코스텍시스 — 주주총회소집공고 (20231123)
제출인: 코스텍시스

주주총회소집공고
2.9
주식회사코스텍시스

주주총회소집공고

2023 년 11월 23일

회 사 명 :
주식회사 코스텍시스

대 표 이 사 :
한규진

본 점 소 재 지 :
인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동)

(전 화)032-821-0162

(홈페이지)http://www.kostec.net

작 성 책 임 자 :
(직 책) 상무
(성 명) 이승주

(전 화) 032-821-0162

주주총회 소집공고

(임시)

주주님의 건승과 댁내의 평안을 기원합니다.

당사는 상법 제542조의 4와 정관 제20조에 의거 임시주주총회를 아래와 같이 개최 하오니 참석하여 주시기 바랍니다.

- 아 래 -

1. 일 시 : 2023년 12월 8일(금) 오전 10시

2. 장 소 : 인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동) 본점 회의실

3. 회의 목적 사항

제 1호 의안 : 정관 일부 변경의 건

제 2호 의안 : 주식(액면)병합의 건

4. 경영참고사항 비치

상법 제542조의 4의 3항에 의한 경영참고사항은 당사의 본점과 명의개서대행회사(국민은행 증권대행부)에 비치하였고, 금융위원회 및 한국거래소에 전자공시하여 조회가 가능하오니 참고하시기 바랍니다.

5. 실질주주의 의결권 행사에 관한 사항

관련 법규에 의거하여 한국예탁결제원은 주주의 의결권을 행사할 수 없으므로 주주님께서는 주주총회에 직접 참석하여 의결권을 행사하시거나, 위임장을 통해 간접 행사하실 수 있습니다.

6. 서면에 의한 의결권 행사

상법 제368조의 3 및 당사 정관 제27조에 의거 주주총회에 출석하지 아니하고 서면에 의하여 의결권을 행사하실 수 있습니다. 서면에 의하여 의결권을 행사하고자 하시는 분께서는 별첨의 ‘서면투표에 의한 의결권 행사서’의 안내사항을 참조하시어 투표용지에 의사를 표시하여 주주총회일 전일까지 제출하여 주시기 바랍니다.

7. 주주총회 참석 시 준비물

가. 직접행사 : 신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

나. 대리행사 : 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증

8. 기타사항

참석주주님들을 위한 주주답례품은 지급하지 아니하오니 양지하여 주시기 바랍니다.※ 의결권있는 발행주식총수의 100분의 1 이하의 주식을 소유한 주주에 대한 소집통지 및 공고를 상법 제542조의4 및 동법 시행령 제31조, 당사 정관 제20조에 의거하여 본 공고로 갈음합니다.

2023년 11월 23일

인천광역시 남동구 남동서로 261 (논현동) (☏032-821-0162)

주식회사 코스텍시스

대표이사 한 규 진 (직인생략)

[별첨] 서면투표에 의한 의결권행사서

주식회사 코스텍시스 귀중

본인은 2023년 12월 8일 개최되는 주식회사 코스텍시스 임시주주총회의 의안에 대하여 아래와 같이 의결권을 행사합니다. 또한 속회 및 연회로 된 경우에도 아래와 같이 의결권을 행사합니다.

부 의 안 건

찬성

반대

제1호 의안 : 정관 일부 변경의 건

제2호 의안 : 주식(액면) 병합의 건

<안내사항>

1. 상법 제368조의 3 및 당사 정관 제27조에 의거 주주총회에 출석하지 아니하고 서면에 의하여 의결권을 행사하실 수 있습니다. 서면에 의하여 의결권을 행사하고자 하시는 분께서는 본 투표용지에 의사를 표시하여 정기주주총회일 전일까지 제출하여 주시기 바랍니다.

(당사주소: 우)21634 인천광역시 남동구 남동서로 261(논현동) 경영본부

2. 상기의 투표용지에 찬성 또는 반대의 표시란에 “○”표를 하여 주셔야 됩니다. 지시된 표시가 없거나 지시한 방법이외로 기표하신 경우 또는 백지로 제출하신 경우에는 기권으로 처리되오니 정확하게 기표하여 주시기 바랍니다.

3. 제출된 의안의 수정 동의시 서면투표의 내용은 기권으로 처리되오니 가급적 총회에 직접 참석하시어 의결권을 행사하시기 바랍니다.

2023년 월 일

주주번호

소유주식수

주주명

주민번호(사업자번호)

주소

전화번호

※ 주주명에는 반드시 기명날인 또는 서명하여 주시기 바라며, 주소와 전화번호도 꼭 기입하여 주시기 바랍니다.

※ 금번 정기주주총회 안건에 대한 세부사항은 금융감독원전자공시시스템에 공시되어 있습니다.

(http://dart.fss.or.kr)

I. 사외이사 등의 활동내역과 보수에 관한 사항

1. 사외이사 등의 활동내역

가. 이사회 출석률 및 이사회 의안에 대한 찬반여부

회차
개최일자
의안내용
사외이사 등의 성명

김석범(출석률:100%)
김한민(출석률:100%)
류형수(출석률:100%)

찬 반 여 부

1
2022-01-27
-제1호 의안 제2기 재무제표 승인의 건-제2호 의안 내부회계관리자의 내부회계관리 운영실태 보고의 건
찬성

2
2022-08-31
- 제1호 안건 : 감사의 내부회계관리 운영평가 보고의 건
찬성

3
2022-12-28
- 제1호 의안 : 제2기 정기주주총회 소집에 관한 건
찬성

4
2023-01-30
- 제1호 의안 : 합병계약 체결의 건
찬성

5
2023-01-31
- 제1호 의안 : 합병일정 변경의 건- 제2호 의안 : 임시주주총회 소집의 건- 제3호 의안 : 권리주주확정 기준일 및 주주명부 폐쇄 결정의 건
찬성

6
2023-02-09
- 제1호 의안 : 제 3기 재무제표 승인의 건- 제2호 의안 : 내부회계관리자의 내부회계관리 운영실태 보고의 건- 제3호 의안 : 감사의 내부회계관리 운영평가 보고의 건
찬성

7
2023-02-15
- 제1호 의안 : 임시주주총회 의안 세부내역 확정의 건
찬성

8
2023-03-20
- 제1호 의안 : 제3기 정기주주총회 소집에 관한 건
찬성

9
2023-04-11
- 제1호 의안 : 합병 승인결의의 건

찬성

10
2023-10-26
- 제1호 의안 : 합병경과 보고 및 공고의 건

찬성

11
2023-10-30
- 제1호 의안 : 금융기관 차입금 상환의 건

찬성
찬성

12
2023-10-26
- 제1호 의안 : 주식 병합의 건- 제2호 의안 : 임시주주총회 소집의 건- 제3호 의안 : 임시주주총회 개최를 위한 기준일 설정의 건

찬성
찬성

13
2023-10-30
- 제1호 의안 : 내부회계관리규정 제정의 건

찬성
찬성

주) 김석범 사외이사는 교보10호기업인수목적(주)와 (주)코스텍시스의 합병에 따라 2023년 3월 21일자로 사임하였으며, 김한민, 류형수 사외이사가 신규 선임되었습니다.

