 관련기관에서 탄화규소(SiC) 소자의 전력반도체 연구개발이 활발하게 진행되고 있으며, 대만 시장조사업체인 TrendForce에 따르면 차량용 SiC 전력반도체 시장은 2022년 10억 7000만달러에서 2026년 39억 4000만달러까지 확대될 것으로 예상하고 있습니다.

SiC 전력반도체 시장규모

출처 : TrendForce, Jul. 2022

이러한 전력반도체의 경우, 사용 시에 대량의 열이 발생하는데, 열은 전력반도체의 성능 저하 및 수명을 단축시키는 요소이며, 이를 냉각시키기 위해 특수 Heat sink 소재로 제작된 방열 Spacer가 사용되고 있습니다. 고효율, 고신뢰성의 전력반도체 모듈의 제조를 위해서는 파워 모듈의 작동 온도가 증가함에 따라 방열소재와 반도체 소자의 열팽창 계수(CTE)를 매칭시키는 것이 신뢰성을 결정하는 중요한 요소기술이 되고 있습니다. 이에 당사에서는 CMC 소재를 연구 개발하여 타사 대비 열팽창 계수가 낮고, 가격 경쟁력을 갖춰 방열 Spacer에 적용하였습니다. 이와 같이 전력반도체 패키지 시장에서도 당사의 Heat sink 소재와 방열Spacer가 경쟁력을 갖추고 있다고 판단됩니다.

[㈜코스텍시스의 전력반도체용 패키지]

구분

공정 사진

특징

소재 개발

소재개발 공정

- 펄스 통전 소결법으로 압력을 가함과 동시에 고전류의 펄스를 흐르게 함으로써 전류에 의한 방전 에너지로 급속 승온시켜 치밀한 소결체를 저온에서 고속으로 제조함

- 국내 최초로 고방열 소재 기술을 개발하여 KCMC등 다양한 소재를 양산 중임

소재 특성

소재 특성 공정

- 열전도율이 높으면서 열팽창 계수가 낮은 CPC, KCMC 등 고방열 소재를 독자 개발 양산 중임

Spacer

spacer

- 전력반도체 소자에서 발생 되는 열(Heat)을 효율적으로 방출하는 방열부품- Low parasitic inductance packaging - 고전압 저 저항 패키징

용도 : DSC 전력반도체 모듈등

DC 컨넥터시그널 컨넥터

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dc connector

- Low parasitic inductance packaging - 고전압 저 저항 패키징

용도 : SiC 전력반도체 모듈등

Base Plate

base plate.jpg
base plate

수냉용 냉각기판

용도 : SiC 전력반도체 모듈등

(5) 조직도

코스텍시스 조직도.jpg
코스텍시스 조직도

2. 주주총회 목적사항별 기재사항

□ 재무제표의 승인

가. 해당 사업연도의 영업상황의 개요

영업환경등 전반적인 경영상황은 상기 경영참고사항〔Ⅲ.경영참고사항 1. 사업의 개요 나.회사의 현황 (1)영업개황 〕등을 참조하시기 바랍니다.

나. 해당 사업연도의 대차대조표(재무상태표)ㆍ손익계산서(포괄손익계산서)ㆍ이익잉여금처분계산서(안) 또는 결손금처리계산서(안)

※개별재무제표는 외부감사인의 감사가 완료되지 않았으며, 외부감사인의 회계감사 및 정기주주총회 승인과정에서 변경될 수 있습니다. 또한, 상세한 내용은 향후 공시예정인 감사보고서 및 사업보고서 등을 참조하시길 바랍니다.