나. 이사회내 위원회에서의 사외이사 등의 활동내역

위원회명
구성원
활 동 내 역

개최일자
의안내용
가결여부

-
-
-
-
-

2. 사외이사 등의 보수현황

(단위 : 백만원)

구 분
인원수
주총승인금액
지급총액
1인당 평균 지급액
비 고

사외이사
2
1,000
15
7.5
2023.03.28~2023.10.31

- 상기 인원수는 2023년 10월 31일 현재 재직중인 사외이사의 수입니다.- 상기 주총승인금액은 사내이사를 포함한 총이사의 보수한도입니다.

II. 최대주주등과의 거래내역에 관한 사항

1. 단일 거래규모가 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래종류
거래상대방(회사와의 관계)
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-

2. 해당 사업연도중에 특정인과 해당 거래를 포함한 거래총액이 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래상대방(회사와의 관계)
거래종류
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-
-

III. 경영참고사항

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

당사는 SiC, GaN를 소재로 사용한 반도체칩이 실장되고 발열을 안정적으로 확산시켜주는 반도체 패키지를 공급하고 있습니다. 따라서 반도체칩이 사용되는 사업의 모든 분야에서 활약하고 있는 NXP와 같은 글로벌 기업이 현재의 고객이며 앞으로 해당 산업 분야의 모든 고객이 잠재 고객이라고 할 수 있습니다.

당사의 반도체 패키지는 기지국, 장비, 각종 산업 등에 사용되고 있으며, 특히 기지국용 증폭기에 사용되는 패키지의 경우 5G 서비스가 시작되면서 통신 사업자들의 기지국 신규 구축 등으로 매년 수요가 증가하고 있습니다. 반도체 패키지는 반도체 기술의 발달함에 따라 그 활용 분야가 점차 확대되고 있으며, 최근에는 자동차, 방위 산업, 위성 등 다양한 산업에 확대 적용되고 있습니다.

반도체 및 반도체 재료산업은 최전방 산업인 전자제품 시장의 경기흐름에 연동되어 있으며, 전자제품 시장은 글로벌 경기흐름에 따라 호황과 불황을 반복해 왔습니다. 반도체 재료산업은 최종 납품처인 종합 반도체 기업의 실적과 이들로부터 받는 수주물량이 개별 재료업체의 영업 변동성에 큰 영향을 미치는 요인이며, 결론적으로는 글로벌 경기흐름과의 연관성이 매우 높다고 할 수 있습니다.

이러한 전방산업의 영향이 반도체 재료산업의 위험요인이기는 하나, 최근에는 반도체 사용기기가 다변화되고 기기당 반도체가 차지하는 비중이 높아지면서 과거에 비해 변동성이 줄어들고 있습니다. 시장조사 전문기관인 BlueWeave Consulting에 따르면 반도체 시장은 2021년 5,500억 달러에서 2028년 8,200억 달러로 규모가 확대될 것으로 전망하였으며, 전방산업인 반도체 산업의 호황으로 반도체 패키지 산업 또한 호황을 지속할 것으로 예상됩니다.

글로벌 반도체 시장 전망, 2018~2028

출처 : BlueWeave Consulting

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황

당사는 고방열 신소재 기술과 정밀 세라믹 패키지 기술을 기반으로 5G 등 통신용 파워 트랜지스터(Power Transistor)의 세라믹 패키지(Ceramic Package)와 LCP(Liquid Crystal Polymer)패키지 및 QFN(Quad Flat No lead)패키지와 전기자동차의 전력반도체용 방열부품인 스페이서(Spacer) 등을 제조·판매하는 사업을 영위하고 있습니다.

당사의 첫 번째 주력 제품은 5G 이동통신, 군수용 레이더(Radar) 등의 RF 트랜지스터 및 RF 전력증폭기에 주로 사용되고 있는 세라믹 패키지로, 대면적의 반도체 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시키고 반도체 칩과 패키지의 열팽창 계수를 매칭(Matching)시키는 역할을 하는 제품입니다. 두 번째 주력 제품은 반도체 레이저 다이오드용 패키지로서, 레이저를 발생시키는 모듈에 채용되는 반도체 패키지입니다. 세 번째는 신제품으로, 전기 자동차의 차세대 반도체인 SiC 전력반도체의 핵심 부품 방열 Spacer를 개발하여 글로벌 자동차 제조 업체 등에 시제품을 납품 중에 있으며, 고객사의 대량 생산시기에 맞추어 시장을 선도할 수 있는 양산 시설 투자가 진행되고 있습니다

반도체 패키지 산업은 제품의 성능이 반도체 전체의 성능과 신뢰성에 크게 연관되어 있기 때문에 신규 진입장벽이 매우 높다는 특징이 있습니다. 당사는 고방열 소재 기술을 기반으로 통신용 세라믹 패키지, 레이저 다이오드용 패키지, 전기자동차용 방열 Spacer 등 주력 제품으로 NXP 등 글로벌 시장을 활발하게 확장해 나가고 있으며 생산활동과 영업활동, 연구활동 각 분야에 걸쳐 진취적이고 적극적인 경영전략을 실천하여 전기말 기준 매출액 253억원, 영업이익 35억원의 경영실적을 달성하였습니다.

당사가 거래하는 주요 거래업체는 대부분 해외업체로 당사의 매출 중 대부분이 수출이며 이러한 글로벌 영업활동 영위에 따라 발생가능한 환리스크를 최소화하기 위해 당사는 수출입 등의 경상거래 및 예금, 차입 등의 자금거래시 현지통화로 거래하거나 입금 및 지출통화를 일치시키고 외화 채권의 Nego 등의 노력을 하고 있습니다. 체계적이고 효율적인 외환리스크 관리를 위하여 외환리스크 관리규정과 별도의 전담 인원을 배치하고 있으며, 당사는 제품생산에 필요한 원소재의 시세 변동 리스크를 최소화하기 위해 제품 판매가격에 원소재 시세를 연동하는 방법 등의 탄력적인 경영전략을 운용하고 있습니다.

나. 사업개요
[주요 용어 설명]

순 번

영 문

국 문

설 명

1

Compound

Semiconductor

화합물 반도체

화합물 반도체는 원소 주기율표의 두 가지 이상 그룹에 속한 화학 원소로 구성됨.(예. III·V 반도체 SiC, GaN) 다이렉트 에너지 밴드갭, 높은 절연 파괴 전기장, 높은 전자 이동도 등 실리콘에 비해 독특한 소재 특성을 지녀 광자, 고속, 고성능 소자 기술 구현이 가능함. 화합물 반도체 내부의 전자는 실리콘 반도체에 비해 100배 이상 빠른 속도로 처리함

2

Heat Spreader

/ Heat Sink

히트 스프레더

히트 스프레더는 더 뜨거운 소스에서 더 차가운 방열판 또는 열교환기로 열을 전달 역할을 함. PKG의 Flange 또는 Base가 그 역할을 함

3

BAG-8

은납

(브레이징 재료)

은납(BAg)은 은을 함유하는 브레이징 재료이며, 구성비는 Ag72%/Cu28합금화 된 소재이며 융점은 780℃ , 진공브레이징, 수소브레이징에 주로 쓰임

4

Thermal

Properties

Material

열 특성

소재

열전도, 열팽창 및 열응력 등의 고유 특성을 갖는 소재로, 최적의 고방열 PKG제작에 Kovar, Moly, MoCu, WCu, Cu등의 금속소재와 Al2O3, AlN, BeO등의 세라믹 소재가 사용됨

5

GaN

(Gallium Nitride)

질화갈륨

질화갈륨은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드의 재료로 사용되는 반도체임. 최근에는 전력반도체나 레이다 등에도 응용되고 있음

6

GaAs

(Gallium Arsenide)

갈륨비소

갈륨비소의 화합물로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

7

InP

(Indium Phosphide)

인화 인듐

인듐 인화물은 인듐과 인으로 구성된 이진 반도체로, 통신 및 레이다 등에 응용되고 있음

8

LDMOS

(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor)

측면 확산 금속 산화물 반도체

마이크로파 전력증폭기, RF 전력증폭기 및 오디오 전력증폭기를 포함한 증폭기에 사용되며, GaAs 또는 GaN에 비해 최대 전력 이득 주파수가 더 낮음

9

SiC

(Silicon Carbide)

탄화규소

규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체 재료로, 열전도도 특성이 우수하여 방열소재로 활용되고 있음

10

MoCu

(Molybdenum Copper)

몰리카파

구리의 높은 열 전도와 몰리브덴의 낮은 열 팽창 특성을 갖도록 합성한 것으로, 가장 일반적인 몰리브덴 구리 복합 재료 비율은 70/30 및 80/20임

11

WCu

(Tungsten·Copper)

텅스텐카파

텅스텐과 구리의 합성물로 내열성, 내마모성, 고강도, 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

12

Cu-MoCu-Cu

(CPC)

(Copper-Molybdenum

Copper-Copper)

씨피씨

Mo70Cu 합금 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

13

Cu-Mo-Cu

(CMC)

(Copper-Molybdenum-Copper)

씨엠씨

몰리 코어 레이어와 두 개의 구리 레이어를 맞붙인 소재로 열 및 전기 전도성 뛰어나 고출력 PKG 소재로 활용됨

14

Kovar

코바

낮은 열팽창 특징 갖는 니켈-코발트 철 합금으로 세라믹과 금속, 유리와 금속간 접합용으로 사용됨

15

Alumina Ceramic

산화 알루미늄

세라믹

Al2O3로 표시되는 세라믹으로서, PKG 제조시 절연용 소재 또는 인쇄회로 기판으로 사용됨

16

Package

패키지

외부 환경으로부터 내부 소자를 보호, 외부와 전기적 연결, 그리고 소자에서 발생하는 열을 스프레드 시키는 구조품

17

Transistor(TR)

트랜지스터

전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 3극 반도체 소자임

18

Impedance

임피던스

전기 회로에 교류를 흘렸을 경우에 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 값임

19

Brazing

브레이징

금속재료나 비금속재료의 접합방법의 하나로서 450℃ 이상 모재(Base metal)의 용융점 이하의 온도에서 접합부를 가열하여 모재는 녹이지 않고 브레이징합금(Brazing alloy)만 녹여 모재를 접합하는 기술

20

Hermeticity

밀폐

공기나 가스 등의 기체가 통하지 않는 성질을 의미하며, 패키지의 밀폐 구조는 내부로 공기/수분 등이 들어올 수 없도록 환경 내구성을 강화한 것임

21

Leak Rate

누설량

누설은 내부와 외부 사이에 압력차가 생겨 기체의 흐름이 발생하는데 단위 시간당 흐르는 기체의 양을 의미함

22

Coefficient of

Thermal

Expansion(CTE)

열팽창 계수

열에 의한 변형을 일으키는 재료가 갖는 고유한 성질로 물체의 온도가 1℃ 증가하였을 때 특정한 방향으로 늘어난 길이로 척도를 계수로 표시한 것 정의됨

23

Thermal Conductivity

열전도율

열전도 현상에 의해 열전도가 되는 정도를 나타내는 재료의 고유한 성질로, 열전도율의 SI 단위는 W/ mㆍK

24

Wettability

젖음성

용융된 솔더가 고체 금속의 표면에 물리, 화학적으로 퍼지는 정도를 말하는 것으로 젖음성이 크면 부착이나 흡착이 증가함

25

He Leak Test

헬륨 누설시험

He(헬륨) Gas를 이용하여 제품의 기밀 성능을 검증하는 것으로, 제품의 누설 여부를 검증하기 위한 비파괴 시험방법

26

Thermal Cycle

Test

정속온도 변화시험

온도변화 혹은 온도변화의 반복이 제품에 주는 영향을 확인하기 위하여 실시하는 시험방법으로, 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험함

27

Thermal Shock Test

열충격 시험

급격한 온도변화에 대한 부품의 저항성을 평가하는 것으로, 극저온(또는 극고온)에 노출된 다음에 중간 온도 없이 짧은 시간 내에 극고온(또는 극저온)에 노출되는 과정을 반복함으로써 급격한 온도변화를 받는다. 이 경우에 제품의 피로고장은 가속됨

28

Baking Test

베이킹 테스트

430ºC 온도에서 금속 표면의 금도금 상태를 확인하는 시험으로 블리스터, 변색, 밀착 등의 불량 현상이 있는지 확인하는 시험

29

RF Communication

알에프 통신

통신 무선 주파수를 방사하여 정보를 교환하는 통신 방법

30

Thermal Matching

써멀매칭

열평창계수가 다른 소재의 접합시 발생되는 열응력에 따른 변형을 최소화 것임.