- 대차대조표(재무상태표)

재 무 상 태 표

제 5(당) 기 2024년 12월 31일 현재

제 4(전) 기 2023년 12월 31일 현재

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
제 5(당) 기말
제 4(전) 기말

자산

Ⅰ. 유동자산
16,319,547,098
15,006,261,427

현금및현금성자산
1,118,930,948
389,365,120

당기손익-공정가치측정금융자산
-
80,260,244

매출채권
2,895,607,061
2,748,397,980

기타유동수취채권
701,232,593
423,115,788

기타유동자산
161,370,244
72,890,991

재고자산
11,441,965,992
11,272,648,774

당기법인세자산
440,260
19,582,530

Ⅱ. 비유동자산
23,635,539,317
22,783,628,525

당기손익-공정가치측정금융자산
10,150,439
1,729,516

유형자산
23,433,105,521
22,713,398,651

사용권자산
60,722,152
15,825,718

무형자산
41,357,373
22,846,281

기타비유동수취채권
14,931,654
170,000

이연법인세자산
75,272,178
29,658,359

자산총계
39,955,086,415
37,789,889,952

부채

Ⅰ. 유동부채
7,520,713,322
1,352,599,417

매입채무
861,970,345
402,234,124

유동지급채무
559,072,138
291,042,894

기타유동부채
441,162,559
487,210,445

단기차입금
5,470,000,000
-

유동성장기차입금
166,640,000
166,720,000

유동성리스부채
21,868,280
5,391,954

Ⅱ. 비유동부채
9,866,690,167
10,578,579,549

전환사채
-
821,979,805

장기차입금
8,466,640,000
8,633,280,000

순확정급여부채
1,366,567,381
1,118,605,146

리스부채
33,482,786
4,714,598

부채총계
17,387,403,489
11,931,178,966

자본

Ⅰ.자본금
3,898,675,000
3,760,385,000

Ⅱ.자본잉여금
14,224,766,551
30,094,249,994

Ⅲ.자본조정
(2,984,343,943)
(171,128)

Ⅳ.기타포괄손익누계액
4,321,099,644
4,321,099,644

Ⅴ.이익잉여금(결손금)
3,107,485,674
(12,316,852,524)

자본총계
22,567,682,926
25,858,710,986

부채와자본총계
39,955,086,415
37,789,889,952

- 손익계산서(포괄손익계산서)

포 괄 손 익 계 산 서

제 5(당) 기 2024년 1월 1일부터 2024년 12월 31일까지

제 4(전) 기 2023년 1월 1일부터 2023년 12월 31일까지

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
제 5(당) 기
제 4(전) 기

Ⅰ. 매출액
14,213,293,474
11,549,322,439

Ⅱ. 매출원가
13,955,247,960
10,614,949,937

Ⅲ. 매출총이익
258,045,514
934,372,502

판매비와관리비
2,152,916,170
2,254,010,415

대손상각비(환입)
(30,746)
248,091

Ⅳ. 영업손실
(1,894,839,910)
(1,319,886,004)

금융수익
4,777,626
786,976,263

금융비용
335,601,538
4,005,657,317

기타수익
548,934,799
349,003,101

기타비용
137,885,260
6,849,171,645

Ⅴ. 법인세비용차감전순손실
(1,814,614,283)
(11,038,735,602)

Ⅵ. 법인세비용(수익)
(19,799,422)
340,681,873

Ⅶ. 당기순손실
(1,794,814,861)
(11,379,417,475)

Ⅷ. 기타포괄손익
(97,699,465)
(31,568,779)

후속적으로 당기손익으로 재분류되지 않는 항목
(97,699,465)
(31,568,779)

- 확정급여채무의 재측정요소
(97,699,465)
(37,031,611)

- 유형자산재평가이익
-
5,462,832

Ⅸ. 총포괄손익
(1,892,514,326)
(11,410,986,254)

Ⅹ.주당이익(손실)

기본주당순손실
(238)
(1,646)

희석주당순손실
(238)
(1,646)

-
자 본 변 동 표

자 본 변 동 표

제 5(당) 기 2024년 1월 1일부터 2024년 12월 31일까지

제 4(전) 기 2023년 1월 1일부터 2023년 12월 31일까지

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
자 본 금
자본잉여금
자본조정
기타포괄손익누계액
이익잉여금
총 계

2023년 1월 1일(전기초)
2,800,491,900
3,219,181,956
-
4,315,636,812
(900,403,438)
9,434,907,230

합병
532,000,000
14,351,194,953
-
-
-
14,883,194,953

전환권 청구
427,893,100
12,523,873,085
-
-
-
12,951,766,185

총포괄손익 :

당기순이익(손실)
-
-
-
-
(11,379,417,475)
(11,379,417,475)

확정급여채무의 재측정요소
-
-
-
-
(37,031,611)
(37,031,611)

유형자산재평가이익
-
-
-
5,462,832
-
5,462,832

자기주식의 취득
-
-
(171,128)
-
-
(171,128)

2023년 12월 31일(전기말)
3,760,385,000
30,094,249,994
(171,128)
4,321,099,644
(12,316,852,524)
25,858,710,986

2024년 1월 1일(당기초)
3,760,385,000
30,094,249,994
(171,128)
4,321,099,644
(12,316,852,524)
25,858,710,986

전환권 청구
93,000,000
742,656,681
-
-
-
835,656,681

자본준비금의 이익잉여금 전입
-
(17,316,852,524)
-
-
17,316,852,524
-

유상증자
45,290,000
704,712,400
-
-
-
750,002,400

총포괄손익 :

당기순이익(손실)
-
-
-
-
(1,794,814,861)
(1,794,814,861)

확정급여채무의 재측정요소
-
-
-
-
(97,699,465)
(97,699,465)

자기주식의 취득
-
-
(2,984,172,815)
-
-
(2,984,172,815)

2024년 12월 31일(당기말)
3,898,675,000
14,224,766,551
(2,984,343,943)
4,321,099,644
3,107,485,674
22,567,682,926

-
현 금 흐 름 표

현 금 흐 름 표

제 5(당) 기 2024년 1월 1일부터 2024년 12월 31일까지

제 4(전) 기 2023년 1월 1일부터 2023년 12월 31일까지

주식회사 코스텍시스
(단위: 원)

과 목
제 5(당) 기
제 4(전) 기

Ⅰ. 영업활동현금흐름

(1,340,724,937)

(6,075,848,383)

영업에서 창출된 현금흐름(주석29)
(1,056,349,048)

(5,549,796,417)

이자의 수취
3,861,630

43,102,285

이자의 지급
(307,379,789)

(311,950,142)

법인세의 납부(환급)
19,142,270

(257,204,109)

Ⅱ. 투자활동현금흐름

(987,298,115)

8,491,837,244

1. 투자활동으로 인한 현금유입액
89,422,975

9,937,245,575

당기손익-공정가치측정금융자산의 해지
88,059,339

261,813,228

장기금융상품의 해지
-

5,100,000

단기금융상품의 해지
-

7,683,144,959

차량운반구의 처분
1,363,636

-

국고보조금의 수령
-

48,427,500

보증금의 환급
-

3,890,000

합병으로 인한 현금유입
-

1,934,869,888

2. 투자활동으로 인한 현금유출액
(1,076,721,090)

(1,445,408,331)

장기금융상품의 납입
23,724,684

900,000

당기손익-공정가치측정금융자산의 취득
-

35,805,818

기계장치의 취득
314,964,406

792,950,000

차량운반구의 취득
-

19,505,241

공기구비품의 취득
9,547,000

70,817,272

시설장치의 취득
50,950,000

213,165,000

건설중인자산의 취득
657,695,000

302,265,000

임대보증금의 반환
19,840,000

10,000,000

Ⅲ. 재무활동현금흐름(주석29)

3,049,003,565

(3,997,285,728)

1. 재무활동으로 인한 현금유입액
6,830,002,400

879,250,766

단기차입금의 차입
6,080,000,000

879,250,766

유상증자
750,002,400

-

2. 재무활동으로 인한 현금유출액
(3,780,998,835)

(4,876,536,494)

단기차입금의 상환
610,000,000

2,169,250,766

유동성장기차입금의 상환
166,720,000

2,000,000,000

장기차입금의 상환
-

700,000,000

금융리스부채 상환
20,106,020

7,114,600

자기주식의 취득
2,984,172,815

171,128

Ⅳ.환율변동효과

8,585,315

(173,116,463)

Ⅴ.현금및현금성자산의 증가(Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ)

729,565,828

(1,754,413,330)