31

QFN

(Quad Flat No-lead)

큐에프엔

연결 패드가 4면은 돌출된 집적회로 패키지

32

MMIC

(Monolithic

Microwave Integrated Circuits)

집적회로

하나의 반도체 기판 위에 일괄 공정으로 제작하는 초소형 초고주파 집적회로

33

Die Bonding

/ Die Attach

다이 본딩

반도체 칩을 패키지에 고정시키고 칩과 패키지 간의 전기적 접속이 이루어지게 하기 위한 것

34

Lid

덮개

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자 및 연결선들을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 덮개

35

Lead Frame

리드프레임

패키지 구성품으로 패키지 내부에 조립된 소자의 전기적 특성을 외부 연결선에 전달해주는 것

36

LCP

(Liquid Crystal Polymer)

액정폴리머

액정의 성질과 플라스틱의 성질을 함께 겸비한 소재로서 사출성형재료로 이용되고 있으며, 용융 시에 액정성을 나타냄

37

Ka-Band

카 대역

26.5-40기가헤르츠의 주파수 대역

38

5G

5G

5세대 무선 네트워크 기술이다. 증강현실, 가상현실, 혼합현실 애플리케이션(AR, VR, MR), 화상회의, 산업 자동화, 자율주행차, 커넥티드 의료기기 등의 분야에 적용

39

Al-Diamond

알루미늄-다이아

알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저팽창, 초고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재

40

LiDAR

(Light Detection and Ranging)

라이다

레이저를 목표물에 비춤으로써 사물까지의 거리, 방향, 속도, 온도, 물질 분포 및 농도 특성 등을 감지할 수 있는 기술

41

EV/HEV

Electric Vehicle

/ Hybrid Electric Vehicle)

전기/하이브리드자동차

전기에너지를 동력원으로 활용하는 자동차

42

mmWave

(Millimeter Wave)

밀리미터파

30~300 기가헤르츠의 전자기 스펙트럼의 무선 주파수 대역

43

Coaxial

동축

중심에 초의 심지와 같이 도체가 있고, 그 주변을 둘러싸는 높은 유전상수를 갖는 유전체와 이를 감싸는 도체로 구성

44

Metal Guide

금속 가이드

동축과 유사한 형상의 구조

45

DBC

(Direct Bonded Copper)

구리직접접합

전력반도체 소자를 접합하는 기판 종류에 대한 접합방식으로 구리(Cu) 층에 산화막을 형성시킨 후, 세라믹에 직접 접합

46

IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor)

절연 게이트 양극성 트랜지스터

고전압용 스위칭 소자로써 인버터, 컨버터, 전원공급 장치와 같은 전력전자 쪽에 주로 사용

47

Spacer

스페이서

두 개 사이를 일정하게 유지시키는 역할을 하며, 파워모듈에서는 반도체 소자(chip) 위에 접합하여 chip이 구동 중 발생하는 열을 방출하여 열로 인한 chip 소산을 막아 디바이스를 보호하는 역할을 하며, 열방출이 좋고 Chip과 열팽창 계수가 비슷한 CMC, CPC, CuMo등 소재를 주로 사용함

48

Stamping

스탬핑

판재 성형 가공 방법의 하나로 프레싱(Pressing) 이라고도 함

49

Wire Cutting

와이어 컷팅

두 전극 사이에 방전을 일으킬 때 생기는 에너지를 이용해서 가공하는 방법

50

Delamination

딜라미네이션(박리)

제조 공정과 보관에서 습도 환경에 노출되었을 경우 습기가 Mold 패키지에 흡수되는 현상

51

Wire Bonding

와이어 본딩

집적회로(반도체)를 패키지의 리드(Lead)에 매우 가는 고순도 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu)선 등으로 연결하는 공정

52

Soldering

솔더링

450°C 이하의 녹는점을 지닌 보충물(일반적으로 땜납)을 사용하여 끊어진 두 개 이상의 물질을 결합하는 과정

당사가 영위하는 사업부문은 반도체 패키지 단일 사업부문으로당사의 주요 제품 및 서비스를 품목별로 세분화하여 요약하면 아래와 같습니다.

대분류

주요 제품

매출유형

사용용도와 기능 및 특징

비고

통신용 패키지

세라믹 패키지

제품

LDMOS, GaN 디바이스용 패키지

용도 : 4G, 5G 통신 등

-

레이저용 패키지

Cu-Stem

제품

레이저 다이오드용 패키지

용도 : 레이저프린터, Lidar센서 등

-

전력반도체용

패키지

방열 스페이서(Spacer)

제품

저열팽창이면서 고방열 스페이서

용도 : 전기차용 SiC 전력반도체 등

신규사업

(1) 반도체 패키지

반도체 패키징 사업에서 패키지(Package)의 사전적 의미는 '포장된 물품'이며, 반도체 패키징이란 반도체를 기계적 보호, 전기적 연결, 기계적 연결, 열 분산 등 4가지 주요한 역할을 하기 위해 후공정(Back-End Process)하는 기술을 의미합니다

반도체 패키지의 역할

출처 : 한올출판사반도체를 생산하기 위해서는 여러가지 제조공정과 반도체 재료를 필요로 하는데, 반도체 생산업체 제조공정에 따라 구분하면 크게 전공정(Front-End Process) 업체와 후공정(Back-End Process)업체 등으로 구분할 수 있습니다. 또한 이를 공정구분에 따라 '웨이퍼 재료'와 '패키징 재료'로도 구분하며, 반도체 구성단계에 따라서는 기능재료, 공정재료, 구조재료로 세분화하여 구분할 수 있습니다. 이에 당사는 반도체 패키징에 필요한 구조재료인 반도체 패키지를 생산하는 반도체 후공정 업체라고 할 수 있습니다. [반도체 재료의 종류에 따른 구분]

공정구분

대분류

중분류

재료의 종류

용도

전공정 (Front-End Process)

웨이퍼 재료

기능재료

웨이퍼

칩의 기판

공정재료

포토마스크

석영유리에 회로를 묘화한 회로도의 원판

펠리클

마스크의 입자로 인한 오염 방지를 위한 보호막

포토리지스트

웨이퍼에 회로를 인쇄하기 위한 감광제

공정가스

성막, 에칭, 도핑 등에 사용

화학약품

세정, 에칭 등의 공정에 사용

배선재료

웨이퍼 상에 주입되어 회로로 사용

후공정 (Back-End Process)

패키징 재료

구조재료

반도체 패키지(Substrate)

칩과 외부회로와의 접속을 위한 지지대

본딩와이어

칩과 리드프레임을 연결

봉지재

칩을 밀봉하기 위한 Epoxy수지

기타

언더필 재료, 숄더 볼 등

출처 : 반도체산업협회 「반도체 재료산업」 자료 당사 재구성

(2) 통신용 패키지

당사의 주력 제품인 통신용 패키지는 주로 무선통신 시장에 사용되는 RF 통신용 패키지로써, GaN, GaAs, InP 등 화합물 반도체가 실장될 수 있습니다. 또한 화합물 반도체가 안정적으로 작동할 수 있도록 밀폐성(Hermeticity), 방열성(Heat Dissipation), 열팽창 계수의 매칭(CTE Matching) 등이 고려되어 제작되어야 합니다.

당사는 이러한 통신용 패키지를 제조하여 NXP(네덜란드-말레이시아공장), WolfSpeed(미국), 중국 Dynax, Innogration, Huatai사 등과 대만 Transcom 등의 주요 업체에 안정적으로 공급하고 있으며, 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), N사(일본) 등이 있습니다.

화합물 반도체가 실장되는 통신용 패키지는 아래와 같은 요구 조건들을 만족시켜야 화합물 반도체 칩이 출력 저하 및 기능을 상실하지 않고 제 역할을 하게 됩니다. 이는RF 무선통신 상에서 심각한 영향을 초래할 수 있으므로 반드시 지켜져야 하는 특성들입니다.

기밀성(Hermeticity)
반도체 패키지 실링 후 헬륨(He) Leak 테스트를 실시하여 헬륨(가스)가 투과되는지 여부를 확인하여 밀폐 여부를 판단하는 작업으로 패키지 내부의 칩을 보호하고 외부와의 접촉이 차단되는 상태를 말합니다.

방열(Heat Dissipation)
반도체 칩이 작동하면 많은 열이 발생하게 되는데 Base material이 이러한 열을 빼주는 역할을 하며 이는 칩의 고장 또는 에러를 예방하는 역할을 하게 됩니다.

열팽창 계수 매칭(CTE-Matching)
화합물 반도체 및 패키지에 사용되는 재료는 열팽창 계수를 갖기 때문에 온도대에 따라 팽창과 수축하는 정도가 다릅니다. 열팽창 계수에 의한 반도체 칩의 딜라미네이션(Delamination)을 방지하기 위해 패키지에 사용되는 소재의 열팽창 계수를 맞추는 것이 중요합니다.

전기적 연결(Electrical Connection)
반도체 칩을 패턴 및 리드프레임 단자로 외부와 연결 구조를 갖게 합니다.

금도금(Soft Gold(Au))
반도체 칩을 실장하여 전기적 연결 구조를 갖기 위한 Die attach 공정, Wire bonding 공정 및 하면의 숄더링(Soldering)이 가능하도록 표면을 금(Au) 도금 처리를 실시합니다.

내열성(Heat Resistance)
고객사에서 보통 칩의 Die attach, Wire bonding 공정이 약 300도에서 이루어 지는데 이를 견딜 수 있는 특성을 가져야 합니다.

내구성(Durability)
미국방성 신뢰성 테스트(MIL Standard)를 만족하는 신뢰성 및 내구성을 갖는 구조를 가져야 합니다.

RF(Radio Frequency)는 주로 무선 통신에 쓰는 3KHz~300GHz의 주파수를 갖는 전자기파로 방송에 사용되는 전파와 각종 무선 통신의 신호를 송수신하는 교류 전류 진동수로 활용하여 정보를 교환하는 통신 방법으로 디지털 위성방송, 무선 이동통신, 무선 LAN, 군사용·기상용 레이더, 위성통신 등 다양한 분야에서 활용되고 있는 기술입니다. RF 통신용 패키지는 반도체 소자로부터 발생하는 열을 방출하기 위해 높은 열전도도를 갖는 방열 소재(Base)와, 특정 유전율을 갖는 세라믹 링 그리고 Gate·Drain 등의전극과 전기적 연결을 위한 단자(Lead Frame)로 구성되며, 이들 재료는 반도체 소자와 열팽창 계수(CTE)를 매칭을 시켜야하기 때문에 열팽창 계수가 낮은 특수한 소재들이며, 또한 Die Attach 공정 및 Wire Bonding 공정 등 반도체 패키징시의 높은 신뢰성 충족을 위해 고순도 니켈(Ni)과 금(Au)으로 표면 처리되어 있으며, 반도체의 다양한 사용 환경에서 장시간 안정적인 작동을 위해 수분침투 방지, 칩 보호 등을 위한 기밀성(Hermeticity)이 유지되고 있습니다.당사는 RF 분야에서도 다양한 주파수 대역의 신호 증폭을 위해사용되고 있는 RF 트랜지스터 패키지에 집중하고 있으며, LDMOS RF 트랜지스터부터 GaN(Gallium Nitride)을 사용한 RF 트랜지스터까지 RF 트랜지스터 관련 모든 패키지를 생산하여 글로벌 기업인 NXP사등 국내외 많은 고객사에 공급하고 있으며 수출비중이 90%정도로 미국, 중국, 대만, 유럽 등 해외 영업이 활발하게 확장되고 있습니다.

[㈜코스텍시스의 통신용 패키지 종류]

통신용 패키지 종류

제품 사진

특징

RF 세라믹 패키지

RF 세라믹 패키지

- 저 열팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 세라믹 패키지

- 세라믹-금속 복합패키지

MMiC 세라믹 패키지

MMiC 세라믹 패키지

- 고집적화된 고주파용 패키지

- 고주파 특성 최적화

- 5G, 위성통신 등

Intergrated

세라믹 패키지

Intergrated 세라믹 패키지

- 고방열 소재와 Thick film 인쇄기술을 응용하여 임피던스(Impedance) 매칭 회로 설계

- 다양한 회로 패턴의 고주파·고성능의 소형화 패키지를 제공

플렌지(Flange),

캐리어(Carrier)

플렌지 캐리어

- 저 열 팽창 및 고 방열 소재로 제조된 대면적 반도체 소자용 기판(Substrate)

- 평탄 정밀도 매우 높음

- 고 신뢰성의 금도금 기술 적용 제조

(3) 레이저용 패키지

산업용, 의료용 레이저 기기 등의 레이저 모듈에 사용되는 반도체 패키지로서 IC칩과전자제품 보드까지 전기적인 신호 연결, 밀폐 구조, 방열 구조, 다양한 사용 환경에서장시간 사용할 수 있는 신뢰성 확보 등 기능이 요구되고 있으며 GaAs, InP와 같은 화합물 반도체가 실장됩니다.