Ⅵ.기초의 현금및현금성자산

389,365,120

2,143,778,450

Ⅶ.기말의 현금및현금성자산

1,118,930,948

389,365,120

- 이익잉여금처분계산서(안) 또는 결손금처리계산서(안)

<이익잉여금처분계산서 / 결손금처리계산서>

제 5(당) 기 (2024. 01. 01 부터 2024. 12. 31 까지)

제 4(전) 기 (2023. 01. 01 부터 2023. 12. 31 까지)

(단위 : 원)

구 분
당 기
전 기

I. 미처분이익잉여금(결손금)

3,107,485,674

(12,316,852,524)

1. 전기이월이익잉여금(결손금)
5,000,000,000

(900,403,438)

2. 순확정급여채무의 재측정요소
(97,699,465)

(37,031,611)

3. 당기순손실
(1,794,814,861)

(11,379,417,475)

II. 결손금처리액

-

17,316,852,524

1. 자본준비금 전입
-

17,316,852,524

III. 차기이월미처분이익잉여금

3,107,485,674

5,000,000,000

- 최근 2사업연도의 배당에 관한 사항

해당사항 없음

□ 이사의 선임

가. 후보자의 성명ㆍ생년월일ㆍ추천인ㆍ최대주주와의 관계ㆍ사외이사후보자 등 여부

후보자성명
생년월일
사외이사후보자여부

감사위원회 위원인

이사 분리선출 여부

최대주주와의 관계
추천인

한태성
1984.09.14
사내이사
해당사항 없음
자
이사회

총 ( 1 ) 명

나. 후보자의 주된직업ㆍ세부경력ㆍ해당법인과의 최근3년간 거래내역

후보자성명
주된직업
세부경력
해당법인과의최근3년간 거래내역

기간
내용

한태성
(주)코스텍시스 부설연구소 소장
2022.03~현재2011.01~2022.02
(주)코스텍시스 부설연구소 소장LG디스플레이 책임연구원
없음

다. 후보자의 체납사실 여부ㆍ부실기업 경영진 여부ㆍ법령상 결격 사유 유무

후보자성명
체납사실 여부
부실기업 경영진 여부
법령상 결격 사유 유무

한태성
해당사항없음
해당사항없음
해당사항없음

라. 후보자의 직무수행계획(사외이사 선임의 경우에 한함)

해당없음

마. 후보자에 대한 이사회의 추천 사유

상기 사내이사 후보자인 한태성은 LG디스플레이에서 오랜 기간 재직하며 쌓아온 풍부한제품 개발 실무 경험과 전문성을 바탕으로, 현재 기업부설연구소의 총책임자로서 회사 발전에 크게 기여하고 있습니다. 지속적인 제품 개발과 연구 활동뿐만 아니라, 경영 전반에서도 기업가치 제고에 중요한 역할을 할 것으로 판단되어 추천함.

확인서

확인서(한태성)

※ 기타 참고사항

□ 이사의 보수한도 승인

가. 이사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

이사의 수 (사외이사수)
4( 2)

보수총액 또는 최고한도액
1,000,000,000

(전 기)

이사의 수 (사외이사수)
4( 2)

실제 지급된 보수총액
499,459,000

최고한도액
1.000.000.000

※ 기타 참고사항

□ 감사의 보수한도 승인

가. 감사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

감사의 수
1

보수총액 또는 최고한도액
100,000,000

(전 기)

감사의 수
1

실제 지급된 보수총액
12,000,000

최고한도액
100,000,000

※ 기타 참고사항

IV. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

가. 제출 개요

제출(예정)일
사업보고서 등 통지 등 방식

2025년 03월 18일
1주전 회사 홈페이지 게재

나. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

-. 사업보고서 및 감사보고서는 주주총회일 1주전까지 금융감독원 전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)에 공시하고, 회사 홈페이지(https://www.kostec.net에 게재할 예정입니다.

※ 참고사항

■ 해당 주주총회장은 주차공간이 협소하오니 대중교통 이용을 부탁드립니다.■ 주주총회 참석시 준비물

1) 직접행사 : 신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

2) 간접행사 : 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증■ 당사는 주주참석 기념품을 따로 제공하지 않습니다.