이러한 고출력 레이저용 패키지는 Focuslight(중국), QSI(한국) 등 주요 업체에 납품하고 있으며, 대표적인 경쟁업체로는 국내 R사와 해외 K사(일본), S사(일본) 등이 있습니다. [㈜코스텍시스의 레이저 패키지 종류]

레이저 패키지 종류

(주)코스텍시스 제품 사진

특징

C/F-Mount 패키지

C/F-Mount 패키지

- 우수한 방열 특성의 패키지

- 용도 : 고출력 레이저 등

마이크로채널 패키지

마이크로채널 패키지

- 내부 구조가 마이크로 채널로 냉각 성능이 뛰어난 고출력 레이저용 패키지

- 용도 : 고체 레이저, 화이버 레이저 등

(4) 전력반도체용 패키지

최근 전세계적으로 EV나 HV(PHV, PHEV)의 전기자동차 시장이 확대되고 있는 추세에 있습니다. 이러한 배터리와 모터를 탑재한 전기자동차에는 전력 제어나 전력 변환을 위한 전력반도체가 필수로 사용되고 있습니다. 이에 전기자동차 및 신재생에너지의 전력 변환을 위한 고효율 인버터 기술의 필요성 및 역할이 급증하고 있으며, 현재 대부분 Si(실리콘) 전력반도체 소자가 인버터시스템의 핵심 전력 변환 부품으로 사용되고 있습니다. 그러나 Si 전력반도체의 고속화, 경량화와 동시에 고효율화, 고출력화를 달성하는 것은 점차 한계상황에 이르고 있습니다.

반면에, SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 소자는 기존 실리콘 전력반도체 소자에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복 전압 특성, 우수한 열전도도 등의 특징을 지니고 있습니다. 또한, 고온·고전압에서의 소자 안정성이 우수하고 높은 주파수에서의 동작이 가능하여 기존의 전기·전자 시스템의 신뢰성을 향상시키고, 전력변환효율을 높이며 시스템을 경량화시킬 수 있습니다. 이와 같은 특성을 전기자동차에 적용하고자 국내외 자동차업계 및 관련기관에서 탄화규소(SiC) 소자의 전력반도체 연구개발이 활발하게 진행되고 있으며, 대만 시장조사업체인 TrendForce에 따르면 차량용 SiC 전력반도체 시장은 2022년 10억 7000만달러에서 2026년 39억 4000만달러까지 확대될 것으로 예상하고 있습니다.

SiC 전력반도체 시장규모

출처 : TrendForce, Jul. 2022

이러한 전력반도체의 경우, 사용 시에 대량의 열이 발생하는데, 열은 전력반도체의 성능 저하 및 수명을 단축시키는 요소이며, 이를 냉각시키기 위해 특수 Heat sink 소재로 제작된 방열 Spacer가 사용되고 있습니다. 고효율, 고신뢰성의 전력반도체 모듈의 제조를 위해서는 파워 모듈의 작동 온도가 증가함에 따라 방열소재와 반도체 소자의 열팽창 계수(CTE)를 매칭시키는 것이 신뢰성을 결정하는 중요한 요소기술이 되고 있습니다. 이에 당사에서는 CMC 소재를 연구 개발하여 타사 대비 열팽창 계수가 낮고, 가격 경쟁력을 갖춰 방열 Spacer에 적용하였습니다. 이와 같이 전력반도체 패키지 시장에서도 당사의 Heat sink 소재와 방열Spacer가 경쟁력을 갖추고 있다고 판단됩니다.

[㈜코스텍시스의 전력반도체용 패키지]

구분

공정 사진

특징

소재 개발

소재개발 공정

- 펄스 통전 소결법으로 압력을 가함과 동시에 고전류의 펄스를 흐르게 함으로써 전류에 의한 방전 에너지로 급속 승온시켜 치밀한 소결체를 저온에서 고속으로 제조함

- 2016년 국내 최초로 고방열 소재 양산 기술 개발 및 현재 다양한 소재를 생산하여 RF 패키지에 적용 양산 중임

- 2020년부터 전력반도체용 고방열 소재를 개발하여 글로벌 자동차 업체에 시제품 공급 중임

소재 특성

소재 특성 공정

- 열전도율이 높으면서 열팽창 계수가 낮은 CPC, CMC 등 고방열 소재를 독자 개발 생산 중임

- 전량 일본에서 수입하던 소재를 자체 생산하여 수입 대체 중임

방열 Spacer

(제품사진)

방열 Spacer 제품사진

- 전력반도체 소자에서 발생 되는 열(Heat)을 효율적으로 방출하는 방열부품(※ 방열 성능은 전기자동차 등의 전력 효율에 영향이 있음)

(나) 공시대상 사업부문의 구분

당사는 단일 사업부문으로 구성되어 있으며, 다이오드, 트랜지스터 및 유사 반도체소자 제조업 (C26120) 에 속해있습니다. 제품별 매출비중은 다음과 같습니다.

(단위 : 백만원)

매출유형

품 목

2020연도

(제1기 구.제24기)

2021연도

(제2기구.제25기)

2022연도

(제3기구.제26기)

2023연도3분기말

(제4기 3분기)

제품

RF통신용패키지

7,727
10,358
25,164
7,439

전력반도체Spacer

187
170

합 계

7,727

10,358

25,351
7,609

주) 과거 사업연도의 내용은 ㈜코스텍시스를 기준으로 작성하였습니다.

(2) 시장점유율RF PKG 분야는 개별부품의 시장규모에 대한 객관적인 정보가 없는 관계로 신빙성있는 시장점유율을 집계하기 어렵습니다.

(3) 시장의 특성

1세대 이동통신 서비스가 시작된 1984년 이래 이동통신 서비스는 10년 주기로 서비스 환경이 바뀌어 1990년대에는 2세대 이동통신이, 2000년대에는 3세대 이동통신이, 2010년대에는 4세대 이동통신 서비스가 시행되었고, 최근 2020년대에는 5세대 이동통신의 서비스가 상용화되었습니다. 이동통신의 서비스 관점에서 보면 1세대 이동통신은 음성이 주를 이루었으며, 2세대 이동통신은 음성과 문자, 3세대 이동통신에서는 데이터를 활용한 인터넷 서비스가 가능하였으며 4세대 이동통신 시대에는 스마트폰이 보급되면서 인터넷, 동영상 등의 데이터 서비스가 활성화되어 우리 생활을 급격하게 변화시켰습니다.

이동통신 30년 일지

출처 : SK텔레콤이 이끈 이동통신 대한민국 휴대전화 서비스 ‘30돌’ 맞았다

이동통신 서비스는 현재까지 핸드폰이나 스마트폰을 사용하는 가입자를 대상으로 서비스가 진행되어 왔으며, 이러한 흐름은 최근 5G통신이 대두되며 핸드폰이나 스마트폰 이외에도 자동차, 장비, 전자 제품 등 다양한 형태의 디바이스에 인터넷을 연결하여 사용하는 서비스가 실시되고 있습니다.

특히 자율주행 자동차와 같이 자동 항속 등 실시간으로 데이터를 주고받는 서비스는 처리 속도와 고용량 데이터 처리가 중요합니다. 그 외에도 스마트카, 가상현실, 증강현실, 자율주행, 사물인터넷(IoT) 등 모든 전자 통신장비들을 연결하며 서비스 할 수 있도록 하기 위해서는 빠른 속도의 5G통신의 중요성이 더 커지고 있습니다.

이와 같은 5G 이동통신이 요구하는 주파수 규격 및 고출력, 고효율, 소형화 성능을 만족시키기 위해서 SiC, GaN 등 화합물 반도체가 필수적이므로 스마트카, 가상현실, 증강현실, 자율주행, 사물인터넷 등 4차 산업혁명 관련 산업이 성장함에 따라 RF 디바이스 및 반도체 패키지의 수요가 급격하게 늘어날 것으로 예상됩니다.

(가) 수요변동요인

5G 이동통신은 기존의 4G 이동통신인 LTE(Long-Term Evolution)에 비해 방대한 데이터를 아주 빠르게 전송하고 실시간으로 모든 것을 연결(초고속 · 초저지연 · 초연결)하는 특징을 가지고 있으며, 4차 산업혁명의 핵심 기반시설로 세계 각국의 통신사업자들은 5G 통신망 구축을 위한 투자를 경쟁적으로 진행하고 있습니다. 주로 5G Sub-6GHz 대역의 장비를 활용해 속도 향상에 주력하며, 28/38GHz mmWave 통신망은 시범 설치가 진행되고 있습니다. 북미, 유럽, 아시아, 중동 등 세계 각국의 5G 통신망 구축 수요에 따라 5G 이동통신에서 사용되는 통신용 반도체 및 반도체 패키지 수요가 직접적인 영향을 받으며, 글로벌 5G 이동통신 시장의 성장에 따라 당사의 주요 제품인 통신용 반도체 패키지 시장도 꾸준히 성장할 것으로 예상됩니다.

지역별 5G 이동통신 글로벌 시장전망

출처 : Polaris Market Research Analysis

(나) 주요 목표 시장

통신용 패키지는 5G 이동통신 GaN(Gallium Nitride) 트랜지스터, Si 기반 LDMOS 트랜지스터 등에 적용되어 통신, 전력, 전기 자동차 등 다양한 분야에서 응용되고 있습니다. GaN 기반의 RF 트랜지스터는 5G 이외에도 군수용, 우주 항공 및 일부 가전 제품 등의 고출력, 고효율이 요구되는 기기 등에도 신규 적용 수요가 증가할 것으로 예상됩니다. 5G 이동통신이 단순한 ICT(Information & Communication Technology) 이동통신 영역에서 벗어나 4차 산업혁명의 인프라로 신산업과 융합되어 전방위적으로 확대ㆍ활용될 것으로 전망되고 있습니다.

(다) 규제 환경

2006년부터 유럽연합(EU)의 전기전자제품에 대한 납, 수은, 카드뮴, 6가 크롬, 브롬계 난연제(PBBs, PBDEs) 등의 6개 유해물질 제한지침(RoHS)이 발효되었습니다. 국내에서는 「자원순환법」으로 유사한 제도를 운영하고 있으며, 중국에서도 「China RoHS」를 시행하는 등 세계 각국에서도 유사한 환경기준을 발효 또는 준비하고 있는 상황입니다. 당사는 반도체 제조공정에서 필수적으로 사용되던 납 사용을 배제하고 국제 인증규격인 ISO 14001:2015(Environment Management System), ISO 45001:2018 취득으로 환경과 에너지에 미치는 영향이 최소화되도록 생산공정과 제품을 관리하고 지속적인 개선 활동을 수행하고 있습니다.

그 외에 원재료를 사용함에 있어서 분쟁광물 규제도 기본적으로 따라야 하는 규제에 해당합니다. 당사는 관련 지침과 기준에 따라 제품을 생산하여 판매하고 있습니다.

(라) 시장 규모 및 전망

화합물 반도체 관련 글로벌 시장조사 전문기관인 Yole Developpement에 의하면 GaN RF 디바이스의 전체 글로벌 시장 규모는 2020년 8억 9천백만 달러(약 9,694억원)에서 지속적으로 성장하여 2026년 24억 달러(약 2조 8,452억원)로 확대(CAGR 17.96%) 될 것으로 예상됩니다. 이 중 당사의 주요 목표시장인 ‘Telecom Infrastructure’의 글로벌 시장은 2020년 426백만 달러(약 4,635억원)에서 2026년 992백만 달러(약 1조 1,760억원)로 급격히 성장(CAGR 15.13%)할 것으로 전망되며, 이는 5G 이동통신 상용화에 따라 글로벌 이동통신 기지국 및 중계기 설비투자 수요 증가가 예상되며, 이에 따른 GaN RF 반도체 기반 RF 트랜지스터의 수요 증가로 이어질 것으로 예상되기 때문입니다.

GaN RF 디바이스 글로벌 시장전망

출처 : Yole Developpement, RF GaN Device Market(2021)

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

전력반도체용 패키지

최근 전세계적으로 EV나 HV(PHV, PHEV)의 전기자동차 시장이 확대되고 있는 추세에 있습니다. 이러한 배터리와 모터를 탑재한 전기자동차에는 전력 제어나 전력 변환을 위한 전력반도체가 필수로 사용되고 있습니다. 이에 전기자동차 및 신재생에너지의 전력 변환을 위한 고효율 인버터 기술의 필요성 및 역할이 급증하고 있으며, 현재 대부분 Si(실리콘) 전력반도체 소자가 인버터시스템의 핵심 전력 변환 부품으로 사용되고 있습니다. 그러나 Si 전력반도체의 고속화, 경량화와 동시에 고효율화, 고출력화를 달성하는 것은 점차 한계상황에 이르고 있습니다.

반면에, SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 소자는 기존 실리콘 전력반도체 소자에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복 전압 특성, 우수한 열전도도 등의 특징을 지니고 있습니다. 또한, 고온·고전압에서의 소자 안정성이 우수하고 높은 주파수에서의 동작이 가능하여 기존의 전기·전자 시스템의 신뢰성을 향상시키고, 전력변환효율을 높이며 시스템을 경량화시킬 수 있습니다. 이와 같은 특성을 전기자동차에 적용하고자 국내외 자동차업계 및 관련기관에서 탄화규소(SiC) 소자의 전력반도체 연구개발이 활발하게 진행되고 있으며, 대만 시장조사업체인 TrendForce에 따르면 차량용 SiC 전력반도체 시장은 2022년 10억 7000만달러에서 2026년 39억 4000만달러까지 확대될 것으로 예상하고 있습니다.

SiC 전력반도체 시장규모

출처 : TrendForce, Jul. 2022

이러한 전력반도체의 경우, 사용 시에 대량의 열이 발생하는데, 열은 전력반도체의 성능 저하 및 수명을 단축시키는 요소이며, 이를 냉각시키기 위해 특수 Heat sink 소재로 제작된 방열 Spacer가 사용되고 있습니다. 고효율, 고신뢰성의 전력반도체 모듈의 제조를 위해서는 파워 모듈의 작동 온도가 증가함에 따라 방열소재와 반도체 소자의 열팽창 계수(CTE)를 매칭시키는 것이 신뢰성을 결정하는 중요한 요소기술이 되고 있습니다. 이에 당사에서는 CMC 소재를 연구 개발하여 타사 대비 열팽창 계수가 낮고, 가격 경쟁력을 갖춰 방열 Spacer에 적용하였습니다. 이와 같이 전력반도체 패키지 시장에서도 당사의 Heat sink 소재와 방열Spacer가 경쟁력을 갖추고 있다고 판단됩니다.

[㈜코스텍시스의 전력반도체용 패키지]

구분

공정 사진

특징

소재 개발

소재개발 공정

- 펄스 통전 소결법으로 압력을 가함과 동시에 고전류의 펄스를 흐르게 함으로써 전류에 의한 방전 에너지로 급속 승온시켜 치밀한 소결체를 저온에서 고속으로 제조함

- 2016년 국내 최초로 고방열 소재 양산 기술 개발 및 현재 다양한 소재를 생산하여 RF 패키지에 적용 양산 중임

- 2020년부터 전력반도체용 고방열 소재를 개발하여 글로벌 자동차 업체에 시제품 공급 중임

소재 특성

소재 특성 공정

- 열전도율이 높으면서 열팽창 계수가 낮은 CPC, CMC 등 고방열 소재를 독자 개발 생산 중임

- 전량 일본에서 수입하던 소재를 자체 생산하여 수입 대체 중임

방열 Spacer

(제품사진)

방열 Spacer 제품사진

- 전력반도체 소자에서 발생 되는 열(Heat)을 효율적으로 방출하는 방열부품(※ 방열 성능은 전기자동차 등의 전력 효율에 영향이 있음)

(5) 조직도

코스텍시스 조직도.jpg
코스텍시스 조직도

2. 주주총회 목적사항별 기재사항

□ 정관의 변경

가. 집중투표 배제를 위한 정관의 변경 또는 그 배제된 정관의 변경

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

-
-
해당사항 없음

나. 그 외의 정관변경에 관한 건

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

제 6조 (1주의 금액) 당 회사가 발행하는 주식 1주의 금액은 금100원으로 한다.
제 6조 (1주의 금액) 당 회사가 발행하는 주식 1주의 금액은 금500원으로 한다.
적정 유통주식수 유지를 통한 주가안정화 및 기업가치 제고

※ 기타 참고사항주식(액면) 병합의 내용 : 보통주 5주(액면가 100원)를 보통주 1주(액면가 500원)로 병합.

□ 기타 주주총회의 목적사항

가. 의안 제목

주식(액면) 병합의 건

나. 의안의 요지

적정 유통주식수 유지를 통한 주가 안정화 및 기업가치 제고를 위하여 아래와 같이 주식병합을 하고자 함.

1) 주식병합 방법

액면가 100원의 보통주식 5주를 액면가 500원의 보통주식 1주로 병합

구 분

병합 전

병합 후

주식의 종류

보통주식

보통주식

주당 액면가액(원)

100원

500원

발행주식총수(주)

37,603,850주

7,520,770주

자본금

3,760,385,000원

3,760,385,000원

2) 주식병합 전 후의 발행주식 총수

3) 주식병합 기준일 : 2024년 1월 5일

4) 주식병합 일정

- 주식병합 공고 : 2023년 12월 8일

- 주식·사채 등의 전자등록에 관한 법률 제65조에 의하여 구주권제출공고는 면제됨- 매매거래정지 예정기간 : 2024년 1월 3일 ~2024년 2월 1일

- 신주배정기준일 : 2024년 1월 4일- 신주(주식병합기준일)효력발생일 : 2024년 1월 5일- 신주권 상장예정일 : 2024년 2월 2일

5) 단주의 처리

주식의 병합으로 발생하는 1주 미만 단수주는 신주상장 초일 종가를 기준으로 계산하여 현금으로 지급예정임.

6)기타사항

상기 주식병합의 일정 및 발행 후 주식 총수는 관계기관과의 협의 및 처리과정에서 변경될 수 있으며 기타 세부사항 및 일정들은 대표이사에게 위임함.

IV. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

가. 제출 개요

제출(예정)일
사업보고서 등 통지 등 방식

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나. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

금번 주주총회는 임시주주총회로 사업보고서 및 감사보고서를 제출하지 않습니다.

※ 참고사항

■ 해당 주주총회장은 주차공간이 협소하오니 대중교통 이용을 부탁드립니다.■ 주주총회 참석시 준비물

1) 직접행사 : 신신분증(주민등록증, 운전면허증 또는 여권) ※ 신분증 미지참시 주주총회장 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다.

2) 간접행사 : 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인의 신분증■ 참석주주님들을 위한 주주답례품은 지급하지 아니하오니 양지하여 주시기 바랍니다.